KR20130016742A - Tantalum capacitor - Google Patents

Tantalum capacitor Download PDF

Info

Publication number
KR20130016742A
KR20130016742A KR1020110078696A KR20110078696A KR20130016742A KR 20130016742 A KR20130016742 A KR 20130016742A KR 1020110078696 A KR1020110078696 A KR 1020110078696A KR 20110078696 A KR20110078696 A KR 20110078696A KR 20130016742 A KR20130016742 A KR 20130016742A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sintered body
layer
chip sintered
gold
tantalum
Prior art date
Application number
KR1020110078696A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조태연
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020110078696A priority Critical patent/KR20130016742A/en
Publication of KR20130016742A publication Critical patent/KR20130016742A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H01G9/032—Inorganic semiconducting electrolytes, e.g. MnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material

Abstract

PURPOSE: A tantalum capacitor is provided to secure an excellent equivalent series resistance(ESR) property by using a gold layer formed on a carbon layer. CONSTITUTION: Tantalum powder is sintered to form a chip pellet(11). An anode outgoing line(12) has an insertion region and a non-insertion region. The insertion region is positioned in the chip pellet. The non-insertion region is positioned outside the chip pellet. A carbon layer(15) is formed in the external side of the chip pellet. A gold layer(16) is formed in the upper side of the carbon layer.

Description

탄탈 캐패시터 {TANTALUM CAPACITOR}Tantalum Capacitors {TANTALUM CAPACITOR}

본 발명은 탄탈 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 탄탈 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to tantalum capacitors, and more particularly, to tantalum capacitors that can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.

탄탈(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성, 내식성 등이 우수한 기계적, 물리적 특징으로 인해 전기, 전자를 비롯하여 기계, 화공, 의료뿐만 아니라 우주, 군사 등 산업전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있는 금속이다.
Tantalum (Ta) material is a metal that is widely used throughout industries such as electricity, electronics, machinery, chemicals, medical, space, military, etc. due to its high melting point, ductility, and corrosion resistance.

특히 탄탈 소재는 모든 금속 중 가장 안정한 양극 산화피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 현재 소형 커패시터의 양극소재로 널리 이용되고 있다.
In particular, tantalum is widely used as a cathode material for small capacitors because of its ability to form the most stable anodized film among all metals.

더욱이 탄탈 소재는 최근 전자, 정보통신 등 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하고 있다.
In addition, tantalum materials are rapidly increasing their usage by 10% every year due to the rapid development of the IT industry such as electronics and telecommunications.

탄탈 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을때 나오는 빈틈을 이용하는 구조로 되어 있으며, 전극 금속으로서의 탄탈 표면에, 양극 산화법에 의해 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이것을 유전체로 하여, 그 위에 전해질로서 이산화망간층(MnO2)을 형성한다.
Tantalum Capacitor has a structure that utilizes the gaps when sintered and hardened tantalum powder, and forms tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) on the surface of tantalum as an electrode metal by anodizing Using this as a dielectric, a manganese dioxide layer (MnO 2 ) is formed thereon as an electrolyte thereon.

또한 음극 전극의 도출 때문에 MnO2층 위에 카본층 및 금속층으로서 은(Ag)층을 형성하게 된다.
In addition, the silver (Ag) layer is formed as the carbon layer and the metal layer on the MnO 2 layer because of the derivation of the cathode electrode.

그러나, 은 페이스트를 이용하여, 상기 카본층 상에 은(Ag)층을 형성할 경우, 은(Ag)으로 인해 발생하는 산화 및 황 산화물의 발생을 초래하게 된다.
However, when silver (Ag) layer is formed on the carbon layer by using a silver paste, oxidation and sulfur oxides generated due to silver (Ag) are caused.

상기와 같이 은(Ag)으로 인해 발생하는 산화 및 황 산화물의 발생은 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance) 특성을 저하시켜 문제가 되었다.As described above, the generation of oxidation and sulfur oxides caused by silver (Ag) is a problem by lowering the equivalent series resistance (ESR) characteristics of the capacitor.

본 발명은 탄탈 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 탄탈 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to tantalum capacitors, and more particularly, to tantalum capacitors that can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.

본 발명의 일 실시형태는 탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체; 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선; 상기 칩소결체의 외부면에 형성되는 카본층; 및 상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층;을 포함하는 탄탈 캐패시터를 제공한다.
One embodiment of the present invention is a chip sintered body formed by sintering tantalum powder; An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body; A carbon layer formed on an outer surface of the chip sintered body; And a gold (Au) layer formed of a paste containing gold (Au) on an upper surface of the carbon layer.

상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered body and the carbon layer, a dielectric electrolyte layer and a solid electrolyte layer having a polarity of a cathode may be sequentially applied.

상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
The solid electrolyte layer may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).

또한, 상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함할 수 있다.
In addition, the gold (Au) paste may include gold (Au) powder, a binder, and a solvent.

본 발명의 다른 실시형태는 탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체; 상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임; 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선; 상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및 상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부를 포함하며, 상기 칩소결체는 외부면에 형성되는 카본층 및 상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층을 포함하는 탄탈 캐패시터를 제공한다.
Another embodiment of the present invention is a chip sintered body formed by sintering tantalum powder and having a mounting surface; A negative lead frame on which the chip sintered body may be mounted; An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body; An anode lead frame connected to the non-insertion area of the anode lead line; And a resin molding part formed to surround the chip sintered body and the anode lead line, wherein the chip sintered body is formed of a carbon layer formed on an outer surface and a gold formed of a paste including gold (Au) on an upper surface of the carbon layer ( A tantalum capacitor comprising an Au) layer is provided.

상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered body and the carbon layer, a dielectric electrolyte layer and a solid electrolyte layer having a polarity of a cathode may be sequentially applied.

상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
The solid electrolyte layer may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).

또한, 상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함할 수 있다.In addition, the gold (Au) paste may include gold (Au) powder, a binder, and a solvent.

본 발명에 따른 탄탈 캐패시터는 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층을 포함함으로써, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.The tantalum capacitor according to the present invention may have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics by including a gold (Au) layer formed of a paste containing gold (Au) on an upper surface of the carbon layer.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 칩소결체의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a chip sintered body of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an internal structure of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
The embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 칩소결체의 단면 개략도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a chip sintered body of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체(11); 상기 칩소결체(11) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(12); 상기 칩소결체(11)의 외부면에 형성되는 카본층(15); 및 상기 카본층(15)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16);을 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 1, a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention includes a chip sintered body 11 formed by sintering tantalum powder; An anode lead line 12 having an insertion region located inside the chip sintered body 11 and a non-insertion region located outside the chip sintered body; A carbon layer 15 formed on an outer surface of the chip sintered body 11; And a gold (Au) layer 16 formed of a paste containing gold (Au) on an upper surface of the carbon layer 15.

상기 칩소결체(11)의 표면과 상기 카본층(15) 사이에는 유전체 산화피막층(13) 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(14)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있으며, 상기 고체 전해질층(14)은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered body 11 and the carbon layer 15, a dielectric oxide film layer 13 and a solid electrolyte layer 14 having a polarity of a cathode may be sequentially applied and formed, and the solid electrolyte layer ( 14) may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).

상기 칩소결체(11)는 소결에 의해 성형된다. The chip sintered body 11 is molded by sintering.

즉, 상기 칩소결체(11)는 탄탈, 또는 니오브(Nb) 산화물과 같은 재질을 이용하여 소결 제작될 수 있다. That is, the chip sintered body 11 may be manufactured by sintering using a material such as tantalum or niobium (Nb) oxide.

탄탈 재질을 이용하여 상기 칩소결체(11)를 제작하는 경우에 대해서 예를 들어 살펴보면, 탄탈 파우더와 바인더를 일정비율로 혼합 교반시키고, 혼합 파우더를 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작된다.For example, when the chip sintered body 11 is manufactured by using a tantalum material, the tantalum powder and the binder are mixed and stirred at a predetermined ratio, and the mixed powder is compressed and molded into a rectangular parallelepiped, which is then subjected to high temperature and high vibration. It is produced by sintering.

그리고, 양극 인출선(12)은 혼합 파우더를 압축하기 전, 중심으로부터 편심되도록 삽입 장착된다.The anode lead wire 12 is inserted and mounted so as to be eccentric from the center before compressing the mixed powder.

구체적으로, 상기 칩소결체(11)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 양극 인출선을 삽입하고 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음 상기 탄탈 소자를 1000~2000℃의 고진공(10-5torr 이하) 분위기에서 30분 정도 소결하여 마련할 수 있다.
Specifically, the chip sintered body 11 inserts an anode lead wire into tantalum powder mixed with a binder, forms a tantalum element having a desired size, and then sets the tantalum element in a high vacuum (10 -5 torr or less) atmosphere of 1000 to 2000 ° C. It can be prepared by sintering about 30 minutes at.

또한, 상기 칩소결체(11)에는 절연층으로서 유전체 산화피막층(13)이 형성될 수 있다.In addition, a dielectric oxide film layer 13 may be formed on the chip sintered body 11 as an insulating layer.

즉, 상기 유전체 산화피막층(13)은 전기화학 반응을 이용한 화성공정에 의해서 상기 칩소결체(11)의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 성장시켜 형성할 수 있다. That is, the dielectric oxide film layer 13 may be formed by growing an oxide film Ta 2 O 5 on the surface of the chip sintered body 11 by a chemical conversion process using an electrochemical reaction.

이때 상기 유전체 산화피막층(13)은 상기 칩소결체(11)를 유전체로 변화시키게 된다.
In this case, the dielectric oxide film layer 13 changes the chip sintered body 11 into a dielectric material.

그리고, 상기 유전체 산화피막층(13) 상에 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(14)이 도포되어 형성될 수 있다.In addition, a solid electrolyte layer 14 having a polarity of a cathode may be formed on the dielectric oxide layer 13.

상기 고체 전해질층(14)은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.The solid electrolyte layer 14 may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).

구체적으로, 질산-망간 용액에 상기 유전체 산화피막층(13)으로 포밍된 상기 칩소결체(11)를 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층인 고체 전해질층(14)이 형성될 수 있다.
Specifically, the chip sintered body 11 formed of the dielectric oxide film layer 13 is impregnated in the nitric acid-manganese solution so that the nitric acid-manganese solution is applied to the outer surface thereof, and then fired, thereby manganese dioxide having a cathode (MnO 2). ), A solid electrolyte layer 14 may be formed.

다음으로, 카본층(15)이 상기 고체 전해질층(14) 상에 적층되며, 카본 분말을 에폭시계의 수지를 포함하는 유기 용매에 용해하여, 카본 분말이 용해된 용액에 상기 칩소결체(11)를 함침한 후 유기 용매를 휘발시키기 위해 소정 온도로 건조함으로써 적층된다.Next, the carbon layer 15 is laminated on the solid electrolyte layer 14, the carbon powder is dissolved in an organic solvent containing an epoxy resin, and the chip sintered body 11 in a solution in which the carbon powder is dissolved. After impregnating, it is laminated by drying to a predetermined temperature to volatilize the organic solvent.

또한, 상기 카본층(15)은 은(Ag) 이온이 통과되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
In addition, the carbon layer 15 serves to prevent the passage of silver (Ag) ions.

본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(15)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16)을 포함할 수 있다.
Tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention may include a gold (Au) layer 16 formed of a paste containing gold (Au) on the upper surface of the carbon layer (15).

상기 금(Au) 층(16)은 도전성이 향상되도록 카본층(15)의 외측에 적층될 수 있다. The gold layer 16 may be stacked on the outer side of the carbon layer 15 to improve conductivity.

또한, 상기 금(Au) 층(16)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다.In addition, the gold layer 16 may facilitate electrical connection for polarity transfer by improving conductivity of the polarity of the cathode layer.

또한, 상기 금(Au) 층(16)도 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층될 수 있다.In addition, the gold layer 16 may also be laminated by dip coating.

상기 금(Au)을 포함하는 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하여 마련될 수 있다.The paste containing gold (Au) may be prepared including gold (Au) powder, a binder, and a solvent.

상기 금(Au) 분말, 바인더 및 용제의 종류 및 함량은 특별히 제한되지 않으며, 본 발명의 목적 달성을 위해 다양하게 적용될 수 있다.
The type and content of the gold (Au) powder, the binder and the solvent are not particularly limited and may be variously applied to achieve the object of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 카본층(15)의 상부면에 화학적으로 매우 안정하며, 산소 및 다른 물질과 거의 반응하지 않는 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16)을 포함할 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, a gold layer (Au) formed of a paste containing gold (Au) that is chemically very stable on the upper surface of the carbon layer 15 and hardly reacts with oxygen and other materials ( 16).

이로써, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 산화 및 황 산화물의 발생이 억제되어, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
As a result, the tantalum capacitor according to the embodiment of the present invention can suppress the generation of oxides and sulfur oxides and can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.

즉, 카본층의 상부면에 은(Ag) 페이스트를 이용하여 은(Ag)층을 형성하여 제작된 탄탈 캐패시터는 은(Ag)에서 발생하는 산화 및 황 산화물의 발생으로 인해, 등가 직렬 저항(ESR) 특성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
That is, tantalum capacitors formed by forming a silver layer using silver paste on the upper surface of the carbon layer have an equivalent series resistance (ESR) due to oxidation and sulfur oxides generated from silver (Ag). ) There may be a problem that the characteristics are deteriorated.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이 상기 카본층(15)의 상부면에 화학적으로 매우 안정하며, 산소 및 다른 물질과 거의 반응하지 않는 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(16)을 포함하여 탄탈 캐패시터를 제작함으로써, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 것이다.
According to one embodiment of the present invention, as described above, the upper surface of the carbon layer 15 is chemically very stable and is formed of a paste containing gold (Au) that hardly reacts with oxygen and other materials ( By manufacturing a tantalum capacitor including the Au) layer 16, it is possible to have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 사시도이다.2 is a perspective view of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.
3 is a cross-sectional view of an internal structure of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체(110); 상기 칩소결체(110)가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임(180); 상기 칩소결체(110) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체(110) 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(120); 상기 양극 인출선(120)의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임(170); 및 상기 칩소결체(110) 및 상기 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(190)를 포함하며, 상기 칩소결체(110)는 외부면에 형성되는 카본층(150) 및 상기 카본층(150)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함할 수 있다.
2 and 3, a tantalum capacitor 100 according to another embodiment of the present invention includes a chip sintered body 110 formed by sintering tantalum powder and having a mounting surface; A cathode lead frame 180 on which the chip sintered body 110 may be mounted; An anode lead line 120 having an insertion region located inside the chip sintered body 110 and a non-insertion region located outside the chip sintered body 110; An anode lead frame 170 connected to a non-insertion area of the anode lead line 120; And a resin molding part 190 formed to surround the chip sintered body 110 and the cathode lead line 120, wherein the chip sintered body 110 is formed on an outer surface of the carbon layer 150 and the carbon layer. The gold (Au) layer 160 formed of a paste containing gold (Au) may be included on an upper surface of the 150.

본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 탄탈 분말을 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체(110)를 포함할 수 있다.
The tantalum capacitor 100 according to another embodiment of the present invention may be formed by sintering tantalum powder and may include a chip sintered body 110 having a mounting surface.

상기 칩소결체(110)의 제조방법은 상술한 바와 동일하며, 여기서는 생략하도록 한다.
The manufacturing method of the chip sintered body 110 is the same as described above, and will be omitted here.

상기 칩소결체(110)의 표면과 상기 카본층(150) 사이에는 유전체 산화 피막층(130) 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(140)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있으며, 상기 고체 전해질층(140)은 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
Between the surface of the chip sintered body 110 and the carbon layer 150 may be formed by sequentially applying a dielectric oxide film layer 130 and a solid electrolyte layer 140 having a polarity of the cathode, the solid electrolyte layer ( 140 may be formed of manganese dioxide (MnO 2 ).

상기 유전체 산화 피막층(130), 이산화망간(MnO2)으로 형성된 고체 전해질층(140) 및 카본층(150)에 관한 특징은 본 발명의 일 실시예에서 설명한 내용과 동일하며, 여기서는 생략하도록 한다.
The characteristics of the dielectric oxide film layer 130, the solid electrolyte layer 140 formed of manganese dioxide (MnO 2 ), and the carbon layer 150 are the same as those described in the exemplary embodiment of the present invention, and the description thereof will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(150)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함할 수 있다.
Tantalum capacitors according to another embodiment of the present invention may include a gold (Au) layer 160 formed of a paste containing gold (Au) on the upper surface of the carbon layer 150.

상기 금(Au) 층(160)은 도전성이 향상되도록 상기 카본층(150)의 외측에 적층될 수 있다. The gold layer 160 may be stacked outside the carbon layer 150 to improve conductivity.

또한, 상기 금(Au) 층(160)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다.In addition, the gold layer 160 may facilitate electrical connection for polarity transfer by improving conductivity of the polarity of the cathode layer.

또한, 상기 금(Au) 층(160)도 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층될 수 있다.In addition, the gold layer 160 may also be stacked by dip coating.

상기 금(Au)을 포함하는 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하여 마련될 수 있다.The paste containing gold (Au) may be prepared including gold (Au) powder, a binder, and a solvent.

상기 금(Au) 분말, 바인더 및 용제의 종류 및 함량은 특별히 제한되지 않으며, 본 발명의 목적 달성을 위해 다양하게 적용될 수 있다.
The type and content of the gold (Au) powder, the binder and the solvent are not particularly limited and may be variously applied to achieve the object of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 카본층(150)의 상부면에 화학적으로 매우 안정하며, 산소 및 다른 물질과 거의 반응하지 않는 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함할 수 있다.
According to another embodiment of the present invention, a gold layer (Au) formed of a paste containing gold (Au) which is chemically very stable on the upper surface of the carbon layer 150 and hardly reacts with oxygen and other materials ( 160).

이로써, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 산화 및 황 산화물의 발생이 억제되어, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
As a result, tantalum capacitor 100 according to another embodiment of the present invention is suppressed the generation of oxidation and sulfur oxides, it can have an excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.

상기 실장면을 갖는 칩소결체(110)는 은(Ag) 페이스트를 이용하여 음극 리드 프레임(180)에 접착할 수 있다.
The chip sintered body 110 having the mounting surface may be attached to the negative lead frame 180 using silver (Ag) paste.

또한, 상기 양극 인출선(120)의 비삽입 영역과 양극 리드 프레임(170)을 연결할 수 있다.
In addition, the non-insertion region of the anode lead line 120 may be connected to the anode lead frame 170.

상기 양극 인출선(120)과 상기 양극 리드 프레임(170)을 연결하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 전기 용접에 의하여 부착할 수 있으며, 특히 용접은 전기 스폿 용접 방식을 사용하여 수행될 수 있다.
The method of connecting the anode lead line 120 and the anode lead frame 170 is not particularly limited, but may be attached by, for example, electric welding, and in particular, welding may be performed by using an electric spot welding method. Can be.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터(100)는 상기 칩소결체(110) 및 상기 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(190)를 포함할 수 있다.
In addition, the tantalum capacitor 100 according to another embodiment of the present invention may include a resin molding part 190 formed to surround the chip sintered body 110 and the anode lead line 120.

상기 수지 몰딩부(190)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 상기 칩소결체(110) 및 상기 티탄으로 형성된 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 에폭시로 몰딩하여 수행될 수 있다.
The material of the resin molding part 190 is not particularly limited, and may be performed by molding with epoxy to surround the chip sintered body 110 and the anode leader line 120 formed of titanium.

상기 수지 몰딩부(190)는 상기 칩소결체(110)를 보호하고 인쇄회로기판(PCB)에 실장이 용이하도록 탄탈 캐패시터의 형상을 만드는 역할을 할 수 있다.
The resin molding unit 190 may serve to protect the chip sintered body 110 and form a tantalum capacitor so as to be easily mounted on a printed circuit board (PCB).

본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(150)의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층(160)을 포함함으로써, 산화 및 황 산화물의 발생이 억제되어, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
Tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention includes a gold (Au) layer 160 formed of a paste containing gold (Au) on the upper surface of the carbon layer 150, thereby generating oxidation and sulfur oxides It can be suppressed and can have excellent equivalent series resistance (ESR) characteristics.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

11 : 칩소결체 12 : 양극 인출선
13 : 유전체 산화피막층 14 : 고체 전해질층
15 : 카본(Carbon)층 16 : 금(Au) 층
100 : 탄탈 캐패시터 110 : 칩소결체
120 : 양극 인출선 130 : 유전체 산화 피막층
140 : 고체 전해질층 150 : 카본층
160 : 금(Au)층 170 : 양극 리드 프레임
180 : 음극 리드 프레임 190 : 수지 몰딩부11: chip sintered body 12: anode lead wire
13 dielectric oxide layer 14 solid electrolyte layer
15 carbon layer 16 gold layer
100: tantalum capacitor 110: chip sintered
120: anode lead line 130: dielectric oxide film layer
140: solid electrolyte layer 150: carbon layer
160: gold (Au) layer 170: anode lead frame
180: cathode lead frame 190: resin molding

Claims (8)

탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체;
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선;
상기 칩소결체의 외부면에 형성되는 카본층; 및
상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층;
을 포함하는 탄탈 캐패시터.
Chip sintered body formed by sintering tantalum powder;
An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body;
A carbon layer formed on an outer surface of the chip sintered body; And
Gold (Au) layer formed of a paste containing gold (Au) on the upper surface of the carbon layer;
Tantalum capacitor comprising a.
제1항에 있어서,
상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성된 탄탈 캐패시터.
The method of claim 1,
Tantalum capacitor formed by sequentially applying a solid electrolyte layer having a polarity of the dielectric oxide film layer and the cathode between the surface of the chip sintered body and the carbon layer.
제2항에 있어서,
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성된 탄탈 캐패시터.
The method of claim 2,
The solid electrolyte layer is tantalum capacitor formed of manganese dioxide (MnO 2 ).
제1항에 있어서,
상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하는 탄탈 캐패시터.
The method of claim 1,
The gold (Au) paste is a tantalum capacitor containing gold (Au) powder, a binder and a solvent.
탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체;
상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임;
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선;
상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및
상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부를 포함하며, 상기 칩소결체는 외부면에 형성되는 카본층 및 상기 카본층의 상부면에 금(Au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(Au)층을 포함하는 탄탈 캐패시터.
A chip sintered body formed by sintering tantalum powder and having a mounting surface;
A negative lead frame on which the chip sintered body may be mounted;
An anode lead line having an insertion region located inside the chip sintered body and a non-insertion region located outside the chip sintered body;
An anode lead frame connected to the non-insertion area of the anode lead line; And
And a resin molding part formed to surround the chip sintered body and the anode lead line, wherein the chip sintered body is formed of a carbon layer formed on an outer surface and a paste including gold (Au) on an upper surface of the carbon layer. Tantalum capacitors comprising a layer.
제5항에 있어서,
상기 칩소결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이 순차적으로 도포되어 형성된 탄탈 캐패시터.
The method of claim 5,
Tantalum capacitor formed by sequentially applying a solid electrolyte layer having a polarity of the dielectric oxide film layer and the cathode between the surface of the chip sintered body and the carbon layer.
제6항에 있어서,
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2)으로 형성된 탄탈 캐패시터.
The method according to claim 6,
The solid electrolyte layer is tantalum capacitor formed of manganese dioxide (MnO 2 ).
제5항에 있어서,
상기 금(Au) 페이스트는 금(Au) 분말과 바인더 및 용제를 포함하는 탄탈 캐패시터.The method of claim 5,
The gold (Au) paste is a tantalum capacitor containing gold (Au) powder, a binder and a solvent.
KR1020110078696A 2011-08-08 2011-08-08 Tantalum capacitor KR20130016742A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110078696A KR20130016742A (en) 2011-08-08 2011-08-08 Tantalum capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110078696A KR20130016742A (en) 2011-08-08 2011-08-08 Tantalum capacitor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130016742A true KR20130016742A (en) 2013-02-19

Family

ID=47896027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110078696A KR20130016742A (en) 2011-08-08 2011-08-08 Tantalum capacitor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130016742A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1439556A1 (en) Solid-state electrolytic capacitor and its manufacturing method
KR101067210B1 (en) Solid electrolytic capacitor
KR20080029203A (en) Tantalum capacitor
US10321571B2 (en) Composite electronic component and board having the same
JP5571753B2 (en) Socket and jig for manufacturing capacitor element using the socket
US20160181021A1 (en) Solid electrolyte capacitor and manufacturing method thereof
KR100885269B1 (en) Solid electrolytic capacitor and method for preparingthe same
KR20210066237A (en) Solid Electrolyte Capacitor and fabrication method thereof
KR20140021256A (en) Tantalum capacitor
KR102281461B1 (en) Solid electrolytic capacitor, and board having the same mounted thereon
JP2015220247A (en) Solid electrolytic capacitor, and method for manufacturing solid electrolytic capacitor
KR20130016742A (en) Tantalum capacitor
KR102068807B1 (en) Tantalum capacitor
KR20130060504A (en) Tantalum capacitor and fabrication method thereof
KR20150049920A (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
KR101983127B1 (en) Tantalum capacitor
KR102016481B1 (en) Solid Electrolyte Capacitor and fabrication method thereof
US20150228413A1 (en) Solid electrolytic capacitor, method of manufacturing the same, and chip-type electronic component
KR20130027785A (en) Tantalum capacitor
KR102194712B1 (en) Solid electrolytic capacitor, manufacturing method of the same and chip electronic component
KR102004757B1 (en) Solid Electrolyte Capacitor
KR100935323B1 (en) Solid electrolytic condenser and method for manufacturing the same
KR102105398B1 (en) Solid electrolytic capacitor, manufacturing of the same and chip-type electronic part
KR100935319B1 (en) Solid electrolytic condenser and method for manufacturing the same
JP2005116713A (en) Solid electrolytic capacitor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal