KR20130027411A - Solid-state light emitting device having controllable multiphase reactive power - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A solid light emitting device is provided to easily control a voltage and a current of an individual AC solid light emitting element by blocking reactive power through the control of a solid switching device to control an AC conductivity phase angle. CONSTITUTION: A plurality of solid light emitting elements are driven with two or more AC power sources. A solid light emitting element(101) is serially connected to an AC terminal of an AC current limit circuit device and a single phase bridge rectifier and is connected between three phase AC power lines in parallel. A solid light emitting element(102) is serially connected to the AC terminal of the AC current limit circuit device and the single phase bridge rectifier and is connected between the three phase AC power lines in parallel. A solid light emitting element(103) is serially connected to the AC terminal of the AC current limit circuit device and the single phase bridge rectifier and is connected between the three phase AC power lines in parallel. The AC limit circuit device includes one or more circuit structures. [Reference numerals] (AA) AC three-phase power source

Description

다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치{SOLID-STATE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING CONTROLLABLE MULTIPHASE REACTIVE POWER}Solid-state light emitting device that can control polyphase reactive power {SOLID-STATE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING CONTROLLABLE MULTIPHASE REACTIVE POWER}

본 발명은 고체 발광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 삼상 또는 다상 교류전원의 각 상별 전력으로 소속된 고상 발광체를 개별적으로 구동하고, 각 상별 전력에 의해 개별적으로 구동되는 고상 발광체는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치됨으로써 다상 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치되는 개별 고상 발광체의 광 에너지가 합성 발광되는 것에 의해 휘도 펄스를 감소시킴과 아울러 각 상별 전원에 의해 배치된 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 대한 제어를 통해 소속된 개별 고상 발광체의 휘도가 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 고상 발광체의 휘도에 비해 낮을 경우 그 전원을 차단함으로써 이를 통해 전기 에너지를 절약하는 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a solid state light emitting device, and more particularly, to individually drive the solid state light emitters belonging to the power of each phase of the three-phase or multi-phase AC power source, the solid state light emitters individually driven by the power of each phase is installed adjacent to By stacking and stacking each other, the light energy of adjacent solid-state light emitting units installed separately driven by the multi-phase power supply or stacked and stacked together to reduce the luminance pulse by synthesizing the light emission is arranged by each phase power supply. By controlling the solid state switch 1000 that controls the AC conductivity phase angle, if the luminance of the individual solid state light emitters that are belonging to each other or adjacent to each other is lower than the luminance of the solid state light emitters that are installed by being stacked together, For multi-phase reactive power saving electric energy Relates to a solid-state light emitting device is controllable.

종래기술에 있어서, 단상 교류 전원에 사용되는 조명기구는 교류 전원의 전압 펄스로 인해 이에 의해 구동되는 고상 발광체의 발광 휘도에 펄스가 발생하는 것이 그 문제점이며, 다상 교류 전원 중에서 각 상의 전원이 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동할 경우, 각 상의 전원은 상이한 위상이므로 동일한 시간 동안의 일시적인 정지 상태시 각 상의 전압은 상이한 피크 값을 갖게 되며, 이로 인해 각 상의 전원에 의해 개별적으로 구동되는 각각의 고상 발광체는 상이한 휘도의 광 에너지가 발생하여 합성 발광함으로써 발광 휘도의 펄스를 감소시킬 수 있는데, 그 중에서 휘도가 비교적 낮은 고상 발광체의 드라이빙 파워에는 무효전력이 형성된다.In the prior art, a luminaire used for a single phase AC power source has a problem in that a pulse is generated in the light emission luminance of the solid state light emitting body driven by the voltage pulse of the AC power source. In the case of driving the solid state light emitters individually, the power of each phase is a different phase, so that the voltage of each phase has a different peak value in the temporary stop state for the same time, so that each solid state light source individually driven by the power of each phase Since light energy of different luminance is generated and synthesized light emission, the pulse of emission luminance can be reduced, among which reactive power is formed in the driving power of the solid state light emitting body having a relatively low luminance.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 삼상 또는 다상 교류 전원의 각 상별 전력으로 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하여 그 합성 발광 휘도가 각 상별 교류 전원의 전압에 따라 생성된 발광 휘도 파형과 적층 결합되도록 함으로써 발광 휘도의 합성 펄스율이 낮아지도록 함과 아울러 추가적으로 각 상별 전원 간에 상이한 위상을 가진 정현파 전압에 대하여 각 상별 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 사용하여 전압 파형의 순간치에 따라 상이한 휘도를 가진 광 에너지가 생성되도록 하고, 상이한 휘도를 가지며 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별의 고상 발광체가 발광할 경우, 휘도가 비교적 낮은 개별의 고상 발광체를 통과하는 전력은 무효전력이 되는데, 이 경우 본 발명에 의한 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 대한 제어를 통해 무효전력을 차단함으로써 전기 에너지를 절약함과 아울러 개별 교류 고상 발광체의 전압 및 전류에 대한 조절이 가능한 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to drive each of the solid-state light-emitting body which is installed adjacent to each of the phase power of the three-phase or multi-phase AC power source or are laminated and bonded to each other individually By synthesizing the combined luminance with the emission luminance waveform generated according to the voltage of the AC power of each phase, the composite pulse rate of the emission luminance is lowered, and additionally, each phase power supply for a sine wave voltage having a different phase between each phase power source. Each of the solid state light emitters, which are individually installed or separately stacked and driven separately by each other, is used to generate light energy having different luminance according to the instantaneous value of the voltage waveform, and have different luminance and adjacently stacked or stacked on each other. Individual solid phases installed in combination When the light emitter emits light, the power passing through the individual solid state light emitter having relatively low luminance becomes reactive power. In this case, the reactive power is controlled through the control of the solid state switchgear 1000 that controls the AC conductivity phase angle according to the present invention. The present invention provides a solid state light emitting device capable of controlling electric power by saving electric energy and controlling polyphase reactive power that can adjust voltage and current of an individual AC solid state light emitter.

인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하여 그 합성 발광 휘도가 각 상별 교류 전원의 전압에 따라 생성된 발광 휘도 파형과 적층 결합되도록 함으로써 발광 휘도의 합성 펄스율이 낮아지도록 함과 아울러 추가적으로 각 상별 전원 간에 상이한 위상을 가진 정현파 전압에 대하여 각 상별 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 사용하여 전압 파형의 순간치에 따라 상이한 휘도를 가진 광 에너지가 생성되도록 하고, 상이한 휘도를 가지며 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별의 고상 발광체가 발광할 경우, 휘도가 비교적 낮은 개별의 고상 발광체를 통과하는 전력은 무효전력이 되는데, 이 경우 본 발명에 의한 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 대한 제어를 통해 무효전력을 차단함으로써 전기 에너지를 절약함과 아울러 개별교류 고상 발광체의 전압 및 전류에 대한 조절이 가능한 것으로서,Each of the solid state light emitting bodies installed adjacent to each other or stacked and coupled to each other is individually driven so that the composite light emission luminance is laminated and combined with the light emission luminance waveform generated according to the voltage of the AC power of each phase so that the combined pulse rate of the light emission luminance is lowered. In addition, different luminance according to the instantaneous value of the voltage waveform by using each solid state light emitting body installed adjacent to each other or stacked in combination with each other, which are driven separately by each phase power source, for a sinusoidal voltage having a different phase between each phase power source. When the individual solid state light emitters that emit light energy having different luminance and are installed adjacent to each other or are stacked and bonded to each other emit light, power passing through the individual solid state light emitters having relatively low luminance becomes reactive power. Case of alternating current according to the present invention By controlling the solid state switchgear 1000 for controlling the tremor phase angle, the reactive power is cut off, thereby saving electric energy and controlling voltage and current of the individual alternating solid state light emitters.

삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 △형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 회로를 포함하여 구성되고, 그 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,The power of each phase of the three-phase AC power is individually controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, and then individually driven to each of the solid state light emitting bodies which are connected in the form of △ and installed adjacently or stacked together. It is comprised including the circuit to make, and the structure comprised as follows,

고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이고,The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. Or other solid state light emitters that can be driven or powered likewise,

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)는, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(R) 및 삼상 교류 전원선(S)의 사이에 병렬로 연결되며,The solid state light emitter 101 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current conductivity phase angle, respectively, and then again is a three phase alternating current power line R. ) Is connected in parallel between the three-phase AC power line (S),

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(S) 및 삼상 교류 전원선(T)의 사이에 병렬로 연결되고,The solid state light emitter 102 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current phase angle, and then again the three phase alternating current power line. Connected in parallel between (S) and the three-phase AC power supply line (T),

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(T) 및 상기 삼상 교류 전원선(R)의 사이에 병렬로 연결되며,The solid state light emitter 103 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current phase angle, and then again the three phase alternating current power line. (T) is connected in parallel between the three-phase AC power supply line (R),

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or

(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or

(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or

(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or

(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이며,(5) consisting of AC constant current output transformer,

상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or

(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고,(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of both or one of them,

전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치인 것을 특징으로 한다.The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. The conductive phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, it characterized in that the solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power to control the voltage and current passing through the solid state light emitter.

본 발명에 의하면, 전기 에너지를 절약하는 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치를 제공하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible to provide a solid state light emitting device that can control a multi-phase reactive power saving electric energy.

도1은 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원으로 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 합성 발광 펄스 파형 및 전류 파형을 나타낸 도면이다.
도2는 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 합성 발광 펄스 파형 및 전류 파형을 나타낸 도면이다.
도3은 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 △ 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 회로를 나타낸 사시도이다.
도4는 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 Y 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 회로를 나타낸 사시도이다.
도5는 본 발명에 따른 삼상사선식 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 Y 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 회로를 나타낸 사시도이다.
도6은 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상 사이에 교류 전류 제한 회로 장치(Z10), 교류 고상 발광체, 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단으로 연결된 회로 장치를 각각 병렬 연결하여 설치한 다음 각 상의 단상 브릿지 정류기(BR100)의 직류 출력단에 동일한 극성을 가진 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)를 병렬로 연결한 회로를 나타낸 사시도이다.
도7은 본 발명에 따른 삼상사선식 교류 전원의 R, S, T 각 상과 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N) 사이에 교류 전류 제한 회로 장치(Z10), 교류 고상 발광체, 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단으로 연결된 회로 장치를 각각 병렬 연결하여 설치한 다음 각 상의 단상 브릿지 정류기(BR100)의 직류 출력단에 동일한 극성을 가진 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)를 병렬로 연결한 회로를 나타낸 사시도이다.1 is a diagram showing a composite light emission pulse waveform and a current waveform according to individually driving each solid state light emitting body installed adjacent to each other or stacked stacked on each other as a power supply for each phase of a three-phase AC power supply according to the present invention.
Figure 2 is a three-phase AC power source according to the present invention, after the control of the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is again installed adjacent to each other or separately laminated to each solid state light emitting body installed A diagram showing a composite light emission pulse waveform and a current waveform according to driving.
Figure 3 is the power of each phase of the three-phase AC power in accordance with the present invention through the control of the solid-state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle and then again connected in the form of △, adjacent to each other or are stacked and installed A perspective view showing a circuit according to driving the solid state light emitters individually.
Figure 4 is a power supply for each phase of the three-phase AC power supply according to the present invention through the control of the solid-state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, and then connected in a Y-shaped, adjacently installed or stacked each other A perspective view showing a circuit according to driving the solid state light emitters individually.
5 is connected to the Y-shape, adjacent to each other, or laminated to each other after the power of each phase of the three-phase four-wire AC power in accordance with the present invention through the control of the solid-state switch 1000 to control the AC conductivity phase angle Fig. 1 is a perspective view showing a circuit according to driving each solid state light emitting body individually.
6 is a circuit device connected in parallel between the AC current limiting circuit device Z10, the AC solid state light emitter, and the single-phase bridge rectifier BR100 between each phase of the three-phase AC power supply according to the present invention. A perspective view illustrating a circuit in which a solid state switchgear 2000 for controlling a conductivity phase angle having the same polarity is connected in parallel to a DC output terminal of the single phase bridge rectifier BR100.
7 shows an AC current limiting circuit device Z10, an AC solid state light emitter, and a single-phase bridge rectifier between R, S, and T phases of a three-phase four-wire AC power supply and a neutral line N of the three-phase four-wire AC power supply according to the present invention. Circuit devices connected to AC stages of BR100 are connected in parallel to each other, and circuits connected in parallel with solid state switchgear 2000 for controlling conductivity phase angles having the same polarity are connected to DC output terminals of single-phase bridge rectifiers BR100 of each phase. Is a perspective view.

종래기술에 있어서, 단상 교류 전원에 사용되는 조명기구는 교류 전원의 전압 펄스로 인해 이에 의해 구동되는 고상 발광체의 발광 휘도에 펄스가 발생하는 것이 그 문제점이며, 다상 교류 전원 중에서 각 상의 전원이 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동할 경우, 각 상의 전원은 상이한 위상이므로 동일한 시간 동안의 일시적인 정지 상태시 각 상의 전압은 상이한 피크 값을 갖게 되며, 이로 인해 각 상의 전원에 의해 개별적으로 구동되는 각각의 고상 발광체는 상이한 휘도의 광 에너지가 발생하여 합성 발광함으로써 발광 휘도의 펄스를 감소시킬 수 있는데, 그 중에서 휘도가 비교적 낮은 고상 발광체의 드라이빙 파워에는 무효전력이 형성된다.In the prior art, a luminaire used for a single phase AC power source has a problem in that a pulse is generated in the light emission luminance of the solid state light emitting body driven by the voltage pulse of the AC power source. In the case of driving the solid state light emitters individually, the power of each phase is a different phase, so that the voltage of each phase has a different peak value in the temporary stop state for the same time, so that each solid state light source individually driven by the power of each phase Since light energy of different luminance is generated and synthesized light emission, the pulse of emission luminance can be reduced, among which reactive power is formed in the driving power of the solid state light emitting body having a relatively low luminance.

도1은 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원으로 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 합성 발광 펄스 파형 및 전류 파형을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a composite light emission pulse waveform and a current waveform according to individually driving each solid state light emitting body installed adjacent to each other or stacked stacked on each other as a power supply for each phase of a three-phase AC power supply according to the present invention.

도1에 도시된 구성에 있어서,In the configuration shown in Fig. 1,

(Va), (Vb), (Vc)는 삼상 교류 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체의 전압 파형이다.(Va), (Vb), and (Vc) are voltage waveforms of the individual solid state light-emitting bodies installed adjacently or separately stacked and driven separately by a three-phase AC power source.

(Ia), (Ib), (Ic)는 삼상 교류 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체의 전류 파형이다.(Ia), (Ib), and (Ic) are current waveforms of the individual solid state light-emitting bodies installed adjacently or separately stacked and driven separately by three-phase AC power.

(e)는 삼상 교류 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체의 광합성 파형이다.(e) is a photosynthetic waveform of individual solid state light emitters which are separately installed or individually stacked and driven separately by a three-phase AC power source.

본 발명은 삼상 또는 다상 교류 전원의 각 상별 전력으로 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하여 그 합성 발광 휘도가 각 상별 교류 전원의 전압에 따라 생성된 발광 휘도 파형과 적층 결합되도록 함으로써 발광 휘도의 합성 펄스율이 낮아지도록 함과 아울러 추가적으로 각 상별 전원 간에 상이한 위상을 가진 정현파 전압에 대하여 각 상별 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 사용하여 전압 파형의 순간치에 따라 상이한 휘도를 가진 광 에너지가 생성되도록 하고, 상이한 휘도를 가지며 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별의 고상 발광체가 발광할 경우, 휘도가 비교적 낮은 개별의 고상 발광체를 통과하는 전력은 무효전력이 되는데, 이 경우 본 발명에 의한 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 대한 제어를 통해 무효전력을 차단함으로써 전기 에너지를 절약함과 아울러 개별교류 고상 발광체의 전압 및 전류에 대한 조절이 가능한 것이다.The present invention is to individually drive each of the solid-state light emitters installed adjacent to each other of the three-phase or multi-phase AC power source installed or stacked coupled to each other and the composite emission luminance and the emission luminance waveform generated according to the voltage of each phase AC power supply; In addition, the combined pulse rate of the luminescence brightness is lowered by the stack coupling, and each solid phase installed separately or separately stacked or driven separately by each phase power source for a sine wave voltage having a different phase between each phase power source. The light emitter is used to generate light energy with different luminance according to the instantaneous value of the voltage waveform, and when the individual solid state light emitters having different luminance and installed adjacently or stacked and bonded to each other emit light, Pre passing through solid state illuminator The power becomes reactive power. In this case, the reactive power is cut off by controlling the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle according to the present invention, thereby saving electric energy and the voltage of the individual alternating solid state light emitting body. It is possible to adjust the current.

본 발명에 의한 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치는, 삼상 교류 전원의 각 상별 전력으로 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 고상 발광체가 합성 발광하도록 개별적으로 구동함으로써 발광 휘도의 펄스를 감소시키고, 각 상별 전원에 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)를 직렬로 연결함으로써 무효전력을 절감함과 아울러 개별 교류 고상 발광체의 전압 및 전류에 대한 조절이 가능하다.In the solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power according to the present invention, the pulses of the light emission luminance are reduced by individually driving the solid state light emitters which are installed adjacent to each other of the three-phase alternating current power source or stacked and coupled to each other. In addition, by connecting the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle in series to each phase power source, it is possible to reduce reactive power and to adjust the voltage and current of the individual AC solid state light emitters.

도2는 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 합성 발광 펄스 파형 및 전류 파형을 나타낸 도면이다.Figure 2 is a three-phase AC power source according to the present invention, after the control of the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is again installed adjacent to each other or separately laminated to each solid state light emitting body installed A diagram showing a composite light emission pulse waveform and a current waveform according to driving.

도2에 도시된 구성에 있어서,In the configuration shown in Fig. 2,

(Vda), (Vdb), (Vdc)는 삼상 교류 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 전압 파형이다.(Vda), (Vdb), and (Vdc) are three-phase alternating current power supply through the control of the solid-state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, and then individually drive the individual solid-state light-emitting body installed adjacently or stacked together This is the voltage waveform.

(Ida), (Idb), (Idc)는 삼상 교류 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 전류 파형이다.(Ida), (Idb), and (Idc) are three-phase alternating current power supplies individually solid state light emitters which are installed adjacent to each other or stacked and coupled to each other after the control of the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle. This is the current waveform.

(de)는 삼상 교류 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 광함성 파형이다.(de) is an optically coupled waveform in which three-phase AC power supplies individual solid state light emitters separately installed after being controlled adjacently or stacked and coupled to each other after being controlled by the solid state switching device 1000 for controlling the AC conductivity phase angle.

도3은 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 △ 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 회로를 나타낸 사시도이다.Figure 3 is the power of each phase of the three-phase AC power in accordance with the present invention through the control of the solid-state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle and then again connected in the form of △, adjacent to each other or are stacked and installed A perspective view showing a circuit according to driving the solid state light emitters individually.

도3에 도시된 바와 같이, 그 주요 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,As shown in Figure 3, the main configuration is configured to include the following,

고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이다.The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. It is configured to include other solid state light emitting device that can be driven or driven likewise supplied with AC power.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)는, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(R) 및 삼상 교류 전원선(S)의 사이에 병렬로 연결된다.The solid state light emitter 101 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current conductivity phase angle, respectively, and then again is a three phase alternating current power line R. And are connected in parallel between the three-phase AC power supply line (S).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(S) 및 삼상 교류 전원선(T)의 사이에 병렬로 연결된다.The solid state light emitter 102 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current phase angle, and then again the three phase alternating current power line. It is connected in parallel between (S) and three-phase AC power supply line (T).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(T) 및 상기 삼상 교류 전원선(R)의 사이에 병렬로 연결된다.The solid state light emitter 103 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current phase angle, and then again the three phase alternating current power line. It is connected in parallel between (T) and the three-phase AC power supply line (R).

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or

(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or

(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or

(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or

(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이다.(5) AC constant current output transformer.

상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. (Turn-on) phase angle, Turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정한다.(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them.

전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는 것이다.The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. By controlling the conduction phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, thereby controlling the voltage and current passing through the solid state light emitter.

전술한 도3에 도시된 일 실시예에 따른 작동 과정에서의 발광 파형 및 전류 파형은 도2에 도시된 것과 같다.The light emission waveform and the current waveform in the operation process according to the embodiment shown in FIG. 3 described above are the same as those shown in FIG. 2.

도4는 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 Y 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 회로를 나타낸 사시도이다.Figure 4 is a power supply for each phase of the three-phase AC power supply according to the present invention through the control of the solid-state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, and then connected in a Y-shaped, adjacently installed or stacked each other A perspective view showing a circuit according to driving the solid state light emitters individually.

도4에 도시된 바와 같이, 그 주요 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,As shown in Figure 4, the main configuration is configured to include the following,

고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이다.The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. It is configured to include other solid state light emitting device that can be driven or driven likewise supplied with AC power.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101), 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102) 및 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 공동연결단(COM)에 Y 형태로 연결된다.The solid state light emitter 101 driven by alternating current power, the solid state light emitter 102 driven by alternating current power and the solid state light emitter 103 driven by alternating current power are Y-shaped at a joint connection end COM. Connected.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)의 비공동연결단은, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상 교류 전원선(R)으로 이어진다.The non-joint connection stage of the solid state light emitting body 101 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switching device 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively, in series. One end after the connection is connected to the three-phase AC power supply line (R).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상 교류 전원선(S)으로 이어진다.The non-joint connection end of the solid state light emitting body 102 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase AC power supply line (S).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상 교류 전원선(T)으로 이어진다.The non-joint connection end of the solid state light emitting body 103 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase AC power supply line (T).

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or

(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or

(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or

(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or

(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이다.(5) AC constant current output transformer.

상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or

(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정한다.(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them.

전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는 것이다.The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. By controlling the conduction phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, thereby controlling the voltage and current passing through the solid state light emitter.

전술한 도4에 도시된 일 실시예에 따른 작동 과정에서의 발광 파형 및 전류 파형은 도2에 도시된 것과 같다.The light emission waveform and the current waveform in the operation process according to the embodiment shown in FIG. 4 described above are the same as those shown in FIG. 2.

도5는 본 발명에 따른 삼상사선식 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 Y 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 회로를 나타낸 사시도이다.5 is connected to the Y-shape, adjacent to each other, or laminated to each other after the power of each phase of the three-phase four-wire AC power in accordance with the present invention through the control of the solid-state switch 1000 to control the AC conductivity phase angle Fig. 1 is a perspective view showing a circuit according to driving each solid state light emitting body individually.

도5에 도시된 바와 같이, 그 주요 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,As shown in Figure 5, the main configuration is configured to include the following,

고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이다.The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. It is configured to include other solid state light emitting device that can be driven or driven likewise supplied with AC power.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101), 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102) 및 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 공동연결단(COM)에 Y 형태로 연결되고, 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)으로 이어진다.The solid state light emitter 101 driven by alternating current power, the solid state light emitter 102 driven by alternating current power and the solid state light emitter 103 driven by alternating current power are Y-shaped at a joint connection end COM. Connected to the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power source.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)의 비공동연결단은, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상사선식 교류 전원선(R)으로 이어진다.The non-joint connection end of the solid state light emitting body 101 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected to the three-phase four-wire AC power line (R).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상사선식 교류 전원선(S)으로 이어진다.The non-joint connection end of the solid state light emitting body 102 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase four-wire AC power line (S).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상사선식 교류 전원선(T)으로 이어진다.The non-joint connection end of the solid state light emitting body 103 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series is connected to the three-phase four-wire AC power supply line (T).

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or

(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or

(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or

(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or

(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이다.(5) AC constant current output transformer.

상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or

(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정한다.(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them.

전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는 것이다.The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. By controlling the conduction phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, thereby controlling the voltage and current passing through the solid state light emitter.

전술한 도5에 도시된 일 실시예에 따른 작동 과정에서의 발광 파형 및 전류 파형은 도2에 도시된 것과 같다.The light emission waveform and the current waveform in the operation process according to the embodiment shown in FIG. 5 described above are the same as those shown in FIG. 2.

도6은 본 발명에 따른 삼상 교류 전원의 각 상 사이에 교류 전류 제한 회로 장치(Z10), 교류 고상 발광체, 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단으로 연결된 회로 장치를 각각 병렬 연결하여 설치한 다음 각 상의 단상 브릿지 정류기(BR100)의 직류 출력단에 동일한 극성을 가진 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)를 병렬로 연결한 회로를 나타낸 사시도이다.6 is a circuit device connected in parallel between the AC current limiting circuit device Z10, the AC solid state light emitter, and the single-phase bridge rectifier BR100 between each phase of the three-phase AC power supply according to the present invention. A perspective view illustrating a circuit in which a solid state switchgear 2000 for controlling a conductivity phase angle having the same polarity is connected in parallel to a DC output terminal of the single phase bridge rectifier BR100.

도6에 도시된 바와 같이, 그 주요 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,As shown in Figure 6, the main configuration is configured to include the following,

고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이다.The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. It is configured to include other solid state light emitting device that can be driven or driven likewise supplied with AC power.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(R) 및 삼상 교류 전원선(T)의 사이에 병렬로 연결된다.The solid state light emitter 101 driven by AC power is connected in series to an AC terminal of the AC current limiting circuit device Z10 and the single-phase bridge rectifier BR100, and then again a three-phase AC power line R and a three-phase AC power source. It is connected in parallel between the lines T.

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 상기 및 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(S) 및 상기 삼상 교류 전원선(R)의 사이에 병렬로 연결된다.The solid state light emitter 102 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current stage of the alternating current limiting circuit device Z10 and the single phase bridge rectifier BR100, and then again the three phase alternating current power line S and the three phase alternating current. It is connected in parallel between the power supply lines (R).

교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 상기 및 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(T) 및 상기 삼상 교류 전원선(S)의 사이에 병렬로 연결된다.The solid state light emitter 103 driven by AC power is connected in series with the AC terminal of the AC current limiting circuit device Z10 and the single phase bridge rectifier BR100, and then again the three phase AC power supply line T and the three phase. It is connected in parallel between the AC power supply lines (S).

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or

(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or

(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or

(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or

(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이다.(5) AC constant current output transformer.

상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는, 각 조별 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단의 사이에 병렬로 연결되며, 전력 제어 유닛(ECU)에 의해 도통 위상각에 대한 조절이 이루어지며, 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조로 구성된 것으로서,The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier BR100 for each group, and is controlled by the power control unit ECU for the conduction phase angle. The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is made of one or more circuit structures as follows.

(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or

(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정한다.(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them.

상기 전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 삼상 교류 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단 사이에 병렬로 연결된 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는 것이다.The power control unit ECU is operated according to the setting inside or outside of the power control unit ECU, and refers to a three-phase AC power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. By controlling the conduction phase angle of the solid-state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier BR100, thereby controlling the voltage and current passing through the solid-state light emitter It is.

전술한 도6에 도시된 일 실시예에 따른 작동 과정에서의 발광 파형 및 전류 파형은 도2에 도시된 것과 같다.The light emission waveform and the current waveform in the operation process according to the embodiment shown in FIG. 6 described above are the same as those shown in FIG. 2.

도7은 본 발명에 따른 삼상사선식 교류 전원의 R, S, T 각 상과 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N) 사이에 교류 전류 제한 회로 장치(Z10), 교류 고상 발광체, 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단으로 연결된 회로 장치를 각각 병렬 연결하여 설치한 다음 각 상의 단상 브릿지 정류기(BR100)의 직류 출력단에 동일한 극성을 가진 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)를 병렬로 연결한 회로를 나타낸 사시도이다.7 shows an AC current limiting circuit device Z10, an AC solid state light emitter, and a single-phase bridge rectifier between R, S, and T phases of a three-phase four-wire AC power supply and a neutral line N of the three-phase four-wire AC power supply according to the present invention. Circuit devices connected to AC stages of BR100 are connected in parallel to each other, and circuits connected in parallel with solid state switchgear 2000 for controlling conductivity phase angles having the same polarity are connected to DC output terminals of single-phase bridge rectifiers BR100 of each phase. Is a perspective view.

도7에 도시된 바와 같이, 그 주요 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,As shown in Fig. 7, the main configuration is configured to include the following,

교류 고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이다.The AC solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power supplies. It is configured to include other solid state light emitter that can be driven by receiving or likewise supplied with AC power.

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 상기 고상 발광체(101)에 직렬로 연결된 다음 다시 상기단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결되며, 직렬로 연결된 후에는 삼상사선식 교류 전원선(R)과 상기 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)의 사이에 병렬로 연결되는 것이다.The AC current limiting circuit device Z10 is connected in series with the solid state light emitter 101 and then again connected in series with the AC terminal of the single phase bridge rectifier BR100, and after being connected in series, a three-phase four-wire AC power line ( It is connected in parallel between R) and the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power supply.

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 상기 고상 발광체(102)에 직렬로 연결된 다음 다시 상기단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결되며, 직렬로 연결된 후에는 삼상사선식 교류 전원선(S)과 상기 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)의 사이에 병렬로 연결되는 것이다.The AC current limiting circuit device Z10 is connected in series with the solid state light emitter 102 and then again connected in series with the AC terminal of the single phase bridge rectifier BR100, and after being connected in series, a three phase four wire AC power line ( It is connected in parallel between S) and the neutral line (N) of the three-phase four-wire AC power supply.

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 상기 고상 발광체(103)에 직렬로 연결된 다음 다시 상기단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결되며, 직렬로 연결된 후에는 삼상사선식 교류 전원선(T)과 상기 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)의 사이에 병렬로 연결되는 것이다.The AC current limiting circuit device Z10 is connected in series to the solid state light emitter 103 and then connected in series to an AC terminal of the single phase bridge rectifier BR100, and after being connected in series, a three phase four-wire AC power supply line ( It is connected in parallel between T) and the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power supply.

상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.

(1) 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase or decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or

(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or

(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or

(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or

(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이다.(5) AC constant current output transformer.

상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는, 각 조별 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단의 사이에 병렬로 연결되며, 전력 제어 유닛(ECU)에 의해 도통 위상각에 대한 조절이 이루어지며, 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조로 구성된 것으로서,The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier BR100 for each group, and is controlled by the power control unit ECU for the conduction phase angle. The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is made of one or more circuit structures as follows.

(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or

(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or

(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정한다.(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them.

상기 전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정에 따르거나 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 삼상사선식 교류 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단 사이에 병렬로 연결된 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는 것이다.The power control unit ECU is operated according to a setting inside the power control unit ECU or controlled by an external device, and passes through a three-phase four-wire AC power supply voltage and the AC current limiting circuit device Z10. By referring to the current to control the conduction phase angle of the solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier (BR100), through which the voltage passing through the solid state light emitter And current control.

전술한 도7에 도시된 일 실시예에 따른 작동 과정에서의 발광 파형 및 전류 파형은 도2에 도시된 것과 같다.The light emission waveform and the current waveform in the operation process according to the embodiment shown in FIG. 7 described above are the same as those shown in FIG. 2.

본 발명에 의한 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치에 있어서, 상기 고상 발광체(101, 102, 103)는, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)로 구성될 경우, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 방식을 포함하여 구성된 것으로서,In the solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power according to the present invention, when the solid state light emitting body (101, 102, 103) is composed of a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED), Configured in one or more ways,

(1) 둘 또는 그 이상의 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 역극성으로 병렬 연결되어 구성되거나, 또는(1) two or more light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs) are constructed in parallel connection in reverse polarity, or

(2) 둘 또는 그 이상의 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 역극성으로 직렬 연결되어 구성되거나, 또는(2) two or more light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs) are configured in series with reverse polarity, or

(3) 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 직렬 또는 별렬 또는 직병렬로 연결되며 동일한 극성에 따라 브릿지 정류기 장치의 직류 출력단에 연결되어 구성된 것이다.(3) One or more light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs) are connected in series or in series or in parallel and connected to the DC output terminal of the bridge rectifier device according to the same polarity.

본 발명에 의한 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치에 있어서, 상기 고상 발광체(101, 102, 103)는, 단상 전도성 고상 발광체로 구성될 경우, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 방식을 포함하여 구성된 것으로서,In the solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power according to the present invention, when the solid state light emitters 101, 102, and 103 are composed of a single phase conductive solid state light emitter, As configured,

(1) 둘 또는 그 이상의 단상 전도성 고상 발광체가 역극성으로 병렬 연결되어 구성되거나, 또는(1) two or more single-phase conductive solid state light emitters are configured in parallel connection in reverse polarity, or

(2) 둘 또는 그 이상의 단상 전도성 고상 발광체가 역극성으로 직렬 열결되고, 다이오드에 각각 역극성으로 병렬 연결되어 구성되거나, 또는(2) two or more single phase conductive solid state light emitters are series thermally reversed in reverse polarity, and are respectively connected in parallel to the diode in reverse polarity, or

(3) 하나 또는 그 이상의 단상 전도성 고상 발광체가 직렬 또는 별렬 또는 직병렬로 연결되며 동일한 극성에 따라 브릿지 정류기 장치의 직류 출력단에 연결되어 구성된 것이다.(3) One or more single-phase conductive solid-state emitters are connected in series or in series or in parallel and are connected to the DC output terminal of the bridge rectifier device according to the same polarity.

본 발명에 의한 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치에 있어서, 상기 고상 발광체(101, 102, 103)는, 하나 또는 그 이상이 직렬 또는 병렬 또는 직병렬로 연결되어 교류 전원의 발광 유닛에서 직접 작동하는 것을 포함하여 구성되며, 교류 전원에서 직접 작동하는 것이다.In the solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power according to the present invention, the solid state light emitting units 101, 102, and 103 are connected in series, in parallel, or in parallel and in parallel with each other in a light emitting unit of an AC power source. It is configured to include direct operation and operates directly from AC power.

본 발명에 의한 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치에 있어서, 전술한 다상 교류 전원은 상기한 실시예에 기제된 삼상 전원 외에, 그 동일한 원리는 이상 또는 그 이상의 교류 전원에 적용되는 것을 포함한다.In the solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power according to the present invention, the above-described multi-phase AC power source includes, in addition to the three-phase power source described in the above embodiments, the same principle includes that applied to an ideal or more AC power source. do.

101, 102, 103 : 고상 발광체
1000 : 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치
2000 : 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치
BR100 : 단상 브릿지 정류기
Va, Vb, Vc : 삼상 교류 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체의 전압 파형.
Ia, Ib, Ic : 삼상 교류 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체의 전류 파형.
e : 삼상 교류 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체의 광합성 파형.
Vda, Vdb, Vdc : 삼상 교류 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 전압 파형.
Ida, Idb, Idc : 삼상 교류 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 전류 파형.
de : 삼상 교류 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 것에 따른 광함성 파형.
COM : 공동연결단 ECU : 전력 제어 유닛
N : 삼상사선식 교류 전원의 중성선 R, S, T : 삼상 교류 전원선
Z10 : 교류 전류 제한 회로 장치101, 102, 103: solid state light emitter
1000: solid state switchgear for controlling the AC conductivity phase angle
2000: Solid state switchgear controlling conductivity phase angle
BR100: Single Phase Bridge Rectifier
Va, Vb, Vc: Voltage waveforms of individual solid state light emitters which are separately installed or stacked and bonded to each other individually driven by a three-phase AC power source.
Ia, Ib, Ic: Current waveforms of individual solid-state light emitters which are separately installed or stacked on top of each other, driven separately by a three-phase AC power source.
e: Photosynthesis waveform of the individual solid state light emitting bodies installed adjacently or driven by stacking with each other individually driven by a three-phase alternating current power supply.
Vda, Vdb, Vdc: The voltage waveform according to the three-phase AC power source to individually drive the individual solid-state light emitters that are installed adjacent to each other or stacked and coupled after the control of the solid-state switch 1000 to control the AC conductivity phase angle.
Ida, Idb, Idc: The current waveform of the three-phase AC power separately driven by the individual solid-state light emitters installed adjacent to each other or stacked and coupled after the control of the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle.
de: A photodeformation waveform in which three-phase AC power supplies individual solid state light emitters which are installed adjacently or stacked and bonded to each other after being controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle.
COM: Common Connection ECU: Power Control Unit
N: Neutral wire of three phase four wire AC power R, S, T: Three phase AC power wire
Z10: AC Current Limiting Circuit Device

Claims (7)

인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하여 그 합성 발광 휘도가 각 상별 교류 전원의 전압에 따라 생성된 발광 휘도 파형과 적층 결합되도록 함으로써 발광 휘도의 합성 펄스율이 낮아지도록 함과 아울러 추가적으로 각 상별 전원 간에 상이한 위상을 가진 정현파 전압에 대하여 각 상별 전원에 의해 개별적으로 구동되는 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 사용하여 전압 파형의 순간치에 따라 상이한 휘도를 가진 광 에너지가 생성되도록 하고, 상이한 휘도를 가지며 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 개별의 고상 발광체가 발광할 경우, 휘도가 비교적 낮은 개별의 고상 발광체를 통과하는 전력은 무효전력이 되는데, 이 경우 본 발명에 의한 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 대한 제어를 통해 무효전력을 차단함으로써 전기 에너지를 절약함과 아울러 개별교류 고상 발광체의 전압 및 전류에 대한 조절이 가능한 것으로서,
삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 △형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 회로를 포함하여 구성되고, 그 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,
고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)는, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(R) 및 삼상 교류 전원선(S)의 사이에 병렬로 연결되며,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(S) 및 삼상 교류 전원선(T)의 사이에 병렬로 연결되고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(T) 및 상기 삼상 교류 전원선(R)의 사이에 병렬로 연결되며,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는
(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는
(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는
(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는
(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이며,
상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는
(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고,
전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는, 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.Each of the solid state light emitting bodies installed adjacent to each other or stacked and coupled to each other is individually driven so that the composite light emission luminance is laminated and combined with the light emission luminance waveform generated according to the voltage of the AC power of each phase so that the combined pulse rate of the light emission luminance is lowered. In addition, different luminance according to the instantaneous value of the voltage waveform by using each solid state light emitting body installed adjacent to each other or stacked in combination with each other, which are driven separately by each phase power source, for a sinusoidal voltage having a different phase between each phase power source. When the individual solid state light emitters that emit light energy having different luminance and are installed adjacent to each other or are stacked and bonded to each other emit light, power passing through the individual solid state light emitters having relatively low luminance becomes reactive power. Case of alternating current according to the present invention By controlling the solid state switchgear 1000 for controlling the tremor phase angle, the reactive power is cut off, thereby saving electric energy and controlling voltage and current of the individual alternating solid state light emitters.
The power of each phase of the three-phase AC power is individually controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, and then individually driven to each of the solid state light emitting bodies which are connected in the form of △ and installed adjacently or stacked together. It is comprised including the circuit to make, and the structure comprised as follows,
The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. Or other solid state light emitters that can be driven or powered likewise,
The solid state light emitter 101 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current conductivity phase angle, respectively, and then again is a three phase alternating current power line R. ) Is connected in parallel between the three-phase AC power line (S),
The solid state light emitter 102 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current phase angle, and then again the three phase alternating current power line. Connected in parallel between (S) and the three-phase AC power supply line (T),
The solid state light emitter 103 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the alternating current phase angle, and then again the three phase alternating current power line. (T) is connected in parallel between the three-phase AC power supply line (R),
The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or
(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or
(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or
(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or
(5) consisting of AC constant current output transformer,
The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or
(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of both or one of them,
The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. A solid state light emitting device capable of controlling polyphase reactive power by controlling the conduction phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, thereby controlling the voltage and current passing through the solid state light emitter. 제1항에 있어서,
삼상 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 Y 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 회로를 포함하여 구성되고, 그 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,
고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101), 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102) 및 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 공동연결단(COM)에 Y 형태로 연결되며,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)의 비공동연결단은, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상 교류 전원선(R)으로 이어지고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상 교류 전원선(S)으로 이어지며,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상 교류 전원선(T)으로 이어지고,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는
(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는
(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는
(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는
(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이고,
상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는
(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하며,
전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는, 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.The method of claim 1,
The power of each phase of the three-phase AC power is individually controlled to drive each of the solid state light emitters that are connected in a Y-shape, installed adjacently, or stacked and bonded together after being controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle. It is comprised including the circuit, The structure is comprised including the following,
The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. Or other solid state light emitters that can be driven or powered likewise,
The solid state light emitter 101 driven by alternating current power, the solid state light emitter 102 driven by alternating current power and the solid state light emitter 103 driven by alternating current power are Y-shaped at a joint connection end COM. Connected,
The non-joint connection stage of the solid state light emitting body 101 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switching device 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively, in series. One end after the connection is connected to the three-phase AC power line (R),
The non-joint connection end of the solid state light emitting body 102 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase AC power line (S),
The non-joint connection end of the solid state light emitting body 103 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase AC power line (T),
The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or
(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or
(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or
(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or
(5) consisting of AC constant current output transformer,
The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or
(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of two or one of them,
The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. A solid state light emitting device capable of controlling polyphase reactive power by controlling the conduction phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, thereby controlling the voltage and current passing through the solid state light emitter. 제1항에 있어서,
삼상사선식 교류 전원의 각 상별 전원이 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 제어를 거친 다음 다시 Y 형태로 연결되고 인접하게 설치되거나 서로 적층 결합되어 설치된 각각의 고상 발광체를 개별적으로 구동하는 회로를 포함하여 구성되고, 그 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,
고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101), 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102) 및 교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 공동연결단(COM)에 Y 형태로 연결되고, 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)으로 이어지며,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)의 비공동연결단은, 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상사선식 교류 전원선(R)으로 이어지고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상사선식 교류 전원선(S)으로 이어지며,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)의 비공동연결단은, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 각각 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 후의 일단은 삼상사선식 교류 전원선(T)으로 이어지고,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는
(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는
(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는
(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는
(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이고,
상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는
(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하며,
전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는, 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.The method of claim 1,
Each phase power of the three-phase four-wire AC power is subjected to the control of the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, and is then connected in a Y-shaped, adjacently installed or stacked in combination with each other, respectively. It is comprised including the circuit which drives, and the structure comprised as follows,
The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. Or other solid state light emitters that can be driven or powered likewise,
The solid state light emitter 101 driven by alternating current power, the solid state light emitter 102 driven by alternating current power and the solid state light emitter 103 driven by alternating current power are Y-shaped at a joint connection end COM. Connected to the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power source,
The non-joint connection end of the solid state light emitting body 101 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected to the three-phase four-wire AC power line (R),
The non-joint connection end of the solid state light emitting body 102 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase four-wire AC power line (S),
The non-joint connection end of the solid state light emitting body 103 driven by AC power is connected in series to the AC current limiting circuit device Z10 and the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle, respectively. One end after being connected in series leads to a three-phase four-wire AC power line (T),
The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or
(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or
(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or
(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or
(5) consisting of AC constant current output transformer,
The solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or
(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of two or one of them,
The power control unit ECU is operated according to the setting inside the power control unit ECU or controlled by the outside, and refers to the AC voltage by referring to a power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. A solid state light emitting device capable of controlling polyphase reactive power by controlling the conduction phase angle of the solid state switchgear 1000 for controlling the conductivity phase angle, thereby controlling the voltage and current passing through the solid state light emitter. 제1항에 있어서,
삼상 교류 전원의 각 상 사이에 교류 전류 제한 회로 장치(Z10), 교류 고상 발광체, 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단으로 연결된 회로 장치를 각각 병렬 연결하여 설치한 다음 각 상의 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 직류 출력단에 동일한 극성을 가진 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)를 병렬로 연결한 회로를 포함하여 구성되고, 그 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,
고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(101)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 및 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(R) 및 삼상 교류 전원선(T)의 사이에 병렬로 연결되며,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(102)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 상기 및 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결된 다음 다시 삼상 교류 전원선(S) 및 상기 삼상 교류 전원선(R)의 사이에 병렬로 연결되고,
교류 전력에 의해 구동되는 상기 고상 발광체(103)는, 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10) 상기 및 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결된 다음 다시 상기 삼상 교류 전원선(T) 및 상기 삼상 교류 전원선(S)의 사이에 병렬로 연결되며,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 상기 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는
(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는
(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는
(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는
(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이고,
상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는, 각 조별 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단의 사이에 병렬로 연결되며, 전력 제어 유닛(ECU)에 의해 도통 위상각에 대한 조절이 이루어지며, 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조로 구성된 것으로서,
(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는
(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하며,
상기 전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정 또는 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 삼상 교류 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단 사이에 병렬로 연결된 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는, 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.The method of claim 1,
Between each phase of the three-phase AC power source, the AC current limiting circuit device (Z10), the AC solid state light emitter, and the circuit devices connected to the AC stage of the single-phase bridge rectifier (BR100) are connected in parallel, respectively, and then the single-phase bridge rectifier (BR100) of each phase is installed. It includes a circuit connected in parallel to the solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle having the same polarity at the DC output terminal of the configuration, the configuration is configured to include,
The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. Or other solid state light emitters that can be driven or powered likewise,
The solid state light emitter 101 driven by AC power is connected in series to an AC terminal of the AC current limiting circuit device Z10 and the single-phase bridge rectifier BR100, and then again a three-phase AC power line R and a three-phase AC power source. Connected in parallel between the lines (T),
The solid state light emitter 102 driven by alternating current power is connected in series to the alternating current stage of the alternating current limiting circuit device Z10 and the single phase bridge rectifier BR100, and then again the three phase alternating current power line S and the three phase alternating current. Connected in parallel between the power lines (R),
The solid state light emitter 103 driven by AC power is connected in series with the AC terminal of the AC current limiting circuit device Z10 and the single phase bridge rectifier BR100, and then again the three phase AC power supply line T and the three phase. Connected in parallel between the AC power lines (S),
The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase and decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or
(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or
(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or
(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or
(5) consisting of AC constant current output transformer,
The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier BR100 for each group, and is controlled by the power control unit ECU for the conduction phase angle. The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is made of one or more circuit structures as follows.
(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or
(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of two or one of them,
The power control unit ECU is operated according to the setting inside or outside of the power control unit ECU, and refers to a three-phase AC power supply voltage and a current passing through the AC current limiting circuit device Z10. By controlling the conduction phase angle of the solid-state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier BR100, thereby controlling the voltage and current passing through the solid-state light emitter The solid state light emitting device capable of controlling the polyphase reactive power. 제1항에 있어서,
삼상사선식 교류 전원의 R, S, T 각 상과 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N) 사이에 교류 전류 제한 회로 장치(Z10), 교류 고상 발광체, 단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단으로 연결된 회로 장치를 각각 병렬 연결하여 설치한 다음 각 상의 단상 브릿지 정류기(BR100)의 직류 출력단에 동일한 극성을 가진 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)를 병렬로 연결한 회로를 포함하여 구성되고, 그 구성은 이하를 포함하여 구성된 것으로서,
고상 발광체(101, 102, 103)는, 둘 또는 그 이상의 교류 전원에 의해 구동되는 고상 발광체로서, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)를 기초 발광 유닛으로 하여 구성되어 교류 전원을 공급 받아 구동되거나, 또는 마찬가지로 교류 전원을 공급 받아 구동될 수 있는 다른 고상 발광체를 포함하여 구성된 것이고,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 상기 고상 발광체(101)에 직렬로 연결된 다음 다시 상기단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결되며, 직렬로 연결된 후에는 삼상사선식 교류 전원선(R)과 상기 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)의 사이에 병렬로 연결되는 것이며,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 상기 고상 발광체(102)에 직렬로 연결된 다음 다시 상기단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결되며, 직렬로 연결된 후에는 삼상사선식 교류 전원선(S)과 상기 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)의 사이에 병렬로 연결되는 것이고,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 상기 고상 발광체(103)에 직렬로 연결된 다음 다시 상기단상 브릿지 정류기(BR100)의 교류단에 직렬로 연결되며, 직렬로 연결된 후에는 삼상사선식 교류 전원선(T)과 상기 삼상사선식 교류 전원의 중성선(N)의 사이에 병렬로 연결되는 것이며,
상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)는, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조를 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 교류 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(1000)에 의해 제어되는 무효전력 도전율 각의 증감에 따라 교류 고상 발광체(LED)에 대한 구동 전류를 제어하고, 또는
(2) 전기저항형 임피던스 유닛, 유도형 임피던스 유닛, 콘덴서형 임피던스 유닛 중의 하나 또는 그 이상이 직렬, 또는 병렬, 또는 직병렬 연결되어 구성되고, 또는
(3) 고상 반도체 회로로 구성되어 고상 발광 유닛에 대하여 아나로그 또는 초퍼 방식의 정전류 또는 한계 전류에 따른 회로를 제어하고, 또는
(4) 교류 온압 변압기로 구성되고, 또는
(5) 교류 정전류 출력 변압기로 구성된 것이고,
상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는, 각 조별 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단의 사이에 병렬로 연결되며, 전력 제어 유닛(ECU)에 의해 도통 위상각에 대한 조절이 이루어지며, 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)는 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 회로 구조로 구성된 것으로서,
(1) 도전율 위상각에 대한 제어가 가능한 사이리스터 파워 컴포넌트로 구성된 것으로서, 예컨데 TRIAC, SCR, GTO 등으로 능동 소자를 구성하며, 상대적인 각 상별 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(2) 이펙트 파워 컴포넌트로 구성된 고상 개폐장치로서, 예컨데 MOSFET, IGBT 등으로 능동 소자를 구성하며, 다상 전원의 전압으로 회로를 검측하고, 각 상별 전압 간의 전압으로 회로의 작동을 비교함으로써 이펙트 파워 컴포넌트의 구동 회로를 제어하고 이펙트 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 제어하고, 또는
(3) 제너 다이오드의 제너 전압을 사용하거나 다이오드의 순방향 강압 특성을 사용하여 제너 다이오드 또는 다이오드를 사이리스터의 게이트와 전압원 사이에 직렬로 연결함으로써 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 사이리스터 파워 컴포넌트의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하고, 또는
(4) 사용된 교류 전원의 전압을 사용하여 이에 의해 구동되는 고상 발광체에 대하여 교류 고상 발광체(LED) 자체의 순방향 전압(VF)의 특성에 따라 전원이 정현파의 전압으로 변화하는 과정에서 고상 발광체의 도통(Turn-on) 위상각, 차단(Turn-off) 위상각, 이 둘 또는 그 중 하나의 제어 시기를 설정하며,
상기 전력 제어 유닛(ECU)은, 상기 전력 제어 유닛(ECU) 내부의 설정에 따르거나 외부에 의한 제어에 따라 작동되는 것으로서, 삼상사선식 교류 전원 전압 및 상기 교류 전류 제한 회로 장치(Z10)를 통과하는 전류를 참조하여 상기 단상 브릿지 정류기(BR100)의 양/음단 사이에 병렬로 연결된 상기 도전율 위상각을 제어하는 고상 개폐장치(2000)의 도통 위상각을 제어하고, 이를 통해 고상 발광체를 통과하는 전압 및 전류를 제어하는, 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.The method of claim 1,
A circuit connected between the AC current limiting circuit device (Z10), the AC solid state illuminator, and the single-phase bridge rectifier (BR100) between each of the R, S, and T phases of the three-phase four-wire AC power supply and the neutral line (N) of the three-phase four-wire AC power supply. And a circuit in which the solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle having the same polarity is connected to the direct current output terminal of each phase of the single phase bridge rectifier BR100. The configuration is configured to include the following,
The solid state light emitters 101, 102, and 103 are solid state light emitters driven by two or more alternating current power sources. The solid state light emitters 101, 102, and 103 are configured by using a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) as a basic light emitting unit to receive AC power. Or other solid state light emitters that can be driven or powered likewise,
The AC current limiting circuit device Z10 is connected in series with the solid state light emitter 101 and then again connected in series with the AC terminal of the single phase bridge rectifier BR100, and after being connected in series, a three-phase four-wire AC power line ( It is connected in parallel between R) and the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power source,
The AC current limiting circuit device Z10 is connected in series with the solid state light emitter 102 and then again connected in series with the AC terminal of the single phase bridge rectifier BR100, and after being connected in series, a three phase four wire AC power line ( S) is connected in parallel between the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power source,
The AC current limiting circuit device Z10 is connected in series to the solid state light emitter 103 and then connected in series to an AC terminal of the single phase bridge rectifier BR100, and after being connected in series, a three phase four-wire AC power supply line ( It is connected in parallel between T) and the neutral wire (N) of the three-phase four-wire AC power source,
The AC current limiting circuit device Z10 is configured to include one or more circuit structures as follows.
(1) controlling the drive current for the AC solid state light emitter (LED) in accordance with the increase or decrease of the reactive power conductivity angle controlled by the solid state switchgear 1000 for controlling the AC conductivity phase angle; or
(2) one or more of an electrical resistive impedance unit, an inductive impedance unit, and a condenser impedance unit are configured in series, in parallel, or in series or parallel connection; or
(3) constitute a solid-state semiconductor circuit to control the circuit according to the constant current or the limit current of the analog or chopper type with respect to the solid state light emitting unit, or
(4) consisting of an AC on-voltage transformer, or
(5) consisting of AC constant current output transformer,
The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier BR100 for each group, and is controlled by the power control unit ECU for the conduction phase angle. The solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle is made of one or more circuit structures as follows.
(1) It consists of thyristor power components that can control the conductivity phase angle.For example, active elements are composed of TRIAC, SCR, GTO, etc., the circuit is detected by the relative voltage of each phase, and the voltage between each phase voltage Comparing the operation to control the turn-on phase angle of the thyristor power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(2) A solid state switchgear composed of effect power components, for example, an active element composed of a MOSFET, an IGBT, etc., the circuit being detected by the voltage of a polyphase power supply, and the operation of the circuit being compared by the voltage between each phase voltage. Control the driving circuit of the control circuit and control the turn-on phase angle of the effect power component, the turn-off phase angle, control timing of the two or one of them, or
(3) The conduction of thyristor power components in the process of changing the power to the voltage of a sine wave by using a zener voltage of the zener diode or by connecting the zener diode or diode in series between the thyristor gate and the voltage source using the forward step-down characteristic of the diode. Set the (Turn-on) phase angle, the Turn-off phase angle, the control timing of the two or one of them, or
(4) In the process of changing the power source to the sine wave voltage according to the characteristics of the forward voltage (VF) of the AC solid state light emitting diode (LED) itself with respect to the solid state light emitting body driven by using the voltage of the AC power used, Set the turn-on phase angle, the turn-off phase angle, the control timing of two or one of them,
The power control unit ECU is operated according to a setting inside the power control unit ECU or controlled by an external device, and passes through a three-phase four-wire AC power supply voltage and the AC current limiting circuit device Z10. By referring to the current to control the conduction phase angle of the solid state switchgear 2000 for controlling the conductivity phase angle connected in parallel between the positive and negative ends of the single-phase bridge rectifier (BR100), through which the voltage passing through the solid state light emitter And a solid state light emitting device capable of controlling the multi-phase reactive power for controlling the current. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고상 발광체(101, 102, 103)는, 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)로 구성될 경우, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 방식을 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 둘 또는 그 이상의 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 역극성으로 병렬 연결되어 구성되거나, 또는
(2) 둘 또는 그 이상의 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 역극성으로 직렬 연결되어 구성되거나, 또는
(3) 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드(LED) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 직렬 또는 별렬 또는 직병렬로 연결되며 동일한 극성에 따라 브릿지 정류기 장치의 직류 출력단에 연결되어 구성되는, 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
When the solid state light emitters 101, 102, and 103 are constituted by light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs), the solid state light emitters 101, 102, and 103 include one or more methods as follows.
(1) two or more light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs) are constructed in parallel connection in reverse polarity, or
(2) two or more light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs) are configured in series with reverse polarity, or
(3) One or more light emitting diodes (LEDs) or organic light emitting diodes (OLEDs) connected in series or in series or in parallel and connected to the DC output terminal of the bridge rectifier device according to the same polarity, for multiphase reactive power. Solid state light emitting device that can be controlled. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고상 발광체(101, 102, 103)는, 단상 전도성 고상 발광체로 구성될 경우, 이하와 같은 하나 또는 그 이상의 방식을 포함하여 구성된 것으로서,
(1) 둘 또는 그 이상의 단상 전도성 고상 발광체가 역극성으로 병렬 연결되어 구성되거나, 또는
(2) 둘 또는 그 이상의 단상 전도성 고상 발광체가 역극성으로 직렬 열결되고, 다이오드에 각각 역극성으로 병렬 연결되어 구성되거나, 또는
(3) 하나 또는 그 이상의 단상 전도성 고상 발광체가 직렬 또는 별렬 또는 직병렬로 연결되며 동일한 극성에 따라 브릿지 정류기 장치의 직류 출력단에 연결되어 구성되는, 특징으로 하는 다상 무효전력에 대한 제어가 가능한 고체 발광 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
When the solid state light emitters 101, 102, and 103 are composed of a single-phase conductive solid state light emitter, the solid state light emitters 101, 102, and 103 include one or more of the following schemes.
(1) two or more single-phase conductive solid state light emitters are configured in parallel connection in reverse polarity, or
(2) two or more single phase conductive solid state light emitters are series thermally reversed in reverse polarity, and are respectively connected in parallel to the diode in reverse polarity, or
(3) Solid state light emission capable of controlling multi-phase reactive power, characterized in that one or more single-phase conductive solid state light emitters are connected in series or in series or in parallel and connected to the DC output terminal of the bridge rectifier device according to the same polarity. Device.
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