KR20130069051A - Siloxane compound and crosslinkable composition forming an insulating layer comprising the same - Google Patents

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KR20130069051A KR1020110136572A KR20110136572A KR20130069051A KR 20130069051 A KR20130069051 A KR 20130069051A KR 1020110136572 A KR1020110136572 A KR 1020110136572A KR 20110136572 A KR20110136572 A KR 20110136572A KR 20130069051 A KR20130069051 A KR 20130069051A
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Abstract

PURPOSE: A siloxane compound and a crosslinking composition for forming an insulating layer are provided to from an insulating layer with improved heat resitsance and hardness. CONSTITUTION: A siloxane compound is obtained by hydrolytic polymerizing a silane compound represented by chemical formula 1: R^1Si(X^1)3, a silane compound represented by chemical formula 2: R^2Si(X^2)3, and a silane compound represented by chemical formula 3: 3: Si(X^3)4. In the chemical formulas, R^1 is a vinyl group; each of X^1 is independently halogen or C1-5 alkoxy; R^2 is hydrogen; each of X^2 is independently halogen or C1-5 alkoxy; each of X^3 is independently halogen or C1-5 alkoxy group.

Description

실록산 화합물 및 이를 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물 {Siloxane compound and crosslinkable composition forming an insulating layer comprising the same}Siloxane compound and crosslinkable composition forming an insulating layer comprising the same

본 발명은 실록산 화합물 및 이를 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 절연층 형성에 유용하게 사용될 수 있는 실록산 화합물 및 이를 포함하는 가교성 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a siloxane compound and a crosslinkable composition for forming an insulating layer including the same, and more particularly, to a siloxane compound and a crosslinkable composition comprising the same, which can be usefully used for forming the insulating layer.

박막트랜지스터 같은 전자 소자의 절연층으로서 주로 SiN(silicon nitride) 같은 무기 물질을 사용한 무기 절연층이 주로 사용되고 있다. SiN을 사용한 무기 절연층은 화학기상증착 방법에 의해 형성되는데 이것은 고가의 고진공 장비를 사용하게 된다.As an insulating layer of an electronic device such as a thin film transistor, an inorganic insulating layer using an inorganic material such as silicon nitride (SiN) is mainly used. The inorganic insulating layer using SiN is formed by chemical vapor deposition, which uses expensive high vacuum equipment.

이러한 방법을 대체하기 위하여, 용액 공정에 의해 유기 절연층을 형성하는 것이 시도되고 있으나 이것은 유기 물질을 사용하기 때문에 내열성 및 투명성이 저하될 수 있다. 또한, 종래의 졸겔법에 의해 유기-무기 복합 절연층을 형성하는 것이 있으나 절연층 형성 도중에 열분해에 의한 가스가 발생할 수 있으며 형성된 절연층이 치밀하지 못하여 투습성이 떨어질 수 있다. In order to replace this method, it has been attempted to form an organic insulating layer by a solution process, but since this uses an organic material, heat resistance and transparency may be degraded. In addition, although the organic-inorganic composite insulating layer is formed by the conventional sol-gel method, gas due to thermal decomposition may be generated during the formation of the insulating layer, and the formed insulating layer may not be dense, and thus may have poor moisture permeability.

따라서, 고가의 고진공 장비를 사용하지 않으면서 내열성이 우수하고 치밀한 막을 가지는 절연층이 필요하다. Therefore, an insulating layer having excellent heat resistance and a dense film without using expensive high vacuum equipment is needed.

한국 공개특허 제2007-0046548호Korean Unexamined Patent Publication No. 2007-0046548 한국 공개특허 제2007-0098401호Korean Unexamined Patent Publication No. 2007-0098401

본 발명에서는 고밀도의 가교를 형성할 수 있는 실록산 화합물을 제공하고, 상기 실록산 화합물을 포함하여 기재 상에 도포되어 효과적으로 경화됨으로써 향상된 내열성 및 경도를 갖는 절연층 형성용 가교성 조성물을 제공한다. The present invention provides a siloxane compound capable of forming a high-density crosslink, and provides a crosslinkable composition for forming an insulating layer having improved heat resistance and hardness by being coated on a substrate and effectively cured, including the siloxane compound.

본 발명의 일 측면에 따라, 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 가수분해 중합(hydrolytic polymerization)하여 얻은 실록산 화합물이 제공된다:According to an aspect of the present invention, a siloxane compound obtained by hydrolytic polymerization of a silane compound represented by the following Chemical Formula 1, a silane compound represented by the following Chemical Formula 2 and a silane compound represented by the following Chemical Formula 3 is provided:

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

R1Si(X1)3 R 1 Si (X 1 ) 3

상기 화학식 1 중, R1은 비닐기이고, 3개의 X1은 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이며, In Formula 1, R 1 is a vinyl group, three X 1 is independently halogen or C 1 ~ C 5 alkoxy group,

<화학식 2><Formula 2>

R2Si(X2)3 R 2 Si (X 2 ) 3

상기 화학식 2 중, R2는 수소이고, 3개의 X2는 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이며,In Formula 2, R 2 is hydrogen, and three X 2 are each independently a halogen or a C 1 to C 5 alkoxy group,

<화학식 3><Formula 3>

Si(X3)4 Si (X 3 ) 4

상기 화학식 3 중, 4개의 X3는 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이다.
In the formula 3, 4 X 3 is independently halogen or C 1 ~ C 5 alkoxy group each other.

상기 실록산 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 3차원 구조를 포함할 수 있다:The siloxane compound may include a three-dimensional structure represented by Formula 4 below:

<화학식 4>&Lt; Formula 4 >

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 4 중, ℓ, m 및 n은 0.2 ℓ ≤ m ≤3 ℓ 및 0.2 ℓ≤ n ≤3 ℓ 의 관계를 만족하고, Y1, Y2, 및 Y3는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 -O-SiHk(Z)3-k (여기서, 3-k개의 Z는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 실록산 단위이고, k는 0 내지 3의 정수임)이며, 서로 독립적으로 C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 -O-SiHk(Z)3-k인 상기 Y1, Y2 및 Y3 중 2개는 서로 축합하여 -O-Si-O-를 형성할 수 있다.
In Formula 4, l, m, and n satisfy a relationship of 0.2 L ≦ m ≦ 3 L and 0.2 L ≦ n ≦ 3 L, and Y 1 , Y 2 , and Y 3 are each independently halogen, C 1 to C 5 alkoxy group, C 1 -C 5 hydroxy group or -O-SiH k (Z) 3-k , wherein 3-k Z are independently of each other halogen, C 1 -C 5 alkoxy group, C 1 -C 5 Y 1 , which is a hydroxy group or a siloxane unit, k is an integer of 0 to 3), and is independently from each other a C 1 -C 5 alkoxy group, a C 1 -C 5 hydroxy group, or -O-SiH k (Z) 3-k . Two of Y 2 and Y 3 may be condensed with each other to form —O—Si—O—.

상기 화학식 1 내지 3 중, 상기 C1~C5 알콕시기는 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기 및 iso-프로폭시기 중 적어도 1종을 포함할 수 있다.
In Formulas 1 to 3, the C 1 to C 5 alkoxy group may include, for example, at least one of a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and an iso-propoxy group.

상기 실록산 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물이 함유된 수계 반응매질 상에서 상기 실란 화합물들을 산촉매의 존재하에 가수분해 중합시킴으로써 얻어질 수 있다.
The siloxane compound is obtained by hydrolytic polymerization of the silane compounds in the presence of an acid catalyst on an aqueous reaction medium containing the silane compound represented by Formula 1, the silane compound represented by Formula 2, and the silane compound represented by Formula 3. Can lose.

상기 실록산 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 1몰을 기준으로 0.2몰 내지 3몰 사용하고, 상기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 1몰을 기준으로 0.2몰 내지 3몰 사용하여 얻어질 수 있다.
The siloxane compound is 0.2 to 3 moles based on 1 mole of the silane compound represented by Formula 2, and the silane compound represented by Formula 1, and the silane compound represented by Formula 3 is represented by Formula 2 It can be obtained using 0.2 to 3 moles based on 1 mole of the compound.

상기 실록산 화합물의 분자량은 겔투과크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량으로 1,000 내지 20,000일 수 있다.
The molecular weight of the siloxane compound may be 1,000 to 20,000 in terms of weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography.

본 발명의 다른 측면에 따라, a) 상기 실록산 화합물; b) 라디칼 개시제; 및 c) 용매;를 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물이 제공된다.
According to another aspect of the invention, a) the siloxane compound; b) radical initiators; And c) a solvent. A crosslinkable composition for forming an insulating layer is provided.

상기 라디칼 개시제는 벤조일 퍼옥사이드, 아세틸 퍼옥사이드, 라우일 퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 과산화수소, 아조비스이소부티로니트릴 (ABIN) 및 1,1'-아조비스(사이클로헥산카보니트릴) (ABCN) 중 적어도 1종을 포함할 수 있다.
The radical initiators are benzoyl peroxide, acetyl peroxide, lauyl peroxide, t-butyl peroxide, cumene hydroperoxide, hydrogen peroxide, azobisisobutyronitrile (ABIN) and 1,1'-azobis (cyclohexane Carbonitrile) (ABCN).

상기 용매는 n-펜탄, iso-펜탄, 헥산, 시클로헥산 및 클로로포름 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, iso-프로판올, n-부탄올, iso-부탄올, sec-부탄올 및 t-부탄올 등의 알코올계 용매; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 및 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, iso-프로필에테르, iso-프로필에테르, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르 및 프로필렌글리콜메틸에테르 등의 에테르계 용매; 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매 중 적어도 1종을 포함할 수 있다.
The solvent is an aliphatic hydrocarbon solvent such as n-pentane, iso-pentane, hexane, cyclohexane and chloroform; Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol and t-butanol; Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and acetylacetone; Tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, ethyl ether, n-propyl ether, iso-propyl ether, iso-propyl ether, bis (2-methoxyethyl) ether, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether and propylene Ether solvents such as glycol methyl ether; At least one of ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, ethylene glycol methyl ether acetate, and propylene glycol methyl ether acetate may be included.

상기 용매의 함량은 상기 실록산 화합물 100 중량부를 기준으로 50 내지 500 중량부일 수 있다.
The content of the solvent may be 50 to 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the siloxane compound.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물은 접착력 증진제 및 계면활성제 중 적어도 1종을 포함하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.
The crosslinkable composition for forming an insulating layer may further include an additive including at least one of an adhesion promoter and a surfactant.

본 발명의 다른 측면에 따라, 기재 상에 상기 절연층 형성용 가교성 조성물을 도포하는 단계; 및 상기 도포된 절연층 형성용 가교성 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는 절연층 형성 방법이 제공된다.
According to another aspect of the invention, the step of applying a crosslinkable composition for forming the insulating layer on a substrate; And curing the applied crosslinking composition for forming an insulating layer.

상기 경화 단계의 온도는 200℃ 내지 300℃ 범위일 수 있다.
The temperature of the curing step may range from 200 ℃ to 300 ℃.

본 발명의 다른 측면에 따라, 상기 설명한 절연층 형성 방법에 의해 형성된 절연층이 제공된다.
According to another aspect of the present invention, an insulating layer formed by the above-described insulating layer forming method is provided.

본 발명의 일 구현예에 따른 실록산 화합물은 고밀도의 가교를 형성할 수 있다. The siloxane compound according to one embodiment of the present invention may form a high density crosslink.

본 발명의 일 구현예에 따른 실록산 화합물을 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물은 기재 상에 도포되어 효과적으로 경화됨으로써 향상된 내열성 및 경도를 갖는 절연층을 형성할 수 있다. 상기 절연층 형성용 가교성 조성물은 박막트랜지스터를 포함하는 전자 소자의 절연층 또는 피복층의 형성에 사용될 수 있으며, 종래의 화학기상증착 방법과 같은 고가의 고진공 장비를 사용하지 않아 비용 절감이 가능하다. The crosslinkable composition for forming an insulating layer including a siloxane compound according to an embodiment of the present invention may be applied onto a substrate to effectively cure to form an insulating layer having improved heat resistance and hardness. The crosslinkable composition for forming an insulating layer may be used for forming an insulating layer or a coating layer of an electronic device including a thin film transistor, and it is possible to reduce costs by not using expensive high vacuum equipment such as a conventional chemical vapor deposition method.

본 발명의 일 측면에 따른 실록산 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 가수분해 중합하여 얻는다:The siloxane compound according to an aspect of the present invention is obtained by hydrolyzing and polymerizing a silane compound represented by Formula 1, a silane compound represented by Formula 2, and a silane compound represented by Formula 3:

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

R1Si(X1)3 R 1 Si (X 1 ) 3

상기 화학식 1 중, R1은 비닐기이고, 3개의 X1은 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이며, In Formula 1, R 1 is a vinyl group, three X 1 is independently halogen or C 1 ~ C 5 alkoxy group,

<화학식 2><Formula 2>

R2Si(X2)3 R 2 Si (X 2 ) 3

상기 화학식 2 중, R2는 수소이고, 3개의 X2는 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이며,In Formula 2, R 2 is hydrogen, and three X 2 are each independently a halogen or a C 1 to C 5 alkoxy group,

<화학식 3><Formula 3>

Si(X3)4 Si (X 3 ) 4

상기 화학식 3 중, 4개의 X3는 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이다.
In the formula 3, 4 X 3 is independently halogen or C 1 ~ C 5 alkoxy group each other.

상기 실록산 화합물은 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물이 공존하는 상태에서 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 가수분해 중합하여 얻은 것이다. 가수분해 중합이라 함은, 산촉매 또는 염기촉매 및 물의 존재하에서, 반응원료(즉, 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물)가 가수분해된 후, 히드록시기를 갖는 상기 반응원료가 서로 중합되는 것을 의미한다. 한편, 이러한 가수분해 중합과정에서도, 화학식 2로 표시되는 실란 화합물의 R2(즉, 수소원자)는 촉매의 종류, 반응온도 및 시간 등에 따라 가수분해 및 중합반응에 차이가 생겨 미반응 상태로 잔류할 수 있으며, 잔류된 수소는 추후의 열경화에 의한 절연층 형성 과정에서 일부가 경화에 참여할 수 있다.
The siloxane compound is a silane compound represented by Formula 1, a silane compound represented by Formula 2, and a silane compound represented by Formula 1 in a state where a silane compound represented by Formula 1, a silane compound represented by Formula 2, and a silane compound represented by Formula 3 coexist It is obtained by hydrolytic polymerization of the silane compound represented by By hydrolysis polymerization, in the presence of an acid catalyst or a base catalyst and water, after the reaction raw materials (ie, the silane compound represented by the formula (1), the silane compound represented by the formula (2) and the silane compound represented by the formula (3)) are hydrolyzed , Means that the reaction raw materials having a hydroxyl group are polymerized with each other. In the hydrolysis polymerization process, R 2 (ie, hydrogen atom) of the silane compound represented by Chemical Formula 2 remains unreacted due to differences in hydrolysis and polymerization reactions depending on the type of catalyst, reaction temperature and time. The remaining hydrogen may partially participate in curing in the process of forming an insulating layer by thermal curing.

상기 실록산 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 3차원 구조를 포함할 수 있다:The siloxane compound may include a three-dimensional structure represented by Formula 4 below:

<화학식 4>&Lt; Formula 4 >

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 4로 표시되는 구조는 3 종류의 실록산 단위가 랜덤하게 결합되어 있는 3차원 구조로서, ℓ, m 및 n은 0.2 ℓ ≤ m ≤3 ℓ 및 0.2 ℓ ≤ n ≤3 ℓ 의 관계를 만족하는 값으로 선택된다. 바람직하게는 상기 ℓ, m 및 n 값은 상기 부등호 관계를 만족시키면서 실록산 화합물의 겔투과크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 1,000 내지 20,0000이 되는 범위 내에서 선택된다. The structure represented by Chemical Formula 4 is a three-dimensional structure in which three kinds of siloxane units are randomly bonded, and l, m, and n satisfy a relationship of 0.2 L ≤ m ≤ 3 L and 0.2 L ≤ n ≤ 3 L. It is selected by value. Preferably, the l, m and n values are selected within the range of 1,000 to 20,0000 in terms of the polystyrene reduced weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography of the siloxane compound while satisfying the inequality relationship.

상기 화학식 4 중, Y1, Y2, 및 Y3는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 -O-SiHk(Z)3-k이다. 상기 복수개의 Y1, Y2 및 Y3들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 서로 독립적으로 C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 -O-SiHk(Z)3-k인 상기 Y1, Y2 및 Y3 중 2개는 서로 축합하여 -O-Si-O-를 형성할 수도 있다. 여기서, 3-k개의 Z는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 실록산 단위이고, k는 0 내지 3의 정수이다. 실록산 단위라 함은 -O-SiHk'(Z')3-k'으로 표시되는 구조로 정의되며, k'과 z'은 각각 상기 설명한 k 및 Z와 같은 범위 내에서 선택된다.
In Formula 4, Y 1 , Y 2 , and Y 3 are each independently a halogen, a C 1 -C 5 alkoxy group, a C 1 -C 5 hydroxy group, or -O-SiH k (Z) 3-k . The plurality of Y 1 , Y 2 and Y 3 may be the same as or different from each other. Independently of one another, two of said Y 1 , Y 2 and Y 3 , which are a C 1 -C 5 alkoxy group, a C 1 -C 5 hydroxy group, or -O-SiH k (Z) 3-k , condense with each other to form -O-Si -O- may also be formed. Here, 3-k Z are independently of each other a halogen, a C 1 -C 5 alkoxy group, a C 1 -C 5 hydroxy group, or a siloxane unit, and k is an integer of 0-3. The siloxane unit is defined as a structure represented by -O-SiH k ' (Z') 3-k ' , where k' and z 'are each selected within the same range as k and Z described above.

상기 화학식 1 내지 3 중, 상기 할로겐은 바람직하게는 염소일 수 있다. 상기 C1~C5 알콕시기는 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기 및 iso-프로폭시기 중 적어도 1종을 포함할 수 있다.
In Formulas 1 to 3, the halogen may be preferably chlorine. The C 1 to C 5 alkoxy group may include, for example, at least one of a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group and an iso-propoxy group.

상기 실록산 화합물은, 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물이 함유된 수계 반응매질 상에서 산촉매 또는 염기촉매의 존재하에서 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 가수분해 중합시킴으로써 얻을 수 있다.
The siloxane compound is a silane compound represented by Formula 1 in the presence of an acid catalyst or a base catalyst on an aqueous reaction medium containing a silane compound represented by Formula 1, a silane compound represented by Formula 2, and a silane compound represented by Formula 3, It can obtain by hydrolyzing-polymerizing the silane compound represented by General formula (2) and the silane compound represented by General formula (3).

산촉매로서는 예를 들면 개미산, 염산, 질산, 황산, 아세트산, 트리플루오로아세트산중 적어도 1종이 사용될 수 있고, 염기촉매로서는 예를 들면 수산화나트륨 및 수산화칼륨 등의 알칼리금속화합물; 테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 테트라알킬암모늄 실라놀레이트, 테트라알킬포스퓸 하이드록사이드 및 테트라알킬포스퓸 실라놀레이트 등의 제4급 암모늄화합물; 암모니아 및 유기아민 등의 아민류 중 적어도 1종이 사용될 수 있다. As the acid catalyst, for example, at least one of formic acid, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid and trifluoroacetic acid can be used. Examples of the base catalyst include alkali metal compounds such as sodium hydroxide and potassium hydroxide; Quaternary ammonium compounds such as tetraalkylammonium hydroxide, tetraalkylammonium silanolate, tetraalkylphosphium hydroxide and tetraalkylphosphium silanolate; At least one of amines such as ammonia and organic amines can be used.

이러한 가수분해 중합 반응에서 가수분해 반응과 축합반응이 동시에 진행된다. 산촉매하에서는 가수분해반응이 우세하게 진행되어 비교적 저분자량의 실록산 화합물이 획득되어지며, 염기촉매하에서는 실라놀레이트(SiO-)가 친핵체로 작용해 축합반응을 촉진시켜 비교적 큰 분자량의 실록산 화합물이 얻어진다. In this hydrolysis polymerization reaction, the hydrolysis reaction and the condensation reaction proceed simultaneously. Acid catalyst under becomes the relatively siloxane compound of a low molecular weight obtained proceeds to the hydrolysis reaction predominantly, a base catalyst under silanolate (SiO -) is to to act as a nucleophile to promote the condensation reaction are obtained siloxane compounds of relatively high molecular weight .

바람직하게는 산촉매가 사용되며, 산촉매를 사용할 경우 분자량이 비교적 작고, 저장 안정성이 보다 우수한 코팅용액을 제조할 수 있다. Preferably, an acid catalyst is used, and when the acid catalyst is used, a coating solution having a relatively low molecular weight and superior storage stability may be prepared.

산촉매하에서 상기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3을 물과 반응시킬 경우, 각각의 알콕시실란들은 동시에 가수분해되고 중합되어 비교적 작은 1,000 내지 5,000의 분자량을 갖는 3차원 구조의 실록산 화합물을 얻을 수 있다. When the above Chemical Formulas 1, 2 and 3 are reacted with water under an acid catalyst, each alkoxysilane can be hydrolyzed and polymerized at the same time to obtain a three-dimensional siloxane compound having a relatively small molecular weight of 1,000 to 5,000.

상기 실록산 화합물의 가수분해 중합 과정에서, 화학식 1로 표시되는 실란 화합물의 사용량은 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 1몰을 기준으로 약 0.2몰 내지 약 3몰일 수 있다. 라디칼 반응에 의한 도막의 가교밀도를 높이기 위해서 0.2몰 이상이 사용 되어야 하며, 3몰 이상 사용시 과다한 개시제의 사용으로 인한 변색을 야기할 수 있다. In the hydrolysis polymerization process of the siloxane compound, the amount of the silane compound represented by Formula 1 may be about 0.2 mol to about 3 mol based on 1 mol of the silane compound represented by Formula 2. In order to increase the crosslinking density of the coating film due to the radical reaction, 0.2 mol or more should be used, and when used more than 3 mol, it may cause discoloration due to the use of excessive initiator.

상기 실록산 화합물의 가수분해 중합 과정에서, 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물의 사용량은 화학식 2로 표시되는 실란 화합물의 1몰을 기준으로 약 0.2몰 내지 약 3몰일 수 있다. 0.2몰보다 적게 사용할 경우 경도 및 열안정성이 감소하고, 5몰 이상 사용할 경우 도막에 크랙이 발생할 수 있다.
In the hydrolysis polymerization process of the siloxane compound, the amount of the silane compound represented by Formula 3 may be about 0.2 mol to about 3 mol based on 1 mol of the silane compound represented by Formula 2. The use of less than 0.2 moles reduces the hardness and thermal stability, and the use of more than 5 moles may cause cracks in the coating.

상기 실록산 화합물의 가수분해 중합 과정에 사용되는 수계 반응매질은 물을 포함할 수 있다. 물의 사용량은, 예를 들면, 사용된 화학식 1의 실란 화합물의 몰수를 a, 사용된 화학식 2의 실란 화합물의 몰수를 b, 사용된 화학식 3의 실란 화합물의 몰수를 c라 할 때, (3a+3b+4c)몰의 약 0.5 배 내지 약 3 배일 수 있다.The aqueous reaction medium used in the hydrolysis polymerization process of the siloxane compound may include water. The amount of water used is, for example, when the number of moles of the silane compound of Formula 1 used is a, the number of moles of the silane compound of Formula 2 used is b, and the number of moles of the silane compound of Formula 3 used is c, (3a + 3b + 4c) mole may be from about 0.5 times to about 3 times.

상기 실록산 화합물의 가수분해 중합과정에 사용되는 수계 반응매질은 제1 유기용매를 더 포함할 수 있다. 상기 제1유기용매는 예를 들면 n-펜탄, iso-펜탄, 헥산, 시클로헥산 및 클로로포름 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, iso-프로판올, n-부탄올, iso-부탄올, sec-부탄올 및 t-부탄올 등의 알코올계 용매; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 및 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, iso-프로필에테르, iso-프로필에테르, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르 및 에틸렌글리콜에틸에테르 등의 에테르계 용매; 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매를 포함할 수 있다.The aqueous reaction medium used in the hydrolysis polymerization process of the siloxane compound may further include a first organic solvent. The first organic solvent may be, for example, an aliphatic hydrocarbon solvent such as n-pentane, iso-pentane, hexane, cyclohexane and chloroform; Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol and t-butanol; Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and acetylacetone; Tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, ethyl ether, n-propyl ether, iso-propyl ether, iso-propyl ether, bis (2-methoxyethyl) ether, ethylene glycol methyl ether and ethylene glycol ethyl ether Ether solvents; Ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, ethylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol methyl ether acetate.

상기 제1유기용매로서는 바람직하게는 가수분해 및 축합반응 결과로 생성되는 실록산과 부산물인 알코올을 동시에 용해시켜 균질한 용액을 얻을 수 있는 케톤계 용매 또는 에테르계 용매가 사용될 수 있다. 제1유기용매의 사용량은 예를 들면 화학식 1의 실란 화합물, 화학식 2의 실란 화합물 및 화학식 3의 실란 화합물의 총중량 100 중량부를 기준으로 약 50 내지 약 500 중량부일 수 있다.
As the first organic solvent, preferably, a ketone solvent or an ether solvent may be used, which may simultaneously dissolve the siloxane produced by the hydrolysis and condensation reaction and alcohol as a by-product, thereby obtaining a homogeneous solution. The amount of the first organic solvent may be, for example, about 50 to about 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the silane compound of Formula 1, the silane compound of Formula 2, and the silane compound of Formula 3.

상기 실록산 화합물의 분자량은 겔투과크로마토그래피로 측정된 폴리스티렌 환산 중량평균분자량으로 약 1,000 내지 약 20,000일 수 있다. 상기 실록산 화합물의 분자량이 1,000 미만이면 열경화시 원료의 손실 및 경화수축에 의한 크렉을 발생시킬 수 있고, 상기 실록산 화합물의 분자량이 20,000을 초과하면 겔이 발생할 우려가 있어 스핀코팅에 의한 박막형성시 표면에 고분자응집과 같은 결함을 보일 수 있다.
The molecular weight of the siloxane compound may be about 1,000 to about 20,000 in terms of weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography. When the molecular weight of the siloxane compound is less than 1,000, cracking may occur due to loss of raw materials and curing shrinkage during thermosetting, and when the molecular weight of the siloxane compound exceeds 20,000, gel may be generated. The surface may show defects such as polymer aggregation.

본 발명의 다른 측면에 따른 절연층 형성용 가교성 조성물은 a) 상기 실록산 화합물; b) 라디칼 개시제; 및 c) 용매;를 포함한다.
Crosslinkable composition for forming an insulating layer according to another aspect of the present invention is a) the siloxane compound; b) radical initiators; And c) a solvent.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물에 있어서, 상기 실록산 화합물의 적어도 일부의 Si 원자에는 화학식 1의 실란 화합물로부터 유래된 R1(비닐기)이 결합되어 있다. 이러한 비닐기는 라디칼 개시제에 의한 가교반응을 위한 반응 사이트의 역할을 하게 된다. 특히, 라디칼 개시제에 의한 가교반응뿐만 아니라 반응 중 생성된 수소원자(히드록시기)들의 축합반응에 의한 가교반응이 함께 수행되어 고밀도의 가교가 형성된다. 상기 실록산 화합물 간의 가교반응은 예를 들면 약 200℃ 내지 약 300℃의 온도에서 효과적으로 수행될 수 있다.
In the crosslinkable composition for forming the insulating layer, R 1 (vinyl group) derived from the silane compound of formula (1) is bonded to at least part of Si atoms of the siloxane compound. These vinyl groups serve as reaction sites for crosslinking reactions by radical initiators. In particular, the crosslinking reaction by the condensation reaction of the hydrogen atoms (hydroxy groups) generated during the reaction as well as the crosslinking reaction by the radical initiator is performed together to form a high-density crosslinking. The crosslinking reaction between the siloxane compounds can be effectively carried out, for example, at a temperature of about 200 ° C to about 300 ° C.

상기 라디칼 개시제는 가교제의 도움 없이도 상기 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 실록산 화합물 간에 가교를 형성시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 형성용 가교성 조성물에서 상기 라디칼 개시제는 상기 실록산 화합물과 서로 접촉하는 상태로 상온에 보관될 수 있다. 라디칼 개시제는 200 내지 300℃의 고온에서 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 실록산 화합물 간에 가교를 형성시켜 주므로 상온에서는 라디칼 개시제가 포함된 상태로 절연층 형성용 가교성 조성물이 존재할 수 있다.The radical initiator may form crosslinks between the siloxane compounds in the crosslinkable composition for forming an insulating layer without the help of a crosslinking agent. In the insulating layer-forming crosslinkable composition, the radical initiator may be stored at room temperature in contact with the siloxane compound. Since the radical initiator forms crosslinks between the siloxane compounds in the crosslinkable composition for forming an insulating layer at a high temperature of 200 to 300 ° C., the crosslinkable composition for forming an insulating layer may be present at room temperature in a state where a radical initiator is included.

상기 라디칼 개시제는 벤조일 퍼옥사이드, 아세틸 퍼옥사이드, 라우일 퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 과산화수소, 아조비스이소부티로니트릴(ABIN) 및 1,1'-아조비스(사이클로헥산카보니트릴)(ABCN) 중 적어도 1종을 포함할 수 있다. 라디칼 개시제로는 예를 들면 t-부틸 퍼옥사이드를 사용할 수 있다. The radical initiators are benzoyl peroxide, acetyl peroxide, lauyl peroxide, t-butyl peroxide, cumene hydroperoxide, hydrogen peroxide, azobisisobutyronitrile (ABIN) and 1,1'-azobis (cyclohexane Carbonitrile) (ABCN). As a radical initiator, t-butyl peroxide can be used, for example.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물에서 라디칼 개시제에 의해 가교가 일어나는데, 실록산 화합물의 비닐기들이 고온에서 라디칼 개시제에 의해 가교를 형성하며 Si원자에 결합된 수소원자에 의하여 제공되는 반응 사이트도 가교 형성에 참여한다. In the insulating layer forming crosslinkable composition, crosslinking occurs by a radical initiator, and vinyl groups of the siloxane compound form a crosslink by a radical initiator at a high temperature, and a reaction site provided by a hydrogen atom bonded to an Si atom is also used for crosslinking formation. Take part.

예를 들면, 200℃ 내지 300℃의 고온에서 라디칼 개시제에 의해 실록산 화합물의 비닐기들이 가교를 형성함과 동시에 Si원자에 결합된 수소원자들도 가교 형성에 참여하기 때문에, 메틸기나 페닐기가 가교 형성에 참여한 경우보다 절연층의 열적 안정성과 경도가 우수해진다.
For example, at a high temperature of 200 ° C to 300 ° C, the vinyl group of the siloxane compound forms a crosslink by the radical initiator, and at the same time, hydrogen atoms bonded to the Si atom also participate in the crosslinking formation. The thermal stability and hardness of the insulating layer is better than the case of participating in the.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 상기 라디칼 개시제의 함량은 예를 들면 상기 실록산 화합물 100 중량부를 기준으로 약 0.1 내지 약 10 중량부일 수 있다. 개시제의 함량이 0.1 중량부 미만일 경우 경화가 지연되며, 10 중량부를 초과하는 경우 변색 및 아웃가스(outgas)에 영향을 줄 수 있다.
The content of the radical initiator in the crosslinkable composition for forming the insulating layer may be, for example, about 0.1 to about 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the siloxane compound. If the content of the initiator is less than 0.1 parts by weight, curing is delayed, and if it exceeds 10 parts by weight, discoloration and outgas may be affected.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물에 있어서, 상기 용매는 상기 실록산 화합물 및 상기 라디칼 개시제를 용해시키거나 분산시킬 수 있는 액체이다. 상기 용매는 상기 조성물을 도포할 때, 상기 실록산 화합물 및 상기 촉매를 운반하기 위한 캐리어 역할을 할 수 있다.
In the crosslinkable composition for forming the insulating layer, the solvent is a liquid capable of dissolving or dispersing the siloxane compound and the radical initiator. The solvent may serve as a carrier for transporting the siloxane compound and the catalyst when applying the composition.

상기 용매는 예를 들면, 물, 유기용매, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 유기용매는 예를 들면 n-펜탄, iso-펜탄, 헥산, 시클로헥산 및 클로로포름 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, iso-프로판올, n-부탄올, iso-부탄올, sec-부탄올 및 t-부탄올 등의 알코올계 용매; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 및 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, iso-프로필에테르, iso-프로필에테르, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르 및 에틸렌글리콜에틸에테르 등의 에테르계 용매; 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매를 포함할 수 있다.The solvent may include, for example, water, an organic solvent, or a combination thereof. The organic solvent is, for example, aliphatic hydrocarbon solvents such as n-pentane, iso-pentane, hexane, cyclohexane and chloroform; Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol and t-butanol; Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and acetylacetone; Tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, ethyl ether, n-propyl ether, iso-propyl ether, iso-propyl ether, bis (2-methoxyethyl) ether, ethylene glycol methyl ether and ethylene glycol ethyl ether Ether solvents; Ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, ethylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol methyl ether acetate.

바람직하게는 균질한 가교성 조성물을 얻을 수 있고 실리콘 웨이퍼나 유리 등과 같은 기재와의 젖음성(wetability)을 고려해서 케톤계 용매 또는 에테르계 용매가 사용될 수 있다.
Preferably, a homogeneous crosslinkable composition can be obtained and a ketone solvent or an ether solvent can be used in consideration of wettability with a substrate such as a silicon wafer or glass.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물 중에서 상기 용매의 함량은, 예를 들면, 상기 실록산 화합물 100 중량부를 기준으로 하여, 약 50 내지 약 500 중량부일 수 있다. 유기용매는 알콕시실란의 가수분해 중합과정에서 생성된 실록산 화합물의 함량조절 및 균질한 상태의 용액을 획득하기 위해 사용되며, 배합 후 스핀코팅시 원하는 코팅두께를 얻기 위해서 유기용매의 양을 적당히 조절할 수 있다.
The content of the solvent in the crosslinkable composition for forming an insulation layer may be, for example, about 50 to about 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the siloxane compound. The organic solvent is used to obtain a homogeneous solution and control of the content of the siloxane compound produced during the hydrolysis polymerization of the alkoxysilane, and the amount of the organic solvent can be appropriately adjusted to obtain the desired coating thickness during spin coating after compounding. have.

상기 절연층 형성용 가교성 조성물은 절연층과 기재와의 접착성 향상을 위한 접착력 증진제, 절연층 형성용 가교성 조성물의 표면장력 저감을 위한 계면활성제, 또는 이들의 조합과 같은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 접착력 증진제는 예를 들면 글리시도시프로필트리메톡시실란, 글리시도시프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐에톡시실란 중 적어도 1종을 포함할 수 있다. 계면활성제는 예를 들면 폴리에테르변성 폴리디메틸실록산 계통인 BYK306("BYK-chemie"사 제품), BYK307("BYK-chemie"사 제품), BYK333("BYK-chemie"사 제품), BYK337("BYK-chemie"사 제품) 및 BYK341("BYK-chemie"사 제품) 중 적어도 1종을 포함할 수 있다.
The crosslinkable composition for forming an insulating layer may further include an additive such as an adhesion promoter for improving adhesion between the insulating layer and the substrate, a surfactant for reducing the surface tension of the crosslinkable composition for forming the insulating layer, or a combination thereof. Can be. The adhesion promoter is, for example, at least one of glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, aminopropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane and vinylethoxysilane. It may include one kind. Surfactants include, for example, BYK306 (manufactured by "BYK-chemie"), BYK307 (manufactured by "BYK-chemie"), BYK333 (manufactured by "BYK-chemie"), BYK337 ("polyether modified polydimethylsiloxane"). And BYK341 (manufactured by "BYK-chemie" company).

본 발명의 다른 측면에 따른 절연층 형성 방법은 기재 상에 상기 절연층 형성용 가교성 조성물을 도포하는 단계; 및 상기 도포된 절연층 형성용 가교성 조성물을 경화시키는 단계를 포함한다.
Insulating layer forming method according to another aspect of the present invention comprises the steps of applying a crosslinkable composition for forming the insulating layer on a substrate; And curing the applied crosslinkable composition for forming an insulating layer.

상기 기재는 그 표면 위에 회로 패턴이 형성되어 있거나 또는 형성되어 있지 않은 임의의 기재일 수 있다.
The substrate may be any substrate with or without a circuit pattern formed on its surface.

도포 단계는 예를 들면 스핀코팅(spin coating), 슬릿코팅(slit coating), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 그라비어 프린팅(gravure printing), 그라비어 오프셋 프린팅(gravure off-set printing), 스크린 프린팅(screen printing) 및 롤투롤 프린팅(roll-to-roll printing) 중 적어도 1종을 사용하여 수행될 수 있다.
Application steps include, for example, spin coating, slit coating, ink-jet printing, gravure printing, gravure offset printing and screen printing (gravure off-set printing). and at least one of screen printing and roll-to-roll printing.

경화 단계에서 상기 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 용매가 제거된다. 또한, 경화 단계에서 상기 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 실록산 화합물 간의 가교 반응이 진행된다. 가교 반응은 예를 들면 라디칼 반응에 기초할 수 있다.
In the curing step, the solvent in the crosslinkable composition for forming the insulating layer is removed. In addition, in the curing step, a crosslinking reaction between the siloxane compounds in the crosslinkable composition for forming an insulating layer proceeds. The crosslinking reaction can for example be based on radical reactions.

상기 경화 단계는 상기 실록산 화합물의 비닐기에 의하여 제공되는 반응 사이트의 존재 및 미반응 히드록시기의 존재로 인하여 경화단계의 온도는 약 200 내지 약 300 ℃일 수 있다. 예를 들면, 230 ℃ 온도에서 경화가 효과적으로 수행될 수 있다.
The curing step may be a temperature of about 200 to about 300 ℃ due to the presence of the reaction site provided by the vinyl group of the siloxane compound and the presence of unreacted hydroxy groups. For example, curing can be performed effectively at a temperature of 230 ° C.

본 발명의 다른 측면에 따른 절연층은 상기 설명한 절연층 형성 방법에 의해 형성될 수 있다. The insulating layer according to another aspect of the present invention may be formed by the above-described insulating layer forming method.

상기 절연층은 고밀도의 가교를 형성할 수 있는 실록산 화합물을 포함하는 가교성 조성물을 경화시켜 형성된 것으로서 향상된 내열성 및 경도를 가진다.
The insulating layer is formed by curing a crosslinkable composition comprising a siloxane compound capable of forming a high density crosslink, and has improved heat resistance and hardness.

<실시예><Examples>

합성예Synthetic example 1 ---  One --- 실록산Siloxane 화합물의 제조 Preparation of compounds

온도계와 환류냉각기가 장착된 250㎖ 용량의 3구 플라스크에 비닐트리메톡시실란 22.2g(0.15몰), 트리메톡시실란 18.3g(0.15몰), 테트라에톡시실란 31.1g (0.15몰) 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 71g을 투입하였다. 교반자석(magnetic stirring bar)으로 격렬하게 교반하면서, 이 반응 혼합물을 서서히 60℃로 가열하였다. 이 온도에서 1N 농도의 개미산 1.5g과 증류수 25.5g을 혼합한 용액을 상기 플라스크에 30분 동안 서서히 적가하였다. 그 결과, 상기 플라스크 내의 반응 혼합물에서 발열반응이 일어났다. 상기 반응 혼합물은 초기에는 백색의 탁한 용액이었지만, 교반을 지속한 결과, 무색 투명한 용액이 되었다. 1시간 동안 추가로 반응시킨 후, 상기 반응 혼합물을 냉장고에 보관하였다. 겔투과크로마토그라피(Gel Permeation Chromatography)를 이용하여 측정한 실록산 화합물의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량평균분자량으로 약 1,800이었다. In a 250 ml three-necked flask equipped with a thermometer and reflux cooler, 22.2 g (0.15 mole) of vinyltrimethoxysilane, 18.3 g (0.15 mole) of trimethoxysilane, 31.1 g (0.15 mole) of tetraethoxysilane and propylene 71 g of glycol methyl ether acetate were added. The reaction mixture was slowly heated to 60 ° C. with vigorous stirring with a magnetic stirring bar. At this temperature, a solution of 1.5 g of formic acid at a concentration of 1 N and 25.5 g of distilled water was slowly added dropwise to the flask for 30 minutes. As a result, an exothermic reaction occurred in the reaction mixture in the flask. The reaction mixture was initially a white cloudy solution, but stirring continued to give a colorless clear solution. After further reaction for 1 hour, the reaction mixture was stored in a refrigerator. The molecular weight of the siloxane compound measured by gel permeation chromatography (Gel Permeation Chromatography) was about 1,800 by weight average molecular weight in terms of polystyrene.

시료의 분자량은 워터즈(Waters)사의 겔투과크로마토그라피 2414(Refractive Index Detector)를 사용하여 획득하였다. 테트라하이드로퓨란을 이동상으로 하여 5종류의 분자량(분자량: 1200, 2940, 6180, 16500, 55100)을 갖는 폴리스티렌을 표준물질로 검정곡선을 작성한 후, 시료를 1 ㎖/min의 속도로 흘려주면서 체류시간에 따른 검출세기로부터 시료의 중량평균분자량, 수평균분자량 및 농도를 계산하였다.
The molecular weight of the sample was obtained using Gel Permeation Chromatography 2414 (Refractive Index Detector) from Waters. Using a tetrahydrofuran as a mobile phase, a calibration curve was prepared using polystyrene having five molecular weights (molecular weight: 1200, 2940, 6180, 16500, 55100) as a standard material, and the sample was flowed at a rate of 1 ml / min while the residence time The weight average molecular weight, number average molecular weight and concentration of the sample were calculated from the detection intensity according to the method.

실시예Example 1 --- 조성물의 제조 1 --- preparation of the composition

합성예 1에서 얻은 실록산 화합물 함유 반응 혼합물 10g, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 5g, 글리시도시프로필트리메톡시실란 0.1g, 계면활성제 BYK 307("BYK-chemie"사 제품, 폴리에테르변성 폴리디메틸실록산) 0.1g 및 디-t-부틸 퍼옥사이드 0.1g을 혼합한 후, 평균 기공 크기 0.1㎛의 PTFE(polytetrafluoroethylene) 필터로 여과하여 절연층 형성용 가교성 조성물을 제조하였다.
10 g of the siloxane compound-containing reaction mixture obtained in Synthesis Example 1, 5 g of propylene glycol methyl ether, 0.1 g glycidoxypropyltrimethoxysilane, surfactant BYK 307 (manufactured by "BYK-chemie", polyether modified polydimethylsiloxane) 0.1 g and 0.1 g of di-t-butyl peroxide were mixed and then filtered through a PTFE (polytetrafluoroethylene) filter having an average pore size of 0.1 μm to prepare a crosslinkable composition for forming an insulation layer.

실시예Example 2 ---  2 --- 절연층의Insulation layer 형성 formation

실시예 1에서 얻은 절연층 형성용 가교성 조성물을 유리 기판 위에 떨어뜨린 후, 500rpm에서 5초 동안, 2000rpm에서 25초 동안 스핀코팅하였다. 도포된 조성물을 핫플레이트(hot plate)를 이용하여 120℃에서 3분 동안 열처리하여 용매를 제거하였다. 그 다음, 도포된 조성물을 핫플레이트를 이용하여 공기 중에서 230℃에서 30분 동안 가열하여 경화시켰다. 이렇게 형성된 절연층의 두께는 4700Å이었다.
The crosslinkable composition for insulating layer formation obtained in Example 1 was dropped on a glass substrate, and then spin-coated for 5 seconds at 500 rpm and 25 seconds at 2000 rpm. The applied composition was heat treated at 120 ° C. for 3 minutes using a hot plate to remove the solvent. The applied composition was then cured by heating in air at 230 ° C. for 30 minutes using a hotplate. The insulating layer thus formed was 4700 mm thick.

비교예Comparative example 1 One

온도계와 환류냉각기가 장착된 250㎖ 용량의 3구 플라스크에 비닐트리메톡시실란 14.8g, 메틸트리메톡시실란 13.6g, 테트라에톡시실란 20.8g, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 51.3g을 투입하였다. 교반자석을 이용해 격렬하게 교반하면서 이 반응 혼합물을 60 ℃로 가열하여 환류되도록 하였다. 그 다음, 1N 농도의 질산 1g과 증류수 17g을 혼합한 용액을 상기 플라스크에 설치된 적가 깔때기를 이용하여 상기 반응 혼합물에 30분 동안 서서히 적가하였다. 추가로 3시간 반응시킨 후 반응 혼합물을 상온으로 냉각시켜 냉장 보관하였다. Into a 250 ml three-necked flask equipped with a thermometer and a reflux condenser, 14.8 g of vinyltrimethoxysilane, 13.6 g of methyltrimethoxysilane, 20.8 g of tetraethoxysilane, and 51.3 g of propylene glycol methyl ether acetate were added. The reaction mixture was heated to 60 ° C. to reflux with vigorous stirring using a stirring magnet. Then, a solution containing 1 g of 1N nitric acid and 17 g of distilled water was slowly added dropwise to the reaction mixture for 30 minutes using a dropping funnel installed in the flask. After further reacting for 3 hours, the reaction mixture was cooled to room temperature and refrigerated.

이렇게 얻은 반응 혼합물 10g, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 5g, 글리시도시프로필트리메톡시실란 0.1g, 계면활성제 BYK 307 0.1g 및 t-부틸 퍼옥사이드 0.1g을 혼합한 후, 평균 기공 크기 0.1㎛의 PTFE 필터로 여과하여 절연층 형성용 가교성 조성물을 제조하였다.10 g of the reaction mixture thus obtained, 5 g of propylene glycol methyl ether, 0.1 g of glycidoxypropyltrimethoxysilane, 0.1 g of surfactant BYK 307 and 0.1 g of t-butyl peroxide were mixed, followed by a PTFE filter having an average pore size of 0.1 μm. It filtered through to prepare a crosslinkable composition for forming an insulating layer.

이렇게 얻은 절연층 형성용 가교성 조성물을 유리 기판 위에 떨어뜨려 스핀코팅한 후, 핫플레이트를 이용해 120℃로 가열하여 용매를 제거하고, 계속해서 공기 중에서 230℃에서 30 분 동안 열경화시켜 절연층을 형성하였다.
The crosslinkable composition for insulating layer formation thus obtained was dropped on a glass substrate, spin-coated, heated to 120 ° C. using a hot plate to remove the solvent, and then thermally cured at 230 ° C. for 30 minutes in air to form an insulating layer. Formed.

비교예Comparative example 2 2

온도계와 환류냉각기가 장착된 500㎖ 용량의 3구 플라스크에, 비닐트리메톡시실란 32.6g, 페닐트리메톡시실란 43.6g, 테트라에톡시실란 45.8g 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 153.8g을 투입하였다. 교반자석을 이용해 격렬하게 교반하면서 이 반응 혼합물을 60 ℃로 가열하여 환류되도록 하였다. 그 다음, 1N 농도의 질산 2.2g과 증류수 37.4g을 혼합한 용액을 상기 플라스크에 설치된 적가 깔때기를 이용하여 상기 반응 혼합물에 30분 동안 서서히 적가하였다. 추가로 3시간 반응시킨 후 상온으로 냉각시켜 냉장고에 보관하였다. Into a 500 ml three-necked flask equipped with a thermometer and a reflux condenser, 32.6 g of vinyltrimethoxysilane, 43.6 g of phenyltrimethoxysilane, 45.8 g of tetraethoxysilane, and 153.8 g of propylene glycol methyl ether acetate were charged. The reaction mixture was heated to reflux while stirring vigorously with a stirring magnet. Then, a solution containing 2.2 g of 1N nitric acid and 37.4 g of distilled water was slowly added dropwise to the reaction mixture for 30 minutes using a dropping funnel installed in the flask. After further reacting for 3 hours, the mixture was cooled to room temperature and stored in a refrigerator.

이렇게 얻은 실록산 화합물 함유 반응 혼합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법을 사용하여 절연층 형성용 가교성 조성물 및 절연층을 형성하였다.
The crosslinkable composition for insulating layer formation and the insulating layer were formed using the same method as the comparative example 1 except having used the siloxane compound containing reaction mixture obtained in this way.

<평가 결과><Evaluation result>

실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2에 따라 형성된 절연층에 대하여, 굴절률, 유전상수, VBD(breakdown voltage), JLC(leakage currnet), TGA(thermo-gravimetric analysis) 및 표면경도(hardness)를 측정하여, 그 결과를 표 1에 요약하였다.For the insulating layers formed according to Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the refractive index, the dielectric constant, V BD (breakdown voltage), Leakage currnet (J LC ), thermo-gravimetric analysis (TGA) and surface hardness were measured and the results are summarized in Table 1.

굴절률은 상기 형성된 절연층을 K-MAC사의 ST4000-DLX 굴절계를 이용하여 632.8 nm 파장에서 측정하였다. The refractive index was measured at 632.8 nm wavelength using the ST4000-DLX refractometer manufactured by K-MAC.

유전상수를 구하기 위해 C-V 전기 특성 평가를 실시하였다. 이를 위해 각각의 절연막 위에 Au를 열증착하여 MIS(Metal Insulator Semiconductor) 구조를 갖는 시편을 제작하였다. 상기 시편에 대해 프로브와 Agilent사의 B1500A 반도체 특성 분석기를 사용하여 C-V 그래프를 얻었다. 주파수를 1 MHz로 고정하고 -10 V에서 10 V까지 왕복하는 바이어스 전압을 가해서 얻어진 전기용량 측정값(Ci), 절연막의 두께(d), 상부 전극의 면적(A)을 구하고, 진공 유전율(ε0 = 8.85 x 10-12 F/m)을 아래 식에 대입하여 유전상수를 구할 수 있었다.)CV electrical properties were evaluated to determine the dielectric constant. To this end, Au was thermally deposited on each insulating film to prepare a specimen having a metal insulator semiconductor (MIS) structure. CV plots were obtained for the specimens using probes and Agilent's B1500A semiconductor characteristic analyzer. The capacitance measurement value (C i ), the thickness (d) of the insulating film, and the area (A) of the upper electrode obtained by fixing the frequency at 1 MHz and applying a bias voltage reciprocating from -10 V to 10 V are obtained. ε 0 = 8.85 x 10 -12 F / m) can be substituted into the following equation to obtain the dielectric constant.)

Figure pat00003

Figure pat00003

파괴내압 (VBD) 및 누설전류 (JLC)를 측정하기 위해 I-V 전기 특성 평가를 실시하였고 위 C-V 전기 특성 평가와 동일한 방법으로 형성된 절연막 위에 Au를 열증착하여 MIS(Metal Insulator Semiconductor) 구조를 갖는 시편을 제작하였다. 상기 시편에 대해 프로브와 Agilent사의 B1500A 반도체 특성 분석기를 사용하여 I-V 그래프를 얻었다. 0 V에서 100 V까지 0.5 V씩 서서히 전압을 인가하여 얻어진 전류량(A)을 상부 전극의 면적으로 나눈 전류밀도(A/cm2)와 전압을 절연막의 두께(d)로 나눈 내압 (MV/cm)으로 각각 환산하였다. 전류밀도가 1 μA/cm2에 도달할 때의 내압을 파괴내압 VBD로, 내압이 1 MV/cm 일때의 전류밀도를 누설전류 JLC로 정의하였다.IV electrical characteristics were evaluated to measure breakdown voltage (V BD ) and leakage current (J LC ), and Au was thermally deposited on the insulating film formed by the same method as CV electrical characteristics to have MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure. Specimen was produced. An IV graph was obtained on the specimen using a probe and Agilent's B1500A semiconductor characterization analyzer. Current density (A / cm 2 ) obtained by gradually applying a voltage from 0 V to 100 V in 0.5 V increments, divided by the area of the upper electrode, and withstand voltage (MV / cm) divided by the voltage (d) of the insulating film. ), Respectively. The breakdown voltage when the current density reached 1 µA / cm 2 was defined as breakdown voltage V BD , and the current density when the breakdown voltage was 1 MV / cm was defined as the leakage current J LC .

TGA(TA Instrument사, Q500)를 이용하여 질소분위기 하에 상온에서 600℃까지 10℃/min의 승온속도로 질량비 95 wt%가 되는 열분해 온도를 측정하였다.TGA (TA Instrument, Inc., Q500) was used to measure the thermal decomposition temperature of 95 wt% at a temperature of 10 ° C./min from room temperature to 600 ° C. under a nitrogen atmosphere.

표면경도는 MTS사의 Nanoindenter XP를 사용하여 CSM (continous stiffness measurement)모드에서 다음과 같은 작업변수로 압입실험을 수행하여 획득하였다.Surface hardness was obtained by indentation experiments with the following working variables in CSM (continous stiffness measurement) mode using Nanoindenter XP of MTS.

변형률 속도(strain rate) 0.05 1/s, 변형진폭(harmonic displacement) 2 nm, 진동수(frequency) 45 Hz, 최대압입 깊이 500 nm. Strain rate 0.05 1 / s, harmonic displacement 2 nm, frequency 45 Hz, maximum indentation depth 500 nm.

시료의 표면경도는 압입하중을 접촉투영면적(contact area)으로 나눈 것으로, 본 실험의 표면경도는 50-60 nm 압입깊이에서의 평균값이다.
The surface hardness of the sample is obtained by dividing the indentation load by the contact area, and the surface hardness of this experiment is the average value at 50-60 nm indentation depth.

구분division 굴절률Refractive index 유전상수Dielectric constant VBD (MV/cm)
[@1㎂/㎠]
V BD (MV / cm)
[@ 1㎂ / ㎠]
JLC (A/cm2)
[@1MV/㎝]
J LC (A / cm 2 )
[@ 1MV / cm]
TGA
(℃)
TGA
(℃)
표면경도
(㎬)
Surface hardness
(㎬)
실시예 2Example 2 1.441.44 5.365.36 0.460.46 6.63×10-6 6.63 × 10 -6 450450 1.031.03 비교예 1Comparative Example 1 1.441.44 4.724.72 1.051.05 7.84×10-7 7.84 × 10 -7 357357 0.390.39 비교예 2Comparative Example 2 1.521.52 4.654.65 1.061.06 1.15×10-7 1.15 × 10 -7 362362 0.180.18

표 1을 참조하면, 도막의 굴절률은 페닐기를 함유할수록 증가하며, 메틸기와 하이드로기의 차이는 미미한 것으로 나타났다. 또한, 실시예 2의 절연층의 유전상수, VBD 및 JLC 값에 비추어 볼 때, 실시예 2의 절연층은 전자 소자의 절연층 또는 피복층으로 사용되기에 매우 우수한 전기 절연성을 보임을 알 수 있다.
Referring to Table 1, the refractive index of the coating film increases as it contains a phenyl group, and the difference between the methyl group and the hydro group was found to be insignificant. In addition, in view of the dielectric constants, V BD and J LC values of the insulating layer of Example 2, it can be seen that the insulating layer of Example 2 exhibits very good electrical insulation property to be used as an insulating layer or a coating layer of an electronic device. have.

특히 주목할 점은, 실시예 2의 TGA 값이 450℃으로서, 이는 고온에서 열경화된 비교예 1 및 2의 절연층의 TGA 값인 357℃ 및 362℃에 비하여 현저히 증가된 값이었다. 또한, 실시예 2의 표면경도는 1.03으로서, 이는 같은 온도에서 열경화된 비교예 1 및 2의 절연층의 표면경도 0.39 GPa 및 0.18 GPa에 비하여 월등히 증가된 값임을 알 수 있다. 따라서, 실시예 2의 TGA 및 표면경도에 비추어 볼 때, 실시예 2의 절연층은 비교예 1 및 2에 비해 매우 효과적으로 가교되었음을 알 수 있다.
Of particular note, the TGA value of Example 2 was 450 ° C., which was significantly increased compared to the TGA values of 357 ° C. and 362 ° C. of the insulating layers of Comparative Examples 1 and 2 thermoset at high temperatures. In addition, the surface hardness of Example 2 is 1.03, which indicates that the surface hardness of the insulating layers of Comparative Examples 1 and 2 thermoset at the same temperature is significantly increased compared to 0.39 GPa and 0.18 GPa. Therefore, in view of the TGA and the surface hardness of Example 2, it can be seen that the insulating layer of Example 2 was more effectively crosslinked than Comparative Examples 1 and 2.

비교예 1 및 2의 절연층의 형성에 사용된 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 실록산 화합물은 Si에 결합되어 있는 수소원자를 함유하는 화학식 2의 실란 화합물을 사용하지 않고 제조된 것이다. 이에 반하여, 실시예 2의 절연층의 형성에 사용된 절연층 형성용 가교성 조성물 중의 실록산 화합물은 Si에 결합되어 있는 수소원자를 함유하는 화학식 2의 실란 화합물을 사용하여 제조된 것이다.
The siloxane compound in the crosslinkable composition for forming an insulation layer used to form the insulation layers of Comparative Examples 1 and 2 is prepared without using the silane compound of formula (2) containing a hydrogen atom bonded to Si. In contrast, the siloxane compound in the crosslinkable composition for forming an insulation layer used in the formation of the insulation layer of Example 2 is prepared using a silane compound of formula (2) containing a hydrogen atom bonded to Si.

이러한 차이점으로 인해 실시예 2의 절연층은 실록산 화합물이 매우 효과적으로 가교됨으로써 월등히 향상된 내열성 및 경도를 보이게 된 것으로 추정된다.
Due to these differences, it is assumed that the insulating layer of Example 2 exhibited significantly improved heat resistance and hardness by crosslinking the siloxane compound very effectively.

본 발명은 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

Claims (14)

하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 가수분해 중합(hydrolytic polymerization)하여 얻은 실록산 화합물:
<화학식 1>
R1Si(X1)3
상기 화학식 1 중, R1은 비닐기이고, 3개의 X1은 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이며,
<화학식 2>
R2Si(X2)3
상기 화학식 2 중, R2는 수소이고, 3개의 X2는 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이며,
<화학식 3>
Si(X3)4
상기 화학식 3 중, 4개의 X3는 서로 독립적으로 할로겐 또는 C1~C5 알콕시기이다.
The siloxane compound obtained by hydrolytic polymerization of the silane compound represented by the following formula (1), the silane compound represented by the following formula (2) and the silane compound represented by the following formula (3):
&Lt; Formula 1 >
R 1 Si (X 1 ) 3
In Formula 1, R 1 is a vinyl group, three X 1 is independently halogen or C 1 ~ C 5 alkoxy group,
(2)
R 2 Si (X 2 ) 3
In Formula 2, R 2 is hydrogen, and three X 2 are each independently a halogen or a C 1 to C 5 alkoxy group,
(3)
Si (X 3 ) 4
In the formula 3, 4 X 3 is independently halogen or C 1 ~ C 5 alkoxy group each other.
제1항에 있어서,
하기 화학식 4로 표시되는 3차원 구조를 포함하는 실록산 화합물:
<화학식 4>
Figure pat00004

상기 화학식 4 중,
ℓ, m 및 n은 0.2 ℓ ≤ m ≤3 ℓ 및 0.2 ℓ ≤ n ≤3 ℓ 의 관계를 만족하고,
Y1, Y2, 및 Y3는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 -O-SiHk(Z)3-k (여기서, 3-k개의 Z는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 실록산 단위이고, k는 0 내지 3의 정수임)이며,
서로 독립적으로 C1~C5 알콕시기, C1~C5 히드록시기 또는 -O-SiHk(Z)3-k인 상기 Y1, Y2 및 Y3 중 2개는 서로 축합하여 -O-Si-O-를 형성할 수 있다.
The method of claim 1,
Siloxane compound comprising a three-dimensional structure represented by the following formula (4):
&Lt; Formula 4 >
Figure pat00004

In Formula 4,
l, m and n satisfy the relationship of 0.2 L ≤ m ≤ 3 L and 0.2 L ≤ n ≤ 3 L,
Y 1 , Y 2 , and Y 3 independently of one another are halogen, C 1 -C 5 alkoxy group, C 1 -C 5 hydroxy group or -O-SiH k (Z) 3-k (where 3-k Z are Independently of one another are halogen, a C 1 to C 5 alkoxy group, a C 1 to C 5 hydroxy group or a siloxane unit, k is an integer from 0 to 3),
Independently of one another, two of said Y 1 , Y 2 and Y 3 , which are a C 1 -C 5 alkoxy group, a C 1 -C 5 hydroxy group, or -O-SiH k (Z) 3-k , condense with each other to form -O-Si -O- can be formed.
제1항에 있어서,
상기 C1~C5 알콕시기는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기 및 iso-프로폭시기 중 적어도 1종을 포함하는 실록산 화합물.
The method of claim 1,
The C 1 -C 5 alkoxy group comprises at least one of a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group and iso-propoxy group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물이 수계 반응매질 상에서 산촉매의 존재하에 가수분해 중합되어 얻어진 실록산 화합물.
The method of claim 1,
A siloxane compound obtained by hydrolysis polymerization of the silane compound represented by Formula 1, the silane compound represented by Formula 2, and the silane compound represented by Formula 3 in the presence of an acid catalyst on an aqueous reaction medium.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 1몰을 기준으로 0.2 몰 내지 3 몰 사용하고, 상기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물 1몰을 기준으로 0.2몰 내지 3 몰을 사용하여 얻어진 실록산 화합물.
The method of claim 1,
0.2 mol to 3 mol of the silane compound represented by Chemical Formula 1 is used based on 1 mol of the silane compound represented by Chemical Formula 2, and 1 mol of the silane compound represented by Chemical Formula 2 is used as the silane compound represented by Chemical Formula 3. The siloxane compound obtained using 0.2 mol-3 mol as a reference.
제1항에 있어서,
상기 실록산 화합물의 분자량이 겔투과크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량으로 1,000 내지 20,000인 실록산 화합물.
The method of claim 1,
The siloxane compound whose molecular weight of the said siloxane compound is 1,000-20,000 in the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography.
a) 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 실록산 화합물;
b) 라디칼 개시제; 및
c) 용매;
를 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물.
a) a siloxane compound according to any one of claims 1 to 6;
b) radical initiators; And
c) solvents;
Crosslinkable composition for forming an insulating layer comprising a.
제7항에 있어서,
상기 라디칼 개시제는 벤조일 퍼옥사이드, 아세틸 퍼옥사이드, 라우일 퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 과산화수소, 아조비스이소부티로니트릴(ABIN) 및 1,1'-아조비스(사이클로헥산카보니트릴)(ABCN) 중 적어도 1종을 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물.
The method of claim 7, wherein
The radical initiators are benzoyl peroxide, acetyl peroxide, lauyl peroxide, t-butyl peroxide, cumene hydroperoxide, hydrogen peroxide, azobisisobutyronitrile (ABIN) and 1,1'-azobis (cyclohexane Carbonyl nitrile) (ABCN) comprising at least one cross-linkable composition for forming an insulating layer.
제7항에 있어서,
상기 용매는 n-펜탄, iso-펜탄, 헥산, 시클로헥산 및 클로로포름 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, iso-프로판올, n-부탄올, iso-부탄올, sec-부탄올 및 t-부탄올 등의 알코올계 용매; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 및 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, iso-프로필에테르, iso-프로필에테르, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르 및 프로필렌글리콜메틸에테르 등의 에테르계 용매; 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매 중 적어도 1종을 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물.
The method of claim 7, wherein
The solvent is an aliphatic hydrocarbon solvent such as n-pentane, iso-pentane, hexane, cyclohexane and chloroform; Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol and t-butanol; Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and acetylacetone; Tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, ethyl ether, n-propyl ether, iso-propyl ether, iso-propyl ether, bis (2-methoxyethyl) ether, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether and propylene Ether solvents such as glycol methyl ether; A crosslinkable composition for forming an insulation layer comprising at least one of ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, ethylene glycol methyl ether acetate, and propylene glycol methyl ether acetate.
제7항에 있어서,
상기 용매의 함량은 상기 실록산 화합물 100 중량부를 기준으로 50 내지 500 중량부인 절연층 형성용 가교성 조성물.
The method of claim 7, wherein
The content of the solvent is 50 to 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the siloxane compound crosslinkable composition for forming an insulating layer.
제7항에 있어서,
접착력 증진제 및 계면활성제 중 적어도 1종을 포함하는 첨가제를 더 포함하는 절연층 형성용 가교성 조성물.
The method of claim 7, wherein
A crosslinkable composition for forming an insulation layer further comprising an additive including at least one of an adhesion promoter and a surfactant.
기재 상에 제7항에 따른 절연층 형성용 가교성 조성물을 도포하는 단계; 및
상기 도포된 절연층 형성용 가교성 조성물을 경화시키는 단계;
를 포함하는 절연층 형성 방법.
Applying a crosslinkable composition for forming an insulating layer according to claim 7 on a substrate; And
Curing the coated crosslinkable composition for forming an insulating layer;
Insulation layer forming method comprising a.
제12항에 있어서,
상기 경화 단계의 온도가 200℃ 내지 300 ℃인 절연층 형성 방법.
The method of claim 12,
Method for forming an insulating layer of the curing step is a temperature of 200 ℃ to 300 ℃.
제12항에 따른 절연층 형성 방법에 의해 형성된 절연층.An insulating layer formed by the insulating layer forming method according to claim 12.
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KR20150017970A (en) * 2013-08-08 2015-02-23 제일모직주식회사 Composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

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