KR20130058292A

KR20130058292A - Apparatus for shielding electromagnetic wave

Info

Publication number: KR20130058292A
Application number: KR1020110124215A
Authority: KR
Inventors: 안경표
Original assignee: 한국전자통신연구원
Priority date: 2011-11-25
Filing date: 2011-11-25
Publication date: 2013-06-04

Abstract

PURPOSE: An electromagnetic wave shielding device is provided to block electromagnetic waves in every bandwidth including low frequency and high frequency by simultaneously using a conductor layer and a ferrite layer and to improve shielding performance within the low band and the high frequency band. CONSTITUTION: An electromagnetic wave shielding device (100) comprises a circuit board (110) in which circuit segments are located; a molding member (130) which protects the circuit segments (120) being formed on the circuit board and the circuit segments; a conductor layer (140), which blocks the electromagnetic waves, formed on the surface of the molding member; and a ferrite layer (150) shields the electro waves being formed on the conductor layer surface.

Description

Electromagnetic shielding device {APPARATUS FOR SHIELDING ELECTROMAGNETIC WAVE}

본 발명은 전자파 차폐장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전도성 도체 및 페라이트를 동시에 이용하는 전자파 차폐장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic shield, and more particularly, to an electromagnetic shield using both a conductive conductor and ferrite.

휴대폰과 같은 통신 기기 및 각종 RF 전자회로의 소형화에 의해 회로의 집적도가 증가하여 회로부품들 간에 전자파 간섭에 의한 EMI(Electromagnetic Interference)/EMC(Electromagnetic Compatibility) 문제가 발생한다. EMI/EMC를 해결하기 위한 일반적인 전자파 차폐에 대한 기술은 MHz - 수 GHz 대역의 주파수를 대상으로 한다. 그러나 DC-kHz 대역의 EMI/EMC도 존재하므로 이러한 DC-kHz 저주파 신호에 대한 전자파 차폐 기술이 요구된다. 그리고 수십 GHz 이상 대역의 고주파 신호를 사용하는 통신 서비스도 예상되기 때문에, 고주파 신호에 대한 전자파 차폐 기술도 요구된다.Due to the miniaturization of communication devices such as mobile phones and various RF electronic circuits, the degree of integration of circuits increases, and electromagnetic interference (EMI) / electromagnetic compatibility (EMC) problems are caused by electromagnetic interference between circuit components. Common electromagnetic shielding techniques for solving EMI / EMC target frequencies in the MHz to several GHz bands. However, the presence of EMI / EMC in the DC-kHz band also requires electromagnetic shielding techniques for these DC-kHz low-frequency signals. In addition, since a communication service using high frequency signals in the band of several tens of GHz or more is expected, electromagnetic shielding technology for high frequency signals is also required.

보안회로 및 군용회로의 경우에는 저주파 자계 또는 모든 주파수 성분을 갖는 펄스(Pulse)와 같은 신호를 이용하여 누설된 전자파를 해석하여 보안회로의 정보를 읽어내는 부 채널 공격(Side Channel Attack)에 대한 대책으로 저주파 전자파 차폐 기술이 필요하다.In the case of security circuits and military circuits, countermeasures against side channel attacks that use low frequency magnetic fields or signals such as pulses with all frequency components to interpret leaked electromagnetic waves and read information from the security circuits. Low frequency electromagnetic shielding technology is needed.

앞서 언급한 일정한 주파수 대역을 커버하는 주파수 대역에 관한 문제뿐만 아니라, 일정한 주파수 대역에서 전자파를 차폐하는 차폐 성능의 향상도 중요하다. 일반적인 회로보다 특히 보안회로 등의 경우에는 수 cm 이하의 매우 가까운 거리에서 부 채널 공격이 시도될 수 있고, 회로에서 방사(RE)된 매우 미약한 전자파 신호를 증폭시켜 해석할 수 있으므로 전자파 차폐 성능이 일반적인 회로보다 우수해야 한다. 그리고 군용회로의 오동작 및 작동불능을 야기할 목적으로 매우 강한 세기의 전자파 펄스(Electromagnetic Pulse) 공격이 있을 수 있다. 따라서 군용회로에 포함된 반도체 패키지 등과 같은 회로부품들의 전자파 차폐 성능을 향상 시킬 필요가 있다.In addition to the problems related to the frequency band covering the above-mentioned constant frequency band, it is important to improve the shielding performance of shielding electromagnetic waves in the constant frequency band. In general, in case of security circuits, sub-channel attacks can be attempted at very close distances of several centimeters or less, and the electromagnetic wave shielding performance can be improved by amplifying and analyzing very weak electromagnetic signals radiated from the circuits. It should be superior to the general circuit. In addition, there may be a very strong electromagnetic pulse (Electromagnetic Pulse) attack for the purpose of causing a malfunction and inoperability of the military circuit. Therefore, it is necessary to improve the electromagnetic shielding performance of circuit components such as semiconductor packages included in military circuits.

본 발명의 목적은 도체층 및 페라이트층을 동시에 이용하는 전자파 차폐장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding device using a conductor layer and a ferrite layer at the same time.

본 발명의 다른 목적은 저주파 및 고주파 대역 모두에서 전자파를 차폐하는 전자파 차폐장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding device for shielding electromagnetic waves in both low and high frequency bands.

본 발명의 또 다른 목적은 저주파 및 고주파 대역 내에서의 차폐 성능이 향상되는 전자파 차폐장치를 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding device having improved shielding performance in low and high frequency bands.

본 발명의 실시 예에 따른 전자파 차폐장치는 회로부품이 실장된 회로기판, 상기 회로기판 및 상기 회로부품 위에 형성되어 상기 회로부품을 보호하는 몰딩부재, 상기 몰딩부재 표면에 형성되어 전자파를 차폐하는 도체층, 및 상기 도체층 표면에 형성되어 전자파를 차폐하는 페라이트층을 포함한다.The electromagnetic shielding apparatus according to an embodiment of the present invention is a circuit board on which a circuit component is mounted, a molding member formed on the circuit board and the circuit component to protect the circuit component, and a conductor formed on a surface of the molding member to shield electromagnetic waves. And a ferrite layer formed on the surface of the conductor layer to shield electromagnetic waves.

본 발명에 따른 전자파 차폐장치는 도체층 및 페라이트층을 동시에 이용한다. 저주파 및 고주파 대역 모두에서 전자파를 차폐할 수 있다. 저주파 및 고주파 대역 내에서의 차폐 성능이 향상될 수 있다.The electromagnetic shielding apparatus according to the present invention uses a conductor layer and a ferrite layer at the same time. Electromagnetic waves can be shielded in both low and high frequency bands. Shielding performance in the low frequency and high frequency bands can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자파 차폐장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자파 차폐장치를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 전자파 차폐장치를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 QFP(Quad Flat Package) 타입의 전자파 차폐장치를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자파 차폐장치의 제조방법을 나타내는 순서도.1 is a view showing an electromagnetic shield according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an electromagnetic shield according to another embodiment of the present invention.
3 is a view showing an electromagnetic shield according to another embodiment of the present invention.
4 is a view showing an electromagnetic shielding device of a quad flat package (QFP) type according to another embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electromagnetic shielding apparatus according to an embodiment of the present invention.

앞의 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명들은 모두 청구된 발명의 부가적인 설명을 제공하기 위한 예시적인 것이다. 그러므로 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. The foregoing general description and the following detailed description are exemplary and are intended to provide further explanation of the claimed invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. The embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 포함한다고 언급되는 경우에, 이는 그 외의 다른 구성요소를 더 포함할 수도 있다는 것을 의미한다. 그리고 여기에서 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.In this specification, when it is mentioned that a certain element includes an element, it means that it may further include other elements. And each embodiment described and illustrated herein also includes a complementary embodiment thereof. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자파 차폐장치를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 전자파 차폐장치(100)는 회로기판(110), 회로부품(120), 몰딩부재(130), 도체층(140) 및 페라이트층(150)을 포함한다.1 is a view showing an electromagnetic shield according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the electromagnetic shielding apparatus 100 includes a circuit board 110, a circuit component 120, a molding member 130, a conductor layer 140, and a ferrite layer 150.

회로기판(110)은 회로부품(120)을 포함한다. 회로기판(110)은 HTCC(High Temperature Cofired Ceramic) 또는 LTCC(Low Temperature Co-Firedceramic)와 같은 세라믹 기판이나 PCB(Printed Circuit Board) 기판 등을 포함할 수 있다.The circuit board 110 includes a circuit component 120. The circuit board 110 may include a ceramic substrate such as High Temperature Cofired Ceramic (HTCC) or Low Temperature Co-Firedceramic (LTCC), or a printed circuit board (PCB) substrate.

회로부품(120)은 회로기판(110)에 실장된다. 회로부품(120)은 적층세라믹콘덴서(Multi-Layer Ceramic Capacitor, MLCC), 칩 인덕터, 칩 저항, 칩 스위치 등의 칩 부품, 다이오드 등의 회로 소자, 각종 필터, 집적모듈, 인쇄 저항이나 박막 콘덴서, 인덕터, 플레쉬 메모리 등을 포함할 수 있다. 회로부품(120)은 회로기판(110)에 표면실장기술(Surface Mounting Technology, SMT)을 이용하여 실장될 수 있다. 회로의 기능 또는 목적에 따라 실장되는 부품 개수는 변경될 수 있다.The circuit component 120 is mounted on the circuit board 110. The circuit component 120 may include a multilayer ceramic capacitor (MLCC), chip inductors, chip resistors, chip components such as chip switches, circuit elements such as diodes, various filters, integrated modules, printed resistors, thin film capacitors, Inductors, flash memories, and the like. The circuit component 120 may be mounted on the circuit board 110 using a surface mounting technology (SMT). The number of components to be mounted may vary depending on the function or purpose of the circuit.

몰딩부재(130)는 회로기판(110) 및 회로부품(120) 위에 형성되어 회로부품을 보호한다. 에폭시 몰딩 컴파운드, 폴리페닐렌옥사이드(Poly Phenylene Oxide), 에폭시 시트 몰딩(ESM), 실리콘 등 중에서 하나로 구현될 수 있다.The molding member 130 is formed on the circuit board 110 and the circuit component 120 to protect the circuit component. Epoxy molding compound, poly phenylene oxide (Poly Phenylene Oxide), epoxy sheet molding (ESM), it can be implemented in one of silicon, and the like.

도체층(140)은 몰딩부재(130) 표면에 형성되어 전자파를 차폐한다. 도체층(140)은 전자파 차폐용 표면 도금층으로 형성될 수 있으며, 도전성 금속판으로 형성될 수 있다. 도체층(140)은 몰딩부재(130)의 상면 및 측면, 회로기판(110)의 외측 상면에 형성될 수 있다. 도체층(140)은 몰딩부재(130)의 역할과 같이 회로부품(120)을 보호하며, 회로부품(120)에서 발생되는 전자파 및 외부에서 발생되어 회로부품(120)으로 유입되는 전자파를 차단한다. The conductor layer 140 is formed on the surface of the molding member 130 to shield electromagnetic waves. The conductor layer 140 may be formed of a surface plating layer for shielding electromagnetic waves, and may be formed of a conductive metal plate. The conductor layer 140 may be formed on the top and side surfaces of the molding member 130 and the outer top surface of the circuit board 110. The conductor layer 140 protects the circuit component 120 like the molding member 130, and blocks the electromagnetic waves generated from the circuit component 120 and the electromagnetic waves generated from the outside and introduced into the circuit component 120. .

도체층(140)은 상대적으로 저주파 대역보다 고주파 대역에서 전자파 차폐 성능이 우수하다. 주파수가 낮아질수록 전자파 차폐량이 감소한다. 예를 들면 특정한 두께의 도체층을 사용하여 전자파를 차폐하는 경우 5 GHz의 주파수에서는 약 50 dB이 차폐되고, 500 MHz의 주파수에서는 약 10 dB이 차폐되며, 이보다 더 낮은 주파수에서는 더 낮은 차폐 성능을 가지게 될 것이다.The conductor layer 140 has better electromagnetic shielding performance in the high frequency band than the low frequency band. The lower the frequency, the less the electromagnetic shielding amount. For example, shielding electromagnetic waves with a conductor layer of a certain thickness shields about 50 dB at frequencies of 5 GHz, about 10 dB at frequencies of 500 MHz, and lower shielding performance at lower frequencies. Will have.

도체층(140)에 도달한 전자파의 일부는 도체층(140) 내부까지 도달하지 못하고 도체층(140) 표면에서 반사되고, 나머지 일부는 도체층(140) 내부로 투과된다. 투과되는 전자파는 도체층(140)의 표피 두께(Skin Depth)와 관련이 있다. 표피 두께는 전자파가 도체의 표면상에 흐르는 깊이를 나타내는 지표이다. 즉, 특정 주파수 및 특정 도체에서 전자파가 투과할 수 있는 깊이를 의미한다. 이러한 깊이는 도체의 종류 및 전자파의 주파수에 따라서 달라진다. 따라서 특정주파수에서 전자파 차폐 성능을 향상시키기 위해서는 도체층(140)의 두께가 표피 두께보다 두꺼워야 한다. 결국 도체층(140)만으로 전자파를 차폐할 수 있는 저주파 대역을 넓게 하려면 도체층(140)의 두께가 두꺼워야 하고, 경우에 따라서는 도체층(140)의 두께가 현실적으로 제작하기 어려울 정도로 두꺼워져야 할 수 있다.Some of the electromagnetic waves that reach the conductor layer 140 do not reach the inside of the conductor layer 140, but are reflected from the surface of the conductor layer 140, and some of the electromagnetic waves are transmitted into the conductor layer 140. The electromagnetic wave transmitted is related to the skin thickness of the conductor layer 140. Skin thickness is an indicator of the depth at which electromagnetic waves flow on the surface of a conductor. That is, it means a depth through which electromagnetic waves can transmit at a specific frequency and a specific conductor. This depth depends on the type of conductor and the frequency of the electromagnetic waves. Therefore, in order to improve the electromagnetic shielding performance at a specific frequency, the thickness of the conductor layer 140 should be thicker than the skin thickness. After all, in order to widen the low frequency band that can shield the electromagnetic wave only by the conductor layer 140, the thickness of the conductor layer 140 should be thick, and in some cases, the thickness of the conductor layer 140 should be so thick that it is difficult to manufacture realistically. Can be.

페라이트층(150)은 도체층(140) 표면에 형성되어 전자파를 차폐한다. 페라이트층(150)은 주로 저주파 대역의 자계에 대해서 차폐 성능이 우수하고, 주파수가 높아질수록 도체층(140)과 반대로 차폐 성능이 감소한다. 주파수가 높아질수록 차폐 성능이 떨어지는 이유는 페라이트층(150)은 자성물질이고 주파수의 증가에 따라 자성물질의 비투자율(Permeability)이 감소하기 때문이다. 최근에는 수 GHz의 고주파 대역의 전자파를 차폐할 수 있는 페라이트 물질에 대한 연구도 진행되고 있으나, 그보다 주파수가 더 높은 밀리미터파 대역(약 30 GHz)의 전자파를 차폐하기에는 아직 부족하다. 페라이트층(150)은 스프레이 등으로 페라이트 필름으로 구현할 수 있고, 두꺼운 두께의 페라이트층(150)을 형성하기 위해서 페라이트 파우더를 넣은 페라이트 에폭시 또는 페라이트 세라믹으로 구현할 수 있다. 페라이트층(150)은 도체층(140)의 상면 및 측면, 회로기판(110)의 외측 상면에 형성될 수 있다.The ferrite layer 150 is formed on the surface of the conductor layer 140 to shield electromagnetic waves. The ferrite layer 150 mainly has excellent shielding performance against a magnetic field in a low frequency band, and as the frequency increases, shielding performance decreases as opposed to the conductor layer 140. The reason why the shielding performance decreases as the frequency increases is that the ferrite layer 150 is a magnetic material and the permeability of the magnetic material decreases with increasing frequency. Recently, research on ferrite materials capable of shielding electromagnetic waves in the high frequency band of several GHz has been conducted, but it is still insufficient to shield electromagnetic waves in the millimeter wave band (about 30 GHz) having a higher frequency. The ferrite layer 150 may be embodied as a ferrite film by spraying or the like, and may be embodied as ferrite epoxy or ferrite ceramic containing ferrite powder to form a thick ferrite layer 150. The ferrite layer 150 may be formed on the top and side surfaces of the conductor layer 140 and the outer top surface of the circuit board 110.

도 1의 전자파 차폐장치(100)는 도체층(140)과 페라이트층(150)을 동시에 사용한다. 상대적으로 저주파 대역의 전자파는 주로 페라이트층(150)이 차폐하고, 상대적으로 고주파 대역의 전자파는 주로 도체층(140)이 차폐하기 때문에, 저주파 대역을 포함하는 초광대역의 전자파를 차폐할 수 있다.The electromagnetic wave shield 100 of FIG. 1 uses the conductor layer 140 and the ferrite layer 150 simultaneously. Since the electromagnetic wave of the relatively low frequency band is mainly shielded by the ferrite layer 150, and the electromagnetic wave of the relatively high frequency band is mainly shielded by the conductor layer 140, the electromagnetic wave of the ultra wide band including the low frequency band may be shielded.

일반적으로 도체층만을 사용하거나, 페라이트층만을 사용하는 전자파 차폐장치와 비교하여 특정 주파수 대역에서의 차폐 성능이 향상된다. 앞서 설명한 바와 같이 도체층(140)은 주파수가 감소할수록 전자파 차폐 성능이 감소하고, 페라이트층(150)은 주파수가 증가할수록 차폐 성능이 감소한다. 따라서 어딘가의 중간주파수에서는 도체층(140) 및 페라이트층(150) 어느 쪽도 차단 성능이 우수하지 않을 수 있다. 하지만 그 중간주파수에서는 도체층(140) 및 페라이트층(150) 각각의 차폐 성능이 중첩되므로 그 중간주파수에서의 전자파 차폐 성능이 향상될 수 있다. 예를 들면, 그 중간주파수에서 도체층(140)에 의한 전자파 차폐량이 10 dB이고, 페라이트층(150)에 의한 전자파 차폐량이 10 dB이면 본 발명에 따른 전자파 차폐장치(100)은 그 중간주파수에서 약 20 dB의 전자파 차폐량을 가지게 될 것이다. 이와 더불어, 최근에는 더 높은 주파수까지 사용할 수 있는 페라이트의 개발이 진행되고 있기 때문에, 이러한 중간주파수에서의 차폐량은 더욱 향상될 것이고, 더 넓은 주파수대역에서 이러한 중첩효과를 기대할 수 있다.In general, the shielding performance in a specific frequency band is improved compared to the electromagnetic shielding device using only the conductor layer or using only the ferrite layer. As described above, the shielding performance of the conductive layer 140 decreases as the frequency decreases, and the shielding performance of the ferrite layer 150 decreases as the frequency increases. Therefore, at some intermediate frequency, neither the conductor layer 140 nor the ferrite layer 150 may have excellent blocking performance. However, at the intermediate frequency, the shielding performance of each of the conductor layer 140 and the ferrite layer 150 overlaps, so that the electromagnetic shielding performance at the intermediate frequency may be improved. For example, if the electromagnetic shielding amount by the conductor layer 140 is 10 dB at the intermediate frequency, and the electromagnetic shielding amount by the ferrite layer 150 is 10 dB, the electromagnetic shielding apparatus 100 according to the present invention at the intermediate frequency It will have an electromagnetic shielding amount of about 20 dB. In addition, since the development of ferrite that can be used up to a higher frequency in recent years, the shielding amount at these intermediate frequencies will be further improved, and this overlap effect can be expected in a wider frequency band.

도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자파 차폐장치를 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 전자파 차폐장치(200)는 회로기판(210), 회로부품(220), 몰딩부재(230), 도체층(240), 페라이트층(250) 및 제2 도체층(260)을 포함한다.2 is a view showing an electromagnetic shield according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the electromagnetic shielding device 200 includes a circuit board 210, a circuit component 220, a molding member 230, a conductor layer 240, a ferrite layer 250, and a second conductor layer 260. It includes.

도 2의 전자파 차폐장치(200)에 포함되는 회로기판(210), 회로부품(220), 몰딩부재(230), 도체층(240) 및 페라이트층(250)은 앞서 도 1에서 설명한 바와 같으므로 자세한 설명은 생략한다.Since the circuit board 210, the circuit component 220, the molding member 230, the conductor layer 240, and the ferrite layer 250 included in the electromagnetic shielding device 200 of FIG. 2 are the same as those described with reference to FIG. 1, Detailed description will be omitted.

제2 도체층(260)은 페라이트층(250)의 표면에 형성되고, 전자파를 차폐한다. 제2 도체층(260)은 도체층(240)과 마찬가지로 전자파 차폐용 표면 도금층으로 형성될 수 있으며, 도전성 금속판으로 형성될 수 있다. 제2 도체층(260)은 페라이트층(250)의 상면 및 측면, 회로기판(210)의 외측 상면에 형성될 수 있다. 제2 도체층(260)은 상대적으로 저주파 대역보다 고주파 대역의 전자파를 차폐하는 성능이 우수하다.The second conductor layer 260 is formed on the surface of the ferrite layer 250 and shields electromagnetic waves. Like the conductor layer 240, the second conductor layer 260 may be formed of a surface plating layer for shielding electromagnetic waves, and may be formed of a conductive metal plate. The second conductor layer 260 may be formed on the top and side surfaces of the ferrite layer 250 and the outer top surface of the circuit board 210. The second conductor layer 260 is relatively superior in shielding electromagnetic waves in the high frequency band rather than the low frequency band.

도 2의 전자파 차폐장치(200)는 도체층(240), 페라이트층(250) 및 제2 도체층(260)을 동시에 사용한다. 상대적으로 저주파 대역의 전자파는 주로 페라이트층(250)이 차폐하고, 상대적으로 고주파 대역의 전자파는 도체층(240) 및 제2 도체층(260)이 차폐하기 때문에, 저주파 대역을 포함하는 초광대역의 전자파를 차폐할 수 있다. 제2 도체층(260)의 추가 구현으로 전자파 차폐장치(200)의 전체 두께는 도 1의 전자파 차폐장치(100)와 비교하여 조금 증가하더라도, 고주파 대역의 전자파 차폐 성능이 더욱 향상될 수 있다. 그리고 특정 주파수에서는 도체층(240), 제2 도체층(260) 및 페라이트층(250) 각각의 차폐 성능이 중첩되므로 특정 주파수에서의 전자파 차폐 성능도 향상될 수 있다. 그리고 확장된 실시 예로, 도 2의 전자파 차폐장치(200)의 차폐 성능보다 더 우수한 차폐 성능이 필요한 경우에는 도체층(240) 및 페라이트층(250)을 충분한 차단 성능을 가질 수 있도록 여러 층으로 적층하여 전자파 차폐장치를 구현할 수 있다.The electromagnetic wave shield 200 of FIG. 2 simultaneously uses the conductor layer 240, the ferrite layer 250, and the second conductor layer 260. Since the electromagnetic wave in the relatively low frequency band is mainly shielded by the ferrite layer 250, and the electromagnetic wave in the relatively high frequency band is shielded by the conductor layer 240 and the second conductor layer 260, the ultra wide band including the low frequency band is included. It can shield electromagnetic waves. Further implementation of the second conductor layer 260, even if the total thickness of the electromagnetic shield 200 is slightly increased compared to the electromagnetic shield 100 of Figure 1, the electromagnetic shielding performance of the high frequency band can be further improved. In addition, since shielding performance of the conductor layer 240, the second conductor layer 260, and the ferrite layer 250 overlap each other at a specific frequency, electromagnetic shielding performance at a specific frequency may be improved. In an extended embodiment, when the shielding performance of the electromagnetic shielding device 200 of FIG. 2 is required to be superior to the shielding performance, the conductor layer 240 and the ferrite layer 250 may be laminated in various layers to have sufficient blocking performance. By implementing an electromagnetic shielding device.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 전자파 차폐장치를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 전자파 차폐장치(300)는 회로기판(310), 회로부품(320), 몰딩부재(330), 도체층(340) 및 페라이트층(350)을 포함한다.3 is a view showing an electromagnetic shield according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the electromagnetic shielding apparatus 300 includes a circuit board 310, a circuit component 320, a molding member 330, a conductor layer 340, and a ferrite layer 350.

도 3의 전자파 차폐장치(300)에서는 도체층(340) 및 페라이트층(350)이 형성되는 위치가 도 1의 전자파 차폐장치(100)와 비교하여 반대로 구현되어 있다. 즉, 페라이트층(350)이 몰딩부재(330)의 표면에 형성되고, 도체층(340)은 페라이트층(350)의 표면에 형성된다. 페라이트층(350)이 회로부품(320) 및 몰딩부재(330)에 영향이 적은 경우에 도 3의 전자파 차폐장치(300)와 같이 구현할 수 있다.In the electromagnetic shielding apparatus 300 of FIG. 3, the positions at which the conductor layer 340 and the ferrite layer 350 are formed are reversed as compared with the electromagnetic shielding apparatus 100 of FIG. 1. That is, the ferrite layer 350 is formed on the surface of the molding member 330, and the conductor layer 340 is formed on the surface of the ferrite layer 350. When the ferrite layer 350 has little influence on the circuit component 320 and the molding member 330, the ferrite layer 350 may be implemented like the electromagnetic shield 300 of FIG. 3.

도 3의 회로기판(310), 회로부품(320), 몰링부재(330)은 앞서 도 1에서 설명한 바와 같으므로 자세한 설명은 생략한다.Since the circuit board 310, the circuit component 320, and the molding member 330 of FIG. 3 are the same as described above with reference to FIG. 1, a detailed description thereof will be omitted.

도 3의 전자파 차폐장치(300)는 도체층(340) 및 페라이트층(350)을 동시에 사용한다. 상대적으로 저주파 대역의 전자파는 주로 페라이트층(350)이 차폐하고, 상대적으로 고주파 대역의 전자파는 도체층(340)이 차폐하기 때문에, 저주파 대역을 포함하는 초광대역의 전자파를 차폐할 수 있다. 그리고 특정 주파수에서는 도체층(340) 및 페라이트층(350) 각각의 차폐 성능이 중첩되므로 특정 주파수에서의 전자파 차폐 성능이 향상될 수 있다. 그리고 도 3의 전자파 차폐장치(300)의 차폐 성능보다 더 우수한 차폐 성능이 필요한 경우에는 도체층(340) 및 페라이트층(350)을 충분한 차단 성능을 가질 수 있도록 여러 층으로 적층하여 전자파 차폐장치를 구현할 수 있다.The electromagnetic wave shield 300 of FIG. 3 simultaneously uses the conductor layer 340 and the ferrite layer 350. Since the electromagnetic wave of the relatively low frequency band is mainly shielded by the ferrite layer 350, and the electromagnetic wave of the relatively high frequency band is shielded by the conductor layer 340, the electromagnetic wave of the ultra wide band including the low frequency band may be shielded. In addition, since shielding performance of each of the conductor layer 340 and the ferrite layer 350 overlaps at a specific frequency, electromagnetic shielding performance at a specific frequency may be improved. In addition, when better shielding performance is required than the shielding performance of the electromagnetic shielding apparatus 300 of FIG. 3, the electromagnetic shielding apparatus is formed by stacking the conductor layer 340 and the ferrite layer 350 in various layers so as to have sufficient shielding performance. Can be implemented.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 QFP(Quad Flat Package) 타입의 전자파 차폐장치를 나타내는 도면이다. 도 4를 참조하면, 전자파 차폐장치(400)는 회로기판(410), 회로부품(420), 몰딩부재(430), 도체층(440), 페라이트층(450), 절연체(460) 및 리드부(470)를 포함한다.4 is a diagram illustrating an electromagnetic shielding apparatus of a quad flat package (QFP) type according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the electromagnetic shielding device 400 includes a circuit board 410, a circuit component 420, a molding member 430, a conductor layer 440, a ferrite layer 450, an insulator 460, and a lead part. 470.

도 4의 전자파 차폐장치(400)에 포함되는 회로기판(410), 회로부품(420), 몰딩부재(430), 도체층(440) 및 페라이트층(450)는 앞서 도 1에서 설명한 바와 같으므로 자세한 설명은 생략한다.Since the circuit board 410, the circuit component 420, the molding member 430, the conductor layer 440, and the ferrite layer 450 included in the electromagnetic shielding device 400 of FIG. 4 are the same as described above with reference to FIG. 1. Detailed description will be omitted.

도 4의 전자파 차폐장치(400)는 QFP타입으로 구현되며, 회로부품(420) 및 리드부(470)는 상호간 와이어(480)로 연결되어 있다. 도체층(440)은 전자파 차폐용 표면 도금층으로 형성되거나, 도전성 금속판으로 형성될 수 있기 때문에 리드부(470)와 격리되어야 한다. 도 4의 전자파 차폐장치(400)에서는 도체층(440)과 리드부(470) 사이에 절연체(460)를 삽입하여 도체층(440)과 리드부(470)를 격리할 수 있다.The electromagnetic wave shield 400 of FIG. 4 is implemented as a QFP type, and the circuit component 420 and the lead unit 470 are connected to each other by a wire 480. Since the conductor layer 440 may be formed of a surface plating layer for shielding electromagnetic waves, or may be formed of a conductive metal plate, the conductor layer 440 should be isolated from the lead portion 470. In the electromagnetic shielding apparatus 400 of FIG. 4, an insulator 460 may be inserted between the conductor layer 440 and the lead part 470 to isolate the conductor layer 440 from the lead part 470.

도 4의 전자파 차폐장치(400)는 도체층(440) 및 페라이트층(450)을 동시에 사용한다. 상대적으로 저주파 대역의 전자파는 주로 페라이트층(450)이 차폐하고, 상대적으로 고주파 대역의 전자파는 도체층(440)이 차폐하기 때문에, 저주파 대역을 포함하는 초광대역의 전자파를 차폐할 수 있다. 그리고 특정 주파수에서는 도체층(440) 및 페라이트층(450) 각각의 차폐 성능이 중첩되므로 특정 주파수에서의 전자파 차폐 성능이 향상될 수 있다.The electromagnetic wave shield 400 of FIG. 4 simultaneously uses the conductor layer 440 and the ferrite layer 450. Since the electromagnetic wave of the relatively low frequency band is mainly shielded by the ferrite layer 450, and the electromagnetic wave of the relatively high frequency band is shielded by the conductor layer 440, the electromagnetic wave of the ultra wide band including the low frequency band may be shielded. In addition, since shielding performance of each of the conductor layer 440 and the ferrite layer 450 overlaps at a specific frequency, electromagnetic shielding performance at a specific frequency may be improved.

보다 높은 전자차 차폐 성능을 얻기 위해서 도 4의 전자파 차폐장치(400)에 포함된 페라이트층(450)의 표면에 제2 도체층(미도시)을 형성할 수 있고, 이 경우 제2 도체층(미도시) 역시 도체층(440)과 마찬가지로 리드부(470)와 격리되어야 하기 때문에 절연체(460) 상부에 형성되어야 한다. 그리고 페라이트층(450)이 회로부품(420) 및 몰딩부재(430)에 영향이 적은 경우에 도 3의 전자파 차폐장치(300)와 같이 페라이트층(450)이 몰딩부재(430)의 표면에 형성되고, 도체층(440)은 페라이트층(450)의 표면에 형성될 수 있다.In order to obtain higher electromagnetic shielding performance, a second conductor layer (not shown) may be formed on the surface of the ferrite layer 450 included in the electromagnetic shielding apparatus 400 of FIG. 4, and in this case, the second conductor layer ( Like the conductor layer 440, it should be formed on the insulator 460 because it must be isolated from the lead part 470. When the ferrite layer 450 has little influence on the circuit component 420 and the molding member 430, the ferrite layer 450 is formed on the surface of the molding member 430 as in the electromagnetic shielding apparatus 300 of FIG. 3. The conductor layer 440 may be formed on the surface of the ferrite layer 450.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자파 차폐장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다. 도 5를 참조하면, 전자파 차폐장치의 제조방법은 S110 단계 내지 S130 단계를 포함한다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electromagnetic shielding apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the method of manufacturing the electromagnetic shielding apparatus includes steps S110 to S130.

S110 단계에서는, 회로부품이 실장된 회로기판 및 회로 부품 위에 몰딩부재를 형성한다. 형성되는 몰딩부재는 회로부품을 보호하며, 에폭시 몰딩 컴파운드, 폴리페닐렌옥사이드(Poly Phenylene Oxide), 에폭시 시트 몰딩(ESM), 실리콘 등 중에서 하나로 구현될 수 있다.In step S110, the molding member is formed on the circuit board and the circuit component on which the circuit component is mounted. The formed molding member protects the circuit component and may be implemented as one of an epoxy molding compound, poly phenylene oxide, epoxy sheet molding (ESM), and silicon.

S120 단계에서는, S110 단계에서 형성된 몰딩부재 표면에 도체층을 형성한다. 도체층은 회로부품을 보호하며, 회로부품에서 발생되는 전자파 및 외부에서 발생되어 회로부품으로 유입되는 전자파를 차단한다. 형성되는 도체층은 상대적으로 고주파 대역의 전자파를 차폐하며, 전자파 차폐용 표면 도금층으로 형성될 수 있고, 도전성 금속판으로도 형성될 수 있다. 도체층은 몰딩부재의 상면 및 측면, 회로기판의 외측 상면에 형성될 수 있다.In step S120, the conductor layer is formed on the molding member surface formed in step S110. The conductor layer protects the circuit components and blocks the electromagnetic waves generated from the circuit components and the electromagnetic waves generated from the outside and introduced into the circuit components. The formed conductor layer shields electromagnetic waves in a relatively high frequency band, and may be formed as a surface plating layer for shielding electromagnetic waves, and may also be formed as a conductive metal plate. The conductor layer may be formed on the top and side surfaces of the molding member and the outer top surface of the circuit board.

S130 단계에서는, S120 단계에서 형성된 도체층 표면에 페라이트층을 형성한다. 페라이트층은 상대적으로 저주파 대역의 전자파를 차폐하며, 스프레이 등으로 페라이트 필름으로 구현할 수 있고, 더 두꺼운 두께의 페라이트층을 형성하기 위해서 페라이트 파우더를 넣은 페라이트 에폭시 또는 페라이트 세라믹으로 구현할 수 있다. 페라이트층은 도체층의 상면 및 측면, 회로기판의 외측 상면에 형성될 수 있다.In step S130, a ferrite layer is formed on the surface of the conductor layer formed in step S120. The ferrite layer shields electromagnetic waves in a relatively low frequency band, and may be implemented as a ferrite film by spraying or the like, and may be implemented by ferrite epoxy or ferrite ceramic containing ferrite powder to form a thicker ferrite layer. The ferrite layer may be formed on the upper and side surfaces of the conductor layer and the outer upper surface of the circuit board.

도 5의 제조방법으로 제조되는 전자파 차폐장치는 도체층 및 페라이트층을 동시에 사용한다. 상대적으로 저주파 대역의 전자파는 주로 페라이트층이 차폐하고, 상대적으로 고주파 대역의 전자파는 주로 도체층이 차폐하기 때문에, 저주파 대역을 포함하는 초광대역의 전자파를 차폐할 수 있다. 그리고 도체층 및 페라이트층 각각의 차폐 성능이 중첩되므로 전자파 차폐 성능이 향상될 수 있다. 그리고 도 5의 제조방법으로 제조되는 전자파 차폐장치의 차폐 성능보다 더 우수한 차폐 성능이 필요한 경우에는 도체층 및 페라이트층을 충분한 차단 성능을 가질 수 있도록 여러 층으로 적층하여 전자파 차폐장치를 제조할 수 있다.The electromagnetic shielding device manufactured by the manufacturing method of FIG. 5 simultaneously uses a conductor layer and a ferrite layer. Since the electromagnetic wave in the relatively low frequency band is mainly shielded by the ferrite layer, and the electromagnetic wave in the relatively high frequency band is mainly shielded by the conductor layer, it is possible to shield the electromagnetic wave of the ultra-wide band including the low frequency band. In addition, the shielding performance of each of the conductor layer and the ferrite layer overlaps, so that the electromagnetic shielding performance may be improved. In addition, when better shielding performance is required than the shielding performance of the electromagnetic shielding device manufactured by the manufacturing method of FIG. 5, the electromagnetic shielding device may be manufactured by stacking the conductor layer and the ferrite layer in several layers so as to have sufficient shielding performance. .

본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한 각 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있다. 또한, 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허 청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. In addition, although specific terms are used herein, they are used for the purpose of describing the present invention only and are not used to limit the scope of the present invention described in the claims or the claims. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims of the present invention as well as the claims of the following.

Claims

A circuit board on which circuit components are mounted;
A molding member formed on the circuit board and the circuit component to protect the circuit component;
A conductor layer formed on the molding member surface to shield electromagnetic waves; And
Electromagnetic shielding device including a ferrite layer formed on the surface of the conductor layer to shield the electromagnetic waves.