KR20130054884A - 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130054884A KR20130054884A KR1020110120539A KR20110120539A KR20130054884A KR 20130054884 A KR20130054884 A KR 20130054884A KR 1020110120539 A KR1020110120539 A KR 1020110120539A KR 20110120539 A KR20110120539 A KR 20110120539A KR 20130054884 A KR20130054884 A KR 20130054884A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quantum rod
- layer
- quantum
- substrate
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 201
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- -1 HgSe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133604—Direct backlight with lamps
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판의 상의 각 화소영역에 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 형성되며 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층과; 상기 퀀텀 로드층 상부에 형성된 제 2 전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 외측면에 구비되는 백라이트 유닛을 포함하는 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 퀀텀 로드 발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광효율을 극대화시킨 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다.
대표적인 평판표시장치로서 액정표시장치가 가장 널리 보급되어 이용되고 있다.
하지만, 액정표시장치는 도 1(일반적인 액정표시장치의 개략적인 단면 구성을 나타낸 도면)을 참조하면, 제 1 및 제 2 기판(미도시)과 배향막(미도시)과 컬러필터층(미도시) 및 액정층(미도시)을 포함하는 액정패널(10)과 다수의 광학필름(22)을 포함하는 백라이트 유닛(20)과, 상/하부 편광판(31, 32)을 포함하여 구성되고 있다.
즉, 액정표시장치(1)는 그레이 레벨이 구현을 위해 액정층(미도시)을 포함하여 다수의 광학필름(22)과 편광판(31, 32)을 필요로 하고 있으며, 풀 컬러를 표현하기 위해 액정패널 내에 컬러필터층(미도시)을 필요로 하고 있다.
따라서, 액정표시장치(1)는 상기 백라이트 유닛(20)의 광원(미도시)으로부터 나온 빛은 이들 다수의 광학필름(22)과 컬러필터층(미도시) 및 편광판(31, 32)을 투과하면서 대부분이 소실되어 투과율 저하를 일으키고 있다.
즉, 액정표시장치(1)는 백라이트 유닛(20)의 광원(미도시)으로부터 나온 빛량을 100이라 할 때 최종적으로 액정표시장치(1)를 투과하여 나온 빛량은 5 내지 10 정도가 되므로 투과효율이 매우 낮다.
따라서 액정표시장치(1)는 표시소자로서 적절한 휘도 구현을 위해 백라이트 유닛(20)으로부터 나오는 빛의 휘도를 늘려야 하므로 소비전력이 증가되며, 더욱이 제조를 위해 요구되는 부품수가 많아 제조 비용을 저감시키는데 많은 어려움이 있다.
따라서 최근에는 이러한 액정표시장치(1)의 저투과율의 문제를 해결하여 소비전력을 저감시키고 상대적으로 구비되는 구성요소가 작아 제조 비용을 저감시킬 수 있는 새로운 평판표시장치가 요구되고 있다.
한편, 이러한 시대적 요구에 부응하여 별도의 편광판과 컬러필터층 및 광학필름을 필요로 하지 않는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자가 제안되었다.
이러한 유기전계 발광소자(organic electroluminescent device)는, 전자 주입 전극인 음극과 정공 주입 전극인 양극 사이에 형성된 유기 발광층에 전하를 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다.
이러한 유기전계 발광소자는 플라스틱과 같은 유연한 기판(flexible substrate) 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 자체 발광에 의해 색감이 뛰어나며, 액정표시장치에 비해 낮은 전압에서 (10V 이하) 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적다는 장점이 있다.
하지만, 이러한 유기전계 발광소자는 유기 발광층을 이루는 유기 발광 물질의 라이프 타임이 발광하는 색별로 큰 차이가 있고 특히 청색 발광 물질의 경우 상대적으로 작은 라이프 타임을 가짐으로서 통상적인 표시장치의 수명보다 작은 문제가 발생되고 있다.
따라서, 여전히 고투과율을 가지며 저소비전력 구동이 가능하고 동시에 액정표시장치 수준의 수명을 갖는 평판표시장치가 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은, 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 편광판을 필요로 하지 않아 큰 투과 효율을 가지며 액정표시장치 대비 간단한 구성을 가져 제조 비용을 저감시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치는, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판의 상의 각 화소영역에 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 형성되며 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층과; 상기 퀀텀 로드층 상부에 형성된 제 2 전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 외측면에 구비되는 백라이트 유닛을 포함한다.
상기 퀀텀 로드층은 각 화소영역별로 패터닝되어 형성되며, 상기 화소영역은 적, 녹, 청색을 발광하는 제 1, 2, 3 화소영역으로 나뉘며, 상기 퀀텀 로드층은 상기 제 1, 2, 3 화소영역별로 서로 다른 크기를 갖는 퀀텀 로드를 구비한 것이 특징이며, 이때, 상기 제 2 기판에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 구비될 수 있다.
또한, 상기 화소영역은 적, 녹, 청색을 발광하는 제 1, 2, 3 화소영역으로 나뉘며, 상기 퀀텀 로드층은 화소영역 구분없이 상기 다수의 화소영역이 구비된 표시영역 전면에 동일한 크기의 퀀텀 로드를 구비하여 형성되며, 상기 제 2 기판에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 구비된 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 1 기판에는 적, 녹, 청색을 나타내는 제 1, 2, 3 화소영역이 구비되며, 상기 퀀텀 로드층은 각 화소영역에 동일한 크기의 퀀텀 로드를 구비하며, 상기 제 2 기판에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 구비된 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 기판에는 상기 서로 교차하여 상기 각 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 제 1 전극은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 것이 특징이다.
상기 다수의 퀀텀 로드가 일 방향으로 배향되었다고 하는 것은, 수평 방향의 편광비 PRh 와 수직 방향의 편광비 PRv를 각각 PRh = Ih/(Ih+Iv), PRv = Iv/(Ih+Iv) 이라 정의할 때, 상기 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 즉, 0.5 < PRh(또는 PRv)< 1 을 만족시키는 것을 의미하는 것이 특징이다.
상기 퀀텀 로드는, 코어만으로 이루어지거나, 또는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 상기 쉘은 단축과 장축을 갖는 형태를 이루며 단축 대 장축의 비가 1:1.1 내지 1:30인 것이 특징이다.
그리고, 상기 퀀텀 로드의 코어는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나를 이루며, 상기 쉘은 상기 퀀텀 로드의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징이다. 이때, 상기 쉘은 단일층 또는 다중층 구조를 이룰 수 있으며, 상기 쉘은 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
상기 코어는 주기율표 상의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 또는 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다. 이때, 상기 퀀텀 로드의 코어는 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며, Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며, Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 1 전극과 상기 퀀텀 로드층 사이에는 배향 처리된 배향막 또는 자기조립단분자막이 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 전극과 상기 퀀텀 로드 내부에는 막대 형태를 갖는 메소겐 물질이 포함되며, 상기 메소겐 물질은 상기 퀀텀 로드 거동을 유도할 수 있는 능력을 가진 기(group)를 포함하며 UV광 조사에 의해 중합반응을 발생시켜 인접한 물질의 배향 방향을 따라 배열되는 특성을 갖는 물질인 것이 특징이다.
또한, 상기 백라이트 유닛은 430nm 이하의 단파장을 갖는 청색 또는 UV(ultra violet)광을 발생시키는 것이 특징이다.
또한, 상기 백라이트 유닛은, 반사판과, 상기 반사판 상부에 위치한 도광판과, 상기 도광판 측면에 위치하는 광원과 상기 도광한 상부에 위치하는 다수의 광학시트로 구성된 에지형 백라이트 유닛이거나, 또는 반사판과, 상기 반사판 상부에 위치하는 광원과, 상기 광원 상부에 위치하는 확산판과, 상기 확산판 상부에 위치하는 다수의 광학시트로 구성된 직하형 백라이트 유닛인 것이 특징이다.
본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법은, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상의 각 화소영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부에 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층을 형성하는 단계와; 상기 퀀텀 로드층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주하도록 제 2 기판을 위치시키는 합착하는 단계와; 상기 제 1 기판의 외측면에 백라이트 유닛을 실장하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극 위로 주쇄와 측쇄로 이루어진 배향막을 형성하는 단계와; 상기 배향막을 표면처리하여 상기 측쇄가 일방향으로 배열되도록 하는 단계와; 상기 표면처리된 배향막 상부에 퀀텀 로드 액을 도포하여 상기 퀀텀 로드층을 형성하는 단계와; 상기 퀀텀 로드층을 경화시키는 단계를 포함한다.
상기 배향막의 표면처리는 러빙, UV광 조사, 이온빔 조사 중 어느 하나인 것이 특징이다.
그리고, 상기 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층을 형성하는 단계는, 상기 퀀텀 로드가 포함된 퀀텀 로드액에 메소겐 물질을 혼합한 후, 상기 메소겐 물질이 포함된 상기 퀀텀 로드액을 상기 제 1 전극 위로 도포하여 상기 퀀텀 로드층을 형성하고, 상기 퀀텀 로드층에 대해 UV광을 조사하여 상기 메소겐 물질이 중합반응을 일으켜 상기 퀀텀 로드가 일 방향으로 배열되도록 하는 단계를 포함하는 리액티브 메소겐 법을 이용하는 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 전극을 형성하기 전에 상기 제 1 기판상에 서로 교차하여 상기 각 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 위로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 전극은 각 화소영역 내에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하도록 형성하는 것이 특징이다.
그리고, 상기 퀀텀 로드층은, 퀀텀 로드액을 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅을 실시하여 상기 화소영역의 구분없이 상기 제 1 기판의 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역 전면에 형성하거나, 또는 퀀텀 로드액을 잉크젯 장치를 이용한 잉크젯법 또는 스크린 마스크를 이용한 스크린 프린팅법을 이용하여 각 화소영역별로 분리되도록 형성하는 것이 특징이다.
또한, 상기 퀀텀 로드층은 각 화소영역별로 분리 형성하는 경우, 적, 녹, 청색을 나타내는 화소영역별로 퀀텀 로드의 크기를 달리하도록 형성하는 것이 특징이다.
이때, 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 각 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 반복되는 형태를 갖는 컬러필터층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 각 화소영역의 경계에 블랙매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징이다.
본 발명에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치는 편광판을 필요로 하지 않으므로, 편광판이 구비됨으로써 휘도 특성이 저하되며 이렇게 저하된 휘도 특성을 향상시키고자 더 밝은 광원을 구비함으로써 소비전력이 증가되는 액정표시장치 대비 고 휘도 특성 및 저 소비전력 특성을 갖는 장점이 있다.
나아가 퀀텀 로드층 내부에 구비되는 퀀텀 로드가 일 방향으로 배향된 구성을 가짐으로써 백라이트 유닛으로부터 나온 빛을 더욱 잘 흡수하여 형광시키므로 더욱더 휘도 특성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 퀀텀 로드 표시장치는 편광판 등을 필요로 하지 않으므로 액정표시장치 대비 제조에 필요로 되는 부품수를 줄일 수 있으므로 제조비용을 저감시키는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 개략적인 단면 구성을 나타낸 도면.
도 2는 퀀텀 로드의 형태를 나타낸 도면.
도 3은 퀀텀 로드에 전기장을 인가하기전과 후의 전자와 전공 상태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예의 제 1 및 제 2 변형예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치에 있어 퀀텀 로드층이 구비되는 제 1 기판에 구비된 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 7a 내지 7b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 배향막을 이용한 배향법을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 배향막을 이용한 또 다른 배향법을 도시한 도면.
도 9a 내지 9b는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 자기조립단분자를 이용한 배향법을 도시한 도면.
도 10은 본 발명에 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시소자의 제조 단계 중 퀀텀 로드의 배향법을 진행한 후 퀀텀로드층을 형성한 후 상기 퀀텀로드층의 표면을 확대하여 찍은 사진.
도 11은 비교예로서 배향법을 적용하지 않고 형성된 퀀텀 로드층 표면을 확대하여 찍은 사진.
도 2는 퀀텀 로드의 형태를 나타낸 도면.
도 3은 퀀텀 로드에 전기장을 인가하기전과 후의 전자와 전공 상태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예의 제 1 및 제 2 변형예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치에 있어 퀀텀 로드층이 구비되는 제 1 기판에 구비된 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 7a 내지 7b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 배향막을 이용한 배향법을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 배향막을 이용한 또 다른 배향법을 도시한 도면.
도 9a 내지 9b는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 자기조립단분자를 이용한 배향법을 도시한 도면.
도 10은 본 발명에 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시소자의 제조 단계 중 퀀텀 로드의 배향법을 진행한 후 퀀텀로드층을 형성한 후 상기 퀀텀로드층의 표면을 확대하여 찍은 사진.
도 11은 비교예로서 배향법을 적용하지 않고 형성된 퀀텀 로드층 표면을 확대하여 찍은 사진.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치에 대하여 상세히 설명한다.
우선, 본 발명에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치에 구비되는 가장 특징적인 구성인 퀀텀 로드층을 이루는 퀀텀 로드에 대해 간단히 설명한다.
도 2는 퀀텀 로드의 일반적인 형태를 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 퀀텀 로드(quantum rod)(156)는 중심을 이루는 코어(core)(157)와 상기 코어(157)를 감싸는 쉘(shell)(158)로 이루어지고 있다. 이때, 도면에서는 상기 퀀텀 로드(156)는 코어(157)와 이를 감싸는 쉘(158)로 이루어지는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 쉘(158)은 생략될 수 있으며, 이 경우, 상기 퀀텀 로드는 코어(157)만으로 이루어질 수도 있다.
상기 코어(157)는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도면에서는 일례로 구 형태를 이루는 것을 도시하였다.
한편, 코어(157)만으로 퀀텀 로드(156)를 이루는 경우, 상기 코어(157)는 타원구 또는 막대 형태를 이루는 것이 특징이다.
또한, 상기 퀀텀 로드(156)가 코어(157)를 감싸는 쉘(158)을 포함하는 경우, 상기 코어(157)는 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 형태를 이룰 수 있으며, 이를 감싸는 상기 쉘(158)은 장축과 단축을 가는 로드(rod) 형태를 가지며, 상기 퀀텀 로드(156)의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이룰 수 있다.
또한, 상기 쉘(158)은 단일층 또는 다중층 구조로 가질 수 있으며, 합금(alloy), 옥사이드 계열의 물질 또는 불순물이 도핑된 물질 중 어느 하나 또는 둘 이상이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
이때, 상기 쉘(158)은 그 단축 대 장축의 비율이 1:1.1 내지 1:30의 범위를 가짐으로써 다양한 비율을 가질 수 있는 것이 특징이다.
또한, 이러한 구성을 갖는 퀀텀 로드(156)의 한 구성요소인 코어(157)는 주기율 표의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 혹은 그것의 혼합된 물질로 이루어질 수 있다.
상기 퀀텀 로드(156)의 코어(157)가 주기율표의 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 퀀텀 로드(156)의 코어(157)가 주기율표의 Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 퀀텀 로드(156)의 코어(157)가 주기율표의 Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5 중 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 물질과 장축 대 단축 비율을 갖는 퀀텀 로드(156)는 동일한 물질의 코어(157)로 구성되더라도 상기 코어(157)의 크기에 따라 형광 파장이 달라지는 특징을 갖는다.
즉, 상기 코어(157)의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 형광을 내며 크기가 커질수록 긴 파장의 형광을 발생시킨다.
따라서 퀀텀 로드는 코어(157) 크기를 조절함으로써 원하는 가시광선 영역대의 빛을 거의 다 형광 할 수 있는 것이 특징이다.
전술한 바와 같은 물질로 이루어지는 퀀텀 로드(156)는 도 3(퀀텀 로드에 전기장을 인가하기 전과 후의 전자와 전공 상태를 나타낸 도면)에 도시한 바와같이, 코어(157) 그 자체 또는 상기 코어(157)를 감싸는 쉘(158)은 장축과 단축을 갖는 형태를 이루고 있다.
따라서, 상기 장축과 단축을 갖는 쉘(158) 또는 코어(157)의 장축 방향으로 전기장을 인가하기 전에는 상기 코어(157) 내에 전자와 정공이 결합된 상태를 이루고 있지만, 상기 쉘(158) 또는 코어(157)의 장축 방향으로 전기장이 가해지면 전자(e)와 정공(h)이 상기 코어(157) 내부 또는 상기 코어(157)와 쉘(158) 사이에서 공간적으로 분리됨으로써 밴드 갭의 분리를 유도할 수 있는 것이 특징이며, 이에 따라 퀀텀 로드(156)로부터 발광되는 형광량 또는 발광량 조절이 가능함으로써 이러한 퀀텀 로드로 이루어진 퀀텀 로드층으로부터 발광되는 빛은 그레이 레벨을 구현할 수 있는 것이다.
이러한 퀀텀 로드(156)는 자체 양자효율(quantum yield)이 이론상으로 100%가 되므로 매우 센 형광을 발생시킬 수 있는 것이 또 다른 특징이다.
이후에는 전술한 특성을 갖는 퀀텀 로드를 구비함으로써 표시소자로서 역할을 하는 본 발명에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치에 대해 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도로서 이웃한 3개의 화소영역을 도시하였으며, 이중 하나의 화소영역(P)에 대해서만 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 도시하였다. 이때, 설명의 편의를 위해 각 화소영역 내에 박막트랜지스터가 구비되는 영역을 스위칭 영역(TrA)이라 정의하였다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치(101)는 화소영역(P)별로 분리 형성된 제 1 전극(150)과, 화상을 표시하는 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극(160) 그리고 상기 제 1, 2 전극(150, 160) 사이에 개재된 퀀텀 로드층(155)이 구비되는 제 1 기판(110)과, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판(170)으로 이루어진 퀀텀로드 패널(102)과, 백라이트 유닛(180)을 포함하여 구성되고 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치(101)는 상기 백라이트 유닛(180)으로 나온 빛을 상기 퀀텀 로드층(155)이 흡수하여 내부적으로 전자와 정공의 재결합이 이루어져 빛을 형광시키게 된다.
이때, 상기 퀀텀 로드 발광 표시장치(101)는 상기 퀀텀 로드층(155) 하부 및 상부에 위치하는 제 1 및 제 2 전극(150, 160)에 인가되는 전압을 달리하여 이들 두 전극(150, 160) 사이의 전계의 세기를 달리함으로써 상기 퀀텀 로드층(155)을 이루는 다수의 퀀텀 로드 각각의 내부에서 전자와 정공의 재결합율을 조절하여 그레이 레벨을 표시하게 되며, 상기 퀀텀 로드층(155)은 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(P)별로 상기 퀀텀 로드의 크기가 달리 형성됨으로써 적, 녹, 청색을 발생시킬 수 있으므로 풀 컬러의 화상을 표시할 수 있다.
우선, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 액정표시장치(101)에 있어, 상기 제 1, 2 전극(150, 160) 및 퀀텀 로드층(155)이 구비되는 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다.
투명한 절연 기판 예를들면 투명한 유리재질의 기판 또는 플렉서블한 플라스틱 기판으로 이루어진 상기 제 1 기판(110) 상에는 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoTi) 중 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질로써 제 1 방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제 1 기판(110) 위로 각 화소영역(P) 내의 상기 스위칭 영역(TrA)에는 상기 게이트 배선(미도시)과 연결되며 게이트 전극(108)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(108) 위로 상기 제 1 기판(110) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로서 게이트 절연막(115)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(115) 위로 상기 스위칭 영역(TrA)에는 상기 게이트 전극(108)에 대응하여 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 상기 액티브층 상부에서 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)이 형성되어 있으며, 상기 반도체층(120) 상부에는 서로 이격하며 상기 오믹콘택층(120b)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136) 사이로는 상기 액티브층(120a)이 노출되고 있다.
한편, 상기 각 화소영역(P) 내에 구비된 상기 스위칭 영역(TrA)에 순차 적층된 상기 게이트 전극(108)과 게이트 절연막(115)과 반도체층(120)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
그리고, 상기 게이트 절연막(115) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 제 2 방향으로 연장하며 상기 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(133)과 연결되며 형성되어 있다.
이때, 상기 데이터 배선(130) 하부에는 상기 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)을 이루는 동일한 물질로 제 1 및 제 2 반도체 패턴(121a, 121b)으로 이루어진 더미패턴(121)이 형성됨을 보이고 있지만, 이는 제조 공정 상의 특징에 의해 일례를 보인 것이며, 상기 더미패턴(121)은 생략될 수도 있다.
한편, 도면에 있어서는 상기 박막트랜지스터(Tr)는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)의 반도체층(120)을 포함하여 게이트 전극(108)이 가장 하부에 위치하는 보텀 게이트 타입(bottom gate type)을 이루는 것을 일례로 보이고 있지만, 폴리실리콘으로 이루어진 반도체층을 구비함으로써 폴리실리콘의 반도체층과, 게이트 절연막과, 게이트 전극과, 상기 반도체층을 노출시키는 반도체층 콘택홀을 구비한 층간절연막과, 상기 반도체층 콘택홀을 통해 각각 폴리실리콘의 반도체층과 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극이 순차 적층된 구조를 갖는 탑 게이트 타입(top gate type)으로 이루어 질 수도 있다.
전술한 구조를 갖는 탑 게이트 타입의 박막트랜지스터가 구비되는 경우, 상기 게이트 배선(미도시)은 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 상부에 구비되며, 데이터 배선은 상기 층간절연막 상에 구비된다.
다음, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136) 상부에는 평탄한 표면을 갖는 보호층(140)이 구비되고 있다. 이때, 상기 보호층(140)에는 각 화소영역(P) 별로 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 구비되어 있다.
또한, 상기 보호층(140) 상부에는 각 화소영역(P) 내에 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 투명 도전성 물질로 이루어진 제 1 전극(150)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제 1 전극(150)과, 상기 제 1 전극(150) 사이로 노출된 상기 보호층(140) 상부에는 각 화소영역(P)의 경계 즉, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)에 대응하여 상기 제 1 전극(150)의 가장자리와 중첩하며 버퍼패턴(152)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 버퍼패턴(152)에 위해 둘러싸인 각 화소영역(P) 내에 상기 제 1 전극(150) 상부에는 다수의 퀀텀 로드(156)로 이루어진 퀀텀 로드층(155)이 구비되고 있다. 이때, 상기 퀀텀 로드층(155)은 각각 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(P)별로 서로 다른 크기의 코어(도 2의 157)를 갖는 퀀텀 로드(156)가 구비될 수도 있으며, 또는 동일한 크기의 코어(도 2의 157)를 갖는 퀀텀 로드(156)가 구비될 수도 있다.
상기 퀀텀 로드층(155)이 표시영역 전체에 있어 동일한 크기의 코어(도 2의 157)를 갖는 퀀텀 로드(156)로 구비되는 경우, 상기 제 2 기판(170)에는 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 반복되는 형태를 갖는 컬러필터층(미도시)이 구비되는 것이 특징이다.
한편, 본 발명에 있어 가장 특징적인 구성으로서, 상기 퀀텀 로드층(155)을 이루는 다수의 퀀텀 로드(156)는 상기 제 1 기판(110)의 표시영역 전면에 있어서 일 방향으로 배열된 상태를 갖는 것이 특징이다.
이때, 퀀텀 로드(156)의 장축이 일 방향으로 잘 배열된 정도 즉, 정열도 수준은 편광비(polarization ratio) 측정을 통해 알 수 있다. 즉, 수평 또는 수직 편광된 빛을 퀀텀 로드층(155)을 향해 조사한 후 검광판(미도시)을 통과한 상태의 빛량을 측정함으로써 퀀텀 로드층(155)의 편광 정도를 알 수 있다.
라이트 소스(미도시)로부터 나온 빛량의 세기를 I, 수평 성분만을 갖는 빛을 Ih, 수직 성분만을 갖는 빛을 Iv라 정의 할 때, 통상적으로 퀀텀 로드의 방향성을 부여하지 않았을 경우, 편광비(polarization ratio) PR은,
PR = (Ih - Iv)/(Ih+Iv) 로 정의된다.
이때, 퀀텀 로드층(155)이 일방향 즉, 수평 또는 수직방향으로 배열되는 경우, 수평 및 수직 방향의 편광비 PRh 및 PRv는 각각 다음과 같이 정의된다.
PRh = Ih/(Ih+Iv),
PRv = Iv/(Ih+Iv)
따라서, 상기 퀀텀 로드층(155)에 있어서 다수의 퀀텀 로드가 일 방향으로 잘 정렬되었다 하는 것은 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 것 즉, 0.5 < PRh 또는 PRv < 1 을 만족시키는 것을 의미한다.
이렇게 퀀텀 로드층(155)을 퀀텀 로드(156)가 잘 배열된 상태를 이루도록 하는 것은 백라이트 유닛(180)으로부터 나온 빛을 보다 잘 흡수하여 보다 많은 량의 형광을 하도록 함으로서 휘도 특성을 향상시키고, 나아가 고휘도 특성을 가지면서도 저 소비전력을 구현하기 위함이다.
이때, 상기 퀀텀 로드층(155)에서 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열시키는 것은 추후 제조 방법을 통해 상세히 설명한다.
한편, 적, 녹, 청색을 나타내는 화소영역(P) 별로 서로 다른 크기의 코어(도 2의 157)를 갖는 퀀텀 로드(156)가 구비되는 경우, 퀀텀 로드(156)는 전술하였듯이 코어(도 2의 157)의 크기에 따라 형광 파장이 달라진다는 것이 특징이며, 상기 코어(도 2의 157)의 크기가 적어질수록 짧은 파장의 형광을 내며 크기가 커질수록 긴 파장의 형광을 발생시킨다.
따라서, 이 경우 적색을 나타내어야 하는 화소영역(P)에 대응해서는 가장 큰 코어(도 2의 157) 크기(직경)를 갖는 퀀텀 로드층(155a)을 형성하고, 그리고 녹색과 청색을 나타내어야 하는 화소영역(P)에 대해서는 순차적으로 상기 적색을 나타내는 화소영역(P)에 구비되는 퀀텀 로드(도 2의 156)의 코어(도 2의 157) 크기보다 작은 크기의 퀀텀 로드(도 2의 156)를 구비한 퀀텀 로드층(155b, 155c)이 형성된 것이 특징이다.
한편, 도면에서는 상기 퀀텀 로드층(155)은 각 화소영역(P)별로 분리 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 변형예로서 도 5a(본 발명의 실시예의 제 1 변형예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 퀀텀 로드층(155)은 다수의 화소영역(P)이 구비되는 표시영역 전면에 형성될 수도 있으며, 이 경우 상기 각 화소영역(P)의 경계에 구비되는 버퍼패턴(152)을 생략된다.
이러한 구성을 포함하는 상기 제 1 기판(110)에 대응하여 제 2 기판(170)이 구비되고 있으며, 이때 상기 제 2 기판(170)은 상기 제 1 기판(110)과 같이 투명한 절연기판으로서 유리재질로 이루어지거나 또는 플렉서블한 특성을 갖는 플라스틱 재질로 이루어질 수 있으며, 나아가 또는 고분자 물질로 이루어진 시트 또는 필름이 될 수도 있다.
이러한 제 2 기판(170)의 내측면에는 화소영역(P)의 경계 및 박막트랜지스터(Tr)가 형성된 부분에 대응하여 이를 가리며 블랙매트릭스(173)가 형성되어 있다.
이러한 블랙매트릭스(173)는 상기 퀀텀 로드층(155)이 표시영역 전면에 형성되는 변형예(도 5a 참조) 경우 빛샘 방지를 위해 반드시 구비되어야 하며, 상기 퀀텀 로드층(155)이 각 화소영역(P)별로 분리 형성되는 경우 생략될 수도 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 제 2 기판(170)의 내측면에 블랙매트릭스(173)만이 구비된 것을 보이고 있지만, 상기 퀀텀 로드층(155)이 각 화소영역(P)별로 모두 동일한 크기를 갖는 코어(도 2의 157)를 갖는 퀀텀 로드(도 2의 156)로 이루어진 경우, 도 5b(본 발명의 실시예의 제 2 변형예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 단면도)에 도시한 바와같이, 풀 컬러(full color) 구현을 위해 상기 블랙매트릭스(173)로 둘러싸인 영역에 대응하여 이웃하는 3개의 화소영역(P)에 순차 반복하는 형태로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)이 대응되는 컬러필터층(155)이 구비될 수도 있다.
그리고, 도면에 나타내지 않았지만, 이러한 블랙매트릭스(173)와 컬러필터층(155) 상부로 오버코트층(미도시)이 상기 제 2 기판(170) 전면에 구비될 수 있다.
한편, 도 4에 도시한 바와같이, 상기 제 1 기판(110)에 구비되는 퀀텀 로드층(155)이 적, 녹, 청색을 나타내어야 하는 화소영역(P)별로 서로 다른 크기의 코어(도 2의 157)를 갖는 퀀텀 로드(156)가 구비되는 경우, 상기 제 2 기판(170)에 구비되는 컬러필터층(미도시)은 고 휘도 특성 구현을 위해 생략될 수 있으며, 또는 도 5b에 도시한 제 2 변형예와 같이 더욱 우수한 색재현율 구현을 위해 구비될 수도 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 이러한 구성을 갖는 퀀텀 로드 패널(102)의 하부 더욱 정확히는 상기 제 1 기판(110)의 외측면에는 상기 퀀텀 로드층(155)으로 빛을 공급하는 백라이트 유닛(180)이 구비되고 있다.
이때, 상기 백라이트 유닛(180)은 광원(182)과, 반사판(185)과, 상기 반사판(185) 상에 안착되는 도광판(187) 그리고 이의 상부로 위치하는 다수의 광학시트(190)를 포함하여 구성된다.
이때, 상기 광원(182)은 본 발명의 특징 상 450nm보다 작은 즉, 단 파장대의 빛 예를들면 청색 가시광선 또는 UV광을 발생시키는 것으로, CCFL(cold cathode fluorescent lamp)와 EEFL(external electrode fluorescent lamp)를 포함하는 형광 램프 또는 LED(light emit diode) 중에서 선택된 하나로 이루어질 수 있으며, 도면에서는 일례로 형광램프로 이루어진 것을 도시하였다.
상기 광원(182)은 상기 도광판(187)의 입광부와 대면하도록 상기 도광판(187)의 일측에 위치하며, 상기 광원(182)이 형광램프인 경우, 램프가이드(183)에 의해 외측이 가이드 되고 있다.
한편, 상기 도광판(187)은 상기 광원(182)으로부터 입사된 광을 여러 번의 전반사에 의해 그 내부를 진행하도록 하면서 상기 도광판(187) 면내로 고르게 퍼지도록 하여 상기 퀀텀 로드 패널(102)에 면광원을 제공한다.
이때, 이러한 도광판(187)은 상기 퀀텀 로드 패널(102)로의 균일한 면광원을 공급하기 위해 배면에 특정 모양의 패턴(미도시)을 포함할 수 있다.
여기서, 특정 모양의 패턴(미도시)은 상기 도광판(187) 내부로 입사된 빛을 가이드하기 위하여, 타원형의 패턴(elliptical pattern), 다각형의 패턴(polygon pattern), 홀로그램 패턴(hologram pattern) 등 다양하게 구성할 수 있으며, 이와 같은 패턴은 도광판(187)의 하부면에 인쇄방식 또는 사출방식으로 형성된다.
또한, 상기 반사판(185)은 상기 도광판(187)의 배면에 위치하여, 상기 도광판(187)의 배면을 통과한 광을 상기 퀀텀 로드 패널(102) 쪽으로 반사시킴으로써 광의 휘도를 향상시킨다.
그리고 상기 도광판(187) 상부에 구비된 상기 광학시트(190)는 확산시트(188)와 적어도 하나의 집광시트(189)를 포함한다.
한편, 이러한 구성을 갖는 백라이트 유닛(180)은 광원(182)이 도광판(187)의 측면에 구비되며 상기 도광판(187)에 의해 상기 퀀텀 로드 패널(102)에 면광원을 입사시키는 에지형 타입이 되고 있는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 백라이트 유닛(180)은 직하형 타입을 이룰 수도 있다.
직하형 타입 백라이트 유닛(미도시)의 경우, 도면에 나타내지 않았지만, 반사판의 상부로 다수의 광원으로서 형광 램프가 일정 간격을 가지며 배치되거나, 또는 다수의 LED가 배치된 LED용 구동기판이 구비되며, 이의 상부로 상기 도광판을 대신하여 확산판이 구비되며, 상기 확산판의 상부로 다수의 광학시트가 구비된다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예 또는 그 변형예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치는 휘도 특성을 저하시키는 편광판을 필요로 하지 않으므로, 편광판이 구비됨으로써 휘도 특성이 저하되며 이렇게 저하된 휘도 특성을 향상시키고자 더 밝은 광원을 구비함으로써 소비전력이 증가되는 액정표시장치 대비 고 휘도 특성 및 저 소비전력 특성을 갖는 장점이 있다.
나아가 퀀텀 로드층 내부에 구비되는 퀀텀 로드가 일 방향으로 배향된 구성을 가짐으로써 백라이트 유닛으로부터 나온 빛을 더욱 잘 흡수하여 형광시키므로 더욱더 휘도 특성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 퀀텀 로드 표시장치는 편광판 등을 필요로 하지 않으므로 액정표시장치 대비 제조에 필요로 되는 부품수를 줄일 수 있으므로 제조비용을 저감시키는 효과가 있다.
이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광표시장치는 퀀텀 로드층이 구비되는 제 1 기판에 그 특징적인 구성을 가짐으로 이의 제조 방법 위주로 설명한다.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치에 있어 퀀텀 로드층이 구비되는 제 1 기판에 구비된 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 설명의 편의를 위해 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 영역을 스위칭 영역(TrA)이라 정의한다.
우선, 도 6a에 도시한 바와같이, 투명한 절연기판(110) 상에 제 1 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 및 크롬(Cr) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착함으로서 제 1 금속층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 제 1 금속층(미도시)을 패터닝함으로써 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)을 형성하고, 동시에 각 화소영역(P) 내에 상기 게이트 배선(미도시)과 연결되는 게이트 전극(108)을 형성한다.
다음, 도 6b에 도시한 바와같이, 상기 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(108) 위로 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(119)을 전면에 형성한다.
다음, 상기 게이트 절연막(115) 위로 순수 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)과 제 2 금속물질층(미도시)을 형성하고, 이들을 회절노광 또는 하프톤 노광을 포함하는 1회의 마스크 공정을 통해 동시에 패터닝하거나, 또는 2회의 마스크 공정을 실시하여 상기 제 2 금속층(미도시)과, 불순물 및 순수 비정질 실리콘층(미도시)을 각각 패터닝함으로써 상기 화소영역(P) 내에 상기 게이트 전극(108)에 대응하여 순수 비정질 실리콘 액티브층(120a)과 상기 액티브층(120a) 위로 서로 소정간격 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 상기 오믹콘택층(120b) 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한다.
이때, 이 단계에서 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)에 순차 적층된 상기 게이트 전극(108)과 게이트 절연막(115)과 반도체층(120)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
그리고, 동시에 상기 게이트 절연막(115) 위로 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)을 형성한다.
한편, 본 발명의 실시예의 경우, 제 2 금속층(미도시)과, 불순물 및 순수 비정질 실리콘층(미도시)을 하프톤 노광 또는 회절노광을 포함하는 1회의 마스크 공정을 실시하여 형성한 것을 도시하였으며, 이러한 공정 특성 상 상기 데이터 배선(130) 하부에도 상기 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)을 이루는 동일한 물질로 제 1 및 제 2 패턴(121a, 121b)으로 이루어진 더미패턴(121)이 형성되고 있음을 보이고 있다.
하지만, 불순물 및 순수 비정질 실리콘층(미도시)에 대해 1회의 마스크 공정을 진행하여 우선적으로 패터닝하여 반도체층(120)을 형성하고, 이후 상기 반도체층(120) 상부에 제 2 금속층(미도시)을 형성한 후 2회의 마스크 공정을 진행하여 패터닝하는 경우 상기 데이터 배선(130) 하부에 형성된 상기 더미패턴(121)은 생략된다.
다음, 도 6c에 도시한 바와같이, 상기 데이터 배선(130)과 박막트랜지스터(Tr) 및 스토리지 커패시터(StgC) 위로 전면에 감광성 유기절연물질 예를들면 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)을 2㎛ 내지 3㎛ 정도의 두께를 갖도록 도포하여 하부에 위치하는 구성요소의 단차를 극복하여 평탄한 표면을 갖는 보호층(140)을 형성하고 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다.
다음, 도 6d에 도시한 바와같이, 상기 드레인 콘택홀(143)을 갖는 상기 보호층(140) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착함으로서 도전성 물질층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P) 별로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제 1 전극(150)을 형성한다.
이후, 도 6e에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(150) 위로 유기절연물질을 도포하거나 또는 무기절연물질을 증착함으로써 버퍼층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝함으로써 각 화소영역(P)의 경계에 상기 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태를 갖는 버퍼패턴(152)을 형성한다. 이러한 버퍼패턴(152)은 생략할 수도 있다.
다음, 도 6f에 도시한 바와같이, 상기 버퍼패턴(152)을 둘러싸인 각 화소영역(P)에 대응하여 퀀텀 로드액을 도포함으로써 퀀텀 로드층(155)을 형성한다.
이때, 상기 퀀텀 로드층(155)은 다수의 퀀텀 로드를 구비한 액체 상태의 퀀텀 로드액을 잉크젯 장치(미도시)를 이용하여 각 화소영역(P) 별로 잉크 제팅을 실시하거나 또는 스크린 마스크(미도시)를 이용한 스크린 프린팅법을 진행함으로써 각 화소영역(P) 별로 패터닝된 형태를 갖는 퀀텀 로드층(155)을 형성할 수 있다.
이러한 스크린 프린팅법이나 또는 잉크젯 법을 이용하는 경우 각 화소영역(P) 별로 선택적으로 형성하는 것이 가능하므로 상기 퀀텀 로드층(155)은 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(P)별로 상기 퀀텀 로드의 크기를 달리함으로써 각 화소영역(P)별로 서로 다른 크기를 갖는 퀀텀 로드에 의해 적, 녹, 청색을 형광할 수 있다.
한편, 상기 퀀텀 로드층(155)은 도시한 바와같이 각 화소영역(P)별로 형성할 수도 있으며, 또는 표시영역 전면에 화소영역(P) 구별없이 형성할 수도 있다. 표시영역 전면에 형성하는 경우(도 5a 참조), 상기 버퍼패턴(152)은 형성할 필요가 없으며, 상기 퀀텀 로드를 포함하는 퀀텀 로드 액을 슬릿 코팅장치 또는 스핀 코팅장치를 통해 전면에 도포함으로써 형성할 수 있다. 이렇게 표시영역 전면에 퀀텀 로드층(155)을 형성하는 경우, 동일한 크기의 퀀텀 로드가 구비되며 이 경우, 이러한 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판에 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴을 포함하는 컬러필터층을 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 퀀텀 로드층(155)을 형성함에 있어서, 본 발명의 특징 상 상기 퀀텀 로드층(155) 내의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열된 상태를 이루도록 하기 상기 퀀텀 로드층(155)을 형성하기 전에 전처리 공정을 우선적으로 진행하는 것이 특징이다.
상기 전처리 공정이란 상기 퀀텀 로드층(155) 내에 다수의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열되도록 하기 위한 공정으로 배향공정이 된다.
이러한 배향공정은 배향막을 이용한 배향법, 자기조립 단분자(self aligned monomer)를 이용한 정렬법, 리액티브 메소겐 물질을 이용한 배향법 중 어느 하나가 될 수 있으며, 전술한 배향법에 한정되지 않고 그 외의 다양한 배향법이 이용될 수 있다.
상기 배향막을 이용한 배향법은 도 7a 내지 7b(본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 배향막을 이용한 배향법을 도시한 도면)에 도시한 바와같이, 상기 버퍼패턴(미도시)이 형성된 상태에서 상기 퀀텀 로드층(155)을 형성하기 이전에 상기 버퍼패턴(미도시)과 상기 버퍼패턴(미도시) 사이로 노출된 상기 제 1 전극(미도시) 위로 표시영역 전면에 배향막(181)을 형성한다. 이때, 배향막(181)은 고분자 물질 예를들면 폴리이미드 또는 폴리아미드로 이루어진 것으로 주쇄와 측쇄를 가지며, 표면을 일방향으로 마찰시키거나 또는 상기 배향막(181)이 광배향 물질 예를들면 광분해 물질, 광이성화 물질, 광경화 물질, 광중합 물질 중 어느 하나가 혼합된 경우 UV광 또는 이온 빔 조사에 의해 상기 측쇄가 일방향으로 배열되는 특성을 갖는다.
이렇게 배향막(181)이 형성된 후에는 도 7a에 도시한 바와같이 러빙포(250)가 감긴 회전롤러(255)를 회전시켜 상기 배향막(181) 표면과 상기 러빙포(250)가 마찰되도록 한 상태에서 일방향으로 이동시킴으로써 상기 배향막(181) 표면의 측쇄가 일방향으로 방향성을 갖도록 하거나, 또는 도 8(본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 배향막을 이용한 또 다른 배향법을 도시한 도면)에 도시한 바와같이, 상기 배향막(181)에 대해 일 방향으로 입사하도록 UV광을 조사하거나 또는 이온빔을 조사함으로써 상기 배향막(181) 표면의 측쇄가 일방향으로 방향성을 갖도록 한다.
이후, 상기 러빙 처리(도 7a 참조)되거나 UV광 또는 이온빔이 조사(도 8 참조)된 상태의 상기 배향막(181) 상부로 퀀텀 로드액을 도포하면, 상기 일방향으로 배열된 측쇄의 영향을 받아 자연적으로 퀀텀 로드가 일 방향으로 배열된다.
이러한 배향막(181)을 이용한 방법은 전술한 방법 이외에 도면에 나타내지 않았지만, 사방증착법을 이용할 수도 있다.
상기 사방증착법은 산화물 및 불화물 등의 무기물질 일례로 산화실리콘을 기판에 대해 경사로 증착하는 것으로, 무기물질의 증착각, 증착속도, 진공도, 기판온도, 막 두께 등의 증착 조건 특히 증착물질의 증착각(입사각)을 적절히 조절함으로서 이의 상부에 도포되는 퀀텀 로드는 상기 증착각에 평행하거나 수직하도록 배열되도록 배향 상태를 변경시킬 수 있다.
한편, 상기 자기조립단분자를 이용한 정렬법은 도 9a 내지 9b(본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 시 퀀텀 로드층 내의 퀀텀 로드를 일 방향으로 배열하는데 이용되는 자기조립단분자를 이용한 정렬법을 도시한 도면으로서 디핑법에 의해 자기조립단분자막을 형성하는 것을 도시함)에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(150)을 노출시키는 버퍼패턴(152)이 형성된 제 1 기판(110)을 상기 제 1 전극(150)을 이루는 투명 도전성 물질과 우선적으로 반응하는 화학물질 용액(315)에 디핑법 또는 분사법을 이용하여 노출시키는 SAMs(self-assembled monolayers) 처리를 실시함으로써 상기 제 1 전극(150)의 표면에 자기조립단분자막(310)을 형성한다. 이러한 자기조립단분자막(310)은 상기 배향막(도 7a의 181)의 측쇄와 같은 역할을 함으로써 일방향으로 배열된 상태를 이루며, 또한 특정 물질과 반응하여 결합하려는 성향을 가짐으로써 추후 상기 자기조립단분자막(310) 상에 퀀텀 로드액이 도포하여 퀀텀 로드층(155)을 형성하는 경우, 상기 퀀텀 로드층(155) 내의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열되도록 하는 역할을 한다.
따라서 이렇게 자기조립단분자막(310)이 형성된 상기 제 1 기판(110)상에 퀀텀 로드액을 도포하는 경우, 배향막(도 7a의 181) 상에서 퀀텀 로드가 정렬하는 것과 같이 퀀텀 로드가 일방향으로 배향된다.
한편, 리액티브 메소겐(reactive mesogen)을 이용한 배향법은 배향막 또는 자기조립단분자막 형성없이 퀀텀 로드액에 메소겐 물질 즉 막대 모양으로 메소겐성기, 즉 퀀텀 로드 거동을 유도할 수 있는 능력을 가진 기를 포함하는 물질을 혼합시켜 상기 제 1 전극 상부로 전술한 잉크젯 법, 스크린 프린팅 법, 스핀코팅법, 바 코팅 법 중 어느 하나를 통해 도포한 후, 상기 도포된 퀀텀 로드층(155)에 UV 광을 조사함으로써 중합반응을 발생시켜 인접한 물질 즉 퀀텀 로드의 배향 상태를 따라 동일한 방향으로 배열되는 특성을 이용한 배향방법이다.
이러한 리액티브 메소겐을 이용한 배향법을 이용하는 경우, 퀀텀 로드가 상기 메소겐기에 의해 일방향으로 위치하게 되며, 이에 영향으로 점진적으로 이의 주변에 위치하는 메소겐기 및 퀀텀 로드가 일방향으로 연속적으로 배열된다.
이와같은 배향법에 의해 도 10(본 발명에 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시소자의 제조 단계 중 퀀텀 로드의 배향법을 진행한 후 퀀텀로드층을 형성한 후 상기 퀀텀로드층의 표면을 확대하여 찍은 사진)을 참조하면, 퀀텀 로드층에 구비되는 다수의 퀀텀 로드가 일방향으로 잘 배열되고 있음을 알 수 있다.
비교예로서 도 11(비교예로서 배향법을 적용하지 않고 형성된 퀀텀 로드층 표면을 확대하여 찍은 사진)을 참조하면, 배향공정을 진행하지 않고 형성된 퀀텀 로드층의 경우, 이를 구성하는 퀀텀 로드가 일 방향으로 배열되지 않고 방향성 없이 무질서한 상태를 가짐을 알 수 있다.
한편, 전술한 배향공정을 진행함으로써 도 6f를 참조하면 상기 퀀텀 로드층(155) 내부에 구비된 다수의 퀀텀 로드는 일방향으로 배열된 상태를 갖는다.
다음, 일방향으로 퀀텀 로드가 배열된 상기 퀀텀 로드층(155)을 경화시킴으로서 상기 퀀텀 로드가 일방향으로 배열된 상태를 유지하도록 한다.
다음, 도 6g에 도시한 바와같이, 상기 경화된 퀀텀 로드층(155) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 표시영역 전면에 증착하여 제 2 전극(160)을 형성함으로써 제 1 기판(110)을 완성한다.
다음, 도 6h에 도시한 바와같이, 이렇게 완성된 제 1 기판(110)과 대향하는 제 2 기판(170)의 내측면에 상기 각 화소영역(P)의 경계에 대응하여 블랙매트릭스(173)를 형성하고 선택적으로 상기 블랙매트릭스(173)로 둘러싸인 영역에 순차 반복하는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴을 구비한 컬러필터층(미도시)을 형성하거나, 또는 평탄한 표면을 갖는 오버코트층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)을 합착함으로서 퀀텀 로드 패널(102)을 이루도록 한 후, 이러한 퀀텀 로드 패널(102)의 일측면에 광원(182)과 도광판(187)과 반사판(185) 및 다수의 광학시트(190)를 포함하여 구성되는 백라이트 유닛(180)을 실장함으로서 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드 발광 표시장치(101)를 완성한다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
101 : 퀀텀 로드 발광 표시장치 102 : 퀀텀 로드 패널
110 : 제 1 기판 108 : 게이트 전극
115 : 게이트 절연막 120 : 반도체층
120a : 액티브층 120b : 오믹콘택층
121 : 더미패턴 121a, 121b : 제 1, 2 더미패턴
130 : 데이터 배선 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 140 : 보호층
143 : 드레인 콘택홀 150 : 제 1 전극
152 : 버퍼패턴 155 : 퀀텀 로드층
155a, 155b, 155c : 적, 녹, 청색을 각각 형광하는 퀀텀 로드층
160 : 제 2 전극 170 : 제 2 기판
173 : 블랙매트릭스 180 : 백라이트 유닛
182 : 광원 183 : 램프 가이드
185 : 반사판 187 : 도광판
188 : 확산시트 188 : 집광시트
190 : 광학시트 P : 화소영역
Tr : 박막트랜지스터 TrA : 스위칭 영역
110 : 제 1 기판 108 : 게이트 전극
115 : 게이트 절연막 120 : 반도체층
120a : 액티브층 120b : 오믹콘택층
121 : 더미패턴 121a, 121b : 제 1, 2 더미패턴
130 : 데이터 배선 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 140 : 보호층
143 : 드레인 콘택홀 150 : 제 1 전극
152 : 버퍼패턴 155 : 퀀텀 로드층
155a, 155b, 155c : 적, 녹, 청색을 각각 형광하는 퀀텀 로드층
160 : 제 2 전극 170 : 제 2 기판
173 : 블랙매트릭스 180 : 백라이트 유닛
182 : 광원 183 : 램프 가이드
185 : 반사판 187 : 도광판
188 : 확산시트 188 : 집광시트
190 : 광학시트 P : 화소영역
Tr : 박막트랜지스터 TrA : 스위칭 영역
Claims (26)
- 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판의 상의 각 화소영역에 형성된 제 1 전극과;
상기 제 1 전극 상부에 형성되며 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층과;
상기 퀀텀 로드층 상부에 형성된 제 2 전극과;
상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과;
상기 제 1 기판의 외측면에 구비되는 백라이트 유닛
을 포함하는 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은 각 화소영역별로 패터닝되어 형성되며, 상기 화소영역은 적, 녹, 청색을 발광하는 제 1, 2, 3 화소영역으로 나뉘며, 상기 퀀텀 로드층은 상기 제 1, 2, 3 화소영역별로 서로 다른 크기를 갖는 퀀텀 로드를 구비한 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 기판에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 구비된 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 화소영역은 적, 녹, 청색을 발광하는 제 1, 2, 3 화소영역으로 나뉘며, 상기 퀀텀 로드층은 화소영역 구분없이 상기 다수의 화소영역이 구비된 표시영역 전면에 동일한 크기의 퀀텀 로드를 구비하여 형성되며, 상기 제 2 기판에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 구비된 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판에는 적, 녹, 청색을 나타내는 제 1, 2, 3 화소영역이 구비되며, 상기 퀀텀 로드층은 각 화소영역에 동일한 크기의 퀀텀 로드를 구비하며,
상기 제 2 기판에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 구비된 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판에는 상기 서로 교차하여 상기 각 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;
상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 제 1 전극은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 다수의 퀀텀 로드가 일 방향으로 배향되었다고 하는 것은,
수평 방향의 편광비 PRh 와 수직 방향의 편광비 PRv를 각각 PRh = Ih/(Ih+Iv), PRv = Iv/(Ih+Iv) 이라 정의할 때, 상기 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 즉, 0.5 < PRh(또는 PRv)< 1 을 만족시키는 것을 의미하는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드는,
코어만으로 이루어지거나,
또는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며,
상기 쉘은 단축과 장축을 갖는 형태를 이루며 단축 대 장축의 비가 1:1.1 내지 1:30인 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 8 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드의 코어는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나를 이루며,
상기 쉘은 상기 퀀텀 로드의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,
상기 쉘은 단일층 또는 다중층 구조를 이루는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 10 항에 있어서,
상기 쉘은 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 코어는 주기율표 상의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 또는 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 12 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드의 코어는 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며,
Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며,
Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 퀀텀 로드층 사이에는 배향 처리된 배향막 또는 자기조립단분자막이 형성된 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 퀀텀 로드 내부에는 막대 형태를 갖는 메소겐 물질이 포함되며, 상기 메소겐 물질은 상기 퀀텀 로드 거동을 유도할 수 있는 능력을 가진 기(group)를 포함하며 UV광 조사에 의해 중합반응을 발생시켜 인접한 물질의 배향 방향을 따라 배열되는 특성을 갖는 물질인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 백라이트 유닛은 430nm 이하의 단파장을 갖는 청색 또는 UV(ultra violet)광을 발생시키는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 백라이트 유닛은,
반사판과, 상기 반사판 상부에 위치한 도광판과, 상기 도광판 측면에 위치하는 광원과 상기 도광한 상부에 위치하는 다수의 광학시트로 구성된 에지형 백라이트 유닛이거나,
또는 반사판과, 상기 반사판 상부에 위치하는 광원과, 상기 광원 상부에 위치하는 확산판과, 상기 확산판 상부에 위치하는 다수의 광학시트로 구성된 직하형 백라이트 유닛인 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치.
- 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상의 각 화소영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제 1 전극 상부에 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층을 형성하는 단계와;
상기 퀀텀 로드층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계와;
상기 제 1 기판과 마주하도록 제 2 기판을 위치시키는 합착하는 단계와;
상기 제 1 기판의 외측면에 백라이트 유닛을 실장하는 단계
를 포함하는 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층을 형성하는 단계는,
상기 제 1 전극 위로 주쇄와 측쇄로 이루어진 배향막을 형성하는 단계와;
상기 배향막을 표면처리하여 상기 측쇄가 일방향으로 배열되도록 하는 단계와;
상기 표면처리된 배향막 상부에 퀀텀 로드 액을 도포하여 상기 퀀텀 로드층을 형성하는 단계와;
상기 퀀텀 로드층을 경화시키는 단계
를 포함하는 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,
상기 배향막의 표면처리는 러빙, UV광 조사, 이온빔 조사 중 어느 하나인 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 일 방향으로 배향된 다수의 퀀텀 로드를 구비한 퀀텀 로드층을 형성하는 단계는,
상기 퀀텀 로드가 포함된 퀀텀 로드액에 메소겐 물질을 혼합한 후, 상기 메소겐 물질이 포함된 상기 퀀텀 로드액을 상기 제 1 전극 위로 도포하여 상기 퀀텀 로드층을 형성하고, 상기 퀀텀 로드층에 대해 UV광을 조사하여 상기 메소겐 물질이 중합반응을 일으켜 상기 퀀텀 로드가 일 방향으로 배열되도록 하는 단계를 포함하는 리액티브 메소겐 법을 이용하는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 기판에 상기 제 1 전극을 형성하기 전에 상기 제 1 기판상에 서로 교차하여 상기 각 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와;
상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터 위로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계
를 포함하며, 상기 제 1 전극은 각 화소영역 내에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하도록 형성하는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은,
퀀텀 로드액을 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅을 실시하여 상기 화소영역의 구분없이 상기 제 1 기판의 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역 전면에 형성하거나,
또는 퀀텀 로드액을 잉크젯 장치를 이용한 잉크젯법 또는 스크린 마스크를 이용한 스크린 프린팅법을 이용하여 각 화소영역별로 분리되도록 형성하는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은 각 화소영역별로 분리 형성하는 경우, 적, 녹, 청색을 나타내는 화소영역별로 퀀텀 로드의 크기를 달리하도록 형성하는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
상기 제 2 기판의 내측면에 상기 각 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 반복되는 형태를 갖는 컬러필터층을 형성하는 단계
를 포함하는 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,
상기 제 2 기판의 내측면에 상기 각 화소영역의 경계에 블랙매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징인 퀀텀 로드 발광 표시장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110120539A KR101874396B1 (ko) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110120539A KR101874396B1 (ko) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130054884A true KR20130054884A (ko) | 2013-05-27 |
| KR101874396B1 KR101874396B1 (ko) | 2018-07-04 |
Family
ID=48663582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110120539A KR101874396B1 (ko) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101874396B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105301828A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| WO2017028371A1 (zh) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及其制作方法 |
| KR20170080262A (ko) * | 2015-12-31 | 2017-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치 |
| US10174249B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-01-08 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum rod composition, quantum rod film and display device including the same |
| CN109491137A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 首尔大学校产学协力团 | 光调制量子点彩色显示器及其制造方法 |
-
2011
- 2011-11-17 KR KR1020110120539A patent/KR101874396B1/ko active IP Right Grant
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10174249B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-01-08 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum rod composition, quantum rod film and display device including the same |
| WO2017028371A1 (zh) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及其制作方法 |
| CN105301828A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| WO2017084175A1 (zh) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| KR20170080262A (ko) * | 2015-12-31 | 2017-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치 |
| CN109491137A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 首尔大学校产学协力团 | 光调制量子点彩色显示器及其制造方法 |
| KR20190028906A (ko) * | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 서울대학교산학협력단 | 광변조 양자점 컬러 디스플레이 및 이의 제조방법 |
| KR102027186B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2019-10-01 | 서울대학교산학협력단 | 광변조 양자점 컬러 디스플레이 및 이의 제조방법 |
| US10503015B2 (en) | 2017-09-11 | 2019-12-10 | Seoul National University R&Db Foundation | Light-modulated quantum dot color display and method for manufacturing the same |
| CN109491137B (zh) * | 2017-09-11 | 2021-08-17 | 首尔大学校产学协力团 | 光调制量子点彩色显示器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101874396B1 (ko) | 2018-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101971045B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR101347896B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| KR101383551B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| US9823510B2 (en) | Quantum dot color film substrate, manufacturing method thereof and LCD apparatus | |
| CN108628036B (zh) | 光致发光器件、其制造方法及具有该器件的显示设备 | |
| US9247613B2 (en) | Quantum dot electroluminescence display device and display apparatus | |
| US10534232B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
| KR101927115B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| US11442309B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| CN109212842B (zh) | 显示装置 | |
| KR101874396B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| TW201837558A (zh) | 反射偏光層、波長轉換層及液晶顯示裝置 | |
| KR101927206B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시소자 | |
| US10942410B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| KR20140022634A (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| US11624953B2 (en) | Display apparatus comprising a color conversion pattern and a light blocking pattern disposed on a data pattern of a thin film transistor | |
| KR101927116B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| KR101957270B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| KR20210050616A (ko) | 표시장치 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |