KR20130106459A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20130106459A
KR20130106459A KR1020120027496A KR20120027496A KR20130106459A KR 20130106459 A KR20130106459 A KR 20130106459A KR 1020120027496 A KR1020120027496 A KR 1020120027496A KR 20120027496 A KR20120027496 A KR 20120027496A KR 20130106459 A KR20130106459 A KR 20130106459A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
substrate
reflective
disposed
Prior art date
Application number
KR1020120027496A
Other languages
English (en)
Inventor
사다오 타카노
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120027496A priority Critical patent/KR20130106459A/ko
Publication of KR20130106459A publication Critical patent/KR20130106459A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 일 면을 갖는 기판; 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 광을 방출하는 제1 및 제2 표면을 갖는 발광 소자; 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 제1 표면과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 표면에서 방출된 광을 반사하는 제1 반사 전극; 및 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 제2 표면과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 표면에서 방출된 광을 반사하는 제2 반사 전극;을 포함하고, 상기 발광 소자의 제1 및 제2 표면은 상기 기판의 평면과 실질적으로 수직이다.

Description

발광 소자 패키지{LIGHTING DEVICE PACKAGE}
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 재래식 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
종래의 LED 칩에는 다양한 종류가 있다. 대표적으로, 수평 에피-업 칩(lateral Epi-up chip), 수평 플립 칩(lateral flip chip) 및 수직형 칩(vertical chip)이 있다. 수평 에피-업 칩과 수직형 칩은 와이어(wire)와의 접촉 불량이 발생되는 경우가 적지 않다. 수평 플립 칩은 와이어가 필요없기 때문에, 이러한 접촉 불량 문제가 발생하지 않는다. 그러나, 수평 플립 칩은 제조 공정이 복잡하고, 제조 비용도 높다.
종래의 LED 칩은 기판 또는 서브마운트(submount)의 일 면 상에 배치되는데, 이 때, LED 칩 내의 활성층이 기판 또는 서브마운트의 일 면과 평행하도록 배치된다. 따라서, 상기 활성층에서 방출되는 빛의 절반이 기판 또는 서브마운트의 일 면으로 향하기 때문에, LED 칩의 광 추출 효율이 좋지 않다. 물론, LED 칩의 활성층과 기판 또는 서브마운트의 일 면 사이에 반사층을 두어 추출 효율을 높일 수 있지만, 이러한 방식도 추출 효율을 크게 개선하기 어려운 실정이다.
실시 예는 LED 칩과 연결되는 와이어가 불필요한 발광 소자 패키지를 제공한다.
또한, 실시 예는 LED 칩에서 방출되는 광의 손실을 최소화할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 일 면을 갖는 기판; 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 광을 방출하는 제1 및 제2 표면을 갖는 발광 소자; 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 제1 표면과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 표면에서 방출된 광을 반사하는 제1 반사 전극; 및 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 제2 표면과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 표면에서 방출된 광을 반사하는 제2 반사 전극;을 포함하고, 상기 발광 소자의 제1 및 제2 표면은 상기 기판의 평면과 실질적으로 수직이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 광을 방출하는 활성층을 갖는 발광 소자; 및 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 일 측에 배치되고, 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 제1 반사 전극; 및 상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 다른 일 측에 배치되고, 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 제2 반사 전극;을 포함하고, 상기 발광 소자의 활성층은 상기 기판의 일 면과 실질적으로 수직이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 사용하면, LED 칩과 연결되는 와이어가 불필요하므로, 발광 소자 패키지 제조 시 와이어 본딩 과정이 생략될 수 있는 이점이 있다. 또한, 와이어의 접촉 불량이라는 문제점이 근본적으로 제거될 수 있는 이점이 있다.
또한, LED 칩에서 방출되는 광의 손실을 최소화할 수 있어 고 휘도화를 기대할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자에서 방출되는 광의 경로를 보여주는 도면.
도 3은 도 1에 도시된 반사 전극의 일 예의 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 반사 전극의 변형 예들을 보여주는 사시도.
도 5는 도 1에 도시된 반사 전극의 변형 예들을 보여주는 도면.
도 6은 도 4의 상단에 도시된 반사 전극을 도 1에 도시된 발광 소자 패키지에 적용한 경우의 개념도.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도.
도 8은 도 6에 도시된 발광 소자 패키지에 수지부를 추가한 경우의 도면.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도.
도 11은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자에서 방출되는 광의 경로를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 기판(100), 발광 소자(300) 및 반사 전극(500)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 플라스틱 기판, 세라믹 기판, 인쇄 회로 기판(PCB), 연성 PCB 및 서브마운트(submount) 중 어느 하나일 수 있다. 여기서, 기판(100)은 앞에서 열거한 것뿐만 아니라, 발광 소자(300)가 장착될 수 있는 어떠한 형태의 기판도 포함한다.
기판(100)의 일 면 상에는 발광 소자(300)와 반사 전극(510, 530)이 배치된다. 기판(100)의 일 면은 발광 소자(300)의 활성층(350)과 실질적으로 수직한다.
발광 소자(300)는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 발광 다이오드 칩은 수평형 칩, 플립 칩 및 수직형 칩 중 어느 하나일 수 있다. 여기서, 발광 소자(300)의 종류가 앞서 열거된 것들로 한정되는 것은 아니다. 발광 소자(300)는 활성층(350)을 갖는 어떠한 종류의 발광 다이오드 칩을 포함하는 것으로 이해해야 한다.
발광 소자(300)는 제1 전극층(310)과 제2 전극층(330) 및 소정의 광을 방출하는 활성층(350)을 갖는다. 활성층(350)은 제1 전극층(310)과 제2 전극층(330) 사이에 배치된다.
제1 전극층(310)은 제1 반사 전극(510)과 전기적으로 연결되어 전원(Vs)의 + 신호를 인가받고, 제2 전극층(330)은 제2 반사 전극(530)과 전기적으로 연결되어 전원(Vs)의 ? 신호를 인가받는다. 제1 전극층(310)과 제2 전극층(330)은 활성층(350)으로부터 방출되는 광이 통과되도록 투명 전극층인 것이 바람직하다일 수 있다. 도 2를 참조하면, 제1 전극층(310)은 활성층(350)으로부터 방출된 광이 방출하는 제1 표면(311)을 갖고, 제2 전극층(330)은 활성층(350)으로부터 방출된 광이 방출하는 제2 표면(331)을 갖는다.
활성층(350)은 단일 양자 우물일 수도 있고, 다중 양자 우물 구조일 수도 있다. 따라서, 더 많은 전자가 양자 우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가되어 발광 효과가 향상될 수 있다. 또한, 활성층(350)은 양자선(Quantum wire) 구조 또는 양자점(Quantum dot) 구조를 포함할 수 있다.
활성층(350)은 기판(100)의 일 면과 실질적으로 수직하게 배치된다. 여기서, 활성층(350)은 기판(100)의 일 면과 실질적으로 수직한다는 의미는 활성층(350)이 형성된 방향이 기판(100)의 일 면과 수학적으로 완벽하게 수직한 것뿐만 아니라 90도에서 소정의 오차를 갖는 각도도 포함한다.
활성층(350)에서 방출된 광의 대부분은 제1 및 제2 전극층(310, 330)을 통과하여 반사 전극(510, 530) 방향으로 방출된다.
발광 소자(300)는 제1 반사 전극(510)과 제2 반사 전극(530) 사이에 배치되고,어 제1 반사 전극(510)과 제2 반사 전극(530)에 의해 지지될 수 있다.
발광 소자(300)는 백색, 청색, 녹색 및 적색 중 적어도 하나의 색상의 광을 방출한다.
제1 및 제2 반사 전극(510, 530)은 기판(100)의 일 면 상에 배치된다.
제1 및 제2 반사 전극(510, 530)은 전류가 도통할 수 있는 도체로서, 전원(Vs)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1 반사 전극(510)은 전원(Vs)으로부터 + 신호를 제공받고, 제2 반사 전극(530)은 전원(Vs)으로부터 ? 신호를 제공받는다.
제1 반사 전극(510)은 발광 소자(300)의 제1 전극층(310)과 전기적으로 연결되고, 제2 반사 전극(530)은 발광 소자(300)의 제2 전극층(330)과 전기적으로 연결된다.
여기서, 제1 반사 전극(510)과 제1 전극층(310) 사이에 제1 연결부(410)가 배치될 수 있고, 제2 반사 전극(530)과 제2 전극층(330) 사이에 제2 연결부(430)가 배치될 수 있다. 제1 연결부(410)와 제2 연결부(430)는 전극 패드일 수도 있고, 납땜일 수도 있다. 또한, 제1 및 제2 연결부(410, 430)는 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)과 일체로서, 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 일 측에서 돌출된 것일 수 있다.
제1 및 제2 반사 전극(510, 530)은 발광 소자(300)를 지지한다. 구체적으로, 제1 반사 전극(510)은 발광 소자(300)의 일 측에 배치되고, 제2 반사 전극(530)은 발광 소자(300)의 맞은 편 다른 일 측에 배치되어 발광 소자(300)를 지지한다.
제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 일 예를 도 3을 참조하여 설명하도록 한다.
도 3은 도 1에 도시된 반사 전극(510, 530)의 일 예의 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 반사 전극(510)은 발광 소자(300)의 제1 전극층(310)으로부터 방출되는 광을 소정 방향으로 반사하는 제1 반사면(515)을 갖는다. 도 2를 참조하면, 제1 반사면(515)는 발광 소자(300)의 제1 표면(311)에서 방출되는 광을 기판(100)의 일 면의 상부 방향으로 반사한다. 여기서, 제1 반사면(515)의 각도는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 지향 각도에 따라 달라진다.
제2 반사 전극(530)은 발광 소자(300)의 제2 전극층(330)으로부터 방출되는 광을 소정 방향으로 반사하는 제2 반사면(535)을 갖는다. 도 2를 참조하면, 제2 반사면(535)는 발광 소자(300)의 제2 표면(331)에서 방출되는 광을 기판(100)의 일 면의 상부 방향으로 반사한다. 여기서, 제2 반사면(535)의 각도는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 지향 각도에 따라 달라진다.
발광 소자(300)는 하나 이상의 측면들을 갖는다. 측면들은 제1 표면(311)과 제2 표면(331)을 연결하는 면이다. 복수의 측면들 중 하나의 측면은 기판(100)의 일 면과 접촉한다. 복수의 측면들 각각의 면적은 제1 표면(311) 또는 제2 표면(331)의 면적보다 작다.
발광 소자(300)의 높이는 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 높이보다 낮다. 여기서, 발광 소자(300)의 높이는 기판(100)의 상면을 기준으로 한 발광 소자(300)의 최대 길이이다. 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 높이도 기판(100)의 상면을 기준으로 한 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 최대 길이이다. 발광 소자(300)의 높이는 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 높이보다 낮으면 또는 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 높이가 발광 소자(300)의 높이보다 높으면, 발광 소자(300)의 제1 표면(311)과 제2 표면(331)으로부터 방출된 광의 대부분이 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 입사면(515, 535)에 입사될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 광 효율이 향상될 수 있다.
제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 반사면(515, 535)은 평면일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 반사면(515, 535)은 곡면일 수 있다. 반사면(515, 535)이 곡면이면, 평면의 배광 분포와 다른 배광 분포를 얻을 수 있다. 도 4를 참조하여 설명하도록 한다.
도 4는 도 3에 도시된 반사 전극(510, 530)의 변형 예들을 보여주는 사시도이다.
도 4의 상단에 도시된 반사 전극(510’, 530’)의 반사면(515’, 535’)과 하단에 도시된 반사 전극(510’’, 530’’)의 반사면(515’’, 535’’)은 곡면인데, 좀 더 구체적으로 상단의 반사면(515’, 535’)은 원통의 외면과 같은 곡면이고, 하단의 반사면(515’’, 535’’)은 구의 외면과 같은 곡면이다.
도 5는 도 1에 도시된 반사 전극(510, 530)의 변형 예들을 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 도 1에 도시된 반사 전극(510, 530)은 다양한 형상으로 변형될 수 있다.
도 6은 도 4의 상단에 도시된 반사 전극을 도 1에 도시된 발광 소자 패키지에 적용한 경우의 개념도이다.
도 6을 참조하면, 발광 소자(300)의 제1 표면(311)과 제2 표면(331)에서 방출되는 광은 제1 및 제2 반사 전극(510’, 530’)의 제1 및 제2 반사면(515’, 535’)에 반사되어 기판(100)의 상부 방향으로 진행한다.
이렇게 제1 및 제2 반사면(515’, 535’)이 곡면이면, 발광 소자(300)에서 방출되는 광을 여러 방향으로 반사시킬 수 있다. 즉, 발광 소자(300)의 중단부에서 방출되는 광은 제1 및 제2 반사면(515’, 535’)에 의해 기판(100)과 수직한 방향으로 반사되고, 발광 소자(300)의 하단부에서 방출되는 광은 제1 및 제2 반사면(515’, 535’)에 의해 발광 소자(300)에서 멀어지는 방향으로 반사되고, 발광 소자(300)의 상단부에서 방출되는 광은 제1 및 제2 반사면(515’, 535’)에 의해 발광 소자(300)와 가까워지는 방향으로 반사될 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도이다.
도 7을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지에 수지부(700)가 부가된 것이다.
수지부(700)는 발광 소자(300)와 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)의 제1 및 제2 반사면(515, 535) 상에 배치된다. 이러한 수지부(700)는 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)을 틀로 하여 발광 소자(300)를 매립한다.
수지부(700)는 실리콘 또는 투명한 합성 수지일 수 있다.
수지부(700)는 형광체(미도시)를 가질 수 있다. 형광체는 황색, 녹색 및 적색 형광체 중 하나 이상일 수 있다. 즉, 형광체들은 서로 다른 색상일 수 있다.
황색 형광체는 청색광(430nm ~ 480nm)에 응답하여 540nm부터 585nm 범위에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 상기 녹색 형광체는 청색광(430nm ~ 480nm)에 응답하여 510nm부터 535nm 범위에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 상기 적색 형광체는 청색광(430nm ~ 480nm)에 응답하여 600nm부터 650nm 범위에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 상기 황색 형광체는 실리케이트계 또는 야그계의 형광체일 수 있고, 상기 녹색 형광체는 실리케이트계, 나이트라이드계 또는 설파이드계 형광체일 수 있고, 상기 적색 형광체는 나이트라이드계 또는 설파이드계 형광체일 수 있다.
형광체는 발광 소자(300)에서 방출되는 광에 의해 여기되어 발광 소자(300)에서 방출되는 광의 파장과 다른 파장을 갖는 광을 방출한다. 따라서, 수지부(700)에서 방출되는 광은 발광 소자(300)에서 방출되는 광과 형광체에서 방출되는 광이 혼합된 광이 방출된다.
일 예로, 발광 소자(300)가 청색광을 방출하는 발광 소자이고, 형광체가 황색 형광체인 경우, 수지부(700)에서 방출되는 광은 청색광과 황색광이 혼합된 백색광이 방출될 수 있다. 여기에 연색 지수를 향상시키기 위해, 녹색 형광체와 적색 형광체가 함께 수지부(700)에 포함될 수 있다.
도 8은 도 6에 도시된 발광 소자 패키지에 수지부(700’)를 추가한 경우의 도면이다.
도 8을 참조하면, 도 6의 발광 소자 패키지에도 수지부(700’)를 더 추가함으로써, 백색광을 구현할 수 있다. 또한, 백색광의 연색 지수도 향상시킬 수 있다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도이다.
도 9에 도시된 발광 소자 패키지는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지를 응용한 것으로, 복수의 발광 소자들(300-1, 300-2, 300-3)을 하나의 기판(100)에 직렬 연결시킨 것이다.
도 9를 참조하면, 제1 내지 제3 발광 소자(300-1, 300-2, 300-3)는 기판(100)의 일 면 상에 서로 이격되어 배치된다.
도 1에 도시된 제1 반사 전극(510)은 제1 발광 소자(300-1)의 일 측에 배치되고, 도 1에 도시된 제2 반사 전극(530)은 제3 발광 소자(300-3)의 일 측에 배치된다.
제1 발광 소자(300-1)와 제2 발광 소자(300-2) 사이에는 제3 반사 전극(550)이 배치되고, 제2 발광 소자(300-2)와 제3 발광 소자(300-3) 사이에는 제4 반사 전극(570)이 배치된다. 제3 반사 전극(550)은 제1 발광 소자(300-1)와 제2 발광 소자(300-2)를 전기적으로 연결시키고, 제4 반사 전극(570)은 제2 발광 소자(300-2)와 제3 발광 소자(300-3)를 전기적으로 연결시킨다.
제3 반사 전극(550)은 제1 발광 소자(300-1)로부터 방출되는 광을 반사하고, 동시에 제2 발광 소자(300-2)로부터 방출되는 광을 반사한다. 이를 위해, 제3 반사 전극(550)은 제1 발광 소자(300-1)로부터 방출되는 광을 반사하는 제3 반사면(551)과 제2 발광 소자(300-2)로부터 방출되는 광을 반사하는 제4 반사면(553)을 갖는다. 제3 반사면(551)의 기울기는 제2 반사 전극(530)의 제2 반사면(535)과 동일하고, 제4 반사면(553)의 기울기는 제1 반사 전극(510)의 제1 반사면(515)과 동일하다.
제4 반사 전극(570)은 제2 발광 소자(300-2)로부터 방출되는 광을 반사하고, 동시에 제3 발광 소자(300-3)로부터 방출되는 광을 반사한다. 이를 위해, 제4 반사 전극(570)은 제2 발광 소자(300-2)로부터 방출되는 광을 반사하는 제5 반사면(571)과 제3 발광 소자(300-3)로부터 방출되는 광을 반사하는 제6 반사면(573)을 갖는다. 제5 반사면(571)의 기울기는 제2 반사 전극(530)의 제2 반사면(535)과 동일하고, 제6 반사면(573)의 기울기는 제1 반사 전극(510)의 제1 반사면(515)과 동일하다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 개념도이다. 도 10에 도시된 발광 소자 패키지는 도 6에 도시된 발광 소자 패키지를 응용한 것으로, 복수의 발광 소자들(300-1, 300-2, 300-3)을 하나의 기판(100)에 직렬 연결시킨 것이다.
도 10을 참조하면, 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 도 9와 동일하게 제3 및 제4 반사 전극(550’, 570’)이 제1 반사 전극(510’)과 제2 반사 전극(530’) 사이에 배치된다. 제3 및 제4 반사 전극(550’, 570’)의 구체적인 배치 방식과 기능은 도 9의 설명으로 대체한다.
도 11은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 일 면 상에 솔더 페이스트(Solder paste, 1000a, 1000b)를 형성한다. 구체적으로, 제1 솔더 페이스트(1000a)와 제2 솔더 페이스트(1000b)를 기판(100)의 일 면 상에 형성한다. 여기서, 제1 솔더 페이스트(1000a)와 제2 솔더 페이스트(1000b) 사이에 소정의 간격이 생기도록 제1 솔더 페이스트(1000a)와 제2 솔더 페이스트(1000b)를 형성한다. 그리고, 제1 솔더 페이스트(1000a)와 제2 솔더 페이스트(1000b) 사이의 간격 위에 발광 소자(300)를 위치시킨다.
도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(300)를 기판(100)의 일 면 상의 제1 솔더 페이스트(1000a)와 제2 솔더 페이스트(1000b)의 사이에 배치시킨다. 기판(100)의 일 면 위에 발광 소자(300)를 고정시키기 위해, 발광 소자(300)와 기판(100)의 일 면 사이에 접착제를 바르고, 자외선 경화 과정을 거치도록 할 수 있다.
도 11의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 반사 전극(510)을 제1 솔더 페이스트(1000a) 위에 배치시킨다. 그리고, 제1 반사 전극(510)에서 발광 소자(300)와 가장 인접하는 일 측에 제1 연결부(410)을 형성하고, 제1 연결부(410)를 발광 소자(300)와 전기적으로 연결시킨다. 제2 반사 전극(530)을 제2 솔더 페이스트(1000b) 위에 배치시킨다. 그리고, 제2 반사 전극(530)에서 발광 소자(300)와 가장 인접하는 일 측에 제2 연결부(430)을 형성하고, 제2 연결부(430)를 발광 소자(300)와 전기적으로 연결시킨다.
도 11의 (d)에 도시된 바와 같이, 리플로우(Reflow) 공정을 통해 도 1에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 완성한다. 리플로우 공정은 고온의 열원을 이용하여 부품들을 전기적으로 접속시키기 위한 공정을 말한다. 구체적으로, 고온의 열원을 이용하여 발광 소자(300)와 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)이 안정적으로 접합시키고, 기판(100)과 제1 및 제2 반사 전극(510, 530)을 안정적으로 접합시킨다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판
300: 발광 소자
410, 430: 연결부
510, 530: 반사 전극
700: 수지부

Claims (12)

  1. 일 면을 갖는 기판;
    상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 광을 방출하는 제1 및 제2 표면을 갖는 발광 소자;
    상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 제1 표면과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 표면에서 방출된 광을 반사하는 제1 반사 전극; 및
    상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 제2 표면과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 표면에서 방출된 광을 반사하는 제2 반사 전극;을 포함하고,
    상기 발광 소자의 제1 및 제2 표면은 상기 기판의 평면과 실질적으로 수직인 발광 소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 하나 이상의 측면을 갖고,
    상기 측면은 상기 기판의 일 면 상에 배치된 발광 소자 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 측면의 면적은 상기 제1 표면 또는 상기 제2 표면의 면적보다 작은 발광 소자 패키지.
  4. 기판;
    상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 광을 방출하는 활성층을 갖는 발광 소자; 및
    상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 일 측에 배치되고, 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 제1 반사 전극; 및
    상기 기판의 일 면 상에 배치되고, 상기 발광 소자의 다른 일 측에 배치되고, 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 제2 반사 전극;을 포함하고,
    상기 발광 소자의 활성층은 상기 기판의 일 면과 실질적으로 수직인 발광 소자 패키지.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 활성층의 일 면 상에 배치된 제1 전극층과 상기 활성층의 다른 일 면 상에 배치된 제2 전극층을 포함하고,
    상기 제1 전극층은 상기 제1 반사 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극층 상기 제2 반사 전극과 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지.
  6. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반사 전극은 반사면을 갖고,
    상기 반사면은 평면 또는 곡면인 발광 소자 패키지.
  7. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 복수이고,
    상기 복수의 발광 소자들 사이사이에 배치되어 상기 복수의 발광 소자들을 전기적으로 연결하고, 상기 복수의 발광 소자들에서 방출되는 광을 반사하는 반사 전극들을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  8. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 발광 소자 상에 배치되고, 형광체를 갖는 수지부를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 형광체는 황색, 녹색 및 적색 형광체 중 하나 이상을 갖는 발광 소자 패키지.
  10. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 발광 소자와 상기 제1 반사 전극을 전기적으로 연결하는 제1 연결부와, 상기 발광 소자와 상기 제2 반사 전극을 전기적으로 연결하는 제2 연결부를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 연결부는 전극 패드 또는 납땜인 발광 소자 패키지.
  12. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 기판의 일 면을 기준으로 한 상기 발광 소자의 높이는 상기 제1 및 제2 반사 전극의 높이보다 낮은 발광 소자 패키지.
KR1020120027496A 2012-03-19 2012-03-19 발광 소자 패키지 KR20130106459A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120027496A KR20130106459A (ko) 2012-03-19 2012-03-19 발광 소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120027496A KR20130106459A (ko) 2012-03-19 2012-03-19 발광 소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130106459A true KR20130106459A (ko) 2013-09-30

Family

ID=49454305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120027496A KR20130106459A (ko) 2012-03-19 2012-03-19 발광 소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130106459A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102246243B1 (ko) 발광소자, 발광장치 및 장치 베이스
CN102237485B (zh) 引线框架、芯片封装、封装模块以及照明装置
US8638037B2 (en) Lead frame for light emitting device package, light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package
CN103456728B (zh) 发光组件及其发光装置
TWI610465B (zh) 發光二極體組件及製作方法
CN103430339B (zh) 基板、发光装置以及照明装置
US9196584B2 (en) Light-emitting device and lighting apparatus using the same
US8783911B2 (en) LED packaging structure having improved thermal dissipation and mechanical strength
CN111457260A (zh) 发光组件及制作方法
JP4753419B2 (ja) 発光モジュール
EP2478750B1 (en) Light-source module and light-emitting device
CN204118121U (zh) 发光装置
KR101063925B1 (ko) 조명 장치
TW201401497A (zh) 用於形成多方向出光之發光二極體晶片的藍寶石基板
KR101103524B1 (ko) 조명 장치
KR20130106459A (ko) 발광 소자 패키지
CN203948978U (zh) 发光装置
KR101921127B1 (ko) 조명 장치
KR101972047B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 헤드 램프
US8888324B2 (en) Light-emitting device, method for assembling same and luminaire
KR20120061428A (ko) 조명 장치
KR20120060084A (ko) 광원 모듈
TWI553384B (zh) 背光模組
CN106169467B (zh) 发光装置
KR101694178B1 (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application