KR20130058555A - 태양광 발전장치 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양광 발전장치는 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되는 태양전지 셀들; 및, 상기 태양전지 셀들 상에 형성되는 상부 기판;을 포함하고, 상기 상부 기판 및 하부 기판의 적어도 하나의 기판은 다른 기판을 향해 연장되도록 형성되는 돌출부를 포함한다.

Description

태양광 발전장치{SOLAR CELL APPARATUS}
실시예는 태양광 발전장치에 관한 것이다.
태양전지(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광발전의 핵심소자이다.
예로서 반도체의 pn접합으로 만든 태양전지에 반도체의 금지대폭(Eg: Band-gap Energy)보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되는데, 이들 전자-정공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 모이게 됨에 따라 pn간에 기전력(광기전력: Photovoltage)이 발생하게 된다. 이때 양단의 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 되는 것이 동작원리이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 윈도우층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지에 있어서 낮은 저항, 높은 투과율 등의 전기적인 특성을 향상시키고 생산성을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다.
이러한 태양전지 모듈은 시간의 경과에 따른 전력 변화에 대한 안정성이 요구되어지는데, 주된 이유는 수분이 태양전지 내부로 침투되어 태양전지 셀에 데미지를 주기 때문이다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 태양전지 셀들이 수분에 노출되어 전력량이 감소하는 현상을 개선하고자 한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되는 태양전지 셀들; 및, 상기 태양전지 셀들 상에 형성되는 상부 기판;을 포함하고, 상기 상부 기판 및 하부 기판의 적어도 하나의 기판은 다른 기판을 향해 연장되도록 형성되는 돌출부를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 하부 기판과 상부 기판이 결합부를 포함하여 형성되므로, 태양전지 셀들이 수분에 노출되는 현상을 감소시켜 소자의 수명 및 신뢰성을 개선할 수 있다.
또한 시간의 경과에 따른 전력 감소를 최소화하여 연간 발전량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에서, A를 확대한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 도 1에서, A를 확대한 다른 실시예의 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 바, 프레임, 기판, 홈 또는 막 등이 각 패널, 바, 기판, 홈 또는 막 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1에서, A를 확대한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3 내지 도 5는 도 1에서, A를 확대한 다른 실시예의 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 하부 기판(100), 상기 하부 기판(100)의 상에 형성되는 태양전지 셀들(200), 상기 태양전지 셀들(200) 상에 형성되는 보호막(300), 상기 보호막(300) 상에 형성되는 상부 기판(400)을 포함한다.
상기 하부 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 하부 기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 하부 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 하부 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 하부 기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 태양전지 셀들(200)은 상기 하부 기판(100) 상에 형성될 수 있으며, 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 태양전지 셀들(200)은 사각 플레이트 형상을 가질 수 있다. 상기 태양전지 셀들(200)은 이면전극층, 광 흡수층, 버퍼층, 윈도우층을 포함할 수 있다. 상기 태양전지 셀들(200)은 태양광을 입사받아 전기에너지로 변환시킨다.
상기 태양전지 셀들(200)을 수용하도록 측면에 프레임(미도시)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 프레임은 상기 태양전지 셀들(200)의 4개의 측면에 배치된다. 상기 프레임으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 알루미늄 등의 금속을 들 수 있다.
상기 태양전지 셀들(200)의 상부에는 상기 태양전지 셀들(200)을 보호하는 보호막(300)이 형성될 수 있다. 그리고 상기 보호막(300) 상에 상부 기판(400)이 형성될 수 있으며, 강화유리로 형성될 수 있다. 상기 부품들은 라미네이션 공정에 의해 일체화된다.
상부 기판(400) 및 하부 기판(100)은 태양전지 셀들(200)을 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 상부 기판 및 하부 기판(100)은 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 상부 기판(400) 및 하부 기판(100)에는 돌출부가 형성될 수 있다. 자세하게, 하부 기판(100)에 제1 돌출부(150)가 형성될 수 있고, 상부 기판(400)에 제2 돌출부(450)가 형성될 수 있다.
상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)는 수직으로 중첩되지 않도록 형성된다. 또는 수직으로 중첩되도록 형성될 수도 있다. 상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)가 수직으로 중첩되는 경우, 상기 제1 돌출부(150)의 상면은 제2 돌출부(450)의 하면과 접하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)는 동일한 높이로 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출부(150)의 상면은 상기 상부 기판(400)의 하면과 접할 수 있고, 상기 제2 돌출부(450)의 하면은 상기 하부 기판(100)의 상면과 접하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)는 장방형으로 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)는 각각 하부 기판(100)과 상부 기판(400)을 식각하여 형성될 수 있고, 다른 물질을 접착하여 형성될 수도 있다. 상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)가 하부 기판(100)과 상부 기판(400)을 식각하여 형성되는 경우, 글라스를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제1 돌출부(150)와 제2 돌출부(450)의 측면은 접하도록 형성될 수 있고, 사이에 보호막(300)이 형성되도록 이격될 수도 있다.
보호막(300)은 태양전지 셀들(200)의 상부에 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지 셀들(200)과 일체화되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지 셀들(200)을 충격으로부터 보호한다. 이러한 보호막(300)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다. 상기 보호막(300)은 태양전지 셀들(200)의 하부에도 형성될 수 있다.
상기 보호막(300) 위에 위치하는 상부 기판(400)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 상부 기판(400)은 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.
상기 태양전지 셀들(200)의 상에 접하도록 버스 바(미도시)가 형성된다. 예를 들어, 상기 버스 바(300)는 최 외곽에 배치되는 태양전지 셀들(200)의 상면에 배치된다. 상기 버스 바(300)는 상기 최 외곽에 배치되는 태양전지 셀들(200)의 상면에 직접 접촉할 수 있고, 일단에 형성되는 버스 바와 타단에 형성되는 버스 바는 상호 다른 극성으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 일단에 형성되는 버스 바가 양극으로 동작하는 경우, 타단에 형성되는 버스 바는 음극으로 동작할 수 있다.
정션박스(미도시)는 상기 태양전지 셀들(200)과 전기적으로 연결된다. 상기 정션박스는 하부 기판(100)의 하면에 형성될 수 있으며, 상기 버스 바에 연결된다.
상기 정션박스는 바이패스 다이오드 등을 구비하고, 상기 버스 바 및 케이블과 연결되는 회로기판을 수용할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 버스 바와 상기 회로기판을 연결하기 위한 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 케이블은 상기 회로기판에 연결된다.
도 3은 제2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 상부 기판(400)에는 제2 돌출부(450)가 형성되고, 하부 기판(100)에는 상기 제2 돌출부(450)가 삽입되는 홈(151)이 형성된다. 상기 홈(151)에 상기 제2 돌출부(450)가 일부 삽입될 수 있다.
도 4는 제3 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면도이다. 제3 실시예에서는 상부 기판(400)에는 제2 돌출부(450)가 형성되고, 하부 기판(100)에는 상기 제2 돌출부(450)가 일부 삽입되는 홈(151)이 형성되며, 상기 제2 돌출부(450)의 측면에서 결합되는 측면결합부(500)를 포함한다. 상기 측면결합부(500)는 측면 돌출부(550)를 포함할 수 있으며, 상기 측면 돌출부(550)는 하부 기판(100)의 상면, 상부 기판(400)의 하면 및 제2 돌출부(450)의 측면과 접하도록 형성될 수 있다.
고 5는 제4 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면도이다. 제4 실시예에서는 상부 기판(400)과 접하도록 형성되는 제2 돌출부(451)가 하부를 향해 폭이 좁아지는 삼각뿔 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제2 돌출부(451)는 삼각뿔 외에, 사각뿔, 반구 등의 형상으로 형성될 수 있고, 상기 하부 기판(100)에는 상기 제2 돌출부(451)가 삽입되는 홈(151)이 형성될 수 있다.
도 3 내지 도 5의 실시예에서 돌출부가 상부 기판(400)에 형성되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 하부 기판(100)에 돌출부가 형성되고 상부 기판에 상기 돌출부가 삽입되는 홈이 형성될 수 있다. 또한 상기 돌출부와 홈은 복수개로 형성될 수도 있으며, 기판의 적어도 일단에 형성될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 형성되는 태양전지 셀들; 및,
    상기 태양전지 셀들 상에 형성되는 상부 기판;을 포함하고, 상기 상부 기판 및 하부 기판의 적어도 하나의 기판은 다른 기판을 향해 연장되도록 형성되는 돌출부를 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 돌출부가 접하는 기판과 동일한 물질로 형성되는 태양광 발전장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기판에 형성되는 제1 돌출부; 및 상기 상부 기판에 형성되는 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부 및 제2 돌출부는 수직방향으로 중첩되지 않도록 형성되는 태양광 발전장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기판에 형성되는 제1 돌출부; 및 상기 상부 기판에 형성되는 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부의 상면과 제2 돌출부의 하면이 접하도록 형성되는 태양광 발전장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출부 및 제2 돌출부의 측면이 접하도록 형성되는 태양광 발전장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출부 및 제2 돌출부의 측면이 이격되도록 형성되는 태양광 발전장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상부 기판 및 하부 기판의 적어도 하나의 기판에는 돌출부가 형성되고, 다른 하나의 기판은 상기 돌출부가 삽입되는 홈이 형성되는 태양광 발전장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 돌출부는 삼각뿔, 사각뿔 및 반구 중 적어도 하나의 형상으로 형성되는 태양광 발정장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 돌출부의 측면에 접하는 측면결합부;를 더 포함하는 태양광 발전장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 측면결합부는 측면돌출부를 포함하고, 상기 측면돌출부는 측면이 상기 돌출부의 측면과 접하고, 상면과 하면은 상기 상부 기판 및 하부 기판과 각각 접하는 태양광 발전장치.
  11. 홈을 포함하는 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 형성되는 태양전지 셀들; 및,
    상기 태양전지 셀들 상에 형성되고, 상기 홈과 수직방향으로 중첩되도록 형성되는 돌출부를 포함하는 상부 기판;을 포함하는 태양광 발전장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 상부 기판과 동일한 물질을 포함하는 태양광 발전장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 상부 기판과 하부 기판의 사이에 형성되는 보호막;을 더 포함하는 태양광 발전장치.

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103383973A (zh) * 2013-07-25 2013-11-06 英利能源（中国）有限公司 一种双玻太阳能组件新型封装结构及其制备方法
WO2019208238A1 (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
KR102705231B1 (ko) * 2021-08-23 2024-09-11 주식회사 메카로에너지 태양광 발전모듈 및 그 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4748830B2 (ja) * 2000-03-21 2011-08-17 シチズンホールディングス株式会社 太陽電池付き電子機器及び太陽電池モジュール
FR2815374B1 (fr) * 2000-10-18 2003-06-06 Saint Gobain Vitrage feuillete et ses moyens d'etancheification peripherique
JP2010123556A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Hiroshi Kitamura 色素増感太陽電池用の基板（筐体）
CN102460722B (zh) * 2009-06-05 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 光电转换装置及其制造方法
KR101145927B1 (ko) * 2009-09-28 2012-05-15 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
US20120055550A1 (en) * 2010-09-02 2012-03-08 First Solar, Inc. Solar module with light-transmissive edge seal

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