KR20130092458A - Method for dividing workpiece - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A processed article division method is provided to accurately prevent the reconnection of DAF or damage to a chip by preventing the connection of the DAF. CONSTITUTION: A processed article (11) is formed according to a division prediction line. The processed article is attached to an adhesive tape (T) including an adhesive layer (Tn) on a surface. The processed article is attached to a ring shaped frame (F) through the adhesive tape. The processed article is arranged on a maintenance table (61) through the adhesive tape. A plurality of chips (15A) is formed by dividing the processed articles according to the division prediction line. [Reference numerals] (67) Absorption source

Description

피가공물의 분할 방법{METHOD FOR DIVIDING WORKPIECE}How to split a workpiece {METHOD FOR DIVIDING WORKPIECE}

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등 피가공물의 분할 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for dividing a workpiece, such as a semiconductor wafer.

종래 예컨대, 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이, 점착 테이프에 점착된 피가공물에 대해서, 개질층, 레이저 가공 홈, 절삭 홈 등의 분할 기점을 분할 예정 라인을 따라서 형성한 후에, 분할 장치를 이용하여 개개의 칩으로 분할하는 것이 행해지고 있다. Conventionally, for example, as disclosed in Patent Literature 1, after forming a starting point of a modified layer, a laser processing groove, a cutting groove, or the like, on a workpiece adhered to an adhesive tape, a split device is used. Dividing into individual chips is performed.

특허 문헌 1에서는, 피가공물이 점착된 점착 테이프를 확장하는 것으로 피가공물에 외력을 부여하여 피가공물을 분할하는 기술에 관해서 개시되어 있다. 확장에 의해서 신장된 점착 테이프는, 확장된 상태로부터 개방되면, 신장된 부위에 의해서 잉여 부위가 형성하게 된다. 이 잉여 부위에는 텐션이 걸리지 않고 느슨한 상태가 되기 때문에, 분할후의 인접한 칩끼리가 접촉하여 결손이나 파손이 생기는 것이 걱정된다. In patent document 1, the technique which divides a to-be-processed object by applying an external force to a to-be-processed object by extending the adhesive tape to which a to-be-processed object adhered is disclosed. When the adhesive tape stretched by expansion is opened from the expanded state, an excess portion is formed by the stretched portion. Since the excess portion is not tensioned and is loosened, there is a concern that adjacent chips after division may come into contact with each other to cause defects or breakage.

또한, 웨이퍼에 칩 실장할 때 접착제의 역할을 다하는 점접착층을 포함하는 DAF(다이아 터치 필름)이 점착되어 있는 경우에서는, 점착 테이프가 확장된 상태로부터 해방되면, 칩과 함께 분할된 DAF 끼리가 접촉하여, DAF이 재접합되는 문제점이 생기는 것이 우려된다.In addition, in the case where the DAF (Dia Touch Film) including the adhesive layer serving as the adhesive when the chip is mounted on the wafer is adhered to each other, when the adhesive tape is released from the expanded state, the DAFs that are divided with the chips are in contact with each other. As a result, there is a concern that a problem arises in that the DAF is re-bonded.

이 점에 관해서, 특허 문헌 2에는, 확장되어 형성된 점착 테이프의 잉여 부위에 열 등의 외적 자극을 부여하여, 잉여 부위를 수축시킴으로써, 칩 사이의 간격을 유지하는 방법이 개시되어 있다.In this regard, Patent Document 2 discloses a method of maintaining an interval between chips by applying an external stimulus such as heat to an excess portion of the expanded adhesive tape and shrinking the excess portion.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2007-189057호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-189057 특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 제2007-027562호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-027562

그러나, 특허 문헌 2에 개시되는 기술이더라도, 점착 테이프의 재질이나 두께에 따라서는 외적 자극에 의한 수축이 불충분하거나, 또는 수축하지 않는 것이 우려되고, 개선이 한층 더 갈망되고 있다. However, even in the technique disclosed in Patent Literature 2, depending on the material and thickness of the adhesive tape, there is a concern that the shrinkage due to external stimulus may be insufficient or not to shrink, and further improvement is desired.

본 발명은, 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 분할후에 있어서의 칩이나 DAF의 접촉을 방지함으로써, 칩의 결손·파손이나 DAF의 재접합을 확실히 방지할 수 있게 하는 피가공물의 분할 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to prevent contact between chips and DAFs after division, thereby making it possible to reliably prevent chip breakage and damage or rebonding of DAFs. It is to provide a method of dividing a workpiece.

청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 피가공물에 분할 예정 라인을 따라서 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와, 분할 기점 형성 단계를 실시하기 전 또는 후에, 표면에 점착층을 갖는 점착 테이프에 피가공물을 점착하고 점착 테이프를 통해 환형 프레임에 장착하는 점착 테이프 점착 단계와, 분할 기점 형성 단계와 점착 테이프 점착 단계를 실시한 뒤, 피가공물을 흡인 유지 가능한 유지 테이블상에 점착 테이프를 통해 피가공물을 배치하고 환형 프레임을 프레임 유지 수단으로 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 뒤, 유지 테이블과 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대 이동시켜서 프레임 유지 수단에 대하여 유지 테이블을 밀어 올려 점착 테이프를 확장하는 것으로, 피가공물을 분할 기점으로부터 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 복수의 칩을 형성하고 인접한 칩 사이에 간격을 형성하는 분할 단계와, 분할 단계를 실시한 뒤, 유지 테이블로 점착 테이프를 통해 피가공물을 흡인 유지하는 것으로 인접한 칩 사이의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계와, 흡인 유지 단계를 시작한 뒤, 유지 테이블과 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대 이동시켜서 프레임 유지 수단에 대한 유지 테이블의 밀어 올림을 해제하여, 점착 테이프가 확장되어 형성된 점착 테이프의 잉여 부위가 피가공물의 외주측에서 점착 테이프 표면측으로 솟아오른 융기부를 형성하는 융기부 형성 단계와, 융기부 형성 단계를 실시한 뒤, 점착 테이프의 이면측으로부터 융기부를 흡인 수단으로 흡인하여, 점착 테이프의 이면측으로 돌출시켜서 이면측 융기부로 하는 융기부 반전 단계와, 융기부 반전 단계를 실시한 뒤, 이면측 융기부를 협지 수단으로 협지하는 것으로 이면측 융기부의 내측 부위끼리를 접착하여 점착 테이프의 잉여 부위를 삭감하는 잉여 삭감 단계를 포함하는 피가공물의 분할 방법이 제공된다. According to the invention described in claim 1, the divided starting point forming step of forming a split starting point along the scheduled parting line in a workpiece having a plurality of divided scheduled lines intersecting therebetween, and adhered to the surface before or after performing the divided starting point forming step. The adhesive is adhered to the adhesive tape having a layer, and the adhesive tape is adhered to the annular frame through the adhesive tape, and the adhesive is formed on the holding table capable of suction-holding the workpiece. After the holding step of arranging the workpiece through the tape and holding the annular frame as the frame holding means and the holding step, the holding table and the frame holding means are moved relative to each other in the vertical direction to push the holding table against the frame holding means. Split the workpiece by expanding the adhesive tape A dividing step of forming a plurality of chips by dividing along a preliminary dividing line from each other and forming a gap between adjacent chips, and carrying out the dividing step by suction holding the workpiece through an adhesive tape with a holding table. After the suction holding step for holding the gap and the suction holding step are started, the holding table and the frame holding means are moved relative to each other in the vertical direction to release the holding table against the frame holding means, thereby expanding the adhesive tape. After the ridge forming step and the ridge forming step of forming a ridge which the excess portion of the tape rises from the outer circumferential side of the workpiece to the adhesive tape surface side, and the ridge forming step are performed, the ridge is sucked from the back side of the adhesive tape by suction means, The ridge part which protrudes to the back surface side of a tape and becomes a back surface ridge part. After performing the previous step and the step of inverting the ridge, the workpiece is divided by a step of squeezing the inner side of the rear side ridge to sandwich the inner side of the rear side ridge to reduce the excess portion of the adhesive tape. A method is provided.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 잉여 삭감 단계를 실시한 뒤, 피가공물의 외주측의 점착 테이프를 점착 테이프의 표면측으로부터 가열하여 점착 테이프를 수축시키는 수축 단계를 포함하는 피가공물의 분할 방법이 제공된다. According to the invention of claim 2, there is provided a method of dividing a workpiece, including a shrinkage step of shrinking the adhesive tape by heating the adhesive tape on the outer peripheral side of the workpiece from the surface side of the adhesive tape after the excess reduction step is performed. .

본 발명에 의하면, 분할후에 점착 테이프가 휘어, 인접한 칩끼리가 접촉하여 결손·파손한다고 하는 문제점이나, 인접한 칩의 이면의 DAF끼리가 재결합한다고 하는 문제점을 막는 것도 가능해진다. According to the present invention, it is also possible to prevent the problem that the adhesive tape bends after division, resulting in defects and damages due to contact between adjacent chips, and recombination of DAFs on the back of adjacent chips.

도 1은 피가공물인 웨이퍼의 사시도이다.
도 2는 분할 기점 형성 단계에 관해서 설명하는 사시도이다.
도 3은 테이프 점착 단계에 관해서 설명하는 사시도이다.
도 4는 유지 단계에 관해서 설명하는 측단면도이다.
도 5는 분할 단계에 관해서 설명하는 측단면도이다.
도 6은 흡인 유지 단계에 관해서 설명하는 측단면도이다.
도 7은 융기부 형성 단계에 관해서 설명하는 측단면도이다.
도 8의 (A)는 융기부에 관해서 설명하는 도이다. (B)는 융기부 반전 단계에 관해서 설명하는 도이다.
도 9의 (A)는 잉여 삭감 단계에 관해서 설명하는 도이다. (B)는 협지 부재의 사이에 이면측 융기부를 사이에 둔 상태에 관해서 설명하는 도이다.
도 10은 웨이퍼 및 환형 프레임을 제거한 상태에 관해서 설명하는 측단면도이다.
도 11은 수축 단계에 관해서 설명하는 측단면도이다.
1 is a perspective view of a wafer that is a workpiece.
Fig. 2 is a perspective view illustrating the division origin forming step.
3 is a perspective view illustrating a tape sticking step.
4 is a side sectional view for explaining the holding step.
5 is a side sectional view for explaining the dividing step.
6 is a side sectional view for explaining the suction holding step.
7 is a side sectional view for explaining a step of forming a ridge.
8A is a diagram for explaining the raised portion. (B) is a figure explaining the ridge inversion step.
9A is a diagram for explaining the excess reduction step. (B) is a figure explaining the state which pinched | interposed the back side ridge part between clamping members.
It is a side cross-sectional view explaining the state which removed the wafer and the annular frame.
It is a side sectional view explaining the shrinkage step.

본 발명은, 복수의 교차하는 분할 예정 라인이 설정된 피가공물을 분할 예정라인을 따라서 분할하는 피가공물의 분할 방법이며, 이하 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. The present invention is a method for dividing a workpiece in which a plurality of intersecting scheduled lines are set along a scheduled division line, and an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

도 1은, 피가공물의 실시 형태인 반도체 웨이퍼(11)(이하, 단순히「웨이퍼(11)」라고도 기재된다)에 관해서 도시한 도이다. 웨이퍼(11)는, 예컨대 두께가 700 ㎛의 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 교차하는 분할 예정 라인(스트리트)(13)이 격자형으로 형성되어 있고, 이 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해서 구획된 복수 영역에 각각 디바이스(15)가 형성되어 있다. 1 is a diagram showing a semiconductor wafer 11 (hereinafter also simply referred to as "wafer 11") which is an embodiment of a workpiece. The wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 µm, and a plurality of intersecting lines (streets) 13 intersected on the surface 11a are formed in a lattice shape. Devices 15 are formed in plural regions partitioned by 13, respectively.

이와 같이 구성된 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)을 갖추고 있다. 웨이퍼(11)의 외주에는, 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(12)가 형성되어 있다. 또, 피가공물로서는, 분할 예정 라인이 규정되어 있지 않고, 또한 디바이스가 형성되어 있지 않고 패턴을 가지고 있지 않은 것도 상정된다. The wafer 11 configured in this manner includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer circumferential surplus region 19 surrounding the device region 17. On the outer periphery of the wafer 11, a notch 12 as a mark representing the crystal orientation of the silicon wafer is formed. Moreover, as a to-be-processed object, a division scheduled line is not prescribed | regulated and also a device is not formed and it does not have a pattern.

이상과 같은 웨이퍼(11)에 관해서, 본 발명에 따른 피가공물(웨이퍼(11))의 분할 방법이 실시된다. 우선, 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)을 따라서 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계가 실시된다. Regarding the wafer 11 as described above, the method of dividing the workpiece (wafer 11) according to the present invention is performed. First, a division origin forming step of forming a division origin along the division scheduled line 13 of the wafer 11 is performed.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 레이저 가공 장치에 의한 분할 예정 라인(13)에 따른 개질층(변질층)의 형성에 의해 분할 기점이 형성된다. 또, 분할 기점의 형성은, 이 밖에도 레이저 가공 장치에 의한 레이저 가공 홈의 형성이나, 절삭 블레이드에 의한 절삭 가공에 의한 절삭 홈의 형성(하프 컷트) 등에 의한 것도 생각할 수 있다. As shown in FIG. 2, in this embodiment, a division origin is formed by formation of the modified layer (deformation layer) along the division scheduled line 13 by a laser processing apparatus. In addition, formation of a division origin can also be considered by formation of the laser processing groove by a laser processing apparatus, formation of the cutting groove by the cutting process by a cutting blade (half cut), etc.

도 2에는, 웨이퍼(11)의 내부에 분할 예정 라인(13)을 따라서 개질층을 형성하는 레이저 가공 장치의 주요부가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치는, 웨이퍼(11)를 유지하는 척 테이블(10)과, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(11)에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛(2)과, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(11)를 촬상하는 CCD 카메라 등의 촬상 수단(4)을 구비하여 구성할 수 있다. In FIG. 2, the main part of the laser processing apparatus which forms the modified layer along the dividing line 13 in the inside of the wafer 11 is shown. The laser processing apparatus includes a chuck table 10 holding a wafer 11, a laser beam irradiation unit 2 for irradiating a laser beam to the wafer 11 held on the chuck table 10, and a chuck table 10. And imaging means 4 such as a CCD camera for imaging the wafer 11 held on the substrate).

척 테이블(10)은, 웨이퍼(11)를 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않는 이동 기구에 의해 도 2에 있어서 화살표 X로 도시하는 가공 이송 방향 및 화살표 Y로 도시하는 인덱싱 이송 방향으로 이동된다.The chuck table 10 is configured to suck and hold the wafer 11, and is moved in the machining feed direction shown by the arrow X and the indexing feed direction shown by the arrow Y by a moving mechanism not shown. .

레이저 빔 조사 유닛(2)은, 실질적으로 수평으로 배치된 원통 형상의 케이싱(6)을 갖고 있다. 케이싱(6)내에는, YAG 레이저 발진기 또는 YVO4 레이저 발진기 등의 펄스 레이저 발진기 및 반복 주파수 설정 수단을 갖춘 펄스 레이저 발진 수단이 배치되어 있다. 케이싱(6)의 선단부에는, 펄스 레이저 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저빔을 집광하기 위한 집광기(8)가 장착되어 있다. The laser beam irradiation unit 2 has a cylindrical casing 6 arranged substantially horizontally. In the casing 6, a pulse laser oscillation means equipped with a pulse laser oscillator such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator and a repetition frequency setting means are disposed. At the distal end of the casing 6, a condenser 8 for condensing the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser oscillation means is mounted.

촬상 수단(4)은, 가시광선에 의해서 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 갖춰 구성되어 있고, 촬상된 화상 신호는 도시하지 않는 제어 수단에 송신된다. The imaging means 4 is equipped with the imaging element CCD etc. which image with visible light, and the image signal picked up is transmitted to the control means which is not shown in figure.

이상의 구성으로 하는 레이저 가공 장치를 이용하여, 집광기(8)로부터 웨이퍼(11)에 대하여 투과성을 갖는 펄스 레이저빔을 조사하면서, 척 테이블(10)을 화살표 X 방향으로 정해진 이송 속도로 이동시킴으로써, 웨이퍼(11)의 내부에 분할 예정 라인(13)을 따른 개질층(용융 재경화층)이 형성된다. The wafer is moved by moving the chuck table 10 at a feed rate determined in the arrow X direction while irradiating a pulsed laser beam having transparency to the wafer 11 from the light collector 8 using the laser processing apparatus having the above structure. Inside the (11), a modified layer (melt rehardening layer) along the division scheduled line 13 is formed.

개질층은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위와는 상이한 상태가 된 영역을 말한다. 개질층 형성시의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다. The modified layer refers to a region where the density, refractive index, mechanical strength and other physical properties are in a state different from the surroundings. The processing conditions at the time of forming a modified layer are set as follows, for example.

광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd : YVO4 펄스 레이저Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulsed laser

파장 : 1064 nm Wavelength: 1064 nm

반복 주파수 : 100 kHz Repetition frequency: 100 kHz

펄스 출력 : 10μJ Pulse output: 10μJ

집광 스폿 직경 : φ 1㎛ Condensing spot diameter: φ 1㎛

가공 이송 속도 : 100 mm/초Feedrate: 100 mm / sec

이 개질층의 형성은, 제1 방향(도 2에 있어서의 X축 방향)으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 실시한 뒤, 척 테이블(10)을 90도 회전하고 나서, 제1 방향과 직각인 제2 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 실시된다.Formation of this modified layer is performed along all the division planned lines 13 extending in a 1st direction (X-axis direction in FIG. 2), and after rotating the chuck table 10 by 90 degrees, a 1st direction It is implemented along all the division scheduled lines 13 extending in the second direction perpendicular to the second direction.

이상과 같이 하여, 분할 기점 형성 단계가 실시된다. 다음에, 이 분할 기점 형성 단계를 실시하기 전 또는 후에, 도 3에 도시한 바와 같이, 표면에 점착층을 갖은 점착 테이프(T)(테이프)에 웨이퍼(11)를 점착하고 점착 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)에 장착하는 점착 테이프 점착 단계에 관해서 설명한다. As described above, the division origin forming step is performed. Next, before or after this division origin forming step, as shown in Fig. 3, the wafer 11 is adhered to the adhesive tape T (tape) having the adhesive layer on the surface and the adhesive tape T The adhesive tape sticking step of attaching to the annular frame F through the following will be described.

점착 테이프(T)는, 후술하는 분할 단계를 실시할 때에, 분할 예정 라인에 웨이퍼(11)를 분리시키는 외력을 부여하기 위한 것이다. 점착 테이프(T)는, 환형 프레임(F)으로 둘러싸인 영역을 막도록 설치되고, 웨이퍼(11)를 점착 테이프(T)에 점착하면, 웨이퍼(11)가 점착 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)에 고정된다. The adhesive tape T is for giving the external force which isolate | separates the wafer 11 to a dividing scheduled line, when performing the dividing step mentioned later. The adhesive tape T is provided to block an area surrounded by the annular frame F, and when the wafer 11 is adhered to the adhesive tape T, the wafer 11 passes through the annular frame T through the adhesive tape T. Is fixed to F).

다음에, 이상으로 설명한 분할 기점 형성 단계와 점착 테이프 점착 단계를 실시한 뒤, 웨이퍼(11)를 흡인 유지할 수 있는 척 테이블(61)(유지 테이블)상에 점착 테이프(T)를 통해 피가공물을 배치하고 환형 프레임(F)을 프레임 유지 부재(66)(프레임 유지 수단)로 유지하는 유지 단계를 실시한다. Next, after performing the division origin forming step and adhesive tape sticking step described above, the workpiece is placed on the chuck table 61 (holding table) capable of sucking and holding the wafer 11 through the adhesive tape T. And the holding step of holding the annular frame F with the frame holding member 66 (frame holding means).

본 실시 형태에서는, 도 4에 도시되는 분할 장치(60)에서 유지 단계가 실시된다. 분할 장치(60)의 척 테이블(61)은, 전환 밸브(69)를 통해 흡인원(67)에 접속되어 있고, 척 테이블(61)의 상면에 흡인 유지면(61a)이 형성된다. In this embodiment, the holding step is performed in the dividing apparatus 60 shown in FIG. The chuck table 61 of the dividing apparatus 60 is connected to the suction source 67 via the switching valve 69, and the suction holding surface 61a is formed in the upper surface of the chuck table 61. As shown in FIG.

척 테이블(61)의 측방에는, 환형 프레임(F)이 배치되는 배치면(66a)과, 배치면(66a)에 배치된 환형 프레임(F)을 상측으로부터 끼우도록 유지하는 클램프(68)를 갖는 프레임 유지 부재(66)가 배치되어 있다. 프레임 유지 부재(66)는, 그 배치면(66a)이 척 테이블(61)의 흡인 유지면(61a)과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치에 위치된다.On the side of the chuck table 61, there is a mounting surface 66a on which the annular frame F is disposed, and a clamp 68 that holds the annular frame F disposed on the mounting surface 66a from the upper side. The frame holding member 66 is disposed. The frame holding member 66 is located at a reference position at which the placement surface 66a is approximately the same height as the suction holding surface 61a of the chuck table 61.

이 유지 단계에서는, 전환 밸브(69)는 OFF의 상태로 되어, 흡인원(67)과 흡인 유지면(61a)의 도통이 차단되고, 웨이퍼(11)의 이면에 흡인 유지면(61a)에 의한 흡인력(부압)이 생기지 않는 것으로 하고 있다. In this holding step, the switching valve 69 is turned off, and the conduction between the suction source 67 and the suction holding surface 61a is interrupted, and the suction holding surface 61a is applied to the rear surface of the wafer 11. It is supposed that no suction force (negative pressure) is generated.

계속해서, 이상에서 설명한 유지 단계를 실시한 뒤, 도 5에 도시한 바와 같이, 척 테이블(61)과 프레임 유지 부재(66)를 연직 방향으로 상대 이동시켜서 프레임 유지 부재(66)에 대하여 척 테이블(61)을 밀어 올려 점착 테이프(T)를 확장하는 것으로, 웨이퍼(11)를 분할 기점으로부터 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 복수의 칩(15A)(디바이스)을 형성하고, 인접한 칩(15A) 사이에 간격을 형성하는 분할 단계가 실시된다. Subsequently, after performing the above-described holding step, as shown in FIG. 5, the chuck table 61 and the frame holding member 66 are moved relative to each other in the vertical direction so that the chuck table ( 61 is pushed up to expand the adhesive tape T. The wafer 11 is divided from the starting point of the division along the division scheduled line to form a plurality of chips 15A (devices), and between adjacent chips 15A. A division step is formed to form the gap.

본 실시 형태에서는, 에어 실린더(65)를 구동하여 프레임 유지 부재(66)를 도 5에 도시하는 확장 위치로 하강시킴으로써, 척 테이블(61)과 프레임 유지 부재(66)를 연직 방향으로 상대 이동시킨다. 이에 따라, 프레임 유지 부재(66)의 배치면(66a)상에 유지되어 있는 환형 프레임(F)도 하강하기 때문에, 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)는 척 테이블(61)의 상단 가장자리에 접촉하여 주로 반경 방향으로 확장된다. In this embodiment, the chuck table 61 and the frame holding member 66 are moved relatively in the vertical direction by driving the air cylinder 65 to lower the frame holding member 66 to the extended position shown in FIG. 5. . Thereby, since the annular frame F hold | maintained on the mounting surface 66a of the frame holding member 66 also descend | hangs, the adhesive tape T attached to the annular frame F is carried out of the chuck table 61. As shown in FIG. In contact with the top edge it extends mainly in the radial direction.

그 결과, 점착 테이프(T)에 점착되어 있는 웨이퍼(11)에는 방사형으로 인장력이 작용한다. 이와 같이 웨이퍼(11)에 방사형으로 인장력이 작용하면, 분할 예정 라인(13)(도 2 참조)을 따라서 형성된 개질층(20)은 강도가 저하되어 있기 때문에, 이 개질층(20)이 분할 기점이 되어 웨이퍼(11)는 개질층(20)을 따라서 파단되어, 개개의 칩(15A)으로 분할된다. As a result, a tensile force acts radially on the wafer 11 adhering to the adhesive tape T. As shown in FIG. When the tensile force acts radially on the wafer 11 in this manner, since the strength of the modified layer 20 formed along the dividing line 13 (see FIG. 2) decreases in strength, the modified layer 20 starts to be divided. As a result, the wafer 11 is broken along the modified layer 20 and divided into individual chips 15A.

이 분할 단계에 있어서도, 전환 밸브(69)는 OFF의 상태로 되어, 흡인원(67)과 흡인 유지면(61a)의 도통이 차단되고, 웨이퍼(11)의 이면에 흡인 유지면(61a)에 의한 흡인력(부압)이 생기지 않는 것으로 하고 있다. Also in this dividing step, the switching valve 69 is in an OFF state, and the conduction between the suction source 67 and the suction holding surface 61a is interrupted, and the suction holding surface 61a is provided on the rear surface of the wafer 11. It is supposed that the suction force (negative pressure) is not generated.

계속해서, 이상의 분할 단계를 실시한 뒤, 도 6에 도시한 바와 같이, 척 테이블(61)에서 점착 테이프(T)를 통해 웨이퍼(11)를 흡인 유지함으로써 인접한 칩(15A) 사이의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계가 실시된다. Subsequently, after performing the above division step, as shown in FIG. 6, the gap between the adjacent chips 15A is maintained by suction holding the wafer 11 through the adhesive tape T in the chuck table 61. A suction hold step is performed.

즉, 분할 단계를 끝내고 인접한 칩(15A) 사이에 간격이 형성된 상태에서, 전환 밸브(69)를 OFF에서 ON의 상태로 하여, 흡인 유지면(61a)을 흡인원(67)과 연통시킨다.That is, in the state where the space | interval is formed between the adjacent chips 15A after completion | finish of a division | segmentation, the switching valve 69 is made into OFF state, and the suction holding surface 61a is communicated with the suction source 67. As shown in FIG.

이에 따라, 흡인 유지면(61a)에 부압이 발생하고, 점착 테이프(T)를 통해 각 칩(15A)이 흡인 유지면(61a)에 흡인된 상태가 되어, 각 칩(15A)의 가로 방향의 이동이 규제되어, 각 칩(15A) 사이의 간격을 유지할 수 있다. 또, 이 흡인 유지 단계는, 적어도 후술하는 잉여 삭감 단계가 실시 완료될 때까지 계속된다. As a result, a negative pressure is generated on the suction holding surface 61a, and each chip 15A is attracted to the suction holding surface 61a through the adhesive tape T, and the chip 15A is in the horizontal direction. The movement is regulated, so that the interval between each chip 15A can be maintained. This suction holding step is continued until at least the excess reduction step described later is completed.

그리고, 이 흡인 유지 단계를 시작한 뒤, 도 7에 도시한 바와 같이, 척 테이블(61)과 프레임 유지 부재(66)를 연직 방향으로 상대 이동시켜, 프레임 유지 부재(66)에 대한 척 테이블(61)의 밀어 올림을 해제하여, 점착 테이프(T)가 확장되어 형성된 점착 테이프(T)의 잉여 부위가, 웨이퍼(11)의 외주측에서 점착 테이프(T) 표면측으로 솟아오른 융기부(Ta)를 형성하는 융기부 형성 단계를 실시한다. And after starting this suction holding | maintenance step, as shown in FIG. 7, the chuck table 61 and the frame holding member 66 are moved relative to a perpendicular direction, and the chuck table 61 with respect to the frame holding member 66 is carried out. ), The surplus portion of the adhesive tape T formed by the expansion of the adhesive tape T extends from the outer periphery side of the wafer 11 to the ridge portion Ta which rises from the outer surface of the adhesive tape T to the surface side of the adhesive tape T. A step of forming a ridge to be formed is performed.

이 융기부 형성 단계가 이루어질 때는, 전환 밸브(69)의 ON 상태가 유지되어, 흡인 유지면(61a)과 흡인원(67)이 연통하여 각 칩(15A) 사이의 간격이 유지된다. 그리고, 프레임 유지 부재(66)를 원래의 위치로 상승시킨다, 즉, 프레임 유지 부재(66)를 하강전의 기준 위치로 되돌리면, 프레임 유지 부재(66)의 하강에 의해서 흡인 유지면(61a)과 프레임 유지 부재(66) 사이의 위치에서 신장되어 있던 부위는, 인장력이 개방됨으로써 이완되고, 텐션이 걸려 있지 않는 잉여 부위로서 나타난다. When this ridge formation step is made, the ON state of the switching valve 69 is maintained, and the suction holding surface 61a and the suction source 67 communicate with each other, and the space | interval between each chip 15A is maintained. Then, the frame holding member 66 is raised to its original position, that is, when the frame holding member 66 is returned to the reference position before the lowering, the suction holding surface 61a and the suction holding surface 61a are lowered by the lowering of the frame holding member 66. The portion extended at the position between the frame holding members 66 is relaxed by opening the tensile force, and appears as an excess portion where tension is not applied.

그리고, 이 잉여 부위는, 도 8의 (A)에도 도시된 바와 같이, 점착 테이프(T) 표면측, 즉 프레임 유지 부재(66)를 원래의 기준 위치로 되돌리는 방향 측으로 솟아올라, 융기부(Ta)를 형성하게 된다. 융기부(Ta)에서는, 점착 테이프(T)의 점착층(Tn)이 상측(표면측)에 나타나게 되어 있다. And this surplus site | part rises to the surface side of the adhesive tape T surface, ie, the direction which returns the frame holding member 66 to an original reference position, as shown also to FIG. 8 (A), and the ridge part ( Ta) is formed. In the raised part Ta, the adhesion layer Tn of the adhesive tape T is shown on the upper side (surface side).

계속해서, 이상의 융기부 형성 단계를 실시한 뒤, 도 8의 (B)에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(T)의 이면측에서 융기부(Ta)(도 8의 (A))를 흡인 기구(흡인 수단)(80)로 흡인하여, 점착 테이프(T)의 이면측으로 돌출시켜 이면측 융기부(Tb)로 하는 융기부 반전 단계가 실시된다.Subsequently, after performing the above-mentioned ridge formation step, as shown in FIG. 8B, the ridge Ta (FIG. 8A) is sucked from the back surface side of the adhesive tape T. A ridge reversal step is carried out by suction by the suction means (80), which protrudes toward the rear surface side of the adhesive tape T to form the rear surface ridge Tb.

흡인 기구(80)는, 예컨대, 도 7에 도시되는 척 테이블(61)의 주위와 프레임 유지 부재(66) 사이에 형성되는 원환형의 공간에서, 도 8의 (B)에 도시되는 것 같은 흡인 블록(82)을 복수 개소로 배치하는 것으로 실현할 수 있다. The suction mechanism 80 is, for example, suctioned as shown in FIG. 8B in an annular space formed between the chuck table 61 shown in FIG. 7 and the frame holding member 66. This can be realized by arranging the blocks 82 in plural places.

도 8의 (B)에 있어서, 흡인 블록(82)은, 전환 밸브(84)를 통해 흡인원(86)에 접속되어 있고, 흡인 블록(82)에 형성한 흡인구(82a)에 부압을 발생시키는 것에 의해, 점착 테이프(T)의 이면을 빨아들이도록 하여, 이면측 융기부(Tb)를 형성하도록 구성된다. In FIG. 8B, the suction block 82 is connected to the suction source 86 via the switching valve 84, and generates negative pressure at the suction port 82a formed in the suction block 82. It is comprised so that the back surface of the adhesive tape T may be sucked and the back surface ridge Tb is formed.

도 8의 (B)의 구성으로 하는 경우, 흡인 블록(82)은 척 테이블(61)의 주위를 둘러싸도록 복수 개소에 배치된다. 예컨대, 척 테이블(61)을 둘러싸는 주위 방향에 있어서 90도의 위치를 어긋나 놓고 합계 4 개소에 배치함으로써, 직교하는 분할 예정 라인(13)(도 1 참조)의 연장선상에 대향 배치시키는 구성으로 하는 것을 생각할 수 있다. In the case of the configuration of FIG. 8B, the suction block 82 is disposed at a plurality of locations so as to surround the chuck table 61. For example, by arranging the position of 90 degrees in the circumferential direction surrounding the chuck table 61, and arrange | positioning it in four places in total, it is set as the structure which it arrange | positions on the extension line of the orthogonal division plan line 13 (refer FIG. 1). You can think of it.

또, 롤형의 점착 테이프에는, 롤의 권회 방향으로 텐션이 내재되어 있다. 이 텐션의 방향성에 의해, 롤의 권회 방향으로 직교하는 방향에서는 확장후에 주름이 발생하기 쉽고 각 칩(15A) 사이의 간격이 유지하기 어렵기 때문에, 롤의 권회 방향과 직교하는 이「간격이 유지하기 어려운 방향」에서 척 테이블(61)을 사이에 두는 것 같은 위치에, 흡인 블록(82)을 배치하는 것을 생각할 수 있다. Moreover, tension is inherent in the rolled adhesive tape in the winding direction of a roll. Due to the directionality of this tension, wrinkles are likely to occur after expansion in the direction orthogonal to the winding direction of the roll, and the spacing between the chips 15A is difficult to maintain, so that the "gap" orthogonal to the rolling direction of the roll is maintained. It is conceivable to arrange the suction block 82 at a position where the chuck table 61 is sandwiched in a direction that is difficult to do ''.

또한, 본 실시 형태와 같이 복수 개소에 흡인 블록(82)을 배치하는 형태 외에도, 원환형의 부재로 구성되는 흡인 기구를 구성하고, 척 테이블(61)을 둘러싸는 전체 주위에서, 이면측 융기부(Tb)를 형성시키는 것으로 해도 좋다. Moreover, in addition to the form which arrange | positions the suction block 82 in multiple places like this embodiment, the suction mechanism comprised by the annular member is comprised, and the back surface side protruding part around the circumference | surroundings surrounding the chuck table 61 is carried out. It is good also as what forms (Tb).

계속해서, 이상의 융기부 반전 단계를 실시한 뒤, 도 9의 (A)에 도시한 바와 같이, 이면측 융기부(Tb)를 협지 기구(협지 수단)(90)로 협지하는 것으로 이면측 융기부(Tb)의 내측 부위끼리를 접착하여, 점착 테이프(T)의 잉여 부위를 삭감하는 잉여 삭감 단계가 실시된다. Subsequently, after performing the above ridge reversal step, as shown in FIG. 9 (A), the rear ridge portion (b) is clamped by the clamping mechanism (clamping means) 90 as shown in FIG. The excess reduction step which adhere | attaches the inner site | part of Tb) and reduces the excess site | part of the adhesive tape T is performed.

협지 기구(90)는, 본 실시 형태와 같이, 예컨대 이면측 융기부(Tb)를 사이에 두고 대향하는 협지 부재(92, 92)를, 흡인 블록(82)의 상측에 배치하는 것으로 구성할 수 있다.The clamping mechanism 90 can be comprised by arrange | positioning the clamping members 92 and 92 which oppose, for example through the back surface ridge Tb in the upper side of the suction block 82 like this embodiment. have.

도 9의 (A)에 도시한 바와 같이, 융기부 반전 단계를 실시하여 흡인 블록(82)으로 이면측 융기부(Tb)를 형성한 상태로 하고, 협지 부재(92, 92)끼리를 가까이함 으로써 도 9의 (B)에 도시한 바와 같이, 협지 부재(92, 92) 사이에 이면측 융기부(Tb)가 끼워진 상태로 한다. As shown in Fig. 9A, the ridge reversal step is performed to form the rear side ridge Tb by the suction block 82, and the holding members 92 and 92 are close to each other. As a result, as shown in FIG. 9B, the rear surface ridge Tb is sandwiched between the sandwiching members 92 and 92.

도 9의 (A)의 상태에서는, 이면측 융기부(Tb)에서 점착층(Tn)이 내측에 배치되는 골짜기형의 부위가 구성되어 있기 때문에, 도 9의 (B)와 같이 협지 부재(92, 92)에 의해서 이면측 융기부(Tb)가 협지되면, 골짜기형 부위의 내측의 점착층(Tn)끼리가 점착하는 것이 된다. In the state of FIG. 9A, since the valley-shaped site | part in which the adhesion layer Tn is arrange | positioned in the back side raised part Tb is comprised, the clamping member 92 is shown like FIG. 9B. And 92), when the rear side ridge Tb is sandwiched, the adhesion layers Tn on the inner side of the valley portion adhere to each other.

그리고, 이상과 같이 이면측 융기부(Tb)의 내측 부위끼리를 점착하는 것으로, 점착 테이프(T) 중 인장력이 개방됨으로써 느슨해 있던 부분(잉여 부위)이 해소되어, 실질적으로 점착 테이프(T)의 이완이 없어지게 된다. 그리고, 잉여 부위가 없어지는 것에 의해, 점착 테이프(T)는 텐션을 나타낼 수 있게 된다. And by adhering the inner parts of the back surface ridge Tb as mentioned above, the tension | pulling part (excess part) loosened by opening a tension force in the adhesive tape T, and substantially of the adhesive tape T There is no relaxation. And since the excess site | part is missing, the adhesive tape T can show tension.

이상과 같이 하여, 이완에 의해 텐션이 걸려 있지 않는 잉여 부위(융기부(Ta)나 이면측 융기부(Tb))가 없어짐으로써, 도 10에 도시한 바와 같이, 환형 프레임(F)을 프레임 유지 부재(66)로부터 제거하여, 척 테이블(61)로부터 점착 테이프(T) 및 칩(15A)을 제거한 경우에는, 점착 테이프(T)가 텐션을 나타내는 것이 되고, 이 텐션에 의해서, 이미 형성된 각 칩(15A) 사이의 간격을 유지할 수 있다. As described above, the excess portion (the ridge Ta and the rear ridge Tb) in which the tension is not suspended due to relaxation is eliminated, so that the annular frame F is frame-held as shown in FIG. When it removes from the member 66 and removes the adhesive tape T and the chip 15A from the chuck table 61, the adhesive tape T shows tension and each chip | tip already formed by this tension is carried out. The interval between 15A can be maintained.

이상과 같이 하여, 분할 후에 점착 테이프(T)가 휘어, 인접한 칩(15A, 15A) 끼리가 접촉하여 결손·파손한다고 하는 문제점을 막는 것이 가능해진다. As described above, it becomes possible to prevent the problem that the adhesive tape T bends after the division, and the adjacent chips 15A and 15A come in contact with each other to cause defects and damages.

또한, 칩 설치시에 접착제의 역할을 다하는 점접착층을 포함하는 DAF(다이아 터치 필름)이, 미리 웨이퍼(11)의 이면에 점착되어 있는 경우에는, DAF가 칩(15A)과 일체가 되어 분할된다. In addition, when the DAF (Dia Touch Film) including the adhesive layer which serves as an adhesive at the time of chip installation is previously adhered to the back surface of the wafer 11, the DAF is divided into one with the chip 15A. .

이와 같이 DAF가 칩(15A)의 이면에 점착되어 있는 경우이더라도, 인접한 칩(15A, 15A)끼리의 간격이 유지됨으로써, 분할후에 점착 테이프(T)가 휘어, 인접한 칩(15A)의 이면의 DAF끼리가 재결합한다고 하는 문제점을 막는 것도 가능해진다.Even in the case where the DAF is adhered to the back surface of the chip 15A in this manner, the distance between the adjacent chips 15A and 15A is maintained so that the adhesive tape T is bent after the division, and the DAF on the back surface of the adjacent chip 15A is maintained. It is also possible to prevent the problem of mutual recombination.

또한, 바람직한 실시 형태로서, 도 11에 도시한 바와 같이, 잉여 삭감 단계를 실시한 뒤, 웨이퍼(11)의 외주측의 점착 테이프(T)를 점착 테이프(T)의 표면측으로부터 가열하여 점착 테이프를 수축시키는 수축 단계를 갖추는 것으로 한다.Moreover, as a preferable embodiment, as shown in FIG. 11, after performing an excess reduction step, the adhesive tape T of the outer peripheral side of the wafer 11 is heated from the surface side of the adhesive tape T, and the adhesive tape is It is supposed to have a contraction step of contracting.

본 실시 형태에서는, 램프(조명), 또는 히터 등으로 구성되는 가열 유닛(96)으로, 웨이퍼(11)의 외주측 부위에 있어서의 점착 테이프(T)를 가열함으로써, 점착 테이프(T)를 수축시키는 것으로 하고 있다. In this embodiment, the adhesive tape T is shrunk by heating the adhesive tape T in the outer peripheral side part of the wafer 11 with the heating unit 96 which consists of a lamp (light), a heater, etc. I assume it.

그리고, 이와 같이 웨이퍼(11) 외주측 부위의 점착 테이프(T)를 수축시킴으로써, 척 테이블(61)로부터 점착 테이프(T) 및 칩(15A)을 제거한 경우에는, 웨이퍼(11)의 중심으로부터 외측을 향하는 텐션이 생기게 되고, 칩(15A, 15A)의 간격을 보다 확실하게 유지하거나, 또는 보다 간격을 넓히는 것이 가능해진다. And in this way, when the adhesive tape T and the chip 15A are removed from the chuck table 61 by shrinking the adhesive tape T on the outer peripheral side portion of the wafer 11, it is outside from the center of the wafer 11. Tension to the side is generated, and the space between the chips 15A and 15A can be more surely maintained, or the space can be wider.

또, 가열 유닛(96)의 형태에 대해서는 특히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 하나의 가열 유닛(96)을 웨이퍼(11)의 외주를 순회시키도록 하여, 웨이퍼(11)의 외주측에 있는 점착 테이프(T)를 구석구석까지 가열시키는 것을 생각할 수 있다.The shape of the heating unit 96 is not particularly limited, but, for example, one heating unit 96 may be circulated around the outer circumference of the wafer 11 to form an adhesive tape on the outer circumferential side of the wafer 11 ( It is conceivable to heat T) to every corner.

또한, 점착 테이프(T)의 시트 기재로서는, 상온에서는 신축성을 가지고 정해진 온도(예컨대 70도) 이상의 열에 의해서 수축하는 성질을 갖는 폴리염화비닐(PVC),폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리올레핀 등의 합성 수지 시트를 이용하는 것을 생각할 수 있다. Moreover, as a sheet base material of the adhesive tape T, synthetic resin sheets, such as polyvinyl chloride (PVC), polypropylene, polyethylene, and a polyolefin, which have elasticity at normal temperature and have a property of shrinking by heat of a predetermined temperature (for example, 70 degrees) or more. You can think of using.

11 : 웨이퍼 15A : 칩
20 : 개질층 60 : 분할 장치
61 : 척 테이블 66 : 프레임 유지 부재
80 : 흡인 기구 82 : 흡인 블록
86 : 흡인원 90 : 협지 기구
92 : 협지 부재 96 : 가열 유닛
F : 환형 프레임 T : 점착 테이프
Ta : 융기부 Tb : 이면측 융기부
Tn : 점착층
11: wafer 15A: chip
20: modified layer 60: splitting device
61: chuck table 66: frame holding member
80: suction mechanism 82: suction block
86: suction source 90: clamping mechanism
92: sandwiching member 96: heating unit
F: annular frame T: adhesive tape
Ta: ridge Tb: back side ridge
Tn: adhesive layer

Claims (2)

교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 피가공물에 상기 분할 예정 라인을 따라서 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와,
상기 분할 기점 형성 단계를 실시하기 전 또는 후에, 표면에 점착층을 갖는 점착 테이프에 피가공물을 점착하고 상기 점착 테이프를 통해 환형 프레임에 장착하는 점착 테이프 점착 단계와,
상기 분할 기점 형성 단계와 상기 점착 테이프 점착 단계를 실시한 뒤, 피가공물을 흡인 유지할 수 있는 유지 테이블 상에 상기 점착 테이프를 통해 피가공물을 배치하고 상기 환형 프레임을 프레임 유지 수단으로 유지하는 유지 단계와,
상기 유지 단계를 실시한 뒤, 상기 유지 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대 이동시켜 상기 프레임 유지 수단에 대하여 상기 유지 테이블을 밀어 올려 상기 점착 테이프를 확장함으로써, 피가공물을 상기 분할 기점으로부터 상기 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 복수의 칩을 형성하고 인접한 상기 칩 사이에 간격을 형성하는 분할 단계와,
상기 분할 단계를 실시한 뒤, 상기 유지 테이블에서 상기 점착 테이프를 통해 피가공물을 흡인 유지함으로써 인접한 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계와,
상기 흡인 유지 단계를 시작한 뒤, 상기 유지 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대 이동시켜, 상기 프레임 유지 수단에 대한 상기 유지 테이블의 밀어 올림을 해제하고, 상기 점착 테이프가 확장되어 형성된 상기 점착 테이프의 잉여 부위가 피가공물의 외주측에서 상기 점착 테이프의 표면측으로 솟아오른 융기부를 형성하는 융기부 형성 단계와,
상기 융기부 형성 단계를 실시한 뒤, 상기 점착 테이프의 이면측으로부터 상기 융기부를 흡인 수단으로 흡인하여, 상기 점착 테이프의 이면측으로 돌출시켜 이면측 융기부로 하는 융기부 반전 단계와,
상기 융기부 반전 단계를 실시한 뒤, 상기 이면측 융기부를 협지 수단으로 협지함으로써 상기 이면측 융기부의 내측 부위끼리를 접착시켜, 상기 점착 테이프의 잉여 부위를 삭감하는 잉여 삭감 단계
를 포함하는 피가공물의 분할 방법.
A division origin forming step of forming a division origin along the division scheduled line in a workpiece in which a plurality of division scheduled lines intersecting are set;
Before or after the step of forming the split point, the adhesive tape adhesion step of adhering the workpiece to the adhesive tape having an adhesive layer on the surface and mounted to the annular frame through the adhesive tape,
A holding step of arranging the workpiece through the adhesive tape on the holding table capable of sucking and holding the workpiece and holding the annular frame as a frame holding means after the division origin forming step and the adhesive tape sticking step;
After the holding step, the holding table and the frame holding means are moved relative to each other in the vertical direction to push up the holding table with respect to the frame holding means to expand the adhesive tape, thereby dividing the workpiece from the starting point of division. A dividing step of dividing along a predetermined line to form a plurality of chips and forming a gap between adjacent chips;
A suction holding step of holding the gap between adjacent chips by suction holding the workpiece through the adhesive tape on the holding table after performing the dividing step;
After the suction holding step is started, the holding table and the frame holding means are moved relative to each other in the vertical direction to release the holding table against the frame holding means, and the adhesive tape is formed by expanding the adhesive tape. A ridge forming step of forming a ridge raised from an outer circumferential side of the workpiece to the surface side of the adhesive tape;
After the step of forming the ridge, the step of inverting the ridge to suck the ridge from the back surface side of the pressure-sensitive adhesive tape by suction means, to protrude to the back surface side of the pressure-sensitive adhesive tape to form the ridge on the back surface side,
After the step of inverting the ridge, an excess reduction step of cutting the excess portion of the adhesive tape by bonding the inner portions of the back side ridge part by sandwiching the back side ridge part with a clamping means.
Dividing method of the workpiece comprising a.
제1항에 있어서, 상기 잉여 삭감 단계를 실시한 뒤, 피가공물의 외주측의 상기 점착 테이프를 그 점착 테이프의 표면측으로부터 가열하여, 상기 점착 테이프를 수축시키는 수축 단계를 포함하는 피가공물의 분할 방법.The method according to claim 1, further comprising a shrinking step of shrinking the adhesive tape by heating the adhesive tape on the outer circumferential side of the workpiece from the surface side of the adhesive tape after performing the excess reduction step. .
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6266429B2 (en) * 2014-05-08 2018-01-24 株式会社ディスコ Chip interval maintaining device and chip interval maintaining method
JP6366393B2 (en) * 2014-07-15 2018-08-01 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016166120A (en) * 2015-03-06 2016-09-15 三星ダイヤモンド工業株式会社 Processing method of laminated substrate, and processing device of laminated substrate by laser beam
JP6815138B2 (en) * 2016-09-06 2021-01-20 株式会社ディスコ Suction retention system
CN107275284B (en) * 2017-06-29 2019-11-12 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 A kind of preparation method of DAF chip

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349456A (en) * 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Expand tool
JP2005057158A (en) * 2003-08-07 2005-03-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method and device for expansion
JP2006310691A (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Hugle Electronics Inc Foldaway film sheet extension method and expander therefor
JP2007027562A (en) 2005-07-20 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing bonding film attached on wafer
JP2007123658A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd Expansion apparatus of adhesive tape
JP2007189057A (en) 2006-01-13 2007-07-26 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-breaking method and wafer breaker

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146727A (en) * 2002-10-28 2004-05-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd Transferring method of wafer
JP2009064905A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Extension method and extension apparatus
JP5313036B2 (en) * 2009-05-11 2013-10-09 株式会社ディスコ How to expand adhesive tape

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349456A (en) * 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Expand tool
JP2005057158A (en) * 2003-08-07 2005-03-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method and device for expansion
JP2006310691A (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Hugle Electronics Inc Foldaway film sheet extension method and expander therefor
JP2007027562A (en) 2005-07-20 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing bonding film attached on wafer
JP2007123658A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd Expansion apparatus of adhesive tape
JP2007189057A (en) 2006-01-13 2007-07-26 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-breaking method and wafer breaker

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