KR20130039405A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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KR20130039405A
KR20130039405A KR1020110103925A KR20110103925A KR20130039405A KR 20130039405 A KR20130039405 A KR 20130039405A KR 1020110103925 A KR1020110103925 A KR 1020110103925A KR 20110103925 A KR20110103925 A KR 20110103925A KR 20130039405 A KR20130039405 A KR 20130039405A
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김재욱
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예는 적어도 하나의 발광 소자, 제1 도전층, 제2 도전층, 및 산화막이 차례로 형성된 적층 구조를 포함하고, 발광 소자와 도전성 접착층 또는 와이어를 통해 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 리드 프레임, 및 발광 소자 및 리드 프레임 위에 형성되고, 제2 도전층 및 산화막을 사이에 두고 제1 도전층과 이격되어 있는 몰딩부를 포함하며, 리드 프레임은 산화막이 형성된 제1 영역 및 제1 영역과 구분되며 도전성 접착층 또는 와이어가 배치된 제2 영역을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.

Description

발광 소자 패키지 {Light emitting device package}
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 소자 패키지는 리드 프레임(lead frame)을 갖는다. 이 리드 프레임은 그에 입사된 빛을 반사시켜 발광 소자 패키지의 전체적인 휘도를 높이는 역할을 한다. 그러나, 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지에서, 리드 프레임에 원하지 않은 산화가 발생될 수 있어, 이를 방지할 수 있는 안정적인 구조의 발광 소자 패키지가 요구된다.
대한민국 등록 번호 10-0632669
실시예는 발광 소자 패키지에서 리드 프레임으로 사용되는 금속의 산화 및 열화를 방지하고자 한다.
실시예의 발광 소자 패키지는 적어도 하나의 발광 소자; 제1 도전층, 제2 도전층, 및 산화막이 차례로 형성된 적층 구조를 포함하고, 적어도 하나의 발광 소자와 도전성 접착층 또는 와이어를 통해 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 리드 프레임; 및 발광 소자 및 리드 프레임 위에 형성되고, 제2 도전층 및 산화막을 사이에 두고 제1 도전층과 이격되어 있는 몰딩부를 포함하며, 리드 프레임은 산화막이 형성된 제1 영역 및 제1 영역과 구분되며 도전성 접착층 또는 와이어가 배치된 제2 영역을 포함한다.
제2 도전층과 산화막은 동일한 금속 원소를 포함하고, 제1 도전층은 Ag이고, 제2 도전층은 Be, Cu, Al, Si, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pb, Ce 또는 Zr 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
제2 도전층이 Al 또는 Cr 중 적어도 하나로 이루어지고, 산화막의 두께가 4㎚ 내지 1㎛일 수 있다. 또한, 제2 도전층이 Zr로 이루어지고, 산화막의 두께가 2㎚ 내지 50㎚일 수 있다.
몰딩부는 발광 소자에서 방출되는 광의 파장을 변화시키는 형광체를 포함한다. 발광 소자는 리드 프레임의 제2 도전층과 전기적으로 연결되어 있고, 리드 프레임의 적층 구조는 금속 베이스와 금속 베이스의 위에 형성된 금속 도금층을 더 포함하고, 제1 도전층은 금속 도금층의 위에 적층되어 있을 수 있다. 여기서, 금속 베이스는 구리 합금일 수 있고, 금속 도금층은 Ni 또는 Cu 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 리드 프레임의 원하지 않은 산화 및 열화를 안정적으로 방지하는 구조를 가지므로 휘도 저하를 막을 수 있다. 또한, 이와 같은 구조의 발광 소자 패키지는 단순하고 용이한 공정에 의해 구현될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 일 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 5는 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 실시예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치의 실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 요소(element)의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 요소들이 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 요소가 상기 두 요소들 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)”로 표현되는 경우 하나의 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 단면도이다.
발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(112)와, 패키지 몸체(112)에 설치된 제1 리드 프레임(120A) 및 제2 리드 프레임(120B)과, 패키지 몸체(112)에 설치되어 제1 리드 프레임(120A) 및 제2 리드 프레임(120B)과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자(또는, 발광 다이오드 칩)(118)와, 발광 소자(118)의 표면과 측면을 덮도록 제1 및 제2 리드 프레임들(120A 및 120B) 위에 형성되는 몰딩(molding)부(130)를 포함한다.
패키지 몸체(112)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 패키지 몸체(112)는 발광 소자(118)의 주위를 둘러싸는 경사면을 포함할 수 있고, 경사면에는 반사층이 형성되어 광 추출 효율을 높일 수 있다.
제1 리드 프레임(120A) 및 제2 리드 프레임(120B)은 서로 전기적으로 분리되어 있으며, 발광 소자(118)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 리드 프레임(120A) 및 제2 리드 프레임(120B)은 발광 소자(118)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(118)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)에서 "A"로 표시된 점선의 내부를 확대 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)에서 "B"로 표시된 점선의 내부를 확대 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 제1 및 제2 리드 프레임들(120A 및 120B) 각각은 제1 도전층(204), 제2 도전층(206), 및 산화막(208)이 차례로 적층된 적층 구조를 포함한다. 제2 도전층(206)과 산화막(208)은 동일한 도전 물질 예를 들면 동일한 금속 원소를 포함할 수 있다.
실시예에 의하면, 제1 도전층(204)은 높은 반사율을 갖는 도전 물질로 형성될 수 있으며, 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제1 도전층(204)은 Ag으로 이루어질 수 있다. 제2 도전층(206)은 산화막(208)이 형성된 이후에, 추가적인 산화 및 화학 반응이 억제될 수 있는 높은 반사율을 갖는 도전 물질로 형성될 수 있으며, 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 도전층(206)은 Be, Cu, Al, Si, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pb, Ce 또는 Zr 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
부가적으로, 제1 및 제2 리드 프레임들(120A 및 120B) 각각은 금속 베이스(200)와 그 금속 베이스(200) 위에 형성된 금속 도금층(202)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 도전층(204 및 206)은 금속 도금층(202)의 위에 차례로 적층된다. 실시예에 의하면, 금속 베이스(200)는 Cu 합금(alloy)으로 이루어질 수 있고, 금속 도금층(202)은 Ni 또는 Cu 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
발광 소자(118)는 패키지 몸체(112) 상에 설치되거나 제1 리드 프레임(120A) 또는 제2 리드 프레임(120B) 상에 설치될 수 있다. 도 1의 경우, 발광 소자(118)는 제1 리드 프레임(120A) 상에 설치되어 있다. 발광 소자(118)는 제1 리드 프레임(120A) 및 제2 리드 프레임(120B)과 와이어(wire) 방식, 플립칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩(die bonding) 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서 발광 소자(118)가 수직형인 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 발광 소자(118)는 도전성 접착층(116)을 통해 제1 리드 프레임(120A)의 제2 도전층(206)과 전기적으로 연결된다. 또한, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 소자(118)는 와이어(114)를 통해 제2 리드 프레임(120B)의 제2 도전층(206)과 전기적으로 연결된다. 하지만, 이에 한정하지 않고, 발광 소자(118)가 수평형인 경우 발광 소자(118)는 제1 리드 프레임(120A)와 제2 리드 프레임(120B) 각각과 와이어(114)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 제1 리드 프레임(120A)은 제1 영역 및 제2 영역을 포함한다. 여기서, 제1 영역은 산화막(208)이 형성된 영역을 의미하고, 제2 영역은 제1 영역과 구분되며 도전성 접착층(116)이 배치된 영역을 나타낸다.
도 3에 도시된 제2 리드 프레임(120B)도 제1 영역 및 제2 영역을 포함한다. 여기서, 제1 영역은 산화막(208)이 형성된 영역을 의미하고, 제2 영역은 제1 영역과 구분되며 와이어(114)가 배치된 영역을 나타낸다.
몰딩부(130)는 발광 소자(118)를 보호할 수 있으며, 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질의 몰딩재로서 형광체(132)를 포함할 수 있으며, 상면이 평평하게 형성될 수도 있다. 형광체(132)에 의해 발광 소자(118)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에 의하면, 형광체(132)는 도 1에 도시된 바와 달리 별개의 층으로 구성 가능함은 물론이다.
실시예에 의하면, 형광체(132)는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +), TAG(Tb3Al5O12: Ce3 +) 같은 Garnet계, (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 + 같은 Silicate계, SiN을 포함(예:CaAlSiN3:Eu2 +)하는 Nitride계, SiON을 포함(예:Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 + (0〈x〈6))하는 Oxynitride계로 이루어질 수 있다.
실시예에서, 형광체(132)를 함유하는 몰딩부(130)와 제1 도전층(204) 사이에 제2 도전층(206)과 산화막(208)을 형성함으로써, 몰딩부(130)와 제1 도전층(204)을 공간적으로 분리시킬 수 있다. 황화물계 형광체(132)의 S 성분과 Ag 성분이 상호 접하게 되는 경우, S와 Ag와의 반응에 의해 AgS가 생성될 수 있다. AgS는 제1 도전층(204)의 표면부를 검게 변색시키는 역할을 한다. 본 실시예에서는 몰딩부(130)와 제1 도전층(204)이 이격되어 있으므로, 황화물계 형광체(132)의 S 성분과 제1 도전층(204)의 Ag 성분 간의 반응에 의한 AgS의 생성을 막을 수 있다.
또한, 제2 도전층(206)과 산화막(208)은 제1 도전층(204)으로의 수분 침투도 효과적으로 억제할 수 있기 때문에, 수분 침투에 의한 AgS 생성 반응의 현상을 효과적으로 방지할 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에 따르면, 제2 도전층(206) 및 산화막(208)을 이용하여, Ag로 이루어지는 제1 도전층(204) 표면부의 변색에 의한 휘도 저하를 효과적으로 막을 수 있게 된다.
뿐만 아니라, 형광체(132)로서 황화물계 형광체 이외의 형광체를 사용하는 경우에도, 제2 도전층(206) 및 산화막(208)은 제1 도전층(204)으로의 이물질(수분 등)을 차단시키기 때문에, 제1 도전층(204) 표면의 취약부에서 발생될 수 있는 산화 현상 등 원하지 않는 표면부의 열화 현상을 방지할 수 있다. 이러한 제1 도전층(204) 표면부의 열화 방지는 발광 소자 패키지(100)의 휘도 저하를 막는 효과를 가져온다.
이하 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)에서 제1 및 제2 리드 프레임(120A 및 120B) 각각의 제조 방법을 첨부한 도면들을 참조하여 다음과 같이 살펴본다.
도 4a 내지 도 4d는 실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(112)의 표면에 금속 베이스(200)와 금속 도금층(202)을 차례로 적층하여 형성한다. 여기서, 금속 베이스(200)와 금속 도금층(202)의 형성은 생략될 수도 있다.
이후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 금속 도금층(202)의 위에 제1 도전층(204)을 형성한다. 예를 들어, 제1 도전층(204)은 금속 도금층(202)의 위에 Ag를 도금하여 형성될 수 있다.
이후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(204)의 위에 제2 도전층(206)을 형성한다. 실시예에 의하면, Be, Cu, Al, Si, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pb, Ce 또는 Zr 중 적어도 하나의 금속을 이용하여 제2 도전층(206)을 형성할 수 있다.
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제2 도전층(206)을 산화시켜 제2 도전층(206)의 표면에 산화막(208)을 형성한다. 즉, 소정의 두께를 갖는 산화막(208)이 형성될 때까지, 전술한 제2 도전층(206)을 산소 분위기에 노출시킨다. 예를 들어, 도 4c에 도시된 제2 도전층(206)의 두께는 5㎚ 내지 1㎛ 일 수 있다. 또한, 제2 도전층(206)이 Al 또는 Cr로 이루어진 경우, 제2 도전층(206)의 표면에 4㎚ 내지 1㎛의 두께를 갖는 산화막(208)이 형성될 때까지 제2 도전층(206)을 산소 분위기에 노출시킨다. 또한, 제2 도전층(206)이 Zr로 이루어진 경우, 제2 도전층(206)의 표면에 2㎚ 내지 50㎚의 두께를 갖는 산화막(208)이 형성될 때까지 제2 도전층(206)을 산소 분위기에 노출시킨다.
실시예에 의하면, 도 4c에 도시된 바와 같이 제2 도전층(206)을 형성한 이후에, 제2 도전층(206)의 위에 도전성 접착층(116)과 발광 소자(118)를 형성한다. 그리고 발광 소자(118)를 형성한 이후에 도 4d에 도시된 바와 같이 제2 도전층(206)을 산화시켜 산화막(208)을 형성한다. 따라서, 산화막(208)을 형성한 이후에도, 도 2에 도시된 바와 같이 도전성 접착층(116)은 제2 도전층(206)과 전기적으로 결합된 상태를 유지할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면, 도 4c에 도시된 바와 같이 제2 도전층(206)을 형성한 이후에, 제2 도전층(206)의 위에 와이어(114)를 형성한다. 그리고 와이어(114)를 형성한 이후에 도 4d에 도시된 바와 같이 제2 도전층(206)을 산화시켜 산화막(208)을 형성한다. 따라서, 산화막(208)을 형성한 이후에도 도 3에 도시된 바와 같이 와이어(114)는 제2 도전층(206)과 전기적으로 결합된 상태를 유지할 수 있다.
따라서, 도전성 접착층(116)과 제2 도전층(206) 사이 및 와이어(114)와 제2 도전층(206) 사이의 전기적 결합 상태가 유지될 수 있도록, 제2 도전층(206)을 산화시켜 산화막(208)을 형성할 수 있다.
도 4d에 도시된 바와 같이 산화막(208)을 형성한 이후에 발광 소자(118)와 산화막(208)의 위에 도 1에 도시된 바와 같이 몰딩부(130)를 형성한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)에서, 발광 소자(118) 내에서 광 추출구조(미도시)가 배치되어 광 추출 특성이 향상될 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 중 하나 또는 복수 개를 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지(100)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판(미도시), 프리즘 시트(미도시), 확산 시트(미도시) 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛(light unit)으로 기능할 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 또는 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프나 가로등을 포함할 수 있다. 이하에서는 상술한 발광 소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 실시예로서, 헤드 램프와 표시 장치를 설명한다.
도 5는 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지(402)를 포함하는 헤드 램프(400)의 실시예를 나타낸 도면이다.
헤드 램프(400)는 전술한 발광 소자 패키지가 배치된 발광 소자 모듈(402)에서 방출된 빛이 리플렉터(404)와 쉐이드(406)에서 반사된 후 렌즈(408)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광 소자 모듈(402)에 사용되는 발광 소자의 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로, 헤드 램프(400) 전체의 광 특성이 향상될 수 있다.
발광 소자 모듈(402)에 포함된 전술한 발광 소자 패키지는 발광 소자(118)를 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.
도 6은 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지(532)를 포함하는 표시 장치(500)의 실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시 장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 반사판(520)의 전방에 배치되며 광원 모듈에서 방출되는 빛을 표시 장치의 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550) 및 제2 프리즘시트(560)와, 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광 소자 패키지(532)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board) 등이 사용될 수 있고, 발광 소자 패키지(532)는 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같다.
바텀 커버(510)는 표시 장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 도 6과 같이 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:PolyEthylene Terephtalate)를 사용할 수 있다.
도광판(540)은 발광 소자 패키지(532)에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전체 영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(540)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어진다. 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA:PolyMethylMethAcrylate), 폴리카보네이트(PC:PolyCarbonate), 또는 폴리에틸렌(PE:PolyEthylene) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시 장치가 구현될 수 있다.
제1 프리즘 시트(550)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 중합체는 복수 개의 입체 구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도 6에 도시된 바와 같이 마루(552)와 골(554)이 반복적으로 스트라이프 타입(stripe type)으로 구비될 수 있다.
제2 프리즘 시트(560)에서 지지 필름 일면의 마루(562)와 골(564)의 방향은, 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지 필름 일면의 마루(552)와 골(554)의 방향과 수직으로 연장될 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 패널(570)의 전체 방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
패널(570)로서 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리 바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시 장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식을 이용하는 것으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
패널(570)의 앞면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
실시예에 따른 표시 장치(500)는 발광 소자 패지지(532)에 사용되는 발광 소자(118)의 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로, 표시 장치의 광 특성이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 532: 발광 소자 패키지 112: 패키지 몸체
114: 와이어 116: 도전성 접착층
118: 발광 소자 120A: 제1 리드 프레임
120B: 제2 리드 프레임 130: 몰딩부
132: 형광체 140: 케이스
200: 금속 베이스 202: 금속 도금층
204: 제1 도전층 206: 제2 도전층
208: 산화막 400: 헤드 램프
402: 발광소자 모듈 404: 리플렉터
406: 쉐이드 408: 렌즈
500: 표시 장치 510: 바텀커버
520: 반사판 530: 회로 기판
540: 도광판 550: 제1 프리즘시트
560: 제2 프리즘시트 570: 패널
580: 컬러필터

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 발광 소자;
    제1 도전층, 제2 도전층, 및 산화막이 차례로 형성된 적층 구조를 포함하고, 상기 발광 소자와 도전성 접착층 또는 와이어를 통해 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 리드 프레임; 및
    상기 발광 소자 및 상기 리드 프레임 위에 형성되고, 상기 제2 도전층 및 상기 산화막을 사이에 두고 상기 제1 도전층과 이격되어 있는 몰딩부를 포함하며,
    상기 리드 프레임은 상기 산화막이 형성된 제1 영역 및 상기 제1 영역과 구분되며 상기 도전성 접착층 또는 상기 와이어가 배치된 제2 영역을 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제2 도전층과 상기 산화막은 동일한 금속 원소를 포함하는 발광 소자 패키지.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 도전층은 Ag인 발광 소자 패키지.
  4. 제1 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 도전층은 Be, Cu, Al, Si, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pb, Ce 또는 Zr 중 적어도 하나로 이루어진 발광 소자 패키지.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 제2 도전층이 Al 또는 Cr 중 적어도 하나로 이루어지고, 상기 산화막의 두께가 4㎚ 내지 1㎛인 발광 소자 패키지.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 제2 도전층이 Zr로 이루어지고, 상기 산화막의 두께가 2㎚ 내지 50㎚인 발광 소자 패키지.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 몰딩부는
    상기 발광 소자에서 방출되는 광의 파장을 변화시키는 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 리드 프레임의 상기 제2 도전층과 전기적으로 연결되어 있는 발광 소자 패키지.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 리드 프레임의 상기 적층 구조는 금속 베이스와 상기 금속 베이스의 위에 형성된 금속 도금층을 더 포함하고, 상기 제1 도전층은 상기 금속 도금층의 위에 적층되어 있는 발광 소자 패키지.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 금속 베이스는 구리 합금인 발광 소자 패키지.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 금속 도금층은 Ni 또는 Cu 중 적어도 하나로 이루어진 발광 소자 패키지.
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