KR20130051765A - 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법 - Google Patents
적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130051765A KR20130051765A KR1020110117100A KR20110117100A KR20130051765A KR 20130051765 A KR20130051765 A KR 20130051765A KR 1020110117100 A KR1020110117100 A KR 1020110117100A KR 20110117100 A KR20110117100 A KR 20110117100A KR 20130051765 A KR20130051765 A KR 20130051765A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mold
- substrate
- solar cell
- metal
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 abstract description 4
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 abstract description 4
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 abstract description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 abstract description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
본 발명은 요부 및 철부를 구비한 몰드의 요부를 채우도록 금속 나노잉크 용액을 상기 몰드 상에 도포하는 단계; 상기 금속 나노 잉크층 상에 기판을 적층한 뒤 가압 가열하는 단계; 금속 나노패턴이 형성된 기판과 몰드를 분리하는 단계; 및 상기 금속 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 직접 패터닝(direct patterning) 공정으로 후면전극에 나노패턴을 형성함으로써 태양전지의 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법에 관한 것이다.
최근에는 석유, 석탄을 비롯한 기존 에너지원의 가격상승과 지구온난화의 주요 원인인 이산화탄소 배출 규제 등과 같은 에너지, 환경문제가 전 세계적인 문제로 부각됨에 따라 태양 에너지는 가장 유망한 재생에너지 기술의 하나로 주목받고 있다. 현재는 우주용 등의 특수분야를 비롯하여 전기, 전자 제품, 주택이나 건물의 전기 공급, 그리고 산업 발전에 이르기까지 다양한 분야에 적용되고 있다. 태양전지는 일반적으로 광 흡수층으로 실리콘을 이용하는 태양전지는 결정질 (단, 다결정) 기판형 태양전지와 박막형 (비정질, 다결정) 태양전지로 구분할 수 있다. 하지만 결정질 실리콘 태양전지의 경우 그 제조공정의 복잡함에 의해 높은 제조 원가로 기존의 발전방식에 비해 3~10 배까지 비싸다. 따라서 고가의 실리콘 기판 대신 유리, 금속, 플라스틱과 같은 저가 기판 위에 박막 형태로 태양전지를 제조하여 물질 소모량을 최소화한 박막 태양전지에 대한 개발 필요성이 크게 요구되고 있다. 박막 태양전지는 기존의 반도체, 디스플레이에서 사용되는 유사 기술을 이용하여 대면적, 대량생산이 가능하므로 생산성 향상 및 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 장점도 가지고 있다. 대한민국공개특허 2011-0064282에는 이러한 목적으로 제조된 박막형 태양전지를 공개하였다.
그러나, 일반적인 적층형 박막 태양전지의 경우 태양광이 후면전극층에서 전반사 되어 태양전지 내부에 오래 머물지 못하고 곧바로 외부로 방출되는 경우가 다수 존재하여 태양전지 효율의 저하를 발생시켰다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 대한민국공개특허공보 10-2010-0080304에는 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅, 오프셋 프린팅, 리버스 오프셋 프린팅, 플렉소 프린팅, 또는 마이크로 콘택 프린팅 방법을 이용하여 후면전극에 소정 패턴을 형성함을 공개하였으나, 제조시 공정이 복잡하고 고가의 장비가 필요한 문제점이 있다.
이와 같은 기술적 배경 하에서, 본 발명자들은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하고 기존의 복잡한 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법을 대체할 수 있는 공정을 개발하고자 예의 노력한 결과 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
결국, 본 발명의 목적은 직접 패터닝(direct patterning) 공정을 이용한 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 요부 및 철부를 구비한 몰드의 요부를 채우도록 금속 나노잉크 용액을 상기 몰드 상에 도포하는 단계; 상기 몰드 상에 기판을 적층한 뒤 가압 가열하는 단계; 금속 나노패턴이 형성된 기판과 몰드를 분리하는 단계; 및 상기 금속 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법이 제공된다.
본 발명에 따른 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 금속은 은(Ag)일 수 있다.
본 발명에 따른 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 금속 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계는 공기 중에서 200 내지 400℃의 온도 범위로 열처리할 수 있다.
본 발명에 따른 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 금속 나노패턴의 크기는 수 백 nm 내지 수 um 일 수 있다.
본 발명의 직접 패터닝 공정은 기존의 임프린팅 방식의 역구조를 취함으로써 몰드에 잉크를 미리 채운 뒤 기판에 이를 전사함으로써 유동성 증가로 인해 보다 밀집된 패턴을 구현할 수 있다.
또한, 기존 공정보다 낮은 온도에서 열처리함으로써 보다 규칙적인 나노패턴 구현이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 직접 패터닝 공정을 나타낸다.
도 2는 금속 나노패턴이 형성된 기판의 열처리 온도에 따른 비저항을 나타내는 그래프이다.
도 3은 몰드가 분리되어 기판상에 형성된 금속 나노패턴의 SEM 이미지이다.
도 4는 열처리 후 기판상에 형성된 금속 나노패턴의 SEM 이미지이다.
도 5는 본 발명의 직접 패터닝 공정에 따라 제조된 다양한 패턴의 SEM 이미지이다.
도 2는 금속 나노패턴이 형성된 기판의 열처리 온도에 따른 비저항을 나타내는 그래프이다.
도 3은 몰드가 분리되어 기판상에 형성된 금속 나노패턴의 SEM 이미지이다.
도 4는 열처리 후 기판상에 형성된 금속 나노패턴의 SEM 이미지이다.
도 5는 본 발명의 직접 패터닝 공정에 따라 제조된 다양한 패턴의 SEM 이미지이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명에서는 요부 및 철부를 구비한 몰드의 요부를 채우도록 금속 나노잉크 용액을 상기 몰드 상에 도포하는 단계; 상기 몰드 상에 기판을 적층한 뒤 가압 가열하는 단계; 금속 나노패턴이 형성된 기판과 몰드를 분리하는 단계; 및 상기 금속 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법이 제공된다. 하기에서 각 단계에 대해 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 몰드는 요부와 철부를 구비한 형상이며, 상기 몰드의 양 및 크기에 따라 형태와 두께가 다른 패턴들을 기판에 형성할 수 있다. 몰드는 백플레이트(back plate) 상에 형성될 수 있다. 바람직하게는 몰드를 지지하는 역할을 할 수 있는 고분자 필름을 백플레이트와 몰드 상에 형성할 수 있다. 고분자 필름으로는 PET 필름이 사용될 수 있다.
요부 및 철부를 구비한 몰드의 요부를 채우도록 금속 나노잉크 용액을 상기 몰드 상에 도포하는 단계 에서는 스핀코팅에 의해 몰드의 요부를 금속 나노잉크 용액으로 완전히 채운다. 또한, 스핀코팅의 rpm에 따라 몰드의 요부를 채우고 남은 금속 나노잉크 용액이 철부 상에 잔여층으로 존재할 수 있으나, 바람직하게는 잔여층이 형성되지 않는다.
상기 몰드는 용액 패터닝 (solution patterning)이 가능한 몰드이면 모두 사용이 가능하며, 바람직하게는 용액 제어가 용이한 PDMS 몰드일 수 있다. 상기 금속은 바람직하게는 은(Ag)이다.
상기 금속 나노잉크 용액은 금속 나노잉크와 용매를 혼합하여 제조될 수 있다. 용매의 첨가비율에 따라 금속 나노잉크의 점도가 변화될 수 있다. 금속 나노잉크 용액의 금속 나노잉크의 농도는 5% 내지 100%일 수 있다.
이후, 몰드 상에 기판을 적층한 뒤 가압 가열한다. 가압은 대기압(1.013 bar) 내지 20 bar의 범위, 가열은 250 내지 300℃의 범위로 수행될 수 있다. 또한, 가열은 공기, 진공 또는 질소 분위기 하에서 수행될 수 있다. 기판으로는 기판에 200 내지 300℃의 열처리가 가능한 기판이라면 모두 가능하다.
그 다음, 금속 나노패턴이 형성된 기판과 몰드를 분리한다. 도 3에는 몰드가 분리되어 기판상에 형성된 금속 나노패턴의 SEM 이미지를 나타내었다.
상기 금속 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계에서는 금속 나노패턴이 형성된 기판을 공기 중에서 200 내지 400℃의 온도로 열처리한다. 도 4에는 열처리 후 기판상에 형성된 금속 나노패턴의 SEM 이미지를 나타내었다. 도 3과 도 4를 비교해보면, 도 4의 경우 열처리를 통해 용매가 제거되어 금속 나노패턴의 직경이 감소된 것을 확인할 수 있다. 또한, 기존의 박막 태양전지의 후면전극의 열처리 온도보다 저온으로 열처리함으로써 보다 규칙적인 나노패턴을 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 금속 나노패턴의 크기는 수 백 nm 내지 수 um 일 수 있다. 또한, 본 발명의 금속 나노패턴은 디지털 패턴 또는 아날로그 패턴일 수 있다.
실시예
백플레이트에 PET 필름 및 PDMS 몰드를 순차적으로 적층한다. 은(Ag) 나노 입자 잉크 용액을 톨루엔과 1:1로 혼합하여 3000 rpm으로 30초간 PDMS 몰드 상에 스핀 코팅으로 몰드의 요부에 은 나노입자 잉크 용액을 도포한다. 은 나노입자 잉크층 상에 기판을 적층한 뒤 5 bar의 압력으로 5분간 가압하고 100℃에서 15분간 가열하였다. 이후 기판에서 몰드를 제거한 뒤 은(Ag) 나노입자 패턴이 형성된 기판을 공기 중에서 300℃로 30분간 열처리하였다. 도 3a 및 4a를 비교해 보면 패턴이 형성된 기판을 공기 중에서 열처리함으로써 패턴에 존재하는 톨루엔을 제거하여 패턴의 직경이 210 nm 에서 200 nm로 감소된 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 직접 패터닝 공정은 기존의 임프린팅 방식의 역구조를 취함으로써 몰드에 잉크를 미리 채운 뒤 기판에 이를 전사함으로써 유동성 증가로 인해 보다 밀집된 패턴을 구현할 수 있으며, 기존 공정보다 낮은 온도에서 열처리함으로써 보다 규칙적인 나노패턴 구현이 가능하다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항 들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (4)
- 요부 및 철부를 구비한 몰드의 요부를 채우도록 금속 나노잉크 용액을 상기 몰드 상에 도포하는 단계;
상기 몰드 상에 기판을 적층한 뒤 가압 가열하는 단계;
금속 나노패턴이 형성된 기판과 몰드를 분리하는 단계; 및
상기 금속 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계;
를 포함하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,
상기 금속은 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,
상기 나노패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계는 공기 중에서 200 내지 400℃의 온도로 열처리하는 것을 특징으로 하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 나노패턴의 크기는 수 백 nm 내지 수 um인 것을 특징으로 하는 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110117100A KR20130051765A (ko) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110117100A KR20130051765A (ko) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130051765A true KR20130051765A (ko) | 2013-05-21 |
Family
ID=48661639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110117100A KR20130051765A (ko) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20130051765A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111141427A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-12 | 兰州大学 | 一种可穿戴透明柔性薄膜型应变传感器的制备方法 |
-
2011
- 2011-11-10 KR KR1020110117100A patent/KR20130051765A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111141427A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-12 | 兰州大学 | 一种可穿戴透明柔性薄膜型应变传感器的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yang et al. | Organic photovoltaic modules fabricated by an industrial gravure printing proofer | |
| Kang et al. | Transparent Cu nanowire mesh electrode on flexible substrates fabricated by transfer printing and its application in organic solar cells | |
| Konios et al. | Reduced graphene oxide micromesh electrodes for large area, flexible, organic photovoltaic devices | |
| US8027086B2 (en) | Roll to roll nanoimprint lithography | |
| Lee et al. | Development of a gravure offset printing system for the printing electrodes of flat panel display | |
| TWI572475B (zh) | A method of manufacturing an optical substrate using a film-like mold, a manufacturing apparatus, and an optical substrate | |
| Byeon et al. | Recent progress in direct patterning technologies based on nano-imprint lithography | |
| TWI472444B (zh) | 立體圖紋製作方法與立體圖紋製作裝置 | |
| CN102157642A (zh) | 一种基于纳米压印的高出光效率led的制备方法 | |
| Yin et al. | Roller‐assisted adhesion imprinting for high‐throughput manufacturing of wearable and stretchable organic light‐emitting devices | |
| US20140231002A1 (en) | High-throughput graphene printing and selective transfer using a localized laser heating technique | |
| JP2008046580A5 (ko) | ||
| TW201223777A (en) | Roller-type micro-contact printing device and printing method thereof | |
| CN102463293A (zh) | 卷对板压印的均匀施压装置 | |
| CN104520971A (zh) | 印刷品及这种印刷品的制造方法 | |
| US12119138B2 (en) | Method for manufacturing transparent electrode with low surface roughness | |
| Fakharan et al. | Metal grid technologies for flexible transparent conductors in large-area optoelectronics | |
| CN101837950A (zh) | 两嵌段共聚物直接组装纳米结构的装置和方法 | |
| CN105140393A (zh) | 一种复合膜结构聚合物柔性基板及其制作方法 | |
| CN102436140B (zh) | 一种纳米压印模板的制备方法 | |
| CN101445009A (zh) | 一种全息激光防伪膜的uv冷铸工艺 | |
| JP2012174921A (ja) | 有機薄膜太陽電池の製造方法 | |
| KR20130051765A (ko) | 적층형 박막 태양전지의 후면전극 패턴 형성방법 | |
| JP2012009546A (ja) | 薄膜製造方法、薄膜付基板および薄膜製造装置 | |
| TW201501911A (zh) | 使用吸氣滾子之滾子裝置以及具有凹凸構造之構件的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |