KR20130024372A - Life and reliability assessment system on life and reliability of light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)의 수명 및 신뢰성 평가시스템에 관한 것으로, 발광다이오드에 전류와 온도를 장시간 동안 부가하여 소자의 신뢰성을 평가하기 위한 발광다이오드의 수명과 신뢰성을 평가하는 시스템에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a system for evaluating the lifespan and reliability of light emitting diodes (LEDs). It is about.
발광다이오드는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체를 이용한 광학소자로서, 반응속도, 전력소모, 발열 등의 제반 특성이 종래의 광원에 비해 매우 우수하여 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.
A light emitting diode is an optical element using a semiconductor that emits light based on recombination of electrons and holes. The light emitting diode has excellent characteristics such as reaction speed, power consumption, and heat generation, and is widely used in various types of light sources in optical communication and electronic devices. It is used.
발광다이오드는 출력에 따라 고출력, 중출력, 저출력으로 구분할 수 있으며 발광다이오드에 인가되는 전류의 값이 고출력 발광다이오드로 갈수록 커지게 된다.The light emitting diode can be classified into high output, medium output, and low output according to the output, and the value of the current applied to the light emitting diode becomes larger toward the high output light emitting diode.
발광다이오드 소자는 전기를 빛으로 변환하는 소자이며 입력되는 전기에 대해서 100% 빛으로 변환하지 못하고 약 15~25% 정도만 빛으로 변환하는 효율을 가지고 있다.The light emitting diode device converts electricity into light and has an efficiency of converting only about 15 to 25% of light into input light without converting it into 100% light.
빛으로 변환되지 못하는 것은 모두 열로서 방출되며 이때 고출력 발광다이오드와 같은 경우는 매우 많은 열이 발생된다. 저출력 발광다이오드에는 적은 전류가 흐르지만 열이 발생하는 것은 마찬가지이며 다만 그 양이 적을 뿐이다.
Anything that cannot be converted to light is emitted as heat, and in the case of high power light emitting diodes, very much heat is generated. Low current light emitting diodes have a small amount of current, but heat is the same, but only a small amount.
일반적으로 발광다이오드를 제조하는 회사마다 고유한 모양의 발광다이오드 패키지를 생산하고 있으나 기본적으로 고출력 발광다이오드인 경우에는 발광다이오드 칩에서 발생되는 열을 외부로 배출하기 위한 히트 싱크가 있으며 저출력 발광다이오드인 경우에는 리드선을 통해 열이 방출되게 하고 있다.Generally, each company manufacturing light emitting diodes produces a light emitting diode package having a unique shape, but basically a high output light emitting diode has a heat sink for dissipating heat generated from the light emitting diode chip to the outside, and a low output light emitting diode The heat is released through the lead wire.
발광다이오드는 긴 수명이 하나의 장점이지만 출력이 높아짐에 따라 발산되는 열의 처리가 큰 문제로 대두되고 있고 그로 인한 열화현상이 본격적인 발광다이오드 조명의 응용에서 해결해야 할 중요한 과제이다.
Long life is one of the advantages, but as the output increases, the treatment of heat dissipation is becoming a big problem, and the resulting degradation is an important problem to be solved in the application of light emitting diode lighting in earnest.
기존의 저출력 발광다이오드에 대해서는 발광다이오드의 신뢰성이나 수명에 대해 큰 문제가 없었으나 최근의 고부가가치 제품에 발광다이오드가 채택됨으로써 발광다이오드의 신뢰성이나 수명에 대해 많은 관심이 모아지고 있다.Conventional low power light emitting diodes have no significant problems with respect to the reliability and lifetime of the light emitting diodes. However, the recent adoption of light emitting diodes in high value-added products has attracted much attention to the reliability and lifetime of light emitting diodes.
이러한 중출력 발광다이오드 또는 고출력 발광다이오드에 대해서 신뢰성이나 수명평가를 하기 위해 주로 사용해온 방법은 챔버에 발광다이오드를 집어넣고 온도를 발광다이오드의 정상동작온도보다 더 높은 온도의 환경을 만들고 챔버 바깥에서 파워서플라이를 통해 선을 연결하여 발광다이오드에 전기를 가하여 발광다이오드를 발광시키고, 이렇게 발광다이오드를 장시간동안 그대로 방치하여 발광시킨 후 일정시간이 지나면 발광다이오드의 전원을 차단하고 챔버에서 발광다이오드를 꺼낸 다음 하나하나 일일이 별도의 측정시스템을 통해 발광다이오드의 특성을 계측하게 된다.The method that has been mainly used to evaluate the reliability or lifespan of the medium power light emitting diodes or the high power light emitting diodes is to put the light emitting diode into the chamber and to make the temperature higher than the normal operating temperature of the light emitting diode, Connect the wires through the supply and apply electricity to the light emitting diodes to emit light.Then, leave the light emitting diodes for a long time and emit light.After a certain time, turn off the power of the light emitting diodes and take them out of the chamber. One by one measure the characteristics of the light emitting diode through a separate measurement system.
발광다이오드의 데이터를 측정한 값을 기록한 후 다시 발광다이오들을 챔버에 넣고 다시 장시간동안 발광다이오드에 전류와 온도를 부가하게 한다. 또 일정시간이 지난 후 다시 챔버에서 발광다이오드를 꺼내어 별도의 측정시스템을 이용하여 발광다이오드를 에이징한 후의 발광다이오드의 특성값을 비교해보면 그 값이 어떻게 변했는지를 알 수 있으며 이를 통해서 발광다이오드의 신뢰성을 평가하게 된다.
After recording the measured values of the light emitting diodes, the light emitting diodes are put in the chamber and the current and temperature are added to the light emitting diodes for a long time. After a certain period of time, the LEDs are removed from the chamber and the characteristics of the LEDs are compared after aging the LEDs using a separate measurement system. Evaluate.
그러나 이 방법은 에이징과 측정이 단속적으로 이루어지게 되며 얻은 데이터의 정밀도와 연속성이 저하됨에 따라 발광다이오드 샘플의 열화 정도를 정확히 예측하기가 어려운 문제가 있었다.
However, this method has a problem that it is difficult to accurately predict the degree of deterioration of the LED sample as the aging and measurement are intermittently performed and the accuracy and continuity of the obtained data are degraded.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 다수의 발광다이오드 소자의 전기적 특성과 광학특성을 실시간으로 측정할 수 있는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성을 평가하는 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
The present invention is to solve the above problems, the present invention is to provide a device for evaluating the lifetime and reliability of the light emitting diode that can measure the electrical characteristics and optical characteristics of a plurality of light emitting diode elements in real time have.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템은, 발광다이오드 어레이에 전원을 공급하는 전원공급부, 상기 발광다이오드 어레이에서 방출되는 광의 광도를 검출하는 광 검출부, 상기 발광다이오드 어레이의 온도를 측정하는 온도 검출부, 상기 발광다이오드 어레이로의 전원공급을 제어하는 제어부 및 상기 발광다이오드 양단의 전기적 요소를 실시간 측정하는 계측부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the lifespan and reliability evaluation system of the light emitting diode of the present invention includes a power supply unit for supplying power to the light emitting diode array, a light detector for detecting the intensity of light emitted from the light emitting diode array, and the light emitting diode array. And a temperature detector for measuring a temperature, a controller for controlling a power supply to the light emitting diode array, and a measuring unit for measuring real-time electrical components of both ends of the light emitting diode.
여기서, 상기 계측부에서 측정하는 전기적 요소는 순방향 전압 및 전류, 역방향 전압 및 전류, 능동저항 및 누설전류값인 것을 특징으로 하고,Here, the electrical element measured by the measuring unit is characterized in that the forward voltage and current, reverse voltage and current, active resistance and leakage current value,
상기 전원공급부로부터 상기 발광다이오드 어레이로의 전원을 차단시키기 위한 전원차단수단을 더 포함하는 것을 더 구체적인 특징으로 하며,The apparatus may further include a power cut-off means for cutting off power from the power supply unit to the light emitting diode array.
상기 전원차단수단에 의해 바이패스(Bypass) 회로가 연결된 것을 보다 구체적인 특징으로 한다.The bypass circuit is connected by the power cut-off means.
그리고, 상기 계측부에서 계측된 전기적 요소를 실시간으로 저장하는 메모리부를 더 포함하는 것을 그 보다 구체적인 특징으로 한다.
In addition, the electronic device further includes a memory unit for storing the electrical element measured by the measurement unit in real time.
한편, 상기 광 측정부는 상기 발광다이오드 어레이에서 방출되는 광을 수광하는 수광수단 및 상기 수광수단에 수광된 광을 파장 별로 분광하여 광도를 검출하는 분광수단을 포함하는 것을 다른 특징으로 하고,On the other hand, the optical measuring unit is characterized in that it comprises a light receiving means for receiving the light emitted from the light emitting diode array and spectroscopic means for detecting the light intensity by spectroscopy the light received by the light receiving means for each wavelength,
상기 발광다이오드 어레이가 부착되어 상기 발광다이오드 어레이의 위치를 조절하는 구동수단을 더 포함하는 것을 또 다른 특징으로 하며,The light emitting diode array is further characterized in that it further comprises a driving means for adjusting the position of the light emitting diode array,
상기 발광다이오드 어레이의 온도를 제어하고 상기 제어부에 의해 제어되는 온도 제어수단을 더 포함하는 것을 또 다른 특징으로 한다.Further characterized in that it further comprises a temperature control means for controlling the temperature of the light emitting diode array and controlled by the controller.
그리고, 상기 제어부는 상기 광 측정부에서 측정된 광도 및 상기 온도 측정부에서 측정된 온도를 전송받는 것을 또한 다른 특징으로 한다.
The control unit may further receive the light intensity measured by the light measuring unit and the temperature measured by the temperature measuring unit.
상기와 같은 구성을 갖춘 본 발명에 의하면, 발광다이오드 소자의 전기적 특성을 실시간으로 계측이 가능하고, 특히 전원차단수단에 의해 바이패스 회로를 구현시켜 역방향 전류 전압 등을 실시간으로 계측함으로써, 환경의 변화없이 보다 효율적이고 신뢰성을 갖는 데이터를 통해 모니터링하여 모델링함으로써, 발광다이오드의 수명에 대한 보다 신뢰가능한 평가가 가능하도록 한다.
According to the present invention having the above configuration, it is possible to measure the electrical characteristics of the light emitting diode element in real time, and in particular, by implementing a bypass circuit by the power cut-off means to measure the reverse current voltage and the like in real time, changes in the environment By monitoring and modeling through more efficient and reliable data, it is possible to make a more reliable assessment of the lifetime of the light emitting diodes.
도 1은 본 발명에 따른 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템에 대한 블록도이다.1 is a block diagram of a life and reliability evaluation system of a light emitting diode according to the present invention.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명하되, 이미 주지되어진 기술적 부분에 대해서는 설명의 간결함을 위해 생략하거나 압축하기로 한다.
The preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, in which the technical parts already known will be omitted or compressed for simplicity of explanation.
도 1은, 본 발명에 따른 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가시스템에 대한 블록도이다.1 is a block diagram of a life and reliability evaluation system of a light emitting diode according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가시스템(100)은, 발광다이오드 어레이(LED Arrary, LA)에 전원을 공급하는 전원공급부(110), 발광다이오드 어레이(LA)에서 방출되는 광을 검출하는 광 검출부(120), 발광다이오드 어레이(LA)의 온도를 측정, 제어하는 온도 검출부(130), 광 검출부(20)에서 검출된 광을 분광하여 파장 별로 분석하는 분광계(spectrometer, 140), 발광다이오드 어레이(LA)의 위치를 조정하는 리니어 모터(1500)에서 측정된 데이터를 전송받는 제어부(160), 발광다이오드 어레이(LA)로의 전원을 차단시키기 위한 전원차단수단(170), 발광다이오드 어레이(LA) 양단의 전기적 특성을 측정하기 위한 계측부(180) 및 계측된 데이터를 저장하기 위한 메모리부(190)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIG. 1, the lifespan and
발광다이오드 어레이(LA)는 적어도 하나 이상의 발광다이오드를 구비하여 모듈화되어 있으며, 전원공급부(110)는 발광다이오드 어레이(LA) 전체에 일괄적으로 전류를 인가하여 전원을 공급하거나, 발광다이오드 어레이(LA) 내의 발광다이오드를 각각 구분하여 전원을 공급할 수 있다.
The light emitting diode array LA is modularized with at least one light emitting diode, and the
전원공급부(110)에서 발광다이오드 어레이(LA)로 공급되는 전류전원의 세기, 전류전원의 공급시간 등을 달리함으로써 발광다이오드 어레이(LA)의 에이징을 조정할 수 있으며, 전원공급부(LA)에 의한 전류전원의 공급은 제어부(160)에 의해 제어된다.
The aging of the light emitting diode array LA can be adjusted by varying the intensity of the current power supplied from the
광 검출부(120)는 발광다이오드 어레이(LA)에서 방출되는 광을 검출하고, 온도 검출부(130)는 발광다이오드 어레이(LA)의 온도를 검출 및 제어한다.
The
광 검출부(120)에 의해서 검출된 광은 분광계(140)로 전송된다. 광 검출부(120)는 광을 수광하고, 수광된 광은 광섬유에 의해 분광계(140)로 전송되는 것이 바람직하다. 분광계(140)에서 전송된 광을 파장 별로 분광하여 측정값을 획득할 수 있으며, 특히 측정값은 광도 데이터이다.
Light detected by the
발광다이오드 어레이(LA)에 서로 파장이 다른 광을 방출하는 발광다이오드가 둘 이상 포함된 경우, 분광계(140)에서 파장 별로 광의 데이터를 구분하여 파장 별 광도 값을 구함으로써, 발광다이오드 어레이(LA) 내의 발광다이오드 각각의 광학 특성 변화를 측정할 수 있다.
When the light emitting diode array LA includes two or more light emitting diodes emitting light having different wavelengths, the light emitting diode array LA is obtained by dividing data of light for each wavelength in the
온도 검출부(130)는 발광다이오드 어레이(LA)의 온도를 측정하며, 온도 측정값으로부터 발광다이오드의 열 특성 변화를 측정할 수 있다.The
온도 검출부(130)는 발광다이오드 어레이(LA)의 온도를 제어하는 것으로 사용될 수도 있으며, 이 경우 발광다이오드 어레이(LA)를 특정한 열 특성의 상태로 두면서 다른 특성의 변화를 관찰할 수 있다. 특히 온도 검출부(130)는 발광다이오드 어레이(LA)가 부착되는 리니어모터(150)의 온도를 25~120℃로 조절하여 발광다이오드 어레이(LA)의 온도를 제어하는 것이 바람직하다.
The
발광다이오드 어레이(LA)는 리니어모터(150)에 부착되어 구동되며, 리니어모터(150)는 발광다이오드 어레이(LA)를 특정 위치로 이동시킨다.
The light emitting diode array LA is attached to and driven by the
제어부(160)는 전원공급부(110)로부터 발광다이오드 어레이(LA)로의 전원공급을 조절하여 발광다이오드 어레이(LA)의 에이징을 제어하며, 제어부(160)는 분광계(140)로부터는 발광다이오드 어레이(LA)의 광학 특성 측정결과를, 온도 검출부(130)로부터는 발광다이오드 어레이의 열 특성 측정결과를 각각 전송받는다.The
제어부(160)는 전송받은 광학 및 열 특성 결과에 따라 온도 등의 환경조건을 조절하여 에이징 방식을 달리함으로써, 시간에 따른 발광다이오드 어레이의 성능을 측정할 수도 있다.
The
그리고, 계측부(180)는 발광다이오드 어레이(LA) 양단의 전기적 특성을 실시간으로 측정하기 위해 마련되는 것이다.In addition, the
즉, 계측부(180)는 발광다이오드 어레이(LA)의 수명을 평가하기 위한 인자로서, 순방향 전압 전류, 역방향 전압 전류, 능동저항 및 누설전류값을 측정하기 위한 구성으로, 발광다이오드 어레이(LA)의 전기적 특성을 측정하기 위하여 발광다이오드 소자를 따로 분리시키고 이동시켜 검사를 진행할 필요없이 광학특성의 검사와 동시에 실시간으로 계측이 가능하여, 환경의 변화없이 소자의 정확한 신뢰성 및 수명 데이터의 확보가 가능하도록 한다.
That is, the
전원차단수단(170)은 전원공급부(110)와 발광다이오드 어레이(LA) 간에 구성된 스위칭수단으로, 발광다이오드 어레이(LA)로의 전원을 차단시키고 바이패스(Bypass) 경로를 형성시키기 위한 구성으로, 바이패스 경로를 형성시킴으로써, 측정하고자 하는 역방향 전압 전류 및 누설전류값을 실시간으로 측정이 가능하도록 한다.The
이 같은 제어는 제어부(160)에 의해 가능하고, 제어부(160)의 제어에 따라 발광다이오드 어레이(LA)로의 전원을 일제히 차단시키거나 각 발광다이오드에 공급되는 각 전원을 차단시킬 수도 있다.
Such control may be performed by the
메모리부(190)는 광학데이터 및 실시간으로 계측되는 순방향 전압 전류, 역방향 전압 전류, 능동저항 및 누설전류값을 전송받아 저장하고, 이를 모니터링함으로써 수명평가에 대한 통계적 수치를 모델링하여 모델링에 의해 수명 예측치를 제시할 수 있도록 한다.
The
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. And the scope of the present invention should be understood as the following claims and their equivalents.
100: 발광 다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템
LA : 발광다이오드 어레이
110 : 전원공급부
120 : 광 검출부
130 : 온도 검출부
140 : 분광계
150 : 리니어모터
160 : 제어부
170 : 전원차단수단
180 : 계측부
190 : 메모리부100: life and reliability evaluation system of light emitting diode
LA: Light Emitting Diode Array
110: Power supply
120: light detector
130: temperature detector
140: spectrometer
150: linear motor
160:
170: power cut off means
180: measurement unit
190: memory unit
Claims (9)
상기 발광다이오드 어레이에서 방출되는 광의 광도를 검출하는 광 검출부;
상기 발광다이오드 어레이의 온도를 측정하는 온도 검출부;
상기 발광다이오드 어레이로의 전원공급을 제어하는 제어부; 및
상기 발광다이오드 양단의 전기적 요소를 실시간 측정하는 계측부; 를 포함하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
A power supply unit supplying power to the light emitting diode array;
A light detector for detecting a light intensity of light emitted from the light emitting diode array;
A temperature detector configured to measure a temperature of the light emitting diode array;
A control unit controlling power supply to the light emitting diode array; And
A measuring unit measuring real-time electrical elements across the light emitting diodes; Life and reliability evaluation system of the light emitting diode comprising a.
상기 계측부에서 측정하는 전기적 요소는 순방향 전압 및 전류, 역방향 전압 및 전류, 능동저항 및 누설전류값인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
The method of claim 1,
The electrical component measured by the measuring unit is a forward voltage and current, a reverse voltage and current, active resistance and leakage current value of the light emitting diode, characterized in that the leakage current value system.
상기 전원공급부로부터 상기 발광다이오드 어레이로의 전원을 차단시키기 위한 전원차단수단; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
The method of claim 2,
Power cut-off means for cutting off power from the power supply to the light emitting diode array; Life and reliability evaluation system of the light emitting diode further comprising a.
상기 전원차단수단에 의해 바이패스(Bypass) 회로가 연결된 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
The method of claim 3,
Life cycle and reliability evaluation system of a light emitting diode, characterized in that the bypass circuit is connected by the power cutoff means.
상기 계측부에서 계측된 전기적 요소를 실시간으로 저장하는 메모리부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
5. The method of claim 4,
A memory unit for storing the electrical element measured by the measuring unit in real time; Life and reliability evaluation system of the light emitting diode, characterized in that further comprising. Life and reliability evaluation system of the light emitting diode.
상기 광 측정부는 상기 발광다이오드 어레이에서 방출되는 광을 수광하는 수광수단; 및
상기 수광수단에 수광된 광을 파장 별로 분광하여 광도를 검출하는 분광수단; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
The method of claim 3,
The light measuring unit includes: light receiving means for receiving light emitted from the light emitting diode array; And
Spectroscopic means for detecting light intensity by spectroscopy of the light received by the light receiving means for each wavelength; Life and reliability evaluation system of a light emitting diode comprising a.
상기 발광다이오드 어레이가 부착되어 상기 발광다이오드 어레이의 위치를 조절하는 구동수단; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.The method of claim 3,
Driving means attached to the light emitting diode array to adjust a position of the light emitting diode array; Life and reliability evaluation system of the light emitting diode further comprising a.
상기 발광다이오드 어레이의 온도를 제어하고 상기 제어부에 의해 제어되는 온도 제어수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
The method of claim 3,
And a temperature control means for controlling the temperature of the light emitting diode array and being controlled by the controller.
상기 제어부는 상기 광 측정부에서 측정된 광도 및 상기 온도 측정부에서 측정된 온도를 전송받는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 수명 및 신뢰성 평가 시스템.
The method of claim 3,
The control unit is a lifetime and reliability evaluation system of the light emitting diode, characterized in that for receiving the light intensity measured by the light measuring unit and the temperature measured by the temperature measuring unit.
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KR20130024372A true KR20130024372A (en) | 2013-03-08 |
Family
ID=48176453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110087786A KR20130024372A (en) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | Life and reliability assessment system on life and reliability of light emitting diode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20130024372A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023214686A1 (en) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | 삼성전자주식회사 | Display apparatus and control method thereof |
-
2011
- 2011-08-31 KR KR1020110087786A patent/KR20130024372A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023214686A1 (en) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | 삼성전자주식회사 | Display apparatus and control method thereof |
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