KR20130022086A - Quantum dot light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve the luminous efficiency of a light emitting device by accumulating electrons and holes in a buffer layer with boron nitride. CONSTITUTION: An n-type graphene layer(110) includes at least one graphene sheet. A p-type graphene layer(150) is separated from the n-type graphene layer. A buffer layer(130) is formed between the n-type graphene layer and the p-type graphene layer. The buffer layer includes boron nitride. A quantum dot layer is formed between the n-type graphene layer and the p-type graphene layer and includes an n-type quantum layer(120) and a p-type quantum layer(140). An n-type electrode pad(115) and a p-type electrode pad are formed on the n-type graphene layer and the p-type graphene layer respectively.

Description

양자점 발광 소자 및 그 제조 방법{Quantum dot light emitting device and method of manufacturing the same}Quantum dot light emitting device and method of manufacturing the same

개시된 발명은 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더 상세하게는, 개시된 발명은 그래핀과 BN 버퍼층을 포함하는 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The disclosed invention relates to a quantum dot light emitting device and a method of manufacturing the same. More specifically, the disclosed invention relates to a quantum dot light emitting device including a graphene and a BN buffer layer and a method of manufacturing the same.

양자점 발광 소자(quantum dot electroluminescence device, QD-EL)는 양자점 발광층을 사이에 두고 양단에 정공 전달층(hole transport layer, HTL)과 전자 전달층(electron transport layer, ETL)을 포함하는 3층 구조의 소자가 기본 소자로 알려져 있다.A quantum dot electroluminescence device (QD-EL) has a three-layer structure including a hole transport layer (HTL) and an electron transport layer (ETL) at both ends with a quantum dot emission layer interposed therebetween. The device is known as a basic device.

양자점(quantum dot)은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 반도체 물질로서, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되어 있다. 양자점은 크기가 매우 작기 때문에 단위 부피당 표면적이 넓고, 대부분의 원자들이 나노 결정의 표면에 존재하며, 양자 구속(quantum confinement) 효과 등을 나타낸다. 이러한 양자 구속 효과에 의하여 양자점의 크기 조절만으로 발광 파장을 조절할 수 있고, 우수한 색순도 및 높은 PL(photoluminescence) 발광 효율 등의 특성으로 관심을 받고 있다.A quantum dot is a semiconductor material with a crystal structure of several nanoscales and is composed of hundreds to thousands of atoms. Because quantum dots are very small, they have a large surface area per unit volume, most atoms are present on the surface of nanocrystals, and exhibit quantum confinement effects. By the quantum confinement effect, the emission wavelength can be adjusted only by controlling the size of the quantum dot, and has been attracting attention due to its excellent color purity and high PL (photoluminescence) emission efficiency.

하지만, 전공 및 전자 전달층으로 사용하는 유기물과의 적합성, 고효율 반도체 나노입자의 부재 등으로 양자점 발광 소자의 효율이 낮은 문제점이 있다. 따라서, 최근 양자점 발광 소자의 효율을 높이기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.However, there is a problem that the efficiency of the quantum dot light emitting device is low due to the compatibility with the organic material used as the major and electron transport layer, the absence of high-efficiency semiconductor nanoparticles, and the like. Therefore, researches to improve the efficiency of the quantum dot light emitting device have been actively conducted in recent years.

개시된 발명은 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.The disclosed invention provides a quantum dot light emitting device and a method of manufacturing the same.

개시된 양자점 발광 소자는The disclosed quantum dot light emitting device

n형 그래핀층;n-type graphene layer;

상기 n형 그래핀층과 서로 이격되어 마련된 p형 그래핀층;A p-type graphene layer spaced apart from the n-type graphene layer;

상기 n형 및 p형 그래핀층 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층; 및A buffer layer including boron nitride (BN) provided between the n-type and p-type graphene layers; And

상기 n형 및 p형 그래핀층 사이에 마련된 양자점층;을 포함할 수 있다.It may include; quantum dot layer provided between the n-type and p-type graphene layer.

상기 양자점층은 그래핀 양자점 및 BN 양자점 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The quantum dot layer may include at least one of graphene quantum dots and BN quantum dots.

상기 양자점층은 n형 양자점층과 p형 양자점층을 포함할 수 있다.The quantum dot layer may include an n-type quantum dot layer and a p-type quantum dot layer.

상기 n형 양자점층은 상기 n형 그래핀층 상에 마련되고, 상기 버퍼층은 상기 n형 양자점층 상에 마련되며, 상기 p형 양자점층은 상기 버퍼층 상에 마련될 수 있다.The n-type quantum dot layer may be provided on the n-type graphene layer, the buffer layer may be provided on the n-type quantum dot layer, and the p-type quantum dot layer may be provided on the buffer layer.

상기 양자점층은 그래핀 양자점층과 BN 양자점층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The quantum dot layer may include at least one of a graphene quantum dot layer and a BN quantum dot layer.

상기 양자점층은 적어도 하나의 그래핀 양자점층과 적어도 하나의 BN 양자점층이 서로 교대하여 적층될 수 있다.At least one graphene quantum dot layer and at least one BN quantum dot layer may be stacked alternately with each other.

상기 버퍼층은 제1버퍼층과 제2버퍼층을 포함할 수 있다.The buffer layer may include a first buffer layer and a second buffer layer.

상기 제1버퍼층은 상기 n형 그래핀층과 상기 양자점층 사이에 마련되고, 상기 제2버퍼층은 상기 양자점층과 상기 p형 그래핀층 사이에 마련될 수 있다.The first buffer layer may be provided between the n-type graphene layer and the quantum dot layer, and the second buffer layer may be provided between the quantum dot layer and the p-type graphene layer.

상기 n형 및 p형 그래핀층은 적어도 하나의 그래핀 시트를 포함할 수 있다.The n-type and p-type graphene layers may include at least one graphene sheet.

개시된 양자점 발광 소자의 제조 방법은The manufacturing method of the disclosed quantum dot light emitting device

적어도 하나의 그래핀 시트를 마련하고, 상기 그래핀 시트를 n형 도펀트로 도핑하여 n형 그래핀층을 형성하는 단계;Providing at least one graphene sheet, and doping the graphene sheet with an n-type dopant to form an n-type graphene layer;

상기 n형 그래핀층 상에 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;Forming a buffer layer including boron nitride (BN) on the n-type graphene layer;

상기 n형 그래핀층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및Forming a quantum dot layer on the n-type graphene layer; And

상기 버퍼층과 상기 양자점층 상에 적어도 하나의 그래핀 시트를 형성하고, 상기 그래핀 시트를 p형 도펀트로 도핑하여 p형 그래핀층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.Forming at least one graphene sheet on the buffer layer and the quantum dot layer, and doping the graphene sheet with a p-type dopant to form a p-type graphene layer.

상기 양자점층은 그래핀 양자점 및 BN 양자점 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The quantum dot layer may include at least one of graphene quantum dots and BN quantum dots.

상기 양자점층은 n형 양자점층과 p형 양자점층을 포함할 수 있다.The quantum dot layer may include an n-type quantum dot layer and a p-type quantum dot layer.

상기 n형 양자점층은 상기 n형 그래핀층 상에 형성되고, 상기 버퍼층은 상기 n형 양자점층 상에 형성되며, 상기 p형 양자점층은 상기 버퍼층 상에 형성될 수 있다.The n-type quantum dot layer may be formed on the n-type graphene layer, the buffer layer may be formed on the n-type quantum dot layer, and the p-type quantum dot layer may be formed on the buffer layer.

상기 버퍼층은 제1 및 제2버퍼층을 포함하고, 상기 양자점층은 상기 제1 및 제2버퍼층 사이에 형성될 수 있다.The buffer layer may include first and second buffer layers, and the quantum dot layer may be formed between the first and second buffer layers.

상기 양자점층은 그래핀 양자점층 및 BN 양자점층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The quantum dot layer may include at least one of a graphene quantum dot layer and a BN quantum dot layer.

상기 양자점층은 그래핀 양자점층 및 BN 양자점층을 적어도 2회 적층하여 형성될 수 있다.The quantum dot layer may be formed by stacking a graphene quantum dot layer and a BN quantum dot layer at least twice.

개시된 양자점 발광 소자는 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층을 구비하여, 이 버퍼층에 많은 전자와 정공을 축적할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 광효율이 향상될 수 있다. 또한, 개시된 양자점 발광 소자는 얇은 그래핀층과 BN 버퍼층을 구비하여, 얇고 플렉서블(flexible)한 발광 소자를 구현할 수 있다.The disclosed quantum dot light emitting device includes a buffer layer including boron nitride (BN), and can accumulate many electrons and holes in the buffer layer. Therefore, the light efficiency of the light emitting device can be improved. In addition, the disclosed quantum dot light emitting device may include a thin graphene layer and a BN buffer layer to implement a thin and flexible light emitting device.

도 1은 개시된 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 개시된 다른 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 개시된 다른 양자점 발광 소자의 에너지 밴드 다이어그램을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 개시된 또 다른 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 5는 개시된 또 다른 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 6은 개시된 또 다른 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 7은 개시된 또 다른 양자점 발광 소자의 에너지 밴드 다이어그램을 개략적으로 도시한 것이다.1 is a schematic cross-sectional view of the disclosed quantum dot light emitting device.
2 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device.
3 schematically shows an energy band diagram of another disclosed quantum dot light emitting device.
4 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device.
5 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device.
6 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device.
7 schematically illustrates an energy band diagram of another disclosed quantum dot light emitting device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 개시된 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성 요소의 크기는 설명의 명료성과 편의성을 위해서 과장되어 있을 수 있다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the disclosed quantum dot light emitting device and its manufacturing method. In the following drawings, the same reference numerals refer to the same components, the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.

도 1은 개시된 양자점 발광 소자(100)의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of the disclosed quantum dot light emitting device 100.

도 1을 참조하면, 개시된 양자점 발광 소자(100)는 n형 그래핀층(110)과 p형 그래핀층(150), n형 및 p형 그래핀층(110, 150) 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층(130), 그리고 n형 및 p형 그래핀층(110, 150) 사이에 마련된 양자점층을 포함할 수 있다. 상기 양자점층은 n형 및 p형 양자점층(120, 140)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the disclosed quantum dot light emitting device 100 includes boron nitride provided between an n-type graphene layer 110 and a p-type graphene layer 150, and n-type and p-type graphene layers 110 and 150. A buffer layer 130 including nitride (BN) and a quantum dot layer disposed between the n-type and p-type graphene layers 110 and 150 may be included. The quantum dot layer may include n-type and p-type quantum dot layers 120 and 140.

n형 그래핀층(110)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. 그래핀 시트(graphene sheet)는 탄소로 이루어진 육방정계(hexagonal) 단층 구조물이다. 이러한 그래핀 시트(sheet)는 이차원 탄도 이동(2-dimensional ballistic transport) 특성을 갖는다. 전하가 물질 내에서 이차원 탄도 이동한다는 것은 산란(scattering)에 의한 저항이 거의 없는 상태로 이동한다는 것을 의미한다. 따라서 그래핀 시트 내에서 전하의 이동도(mobility)는 매우 높고, 그래핀 시트는 매우 낮은 비저항을 갖는다. 아울러, 그래핀 시트는 우수한 투광성을 갖는다. 그래핀 시트의 적층 수가 늘어날수록 비저항이 다소 커질 수 있고, 광 투과율은 감소할 수 있지만, 약 10층 이내의 그래핀 시트가 적층된 그래핀층은 하나의 그래핀 시트와 유사한 수준의 비저항 및 광 투과율을 가질 수 있다. 또한, 그래핀은 플렉서블(flexible)하며, 플라스틱 기판과의 접착력도 우수하다.The n-type graphene layer 110 may include at least one graphene sheet. Graphene sheets are hexagonal monolayers made of carbon. This graphene sheet has a two-dimensional ballistic transport property. The movement of two-dimensional ballistics within a material means that the charges move to a state where there is little resistance due to scattering. Thus, the mobility of charge in the graphene sheet is very high, and the graphene sheet has a very low resistivity. In addition, the graphene sheet has excellent light transmittance. As the number of graphene sheets is increased, the resistivity may be slightly increased, and the light transmittance may be decreased.However, the graphene layer having about 10 layers of graphene sheets laminated may have a similar resistivity and light transmittance as that of one graphene sheet. Can have In addition, graphene is flexible and excellent adhesion to the plastic substrate.

상기 그래핀 시트는 화학 증기 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 기계적 또는 화학적 박리법, 에피택시(epitaxy) 성장법 등으로 형성될 수 있다. n형 그래핀층(110)은 상기 적어도 하나의 그래핀 시트를 n형 도펀트로 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 n형 도펀트로는 예를 들어, PEI(polyethylenimine), 하이드라진(N2H4), 보론 바나듐(boron vanadium, BV), N 또는 F 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The graphene sheet may be formed by chemical vapor deposition (CVD), mechanical or chemical exfoliation, epitaxial growth, or the like. The n-type graphene layer 110 may be formed by doping the at least one graphene sheet with an n-type dopant. As the n-type dopant, for example, polyethylenimine (PEI), hydrazine (N 2 H 4 ), boron vanadium (BV), N or F, etc. may be used, but is not limited thereto.

n형 그래핀층(110)은 우수한 전기 전도도를 갖기 때문에, n형 양자점층(120)에 전하 캐리어(charge carrier)를 주입할 수 있다. n형 그래핀층(110)은 예를 들어, 전자(electron)를 n형 양자점층(120)에 주입할 수 있다. 따라서, n형 그래핀층(110)은 종래의 유기 발광 소자의 전자 주입층(electron injection layer) 내지 전자 수송층(electron transport layer)을 대체할 수 있으며, 외부로부터 전자가 주입되는 n형 전극도 대체할 수 있다. 그러므로, 개시된 양자점 발광 소자(100)는 n형 그래핀층(110)을 통해서 n형 양자점층(120)에 전자를 더 효율적으로 주입할 수 있으며, 따라서 양자점 발광 소자(100)의 발광 효율이 향상될 수 있다.Since the n-type graphene layer 110 has excellent electrical conductivity, a charge carrier may be injected into the n-type quantum dot layer 120. The n-type graphene layer 110 may inject electrons into the n-type quantum dot layer 120, for example. Therefore, the n-type graphene layer 110 may replace the electron injection layer or the electron transport layer of the conventional organic light emitting device, and may also replace the n-type electrode into which electrons are injected from the outside. Can be. Therefore, the disclosed quantum dot light emitting device 100 can more efficiently inject electrons into the n-type quantum dot layer 120 through the n-type graphene layer 110, so that the luminous efficiency of the quantum dot light emitting device 100 can be improved. Can be.

n형 양자점층(120)은 n형 그래핀층(110) 상에 마련될 수 있다. n형 양자점층(120)은 복수 개의 그래핀 양자점을 포함할 수 있으며, 상기 복수 개의 그래핀 양자점은 n형 도펀트로 도핑될 수 있다. 상기 n형 도펀트로는 예를 들어, PEI(polyethylenimine), 하이드라진(N2H4), 보론 바나듐(boron vanadium, BV), N 또는 F 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 그래핀 양자점의 크기는 예를 들어, 수 내지 수십 ㎚일 수 있으며, 더 구체적으로 약 1 내지 약 50㎚일 수 있다. 그래핀 양자점은 양자 구속(quantum confinement) 효과에 의한 불연속적 에너지 준위를 갖기 때문에, 연속적인 에너지 밴드를 갖는 벌크(bulk) 상태의 반도체 또는 시트 형태의 그래핀과는 다른 광학적/전기적 특성을 나타낼 수 있다. 그래핀 양자점의 크기를 조절하면 에너지 밴드갭이 달라지기 때문에, 양자점 발광 소자(100)로부터 방출되는 빛의 파장을 조절할 수 있다.The n-type quantum dot layer 120 may be provided on the n-type graphene layer 110. The n-type quantum dot layer 120 may include a plurality of graphene quantum dots, and the plurality of graphene quantum dots may be doped with an n-type dopant. As the n-type dopant, for example, polyethylenimine (PEI), hydrazine (N 2 H 4 ), boron vanadium (BV), N or F, etc. may be used, but is not limited thereto. The size of the graphene quantum dots can be, for example, several tens of nm, and more specifically, about 1 nm to about 50 nm. Since graphene quantum dots have discontinuous energy levels due to quantum confinement effects, they may exhibit different optical / electrical properties than bulk semiconductor or sheet type graphene with continuous energy bands. have. Since the energy band gap is changed by adjusting the size of the graphene quantum dots, the wavelength of light emitted from the quantum dot light emitting device 100 may be adjusted.

복수 개의 그래핀 양자점은 유기 용매에 분산된 액상 형태로 n형 그래핀층(110) 상에 도포될 수 있으며, 상기 유기 용매는 열처리 등을 통해서 증발될 수 있다. 상기 유기 용매는 예를 들어, 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform) 또는 에탄올(ethanol) 등을 포함할 수 있다. 또한, 복수 개의 그래핀 양자점은 고분자 수지에 분산된 형태로 n형 그래핀층(110) 상에 도포될 수도 있다. 상기 고분자 수지는 예를 들어, 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polysthylene) 또는 아크릴레이트(acrylate) 등을 포함할 수 있다. 상기 액상 형태의 그래핀 양자점은 n형 그래핀층(110) 상에 스핀 코팅, 딥 코팅, 프린팅 또는 스프레이 코팅 공정 등에 의해서 코팅될 수 있다.The plurality of graphene quantum dots may be applied on the n-type graphene layer 110 in a liquid form dispersed in an organic solvent, and the organic solvent may be evaporated through heat treatment or the like. The organic solvent may include, for example, toluene, chloroform or ethanol. In addition, the plurality of graphene quantum dots may be applied on the n-type graphene layer 110 in a form dispersed in a polymer resin. The polymer resin may include, for example, epoxy, silicone, polystyrene or acrylate. The liquid graphene quantum dots may be coated on the n-type graphene layer 110 by spin coating, dip coating, printing or spray coating.

버퍼층(130)은 n형 양자점층(120) 상에 마련될 수 있다. 버퍼층(130)은 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)로 이루어질 수 있다. 보론 나이트라이드(BN)는 강도가 우수하며, 밴드 갭(band gap)이 크다. 또한, 보론 나이트라이드(BN)는 열적 또는 화학적 안정성도 우수하다. 보론 나이트라이드(BN)는 그래핀과 그 구조가 비슷하여 격자 불일치가 작으며, 얇은 층 형태로 형성될 수 있다. 버퍼층(130)이 두께가 얇은 층으로 형성되는 경우, 전자가 터널링(tunneling)할 수 있다. BN로 형성된 버퍼층(130) 상에 그래핀이 마련되는 경우, 그래핀의 전도성이 더 향상될 수 있다. 또한, 그래핀과 BN 버퍼층(130)을 포함하는 발광 소자는 진공 상태에서 제조될 필요가 없어서, 제조 비용이 절감될 수 있다.The buffer layer 130 may be provided on the n-type quantum dot layer 120. The buffer layer 130 may be made of boron nitride (BN). Boron nitride (BN) is excellent in strength and has a large band gap. In addition, boron nitride (BN) is also excellent in thermal or chemical stability. Boron nitride (BN) is similar in structure to graphene, the lattice mismatch is small, it can be formed in a thin layer form. When the buffer layer 130 is formed of a thin layer, electrons may tunnel. When graphene is provided on the buffer layer 130 formed of BN, the conductivity of graphene may be further improved. In addition, the light emitting device including the graphene and the BN buffer layer 130 does not need to be manufactured in a vacuum state, thereby reducing manufacturing costs.

p형 양자점층(140)은 버퍼층(30) 상에 마련될 수 있다. p형 양자점층(140)은 복수 개의 그래핀 양자점을 포함할 수 있으며, 상기 복수 개의 그래핀 양자점은 p형 도펀트로 도핑될 수 있다. 상기 p형 도펀트는 예를 들어, AuCl3, HNO3, Fe, Mn, O, Au 또는 Bi 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 그래핀 양자점의 크기는 예를 들어, 수 내지 수십 ㎚일 수 있으며, 더 구체적으로 약 1 내지 약 50㎚일 수 있다. 그래핀 양자점의 크기를 조절하면 에너지 밴드갭이 달라지기 때문에, 양자점 발광 소자(100)로부터 방출되는 빛의 파장을 조절할 수 있다. 복수 개의 그래핀 양자점은 유기 용매 또는 고분자 수지에 분산된 액상 형태로 버퍼층(130) 상에 도포될 수 있다.The p-type quantum dot layer 140 may be provided on the buffer layer 30. The p-type quantum dot layer 140 may include a plurality of graphene quantum dots, and the plurality of graphene quantum dots may be doped with a p-type dopant. As the p-type dopant, for example, AuCl 3 , HNO 3 , Fe, Mn, O, Au, or Bi may be used, but is not limited thereto. The size of the graphene quantum dots can be, for example, several tens of nm, and more specifically, about 1 nm to about 50 nm. Since the energy band gap is changed by adjusting the size of the graphene quantum dots, the wavelength of light emitted from the quantum dot light emitting device 100 may be adjusted. The plurality of graphene quantum dots may be applied on the buffer layer 130 in a liquid form dispersed in an organic solvent or a polymer resin.

p형 그래핀층(150)은 p형 양자점층(140) 상에 마련될 수 있다. p형 그래핀층(150)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. 상기 그래핀 시트는 화학 증기 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 기계적 또는 화학적 박리법, 에피택시(epitaxy) 성장법 등으로 형성될 수 있다. p형 그래핀층(150)은 상기 적어도 하나의 그래핀 시트를 p형 도펀트로 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 p형 도펀트는 예를 들어, AuCl3, HNO3, Fe, Mn, O, Au 또는 Bi 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. p형 그래핀층(150)은 p형 양자점층(140)에 전하 캐리어(charge carrier)를 주입할 수 있다. p형 그래핀층(150)은 예를 들어, 정공(hole)를 p형 양자점층(140)에 주입할 수 있다. 따라서, p형 그래핀층(150)은 종래의 유기 발광 소자의 정공 주입층(hole injection layer) 내지 정공 수송층(hole transport layer)을 대체할 수 있으며, 외부로부터 정공이 주입되는 p형 전극을 대체할 수 있다. 개시된 양자점 발광 소자(100)는 p형 그래핀층(150)을 통해서 p형 양자점층(140)에 정공을 더 효율적으로 주입할 수 있으므로, 양자점 발광 소자(100)의 발광 효율이 향상될 수 있다.The p-type graphene layer 150 may be provided on the p-type quantum dot layer 140. The p-type graphene layer 150 may include at least one graphene sheet. The graphene sheet may be formed by chemical vapor deposition (CVD), mechanical or chemical exfoliation, epitaxial growth, or the like. The p-type graphene layer 150 may be formed by doping the at least one graphene sheet with a p-type dopant. As the p-type dopant, for example, AuCl 3 , HNO 3 , Fe, Mn, O, Au, or Bi may be used, but is not limited thereto. The p-type graphene layer 150 may inject charge carriers into the p-type quantum dot layer 140. For example, the p-type graphene layer 150 may inject holes into the p-type quantum dot layer 140. Therefore, the p-type graphene layer 150 may replace the hole injection layer or the hole transport layer of the conventional organic light emitting device, and may replace the p-type electrode into which holes are injected from the outside. Can be. Since the disclosed quantum dot light emitting device 100 may more efficiently inject holes into the p-type quantum dot layer 140 through the p-type graphene layer 150, the light emission efficiency of the quantum dot light emitting device 100 may be improved.

한편, n형 및 p형 전극 패드(115, 155)가 n형 및 p형 그래핀층(110, 150) 상에 각각 더 마련될 수 있다. n형 및 p형 전극 패드(115, 155)는 금속으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, Au, Cr, Cu, Ni, Co, Fe, Ag, Al, Ti, Pd 또는 이들의 혼합물 등으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, n-type and p-type electrode pads 115 and 155 may be further provided on the n-type and p-type graphene layers 110 and 150, respectively. The n-type and p-type electrode pads 115 and 155 may be made of metal, and may be made of, for example, Au, Cr, Cu, Ni, Co, Fe, Ag, Al, Ti, Pd, or a mixture thereof. have.

개시된 양자점 발광 소자(100)는 n형 및 p형 양자점층(120, 140) 사이에 BN를 포함하는 버퍼층(130)을 구비하여, 이 버퍼층에 많은 전자와 정공을 축적할 수 있다. 따라서, 양자점 발광 소자(100)의 광효율이 향상될 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(100)는 전자와 정공이 재결합하기 전에, 이들을 n형 및 p형 양자점층(120, 140)에 충분히 축적할 수 있다. 그리고, 전자와 정공이 BN 버퍼층(130)을 통해서 터널링하여 빛이 방출될 수 있다. 또한, 개시된 양자점 발광 소자(100)는 얇은 그래핀층과 BN층을 구비하여, 얇고 플렉서블한 발광 소자를 구현할 수 있다. 한편, 개시된 양자점 발광 소자(100)의 n형 및 p형 양자점층(120, 140)은 그래핀 양자점이 아니라 BN 양자점을 포함할 수도 있으며, 그래핀 양자점과 BN 양자점을 모두 포함할 수도 있다.The disclosed quantum dot light emitting device 100 includes a buffer layer 130 including BN between the n-type and p-type quantum dot layers 120 and 140, and may accumulate many electrons and holes in the buffer layer. Therefore, the light efficiency of the quantum dot light emitting device 100 may be improved. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 100 may sufficiently accumulate these in the n-type and p-type quantum dot layers 120 and 140 before electrons and holes recombine. In addition, light may be emitted by electrons and holes tunneling through the BN buffer layer 130. In addition, the disclosed quantum dot light emitting device 100 may include a thin graphene layer and a BN layer to implement a thin and flexible light emitting device. Meanwhile, the n-type and p-type quantum dot layers 120 and 140 of the disclosed quantum dot light emitting device 100 may include BN quantum dots instead of graphene quantum dots, and may include both graphene quantum dots and BN quantum dots.

도 2는 개시된 다른 양자점 발광 소자(200)의 개략적인 단면도이고, 도 3은 발광 소자(200)의 에너지 밴드 다이어그램을 개략적으로 도시한 것이다.2 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device 200 and FIG. 3 schematically shows an energy band diagram of the light emitting device 200.

도 2 및 도 3을 참조하면, 개시된 양자점 발광 소자(200)는 n형 그래핀층(210), p형 그래핀층(250), n형 및 p형 그래핀층(210, 250) 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층, 그리고 n형 및 p형 그래핀층(210, 250) 사이에 마련된 그래핀 양자점층(225)을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 제1버퍼층(231)과 제2버퍼층(233)을 포함할 수 있다.2 and 3, the disclosed quantum dot light emitting device 200 includes boron nit provided between an n-type graphene layer 210, a p-type graphene layer 250, an n-type and p-type graphene layer 210 and 250. A buffer layer including boride nitride (BN) and a graphene quantum dot layer 225 provided between the n-type and p-type graphene layers 210 and 250 may be included. The buffer layer may include a first buffer layer 231 and a second buffer layer 233.

n형 그래핀층(210)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. n형 그래핀층(210)은 상기 적어도 하나의 그래핀 시트를 n형 도펀트로 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 n형 도펀트로는 예를 들어, PEI(polyethylenimine), 하이드라진(N2H4), 보론 바나듐(boron vanadium, BV), N 또는 F 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The n-type graphene layer 210 may include at least one graphene sheet. The n-type graphene layer 210 may be formed by doping the at least one graphene sheet with an n-type dopant. As the n-type dopant, for example, polyethylenimine (PEI), hydrazine (N 2 H 4 ), boron vanadium (BV), N or F, etc. may be used, but is not limited thereto.

n형 그래핀층(210)은 우수한 전기 전도도를 갖기 때문에, 그래핀 양자점층(225)에 전하 캐리어(charge carrier)를 주입할 수 있다. n형 그래핀층(210)은 예를 들어, 전자(electron)를 그래핀 양자점층(225)에 주입할 수 있다. 개시된 양자점 발광 소자(200)는 n형 그래핀층(210)을 통해서 그래핀 양자점층(225)에 전자를 더 효율적으로 주입할 수 있으며, 따라서 양자점 발광 소자(200)의 발광 효율이 향상될 수 있다.Since the n-type graphene layer 210 has excellent electrical conductivity, a charge carrier may be injected into the graphene quantum dot layer 225. For example, the n-type graphene layer 210 may inject electrons into the graphene quantum dot layer 225. The disclosed quantum dot light emitting device 200 may more efficiently inject electrons into the graphene quantum dot layer 225 through the n-type graphene layer 210, and thus the luminous efficiency of the quantum dot light emitting device 200 may be improved. .

제1버퍼층(231)은 n형 그래핀층(210) 상에 마련될 수 있다. 제1버퍼층(231)은 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)로 이루어질 수 있다. 보론 나이트라이드(BN)는 그래핀과 그 구조가 비슷하여 격자 불일치가 작으며, 얇은 층 형태로 형성될 수 있다. BN로 형성된 버퍼층(231) 상에 그래핀이 마련되는 경우, 그래핀의 전도성이 더 향상될 수 있다. 또한, n형 그래핀층(210)으로부터 주입된 전자가 제1버퍼층(231)에 축적될 수 있다. 제1버퍼층(231)은 종래의 유기 발광 소자의 배리어층을 대체할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2버퍼층(231, 233)과 그 사이에 마련된 그래핀 양자점(225)은 양자 우물(quantum well)과 유사한 에너지 밴드 다이어그램을 가질 수 있다.The first buffer layer 231 may be provided on the n-type graphene layer 210. The first buffer layer 231 may be made of boron nitride (BN). Boron nitride (BN) is similar in structure to graphene, the lattice mismatch is small, it can be formed in a thin layer form. When graphene is provided on the buffer layer 231 formed of BN, the conductivity of graphene may be further improved. In addition, electrons injected from the n-type graphene layer 210 may be accumulated in the first buffer layer 231. The first buffer layer 231 may replace the barrier layer of the conventional organic light emitting device. As illustrated in FIG. 3, the graphene quantum dots 225 provided between the first and second buffer layers 231 and 233 may have an energy band diagram similar to a quantum well.

그래핀 양자점층(225)은 제1버퍼층(231) 상에 마련될 수 있다. 그래핀 양자점층(225)은 복수 개의 그래핀 양자점을 포함할 수 있다. 그래핀 양자점의 크기는 예를 들어, 수 내지 수십 ㎚일 수 있으며, 더 구체적으로 약 1 내지 약 50㎚일 수 있다. 그래핀 양자점은 양자 구속(quantum confinement) 효과에 의한 불연속적 에너지 준위를 갖기 때문에, 연속적인 에너지 밴드를 갖는 벌크(bulk) 상태의 반도체 또는 시트 형태의 그래핀과는 다른 광학적/전기적 특성을 나타낼 수 있다. 그래핀 양자점의 크기를 조절하면 에너지 밴드갭이 달라지기 때문에, 양자점 발광 소자(200)로부터 방출되는 빛의 파장을 조절할 수 있다. 복수 개의 그래핀 양자점은 유기 용매 또는 고분자 수지에 분산된 액상 형태로 제1버퍼층(231) 상에 도포될 수 있다. 상기 액상 형태의 그래핀 양자점은 제1버퍼층(231) 상에 스핀 코팅, 딥 코팅, 프린팅 또는 스프레이 코팅 공정 등에 의해서 코팅될 수 있다.The graphene quantum dot layer 225 may be provided on the first buffer layer 231. The graphene quantum dot layer 225 may include a plurality of graphene quantum dots. The size of the graphene quantum dots can be, for example, several tens of nm, and more specifically, about 1 nm to about 50 nm. Since graphene quantum dots have discontinuous energy levels due to quantum confinement effects, they may exhibit different optical / electrical properties than bulk semiconductor or sheet type graphene with continuous energy bands. have. Since the energy band gap is changed by adjusting the size of the graphene quantum dots, the wavelength of light emitted from the quantum dot light emitting device 200 may be adjusted. The plurality of graphene quantum dots may be applied on the first buffer layer 231 in a liquid form dispersed in an organic solvent or a polymer resin. The liquid graphene quantum dots may be coated on the first buffer layer 231 by spin coating, dip coating, printing or spray coating.

제2버퍼층(233)은 그래핀 양자점층(225) 상에 마련될 수 있다. 제2버퍼층(233)은 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)로 이루어질 수 있다. 보론 나이트라이드(BN)는 그래핀과 그 구조가 비슷하여 격자 불일치가 작으며, 얇은 층 형태로 형성될 수 있다. 또한, p형 그래핀층(210)으로부터 주입된 정공이 제2버퍼층(233)에 축적될 수 있다. 제2버퍼층(233)은 종래의 유기 발광 소자의 배리어층을 대체할 수 있다.The second buffer layer 233 may be provided on the graphene quantum dot layer 225. The second buffer layer 233 may be made of boron nitride (BN). Boron nitride (BN) is similar in structure to graphene, the lattice mismatch is small, it can be formed in a thin layer form. In addition, holes injected from the p-type graphene layer 210 may be accumulated in the second buffer layer 233. The second buffer layer 233 may replace the barrier layer of the conventional organic light emitting device.

p형 그래핀층(250)은 제2버퍼층(233) 상에 마련될 수 있다. p형 그래핀층(250)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. p형 그래핀층(250)은 상기 적어도 하나의 그래핀 시트를 p형 도펀트로 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 p형 도펀트는 예를 들어, AuCl3, HNO3, Fe, Mn, O, Au 또는 Bi 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. p형 그래핀층(250)은 그래핀 양자점층(225)에 전하 캐리어(charge carrier)를 주입할 수 있다. p형 그래핀층(250)은 예를 들어, 정공(hole)를 그래핀 양자점층(225)에 주입할 수 있다. 개시된 양자점 발광 소자(200)는 p형 그래핀층(250)을 통해서 그래핀 양자점층(225)에 정공을 더 효율적으로 주입할 수 있으므로, 양자점 발광 소자(200)의 발광 효율이 향상될 수 있다. 한편, n형 및 p형 전극 패드(215, 255)가 n형 및 p형 그래핀층(210, 250) 상에 각각 더 마련될 수 있다.The p-type graphene layer 250 may be provided on the second buffer layer 233. The p-type graphene layer 250 may include at least one graphene sheet. The p-type graphene layer 250 may be formed by doping the at least one graphene sheet with a p-type dopant. As the p-type dopant, for example, AuCl 3 , HNO 3 , Fe, Mn, O, Au, or Bi may be used, but is not limited thereto. The p-type graphene layer 250 may inject charge carriers into the graphene quantum dot layer 225. For example, the p-type graphene layer 250 may inject holes into the graphene quantum dot layer 225. Since the disclosed quantum dot light emitting device 200 may more efficiently inject holes into the graphene quantum dot layer 225 through the p-type graphene layer 250, the light emission efficiency of the quantum dot light emitting device 200 may be improved. Meanwhile, n-type and p-type electrode pads 215 and 255 may be further provided on the n-type and p-type graphene layers 210 and 250, respectively.

개시된 양자점 발광 소자(200)는 BN를 포함하는 제1 및 제2버퍼층(231, 233)과 그 사이에 마련된 그래핀 양자점층(225)을 구비하여, BN 버퍼층에 많은 전자와 정공을 축적할 수 있다. 따라서, 양자점 발광 소자(200)의 광효율이 향상될 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(200)는 전자와 정공이 재결합하기 전에, 이들을 제1 및 제2버퍼층(231, 233)에 충분히 축적할 수 있다. 그리고, 축적된 전자와 정공이 그래핀 양자점층(225)에서 재결합하여 빛이 방출될 수 있다. 또한, 제1버퍼층(231)은 n형 그래핀층(210)으로부터 그래핀 양자점층(225)으로 주입되는 전자의 이동 속도를 늦출 수 있다. 전자가 정공보다 이동도(mobility)가 높기 때문에 즉, 이동 속도가 빠르게 때문에 전자의 이동 속도를 늦춰서 그래핀 양자점층(225)에서 전자와 정공이 재결합되는 확률을 높일 수 있다. 따라서, 개시된 양자점 발광 소자(200)의 발광 효율이 개선될 수 있다.The disclosed quantum dot light emitting device 200 includes first and second buffer layers 231 and 233 including BN and a graphene quantum dot layer 225 provided therebetween, so that many electrons and holes can be accumulated in the BN buffer layer. have. Therefore, the light efficiency of the quantum dot light emitting device 200 may be improved. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 200 may sufficiently accumulate these in the first and second buffer layers 231 and 233 before electrons and holes recombine. The accumulated electrons and holes may be recombined in the graphene quantum dot layer 225 to emit light. In addition, the first buffer layer 231 may slow the movement speed of electrons injected from the n-type graphene layer 210 to the graphene quantum dot layer 225. Since the electrons have higher mobility than holes, that is, the moving speed is faster, the electrons and holes may be recombined in the graphene quantum dot layer 225 by slowing down the moving speed of the electrons. Therefore, the luminous efficiency of the disclosed quantum dot light emitting device 200 may be improved.

도 4는 개시된 또 다른 양자점 발광 소자(300)의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device 300.

도 4를 참조하면, 개시된 양자점 발광 소자(300)는 n형 그래핀층(310) 및 p형 그래핀층(350), n형 및 p형 그래핀층(310, 350) 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층, 그리고 n형 및 p형 그래핀층(310, 350) 사이에 마련된 BN 양자점층(345)을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 제1버퍼층(331)과 제2버퍼층(333)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the disclosed quantum dot light emitting device 300 includes boron nitride provided between an n-type graphene layer 310 and a p-type graphene layer 350, and n-type and p-type graphene layers 310 and 350. A buffer layer including nitride (BN) and a BN quantum dot layer 345 provided between the n-type and p-type graphene layers 310 and 350 may be included. The buffer layer may include a first buffer layer 331 and a second buffer layer 333.

n형 및 p형 그래핀층(310, 350)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. n형 그래핀층(310)은 우수한 전기 전도도를 갖기 때문에, BN 양자점층(345)에 전자(electron)를 주입할 수 있다. p형 그래핀층(350)은 제2버퍼층(333) 상에 마련될 수 있다. p형 그래핀층(350)은 BN 양자점층(345)에 정공(hole)를 주입할 수 있다. 개시된 양자점 발광 소자(300)는 n형 및 p형 그래핀층(310, 350)을 통해서 BN 양자점층(345)에 전자와 정공을 더 효율적으로 주입할 수 있으므로, 양자점 발광 소자(300)의 발광 효율이 향상될 수 있다.The n-type and p-type graphene layers 310 and 350 may include at least one graphene sheet. Since the n-type graphene layer 310 has excellent electrical conductivity, electrons may be injected into the BN quantum dot layer 345. The p-type graphene layer 350 may be provided on the second buffer layer 333. The p-type graphene layer 350 may inject holes into the BN quantum dot layer 345. Since the disclosed quantum dot light emitting device 300 can more efficiently inject electrons and holes into the BN quantum dot layer 345 through the n-type and p-type graphene layers 310 and 350, the light emission efficiency of the quantum dot light emitting device 300. This can be improved.

제1버퍼층(331)이 n형 그래핀층(310) 상에 마련될 수 있으며, 제2버퍼층(333)이 BN 양자점층(345) 상에 마련될 수 있다. 제1 및 제2버퍼층(331, 333)은 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)로 이루어질 수 있다. 또한, n형 및 p형 그래핀층(310, 350)으로부터 주입된 전자와 정공이 제1 및 제2버퍼층(331, 333)에 각각 축적될 수 있다. 제1 및 제2버퍼층(331, 333)은 종래의 유기 발광 소자의 배리어층을 대체할 수 있다.The first buffer layer 331 may be provided on the n-type graphene layer 310, and the second buffer layer 333 may be provided on the BN quantum dot layer 345. The first and second buffer layers 331 and 333 may be made of boron nitride (BN). In addition, electrons and holes injected from the n-type and p-type graphene layers 310 and 350 may be accumulated in the first and second buffer layers 331 and 333, respectively. The first and second buffer layers 331 and 333 may replace the barrier layer of the conventional organic light emitting device.

BN 양자점층(345)은 제1 및 제2버퍼층(331, 333) 사이에 마련될 수 있다. BN 양자점층(345)은 복수 개의 보론 나이트라이드(boron nitride, BN) 양자점을 포함할 수 있다. BN 양자점의 크기는 예를 들어, 수 내지 수십 ㎚일 수 있으며, 더 구체적으로 약 1 내지 약 50㎚일 수 있다. BN 양자점은 양자 구속(quantum confinement) 효과에 의한 불연속적 에너지 준위를 갖기 때문에, 연속적인 에너지 밴드를 갖는 벌크(bulk) 상태의 반도체와는 다른 광학적/전기적 특성을 나타낼 수 있다. BN 양자점의 크기를 조절하면 에너지 밴드갭이 달라지기 때문에, 양자점 발광 소자(300)로부터 방출되는 빛의 파장을 조절할 수 있다.The BN quantum dot layer 345 may be provided between the first and second buffer layers 331 and 333. The BN quantum dot layer 345 may include a plurality of boron nitride (BN) quantum dots. The size of the BN quantum dots can be, for example, several tens of nm, and more specifically about 1 nm to about 50 nm. Since BN quantum dots have discontinuous energy levels due to quantum confinement effects, they may exhibit different optical / electrical properties than bulk semiconductors having continuous energy bands. Since the energy band gap is changed by adjusting the size of the BN quantum dot, the wavelength of light emitted from the quantum dot light emitting device 300 may be adjusted.

복수 개의 BN 양자점은 유기 용매에 분산된 액상 형태로 제1버퍼층(331) 상에 도포될 수 있으며, 상기 유기 용매는 열처리 등을 통해서 증발될 수 있다. 상기 유기 용매는 예를 들어, 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform) 또는 에탄올(ethanol) 등을 포함할 수 있다. 또한, 복수 개의 BN 양자점은 고분자 수지에 분산된 형태로 제1버퍼층(331) 상에 도포될 수 있다. 상기 고분자 수지는 예를 들어, 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polysthylene) 또는 아크릴레이트(acrylate)등을 포함할 수 있다. 상기 액상 형태의 BN 양자점은 제1버퍼층(331) 상에 스핀 코팅, 딥 코팅, 프린팅 또는 스프레이 코팅 공정 등에 의해서 코팅될 수 있다. 한편, n형 및 p형 전극 패드(315, 355)가 n형 및 p형 그래핀층(310, 350) 상에 각각 더 마련될 수 있다.The plurality of BN quantum dots may be applied on the first buffer layer 331 in a liquid form dispersed in an organic solvent, and the organic solvent may be evaporated through heat treatment or the like. The organic solvent may include, for example, toluene, chloroform or ethanol. In addition, the plurality of BN quantum dots may be coated on the first buffer layer 331 in a form dispersed in a polymer resin. The polymer resin may include, for example, epoxy, silicone, polystyrene or acrylate. The liquid BN quantum dots may be coated on the first buffer layer 331 by spin coating, dip coating, printing or spray coating. Meanwhile, n-type and p-type electrode pads 315 and 355 may be further provided on the n-type and p-type graphene layers 310 and 350, respectively.

개시된 양자점 발광 소자(300)는 BN를 포함하는 제1 및 제2버퍼층(331, 333)과 그 사이에 마련된 BN 양자점층(345)을 구비하여, BN 버퍼층에 많은 전자와 정공이 축적될 수 있다. 따라서, 양자점 발광 소자(300)의 광효율이 향상될 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(300)는 전자와 정공이 재결합하기 전에, 이들을 제1 및 제2버퍼층(331, 333)에 충분히 축적할 수 있다. 그리고, 축적된 전자와 정공이 BN 양자점층(345)에서 재결합하여 빛이 방출될 수 있다.The disclosed quantum dot light emitting device 300 includes first and second buffer layers 331 and 333 including BN and a BN quantum dot layer 345 provided therebetween, whereby a large number of electrons and holes may be accumulated in the BN buffer layer. . Therefore, the light efficiency of the quantum dot light emitting device 300 may be improved. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 300 may sufficiently accumulate these in the first and second buffer layers 331 and 333 before electrons and holes recombine. The accumulated electrons and holes may be recombined in the BN quantum dot layer 345 to emit light.

도 5는 개시된 또 다른 양자점 발광 소자(400)의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device 400.

도 5를 참조하면, 개시된 양자점 발광 소자(400)는 n형 그래핀층(410) 및 p형 그래핀층(450), n형 및 p형 그래핀층(410, 450) 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층, 그리고 n형 및 p형 그래핀층(410, 450) 사이에 마련된 양자점층을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 제1버퍼층(431)과 제2버퍼층(433)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점층은 BN 양자점층(445)와 그래핀 양자점층(425)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the disclosed quantum dot light emitting device 400 includes boron nitride provided between an n-type graphene layer 410 and a p-type graphene layer 450, and n-type and p-type graphene layers 410 and 450. A buffer layer including nitride (BN) and a quantum dot layer provided between the n-type and p-type graphene layers 410 and 450 may be included. The buffer layer may include a first buffer layer 431 and a second buffer layer 433. In addition, the quantum dot layer may include a BN quantum dot layer 445 and a graphene quantum dot layer 425.

n형 및 p형 그래핀층(410, 450)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. n형 그래핀층(410)은 우수한 전기 전도도를 갖기 때문에, 전자(electron)를 양자점층(425, 445)에 주입할 수 있다. p형 그래핀층(450)은 제2버퍼층(433) 상에 마련될 수 있다. p형 그래핀층(450)은 정공(hole)를 양자점층(425, 445)에 주입할 수 있다. 개시된 양자점 발광 소자(400)는 n형 및 p형 그래핀층(410, 450)을 통해서 양자점층(425, 445)에 전자와 정공을 더 효율적으로 주입할 수 있으므로, 양자점 발광 소자(400)의 발광 효율이 향상될 수 있다.The n-type and p-type graphene layers 410 and 450 may include at least one graphene sheet. Since the n-type graphene layer 410 has excellent electrical conductivity, electrons may be injected into the quantum dot layers 425 and 445. The p-type graphene layer 450 may be provided on the second buffer layer 433. The p-type graphene layer 450 may inject holes into the quantum dot layers 425 and 445. Since the disclosed quantum dot light emitting device 400 can more efficiently inject electrons and holes into the quantum dot layers 425 and 445 through the n-type and p-type graphene layers 410 and 450, light emission of the quantum dot light emitting device 400 is performed. The efficiency can be improved.

제1버퍼층(431)이 n형 그래핀층(410) 상에 마련될 수 있으며, 제2버퍼층(433)이 그래핀 양자점층(425) 상에 마련될 수 있다. 제1 및 제2버퍼층(431, 433)은 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)로 이루어질 수 있다. 또한, n형 및 p형 그래핀층(410, 450)으로부터 주입된 전자와 정공이 제1 및 제2버퍼층(431, 433)에 각각 축적될 수 있다. 제1 및 제2버퍼층(431, 433)은 종래의 유기 발광 소자의 배리어층을 대체할 수 있다.The first buffer layer 431 may be provided on the n-type graphene layer 410, and the second buffer layer 433 may be provided on the graphene quantum dot layer 425. The first and second buffer layers 431 and 433 may be made of boron nitride (BN). In addition, electrons and holes injected from the n-type and p-type graphene layers 410 and 450 may be accumulated in the first and second buffer layers 431 and 433, respectively. The first and second buffer layers 431 and 433 may replace the barrier layer of the conventional organic light emitting device.

BN 양자점층(445)은 제1버퍼층(431) 상에 마련될 수 있다. BN 양자점층(445)은 복수 개의 보론 나이트라이드(boron nitride, BN) 양자점을 포함할 수 있다. 그래핀 양자점층(425)은 BN 양자점층(445) 상에 마련될 수 있다. 그래핀 양자점층(425)은 복수 개의 그래핀 양자점을 포함할 수 있다. 한편, 도 5에 도시된 바와 달리, BN 양자점층(445)이 그래핀 양자점층(425) 상에 마련될 수도 있다. 그래핀 양자점과 BN 양자점의 크기는 예를 들어, 수 내지 수십 ㎚일 수 있으며, 더 구체적으로 약 1 내지 약 50㎚일 수 있다. 그래핀 양자점과 BN 양자점의 크기를 조절하면 에너지 밴드갭이 달라지기 때문에, 양자점 발광 소자(400)로부터 방출되는 빛의 파장을 조절할 수 있다. The BN quantum dot layer 445 may be provided on the first buffer layer 431. The BN quantum dot layer 445 may include a plurality of boron nitride (BN) quantum dots. The graphene quantum dot layer 425 may be provided on the BN quantum dot layer 445. The graphene quantum dot layer 425 may include a plurality of graphene quantum dots. Meanwhile, unlike FIG. 5, a BN quantum dot layer 445 may be provided on the graphene quantum dot layer 425. The size of the graphene quantum dots and the BN quantum dots may be, for example, several to several tens of nm, and more specifically, about 1 to about 50 nm. Since the energy band gap is changed by adjusting the sizes of the graphene quantum dots and the BN quantum dots, the wavelength of the light emitted from the quantum dot light emitting device 400 may be adjusted.

그래핀 양자점과 BN 양자점은 서로 동일한 크기를 갖거나, 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 그래핀 양자점과 BN 양자점이 서로 동일한 크기를 갖는 경우, 그래핀 양자점층(425)과 BN 양자점층(445)은 동일한 파장의 빛을 방출할 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(400)는 단파장 발광 소자일 수 있다. 한편, 그래핀 양자점과 BN 양자점이 서로 다른 크기를 갖는 경우, 그래핀 양자점층(425)과 BN 양자점층(445)은 서로 다른 파장의 빛을 방출할 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(400)는 다파장 발광 소자일 수 있다.The graphene quantum dots and the BN quantum dots may have the same size or may have different sizes. When the graphene quantum dots and the BN quantum dots have the same size, the graphene quantum dot layer 425 and the BN quantum dot layer 445 may emit light having the same wavelength. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 400 may be a short wavelength light emitting device. Meanwhile, when the graphene quantum dots and the BN quantum dots have different sizes, the graphene quantum dot layer 425 and the BN quantum dot layer 445 may emit light having different wavelengths. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 400 may be a multi-wavelength light emitting device.

개시된 양자점 발광 소자(400)는 BN를 포함하는 제1 및 제2버퍼층(431, 433)과 그 사이에 마련된 BN 양자점층(445)과 그래핀 양자점층(425)을 구비하여, BN 버퍼층에 많은 전자와 정공을 축적할 수 있다. 따라서, 양자점 발광 소자(400)의 광효율이 향상될 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(400)는 전자와 정공이 재결합하기 전에, 이들을 제1 및 제2버퍼층(431, 433)에 충분히 축적할 수 있다. 그리고, 축적된 전자와 정공이 BN 양자점층(445)과 그래핀 양자점층(425)에서 재결합하여 빛이 방출될 수 있다. 또한, 개시된 양자점 발광 소자(400)는 그래핀 양자점과 BN 양자점이 서로 다른 크기를 갖는 경우, 서로 다른 파장의 빛을 방출할 수 있다.The disclosed quantum dot light emitting device 400 includes first and second buffer layers 431 and 433 including BN, a BN quantum dot layer 445 and a graphene quantum dot layer 425 provided therebetween, Electrons and holes can be accumulated. Therefore, the light efficiency of the quantum dot light emitting device 400 may be improved. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 400 may sufficiently accumulate these in the first and second buffer layers 431 and 433 before electrons and holes recombine. The accumulated electrons and holes may be recombined in the BN quantum dot layer 445 and the graphene quantum dot layer 425 to emit light. In addition, the disclosed quantum dot light emitting device 400 may emit light having different wavelengths when the graphene quantum dots and the BN quantum dots have different sizes.

도 6은 개시된 또 다른 양자점 발광 소자(500)의 개략적인 단면도이고, 도 7은 양자점 발광 소자(500)의 에너지 밴드 다이어그램을 개략적으로 도시한 것이다.6 is a schematic cross-sectional view of another disclosed quantum dot light emitting device 500, and FIG. 7 schematically shows an energy band diagram of the quantum dot light emitting device 500. As shown in FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 개시된 양자점 발광 소자(500)는 n형 그래핀층(510) 및 p형 그래핀층(550), n형 및 p형 그래핀층(510, 550) 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층, 그리고 n형 및 p형 그래핀층(510, 550) 사이에 마련된 양자점층을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 제1버퍼층(531)과 제2버퍼층(533)을 포함할 수 있다. 상기 양자점층은 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점층은 적어도 하나의 BN 양자점층(545)과 적어도하나의 그래핀 양자점층(525)이 서로 교대하여 적층된 구조일 수 있다.6 and 7, the disclosed quantum dot light emitting device 500 includes boron nit provided between an n-type graphene layer 510 and a p-type graphene layer 550, and n-type and p-type graphene layers 510 and 550. A buffer layer including boride nitride (BN) and a quantum dot layer provided between the n-type and p-type graphene layers 510 and 550 may be included. The buffer layer may include a first buffer layer 531 and a second buffer layer 533. The quantum dot layer may include a BN quantum dot layer 545 and a graphene quantum dot layer 525. In addition, the quantum dot layer may have a structure in which at least one BN quantum dot layer 545 and at least one graphene quantum dot layer 525 are alternately stacked.

n형 및 p형 그래핀층(510, 550)은 적어도 하나의 그래핀 시트(graphene sheet)를 포함할 수 있다. n형 그래핀층(510)은 우수한 전기 전도도를 갖기 때문에, 전자(electron)를 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)에 주입할 수 있다. p형 그래핀층(550)은 제2버퍼층(533) 상에 마련될 수 있다. p형 그래핀층(550)은 정공(hole)를 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)에 주입할 수 있다. 개시된 양자점 발광 소자(500)는 n형 및 p형 그래핀층(510, 550)을 통해서 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)에 전자와 정공을 더 효율적으로 주입할 수 있으므로, 양자점 발광 소자(500)의 발광 효율이 향상될 수 있다.The n-type and p-type graphene layers 510 and 550 may include at least one graphene sheet. Since the n-type graphene layer 510 has excellent electrical conductivity, electrons may be injected into the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525. The p-type graphene layer 550 may be provided on the second buffer layer 533. The p-type graphene layer 550 may inject holes into the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525. Since the disclosed quantum dot light emitting device 500 may more efficiently inject electrons and holes into the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525 through the n-type and p-type graphene layers 510 and 550, the quantum dot The light emitting efficiency of the light emitting device 500 may be improved.

제1버퍼층(531)이 n형 그래핀층(510) 상에 마련될 수 있으며, 제2버퍼층(533)이 그래핀 양자점층(525) 상에 마련될 수 있다. 제1 및 제2버퍼층(531, 533)은 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)로 이루어질 수 있다. 또한, n형 및 p형 그래핀층(510, 550)으로부터 주입된 전자와 정공이 제1 및 제2버퍼층(531, 533)에 각각 축적될 수 있다. 제1 및 제2버퍼층(531, 533)은 종래의 유기 발광 소자의 배리어층을 대체할 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2버퍼층(531, 533)과 그 사이에 마련된 BN 양자점층(545) 및 그래핀 양자점(525)의 적층 구조는 다중 양자 우물(multi-quantum well)과 유사한 에너지 밴드 다이어그램을 가질 수 있다.The first buffer layer 531 may be provided on the n-type graphene layer 510, and the second buffer layer 533 may be provided on the graphene quantum dot layer 525. The first and second buffer layers 531 and 533 may be made of boron nitride (BN). In addition, electrons and holes injected from the n-type and p-type graphene layers 510 and 550 may be accumulated in the first and second buffer layers 531 and 533, respectively. The first and second buffer layers 531 and 533 may replace the barrier layer of the conventional organic light emitting device. As shown in FIG. 7, the stacked structure of the first and second buffer layers 531 and 533 and the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot 525 provided therebetween is a multi-quantum well. You can have an energy band diagram similar to

양자점층은 복수 개의 BN 양자점층(545)과 복수 개의 그래핀 양자점층(525)을 포함할 수 있다. 양자점층은 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)이 서로 교대하여 적층된 구조를 포함할 수 있다. 또한, BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)이 적층된 구조는 적어도 2회 반복하여 형성될 수 있다. BN 양자점층(545)은 제1버퍼층(531) 상에 마련될 수 있다. BN 양자점층(545)은 복수 개의 보론 나이트라이드(boron nitride, BN) 양자점을 포함할 수 있다. 그리고, 그래핀 양자점층(525)은 BN 양자점층(545) 상에 마련될 수 있다. 그래핀 양자점층(525)은 복수 개의 그래핀 양자점을 포함할 수 있다. 한편, 도 6에 도시된 바와 달리, 그래핀 양자점층(525)이 제1버퍼층(531) 상에 마련되고, BN 양자점층(545)이 그래핀 양자점층(525) 상에 마련될 수도 있다. 그래핀 양자점과 BN 양자점의 크기는 예를 들어, 수 내지 수십 ㎚일 수 있으며, 더 구체적으로 약 1 내지 약 50㎚일 수 있다. 그래핀 양자점과 BN 양자점의 크기를 조절하면 에너지 밴드갭이 달라지기 때문에, 양자점 발광 소자(500)로부터 방출되는 빛의 파장을 조절할 수 있다.The quantum dot layer may include a plurality of BN quantum dot layers 545 and a plurality of graphene quantum dot layers 525. The quantum dot layer may include a structure in which the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525 are alternately stacked. In addition, the structure in which the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525 are stacked may be formed at least twice. The BN quantum dot layer 545 may be provided on the first buffer layer 531. The BN quantum dot layer 545 may include a plurality of boron nitride (BN) quantum dots. In addition, the graphene quantum dot layer 525 may be provided on the BN quantum dot layer 545. The graphene quantum dot layer 525 may include a plurality of graphene quantum dots. 6, the graphene quantum dot layer 525 may be provided on the first buffer layer 531, and the BN quantum dot layer 545 may be provided on the graphene quantum dot layer 525. The size of the graphene quantum dots and the BN quantum dots may be, for example, several to several tens of nm, and more specifically, about 1 to about 50 nm. Since the energy band gap is changed by adjusting the sizes of the graphene quantum dots and the BN quantum dots, the wavelength of the light emitted from the quantum dot light emitting device 500 may be adjusted.

그래핀 양자점과 BN 양자점은 서로 동일한 크기를 갖거나, 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 그래핀 양자점과 BN 양자점이 서로 동일한 크기를 갖는 경우, 그래핀 양자점층(525)과 BN 양자점층(545)은 동일한 파장의 빛을 방출할 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(500)는 단파장 발광 소자일 수 있다. 한편, 그래핀 양자점과 BN 양자점이 서로 다른 크기를 갖는 경우, 그래핀 양자점층(525)과 BN 양자점층(545)은 서로 다른 파장의 빛을 방출할 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(500)는 다파장 발광 소자일 수 있다.The graphene quantum dots and the BN quantum dots may have the same size or may have different sizes. When the graphene quantum dots and the BN quantum dots have the same size, the graphene quantum dot layer 525 and the BN quantum dot layer 545 may emit light having the same wavelength. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 500 may be a short wavelength light emitting device. Meanwhile, when the graphene quantum dots and the BN quantum dots have different sizes, the graphene quantum dot layer 525 and the BN quantum dot layer 545 may emit light having different wavelengths. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 500 may be a multi-wavelength light emitting device.

개시된 양자점 발광 소자(500)는 BN를 포함하는 제1 및 제2버퍼층(531, 533)과 그 사이에 마련된 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)의 적층 구조를 구비하여, BN 버퍼층에 많은 전자와 정공을 축적할 수 있다. 따라서, 양자점 발광 소자(500)의 광효율이 향상될 수 있다. 즉, 개시된 양자점 발광 소자(500)는 전자와 정공이 재결합하기 전에, 이들을 제1 및 제2버퍼층(531, 533)에 충분히 축적할 수 있다. 그리고, 축적된 전자와 정공이 BN 양자점층(545)과 그래핀 양자점층(525)에서 재결합하여 빛이 방출될 수 있다. 또한, 개시된 양자점 발광 소자(500)는 그래핀 양자점과 BN 양자점이 서로 다른 크기를 갖는 경우, 서로 다른 파장의 빛을 방출할 수 있다.The disclosed quantum dot light emitting device 500 has a stacking structure of the first and second buffer layers 531 and 533 including BN, and the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525 provided therebetween. Many electrons and holes can accumulate in the buffer layer. Therefore, the light efficiency of the quantum dot light emitting device 500 may be improved. That is, the disclosed quantum dot light emitting device 500 may sufficiently accumulate these in the first and second buffer layers 531 and 533 before electrons and holes recombine. The accumulated electrons and holes may be recombined in the BN quantum dot layer 545 and the graphene quantum dot layer 525 to emit light. In addition, the disclosed quantum dot light emitting device 500 may emit light having different wavelengths when the graphene quantum dots and the BN quantum dots have different sizes.

이러한 본 발명인 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Such a quantum dot light emitting device of the present invention and a method of manufacturing the same have been described with reference to the embodiments shown in the drawings for clarity, but these are merely exemplary, and those skilled in the art can various modifications and equivalents therefrom. It will be appreciated that other embodiments are possible. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the appended claims.

110, 210, 310, 410, 510: n형 그래핀층
120, 140: n형 및 p형 양자점층 130: 버퍼층
231, 331, 431, 531: 제1버퍼층 233, 333, 433, 533: 제2버퍼층
225, 325, 425, 525: 그래핀 양자점층 345, 445, 545: BN 양자점층
150, 250, 350, 450, 550: p형 그래핀층
100, 200, 300, 400, 500: 양자점 발광 소자110, 210, 310, 410, 510: n-type graphene layer
120, 140: n-type and p-type quantum dot layers 130: buffer layer
231, 331, 431, 531: first buffer layer 233, 333, 433, 533: second buffer layer
225, 325, 425, 525: graphene quantum dot layer 345, 445, 545: BN quantum dot layer
150, 250, 350, 450, 550: p-type graphene layer
100, 200, 300, 400, 500: quantum dot light emitting device

Claims (16)

n형 그래핀층;
상기 n형 그래핀층과 서로 이격되어 마련된 p형 그래핀층;
상기 n형 및 p형 그래핀층 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층; 및
상기 n형 및 p형 그래핀층 사이에 마련된 양자점층;을 포함하는 양자점 발광 소자.n-type graphene layer;
A p-type graphene layer spaced apart from the n-type graphene layer;
A buffer layer including boron nitride (BN) provided between the n-type and p-type graphene layers; And
And a quantum dot layer provided between the n-type and p-type graphene layers. 제 1 항에 있어서,
상기 양자점층은 그래핀 양자점 및 BN 양자점 중에서 적어도 하나를 포함하는 양자점 발광 소자.The method of claim 1,
The quantum dot layer is a quantum dot light emitting device including at least one of graphene quantum dots and BN quantum dots. 제 1 항에 있어서,
상기 양자점층은 n형 양자점층과 p형 양자점층을 포함하는 양자점 발광 소자.The method of claim 1,
The quantum dot layer includes a n-type quantum dot layer and a p-type quantum dot layer. 제 3 항에 있어서,
상기 n형 양자점층은 상기 n형 그래핀층 상에 마련되고, 상기 버퍼층은 상기 n형 양자점층 상에 마련되며, 상기 p형 양자점층은 상기 버퍼층 상에 마련되는 양자점 발광 소자.The method of claim 3, wherein
The n-type quantum dot layer is provided on the n-type graphene layer, the buffer layer is provided on the n-type quantum dot layer, the p-type quantum dot layer is provided on the buffer layer. 제 1 항에 있어서,
상기 양자점층은 그래핀 양자점층과 BN 양자점층 중에서 적어도 하나를 포함하는 양자점 발광 소자.The method of claim 1,
The quantum dot layer includes at least one of a graphene quantum dot layer and a BN quantum dot layer. 제 1 항에 있어서,
상기 양자점층은 적어도 하나의 그래핀 양자점층과 적어도 하나의 BN 양자점층이 서로 교대로 적층된 양자점 발광 소자.The method of claim 1,
The quantum dot layer is a quantum dot light emitting device in which at least one graphene quantum dot layer and at least one BN quantum dot layer are alternately stacked. 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층은 제1버퍼층과 제2버퍼층을 포함하는 양자점 발광 소자.The method of claim 1,
The buffer layer includes a first buffer layer and a second buffer layer. 제 7 항에 있어서,
상기 제1버퍼층은 상기 n형 그래핀층과 상기 양자점층 사이에 마련되고, 상기 제2버퍼층은 상기 양자점층과 상기 p형 그래핀층 사이에 마련되는 양자점 발광 소자.The method of claim 7, wherein
The first buffer layer is provided between the n-type graphene layer and the quantum dot layer, the second buffer layer is provided between the quantum dot layer and the p-type graphene layer. 제 1 항에 있어서,
상기 n형 및 p형 그래핀층은 적어도 하나의 그래핀 시트를 포함하는 양자점 발광 소자.The method of claim 1,
The n-type and p-type graphene layer is a quantum dot light emitting device comprising at least one graphene sheet. 적어도 하나의 그래핀 시트를 마련하고, 상기 그래핀 시트를 n형 도펀트로 도핑하여 n형 그래핀층을 형성하는 단계;
상기 n형 그래핀층 상에 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 n형 그래핀층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층과 상기 양자점층 상에 적어도 하나의 그래핀 시트를 형성하고, 상기 그래핀 시트를 p형 도펀트로 도핑하여 p형 그래핀층을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.Providing at least one graphene sheet, and doping the graphene sheet with an n-type dopant to form an n-type graphene layer;
Forming a buffer layer including boron nitride (BN) on the n-type graphene layer;
Forming a quantum dot layer on the n-type graphene layer; And
Forming at least one graphene sheet on the buffer layer and the quantum dot layer, and doping the graphene sheet with a p-type dopant to form a p-type graphene layer. 제 10 항에 있어서,
상기 양자점층은 그래핀 양자점 및 BN 양자점 중에서 적어도 하나를 포함하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The quantum dot layer is a method of manufacturing a quantum dot light emitting device comprising at least one of graphene quantum dots and BN quantum dots. 제 10 항에 있어서,
상기 양자점층은 n형 양자점층과 p형 양자점층을 포함하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The quantum dot layer is a manufacturing method of a quantum dot light emitting device comprising an n-type quantum dot layer and a p-type quantum dot layer. 제 12 항에 있어서,
상기 n형 양자점층은 상기 n형 그래핀층 상에 형성되고, 상기 버퍼층은 상기 n형 양자점층 상에 형성되며, 상기 p형 양자점층은 상기 버퍼층 상에 형성되는 양자점 발광 소자의 제조 방법.13. The method of claim 12,
And the n-type quantum dot layer is formed on the n-type graphene layer, the buffer layer is formed on the n-type quantum dot layer, and the p-type quantum dot layer is formed on the buffer layer. 제 10 항에 있어서,
상기 버퍼층은 제1 및 제2버퍼층을 포함하고, 상기 양자점층은 상기 제1 및 제2버퍼층 사이에 형성되는 양자점 발광 소자의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The buffer layer includes first and second buffer layers, and the quantum dot layer is formed between the first and second buffer layer manufacturing method of the quantum dot light emitting device. 제 10 항에 있어서,
상기 양자점층은 그래핀 양자점층 및 BN 양자점층 중에서 적어도 하나를 포함하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The quantum dot layer is a method of manufacturing a quantum dot light emitting device comprising at least one of a graphene quantum dot layer and BN quantum dot layer. 제 10 항에 있어서,
상기 양자점층은 그래핀 양자점층 및 BN 양자점층을 적어도 2회 적층하여 형성되는 양자점 발광 소자의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The quantum dot layer is a method of manufacturing a quantum dot light emitting device is formed by laminating a graphene quantum dot layer and the BN quantum dot layer at least twice.
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