KR20130051712A - Luminous element package and lighting system having the same - Google Patents

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사다오 타카노
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package and a lighting system including the same are provided to improve the velocity of light emitted from the light emitting device package by using a wire made of Au and Ag. CONSTITUTION: A first lead frame(110) is arranged on a substrate. A second lead frame(120) is arranged on the substrate and is separated from the first lead frame. A light emitting device(130) is arranged on the substrate. A first wire(140) connects the light emitting device to the first lead frame. A second wire(150) connects the light emitting device to the second lead frame. The first wire includes Au and Ag. The Au included in the first wire is 5 to 15 wt%.

Description

발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 시스템{LUMINOUS ELEMENT PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME}Light emitting device package and lighting system including the same {LUMINOUS ELEMENT PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME}

실시예는 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system comprising the same.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 이미 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다. Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that converts electrical energy into light. Light emitting diodes have the advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Accordingly, many researches have been conducted to replace the existing light source with light emitting diodes, and light emitting diodes have been increasingly used as light sources for lighting devices such as liquid crystal display devices, electronic displays, and street lights.

발광 다이오드 등의 발광 소자를 이용한 발광 소자 패키지는, 발광 소자와 리드프레임을 전기적으로 연결하기 위해 금으로 된 와이어를 포함한다. 그러나, 금 와이어는 발광 소자로부터 방출된 빛 및 형광체에 의해 변환된 빛을 흡수하여 광속 및 발광 효율을 저하시키는 문제점이 있다.A light emitting device package using a light emitting device such as a light emitting diode includes a wire made of gold for electrically connecting the light emitting device and the lead frame. However, the gold wire has a problem of absorbing the light emitted from the light emitting element and the light converted by the phosphor to lower the luminous flux and luminous efficiency.

한국등록특허 제10-0978028호 (공고일: 2010. 08. 25.)Korea Patent Registration No. 10-0978028 (Notice: 2010. 08. 25.)

실시예에 따르면 방출되는 빛의 광속이 향상된 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.According to an embodiment, a light emitting device package having an improved luminous flux of light emitted may be provided.

실시예에 따르면 발광 효율이 향상된 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.According to an embodiment, a light emitting device package having improved light emission efficiency may be provided.

실시예에 따르면 생산 비용이 절감된 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package with reduced production cost.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 기판, 상기 기판 위에 배치되는 제1리드프레임, 상기 기판 위에 배치되고 상기 제1리드프레임과 서로 분리되어 배치되는 제2리드프레임, 상기 기판 위에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자와 상기 제1리드프레임을 전기적으로 연결하는 제1와이어, 및 상기 발광 소자와 상기 제2리드프레임을 전기적으로 연결하는 제2와이어를 포함하고, 상기 제1와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제1와이어에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 5wt% 이상 15wt% 이하일 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a substrate, a first lead frame disposed on the substrate, a second lead frame disposed on the substrate and separated from the first lead frame, the light emitting device disposed on the substrate, and A first wire electrically connecting the light emitting element and the first lead frame, and a second wire electrically connecting the light emitting element and the second lead frame, wherein the first wire includes gold (Au) and silver; Including (Ag), the weight percentage of gold (Au) included in the first wire may be 5 wt% or more and 15 wt% or less.

다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 기판, 상기 기판 위에 배치되는 제1리드프레임, 상기 기판 위에 배치되고 상기 제1리드프레임과 서로 분리되어 배치되는 제2리드프레임, 상기 기판 위에 배치되는 발광 소자, 일단이 상기 발광 소자의 제1전극에 접합되고, 타단이 상기 제1리드프레임에 접합되는 제1와이어, 및 일단이 상기 발광 소자의 제2전극에 접합되고, 타단이 상기 제2리드프레임에 접합되는 제2와이어를 포함하고, 상기 제1와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제1와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하일 수 있다.A light emitting device package according to another embodiment may include a substrate, a first lead frame disposed on the substrate, a second lead frame disposed on the substrate and separated from the first lead frame, the light emitting device disposed on the substrate, A first wire having one end bonded to the first electrode of the light emitting device, the other end bonded to the first lead frame, and one end bonded to the second electrode of the light emitting device, and the other end bonded to the second lead frame. The first wire may include gold (Au) and silver (Ag), and the weight percentage of silver (Ag) included in the first wire may be 80 wt% or more and 95 wt% or less.

실시예에 따른 조명 시스템은 하우징, 및 상기 하우징 내에 배치되는, 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting system according to the embodiment may include a housing and a light emitting device package according to the embodiment, disposed in the housing.

또한, 상기 제1와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하일 수 있다.In addition, the weight percentage of silver (Ag) included in the first wire may be 80 wt% or more and 95 wt% or less.

또한, 상기 제1와이어는 납(Pd)을 더 포함하고, 상기 제1와이어에 포함된 납(Pd)의 중량 백분율은 0wt% 이상 15wt% 이하일 수 있다.In addition, the first wire further includes lead (Pd), the weight percentage of lead (Pd) contained in the first wire may be more than 0wt% 15wt%.

또한, 상기 제2와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제2와이어에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 5wt% 이상 15wt% 이하일 수 있다.In addition, the second wire may include gold (Au) and silver (Ag), and the weight percentage of gold (Au) included in the second wire may be 5 wt% or more and 15 wt% or less.

또한, 상기 제2와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하일 수 있다.In addition, the weight percentage of silver (Ag) included in the second wire may be 80 wt% or more and 95 wt% or less.

또한, 상기 제2와이어는 납(Pd)을 더 포함하고, 상기 제2와이어에 포함된 납(Pd)의 중량 백분율은 0wt% 이상 15wt% 이하일 수 있다.In addition, the second wire may further include lead (Pd), the weight percentage of lead (Pd) contained in the second wire may be more than 0wt% 15wt%.

또한, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 기판 위에 배치되고 상기 발광 소자를 둘러싸도록 배치되는 반사체를 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may further include a reflector disposed on the substrate and surrounding the light emitting device.

또한, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자, 상기 제1와이어 및 상기 제2와이어를 덮는 봉지재를 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may further include an encapsulant covering the light emitting device, the first wire and the second wire.

실시예에 따르면 발광 소자 패키지로부터 방출되는 빛의 광속을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the luminous flux of light emitted from the light emitting device package can be improved.

실시예에 따르면 발광 소자 패키지의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the luminous efficiency of the light emitting device package can be improved.

실시예에 따르면 발광 소자 패키지의 생산 비용을 절감시킬 수 있다.According to the embodiment it is possible to reduce the production cost of the light emitting device package.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 종단면도이다.
도 2는 금속의 종류에 따른 파장에 대한 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 3은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제1와이어 및 제2와이어에 포함된 금(Au)의 중량 백분율에 대한 광속 향상율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 시간에 따른 광속 유지율의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템을 나타내는 사시도이다.1 is a longitudinal cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a graph showing reflectance versus wavelength according to the type of metal.
3 is a graph showing the luminous flux improvement rate with respect to the weight percentage of gold (Au) included in the first and second wires of the light emitting device package according to the embodiment.
4 is a graph showing a change in luminous flux retention with time of the light emitting device package according to the embodiment.
5 is a perspective view illustrating a lighting system including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the appended drawings illustrate the present invention in order to more easily explain the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto. You will know.

또한, 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In addition, the criteria for the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 어느 한 구성요소가 다른 구성요소의 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”는 두 개의 구성요소가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소가 상기 두 구성요소 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 구성요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, when one component is described as being formed “on” or “under” of another component, “up” Or "on" or "under" includes both those in which two components are in direct contact with one another or one or more other components are formed indirectly between the two components. In addition, when expressed as “on” or “under”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one component.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함된다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 이외의 다른 구성요소를 제외한다는 의미가 아니라 이외의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is "connected" with another part, it is not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. Included. In addition, when a part is said to "include" any component, this does not mean that other components are excluded unless specifically stated otherwise, it means that it may further include other components.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지에 관하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a light emitting device 130 package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 종단면도이다.1 is a longitudinal cross-sectional view of a light emitting device 130 package according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지는 기판(100), 기판(100) 위에 배치되는 제1리드프레임(110), 기판(100) 위에 배치되고 제1리드프레임(110)과 서로 분리되어 배치되는 제2리드프레임(120), 기판(100) 위에 배치되는 발광 소자(130), 발광 소자(130)와 제1리드프레임(110)을 연결하는 제1와이어(140), 발광 소자(130)와 제2리드프레임(120)을 연결하는 제2와이어(150), 기판(100) 위에 배치되고 발광 소자(130)를 둘러싸도록 배치되는 반사체(160), 및 발광 소자(130), 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)를 덮는 봉지재(170)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a package of a light emitting device 130 according to an embodiment is disposed on a substrate 100, a first lead frame 110 disposed on the substrate 100, a substrate 100, and the first lead frame 110. ) And the second lead frame 120 disposed separately from each other, the light emitting device 130 disposed on the substrate 100, and the first wire 140 connecting the light emitting device 130 and the first lead frame 110. A second wire 150 connecting the light emitting device 130 and the second lead frame 120, a reflector 160 disposed on the substrate 100 and surrounding the light emitting device 130, and a light emitting device ( 130, an encapsulant 170 covering the first wire 140 and the second wire 150 may be included.

기판(100)은 발광 소자(130) 패키지의 몸체 역할을 하는 것으로서 기판(100)으로 사용된 소재에 따라 플라스틱 패키지, 세라믹 패키지, 금속 패키지 등으로 분류되기도 한다. The substrate 100 serves as a body of the light emitting device 130 package, and may be classified into a plastic package, a ceramic package, and a metal package according to a material used as the substrate 100.

기판(100) 위에는 절연층(미도시)이 배치될 수 있다. 절연층은 기판(100)과 다른 구성요소 사이의 전기적 연결을 차단하는 역할을 한다. 다만, 기판(100)이 비전도성 물질로 이루어져 있는 경우에는 절연층을 배치하지 않아도 무방하다.An insulating layer (not shown) may be disposed on the substrate 100. The insulating layer serves to block electrical connections between the substrate 100 and other components. However, when the substrate 100 is made of a nonconductive material, the insulating layer may not be disposed.

제1리드프레임(110)은 기판(100) 위에 배치될 수 있다. 제1리드프레임(110)은 기판(100) 아래에 배치될 수도 있다. 또한, 제1리드프레임(110)은 기판(100)을 관통하도록 배치될 수도 있고, 기판(100)의 적어도 2개 이상의 면 위에 걸쳐 배치될 수도 있다.The first lead frame 110 may be disposed on the substrate 100. The first lead frame 110 may be disposed under the substrate 100. In addition, the first lead frame 110 may be disposed to penetrate the substrate 100 or may be disposed on at least two or more surfaces of the substrate 100.

제2리드프레임(120)은 기판(100) 위에 배치될 수 있다. 제2리드프레임(120)은 기판(100) 아래에 배치될 수도 있다. 또한, 제2리드프레임(120)은 기판(100)을 관통하도록 배치될 수도 있고, 기판(100)의 적어도 2개 이상의 면 위에 걸쳐 배치될 수도 있다.The second lead frame 120 may be disposed on the substrate 100. The second lead frame 120 may be disposed under the substrate 100. In addition, the second lead frame 120 may be disposed to penetrate the substrate 100 or may be disposed on at least two or more surfaces of the substrate 100.

제1리드프레임(110) 및 제2리드프레임(120)은 서로 분리되어 배치될 수 있다. 제1리드프레임(110) 및 제2리드프레임(120)은 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 제1리드프레임(110) 및 제2리드프레임(120)은 발광 소자(130) 패키지의 내부와 외부를 연결해 주는 전기 도선의 역할을 할 수 있다. 또한 제1리드프레임(110) 및 제2리드프레임(120)은 발광 소자(130) 패키지에서 발생하는 열을 방출시켜 주는 역할과 발광 소자(130)를 지지해 주는 버팀대의 역할도 할 수 있다. 또한 제1리드프레임(110) 및 제2리드프레임(120)은 발광 소자(130)로부터 방출되어 입사되는 빛을 반사시켜 발광 소자(130) 패키지의 외부로 방출될 수 있도록 할 수 있다. 제1리드프레임(110) 및 제2리드프레임(120)은 발광 소자(130)로부터 방출되어 입사되는 빛을 반사시키기 위해 은(Ag)으로 도금될 수 있다.The first lead frame 110 and the second lead frame 120 may be separated from each other. The first lead frame 110 and the second lead frame 120 may be made of a conductive material. The first lead frame 110 and the second lead frame 120 may serve as electrical conductors connecting the inside and the outside of the light emitting device 130 package. In addition, the first lead frame 110 and the second lead frame 120 may also play a role of releasing heat generated from the light emitting device 130 package and a support for supporting the light emitting device 130. In addition, the first lead frame 110 and the second lead frame 120 may reflect the light emitted from the light emitting device 130 to be emitted to the outside of the light emitting device 130 package. The first lead frame 110 and the second lead frame 120 may be plated with silver (Ag) to reflect the light emitted from the light emitting device 130 and incident.

발광 소자(130)는 기판(100) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자(130)는 발광 다이오드(LED)일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 각각 발광하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있으나, 그 종류나 수에 한정되지는 않는다.The light emitting device 130 may be disposed on the substrate 100. The light emitting device 130 may be a light emitting diode (LED), but is not limited thereto. The light emitting diodes may be red, green, blue, or white light emitting diodes emitting red, green, blue, or white light, respectively, but are not limited thereto.

발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그 곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되어 모든 노출 표면을 통해 발광 다이오드 밖으로 방출되게 된다.Light emitting diodes are a type of solid state device that converts electrical energy into light and generally comprise an active layer of semiconductor material sandwiched between two opposing doped layers. When a bias is applied across the two doped layers, holes and electrons are injected into the active layer and then recombined there to generate light, which is emitted in all directions and out of the light emitting diode through all exposed surfaces. Will be.

제1와이어(140)는 일단이 발광 소자(130)의 제1전극에 접합될 수 있고, 타단이 제1리드프레임(110)에 접합될 수 있다. 이로써 제1와이어(140)는 발광 소자(130)와 제1리드프레임(110)을 전기적으로 연결할 수 있다.One end of the first wire 140 may be bonded to the first electrode of the light emitting device 130, and the other end thereof may be bonded to the first lead frame 110. As a result, the first wire 140 may electrically connect the light emitting device 130 and the first lead frame 110.

제2와이어(150)는 일단이 발광 소자(130)의 제2전극에 접합될 수 있고, 타단이 제2리드프레임(120)에 접합될 수 있다. 이로써 제2와이어(150)는 발광 소자(130)와 제2리드프레임(120)을 전기적으로 연결할 수 있다.One end of the second wire 150 may be bonded to the second electrode of the light emitting device 130, and the other end thereof may be bonded to the second lead frame 120. As a result, the second wire 150 may electrically connect the light emitting device 130 and the second lead frame 120.

제1와이어(140) 및 제2와이어(150)는 제품의 신뢰성, 생산성, 원가, 성능 등을 고려하여 선택될 수 있으며, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속이 사용될 수 있다.The first wire 140 and the second wire 150 may be selected in consideration of reliability, productivity, cost, performance, etc. of the product, and the material of the first wire 140 and the second wire 150 is gold. Metals such as (Au), silver (Ag), copper (Cu) and aluminum (Al) may be used.

도 2는 금속의 종류에 따른 파장에 대한 반사율을 나타낸 그래프이다. 도 2를 참조하면, 금(Au)과 구리(Cu)는 단파장 영역대에서 장파장 영역대에 비하여 훨씬 낮은 반사율을 갖고 있음을 알 수 있다. 즉, 금(Au)과 구리(Cu)는 가시광선 영역에서 푸른빛을 내는 360nm 내지 480nm까지의 영역대에서, 가시광선 영역에서 붉은 빛을 내는 560nm 내지 780nm까지의 영역대에 비하여 낮은 반사율을 갖고 있음을 알 수 있다.2 is a graph showing reflectance versus wavelength according to the type of metal. Referring to FIG. 2, it can be seen that Au and Cu have much lower reflectances in the short wavelength band than in the long wavelength band. In other words, gold (Au) and copper (Cu) have low reflectances in the range of 360 nm to 480 nm, which emits blue light in the visible region, and have a low reflectance compared to the range of 560 nm to 780 nm, which emit red light in the visible region. It can be seen that.

또한 도 2을 참조하면, 은(Ag)과 알루미늄(Al)은 단파장 영역대에서 장파장 영역대에 비하여 조금 낮은 반사율을 갖고 있음을 알 수 있다. 그러나, 은(Ag)과 알루미늄(Al)은 금(Au)과 구리(Cu)에 비하여 단파장 영역대로부터 장파장 영역대까지 고른 반사율을 갖고 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that silver (Ag) and aluminum (Al) have slightly lower reflectances in the short wavelength band than the long wavelength band. However, it can be seen that silver (Ag) and aluminum (Al) have even reflectances from the short wavelength band to the long wavelength band as compared with gold (Au) and copper (Cu).

제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로서 금(Au)을 사용하는 경우, 은(Ag)을 사용하는 경우에 비해 반사율이 낮을 수 있다. 즉, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로서 금(Au)을 사용하는 경우, 은(Ag)을 사용하는 경우에 비해, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛을 더 흡수할 수 있다. 또한, 이로써 발광 소자(130) 패키지로부터 방출되는 빛의 광속이 저하될 수 있다.When gold (Au) is used as the material of the first wire 140 and the second wire 150, the reflectance may be lower than that of the silver (Ag). That is, when gold (Au) is used as a material of the first wire 140 and the second wire 150, the first wire 140 and the second wire 150 are compared with the case of using silver (Ag). ) May further absorb light emitted from the light emitting device 130. In addition, the luminous flux of light emitted from the light emitting device 130 package may be reduced.

제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로서 은(Ag)을 사용하는 경우, 시간이 지남에 따라 검게 변할 수 있다. 즉, 은(Ag)은 공기 중의 황화수소(H2S) 및 산소(O2)와 반응하여 검정색의 황화은(Ag2S)으로 변할 수 있다. 이와 같은 과정의 반응식은 아래와 같다. When silver (Ag) is used as a material of the first wire 140 and the second wire 150, it may turn black over time. That is, silver (Ag) may react with hydrogen sulfide (H 2 S) and oxygen (O 2 ) in the air to turn into black silver sulfide (Ag 2 S). The reaction scheme of this process is as follows.

4Ag(s) + 2H2S(s) + O2(g) -> 2Ag2S(s) + 2H2O(l)4Ag (s) + 2H 2 S (s) + O 2 (g)-> 2Ag 2 S (s) + 2H 2 O (l)

은(Ag)이 검정색의 황화은(Ag2S)으로 변하게 되면, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 반사율이 현저히 낮아질 수 있다. 또한, 이로써 발광 소자(130) 패키지로부터 방출되는 빛의 광속이 저하될 수 있다.When silver (Ag) is changed to black silver sulfide (Ag 2 S), the reflectance of the first wire 140 and the second wire 150 may be significantly lowered. In addition, the luminous flux of light emitted from the light emitting device 130 package may be reduced.

실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)는 금(Au)과 은(Ag)의 합금을 포함할 수 있다. 즉, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로서 반사율이 높은 은(Ag)을 포함하도록 함으로써 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛의 흡수를 억제하고, 발광 소자(130) 패키지로부터 방출되는 빛의 광속 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로서 금(Au)을 포함하도록 함으로써 은(Ag)의 황화를 억제할 수 있다.The first wire 140 and the second wire 150 of the light emitting device 130 package according to the embodiment may include an alloy of gold (Au) and silver (Ag). That is, by including silver (Ag) having high reflectance as a material of the first wire 140 and the second wire 150, the absorption of light emitted from the light emitting device 130 is suppressed, and the light emitting device 130 package is included. It is possible to improve the luminous flux and luminous efficiency of the light emitted from the. In addition, sulfide of silver (Ag) can be suppressed by including gold (Au) as a material of the first wire 140 and the second wire 150.

제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 은(Ag)의 중량 백분율보다 낮을 수 있다. 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 접합성을 확보하고 광흡수율을 낮추기 위하여, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상이 되도록 할 수 있다. 또한, 상기와 같이 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 낮추고 은(Ag)의 중량 백분율은 높이는 경우, 은(Ag)은 금(Au)보다 염가이므로 발광 소자(130) 패키지의 생산 비용을 절감시킬 수 있다.The weight percentage of gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 may be lower than the weight percentage of silver (Ag). In order to secure the bonding property of the first wire 140 and the second wire 150 and lower the light absorption rate, the weight percentage of silver (Ag) included in the first wire 140 and the second wire 150 is 80wt%. This can be done. In addition, when the weight percentage of gold (Au) included in the first and second wires 140 and 150 is lowered and the weight percentage of silver (Ag) is increased, silver (Ag) is gold (Au). Since it is more inexpensive, it is possible to reduce the production cost of the light emitting device 130 package.

도 3은 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율에 대한 광속 향상율을 나타낸 그래프이다. 도 3은, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율이 100wt%일 경우의 광속을 기준으로 하여, 금(Au)의 중량 백분율을 0wt% 내지 20wt%로 낮추었을 경우의 광속을 백분율로 나타낸다. 도 3의 실험 데이터를 구하는 데에 사용된 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)는 금(Au)과 은(Ag)의 합금으로 이루어져 있다.FIG. 3 is a graph illustrating a luminous flux improvement rate with respect to a weight percentage of gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 of the light emitting device 130 package according to the embodiment. 3 is based on the luminous flux when the weight percentage of gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 is 100wt%, and the weight percentage of gold (Au) is 0wt% to 0wt%. The luminous flux at the time of lowering to 20wt% is expressed as a percentage. The first wire 140 and the second wire 150 used to obtain the experimental data of FIG. 3 are made of an alloy of gold (Au) and silver (Ag).

도 3을 참조하면, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율이 0wt%일 경우 즉, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 은(Ag)으로만 이루어져 있을 경우의 광속은, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 금(Au)으로만 이루어져 있을 경우의 광속의 약 105.5%를 나타냈다. Referring to FIG. 3, when the weight percentage of gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 is 0wt%, that is, the first wire 140 and the second wire 150 are The luminous flux in the case of only silver (Ag) represented about 105.5% of the luminous flux in the case where the first wire 140 and the second wire 150 consist only of gold (Au).

또한, 금(Au)의 중량 백분율이 5wt%일 경우 즉, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율이 95wt%일 경우의 광속은, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 금(Au)으로만 이루어져 있을 경우의 광속의 약 104.9%를 나타냈다.In addition, when the weight percentage of gold (Au) is 5wt%, that is, when the weight percentage of silver (Ag) included in the first wire 140 and the second wire 150 is 95wt%, When the wire 140 and the second wire 150 consisted of only gold (Au), about 104.9% of the luminous flux was shown.

또한, 금(Au)의 중량 백분율이 10wt%일 경우 즉, 은(Ag)의 중량 백분율이 90wt%일 경우의 광속은, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 금(Au)으로만 이루어져 있을 경우의 광속의 약 104.7%를 나타냈다.In addition, when the weight percentage of gold (Au) is 10wt%, that is, when the weight percentage of silver (Ag) is 90wt%, the luminous flux of the first wire 140 and the second wire 150 is gold (Au). When only consisted of about 104.7% of the luminous flux was shown.

또한, 금(Au)의 중량 백분율이 15wt%일 경우의 광속은 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 금(Au)으로만 이루어져 있을 경우의 광속의 약 104.0%를 나타냈다.In addition, when the weight percentage of gold (Au) is 15wt%, the luminous flux represented about 104.0% of the luminous flux when the first wire 140 and the second wire 150 consist only of gold (Au).

또한, 금(Au)의 중량 백분율이 20wt%일 경우의 광속은 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)가 금(Au)으로만 이루어져 있을 경우의 광속의 약 101.8%를 나타냈다.In addition, when the weight percentage of gold (Au) is 20wt%, the luminous flux represented about 101.8% of the luminous flux when the first wire 140 and the second wire 150 consist only of gold (Au).

도 3을 참조하면, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율이 15wt% 초과일 경우에 비하여 15wt% 이하일 경우에 현저한 광속 향상 효과가 있음을 확인할 수 있다. 따라서 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 15wt% 이하가 되도록 할 수 있다.Referring to FIG. 3, when the weight percentage of the gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 is greater than 15 wt%, it is confirmed that there is a significant luminous flux improvement effect when the weight is less than 15 wt%. Can be. Therefore, the weight percentage of gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 of the light emitting device 130 package according to the embodiment may be 15 wt% or less.

도 4는 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 시간에 따른 광속 유지율의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 4는 부식 가스 분위기에 발광 소자(130) 패키지를 배치하고, 시간이 0일 때의 광속을 기준으로 하여 200시간 및 300시간이 지났을 때의 광속을 백분율로 나타낸다. 도 4의 실험 데이터를 구하기 위하여 설정된 부식 가스 분위기 조건은 온도 섭씨 40도, 습도 80% RH, 황화수소(H2S) 농도 3ppm이다. 실험 데이터를 구하는 데에 사용된 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)는 금(Au)과 은(Ag)의 합금으로 이루어져 있다.4 is a graph showing a change in luminous flux retention with time of the light emitting device 130 package according to the embodiment. 4 shows the light emitting device 130 package in a corrosive gas atmosphere, and shows the light flux when 200 hours and 300 hours have elapsed based on the light flux when time is zero. Corrosive gas atmosphere conditions set for obtaining the experimental data of FIG. 4 are 40 degrees Celsius, 80% RH humidity, and 3 ppm hydrogen sulfide (H 2 S) concentration. The first wire 140 and the second wire 150 used to obtain the experimental data are made of an alloy of gold (Au) and silver (Ag).

도 4를 참조하면, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율이 3wt%일 경우 즉, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율이 97wt%일 경우, 200시간이 지났을 때의 광속은 시간이 0일 때의 광속의 약 94.5%를 나타냈다. 그리고 300시간이 지났을 때의 광속은 시간이 0일 때의 광속의 약 92%를 나타냈다.Referring to FIG. 4, when the weight percentage of Au included in the first and second wires 140 and 150 is 3wt%, that is, in the first and second wires 140 and 150, When the weight percentage of Ag contained was 97wt%, the luminous flux after 200 hours was about 94.5% of the luminous flux when the time was zero. The luminous flux after 300 hours was about 92% of the luminous flux at time zero.

또한, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율이 5wt%일 경우 즉, 은(Ag)의 중량 백분율이 95wt%일 경우, 200시간이 지났을 때의 광속은 시간이 0일 때의 광속의 약 98%를 나타냈다. 그리고 300시간이 지났을 때의 광속은 시간이 0일 때의 광속의 약 96%를 나타냈다.In addition, when the weight percentage of gold (Au) contained in the first wire 140 and the second wire 150 is 5wt%, that is, when the weight percentage of silver (Ag) is 95wt%, when 200 hours have passed The luminous flux showed about 98% of the luminous flux at time zero. The luminous flux after 300 hours was about 96% of the luminous flux when the time was zero.

또한, 금(Au)의 중량 백분율이 10wt%일 경우 즉, 은(Ag)의 중량 백분율이 90wt%일 경우, 200시간이 지났을 때의 광속은 시간이 0일 때의 광속의 약 99%를 나타냈다. 그리고 300시간이 지났을 때의 광속은 시간이 0일 때의 광속의 약 98%를 나타냈다.In addition, when the weight percentage of gold (Au) was 10 wt%, that is, when the weight percentage of silver (Ag) was 90 wt%, the luminous flux after 200 hours was about 99% of the luminous flux when the time was 0. . And the luminous flux after 300 hours was about 98% of the luminous flux when the time was zero.

도 4를 참조하면, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율이 5wt% 미만일 경우에 비하여 5wt% 이상일 경우에 시간에 따른 광속 저하율이 현저히 낮아짐을 확인할 수 있다. 따라서 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 5wt% 이상이 되도록 할 수 있다. Referring to FIG. 4, when the weight percentage of the gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 is less than 5 wt%, the rate of luminous flux drop with time is significantly lowered. You can check it. Therefore, the weight percentage of gold (Au) included in the first wire 140 and the second wire 150 of the light emitting device 130 package according to the embodiment may be 5wt% or more.

한편, 은(Ag)은 마이그레이션(migration)을 일으키기 쉬울 수 있다. 마이그레이션은 전해 이행이라고도 하며, 일종의 전해 부식이다. 마이그레이션은 흡습성이 비교적 큰 절연물 중에서 두 개의 전극간에 전압이 걸리면, 애노드(anode)에서 전극금속이 이온이 되어 용출하여 전해 부식되는 현상을 말한다. 즉, 애노드(anode) 부근에서 2AgOH <-> Ag2O + H2O의 반응을 통해 Ag2O의 콜로이드가 생성될 수 있다. Ag2O는 절연물 중의 환원성 물질 또는 외적 요인에 의해 환원되며, Ag이온이 되어 캐소드(cathode)에서 침상결정으로서 석출됨으로써 전기적 단락 또는 절연파괴의 원인이 될 수 있다.On the other hand, Ag may be susceptible to migration. Migration is also known as electrolytic transition and is a type of electrolytic corrosion. Migration refers to a phenomenon in which, when voltage is applied between two electrodes among insulators having relatively high hygroscopicity, the electrode metal becomes ions at the anode and elutes to cause electrolytic corrosion. That is, a colloid of Ag 2 O may be generated through the reaction of 2AgOH <-> Ag 2 O + H 2 O in the vicinity of the anode. Ag 2 O is reduced by a reducing substance or an external factor in the insulator, and becomes Ag ions and precipitates as needle crystals in the cathode, which may cause an electric short circuit or breakdown.

따라서, 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)는 납(Pd)을 더 포함하도록 할 수 있다. 즉, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)의 소재로서 금(Au)과 은(Ag) 외에 납(Pd)을 더 포함하도록 함으로써 마이그레이션을 억제할 수 있다. 다만, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)는 납(Pd)을 포함하지 않더라도 무방하다. 따라서, 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)에 포함되는 납(Pd)의 중량 백분율은 0wt% 이상 15wt% 이하가 되도록 할 수 있다.Therefore, the first wire 140 and the second wire 150 of the light emitting device 130 package according to the embodiment may further include lead (Pd). In other words, migration may be suppressed by further including lead (Pd) in addition to gold (Au) and silver (Ag) as materials of the first and second wires 140 and 150. However, the first wire 140 and the second wire 150 may not include lead (Pd). Therefore, the weight percentage of lead (Pd) included in the first wire 140 and the second wire 150 may be 0wt% or more and 15wt% or less.

반사체(160)는 기판(100) 위에 배치될 수 있다. 반사체(160)는 방향족 폴리아미드, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 우레탄 수지 등의 재질로 이루어질 수 있다.The reflector 160 may be disposed on the substrate 100. The reflector 160 may be made of a material such as aromatic polyamide, epoxy resin, silicone resin, urethane resin, or the like.

반사체(160)는 발광 소자(130) 주변을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 반사체(160)의 내벽이 발광 소자(130)를 향하도록 배치될 수 있다. 반사체(160)가 상기와 같이 배치되면, 반사체(160)의 내벽이 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛에 노출될 수 있다.The reflector 160 may be disposed to surround the light emitting device 130. That is, the inner wall of the reflector 160 may be disposed to face the light emitting device 130. When the reflector 160 is disposed as described above, the inner wall of the reflector 160 may be exposed to light emitted from the light emitting element 130.

반사체(160)는 원형 링(ring) 형상을 가질 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 타원형 링, 사각형 링 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.The reflector 160 may have a circular ring shape. However, the present invention is not limited thereto and may have various shapes such as an oval ring and a rectangular ring.

반사체(160)는 기판(100)에 접착수단, 예를 들어 접착제에 의해 접착될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 나사결합방식, 예를 들어 나사에 의해 기판(100)에 결합될 수 있다.The reflector 160 may be attached to the substrate 100 by an adhesive means, for example, an adhesive. However, the present invention is not limited thereto and may be coupled to the substrate 100 by a screwing method, for example, a screw.

반사체(160)의 내벽에는 반사층이 형성될 수 있다. 반사층은 발광 소자(130)로부터 방출되어 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 반사층은 반사율을 높이기 위해 광반사 물질이 코팅 또는 증착되어 형성될 수 있다. 반사층 표면의 반사율은 70% 이상이 되도록 할 수 있다.A reflective layer may be formed on the inner wall of the reflector 160. The reflective layer may reflect the light emitted from the light emitting element 130. The reflective layer may be formed by coating or depositing a light reflecting material to increase the reflectance. The reflectance of the surface of the reflective layer can be 70% or more.

반사체(160)의 내벽은 발광 소자(130)로부터 방출된 빛을 외부로 용이하게 반사시키기 위해 경사를 가질 수 있다. 즉, 도 1에 나타난 바와 같이, 반사체(160)의 내벽이 기판(100)과 둔각을 이룰 수 있다. 또한, 반사체(160)의 내벽은 경사를 가지지 않을 수도 있으며, 기판(100)과 실질적으로 수직을 이룰 수도 있다.The inner wall of the reflector 160 may have an inclination to easily reflect the light emitted from the light emitting device 130 to the outside. That is, as shown in FIG. 1, the inner wall of the reflector 160 may form an obtuse angle with the substrate 100. In addition, the inner wall of the reflector 160 may not have an inclination and may be substantially perpendicular to the substrate 100.

반사체(160)는 실시예에 따른 발광 소자(130) 패키지의 최외곽에 배치됨으로써 발광 소자(130) 패키지의 외관을 형성할 수 있다. 또한, 반사체(160)는 발광 소자(130) 패키지의 내부에 배치되는 다른 구성요소들을 보호하는 역할을 할 수 있다.The reflector 160 may be disposed at the outermost portion of the light emitting device 130 package according to the embodiment to form an appearance of the light emitting device 130 package. In addition, the reflector 160 may serve to protect other components disposed in the light emitting device 130 package.

봉지재(170)는 반사체(160)의 내부에 채워질 수 있다. 봉지재(170)는 기판(100) 위에 배치된 발광 소자(130)의 상부 및 측부를 덮을 수 있다. 또한, 봉지재(170)는 제1와이어(140) 및 제2와이어(150)를 덮을 수 있다. 봉지재(170)의 윗면은 도 1에 나타난 바와 같이 평평할 수도 있고, 임의의 곡률을 가질 수도 있다. The encapsulant 170 may be filled in the reflector 160. The encapsulant 170 may cover the upper and side portions of the light emitting device 130 disposed on the substrate 100. In addition, the encapsulant 170 may cover the first wire 140 and the second wire 150. The top surface of the encapsulant 170 may be flat as shown in FIG. 1, or may have an arbitrary curvature.

봉지재(170)는 수지로 이루어질 수 있다. 봉지재(170)는 투광성 수지 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등으로 이루어질 수 있다.The encapsulant 170 may be made of resin. The encapsulant 170 may be made of a light transmitting resin, for example, a silicone resin, an epoxy resin, or the like.

봉지재(170)는 적어도 하나 이상의 형광체를 포함할 수 있다. 형광체는 입사된 빛을 여기시켜 특정 파장대로 변환된 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다.The encapsulant 170 may include at least one phosphor. The phosphor may excite incident light to emit light having a wavelength converted to a specific wavelength.

구체적으로, 봉지재(170)는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 상기 형광체의 종류에 한정되지는 않는다. 봉지재(170)에 포함되는 형광체의 종류, 종류의 개수 및 양은 경우에 따라 여러 가지로 변형될 수 있다. Specifically, the encapsulant 170 may include at least one or more of a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor, but is not limited to the type of the phosphor. The type, number and amount of phosphors included in the encapsulant 170 may be variously modified in some cases.

황색 형광체는 청색광(430nm ~ 480nm)에 응답하여 540nm 내지 585nm 범위에서 주 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다. 녹색 형광체는 청색광(430nm ~ 480nm)에 응답하여 510nm 내지 535nm 범위에서 주 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다. 적색 형광체는 청색광(430nm ~ 480nm)에 응답하여 600nm 내지 650nm 범위에서 주 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다. 황색 형광체는 실리케이트계 또는 야그계의 형광체일 수 있다. 녹색 형광체는 실리케이트계, 나이트라이드계 또는 설파이드계 형광체일 수 있다. 적색 형광체는 나이트라이드계 또는 설파이드계 형광체일 수 있다.The yellow phosphor may emit light having a main wavelength in the range of 540 nm to 585 nm in response to blue light (430 nm to 480 nm). The green phosphor may emit light having a main wavelength in the range of 510 nm to 535 nm in response to blue light (430 nm to 480 nm). The red phosphor may emit light having a main wavelength in the range of 600 nm to 650 nm in response to blue light (430 nm to 480 nm). The yellow phosphor may be a silicate or yag phosphor. The green phosphor may be a silicate-based, nitride-based or sulfide-based phosphor. The red phosphor may be a nitride or sulfide phosphor.

도 5는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view illustrating a lighting system including a light emitting device package according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 조명 시스템(1500)는 케이스(1510), 케이스(1510) 위에 배치되는 발광 모듈(1530), 케이스(1510)와 연결되는 커버(1550) 및 케이스(1510)에 연결되며 외부 전원 공급원으로부터 전력을 공급받는 접속 터미널(1570)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the lighting system 1500 is connected to the case 1510, the light emitting module 1530 disposed on the case 1510, the cover 1550 connected to the case 1510, and the case 1510, and is external. It may include a connection terminal 1570 powered from a power source.

케이스(1510)는 금속 및 레진 물질과 같은 방열성이 좋은 물질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation such as metal and a resin material.

발광 모듈(1530)은 보드(Board, 1531) 및 보드(1531) 위에 탑재되는 실시 예에 따른 적어도 하나의 발광 소자 패키지(1533)를 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자 패키지(1533)는 보드(1531) 위에 방사상 구조로 서로 일정한 거리로 이격되어 배열될 수 있다.The light emitting module 1530 may include a board 1531 and at least one light emitting device package 1533 according to an embodiment mounted on the board 1531. The plurality of light emitting device packages 1533 may be arranged to be spaced apart from each other in a radial structure on the board 1531.

보드(1531)는 회로 패턴이 인쇄된 절연 기판일 수 있고, 예를 들어, PCB (printed circuit board), 메탈 코어 PCB, 플렉서블 PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다.The board 1531 may be an insulated substrate on which a circuit pattern is printed, and may include, for example, a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, an FR-4 substrate, and the like.

또한, 보드(1531)는 빛을 효과적으로 반사하는 물질로 형성될 수 있고, 보드 (1531)의 표면은 빛을 효과적으로 반사하는 흰색 또는 은색의 색으로 형성될 수 있다.In addition, the board 1531 may be formed of a material that effectively reflects light, and the surface of the board 1531 may be formed of a white or silver color that effectively reflects light.

적어도 하나의 발광 소자 패키지(1533)가 보드(1531) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자 패키지(1533) 각각은 적어도 하나의 발광 소자(130)를 포함할 수 있다. 발광 소자(130)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 방출하는 발광 다이오드 및 UV 를 방출하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 1533 may be disposed on the board 1531. Each of the light emitting device packages 1533 may include at least one light emitting device 130. The light emitting device 130 may include a light emitting diode emitting red, green, blue or white, and a UV light emitting diode emitting UV.

발광 모듈(1530)은 원하는 색 및 휘도를 얻도록 다양한 발광 소자 패키지(1533)의 조합을 가질 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(1530)은 높은 CRI 를 얻도록 백색, 적색, 녹색 발광 다이오드의 조합을 가질 수 있다.The light emitting module 1530 may have a combination of various light emitting device packages 1533 to obtain a desired color and brightness. For example, the light emitting module 1530 may have a combination of white, red, and green light emitting diodes to obtain high CRI.

접속 터미널(1570)은 전력 공급을 위해 발광 모듈(1530)에 전기적으로 연결될 수 있다. 접속 터미널(1570)은 외부 전력에 소켓 타입으로 나사식으로 연결될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 접속 터미널(1570)은 핀 타입으로 만들어져 외부 전력에 삽입될 수 있으며, 전력선을 통해 외부 전력에 접속될 수도 있다.The connection terminal 1570 may be electrically connected to the light emitting module 1530 for power supply. The connection terminal 1570 may be threadedly connected to an external power in a socket type, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1570 may be made of a pin type and inserted into external power, or may be connected to external power through a power line.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100 : 기판
110 : 제1리드프레임
120 : 제2리드프레임
130 : 발광 소자
140 : 제1와이어
150 : 제2와이어
160 : 반사체
170 : 봉지재
1500 : 조명 시스템
1510 : 케이스
1530 : 발광 모듈
1531 : 보드
1533 : 발광 소자 패키지
1550 : 커버
1570 : 접속 터미널100: substrate
110: first lead frame
120: second lead frame
130: light emitting element
140: first wire
150: second wire
160: reflector
170: encapsulant
1500: lighting system
1510: Case
1530: light emitting module
1531: Board
1533: light emitting device package
1550: Cover
1570: connection terminal

Claims (11)

기판;
상기 기판 위에 배치되는 제1리드프레임;
상기 기판 위에 배치되고 상기 제1리드프레임과 서로 분리되어 배치되는 제2리드프레임;
상기 기판 위에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자와 상기 제1리드프레임을 전기적으로 연결하는 제1와이어; 및
상기 발광 소자와 상기 제2리드프레임을 전기적으로 연결하는 제2와이어
를 포함하고,
상기 제1와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제1와이어에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 5wt% 이상 15wt% 이하인 발광 소자 패키지.Board;
A first lead frame disposed on the substrate;
A second lead frame disposed on the substrate and disposed separately from the first lead frame;
A light emitting device disposed on the substrate;
A first wire electrically connecting the light emitting element and the first lead frame; And
A second wire electrically connecting the light emitting element and the second lead frame;
Including,
The first wire includes gold (Au) and silver (Ag), and the weight percentage of gold (Au) included in the first wire is 5 wt% or more and 15 wt% or less. 제1항에 있어서,
상기 제1와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하인 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The weight percentage of silver (Ag) included in the first wire is 80wt% or more and 95wt% or less. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1와이어는 납(Pd)을 더 포함하고, 상기 제1와이어에 포함된 납(Pd)의 중량 백분율은 0wt% 이상 15wt% 이하인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The first wire further includes lead (Pd), the weight percentage of lead (Pd) contained in the first wire is a light emitting device package of 0wt% or more and 15wt% or less. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제2와이어에 포함된 금(Au)의 중량 백분율은 5wt% 이상 15wt% 이하인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The second wire includes gold (Au) and silver (Ag), and the weight percentage of gold (Au) included in the second wire is 5 wt% or more and 15 wt% or less. 제4항에 있어서,
상기 제2와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하인 발광 소자 패키지.5. The method of claim 4,
The weight percentage of silver (Ag) included in the second wire is 80wt% or more and 95wt% or less. 제4항에 있어서,
상기 제2와이어는 납(Pd)을 더 포함하고, 상기 제2와이어에 포함된 납(Pd)의 중량 백분율은 0wt% 이상 15wt% 이하인 발광 소자 패키지.5. The method of claim 4,
The second wire further includes lead (Pd), the weight percentage of lead (Pd) contained in the second wire is a light emitting device package of 0wt% or more and 15wt% or less. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판 위에 배치되고 상기 발광 소자를 둘러싸도록 배치되는 반사체를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
And a reflector disposed on the substrate and disposed to surround the light emitting element. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광 소자, 상기 제1와이어 및 상기 제2와이어를 덮는 봉지재를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The light emitting device package further comprises an encapsulant covering the light emitting device, the first wire and the second wire. 기판;
상기 기판 위에 배치되는 제1리드프레임;
상기 기판 위에 배치되고 상기 제1리드프레임과 서로 분리되어 배치되는 제2리드프레임;
상기 기판 위에 배치되는 발광 소자;
일단이 상기 발광 소자의 제1전극에 접합되고, 타단이 상기 제1리드프레임에 접합되는 제1와이어; 및
일단이 상기 발광 소자의 제2전극에 접합되고, 타단이 상기 제2리드프레임에 접합되는 제2와이어
를 포함하고,
상기 제1와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제1와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하인 발광 소자 패키지.Board;
A first lead frame disposed on the substrate;
A second lead frame disposed on the substrate and disposed separately from the first lead frame;
A light emitting device disposed on the substrate;
A first wire having one end bonded to the first electrode of the light emitting device and the other end joined to the first lead frame; And
A second wire having one end bonded to the second electrode of the light emitting device and the other end joined to the second lead frame;
Including,
The first wire includes gold (Au) and silver (Ag), and the weight percentage of silver (Ag) included in the first wire is 80 wt% or more and 95 wt% or less. 제9항에 있어서,
상기 제2와이어는 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하고, 상기 제2와이어에 포함된 은(Ag)의 중량 백분율은 80wt% 이상 95wt% 이하인 발광 소자 패키지.10. The method of claim 9,
The second wire includes gold (Au) and silver (Ag), and the weight percentage of silver (Ag) included in the second wire is 80 wt% or more and 95 wt% or less. 하우징; 및
상기 하우징 내에 배치되는, 제1항, 제2항, 제9항 또는 제10항 중 어느 한 항에 따른 발광 소자 패키지
를 포함하는 조명 시스템.
housing; And
The light emitting device package according to any one of claims 1, 2, 9 or 10, disposed in the housing.
Lighting system comprising a.
KR1020110117022A 2011-11-10 2011-11-10 Luminous element package and lighting system having the same KR20130051712A (en)

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