KR20130016742A - Tantalum capacitor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 탄탈 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 탄탈 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to tantalum capacitors, and more particularly, to tantalum capacitors that can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.
탄탈(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성, 내식성 등이 우수한 기계적, 물리적 특징으로 인해 전기, 전자를 비롯하여 기계, 화공, 의료뿐만 아니라 우주, 군사 등 산업전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있는 금속이다.
Tantalum (Ta) material is a metal that is widely used throughout industries such as electricity, electronics, machinery, chemicals, medical, space, military, etc. due to its high melting point, ductility, and corrosion resistance.
특히 탄탈 소재는 모든 금속 중 가장 안정한 양극 산화피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 현재 소형 커패시터의 양극소재로 널리 이용되고 있다.
In particular, tantalum is widely used as a cathode material for small capacitors because of its ability to form the most stable anodized film among all metals.
더욱이 탄탈 소재는 최근 전자, 정보통신 등 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하고 있다.
In addition, tantalum materials are rapidly increasing their usage by 10% every year due to the rapid development of the IT industry such as electronics and telecommunications.
탄탈 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을때 나오는 빈틈을 이용하는 구조로 되어 있으며, 전극 금속으로서의 탄탈 표면에, 양극 산화법에 의해 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이것을 유전체로 하여, 그 위에 전해질로서 이산화망간층(MnO2)을 형성한다.
Tantalum Capacitor has a structure that utilizes the gaps when sintered and hardened tantalum powder, and forms tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) on the surface of tantalum as an electrode metal by anodizing Using this as a dielectric, a manganese dioxide layer (MnO 2 ) is formed thereon as an electrolyte thereon.
또한 음극 전극의 도출 때문에 MnO2층 위에 카본층 및 금속층으로서 은(Ag)층을 형성하게 된다.
In addition, the silver (Ag) layer is formed as the carbon layer and the metal layer on the MnO 2 layer because of the derivation of the cathode electrode.
그러나, 은 페이스트를 이용하여, 상기 카본층 상에 은(Ag)층을 형성할 경우, 은(Ag)으로 인해 발생하는 산화 및 황 산화물의 발생을 초래하게 된다.
However, when silver (Ag) layer is formed on the carbon layer by using a silver paste, oxidation and sulfur oxides generated due to silver (Ag) are caused.
상기와 같이 은(Ag)으로 인해 발생하는 산화 및 황 산화물의 발생은 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance) 특성을 저하시켜 문제가 되었다.As described above, the generation of oxidation and sulfur oxides caused by silver (Ag) is a problem by lowering the equivalent series resistance (ESR) characteristics of the capacitor.
본 발명은 탄탈 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 탄탈 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to tantalum capacitors, and more particularly, to tantalum capacitors that can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.
본 발명의 일 실시형태는 탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체; 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선; 상기 칩소결체의 외부면에 형성되는 카본층; 및 상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층;을 포함하는 탄탈 캐패시터를 제공한다.
One embodiment of the present invention is a chip sintered body formed by sintering tantalum powder; An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body; A carbon layer formed on an outer surface of the chip sintered body; And a gold (Au) layer formed of a paste containing gold (Au) on an upper surface of the carbon layer.
상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered body and the carbon layer, a dielectric electrolyte layer and a solid electrolyte layer having a polarity of a cathode may be sequentially applied.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
The solid electrolyte layer may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).
또한, 상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함할 수 있다.
In addition, the gold (Au) paste may include gold (Au) powder, a binder, and a solvent.
본 발명의 다른 실시형태는 탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체; 상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임; 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선; 상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및 상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부를 포함하며, 상기 칩소결체는 외부면에 형성되는 카본층 및 상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층을 포함하는 탄탈 캐패시터를 제공한다.
Another embodiment of the present invention is a chip sintered body formed by sintering tantalum powder and having a mounting surface; A negative lead frame on which the chip sintered body may be mounted; An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body; An anode lead frame connected to the non-insertion area of the anode lead line; And a resin molding part formed to surround the chip sintered body and the anode lead line, wherein the chip sintered body is formed of a carbon layer formed on an outer surface and a gold formed of a paste including gold (Au) on an upper surface of the carbon layer ( A tantalum capacitor comprising an Au) layer is provided.
상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered body and the carbon layer, a dielectric electrolyte layer and a solid electrolyte layer having a polarity of a cathode may be sequentially applied.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
The solid electrolyte layer may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).
또한, 상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함할 수 있다.In addition, the gold (Au) paste may include gold (Au) powder, a binder, and a solvent.
본 발명에 따른 탄탈 캐패시터는 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층을 포함함으로써, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.The tantalum capacitor according to the present invention may have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics by including a gold (Au) layer formed of a paste containing gold (Au) on an upper surface of the carbon layer.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 칩소결체의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a chip sintered body of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an internal structure of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
The embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 칩소결체의 단면 개략도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a chip sintered body of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체(11); 상기 칩소결체(11) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(12); 상기 칩소결체(11)의 외부면에 형성되는 카본층(15); 및 상기 카본층(15)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16);을 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 1, a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention includes a chip sintered
상기 칩소결체(11)의 표면과 상기 카본층(15) 사이에는 유전체 산화피막층(13) 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(14)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있으며, 상기 고체 전해질층(14)은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered
상기 칩소결체(11)는 소결에 의해 성형된다. The chip sintered
즉, 상기 칩소결체(11)는 탄탈, 또는 니오브(Nb) 산화물과 같은 재질을 이용하여 소결 제작될 수 있다. That is, the chip sintered
탄탈 재질을 이용하여 상기 칩소결체(11)를 제작하는 경우에 대해서 예를 들어 살펴보면, 탄탈 파우더와 바인더를 일정비율로 혼합 교반시키고, 혼합 파우더를 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작된다.For example, when the chip sintered
그리고, 양극 인출선(12)은 혼합 파우더를 압축하기 전, 중심으로부터 편심되도록 삽입 장착된다.The
구체적으로, 상기 칩소결체(11)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 양극 인출선을 삽입하고 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음 상기 탄탈 소자를 1000~2000℃의 고진공(10-5torr 이하) 분위기에서 30분 정도 소결하여 마련할 수 있다.
Specifically, the chip sintered
또한, 상기 칩소결체(11)에는 절연층으로서 유전체 산화피막층(13)이 형성될 수 있다.In addition, a dielectric oxide film layer 13 may be formed on the chip sintered
즉, 상기 유전체 산화피막층(13)은 전기화학 반응을 이용한 화성공정에 의해서 상기 칩소결체(11)의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 성장시켜 형성할 수 있다. That is, the dielectric oxide film layer 13 may be formed by growing an oxide film Ta 2 O 5 on the surface of the chip sintered
이때 상기 유전체 산화피막층(13)은 상기 칩소결체(11)를 유전체로 변화시키게 된다.
In this case, the dielectric oxide film layer 13 changes the chip sintered
그리고, 상기 유전체 산화피막층(13) 상에 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(14)이 도포되어 형성될 수 있다.In addition, a
상기 고체 전해질층(14)은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.The
구체적으로, 질산-망간 용액에 상기 유전체 산화피막층(13)으로 포밍된 상기 칩소결체(11)를 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층인 고체 전해질층(14)이 형성될 수 있다.
Specifically, the chip sintered
다음으로, 카본층(15)이 상기 고체 전해질층(14) 상에 적층되며, 카본 분말을 에폭시계의 수지를 포함하는 유기 용매에 용해하여, 카본 분말이 용해된 용액에 상기 칩소결체(11)를 함침한 후 유기 용매를 휘발시키기 위해 소정 온도로 건조함으로써 적층된다.Next, the
또한, 상기 카본층(15)은 은(Ag) 이온이 통과되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
In addition, the
본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(15)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16)을 포함할 수 있다.
Tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention may include a gold (Au)
상기 금(Au) 층(16)은 도전성이 향상되도록 카본층(15)의 외측에 적층될 수 있다. The
또한, 상기 금(Au) 층(16)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 금(Au) 층(16)도 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층될 수 있다.In addition, the
상기 금(Au)을 포함하는 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하여 마련될 수 있다.The paste containing gold (Au) may be prepared including gold (Au) powder, a binder, and a solvent.
상기 금(Au) 분말, 바인더 및 용제의 종류 및 함량은 특별히 제한되지 않으며, 본 발명의 목적 달성을 위해 다양하게 적용될 수 있다.
The type and content of the gold (Au) powder, the binder and the solvent are not particularly limited and may be variously applied to achieve the object of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 카본층(15)의 상부면에 화학적으로 매우 안정하며, 산소 및 다른 물질과 거의 반응하지 않는 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16)을 포함할 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, a gold layer (Au) formed of a paste containing gold (Au) that is chemically very stable on the upper surface of the
이로써, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 산화 및 황 산화물의 발생이 억제되어, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
As a result, the tantalum capacitor according to the embodiment of the present invention can suppress the generation of oxides and sulfur oxides and can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.
즉, 카본층의 상부면에 은(Ag) 페이스트를 이용하여 은(Ag)층을 형성하여 제작된 탄탈 캐패시터는 은(Ag)에서 발생하는 산화 및 황 산화물의 발생으로 인해, 등가 직렬 저항(ESR) 특성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
That is, tantalum capacitors formed by forming a silver layer using silver paste on the upper surface of the carbon layer have an equivalent series resistance (ESR) due to oxidation and sulfur oxides generated from silver (Ag). ) There may be a problem that the characteristics are deteriorated.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이 상기 카본층(15)의 상부면에 화학적으로 매우 안정하며, 산소 및 다른 물질과 거의 반응하지 않는 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16)을 포함하여 탄탈 캐패시터를 제작함으로써, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 것이다.
According to one embodiment of the present invention, as described above, the upper surface of the
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 사시도이다.2 is a perspective view of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.
3 is a cross-sectional view of an internal structure of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체(110); 상기 칩소결체(110)가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임(180); 상기 칩소결체(110) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체(110) 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(120); 상기 양극 인출선(120)의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임(170); 및 상기 칩소결체(110) 및 상기 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(190)를 포함하며, 상기 칩소결체(110)는 외부면에 형성되는 카본층(150) 및 상기 카본층(150)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함할 수 있다.
2 and 3, a
본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 탄탈 분말을 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체(110)를 포함할 수 있다.
The
상기 칩소결체(110)의 제조방법은 상술한 바와 동일하며, 여기서는 생략하도록 한다.
The manufacturing method of the chip sintered
상기 칩소결체(110)의 표면과 상기 카본층(150) 사이에는 유전체 산화 피막층(130) 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(140)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있으며, 상기 고체 전해질층(140)은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered
상기 유전체 산화 피막층(130), 이산화망간(MnO2)으로 형성된 고체 전해질층(140) 및 카본층(150)에 관한 특징은 본 발명의 일 실시예에서 설명한 내용과 동일하며, 여기서는 생략하도록 한다.
The characteristics of the dielectric
본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(150)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함할 수 있다.
Tantalum capacitors according to another embodiment of the present invention may include a gold (Au)
상기 금(Au) 층(160)은 도전성이 향상되도록 상기 카본층(150)의 외측에 적층될 수 있다. The
또한, 상기 금(Au) 층(160)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 금(Au) 층(160)도 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층될 수 있다.In addition, the
상기 금(Au)을 포함하는 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하여 마련될 수 있다.The paste containing gold (Au) may be prepared including gold (Au) powder, a binder, and a solvent.
상기 금(Au) 분말, 바인더 및 용제의 종류 및 함량은 특별히 제한되지 않으며, 본 발명의 목적 달성을 위해 다양하게 적용될 수 있다.
The type and content of the gold (Au) powder, the binder and the solvent are not particularly limited and may be variously applied to achieve the object of the present invention.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 카본층(150)의 상부면에 화학적으로 매우 안정하며, 산소 및 다른 물질과 거의 반응하지 않는 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함할 수 있다.
According to another embodiment of the present invention, a gold layer (Au) formed of a paste containing gold (Au) which is chemically very stable on the upper surface of the
이로써, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 산화 및 황 산화물의 발생이 억제되어, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
As a result,
상기 실장면을 갖는 칩소결체(110)는 은(Ag) 페이스트를 이용하여 음극 리드 프레임(180)에 접착할 수 있다.
The chip sintered
또한, 상기 양극 인출선(120)의 비삽입 영역과 양극 리드 프레임(170)을 연결할 수 있다.
In addition, the non-insertion region of the
상기 양극 인출선(120)과 상기 양극 리드 프레임(170)을 연결하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 전기 용접에 의하여 부착할 수 있으며, 특히 용접은 전기 스폿 용접 방식을 사용하여 수행될 수 있다.
The method of connecting the
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 상기 칩소결체(110) 및 상기 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(190)를 포함할 수 있다.
In addition, the
상기 수지 몰딩부(190)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 상기 칩소결체(110) 및 상기 티탄으로 형성된 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 에폭시로 몰딩하여 수행될 수 있다.
The material of the
상기 수지 몰딩부(190)는 상기 칩소결체(110)를 보호하고 인쇄회로기판(PCB)에 실장이 용이하도록 탄탈 캐패시터의 형상을 만드는 역할을 할 수 있다.
The
본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(150)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함함으로써, 산화 및 황 산화물의 발생이 억제되어, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
Tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention includes a gold (Au)
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.
11 : 칩소결체 12 : 양극 인출선
13 : 유전체 산화피막층 14 : 고체 전해질층
15 : 카본(Carbon)층 16 : 금(Au) 층
100 : 탄탈 캐패시터 110 : 칩소결체
120 : 양극 인출선 130 : 유전체 산화 피막층
140 : 고체 전해질층 150 : 카본층
160 : 금(Au)층 170 : 양극 리드 프레임
180 : 음극 리드 프레임 190 : 수지 몰딩부11: chip sintered body 12: anode lead wire
13
15
100: tantalum capacitor 110: chip sintered
120: anode lead line 130: dielectric oxide film layer
140: solid electrolyte layer 150: carbon layer
160: gold (Au) layer 170: anode lead frame
180: cathode lead frame 190: resin molding
Claims (8)
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선;
상기 칩소결체의 외부면에 형성되는 카본층; 및
상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층;
을 포함하는 탄탈 캐패시터.
Chip sintered body formed by sintering tantalum powder;
An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body;
A carbon layer formed on an outer surface of the chip sintered body; And
Gold (Au) layer formed of a paste containing gold (Au) on the upper surface of the carbon layer;
Tantalum capacitor comprising a.
상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성된 탄탈 캐패시터.
The method of claim 1,
Tantalum capacitor formed by sequentially applying a solid electrolyte layer having a polarity of the dielectric oxide film layer and the cathode between the surface of the chip sintered body and the carbon layer.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성된 탄탈 캐패시터.
The method of claim 2,
The solid electrolyte layer is tantalum capacitor formed of manganese dioxide (MnO 2 ).
상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하는 탄탈 캐패시터.
The method of claim 1,
The gold (Au) paste is a tantalum capacitor containing gold (Au) powder, a binder and a solvent.
상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임;
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선;
상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및
상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부를 포함하며, 상기 칩소결체는 외부면에 형성되는 카본층 및 상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층을 포함하는 탄탈 캐패시터.
A chip sintered body formed by sintering tantalum powder and having a mounting surface;
A negative lead frame on which the chip sintered body may be mounted;
An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body;
An anode lead frame connected to the non-insertion area of the anode lead line; And
And a resin molding part formed to surround the chip sintered body and the anode lead line, wherein the chip sintered body is formed of a carbon layer formed on an outer surface and a paste including gold (Au) on an upper surface of the carbon layer. Tantalum capacitors comprising a layer.
상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성된 탄탈 캐패시터.
The method of claim 5,
Tantalum capacitor formed by sequentially applying a solid electrolyte layer having a polarity of the dielectric oxide film layer and the cathode between the surface of the chip sintered body and the carbon layer.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성된 탄탈 캐패시터.
The method according to claim 6,
The solid electrolyte layer is tantalum capacitor formed of manganese dioxide (MnO 2 ).
상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하는 탄탈 캐패시터.The method of claim 5,
The gold (Au) paste is a tantalum capacitor containing gold (Au) powder, a binder and a solvent.
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