KR20130061252A

KR20130061252A - Touch panel and it's manufacturing method

Info

Publication number: KR20130061252A
Application number: KR1020110127457A
Authority: KR
Inventors: 차한선; 양신주
Original assignee: 주식회사 에스에스디
Priority date: 2011-12-01
Filing date: 2011-12-01
Publication date: 2013-06-11

Abstract

PURPOSE: A touch panel and a manufacturing method thereof are provided to minimize defects due to the crack or disconnection of an ITO(Indium Tin Oxide) thin film and a metal trace thin film caused by a height difference due to the formation of a decoration for an existing cover lens. CONSTITUTION: A touch panel is composed of an ITO thin film pattern(7a) and metal trace patterns(8a,9a,10a) on a tempered glass(4). The metal trace pattern is formed with a metal thin film. The ITO thin film pattern is prepared in a viewing area. The ITO thin film pattern, the metal trace patterns, and a hard mask pattern(11a) are prepared in a decoration area.

Description

[0001] Touch panel and its manufacturing method [0002]

본 발명은 터치 패널의 제조 방법에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 정전 용량 방식의 터치 패널 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a touch panel, and more particularly, to a method of manufacturing a capacitive touch panel.

터치 패널은 마우스나 키보드 등과 같은 별도의 입력 수단이 필요 없이 디스플레이되는 화면을 손가락이나 기타 기구 등을 이용하여 신호를 입력할 수 있는 수단이다.The touch panel is a means for inputting a signal to a displayed screen without using a separate input means such as a mouse or a keyboard by using a finger or other mechanism.

터치 패널은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 방식 등이 있으며, 이중에서도 정전용량 방식의 터치 패널의 경우, 터치 감도가 우수하고, 2 손가락 이상의 신호 입력이 가능한 멀티 터치(multi touch)가 가능하여 현재 일반적으로 사용중에 있다.Among the touch panel, there are a resistive film type, a capacitive type, an ultrasonic type, and an infrared type. Among the capacitive type touch panels, the touch panel is excellent in touch sensitivity and capable of multi- And is currently in general use.

정전용량 방식 터치 패널의 경우 LCD 화면 내용을 표시할 수 있는 시야 영역(viewing area)과 시야 영역을 둘러싸고 있는 데코레이션 영역으로 구분할 수 있다 이때 시야 영역은 ITO(indium tin oxide)로 구성되는 투명 전극으로 구성이 되어 있으며, 데코레이션 영역은 투명 전극을 연결하여 터치 패널을 IC controller와 연결하여 주는 메탈(metal) 트레이스(trace) 패턴(pattern)이 형성되어 있다.In the case of a capacitive touch panel, the display area may be divided into a viewing area capable of displaying the LCD screen content and a decoration area surrounding the viewing area. The viewing area is composed of a transparent electrode composed of indium tin oxide (ITO). In the decoration area, a metal trace pattern for connecting the touch panel to the IC controller by connecting the transparent electrode is formed.

정전용량 방식의 터치 패널을 구현할 수 있는 구조는 여러 가지 방법이 제시되고 있다. 일반적으로 사용되는 구조는 커버 렌즈와 ITO Film이 2장이 적용되는 방식이 있다. 이러한 방식을 적용하는 터치 패널 사용이 현재 보편화 되어 있다. 정전용량 방식을 구현하기 위한 다른 방법으로는 커버 렌즈에 ITO 박막을 1층 또는 2층 형성하여, ITO Film의 사용을 줄이는 구조가 제시되고 있다.Various methods have been proposed for a structure in which a capacitive touch panel can be realized. In general, the structure used is a cover lens and two ITO films are applied. The use of touch panels applying this method is now common. As another method for implementing a capacitive method, a structure in which one or two layers of ITO thin films are formed on a cover lens to reduce the use of ITO films has been proposed.

이러한 ITO Film의 사용을 줄이는 구조의 경우 커버 렌즈에 ITO 박막 및 금속 트레이스 박막을 형성하여, 패턴을 구현해야 만 한다. 하지만, 커버 렌즈에 형성된 데코레이션 영역으로 인해 두께 단차가 적게는 5 ㎛, 크게는 수십 ㎛의 두께 차이가 발생하게 되며, 이러한 두께 차이로 인해서 데코레이션 영역과 시야 영역의 경계면에서의 기울기가 급격히 커지게 되어 ITO 또는 금속 트레이스 박막의 크랙이 발생하게 되어 전기적 신호가 끊어지는 불량이 발생하기 쉽다.In the case of reducing the use of the ITO film, a pattern must be realized by forming an ITO thin film and a metal trace thin film on the cover lens. However, due to the decoration area formed on the cover lens, a thickness difference of 5 μm and a few tens of μm may be produced, and due to the thickness difference, the slope at the boundary between the decoration area and the viewing area may increase rapidly. Cracks in the ITO or the metal trace thin film are likely to occur, so that the electrical signal is broken.

본 발명은 상기의 문제점들을 해결하고자 기존의 커버 렌즈에 데코레이션 영역 형성시 높이 단차가 없는 인쇄를 실시하여 ITO 박막과 금속 트레이스 박막의 크랙 발생을 방지할 수 있다. 이러한 크랙 방지를 통해, 패턴 작업성이 우수하고, 수율이 높으며, 품질이 높은 패턴 구현이 가능해 진다.The present invention can prevent the occurrence of cracks in the ITO thin film and the metal trace thin film by performing a printing without the height step when forming the decoration area on the existing cover lens to solve the above problems. This crack prevention enables excellent pattern workability, high yield, and high quality pattern realization.

본 발명에 따른 터치 패널 제조 공정의 경우,In the case of the touch panel manufacturing process according to the present invention,

a1) 유리를 준비하는 단계;a1) preparing a glass;

b1) 상기 a1) 단계에서 준비된 유리에 가공을 실시하는 단계;b1) processing the glass prepared in step a1);

c1) 상기 b1) 단계에서 가공이 완료된 유리를 강화를 실시하는 단계;c1) reinforcing the glass that has been processed in step b1);

d1) 상기 c1) 단계에서 강화가 실시된 강화유리에 데코레이션 영역을 형성하는 단계;d1) forming a decoration region on the tempered glass subjected to the tempering in step c1);

e1) 상기 d1) 단계에서 데코레이션 영역이 형성된 강화유리 위에 ITO 증착을 실시하는 단계;e1) performing ITO deposition on the tempered glass on which the decoration region is formed in step d1);

f1) 상기 e1) 단계에서 ITO 증착을 실시한 후, 메탈 트레이스 박막을 증착하는 단계f1) depositing a metal trace thin film after ITO deposition in step e1)

g1) 상기 f1) 단계에서 메탈 트레이스 박막 증착이 실시된 강화유리 위에, 감광성 물질을 형성하는 단계;g1) forming a photosensitive material on the tempered glass on which the metal trace thin film deposition is performed in step f1);

h1) 상기 g1) 단계에서 형성된 기판을 통해, 일반적인 터치 패널 제조 공정을 거쳐 본 발명에 따른 정전 용량 방식의 터치 패널 제조가 가능해 진다.
h1) Through the substrate formed in the step g1), it becomes possible to manufacture the capacitive touch panel according to the present invention through a general touch panel manufacturing process.

상기 a1) 단계에 있어서, 유리는 소다라임, 알루미나 실리케이트, 석영, 파이렉스 유리, Life Bioscience사의 APEX Glass 중에서 선택된 1종을 주 원료로 하는 것을 특징으로 한다.In the step a1), the glass is characterized in that the main raw material is selected from soda lime, alumina silicate, quartz, Pyrex glass, APEX Glass of Life Bioscience.

상기 b1) 단계에 있어서, 유리 가공은 기계적인 가공, photo-lithography 공정 중에서 선택된 방법을 통해 가공이 되는 것을 특징으로 한다.In the step b1), the glass processing is characterized in that the processing through a method selected from mechanical processing, photo-lithography process.

상기 b1) 단계에 있어서, 유리 가공이 기계적인 가공인 경우, 원판에서 Cell 형태로의 가공, 구멍을 뚫기 위한 Hole 가공, Edge 쪽 Glass chipping을 방지하기 위한 면취 가공, Round 가공을 위한 R 가공, 데코레이션 영역 깊이 가공 중에서 선택된 1종 이상의 형태 가공을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step b1), when the glass processing is a mechanical processing, processing from the original to the cell form, hole processing for punching, chamfering processing to prevent glass chipping at the edge, R processing for round processing, decoration It is characterized by including one or more types of shape processing selected from the area depth processing.

상기 b1) 단계에 있어서, 유리 가공을 photo-lithography 공정을 통해 실시하는 경우, 먼저 유리 기판 위에 감광성 물질을 형성하고, 노광, 현상, 식각, 세정 공정을 통해 원하는 형상 및 가공을 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step b1), when the glass processing is performed through a photo-lithography process, first, a photosensitive material is formed on the glass substrate, and a desired shape and processing are performed through an exposure, development, etching, and cleaning process. do.

상기 b1) 단계에 있어서, 유리가 APEX glass인 경우 감광성 물질 형성 없이 바로 노광, 현상, 식각, 세정 공정을 통해 원하는 형상 및 가공을 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step b1), when the glass is APEX glass, it is characterized in that the desired shape and processing through the exposure, development, etching, cleaning process without forming a photosensitive material.

상기 b1) 단계에 있어서, 데코레이션 영역 형성을 위한 깊이 가공시 가공 깊이는 1 ~ 50 ㎛ 깊이 만큼의 가공을 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step b1), the depth of processing when forming the decoration region is characterized in that the processing as much as 1 ~ 50 ㎛ depth.

상기 b1) 단계에 있어서, 데코레이션을 검정색으로 하는 경우 깊이는 1 ~ 30 ㎛ 정도의 깊이를 가공하는 것을 특징으로 한다.In the step b1), when the decoration is black, the depth is characterized in that the processing of 1 ~ 30 ㎛ depth.

상기 b1) 단계에 있어서, 데코레이션을 흰색으로 하는 경우 깊이는 1 ~ 50 ㎛ 정도의 깊이를 가공하는 것을 특징으로 한다.In the step b1), when the decoration is white, the depth is characterized in that the processing of 1 ~ 50 ㎛ depth.

상기 c1) 단계에 있어서, 강화유리는 화학 강화, 열강화 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 강화 처리가 실시된 것을 특징으로 한다.In the step c1), the tempered glass is characterized in that the tempered treatment is carried out by one method selected from chemically strengthened, thermally strengthened.

상기 c1) 단계에 있어서, 강화유리는 강화유리가 아닌 일반 유리가 사용될 수도 있다.In the step c1), the tempered glass may be a general glass other than the tempered glass.

상기 d1) 단계에 있어서, 강화유리의 데코레이션 영역은 스크린 인쇄 방법, 패드 인쇄 방법, 무전도 진공 증착 방법(NCVM, non-conductive vacuum metallization), 잉크젯 프린팅 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In the step d1), the decoration region of the tempered glass is formed by one method selected from screen printing method, pad printing method, non-conductive vacuum metallization (NCVM), inkjet printing It is done.

상기 d1) 단계에 있어서, 데코레이션 영역에서 사용되는 잉크는 전기가 통하지 않는 무통전 잉크인 것을 특징으로 한다.In the step d1), the ink used in the decoration area is characterized in that the electricity is not conductive ink.

상기 d1) 단계에 있어서, 데코레이션 영역 형성 후, 데코레이션 잉크로부터 발생하는 outgas를 제거하기 위해, hot-plate, oven, 진공 hot-plate, 진공 oven, plasma 중에서 선택된 1종 이상의 방법을 통해 표면처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step d1), after the decoration region is formed, the surface treatment is performed by one or more methods selected from hot-plate, oven, vacuum hot-plate, vacuum oven, and plasma to remove outgas generated from the decoration ink. Characterized in that.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막 형성시 박막의 굴절율 조절을 위해 데코레이션 영역이 되어 있는 강화유리 위에 굴절율 제어층을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index control layer is formed on the tempered glass that is a decoration region for controlling the refractive index of the thin film when forming the ITO thin film.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, 란타넘족, 악티늄족 중에서 선택되는 1종 이상의 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index control layer is Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb , Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au 1 selected from Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, Lanthanum, Actinium It is characterized by comprising more than one species of alkaline earth metals, transition metals, transition metals, nonmetals, and halogens.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index control layer is a compound containing alkali earth metal, transition metal, post-transition metal, base metal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, fluorine or nitrification, nitriding thereof It is characterized in that it comprises one kind of compound selected from carbonization, fluorinated nitride, oxidized carbonized, oxidized, fluorocarbonized, nitrified oxidized carbonized, oxidized carbonized fluorinated, fine carbonized fluorinated, and oxynitride fluorinated.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층의 두께는 10 ~ 1,500Å 사이의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the thickness of the refractive index control layer is characterized in that it has a thickness of 10 ~ 1,500Å.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층의 투과율은 550nm의 파장에서 85% 이상의 투과율을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the transmittance of the refractive index control layer has a transmittance of 85% or more at a wavelength of 550nm.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층의 굴절율은 550nm에서 1.1~3.0이하의 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index of the refractive index control layer has a refractive index of 1.1 ~ 3.0 or less at 550nm.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 단층 또는 2층 이상의 박막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index control layer is characterized by consisting of a single layer or two or more thin films.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 습식 식각 또는 건식 식각을 통해 패턴형성이 가능한 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index control layer is characterized in that the pattern can be formed by wet etching or dry etching.

상기 e1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the refractive index control layer is formed by a physical vapor deposition or a chemical vapor deposition method.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막의 면저항은 1 ~ 1000Ω/□ 인 것을 특징으로 한다.In the step e1), the sheet resistance of the ITO thin film is characterized in that 1 ~ 1000Ω / □.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막의 투과율은 550nm에서 85% 이상의 투과율을 가지는 것을 특징으로 한다..In the step e1), the transmittance of the ITO thin film is characterized by having a transmittance of 85% or more at 550nm.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막의 탁도(haze)는 2.0% 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the haze of the ITO thin film is characterized by having a value of 2.0% or less.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막의 색도(chromaticity)는 2.0 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the chromaticity of the ITO thin film is characterized by having a value of 2.0 or less.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막에 있어서, ITO 박막과 PET 표면의 반사율 차이가 550nm에서 1%이하인 것을 특징으로 한다.In the step e1), in the ITO thin film, the difference in reflectance between the ITO thin film and the PET surface is characterized in that less than 1% at 550nm.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막은 단층 또는 2층 이상의 박막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the ITO thin film is characterized by consisting of a single layer or two or more thin films.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막은 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step e1), the ITO thin film is formed by a physical vapor deposition or a chemical vapor deposition method.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막은 ITO 대신에 ATO, AZO, 그래핀, 카본나노뉴브 중에서 선택된 1종의 물질이 사용되는 것을 특징으로 한다.In step e1), the ITO thin film is characterized in that one material selected from ATO, AZO, graphene, carbon nanonub is used instead of ITO.

상기 e1) 단계에 있어서, ITO 박막은 1000Å 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the ITO thin film is characterized by having a thickness of less than 1000Å.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step f1), the metal trace thin film is formed by physical vapor deposition or chemical vapor deposition.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 100~100,000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step f1), the metal trace thin film has a thickness of 100 ~ 100,000 Å.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 1층 또는 2층 이상의 박막 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step f1), the metal trace thin film has a thin film structure of one layer or two or more layers.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, 란타넘족, 악티늄족 중에서 선택되는 1종 이상의 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step f1), the metal trace thin film is Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb , Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au 1 selected from Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, Lanthanum, Actinium It is characterized by comprising more than one species of alkaline earth metals, transition metals, transition metals, nonmetals, and halogens.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step f1), the metal trace thin film is a compound containing alkaline earth metal, transition metal, post-transition metal, base metal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, and fluorine or nitrification and nitriding thereof. It is characterized in that it comprises one kind of compound selected from carbonization, fluorinated nitride, oxidized carbonized, oxidized, fluorocarbonized, nitrified oxidized carbonized, oxidized carbonized fluorinated, fine carbonized fluorinated, and oxynitride fluorinated.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 500Ω/□ 이하의 면저항을 가지는 것을 특징으로 한다.In step f1), the metal trace thin film has a sheet resistance of 500 Ω / □ or less.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막이 2층 이상의 복수개의 박막으로 구성되는 경우, 복수개의 박막 층은 동일한 식각액에 의해서 식각되는 것을 특징으로 한다.In the step f1), when the metal trace thin film is composed of two or more thin films, the plurality of thin film layers are etched by the same etchant.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막이 2층 이상의 복수개의 박막으로 구성되는 경우, 복수개의 박막 층은 각각 식각액에 대해서 선택비를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step f1), when the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, each of the plurality of thin film layers has a selectivity to an etching solution.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 인산, 질산, 초산, 염산, 황산, 암모니아수, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 과산화수소 중에서 선택된 1종의 식각액 또는 이들의 화합물 및 혼합물에 의해서 식각이 가능한 것을 특징으로 한다.In the step f1), the metal trace thin film can be etched by one type of etchant or a compound and mixture thereof selected from phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, aqueous ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and hydrogen peroxide. do.

상기 f1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막의 식각시 식각액을 100도 이하로 가열하여 식각하는 것을 특징으로 한다.In the step f1), the etching solution during the etching of the metal trace thin film is characterized in that the etching by heating to 100 degrees or less.

상기 g1) 단계에 있어서, 감광성 물질은 포토레지스트가 사용되며, 포토레지스트 막은 스핀, 스캔, 스핀-스캔, 스프레이, 잉크젯 코팅 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step g1), a photoresist is used, and the photoresist film is formed by one method selected from among spin, scan, spin-scan, spray, and inkjet coating.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 포지티브 타입 및 네가티브 타입의 포토레지스트 중에서 선택된 1종의 형태의 포토레지스트를 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step g1), the photoresist film is formed through one type of photoresist selected from a positive type and a negative type photoresist.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 ArF, KrF, i-line, h-line, g-line 중에서 선택된 1종 이상의 노광 파장에 의해서 감광이 발생하는 포토레지스트인 것을 특징으로 한다.In the step g1), the photoresist film is a photoresist that is exposed to light by one or more exposure wavelengths selected from ArF, KrF, i-line, h-line, g-line.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 1000~150000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step g1), the photoresist film is characterized in that the thickness of 1000 ~ 150000Å.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막을 형성하시 전에 메탈 트레이스 박막에 접착력의 향상을 위해 탈수 굽기(dehydration bake), 플라즈마 처리, 초순수 세정, 솔벤트 세정, HMDS 처리 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 표면 처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step g1), before forming the photoresist film, the surface treatment is performed by one method selected from dehydration bake, plasma treatment, ultrapure water cleaning, solvent cleaning, and HMDS treatment to improve adhesion to the metal trace thin film. It characterized in that to perform.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막 대신에 감광성 필름인 Dry Film Resist를 통해 감광성 박막의 형성이 가능한 것을 특징으로 한다.In the step g1), it is possible to form a photosensitive thin film through Dry Film Resist, a photosensitive film instead of a photoresist film.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막 형성시 접착력 향상을 위해 소프트 베이크를 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step g1), it is characterized in that the soft bake is performed to improve the adhesive force when forming the photoresist film.

상기 g1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막 형성시 바깥 외곽 쪽의 포토레지스트막 두께 저감을 위해 에지 베드 제거(edge bead removal) 공정을 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step g1), the edge bead removal process is performed to reduce the thickness of the outer photoresist film when forming the photoresist film.

상기 g1) 단계에 있어서, 감광성 물질은 DFR(dry film resist)가 사용되며, 이때 DFR은 Lamination을 통해 부착되는 것을 특징으로 한다.In step g1), a dry film resist (DFR) is used as the photosensitive material, wherein the DFR is attached through lamination.

상기 g1) 단계에 있어서, DFR은 positive, negative형 DFR에서 선택된 1종의 DFR이 사용되는 것을 특징으로 한다.In step g1), the DFR is characterized in that one kind of DFR selected from positive and negative type DFR is used.

상기 g1) 단계에 있어서, DFR은 3 ~ 30 ㎛의 두께를 가지는 DFR이 사용되는 것을 특징으로 한다.In step g1), the DFR is characterized in that the DFR having a thickness of 3 ~ 30 ㎛ is used.

상기 g1) 단계에 있어서, DFR Lamination 시 DFR의 접착력을 향상시키기 위해 DFR Lamination 실시전 메탈 트레이스 박막 표면에 전열 처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step g1), in order to improve the adhesion of the DFR during the DFR Lamination, the surface of the metal trace thin film before the DFR Lamination is characterized in that the heat treatment.

상기 g1) 단계에 있어서, DFR Lamination 시 압력은 0.1 ~ 1 MPa의 압력을 통해 Lamination 되는 것을 특징으로 한다.In step g1), the pressure during the DFR Lamination is characterized in that the lamination through a pressure of 0.1 ~ 1 MPa.

상기 g1) 단계에 있어서, DFR Lamination 시 Lamination 속도는 0.1 ~ 2.0 m/min의 속도로 Lamination 되는 것을 특징으로 한다.In step g1), the lamination speed during DFR lamination is characterized in that the lamination at a speed of 0.1 ~ 2.0 m / min.

상기의 과정을 통해 본 발명에 의한 정전용량 방식의 터치 패널을 제조하였다.Through the above process, the capacitive touch panel according to the present invention was manufactured.

본 발명에 따른 정전용량 방식의 터치 패널 제조 장법에 따르면, 기존 커버 렌즈에 데코레이션 형성시의 높이 단차로 인해 ITO 박막 및 메탈 트레이스 박막의 Crack 또는 단선으로 인한 불량을 최소화 할 수 있다. 이를 통해 보다 안정적인 정전용량 방식의 터치 패널 제조가 가능해 진다.According to the method of manufacturing a capacitive touch panel according to the present invention, defects due to cracking or disconnection of the ITO thin film and the metal trace thin film may be minimized due to the height difference when the decoration is formed on the existing cover lens. This enables more stable capacitive touch panel manufacturing.

도 1은 본 발명에서 사용되는 Sheet glass의 개략도 이다.1 is a schematic view of a sheet glass used in the present invention. 도 2는 본 발명에서 사용되는 Cell glass의 개략도 이다.Figure 2 is a schematic diagram of the cell glass used in the present invention. 도 3은 본 발명에서 사용되는 glass에 대한 노광 공정의 개략도 이다.3 is a schematic diagram of an exposure process for glass used in the present invention. 도 4는 본 발명에 의해 데코레이션 영역에 대해 glass 깊이 식각 후 glass에 대한 단면도 이다.Figure 4 is a cross-sectional view of the glass after etching the glass depth to the decoration area by the present invention. 도 5는 인쇄가 실시된 glass에 대한 단면도 이다.5 is a cross-sectional view of the glass is printed. 도 6은 본 발명에 의해 제조된 터치 패널 패턴 형성 전의 단면도 이다.6 is a cross-sectional view before forming the touch panel pattern manufactured by the present invention. 도 7은 본 발명에 의해 제조된 패턴이 형성된 터치 패널의 단면도 이다.7 is a cross-sectional view of a touch panel on which a pattern manufactured according to the present invention is formed.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the examples are used only for the purpose of illustration and description of the present invention, and are used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. no. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and other equivalent embodiments may be made by those skilled in the art. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical details of the claims.

<실시예 1>
&Lt; Example 1 >

본 실시예 1은 본 발명의 실시예를 통해 제조된 정전용량 방식의 터치 패널을 제조한 실시예 이다.The first embodiment is an embodiment of a capacitive touch panel manufactured through an embodiment of the present invention.

먼저 그림 1을 참조하여 Life BioScience사에서 제조하는 APEX glass(1)를 준비하였다. 이때 APEX glass는 370 x 470 mm의 크기와 0.7T의 두께를 가진다. 다음으로 도 2를 참조하여, glass scriber를 통해 sheet 크기의 glass를 3.5인치 크기의 cell(2)로 가공을 실시하였다. 이때 sheet에서 cell로 가공을 실시할 때, scriber 뿐만 아니라, photo-lithography 방법을 통해서도 절단이 가능하다.First, referring to Figure 1 was prepared APEX glass (1) manufactured by Life BioScience. APEX glass has a size of 370 x 470 mm and a thickness of 0.7T. Next, referring to FIG. 2, the sheet sized glass was processed into a 3.5 inch cell (2) through a glass scriber. At this time, when processing from cell to cell, cutting is possible not only by scriber but also by photo-lithography method.

다음으로, edge쪽에 대해서 grinding을 실시하여 edge 연마를 실시하고 난 후, 도 3을 참조하여, 데코레이션 영역 형성을 위해 photomask를 사용하여 glass 깊이 가공을 원하는 영역에 노광을 실시하였다. 이때 photomask는 Cr이 차광막으로 사용되는 photomask를 사용하였으며, 노광은 365~436nm의 복합 파장을 사용하여 노광을 실시하였다.Next, after performing the edge grinding by grinding the edge side, with reference to Figure 3, using the photomask to form a decoration region, the exposure to the region desired for glass depth processing. At this time, a photomask using Cr as a light shielding film was used, and exposure was performed using a compound wavelength of 365 to 436 nm.

다음으로 도 4를 참조하여, 80 ~ 200 ℃의 온도에서 10 ~ 500 분간 baking을 실시하고, 불산을 통해 glass를 15 ㎛ 깊이 만큼 식각하고 하여, 데코레이션 영역이 형성된 cell(3)의 제조를 실시하였다.Next, referring to FIG. 4, baking was performed at a temperature of 80 to 200 ° C. for 10 to 500 minutes, and the glass was etched to a depth of 15 μm through hydrofluoric acid to prepare a cell 3 having a decoration region. .

다음으로, 화학 강화를 통해 cell glass에 대한 강화를 실시하였다. Next, the glass was strengthened through chemical strengthening.

다음으로 도 5를 참조하여, 무통전 검정 잉크를 사용하여, 미리 형성된 데코레이션 영역에 스크린 인쇄 방법을 통해 인쇄를 실시하여 데코레이션 영역이 형성된 cell glass(4)의 제조를 실시하였다. 이때 잉크는 흰색을 가지는 무통전 잉크를 사용할 수 있으며, 이때 식각 깊이는 검정 잉크 보다 더 깊은 약 20㎛ 이상의 식각 깊이가 요구된다.Next, with reference to FIG. 5, a cell glass 4 having a decoration region was formed by printing the previously formed decoration region through a screen printing method using a non-conductive black ink. In this case, the ink may use a non-conductive ink having a white color, and the etching depth requires an etching depth of about 20 μm or more deeper than that of the black ink.

다음으로, 데코레이션 영역 형성 후 잉크로부터 발생하는 솔벤트 등과 같은 오염을 제거하기 위해 진공 챔버에서 열처리를 한 상태로 4시간 열처리를 실시하여, 잉크로부터 발생하는 오염의 제거를 실시하였다.Next, in order to remove the contamination such as solvent generated from the ink after forming the decoration region, heat treatment was performed for 4 hours while the heat treatment was performed in the vacuum chamber to remove the contamination generated from the ink.

다음으로 그림 6을 참조하여, 데코레이션 영역이 형성된 강화유리 기판 위에 스퍼터링(sputtering) 방법을 통해 제 1 굴절율 제어층(5)인 NbO2 박막을 형성하였다. 이때 NbO2 박막은 Nb 스퍼터링 타겟을 사용하고, O2 Gas를 사용하는 반응성 스퍼터링 방법을 통해 형성되었다. 반응성 스퍼터링 시 DC, RF, MF 중에서 선택된 1종의 파워 또는 이들의 혼합된 방법을 통해서 형성이 가능하다. 또한 Nb 타겟이 아닌 NbO2 타겟을 통해서도 형성이 가능하다. 또한 스퍼터링 방법이 아닌 CVD, e-beam evaporation 등과 같은 방법을 통해서도 형성이 가능하다.Next, referring to FIG. 6, an NbO 2 thin film, which is the first refractive index control layer 5, was formed on the tempered glass substrate on which the decoration region was formed by sputtering. At this time, the NbO2 thin film was formed through a reactive sputtering method using an Nb sputtering target and using O2 gas. In reactive sputtering, it can be formed through one of the power selected from DC, RF, MF, or a combination thereof. In addition, it can be formed through the NbO2 target, not the Nb target. In addition, it can be formed by a method such as CVD, e-beam evaporation, etc., rather than sputtering.

다음으로 제 2 굴절율 제어층(6)인 SiO2를 NbO2 박막 위에 형성을 실시하였다. SiO2 또한 상기의 NbO2 박막 형성시 사용된 방법과 동일한 방법을 통해 형성이 가능하다. 그리고 제 1 굴절율 제어층과 제 2 굴절율 제어층의 순서를 바꾸어서 형성이 가능하다.Next, SiO2 which is the second refractive index control layer 6 was formed on the NbO2 thin film. SiO 2 can also be formed through the same method as used for forming the NbO 2 thin film. The first refractive index control layer and the second refractive index control layer may be formed by changing the order.

다음으로 SiO2가 형성된 유리 기판 위에 투명 전극 박막(7)인 ITO 박막의 형성을 실시하였다. 이때 면저항은 150 Ω/□로 형성을 실시하였다. 이때 면저항은 10 ~ 1000 Ω/□의 범위에서 선택적으로 형성이 가능하다. 그리고 ITO 박막은 PVD, CVD 등을 통해서 형성이 되며, 특히 PVD를 통해 형성될 경우 Sputtering을 통해 형성하는 것이 바람직하며, ITO가 혼합되어 있는 단일 타겟을 통해서 형성이 가능하거나, In, Sn 각각의 타겟을 사용하는 반응성 co-sputtering 방법을 통해서도 형성이 가능하다.Next, the ITO thin film which is the transparent electrode thin film 7 was formed on the glass substrate in which SiO2 was formed. At this time, the sheet resistance was formed at 150 Ω / □. At this time, the sheet resistance can be selectively formed in the range of 10 ~ 1000 Ω / □. In addition, the ITO thin film is formed through PVD, CVD, and the like, and in particular, when formed through PVD, it is preferable to form through sputtering, and can be formed through a single target in which ITO is mixed, or targets of In and Sn. Formation is also possible through reactive co-sputtering methods using.

다음으로, ITO 박막을 형성한 후, 메탈 트레이스 박막의 형성을 실시하였다. 이때 메탈 트레이스 박막은 총 4층의 박막으로 구성이 된다. 먼저 Ni(8)을 접착력 향상 및 부식 방지층 및 응력 완화 층으로 300Å의 두께로 형성을 실시하였다. 다음으로 Cu(9)를 2000Å의 두께로 형성을 실시하였으며, 면저항 조절 기능을 위해 형성을 실시하였다. 다음으로 다시 Ni(10)을 Cu 박막 위에 부식 방지층으로 300Å의 두께로 형성을 실시하였다. 다음으로 메탈 트레이스 층의 최상층에 Cr(11)을 통해 300Å의 두께로 하드마스크 층의 형성을 실시하였다. 이때 메탈 트레이스 박막의 면저항은 0.15 Ω/□로 측정이 되었다.Next, after forming an ITO thin film, the metal trace thin film was formed. At this time, the metal trace thin film is composed of a total of four thin films. First, Ni (8) was formed to a thickness of 300 kPa as an adhesion improving and corrosion preventing layer and a stress relaxation layer. Next, Cu (9) was formed to a thickness of 2000 kPa, and was formed for the sheet resistance control function. Next, Ni (10) was again formed on the Cu thin film to a thickness of 300 kPa as a corrosion preventing layer. Next, a hard mask layer was formed on the uppermost layer of the metal trace layer with a thickness of 300 mm 3 through Cr (11). At this time, the sheet resistance of the metal trace thin film was measured to 0.15 Ω / □.

이때 메탈 트레이스 박막은 여러가지 조합으로 구성이 될 수 있다. 기판을 중심으로 Mo/Ag, Mo/Al/Mo, Ag-Pd 합금, Ni/Cu/Ni, SnCu/Cu/NiTiCu, Mo/Ag-Pd 합금, Mo/Ag/Mo 중에서 선택된 1종 또는 이들의 조합으로 구성이 될 수 있다.In this case, the metal trace thin film may be configured in various combinations. One or a combination of Mo / Ag, Mo / Al / Mo, Ag-Pd alloy, Ni / Cu / Ni, SnCu / Cu / NiTiCu, Mo / Ag-Pd alloy, and Mo / Ag / Mo around the substrate Combinations can be made.

그리고 하드마스크 층의 경우에도 Cr으로 제한이 되는 것이 아니라 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종 또는 이들의 조합으로 구성이 될 수 있다.In addition, the hard mask layer is not limited to Cr, but is a compound containing alkaline earth metal, transition metal, transition metal, nonmetal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, and fluorine, or their nitrides. It may be composed of one or a combination thereof selected from oxidation, nitriding carbonization, fluorinated nitride, oxidized carbonization, oxidized fluoride, carbonized fluoride, nitrified oxidized carbonized, oxidized carbonized fluoride, fine carbonized fluorinated, and nitrified fluorinated fluoride.

다음으로 메탈 트레이스 박막의 형성을 실시한 후, AZEM사에서 제조하는 AZ-7220 포토레지스트를 스캔 코팅을 실시하여, 포토레지스트 막(12)의 형성을 실시하였다.Next, after forming the metal trace thin film, the AZ-7220 photoresist manufactured by AZEM Corporation was subjected to scan coating to form the photoresist film 12.

다음으로, 노광 공정을 실시하여 Pattern 형성을 원하는 영역에 노광을 실시하여, 포토레지스트막의 감광을 실시하였다.Next, the exposure process was performed, and the exposure was performed to the area | region in which pattern formation is desired, and the photoresist film was photosensitive.

다음으로 TMAH 2.38% 현상액을 통해 감광이 된 부분의 포토레지스트 막의 제거를 실시하여 포토레지스트 패턴의 형성을 실시하였다.Next, the photoresist film of the photosensitive part was removed through TMAH 2.38% developer, and the photoresist pattern was formed.

다음으로 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 하드마스크막인 Cr의 습식 식각을 실시하였다. 이때 크롬 식각은 Ceric Ammonium Nitrate가 포함된 식각액을 사용하여 식각을 실시하였다. 이를 통해 하드마스크막 패턴의 형성을 실시하였다.Next, wet etching of Cr which is a hard mask film was performed using the photoresist pattern as a mask. At this time, chromium etching was performed using an etchant containing Ceric Ammonium Nitrate. Through this, a hard mask film pattern was formed.

다음으로 하드마스크막 패턴의 형성을 실시한 후, 필요 없어진 포토레지스트 패턴을 제거하기 위해, NaOH가 8%가 함유된 박리액을 통해 포토레지스트 패턴의 박리를 실시하였다.Next, after the formation of the hard mask film pattern, in order to remove the unnecessary photoresist pattern, the photoresist pattern was peeled through a stripping solution containing 8% NaOH.

다음으로 메탈 트레이스 박막의 식각을 위해 제2염화철이 함유된 식각액을 통해 Ni/Cu/Ni로 구성된 메탈 트레이스 박막 패턴의 형성을 실시하였다. 이와 동시에 ITO 박막 또한 제2염화철로 구성되는 식각액에 의해 동시에 식각을 실시하였다. 이때 Cr으로 구성되는 하드마스크 박막은 제2염화철에 의해 식각이 되지 않는 것을 특징으로 한다. 또한 본 실시예에서는 메탈 트레이스 박막과 ITO 박막을 동시에 식각하는 공정을 진행하였지만, 염산을 통해 Ni/Cu/Ni 박막만의 식각을 실시하고, 초산을 근간으로 하는 ITO 식각을 하는 2회의 식각을 통해 메탈 트레이스 및 ITO 박막 패턴을 형성하는 것도 가능하다.Next, a metal trace thin film pattern composed of Ni / Cu / Ni was formed through an etching solution containing iron chloride to etch the metal trace thin film. At the same time, the ITO thin film was simultaneously etched with an etchant consisting of ferric chloride. In this case, the hard mask thin film made of Cr is not etched by the iron chloride. In this embodiment, the metal trace thin film and the ITO thin film were simultaneously etched. However, only the Ni / Cu / Ni thin film was etched through hydrochloric acid, and the second etching was performed by using ITO etching based on acetic acid. It is also possible to form metal traces and ITO thin film patterns.

다음으로, 다시 포토레지스트를 통해 제2의 포토레지스트막의 형성을 실시하였다. 다음으로 노광기를 통해 노광 공정을 진행하여, 시야 영역에 형성된 포토레지스트의 감광을 실시하였다.Next, the second photoresist film was formed again through the photoresist. Next, the exposure process was performed through the exposure machine, and the photoresist formed in the visual field area | region was performed.

다음으로 현상액을 통해 시야 영역에 형성된 포토레지스트의 제거를 실시하였다.Next, the photoresist formed in the viewing area was removed through the developer.

다음으로 하드마스크인 Cr 박막의 습식 식각을 실시하고, 또한 메탈 트레이스 박막 또한 습식 식각을 실시하였다.Next, wet etching of the Cr thin film which is a hard mask was performed, and the metal trace thin film was also wet etching.

이를 통해 도 7을 참조하여, 시야 영역에는 ITO 박막 패턴(7a)이 존재하고, 데코레이션 영역에는 ITO 박막 패턴, 메탈 트레이스 패턴(8a, 9a, 10a) 및 하드마스크 패턴(11a)이 존재하는 정전용량 방식의 터치 패널 제조를 실시하였다 Through this, referring to FIG. 7, an ITO thin film pattern 7a is present in a viewing area, and an ITO thin film pattern, metal trace patterns 8a, 9a, and 10a and a hard mask pattern 11a are present in a decoration area. Produced touch panel manufacturing

상기와 같이 하드마스크 패턴이 있는 정전용량 방식의 터치 패널 제조를 실시하여 크랙이나 단선이 없는, 보다 미세한 메탈 트레이스 패턴의 구현이 가능해 진다.As described above, a capacitive touch panel having a hard mask pattern may be manufactured to realize a finer metal trace pattern without cracks or disconnections.

1 : sheet glass 2 : cell glass
3 : 식각된 cell glass 4 : 인쇄된 cell glass
5 : 제1 굴절율 제어층 6 : 제2 굴절율 제어층
7 : ITO 박막 8 : 메탈 트레이스 박막 1
9 : 메탈 트레이스 박막 2 10 : 메탈 트레이스 박막 3
11 : 메탈 트레이스 박막 4 12 : 포토레지스트막
7a : ITO 박막 패턴 8a : 메탈 트레이스 박막 패턴 1
9a : 메탈 트레이스 박막 패턴 2 10a : 메탈 트레이스 박막 패턴 3
11a : 메탈 트레이스 박막 패턴 41: sheet glass 2: cell glass
3: etched cell glass 4: printed cell glass
5: first refractive index control layer 6: second refractive index control layer
7: ITO thin film 8: Metal trace thin film 1
9: metal trace thin film 2 10: metal trace thin film 3
11 metal trace thin film 4 12 photoresist film
7a: ITO thin film pattern 8a: metal trace thin film pattern 1
9a: Metal trace thin film pattern 2 10a: Metal trace thin film pattern 3
11a: Metal Trace Thin Film Pattern 4

Claims

In a touch panel composed of an ITO thin film and a metal trace pattern on the tempered glass,
The metal trace pattern may be formed of a metal thin film.

The method of claim 1,
Touch panel, characterized in that the thickness difference between the viewing area and the decoration area of the tempered glass is within 20 ㎛

The method of claim 1,
Tempered glass is a touch panel characterized by using APEX glass

The method of claim 1,
The metal trace thin film is Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr , Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd One or more alkaline earth metals, transitions selected from Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, Lanthanum and Actinium A touch panel comprising a metal, a transition metal, a nonmetal, and a halogen

The method of claim 1,
The metal trace thin film is a compound including alkaline earth metal, transition metal, transition metal, nonmetal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, and fluorine or nitrification, nitriding, fluorination, oxidation A touch panel comprising at least one compound selected from among carbonized, oxidized, fluorinated, nitrided and oxidized carbonized, oxidized and carbonized fluoride, fine carbonized and oxynitride

The method of claim 1,
The metal trace thin film has a sheet resistance of 500 Ω / □ or less.

The method of claim 1,
When the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, the plurality of thin film layers are etched by the same etchant.

The method of claim 1,
When the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, the plurality of thin film layers each have a selectivity with respect to an etchant.

The method of claim 1,
The metal trace thin film may be etched by at least one etching solution selected from phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, aqueous ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and hydrogen peroxide or a compound and mixture thereof.

The method of claim 1,
The metal trace thin film is a touch panel characterized in that the etching by heating the etching liquid to 100 degrees or less during etching

The method of claim 1,
The metal trace thin film is formed by one method selected from physical vapor deposition and chemical vapor deposition.

The method of claim 1,
The touch panel, characterized in that the thickness of the metal trace thin film is 100,000Å or less.

The method of claim 1,
The touch panel, characterized in that the sheet resistance of the metal trace thin film is 400Ω / □ or less.

The method of claim 1,
Touch panel, characterized in that for using the photoresist to form the metal trace pattern

The method of claim 1,
The method of forming the photoresist for forming the metal trace pattern may be performed through one of spin, scan, spin-scan, spray, and inkjet printing methods.

The method of claim 1,
Touch panel, characterized in that the PET film is applied instead of the tempered glass formed decoration area

A method of manufacturing a capacitive touch panel manufactured by the method of claim 1.