KR20130060521A - Apparatus of treating a substrate in a single wafertype - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A single wafer type substrate processing apparatus is provided to collect various kinds of gases without controlling the height of a wafer, and to reduce the size of an apparatus. CONSTITUTION: A support part(10) rotates and supports a wafer. An inner chamber(20) includes first to third outlet(21-23). An external chamber includes first to third exhaust ports(31-33) which selectively expose a specific outlet. The first to third exhaust ports are arranged in the upper and the lower part of the lateral surface of the external chamber. The external chamber includes first to third collection tubes(34,35,36) for gathering process gases.

Description

매엽식 기판 처리장치{Apparatus of treating a substrate in a single wafertype}Single wafer type processing apparatus {Apparatus of treating a substrate in a single wafertype}

본 발명은 매엽식 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 처리를 위하여 공급된 유체를 그 유체의 종류에 따라 서로 다른 배출경로를 통해 배출할 수 있는 매엽식 기판 처리장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a sheet type substrate processing apparatus, and more particularly, to a sheet type substrate processing apparatus capable of discharging a fluid supplied for processing a substrate through different discharge paths according to the type of the fluid.

일반적으로, 반도체 소자의 제조를 위한 웨이퍼의 처리는 웨이퍼가 낱장으로 처리되는 매엽식 방식과, 다수의 웨이퍼를 동시에 처리하는 배치식 방식이 있다.
In general, there are two types of wafer processing for the manufacture of semiconductor devices: a single wafer method in which the wafers are processed in sheets, and a batch method in which a plurality of wafers are simultaneously processed.

매엽식은 웨이퍼를 하나씩 처리하기 때문에 웨이퍼를 균일하게 처리하는 것이 가능한 장점이 있으며, 배치식은 다수의 웨이퍼를 동시에 처리하기 때문에 생산성이 더 우수하다는 장점이 있다.
Single wafers have the advantage of being able to process the wafers uniformly because the wafers are processed one by one, and batches have the advantage of being more productive because they process multiple wafers simultaneously.

종래 매엽식의 웨이퍼 처리장치는 챔버 내에서 회전하는 웨이퍼에 처리유체를 분사하고, 처리 후에는 그 처리유체를 외부로 배출하되, 그 처리유체의 종류에 따라 서로 다른 경로를 통해 배출하도록 구성되어 있다.The conventional single wafer type wafer processing apparatus is configured to inject a processing fluid onto a wafer rotating in a chamber, and to discharge the processing fluid to the outside after the processing, but through different paths depending on the type of the processing fluid. .

이를 위하여 웨이퍼를 지지하며 회전시키는 기판지지부의 높이를 조절 가능한 것으로 하고, 측면에 환형의 흡입덕트를 가지는 처리용기를 포함하여 구성되되 그 흡입덕트들이 상하로 다수 배치되어 그 기판지지부에 의한 기판의 위치에 따라 그 기판의 측면에 위치하는 흡입덕트를 통해 처리유체가 배출되도록 구성되어 있다.To this end, the height of the substrate support for supporting and rotating the wafer is adjustable, and includes a processing container having an annular suction duct on the side thereof, and the suction ducts are arranged up and down, and thus the position of the substrate by the substrate support. According to this configuration, the processing fluid is discharged through the suction duct located on the side of the substrate.

이러한 구조의 매엽식 웨이퍼 처리장치의 구성은 등록특허 10-1010311호(2011년 1월 17일 등록)에 상세하게 기재되어 있다.
The configuration of the single wafer processing apparatus having such a structure is described in detail in Korean Patent No. 10-1010311 (registered on Jan. 17, 2011).

그러나 종래 매엽식 웨이퍼 처리장치는 웨이퍼의 위치를 조절해 주어야 하기 때문에 장치의 높이가 상대적으로 높아지게 되며, 유체의 종류에 따라 기판의 위치를 조절해야 하기 때문에 작업이 번거로운 문제점이 있었다.However, the conventional single wafer type wafer processing apparatus has a relatively high height because the height of the apparatus needs to be adjusted, and the operation of the substrate has to be adjusted according to the type of fluid.

또한 다수의 흡입덕트를 기판에 근접한 위치에 상하로 다수 배치되도록 설계하고, 그 흡입덕트에 의해 흡입된 유체를 장치의 저면부로 유도하여 배출해야 함으로써, 장치의 구성이 복잡하고, 제조비용이 많이 소요되는 문제점이 있었다.
In addition, a plurality of suction ducts are designed to be arranged up and down in a position close to the substrate, and the fluid sucked by the suction ducts must be guided and discharged to the bottom of the device, which makes the configuration of the device complicated and requires high manufacturing costs. There was a problem.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼의 높이를 조절하지 않고도 처리가스의 종류별 회수가 가능한 매엽식 웨이퍼 처리장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a sheet type wafer processing apparatus capable of recovering each type of processing gas without adjusting the height of the wafer.

또한 본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 장치의 구조를 보다 간단하게 할 수 있는 매엽식 웨이퍼 처리장치를 제공함에 있다.
In addition, another technical problem to be solved by the present invention is to provide a single wafer processing apparatus that can simplify the structure of the device.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 매엽식 웨이퍼 처리장치는, 웨이퍼를 회전 지지하는 지지부와, 상기 지지부의 외측을 밀폐하되 상하 배치되는 다수의 배출구를 포함하는 내부챔버와, 상기 내부챔버와의 상대적인 위치의 변경에 따라 상기 다수의 배출구 중 특정 배출구들을 선택적으로 노출시키는 다수의 배출포트를 구비하는 외부챔버를 포함한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for processing a single wafer of a single wafer, comprising: an inner chamber including a support part for rotationally supporting a wafer, and a plurality of discharge ports that seal the outside of the support part and are disposed up and down, and the inner chamber. And an outer chamber having a plurality of outlet ports for selectively exposing specific outlets of the plurality of outlets in accordance with a change in relative position.

본 발명 매엽식 웨이퍼 처리장치는, 내부챔버에 상하배치됨과 아울러 좌우측으로 엇갈려 마련된 배기구들과, 외부챔버에 마련되어 상기 배기구들을 특정 높이에 위치하는 배기구와 연통되도록 상하배치된 배기덕트들을 포함하며, 그 외부챔버을 회전시키면서 특정한 높이의 배기구를 통해 처리가스를 외부로 배출함으로써, 구성을 보다 단순화할 수 있는 효과가 있다.The single wafer type wafer processing apparatus of the present invention includes exhaust ports disposed vertically in the inner chamber and staggered left and right, and exhaust ducts disposed in the outer chamber so as to communicate with the exhaust ports positioned at a specific height. By discharging the processing gas to the outside through the exhaust port of a certain height while rotating the outer chamber, there is an effect that can simplify the configuration.

또한 처리가스의 종류에 따라 웨이퍼의 높이를 조절하지 않아도 되기 때문에 장치의 크기를 줄일 수 있으며, 작업의 편의성이 향상된다.
In addition, since the height of the wafer does not have to be adjusted according to the type of processing gas, the size of the apparatus can be reduced, and the convenience of work is improved.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 처리장치의 분리 사시도이다.
도 2는 본 발명의 내부챔버와 외부챔버의 결합상태 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 적용되는 외부챔버의 회전에 따라 내부챔버에 마련된 배출구의 개폐상태의 변화를 도시한 단면 구성도이다.1 is an exploded perspective view of a single wafer processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view of the combined state of the inner chamber and the outer chamber of the present invention.
3 to 5 is a cross-sectional view showing a change in the opening and closing state of the outlet provided in the inner chamber in accordance with the rotation of the outer chamber applied to the present invention.

이하, 본 발명 매엽식 웨이퍼 처리장치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the sheet wafer processing apparatus of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 처리장치의 분리사시도이다.1 is an exploded perspective view of a single wafer processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 처리장치는, 회전지지대(11)를 포함하는 지지부(10)와, 상기 지지부(10)의 외측에 마련되며 상하 높이차가 있으며, 상호 좌우측으로 엇갈리게 마련된 제1 내지 제3배출구(21,22,23)가 측면에 다수로 마련된 내부챔버(20)과, 상기 내부챔버(20)의 외측에 접하여 설치되며, 회전에 의해 상기 제1 내지 제3배출구(21,22,23)중 하나의 배출구를 선택적으로 오픈시키는 상호 상하 배치된 제1 내지 제3배출포트(31,32,33)와, 상기 제1 내지 제3배출포트(31,32,33)에 각각 연결되어 처리가스를 회수하는 제1 내지 제3회수튜브(34,35,36)를 포함한다.
Referring to Figure 1 is a wafer wafer processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, the support 10 including a rotary support 11, and the outer side of the support 10 is provided, there is a vertical height difference, mutual The first to third outlets 21, 22, and 23 provided alternately to the left and right sides are provided in contact with the inner chamber 20 provided with a plurality of sides and the outer side of the inner chamber 20, and the first to third through the rotation. First to third discharge ports 31, 32, and 33 disposed up and down to selectively open one of the third discharge ports 21, 22, and 23, and the first to third discharge ports 31, 32 and 33, respectively, and include first to third recovery tubes 34, 35, and 36 for recovering the processing gas.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 처리장치의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration and operation of the single wafer processing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention configured as described above will be described in more detail.

먼저, 지지부(10)는 모터 등의 구동수단을 포함하여, 그 상부측에 마련되에 웨이퍼(도면 미도시)를 지지하는 회전지지대(11)를 회전시킨다. 웨이퍼를 회전시키는 이유는 처리가스에 의해 균일한 처리가 이루어지도록 하기 위한 것이다.
First, the support unit 10 includes a driving means such as a motor, and rotates the rotary support 11 supporting the wafer (not shown) provided on the upper side thereof. The reason for rotating the wafer is to ensure uniform processing by the processing gas.

상기 지지부(10)의 회전지지대(11)의 외측으로는 원통형의 내부챔버(20)이 위치하게 된다. 상기 내부챔버(20)의 측면에는 상중하 세 위치에 제1 내지 제3배출구(21,22,23)이 마련되어 있다.A cylindrical inner chamber 20 is positioned outside the rotation support 11 of the support 10. Side surfaces of the inner chamber 20 are provided with first to third outlets 21, 22, and 23 at upper and lower three positions.

상기 제1배출구(21)는 내부챔버(20)의 측면 상부측에 위치하며, 그 하부측에는 제2배출구(22)가 마련되되 상기 제1배출구(21)에 대하여 우측으로 치우쳐 상호 중첩되지 않는 위치에 마련되어 있다.
The first outlet 21 is located on the upper side of the side of the inner chamber 20, the lower side is provided with a second outlet 22 is a position that does not overlap each other to the right with respect to the first outlet 21 Is provided.

이와 동일하게 제3배출구(23)는 제2배출구(22)의 하부측에서 역시 우측으로 치우친 위치에서 상기 제1배출구(21) 및 제2배출구(22)와는 중첩되지 않는 위치에 위치해 있다.
Similarly, the third outlet 23 is located at a position not overlapping with the first outlet 21 and the second outlet 22 at a position biased to the right side from the lower side of the second outlet 22.

상기 제1 내지 제3배출구(21,22,23)를 제외한 타영역은 기밀이 유지되는 상태가 된다. 즉, 도 1에서는 내부챔버(20)의 상부의 덮개와 바닥면이 생략된 것이며, 지지부(10)에 의해 회전하는 웨이퍼에 처리가스를 분사하는 분사부의 구성도 생략되었다.Other areas except for the first to third outlets 21, 22, and 23 are in a state in which airtightness is maintained. That is, in FIG. 1, the upper cover and the bottom surface of the inner chamber 20 are omitted, and the configuration of the injection unit for injecting the processing gas to the wafer rotated by the support 10 is also omitted.

상기 제1 내지 제3배출구(21,22,23)는 각각 다수로 마련된 것일 수 있으며, 그 배치관계는 앞서 설명한 제1 내지 제3배출구(21,22,23)의 배치관계와 동일하게 배치된다.
The first to third outlets 21, 22, and 23 may be provided in plural numbers, and the arrangement relationship may be the same as that of the first to third outlets 21, 22, and 23 described above. .

상기 내부챔버(20)의 외측에는 원통형의 외부챔버(30)가 결합되며, 그 외부챔버(30)에는 상하로 일렬 배치된 제1 내지 제3배출포트(31,32,33)가 마련되며, 상기 제1 내지 제3배출구(21,22,23) 각각의 수만큼 제1 내지 제3배출포트(31,32,33) 각각이 대응할 수 있는 수로 마련되어 있다.
A cylindrical outer chamber 30 is coupled to the outside of the inner chamber 20, and the outer chamber 30 is provided with first to third discharge ports 31, 32, and 33 arranged up and down in a row. Each of the first to third discharge ports 31, 32, and 33 may correspond to the number of the first to third discharge ports 21, 22, and 23, respectively.

상기 내부챔버(20)와 외부챔버(30)의 사이는 외부챔버(30)가 회전할 수 있는 정도로 밀착되어 있는 것으로, 그 내부챔버(20)와 외부챔버(30)의 사이는 실링되어 그 사이 공간의 상부 또는 하부로 처리가스가 누설되는 것을 방지할 수 있게 된다.
The inner chamber 20 and the outer chamber 30 are in close contact with each other so that the outer chamber 30 can rotate, and between the inner chamber 20 and the outer chamber 30 are sealed and therebetween. The treatment gas can be prevented from leaking to the upper or lower portion of the space.

상기 실링 구조는 동심원형의 회전체를 실링하는 다양한 구조를 사용할 수 있으며, 본 발명은 실링 구조에 의해 한정되지 않는다.
The sealing structure may use a variety of structures for sealing the concentric rotating body, the present invention is not limited by the sealing structure.

이와 같은 구조에서 상기 외부챔버(30)는 사용되는 가스에 따라 회전각도가 결정되어 회전하게 된다.
In this structure, the outer chamber 30 is rotated by determining the rotation angle according to the gas used.

도 2는 상기 내부챔버(20)와 외부챔버(30)의 결합상태 단면 구성도이다.2 is a cross-sectional configuration of the coupling state of the inner chamber 20 and the outer chamber 30.

이에 도시한 바와 같이 내부챔버(20)에는 각각 4개씩의 제1 내지 제3배출구(21,22,23)가 마련되어 있으며, 외부챔버(30)에도 각각 4개씩의 제1 내지 제3배출포트(31,32,33)가 마련되어 있다.As shown in the drawing, four first to third discharge ports 21, 22, and 23 are provided in the inner chamber 20, and four first to third discharge ports 4 are also provided in the outer chamber 30, respectively. 31,32,33 are provided.

이때 제1배출포트(31,32,33)는 상호 상하로 중첩되게 배치되어 도면에 제2배출포트(32) 및 제3배출포트(33)는 도시되지 않았으나, 그 위치는 제1배출포트(31)와 동일한 것으로 생각할 수 있다.
In this case, the first discharge ports 31, 32, and 33 are disposed to overlap each other up and down, so that the second discharge port 32 and the third discharge port 33 are not shown in the drawing, but the position of the first discharge port 31 is not shown. 31 can be considered the same.

상기 제1 내지 제3배출구(21,22,23)는 좌우로 배치되어 상호 중첩되지 않는 것을 알 수 있으며, 도 2에서는 외부챔버(30)의 현 위치에서는 제1배출포트(31)가 제1배출구(21)에 연통되어 제1처리가스를 회수튜브(34)를 통해 회수할 수 있음을 시사한다.
It can be seen that the first to third discharge ports 21, 22, and 23 are disposed to the left and right, and do not overlap each other. In FIG. It communicates with the outlet 21 suggests that the first treatment gas can be recovered through the recovery tube 34.

도 3은 상기 도 2의 상태를 다른 각도로 나타낸 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating the state of FIG. 2 at another angle.

도 3을 참조하면 내부챔버(20)의 최상부에 위치하는 제1배출구(21)가 외부챔버(30)의 제1배출포트(31)에 의해 오픈 되어, 분사부(50)에서 분사된 처리가스가 웨이퍼(W)로 분사되어 그 웨이퍼(W)를 처리한 후, 제1배출포트(31)를 통해 배기하도록 구성된다.
Referring to FIG. 3, the first discharge port 21 positioned at the top of the inner chamber 20 is opened by the first discharge port 31 of the outer chamber 30, and the processing gas injected from the injection unit 50 is removed. Is sprayed onto the wafer W to process the wafer W, and is then exhausted through the first discharge port 31.

이때 상기 제1배출포트(31)는 밸브에 의해 잠겨진 상태로 웨이퍼(W)의 처리가 진행되며, 그 웨이퍼(W)의 처리 후에는 밸브가 열려 제1배출포트(31)를 통해 제1처리가스를 회수함이 가능하게 된다.
At this time, the first discharge port 31 is processed by the wafer W while the valve W is locked. After the processing of the wafer W, the valve is opened and the first process is performed through the first discharge port 31. It is possible to recover the gas.

그 다음, 상기 도 2에서 시계 반대방향으로 상기 외부챔버(30)가 15도 회전하는 경우, 상기 외부챔버(30)의 제1배출포트(31)와 제3배출포트(33)는 내부챔버(20)의 막힌 영역에 위치하게 되어 제1배출포트(31)와 제2배출포트(33)를 통해 배출되는 처리가스는 없는 상태가 된다.
Next, when the outer chamber 30 is rotated 15 degrees counterclockwise in FIG. 2, the first discharge port 31 and the third discharge port 33 of the outer chamber 30 are the inner chamber ( 20, the process gas discharged through the first discharge port 31 and the second discharge port 33 is in a state where it is located in the blocked region.

즉, 도 4와 같이 외부챔버(30)의 제2배출포트(32)가 내부챔버(20)의 제2배출구(32)의 위치에 위치하게 되며, 그 제2배출구(32)와 제2배출포트(32)를 통해 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 제2처리가스를 회수하게 된다.
That is, as shown in FIG. 4, the second discharge port 32 of the outer chamber 30 is positioned at the position of the second discharge port 32 of the inner chamber 20, and the second discharge port 32 and the second discharge port 32 are located at the position of the second discharge port 32. The second processing gas used for the processing of the wafer W is recovered through the port 32.

또한 상기 외부챔버(30)가 시계반대방향으로 다시 15도 회전하게 되면, 도 5에 도시한 바와 같이 외부챔버(30)의 제3배출포트(33)가 내부챔버(20)의 제3배출구(23)에 일치하게 되어 제3배출구(23)와 제3배출포트(33)를 통해 제3처리가스를 배출할 수 있게 된다.
In addition, when the outer chamber 30 is rotated again 15 degrees in the counterclockwise direction, as shown in FIG. 5, the third discharge port 33 of the outer chamber 30 is connected to the third discharge port of the inner chamber 20 ( 23, the third treatment gas can be discharged through the third discharge port 23 and the third discharge port 33.

이와 같이 본 발명은 간단한 구조를 사용하면서도 여러 종류의 처리가스를 분리하여 회수할 수 있게 된다.
As described above, the present invention can separate and recover various types of process gases while using a simple structure.

앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시예에서는 내부챔버(20)에 3개의 배출구가 마련되고, 외부챔버(30)에도 3개의 배출포트가 마련된 것으로 도시하고 설명하였으나, 이는 하나의 실시에 이고, 처리가스의 종류에 맞춰 그 종류의 수와 동일한 수의 배출구 및 배출포트를 마련할 수 있다.
In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3, three outlets are provided in the inner chamber 20 and three outlet ports are also provided in the outer chamber 30, but this is only one embodiment. In accordance with the type of treatment gas, the same number of outlets and discharge ports as the number of types of treatment gas can be provided.

또한 상기 실시예에서는 내부챔버(20)의 배출구들이 상하 중첩되지 않도록 형성된 것으로 도시하고 설명하였으나, 내부챔버(20)의 제1 내지 제3배출구(21,22,23)들이 상하 수직으로 배치되고, 외부챔버(30)에 마련된 제1 내지 제3배출포트(31,32,33)이 상호 상하 배치되되 상호 상하 중첩되지 않도록 엇갈리게 배치될 수 있다.
In addition, in the above embodiment, the outlets of the inner chamber 20 are illustrated and described as not overlapping with each other, but the first to third outlets 21, 22, and 23 of the inner chamber 20 are vertically disposed. The first to third discharge ports 31, 32, and 33 provided in the outer chamber 30 may be disposed upside down to be alternately arranged so as not to overlap each other.

이때의 작용은 외부챔버(30)의 회전에 따라 내부챔버(20)의 배출구가 선택적으로 오픈되는 것으로 역시 상대 회전에 따라 배출구가 선택되기 때문에 앞서 설명한 본 발명의 실시예와는 실질적으로 동일한 동작을 하게 된다.
At this time, since the outlet of the inner chamber 20 is selectively opened according to the rotation of the outer chamber 30, the outlet is selected according to the relative rotation, and thus the operation substantially the same as the above-described embodiment of the present invention. Done.

이처럼 본 발명은 간단한 구조를 사용하며, 웨이퍼의 높낮이를 조절하지 않고도 다양한 종류의 처리가스를 회수하여 재사용하거나, 가스의 종류별로 선택될 수 있는 처리과정을 통해 외기로 배출하는 등의 후처리를 할 수 있게 된다.
As described above, the present invention uses a simple structure, and does not need to adjust the height of the wafer to recover and reuse various kinds of processing gases, or to perform post-treatment such as discharging to the outside through a treatment process that can be selected for each type of gas. It becomes possible.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정, 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention will be.

예를 들어 앞선 실시예들에서는 외부챔버가 회전하는 것으로 설명하였으나, 외부챔버는 고정되고 내부챔버가 회전하는 경우에도 선택적인 처리가스의 배출이 가능하게 된다.
For example, in the above embodiments, the outer chamber is described as being rotated, but the outer chamber is fixed and even when the inner chamber is rotated, it is possible to selectively discharge the processing gas.

10:지지부 11:회전지지대
20:내부챔버 21~23:배출구
30:외부챔버 31~33:배출포트
34~36:회수튜브10: support portion 11: rotating support
20: Inner chamber 21-23: Outlet
30: outer chamber 31 to 33: discharge port
34 ~ 36: Recovery tube

Claims (9)

웨이퍼를 회전 지지하는 지지부;
상기 지지부의 외측을 밀폐하되 상하 배치되는 다수의 배출구를 포함하는 내부챔버; 및
상기 내부챔버와의 상대적인 위치의 변경에 따라 상기 다수의 배출구 중 특정 배출구들을 선택적으로 노출시키는 다수의 배출포트를 구비하는 외부챔버를 포함하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
A support for rotationally supporting the wafer;
An inner chamber including a plurality of outlets configured to seal the outside of the support part and be disposed up and down; And
And an outer chamber having a plurality of outlet ports for selectively exposing specific outlets of the plurality of outlets according to a change in position relative to the inner chamber.
제1항에 있어서,
상기 내부챔버의 배출구들은,
상기 내부챔버의 측면측에 상하 배치되되, 상하로 다른 배출구들과 중첩되지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method of claim 1,
Outlets of the inner chamber,
It is disposed up and down on the side of the inner chamber, the sheet type wafer processing apparatus, characterized in that it is disposed so as not to overlap with the other outlet.
제2항에 있어서,
상기 외부챔버의 배출포트들은,
상기 외부챔버의 측면에 상하로 배치되는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method of claim 2,
Outlet ports of the outer chamber,
Single wafer processing apparatus, characterized in that disposed on the side of the outer chamber up and down.
제3항에 있어서,
상기 외부챔버의 회전에 의해 고정된 내부챔버와의 상대적인 위치를 변경하여, 상기 외부챔버의 특정 높이에 마련된 배출포트를 상기 내부챔버의 특정 높이에 마련된 배출구와 일치시켜, 처리가스를 배출하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method of claim 3,
By changing the position relative to the inner chamber fixed by the rotation of the outer chamber, by matching the discharge port provided at a specific height of the outer chamber with the outlet provided at a specific height of the inner chamber, the process gas is discharged Single wafer processing apparatus.
제3항에 있어서,
상기 내부챔버의 회전에 의해 고정된 외부챔버와의 상대적인 위치를 변경하여, 상기 내부챔버의 특정 높이에 마련된 배출구를 상기 외부챔버의 특정 높이에 마련된 배출포트와 일치시켜, 처리가스를 배출하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method of claim 3,
By changing the position relative to the outer chamber fixed by the rotation of the inner chamber, by matching the discharge port provided at a specific height of the inner chamber with the discharge port provided at a specific height of the inner chamber, the process gas is discharged Single wafer processing apparatus.
제1항에 있어서,
상기 내부챔버의 배출구들은,
상기 내부챔버의 측면측에 상하 배치되는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method of claim 1,
Outlets of the inner chamber,
Single wafer processing apparatus, characterized in that arranged up and down on the side of the inner chamber.
제6항에 있어서,
상기 외부챔버의 배출포트들은,
상기 외부챔버의 측면에 상하로 배치되되, 상호 다른 배출포트들과 중첩되지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method according to claim 6,
Outlet ports of the outer chamber,
It is disposed on the side of the outer chamber up and down, single wafer type processing apparatus, characterized in that disposed so as not to overlap with each other discharge ports.
제7항에 있어서,
상기 외부챔버의 회전에 의해 고정된 내부챔버와의 상대적인 위치를 변경하여, 상기 외부챔버의 특정 높이에 마련된 배출포트를 상기 내부챔버의 특정 높이에 마련된 배출구와 일치시켜, 처리가스를 배출하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.
The method of claim 7, wherein
By changing the position relative to the inner chamber fixed by the rotation of the outer chamber, by matching the discharge port provided at a specific height of the outer chamber with the outlet provided at a specific height of the inner chamber, the process gas is discharged Single wafer processing apparatus.
제7항에 있어서,
상기 내부챔버의 회전에 의해 고정된 외부챔버와의 상대적인 위치를 변경하여, 상기 내부챔버의 특정 높이에 마련된 배출구를 상기 외부챔버의 특정 높이에 마련된 배출포트와 일치시켜, 처리가스를 배출하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 처리장치.The method of claim 7, wherein
By changing the position relative to the outer chamber fixed by the rotation of the inner chamber, by matching the discharge port provided at a specific height of the inner chamber with the discharge port provided at a specific height of the inner chamber, the process gas is discharged Single wafer processing apparatus.
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