KR20130088071A - Euv 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛에 대한 조명 기하구조 설정 방법 - Google Patents

Euv 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛에 대한 조명 기하구조 설정 방법 Download PDF

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Abstract

오브젝트 필드를 향해 조명 광을 안내하기 위한 2개의 면 미러들을 포함하는 EUV 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛을 위한 조명 기하구조를 설정하는 방법으로서, 리소그래피 마스크가 배열될 수 있으며 먼저 바람직한 조명 기하구조가 정의된다. 이것에, 동일한 개별 미러 그룹(24a) 내의 제 1 면 미러의 개별 미러들(26)의 경사 각도를 변경하는 단계가 뒤따르며, 이 미러는 제 2 면 미러의 면들을 통해 오브젝트 필드에 이미징될 수 있다. 이러한 경우에, 제 1 경사 위치에서, 개별 미러들(26)은 제 1 그룹 미러 조명 채널을 통해 제 2 면 미러의 제 1 면에 할당된다. 적어도 하나의 추가 경사 위치에서, 개별 미러들(26)은 추가 조명 채널을 통해 제 2 면 미러의 추가 면 또는 스위치 오프 조명 채널에 할당된다. 이러한 변경으로 인해, 적어도 하나의 제 1 경사 위치 및 적어도 하나의 추가 경사 위치가 존재하는 개별 미러 그룹(24a) 내의 개별 미러들(26)의 경사 위치 분포가 허용된다. 경사 각 변경은 실제 조명 기하구조가 사전정의된 공차 내 바람직한 조명 기하구조에 상응한다.

Description

EUV 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛에 대한 조명 기하구조 설정 방법 {Method for setting an illumination geometry for an illumination optical unit for EUV projection lithography}
독일 특허 출원 DE 10 2012 201 245.4의 내용은 참조에 의해 통합된다.
본 발명은 EUV 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛에 대한 조명 기하구조 설정 방법에 대한 것이다. 더욱이, 본 발명은, 자신의 조명 광학 유닛이 상응하게 설정된 조명 기하구조를 제공하는 투영 노광 장치의 도움으로, 마이크로 또는 나노구조의 구성요소, 특히 반도체 칩을 생산하기 위한 투영 노광 방법에 관한 것이다.
상기 언급된 형태의 조명 광학 유닛은 US 2011/0001947 A1에서 알려져 있다.
DE 10 2008 009 600 A1 및 DE 10 2009 045 694 A1는 투영 노광 장치용 조명 기하구조의 조절 방법을 개시한다.
본 발명의 목적은 적어도 2개의 경사 위치 사이에서 스위칭될 수 있는 복수의 개별 미러를 갖는 면 미러(facet mirror)를 포함하는 조명 광학 유닛을 설정하는 방법을 제공하는 것이며, 이 방법은 원하는 바람직한 조명 기하구조의 양호한 사전정의(predefinition)를 허용한다.
본 발명에 따르면, 이러한 목적은 청구항 1에 명시된 특징들을 포함하는 설정 방법으로 성취된다.
본 발명에 따르면, 개별 미러 그룹의 모든 개별 미러들이 동일 그룹 미러 조명 채널을 통해 제 2 면 미러의 동일면의 조명에 기여하는 것은 아니며, 그것보다는, 적어도 하나의 추가 경사 위치에 개별 미러 그룹 내의 특정 개별 미러들을 가져가는 것이 가능한 것이 알려져 왔다. 이러한 추가 경사 위치는, 조명 광이 추가 조명 방향을 미리정의하기 위한 제 2 면 미러의 상이한 면에 적용되거나 조명 광이 정의된 방식으로 안내되는(guided away) 경사 위치가 될 수 있어서, 오브젝트 필드의 조명에 기여하지 않는다. 본 발명에 따른 설정 방법은, 미리정의된 바람직한 조명 기하구조가 경사진 각도 변형에 의해 가능한 양호하게 근사될 수 있다는 이러한 추가 경사 위치의 가능성을 활용한다. 조명 기하구조는 조명 강도 및/또는 오브젝트 필드에 대한 조명 각도의 미리 정의된 분포이다. 조명 앵글 분포는 또한 조명 세팅으로서 지정된다. 제 2 면 미러의 면들은 스스로에 의해 또는 조명 광학 유닛의 후속 구성요소들과 상호작용하여 제 1 면 미러의 개별 미러 그룹들의 이미징에 기여할 수 있다. 그룹 미러 조명 채널은, 전체 오브젝트 필드를 조명하기 위한 제 2 면 미러의 동일한 관련된 면을 통해 오브젝트 필드로 개별 미러 그룹의 이미징으로 인해 서로를 보완하는 개별 미러 그룹의 모든 개별 미러 조명 채널들의 전체이다. 추가 경사 위치의 개별 미러가 제 2 면 미러의 추가 면에 대한 추가 조명 채널을 통해 정렬되는 경우, 상기 추가 조명 채널은 개별 미러 조명 채널이나 그룹 조명 채널이 될 수 있다. 개별 미러 그룹은 오브젝트 필드의 원래 이미지나 사전이미지로서 간주될 수 있다. 복수의 이러한 개별 미러 그룹은 예컨대 10개 이상, 50개 이상 또는 100개 이상이며, 이러한 개별 미러 그룹들은 조명에 기여한다. 오브젝트 필드의 조명은 원래 이미지의 이미징 중첩, 즉, 오브젝트 필드의 모든 이미징된 원래 이미지의 중첩을 구성한다. 미리정의된 바람직한 조명 기하구조에 대한 개별 경사 위치 분포의 경우에 성취되는 실제 조명 기하구조의 대응관계는 조명 강도 및/또는 오브젝트 필드에 대한 조명 각도를 측정하거나 조명 광학 유닛 내의 개별 미러들을 통해 안내되는(guide) 광선을 계산함으로써 영향받을 수 있다. 혼합 조명은, 개별 미러들의 상응하는 경사 위치 분포에 의해 제 2 면 미러의 상이한 2개의 미러들을 통하여 동일한 개별 미러 그룹 내에서 조명을 안내함으로써 야기될 있으며, 이러한 혼합 조명의 경우, 제 1 조명 각도 분포는 오브젝트 필드의 부분들에 적용되며 제 2 조명 각도 분포는 오브젝트 필드의 다른 부분에 적용된다. 스위치-오프 조명 채널이 존재하는 경사 위치 분포를 미리정의함으로써, 이미지 필드 높이에 대한 강도 분포의 영향을 성취하는 것이 가능하다. 혼합 조명과 스위치 오프 조명 채널이 존재하는 경사 위치 분포가 가능하다. 조명 광을 생성하는 광원의 성질에 조명 광학 유닛을 적응시키는 것 또한 가능하다.
청구항 2에 따른 설정 방법은 복수의 개별 미러들로 세분된 제 1 면 미러의 가능성을 충분히 활용한다.
청구항 3에 따른 투영 노광 방법의 장점은 설정 방법을 참조하여 먼저 기재된 장점과 상응한다.
청구항 4에 따른 바람직한 조명 기하구조의 사전정의은 이미징될 구조로의 조명 기하구조의 최적화된 적응을 이끌어낸다. 현재 이미징 될 구조의 경우, 이미징에 기여하지 않는 조명 광 구성요소는 예컨대 스위치 오프되거나 이미징 기여가 존재하는 조명 방향으로 주입될 수 있다.
이러한 투영 노광 방법에 의해 생성된 구성요소는 극도로 높은 구조적 해상도로 생성될 수 있다. 이런 식으로, 예컨대, 극도로 높은 집적이나 저장 밀도를 갖는 반도체 칩을 생산하는 것이 가능하다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 참조하여 이하에서 더욱 상세히 설명된다.
도 1은 EUV 투영 리소그래피용 투영 노광 장치를 통한 자오 단면(meridional section)을 개략적으로 도시한다.
도 2는 도 1에 따른 투영 노광 장치에 사용하기 위하여, 개별 미러들로부터 구성된 필드 면 미러로부터의 발췌부의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 3은 도 2의 방향(Ⅲ)에서 본 도 2에 따른 면 미러의 개별 미러 행으로부터의 발췌부의 도면을 도시한다.
도 4 내지 도 6은 3개의 상이한 구성에서, 도 3에 도시된 개별 미러 행의 개별 미러들로부터 형성된 행 반사 표면의 상이한 형태들을 매우 개략적으로 도시한다.
도 7은 개별 미러 그룹들의 장치로의 개별 미러들의 예시적인 그룹핑을 갖는 개별 미러들로부터 구성되는 필드 면 미러의 실시예로부터의 발췌부의 평면도를 도시하며, 이 도면은 또한 그룹 미러 조명 채널들을 통해 도 7의 좌측 상에 평면 도에서 도시된 바와 같이 제 2 면 미러의 2개의 면들에 개별 미러 그룹들의 일부의 정렬을 예시로서 표시한다.
도 8은 개별 미러 그룹을 형성하는 개별 미러들의 예시적인 그룹핑으로 개별 미러들로부터 구성된 필드 면 미러의 실시예로부터의 발췌부의 투사도를 도시한다.
도 9는 도 8에 따른 필드 면 미러로부터 발췌부를 도시하며, 개별 미러 그룹을 따르는 스캐닝 라인들은 강조 표시되고, 이것은, 오브젝트 필드를 통하는 이미징된 스캐닝 배치 경로에 해당하며, 이 오브젝트 필드를 따라서 리소그래피 마스크 상의 소브젝트 포인트가 투영 노광 스태닝 공정 동안 선형으로 배치된다.
도 10은 도 8 및 도 9에 따른 관점에서 개별 미러 그룹의 예시적인 그룹의 경사 스위칭 상태나 경사 위치 분포를 도시하며, 개별 미러들은 강조표시되며, 그 개별 미러 조명 채널이 이러한 개별 미러 그룹의 다른 개별 미러들에 비해 필드 면 미러의 다운스트림에 배치된 동공 면 미러의 상이한 면을 통해 오브젝트 필드 조명에 기여하거나 전혀 기여하지 않는다.
도 11 내지 도 15는 동공 면 미러의 개략적인 평면도에서 필드 면 미러의 2개의 개별 미러 그룹들을 통해 조명된 총 3개의 제 2 면들의 조명 분포의 변형을 도시한다.
도 1은 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치(1)의 자오 단면을 개략적으로 도시한다. 투영 노광 장치(1)는 광원 또는 방사선원(2)을 포함한다. 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템(3)은 오브젝트 평면(6)의 오브젝트 필드(5)와 일치하는 조명 필드를 노출시키기 위한 조명 광학 유닛(4)을 갖는다. 또한, 조명 필드는 오브젝트 필드(5)보다 클 수 있다. 이러한 경우에, 오브젝트 필드(5)에 배열된 레티클(7) - 레티클은 오브젝트나 레티클 홀더(8)에 의해 홀드됨 - 의 형태인 오브젝트가 노출된다. 레티클(7)은 또한 리소그래피 마스크로서 설계된다. 오브젝트 홀더(8)는 오브젝트 변위 드라이브(9)에 의해 변위 방향을 따라 변위가능하다. 투영 광학 유닛(10)은 이미지 평면(12)의 이미지 필드(11)로 오브젝트 필드(5)를 이미징하는 역할을 한다. 레티클(7) 상의 구조는 이미지 평면(12)의 이미지 필드(11)의 영역(region)에 배치된 웨이퍼(13)의 감광성 층에 이미징된다. 웨이퍼(13)는 웨이퍼 홀더(14)에 의해 홀딩된다(미도시). 마찬가지로, 웨이퍼 홀더(14)는 웨이퍼 변위 드라이브(15)에 의해 오브젝트 홀더(8)와 동기화된 방식으로 변위 방향을 따라 변위가능하다.
방사선원(2)은 5nm와 30nm 사이의 범위에서의 방출된 사용 방사선을 갖는 EUV 방사선원이다. 이것은 플라즈마원(plasma source), 예컨대, GDPP(가스 방전 생성 플라즈마)원 또는 LPP(레이저 생성 플라즈마)원이 될 수 있다. 싱크로트론(synchrotron)이나 자유전자 레이저(FEL)를 기반으로 한 방사광원은 또한 방사선원(2)을 위해서 사용될 수 있다. 이러한 방사선원에 대한 정보는 예컨대 US 6,859,515 B2로부터 당업자에 의해 발견될 수 있다. 방사선원(2)으로부터 나오는 EUV 방사선(16)은 콜렉터(17)에 의해 집중된다. 상응하는 콜렉터는 EP 1 225 481 A로부터 알려진다. 콜렉터(17)의 다운스트림에서, EUV 방사선(16)은 이것이 필드 면 미러(19) 상에 충돌하기 전에 중간 초점 평면(18)을 통해 전파된다. 필드 면 미러(19)는 조명 광학 유닛(4)의 제 1 면 미러이다. 필드 면 미러(19)는 다수의 개별 미러들(도 1에 미도시)을 갖는다. 필드 면 미러(19)는 오브젝트 평면(6)에 대해 광학적으로 켤레인(conjugate) 조명 광학 유닛(4)의 평면에 배열된다.
EUV 방사선(16)은 또한 조명 광이나 이미징 광으로 이하에서 명시된다.
필드 면 미러(19)의 다운스트림에서, EUV 방사선(16)은 동공 면 미러(20)에 의해 반사된다. 동공 면 미러(20)는 조명 광학 유닛(4)의 제 2 면 미러이다. 동공 면 미러(20)는 중간 초점 평면(18)과 투영 광학 유닛(10)의 동공 평면에 대해 광학적으로 켤레이거나 상기 동공 평면과 일치하는 조명 광학 유닛(4)의 동공 평면에 배열된다. 동공 면 미러(20)는 복수의 동공 면(도 1에 미도시)을 갖는다. 동공 면 미러(20)의 동공 면들, 및 빔 경로의 순서로 지정된 미러들(22, 23, 24)을 포함하는 전송 광학 유닛(21)의 형태인 다운스트림 이미징 광학 어셈블리의 도움으로, 이하에서 더욱 상세히 기재되는 필드 면 미러(19)의 개별 미러 그룹들(24a)(도 7 참조)은 오브젝트 필드(5)에 이미징된다. 전송 광학 유닛(21)의 마지막 미러(24)는 그레이징 입사(grazing incidence)를 위한 미러("그레이징 입사 미러")이다.
위치 관계의 기재의 편이를 위해, 도 1은 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(12) 사이의 투영 노광 장치(1)의 구성요소의 위치 관계의 기재를 위해 글로벌 좌표 시스템으로서 카테시안(Cartesian) xzy 좌표 시스템을 도시한다. x-축은 도면의 평면에 수직으로 도 1의 뒤쪽으로 나아간다. y-축은, 오른쪽으로 도 1의 오브젝트 홀더(9)와 웨이퍼 홀더(14)의 변위 방향에 평행하게 나아간다. z-축은 도 1의 아래로, 즉, 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(12)에 수직으로 나아간다.
오브젝트 필드(5)나 이미지 필드(11)에 대한 x-차원은 필드 높이로서 지정된다.
도 2는 상당히 개략적인 도시로 필드 면 미러(19)로부터의 발췌부의 구조에 대한 상세를 도시한다. 도 2에 도시된바와 같은 필드 면 미러(19)로부터의 발췌에 대한 개별 미러 그룹들(24a) 중 정확히 하나가 될 수 있다. 필드 면 미러(19)의 전체 반사 표면(25)은 개별 미러들(26)의 그리드(grid)로 행들과 열들로 세분된다. 조명 광(16)의 부분 빔은 각각의 개별 미러들(26)을 통해 안내된다. 특정 개별 미러들(26)의 개별 반사 표면들은 평면이며 곡률(curvature)이 없다. 개별 미러 행(27)은 서로 직접적으로 나란히 위치된 복수의 개별 미러들(26)을 갖는다. 수십 내지 수백의 개별 미러들(26)은 개별 미러 행(27)에서 제공될 수 있다. 도 2에 따른 예시에서, 개별 미러들(26)은 정사각형이다. 반사 표면(20)이 어떠한 갭(gap)이 없이 가능한 커버될 수 있게 하는 개별 미러들의 다른 형태가 또한 사용될 수 있다. 이러한 대안적인 개별 미러 형태들은 파켓팅(parketing)의 수학 이론에서 알려진다. 이러한 관계에서, WO 2009/100 856 A1에 표시된 참고 문헌들이 참조된다.
필드 면 미러(19)의 실시예에 따라, 개별 미러 열(28)은 마찬가지로 복수의 개별 미러들(26)을 갖는다. 예시로서, 수, 수십 또는 수백의 개별 미러들(26)은 개별 미러 열(28) 마다 제공된다.
위치 관계의 기재의 편이를 위해, 도 2는 필드 면 미러(19)의 로컬 좌표 시스템으로서 카테시안 xzy 좌표 시스템을 도시한다. 상응하는 로컬 xzy 좌표 시스템들은 또한 면 미러 면이나 그로부터의 발췌부가 평면도로 도시된 후속 도면들에서 발견된다. 도 2에서, x-축은 개별 미러 행들(27)에 평행하게 오른쪽으로 수평방향으로 나아간다. y-축은 도 2의 개별 미러 열들(28)에 위로 평행하게 나아간다. z-축은 도 2의 도면의 평면에 수직이며, 뒤쪽으로부터 나온다.
도 1에 따른 글로벌 좌표 시스템의 y-방향, 즉, 레티클(7)과 웨이퍼(13)에 대한 변위 방향, 및 도 2에 따른 로컬 좌표 시스템의 y- 방향, 즉, 개별 미러 어레이의 열 방향은 서로 정확히 평행하게 나아갈 필요는 없지만, 서로에 대해 예컨대 작은 각도를 취할 수 있다.
x-방향에서, 개별 미러 그룹(24a)의 반사 표면(25)은 x0의 크기를 갖는다. y-방향에서, 개별 미러 그룹(24a)의 반사 표면(25)은 y0의 크기를 갖는다.
필드 면 미러(19)의 실시예에 따르면, 개별 미러들(26)은 예컨대 500μm x 500μm부터 예컨대 2mm x 2mm의 범위의 x/y 크기를 갖는다. 개별 미러들(26)은 이 개별 미러들이 조명 광(16)과이 집중 효과를 갖도록 형성될 수 있다. 개별 미러들(26)의 이러한 집중 효과는 조명 광(16)을 갖는 필드 면 미러(19)의 발산 조명을 사용할 때 특히 유리하다. 전체 필드 면 미러(19)는 실시예에 따라 예컨대 300mm x 300mm 또는 600mm x 600mm인 x0/y0 크기를 갖는다. 개별 미러 그룹들(24a)(도 7 참조)은 80mm x 6mm 또는 65mm x 5mm 또는 25mm x 4mm 또는 104mm x 8mm의 일반적인 x/y 크기를 갖는다. 각각의 개별 미러 그룹들(24a)의 크기와 상기 개별 미러 그룹들(24a)이 구성되는 개별 미러들(26)의 크기 사이의 비율에 따라, 개별 미러 그룹들(24a)의 각각은 개별 미러들(26)의 상응하는 수를 갖는다.
충돌 조명 광(16)의 개별 굴절에 있어서, 반사 표면(25)의 하부 좌측에서 코너에 배열되는 2개의 개별 미러들(26)을 기초로 도 2에 파선으로 표시된 바와 같이, 그리고 개별 면 행(27)으로부터의 발췌부를 기초로 도 3에서 더욱 상세히 도시되는 바와 같이 각각의 개별 미러들(26)은 개별적으로 액츄에이터(29)에 연결된다. 액츄에이터(29)는, 개별 미러들(26)의 반사 방향에서 떨어져서 면하는 개별 미러들(26)의 각각의 면에 배열된다. 액츄에이터(29)는 예컨대, 압전 액츄에이터(piezo-actuator)로서 구현된다. 이러한 액츄에이터들의 구현은 마이크로미러 어레이들의 구성으로 알려진다.
개별 미러 행(27)의 액츄에이터들(29)은 신호 라인들(30)을 통해 개별적으로 행 신호 버스(31)에 연결된다. 각각의 경우에서, 개별 미러 행(27)은 행 신호 버스들(31) 중 하나에 할당된다. 각각의 미러 행들(27)의 행 신호 버스들(31)이 이들 각자에 대해서 주요 신호 버스(32)에 연결된다. 후자는 필드 면 미러(19)의 제어 신호(33)에 신호 연결된다. 제어 장치(33)는 특히 직렬 방식, 즉, 행 별로 또는 열 별로 개별 미러들(26)을 동시에 구동하기 위해 설계된다. 개별 미러들(26)의 개별 구동은 심지어 개별 미러 행들(27)과 개별 미러 열들(28)내에서도 가능하다.
개별 미러들(26)의 각각은 약 2개의 상호 수직 경사 축에 독립적이고 개별적으로 경사질 수 있으며, 상기 경사 축들 중 제 1 축은 x-축에 평행하게 나아가고 이러한 2개의 경사진 축들의 제 2 축은 y-축에 평행하게 나아간다. 2개의 경사 축들은 각각의 개별 미러들(26)의 개별 반사 표면들에 위치한다.
게다가, z-방향의 개별 미러들(26)의 개별 변위는 액츄에이터들(29)에 의해 또한 가능해진다. 개별 미러들(26)은 반사 표면(25)의 법선을 따라 서로 별도로 구동가능한 방식으로 그에 따라 변위 가능하다. 결과적으로, 반사 표면(25)의 토포그라피 전체는 변할 수 있다. 이것은 예시로서 도 4 내지 도 6을 참조하여 매우 개략적으로 도시된다. 이로 인해, 프레스넬 렌즈의 방법으로 하나의 평면에서 모두 배열되는 미러 세그먼트들의 형태로, 더 큰 사지타들, 즉 반사 표면의 토폴로지의 큰 변형을 갖는 반사 표면의 고른 컨투어를 생성하는 것이 가능하다. 큰 사지타를 갖는 이러한 미러 표면 토폴로지의 기본적인 곡률은 프레즈넬 지대의 방식에서 세그먼트로의 이러한 세분화에 의해 제거된다.
도 4는 개별 미러 행(27)으로부터의 발췌부의 개별 미러들(26)의 개별 반사 표면들을 도시하고, 상기 개별 미러 행(27)의 모든 개별 미러들(26)은 제어 장치(33) 및 액추에이터(29)에 의해 동일한 절대 z-위치에 놓인다. 이것은 개별 미러 행(27)의 평면 행 반사 표면을 야기한다. 필드 면 미러(19)의 모든 개별 미러들(26)이 도 4에 따라 배향된다면, 필드 면 미러(19)의 전체 반사 표면(25)은 평면이다.
도 5는 개별 미러 행(27)의 개별 미러들(26)을 구동을 도시하며, 여기서 중앙 개별 미러(26m)는 인접 개별 미러들(26r1, 26r2, 26r3)에 대하여 음의 z- 방향으로 오프셋된 방식으로 설정된다. 이것은 도 5에 따라 개별 미러 행(27)에 충돌하는 EVU 방사선(16)의 상응하는 상 오프셋을 야기하는 계산식 배열을 초래한다. 이런 경우에, 2개의 중앙 개별 미러들(26m)으로부터 반사된 EUV 방사선(16)은 최대 크기로 상 지연(phase-delay)된다. 가장자리의 개별 미러들(26r3)는 최소 상 지연을 생성한다. 중간 개별 미러들(26r1 , 26r2)은 중간 개별 미러들(26m)의 결과로서 상 지연으로부터 점점 적게 선행하게 되는 상 지연을 단계식으로 상응하게 생성한다.
도 6은, 한편으로 z-방향에서 다른 미러에 대한 개별 미러들(260의 상쇄 및, 다른 한편으로 다른 미러에 대한 개별 미러들(26)의 배향은 볼록하게 형성된 개별 미러 행(27)을 전체적으로 야기하는 방식으로 개별 미러 행(27)으로부터의 도시된 발췌부의 개별 미러들(26)의 구동을 도시한다. 이것은 필드 면 미러(19)의 개별 미러 그룹들의 이미징 효과를 생성하는데 사용될 수 있다. 동일한 방식으로, 물론, 예컨대 개별 미러들(26)의 그룹들의 볼록 배열 또한 가능하다.
도 5 및 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 상응하는 디자인들은 x-차원에 한정되지 않되, 제어 장치(33)에 의한 구동에 따라 필드 면 미러(19)의 y-차원에 대해 지속될 수 있다.
먼저 언급된 바에 따르면, 적어도 2개의 개별 미러들(26)로 각각 구성된 개별 미러 그룹들(24a)의 개별 미러들(26)의 미리정의된 경사 그룹핑은, 제어 장치(33)에 의해 액츄에이터들(29)의 개별 구동에 의해 설정될 수 있다. 개별 미러 그룹들(24a)은, 조명 광(16)에 대한 적어도 하나의 전용 그룹 미러 조명 채널을 통해 동공 면 미러(20)의 적어도 하나의 전용 동공 면에 개별적으로 할당되어 개별 미러 그룹(24a)을 오브젝트 필드(5)에 이미징한다. 이러한 할당은, 각각의 개별 미러(26)에 충돌하는 조명 광(16)의 부분 빔이 이러한 개별 미러(26)로부터 동공 면 미러(20)의 할당된 동공 면을 향해 그리고 동공면으로부터 오브젝트 필드(5)를 향해 반사되는 방식으로 개별 미러 그룹(24a)에 속한 개별 미러들(26)의 개별적인 경사 위치나 스위칭 위치의 사전정의에 의해 실현된다. 이러한 경우에, 그룹 미러 조명 채널은, 전체 조명 또는 오브젝트 필드(5)를 조명하기 위해 동공 면을 통한 이미징으로 인해 서로 보완하는 각각의 개별 미러 그룹(24a)의 모든 개별 미러 조명 채널의 전체이다. 그러므로, 개별 미러 그룹들(24a)의 각각은 조명 필드(5)의 원래 이미지로서 간주될 수 있다. 조명 또는 오브젝트 필드(5)의 전체 조명은 이러한 원래 이미지들의 중첩을 구성한다.
그러므로, 개별 미러 그룹들(24a)의 각각은 필드 면 미러의 면의 함수(function)를 가지며, 이것은 예컨대 US 6,438,199 B1 또는 US 6,658,084 B2에 개시된다.
도 7은 이러한 그룹핑을 도시한다. 도시는 도 2에 따른 도시에 비해 더 많은 수의 개별 미러들(26)을 갖는 필드 면 미러(19)의 변형의 필드 면 평면의 반사 표면(25)으로부터의 발췌부를 도시한다. 도 2 내지 도 6을 참조하여 상기 먼저 기재된 구성요소에 해당하는 구성요소들은 동일한 참조 번호를 가지며 더욱 상세히 논의되지 않을 것이다.
제어 장치(32)에 의한 구동들의 상응하는 결합을 통해, 총 12개의 개별 미러 그룹들(24a)은 도 7의 예시의 경우 반사 표면(25) 내에서 형성된다. 개별 미러 그룹들(24a)은 각각 동일한 x/y 종횡 비(aspect ratio)를 갖는다. 개별 미러 그룹들(24a)의 각각은 개별 미러들(26)의 24 x 3 어레이로 구성되고, 즉, 각각 24개의 개별 미러들(26)을 갖는 3개의 개별 미러 행들을 갖는다. 그러므로, 개별 미러 그룹들(24a)은 8 대 1의 종횡 비를 갖는다. 이러한 종횡 비는 조명될 오브젝트 필드(5)의 종횡 비에 해당한다. 개별 미러들(26)의 경사 위치에 따른 광선 기하구조상의 변화로 인해 오브젝트 필드(5)에 각각의 개별 미러 그룹(24a)을 이미징하는 동안 세부 변경사항으로 인해 일어나는 종횡 비의 차이가 이러한 경우 무시된다.
각각의 개별 미러 그룹(24a) 내에서, 개별 미러들(26)은, 각각의 개별 미러 그룹들(24a)의 형태가 종래의 필드 면 미러의 개별 필드 면의 형태와 상응하는 방식으로 서로에 대해 배향된다. 각각의 개별 미러 그룹(24a)의 개별 미러들(26)의 이미지들은 전체 오브젝트 필드(5)에 대해 오브젝트 필드(5)의세서 서로를 보상한다.
도 7은 그룹 미러 조명 채널들(35)을 통해 동공 면 미러(20)의 3개의 동공 면들(34)에 3개의 개별 미러 그룹들(24a)을 할당하는 것을 도시한다.
도 8은 필드 면 미러(19)로부터의 발췌부 내의 개별 미러 그룹(24a)의 추가 변형을 도시한다. 도 9에 따른 개별 미러 그룹(24a)은 9개의 개별 미러 행들(271 내지 279)을 가지며, 각각의 미러행들은 7개의 개별 미러 열들(281 내지 287)을 가진다.
도 9는 도 8에 따른 필드 면 미러(19)로부터의 발췌부를 도시하며, 이 도시는 추가적으로 y 방향에 평행하게, 즉, 오브젝트 홀더(8)와 웨이퍼 홀더(14)의 변위 방향에 평행하게 나아가는 3개의 스캐닝 라인들(S1, S2, S3)을 도시한다. 스캐닝 라인들(S1 내지 S3)은 각각 개별 미러 열들(28) 중 하나를 따라 나아간다. 스캐닝 라인들(S1 내지 S3)은 투영 노광 동안 오브젝트 필드(5)를 통해 그것의 스캐닝 변위를 따르는 레티클(7) 상의 오브젝트 포인트의 스캐닝 변위 경로들의 이미지들에 해당한다. 개별 미러 그룹(24a)은 오브젝트 필드(5)에 이미징되므로, 스캐닝 변위 경로를 따라 개별적으로 변위된 오브젝트 필드 포인트는 스캐닝 라인(S1, S2, S3)을 따라 배열된 개별 미러들(26)을 "본다".
도 9에 따른 개별 미러 그룹(24a)의 개별 미러들(26)은, 조명 광이 개별 미러들(26) 및 동공 면 미러(20)를 통해 오브젝트 필드(5)로 안내되는 개별 미러 조명 채널이 동일한 그룹 조명 채널(35)(도 7 참조)에 기여하며 이 채널은 동공 면 미러(20)의 동일한 동공 면(34)(도 7 참조)을 통해 조명 광(16)을 오브젝트 필드(5)를 향해 안내하는 방식으로 모두 배향될 수 있다. 대안적으로, 개별 미러 그룹(24a)의 특정 또는 모든 개별 미러들(26)을 상이한 경사 위치로 경사지게 하여, 상기 경사 위치로 가져가지지 않은 상기 개별 미러 그룹(24a)의 다른 개별 미러들(26)과 비교하여, 경사진 개별 미러들(26)은 동공 면 미러(20)의 상이한 동공 면(34)을 통해 오브젝트 필드(5)를 향해 조명 광(16)을 안내하는 것이 가능하고, 그 결과, 조명은 상이한 조명 방향으로부터의 경사진 개별 미러들(26)의 개별 미러 조명 채널들을 통해 실현된다. 대안적인 개별 미러 조명 채널은 도 7의 (37)에서 개략적으로 도시된다. 마찬가지로, 대안적으로, 상기 개별 미러들(26)을 경사지게 하여, 이러한 경사진 개별 미러들(26)을 통해 안내된 조명 광(16)이 오브젝트 필드(5)의 조명에 더는 기여하지 않으며, 즉, 정의된 방식으로 안내하여 내보내는 것이 가능하다. 이러한 안내하여 내보내기는 스위치 오프 조명 채널을 통해 실현된다. 조명광을 동공 면 미러(20)로 안내하지 않는, 이러한 스위치 오프 조명 채널은 도 7의 36에서 개략적으로 도시된다.
도 10은 개별 미러 그룹(24a)의 개별 미러들(26)의 그룹 경사 스위칭 상태를 도시하며, 이러한 상태는 또한 경사 위치 분포로서 지정된다. 개별 미러 그룹(24a) 내에서 개별적으로 의도된 개별 미러(26)의 식별을 용이하게 하기 위해, 상기 미러는 인덱싱(26i,j)으로 제공되고, 여기서 i는 각각의 개별 미러(26)의 행 위치를 나타내고, j는 열 위치를 나타낸다. 도 10에 따른 그룹 경사 스위칭 상태의 경우, 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3, 264,6)은 개별 미러 그룹(24a)의 모든 다른 개별 미러들(26)과는 상이한 경사 위치로 가져가진다. 이러한 다른 개별 미러들(26)에 충돌하는 조명 광(16)은 동공 면 미러(20)의 동일한 동공 면(34)을 통하는 공통 그룹 조명 채널을 통해 오브젝트 필드(5)로 안내된다. 경사진 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3)에 충돌하는 조명 광(16)은 선택된 경사 위치에 따라 이하와 같이 안내될 수 있다.
- 조명 광(16)은, 개별 미러 그룹(24a)의 모든 다른 개별 미러들(26)이 안내되는 동공 면(34)과는 상이한 동공 면 미러(20)의 동공 면(34)을 통해 오브젝트 필드(5)를 향해 안내될 수 있다. 이런 경우에, 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3, 264,6)은 개별 미러 그룹(24a)의 다른 개별 미러들(26)과는 상이한 방향으로부터 오브젝트 필드(5)의 조명에 기여한다. 이런 경우에, 경사진 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3, 264,6)이 그들의 각각의 개별 미러 조명 채널들 모두를 통해 조명 광을 동일한 동공 면(34)을 향해 안내하는 것이 가능하거나, 그들 각각이, 조명 광(16)을 동공 면 미러(20)의 상이한 동공 면들(34)로 다시 안내하는 것이 가능하다. 예컨대, 개별 미러(265,2) 및 개별 미러(266,2)는 이것들이 광을 동일한 동공 면들(34)에 적용하도록 경사지게 되는 것이 가능하고, 반면에, 개별 미러들(263,3, 264,6)은 조명 광(16)을 추가 동공 면(34)에 적용하여 개별 미러 그룹(24a)의 개별 미러들(26)이 조명 광(16)을 동공 면 미러(20)의 총 3개의 동공 면들(34)에 적용하는 것이 가능하다. 원칙적으로, 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3, 264,6)은 심지어 광을 4개의 상이한 동공 면들(34)에 적용하여, 도 10에 따른 그룹 경사 스위칭 상태의 전체 개별 미러 그룹(24a)은 광을 최대 5개의 동공 면들(34)에 적용할 수 있다.
- 대안적으로, 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3, 264,6) 중 적어도 하나가 조명 광이 이러한 개별 미러(26)를 통해 오브젝트 필드(5)에 더는 들어가지 않게, 즉 레티클(7)의 투영 노광에 기여하지 않도록 경사지거나 방향이 바뀌는 것(swung away)이 가능하다. 오브젝트 필드(5)에 적용될 때, 이것은 조명 광(16)dml 강도 분포에 영향을 주는데 사용될 수 있다. 예컨대, 모든 개별 미러들(265,2, 266,2, 263,3, 264,6)의 방향이 바뀌는 경우, 즉, 오브젝트 필드(5)로 조명 광(16)을 안내하지 않는 경우에, 개별 미러 열(282)의 9개 보다는 7개의 개별 미러들이 오브젝트 필드 조명에 기여하고, 개별 미러 열(283)의 9개 보다는 8개의 개별 미러들이 오브젝트 필드 조명에 기여하고, 개별 미러 열(286)의 9개 보다는 8개의 개별 미러들이 오브젝트 필드 조명에 기여한다. 이것은, 스캐닝 라인들이 개별 미러 열들(282, 283, 287)을 따라 나아가는 오브젝트 필드(5)를 통하는 스캐닝 변위 경로들을 따라 변위되는 레티클(7) 상의 오브젝트 포인트에 적용되는 조명 광 강도의 상응하는 감소를 야기한다.
경사진 개별 미러들(265,2,266,2, 263,3, 264,6)의 조명 광(16)이 개별 미러 그룹(24a)의 다른 개별 미러들(20)을 통해 안내된 조명 광(16)에 비해 동공 면 미러(20)의 적어도 하나의 다른 동공 면(34)을 통해 오브젝트 필드(5)를 조명하는데 사용되는 경우, 이것은 각각의 경우에 오브젝트 필드(5)를 통해 적응되는 조명 광 강도 분포와는 상이한 조명 광 방향으로부터 오브젝트 필드(5)에 조명 광(16)을 공급하는데 사용될 수 있다. 이것은 도 11 내지 도 15를 참조하여 이하에서 더욱 상세히 기재될 것이다.
도 11 내지 도 15는 3개의 선택된 동공 면들(341,342,343)을 갖는 동공 면 미러(20)를 각각 개략적으로 도시한다.
도 11에 따른 조명 기하구조의 경우, 동공 면(341)은 필드 면 미러(19) 상의 제 1 개별 미러 그룹(24a)의 모든 개별 미러 조명 채널들을 통해 조명되어서, 이러한 제 1 개별 미러 그룹(24a)은 동공 면(341)의 방향으로부터 오브젝트 필드(5)의 조명에 기여한다. 동공 면(343)은 도 11에 따른 조명 기하구조의 경우 조명되지 않는다. 그러므로, 오브젝트 필드(5)는 동공 면(342)의 방향으로부터 조명되지 않는다. 동공 면(342)은 필드 면 미러(19) 상의 상이한 개별 미러 그룹(24a)에 의해 조명된다. 오브젝트 필드(5)는 그러므로 2개의 동공 면들(341, 343)의 방향으로부터 2개의 개별 미러 그룹들(24a)을 통해 안내된 조명 광(16)을 '본다'.
도 12에 따른 조명 기하구조의 경우, 먼저 동공 면(341)을 조명했던 개별 미러 그룹(24a)의 모든 개별 미러들의 ¼이 이제 경사지게 되어, 조명 광(16)은 이제 동공 면(342)을 향해 안내된다. 오브젝트 필드(5)는, 이제 상대 강도 3/4를 갖는 동공 면(341)의 방향으로부터, 상대 강도 1/4를 갖는 동공 면(342)의 방향으로부터, 그 조명이 상대 강도 1로 변하지 않은 상태로 남는 동공 면(343)의 방향으로부터의 조명 광(16)을 '본다'. 동공 면들(341,342,343)은 그러므로 상대 강도(3/4, 1/4, 1)로 조명된다.
도 13에 따른 조명 기하구조의 경우, 도 11에 따른 조명 기하구조의 경우 동공 면(341)의 조명에 기여하는 개별 미러들(26)의 반이 이제 경사지게 되어서, 조명 광(16)은 이제 동공 면(342)을 향해 경사진 개별 미러들을 통해 안내된다. 동공 면들(341,342,343)은 이제 상대 강도(1/2, 1/2, 1)로 조명된다.
도 14에 따른 조명 기하구조의 경우, 도 11에 따른 조명 기하구조의 경우 동공 면(342)의 조명에 기여하는 개별 미러들(26)의 3/4가 이제 경사지게 되어서, 조명 광(16)은 이제 동공 면(342)을 향해 개별 미러들의 3/4 통해 안내된다. 동공 면들(341,342,343)은 이제 상대 강도(1/4, 3/4, 1)로 조명된다.
도 15에 따른 조명 기하구조의 경우, 도 11에 따른 조명 기하구조의 경우 동공 면(341)의 조명에 기여하는 개별 미러들(26)의 모두가 이제 경사지게 되어서, 조명 광(16)은 이제 동공 면(342)을 향해 모든 개별 미러들 통해 안내된다. 동공 면들(341,342,343)은 이제 상대 강도(0, 1, 1)로 조명된다.
도 12 내지 도 14에 따른 조명 기하구조들의 경우, 제 1 조명 각도 분포가 오브젝트 필드(5)의 부분들에 적용되고 제 2 조명 각도 분포가 오브젝트 필드(5)의 다른 부분들에 적용되는 상황을 초래할 가능성이 있다.
예컨대, 상이한 조명 방향으로부터의 조명의 준연속 변환은 개별 미러 그룹(24a) 내의 개별 미러들(26)의 상응하는 경사에 의해 가능해진다는 점은 도 11 내지 도 15에 따른 조명 기하구조의 시퀀스로부터 알 수 있다. 상이한 동공 면들의 방향으로부터의 상대 조명 강도들의 적응의 파인니스(fineness of adaptation)는 개별 미러 그룹들(24a) 내의 개별 미러들(26) 수의 사전정의에 의해 영향받을 수 있다. 도 7에 따른 개별 미러 그룹들(24a)의 24 x 3 어레이들의 경우에, 스캐닝 방향을 따라 영향을 주는 상대 강도를 정확히 1/3으로, 7 x 9 어레이들의 경우 정확히 1/9로 수행할 수 있다.
그러므로, 각각의 광원(2)의 특성에 대한 조명 시스템(3)의 적응이 가능하다.
동공 면 미러(20) 상의 동공 면들(34)의 위치에 의해 사전정의된 상이한 조명 방향들에 대해 조명 강도 분포를 적응시키기 위하여, 즉, 조명 기하구조를 적응시키기 위하여, 이하의 알고리즘을 사용하는 것이 가능하다.
가상 필드 면(i), 즉, 상이한 동공 면들(34)을 조명할 수 있는 개별 미러 그룹(24a)이 고려된다. i번째 가상 필드 면의 스위칭 위치는 (ji)에 의해 표시된다.
리소그래피 마스크(7) 상의 특정 구조가 (k)로 지정되는 경우, 바람직한 구조 에지 위치에서의 필드 포인트(1)에서 에어리얼 이미지(aerial image) 강도, 즉, 다음과 같은 이미지 필드(11)의 위치에서의 조명 광(16)의 강도가 발생한다.
Figure pat00001
(1)
Figure pat00002
는 이미지 필드(11)의 구조(k)(k번째 구조)의 위치에서의 스위칭 위치(ji)의 필드 면(i)의 강도 비율이다. 이로써 k번째 구조에 대한 총 에어리얼 이미지 강도는 모든 가상 필드 면들에 대한 합산(summation)에 의해 발생한다.
Figure pat00003
(2)
결과는, 가상 필드 면들의 위치들(ji)에 의존한다. 모든 것을 보다 간략하게 기재하기 위하여, 먼저, "1" 및 "2"에 의해 지정된 오직 2개의 위치가 존재하는 것, 즉 ji∈{1,2}이 가정된다. 이것은 모노리틱(monolithic) 필드 면들을 포함하는 종래의 조명 광학 유닛에 해당한다. 상기 방정식은 이하와 같이 기재될 수 있다:
Figure pat00004
(3)
이것은 아래와 같이 요약될 수 있다.
Figure pat00005
(4)
이것은 선형 방정식이다. 이러한 선형 방정식 시스템의 해는 수학적 문헌에서 포괄적으로 다뤄진다.
조명 시스템(3)에 대한 조명 기하구조를 설정할 때의 목적은, 레티클(7) 상의 모든 구조들이 원하는 구조 에지 위치에서와 동일한 강도(I0)를 갖는 것이며, 상기 강도는 웨이퍼(13) 상의 조명 광(16)에 민감한 토킹에 대한 레지스트 임계값으로서 선택된다.
Figure pat00006
(5)
조명 기하구조의 세팅이 고려되는한, 이러한 방정식은 최적화 작업, 이러한 방정식이 가능한 한 충족되게하는, 즉 ji에 대한 최적값을 찾는 것이다.
실제로, 도 11 내지 도 15를 참조하여 상기 기재된 바와 같이, 스위칭 위치의 준연속체가 존재하므로, ji∈{1;2}는 참이 아니며, ji∈[1;2]이다. 중간 위치의 수는 각각의 개별 미러 그룹(24a)이 구성되는 개별 미러들(26)의 수에 의존한다. 방정식(5)의 해는 상응하는 최적화 알고리즘을 사용하여 직접 계산될 수 있다. 해가 이산 값에서 고정됨에도 불구하고, 이러한 이산값들의 수는 ＞＞1이며, 유효한 알고리즘이 존재한다 - 이산 값들의 더 큰 수가 허용되면 더욱 좋다 -.
이러한 알고리즘들은 우선 연속하는 해를 해결하는데 기반한다. 그 이후, 연속하는 해의 개별 구성요소(ji)는 상이하게 허용된 이산값들, 예컨대, 연속하는 해에 가장 가까운 2개의 이산값에 설정되어서, 큰 수의 결합들이 시험되어야 한다. 만약 예컨대 1.05가 값(ji)에 대한 결과이면, 이것은 100개의 개별 미러들을 가지는 개별 미러 그룹의 경우에, 이러한 개별 alfjefm 중 5개가 스위칭 또는 경사 위치들 중 하나에 위치될 것이며, 이러한 미러들 중 95개는 다른 스위칭 위치에 위치될 임을 의미한다. 이로써 발생하는 새로운 연속적인 해가 남아있는 구성요소들에 대해 해결되면, 이것은 최적 경우에서 성취 가능한 해의 퀄리티에 대한 평가치를 산출한다. 이것이 만족스럽지 않을 경우, 남아있는 것에 대한 이산 해, 즉 솔루션 벡터의 연속적인 구성요소를 찾을 필요가 없다. 이것은 solution tree가 빠르고 효율적으로 트리밍되는 것을 허용한다.
솔루션 트리의 프룻리스(fruitless) 부분의 가장 빠른 가능 프러닝(pruning)으로 인해("다수의 가능성 고려" 및 "예상 값에 기반한 버리기" 단계에 기초), 이러한 알고리즘은 "분기 한정(branch and bound)"으로 기재된다. 개요는 예컨대 "분기 한정 방법:조사(E.L Lawler, D.E. Wood, "운영 연구" 저널 14권의 699 내지 719 페이지에 공개됨(1966))"에서 발견할 수 있다.
조명 시스템(3)의 조명 광학 유닛(4)의 조명 기하구조를 설정하기 위하여, 우선, 바람직한 조명 기하구조는 상기 방정식(1)에 기초하여 사전정의된다. 바람직한 조명 기하구조는 레티클(7) 상에 이미징될 구조에 따라 사전정의된다. 개별 스위칭 위치를 사전정의함으로써 그리고 상기 논의된 최적화 알고리즘의 도움으로 동일한 개별 미러 그룹(24a) 내의 개별 미러들(26)의 경사 각도들을 변경하는 것이 뒤따른다. 이러한 변경은, 개별 미러 그룹(24a) 내의 개별 미러들(26)의 경사 위치 분포나 그룹 경사 스위칭 상태가 허용되어서, 적어도 하나의 경사 위치가 존재하여, 각각의 개별 미러가 제 1 그룹 조명 채널(35)을 통해 제 1 동공 면, 즉 동공 면(341)에 할당되며 예컨대 개별 미러들(26) 중 적어도 하나의 적어도 하나의 추가 경사 위치가 존재하고, 후자는 추가 조명 채널을 통해 추가 동공 면 예컨대 동공 면(342)에 할당되거나 스위치 오프 조명 채널에 할당된다.
개별 미러 경사 각도의 변경은, 실제 조명 기사구조가 미리정의된 공차 내에서 바람직한 조명 기하구조에 해당할 때까지 최적화 알고리즘의 도움으로 실현된다.
이러한 경우에, 개별 미러들(26)의 경사 각도들의 변경은, 각각의 경우 전용 그룹 미러 조명 채널을 통해 전용 제 2 면, 즉 동공 면 미러(20)의 전용 동공 면(34)에 할당되는 모든 개별 미러 그룹들(24a)에 대해 수행된다.
방정식(5)의 이산, 즉, 허용된 해가 변경의 맥락에서 발견되자마자, 개별 미러들(26)의 필수 경사 각도는 이것으로부터 바로 발생한다.
투영 노광 장치(1)의 도움을 받는 투영 노광 동안, 우선 조명 기하구조는 상기 기재된 설정 방법의 도움으로 설정된다. 오브젝트 필드(5)의 레티클(7)의 적어도 일부는, 마이크로 또는 나노 구조의 구성요소, 특히 반도체 구성요소 예컨대 마이크로칩의 리소그래픽 생산을 위한 이미지 필드(11)의 웨이퍼(13) 상의 감광성 층의 영역에 이미징된다. 이러한 경우에, 레티클(7) 및 웨이퍼(13)는 스캐너 동작에서 연속적으로 y-방향으로 일시적으로 동기화된 방식으로 이동된다.

Claims (4)

  1. 리소그래피 마스크(7)가 배열될 수 있는 오브젝트 필드(5)를 향해 조명 광(16)을 안내하는 EUV 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛(4)에 대한 조명 기하구조를 설정하는 방법으로서,
    - 상기 유닛은,
    - 적어도 2개의 경사 위치들 사이에서 스위칭될 수 있고 상기 오브젝트 필드(5)를 향해 조명 광 부분 빔들을 안내하기 위한 개별 미러 조명 채널들(37)을 제공하는 다수의 개별 미러들(26)을 갖는 제 1 면 미러(19)를 포함하고,
    - 상기 조명 광(16)의 빔 경로에서 상기 제 1 면 미러(19)의 다운스트림에 배치되고, 그룹 미러 조명 채널을 통한 상기 오브젝트 필드(5) 내로의 상기 제 1 면 미러(19)의 개별 미러들(26)의 그룹(24a)의 이미징에 각각 기여하는 복수의 면(34)을 가지는, 제 2 면 미러(20)를 포함하며, 상기 오브젝트 필드(5)에서의 각각의 개별 미러 그룹(24a)의 개별 미러들(26)의 이미지들은 상기 전체 오브젝트 미러(5)의 조명에 대해 서로 보완하고,
    상기 방법은,
    - 바람직한 조명 기하구조를 미리정의하는 단계,
    - 실제 조명 기하 구조가 미리정의된 공차(tolerance) 내에서 원하는 조명 기하 구조에 상응할 때까지, 하나의 동일 개별 미러 그룹(24a) 내의 개별 미러들(26)의 경사 각도를 변경하는 단계를 포함하며, 상기 개별 미러들(26)은
    -- 제 1 경사 위치에서, 제 1 그룹 미러 조명 채널(35)을 통해 상기 제 2 면 미러(20)의 제 1 면(341)에 할당되고,
    -- 적어도 하나의 추가 경사 위치에서,
    --- 추가 조명 채널(37)을 통해 상기 제 2 면 미러(20)의 추가 면(342)에 할당되거나,
    --- 상기 개별 미러(26)를 통해 안내된 조명 광(16)이 상기 오브젝트 필드(5)의 조명에 기여하지 않는 스위치-오프 조명 채널(36)에 할당되어,
    - 적어도 하나의 제 1 경사 위치 및 적어도 하나의 추가 경사 위치가 존재하는, 상기 개별 미러 그룹(24a) 내의 개별 미러들(26)의 경사 위치 분포가 허용되는, 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 개별 미러들(26)의 경사 각도의 변경은, 전용 그룹 미러 조명 채널을 통해 개별적으로 전용 제 2 면(34)에 할당되는 모든 개별 미러 그룹(24a)에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  3. 투영 노광 방법으로서,
    - 리소그래피 마스크(7)가 배열될 수 있는 오브젝트 필드(5)를 향해 조명 광(16)을 안내하기 위한 조명 광학 유닛(4)과 상기 오브젝트 필드(5)를 이미지 필드(11)에 이미징하기 위한 투영 광학 유닛(10)을 포함하는 조명 시스템(3),
    EUV 광원(2),
    상기 오브젝트 필드(5)에 상기 리소그래피 마스크(7)를 장착하기 위한 오브젝트 홀더(8) 및
    상기 이미지 필드(11)에 웨이퍼(13)를 장착하기 위한 웨이퍼 홀더(14)를 포함하는, 투영 노광 장치(1)를 제공하는 단계,
    - 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 방법에 의해 조명 기하구조를 설정하는 단계,
    - 상기 웨이퍼(13)를 제공하는 단계,
    - 상기 리소그래피 마스크(7)를 제공하는 단계,
    - 상기 투영 노광 장치(1)의 투영 광학 유닛(10)의 도움으로 상기 웨이퍼(13)의 감광성 층의 영역 상에 상기 리소그래피 마스크(7)의 적어도 일부를 투영하는 단계를 포함하는, 방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 바람직한 조명 기하구조는 상기 리소그래피 마스크(7) 상에 이미징 될 구조에 따라 미리정의되는 것을 특징으로 하는, 방법.
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