KR20120132107A - Apparatus and method for depositing antifouling material by using continuous process - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 오염방지물질을 공정과정 중에 기체의 형태로 공급하고, 처리물을 탈착이 용이한 형태로 하단에 배치할 수 있게 하는 오염방지물질 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for depositing an antifouling material and a deposition method capable of a continuous process, and more particularly, to supply an antifouling material in the form of a gas during a process, and to arrange the processed material at the bottom in an easily removable form. The present invention relates to an apparatus for depositing an antifouling material and a deposition method.
최근 휴대폰 시장은 스마트폰이 대세를 이루고 있으며, 스마트폰의 사용이 증가함에 따라, 휴대폰의 입력장치는 기존의 키패드에서 터치스크린으로 대체되고 있다.In recent years, the mobile phone market has become a dominant smartphone, and as the use of smart phones increases, the input device of the mobile phone is being replaced by a touch screen in the existing keypad.
터치스크린(touch-screen)이란, 키보드를 사용하지 않고 화면에 닿는 사람의 손끝 또는 기타 물체에 의해 입력을 받는 화면을 의미하는데, 손가락을 직접 화면에 접촉시켜서 정보를 입력받으므로 지문에 의해 화면이 쉽게 오염될 수 있다는 문제점이 존재하고, 주변환경과의 접촉 빈도가 높아 주변환경에 의한 스크래치 등의 오염이 유발될 수 있다는 문제점이 존재한다 .Touch-screen refers to a screen that receives input by a fingertip or other object of the person touching the screen without using a keyboard. The touch-screen receives information by touching a finger directly on the screen. There is a problem that can be easily contaminated, and there is a problem that the high frequency of contact with the surrounding environment may cause contamination such as scratches by the surrounding environment.
따라서, 이러한 터치스크린의 오염을 방지하는 물질을 터치스크린에 증착하는 것이 필요한데, 기존에는 이러한 오염방지물질을 증착하기 위한 방식으로, 전자빔 증착 방식이나 필라멘트 열 증착 방식을 이용하였다. Accordingly, it is necessary to deposit a material for preventing the contamination of the touch screen on the touch screen. In the past, an electron beam deposition method or a filament thermal deposition method was used as a method for depositing such a pollution prevention material.
먼저, 전자빔 증착 방식이란, 오염방지물질을 함유한 펠릿에 전자빔을 조사하고 가열하여 오염방지물질을 증착시키는 방식을 의미한다.First, the electron beam deposition method refers to a method of depositing an antifouling material by irradiating an electron beam and heating the pellet containing the antifouling material.
또한, 필라멘트 열 증착 방식이란, 오염방지물질을 함유한 펠릿을 다수의 필라멘트로 가열하여 오염방지 물질을 증착시키는 방식을 의미한다. In addition, the filament thermal evaporation method means a method of depositing an antifouling material by heating a pellet containing the antifouling material with a plurality of filaments.
하지만, 이러한 전자빔 증착 방식과 필라멘트 열 증착 방식은, 오염방지 물질을 펠릿 형태로 공급해야 하기 때문에 매 공정마다 펠릿을 수동적으로 공급해야 한다는 단점이 존재하였다. 또한 증착 방식의 구조상 제품을 하단에 배치하기가 어려워서 제품을 고정하는 별도의 방식이 필요하였으며 자동화를 어렵게 한다는 문제점도 존재하였다.However, the electron beam deposition method and the filament thermal deposition method has a disadvantage in that the pellets must be supplied manually in every process because the pollution prevention material must be supplied in pellet form. In addition, due to the structure of the deposition method it is difficult to place the product at the bottom was required a separate method for fixing the product and there was a problem that makes the automation difficult.
따라서, 오염방지 물질의 증착과 관련하여, 펠릿의 수동적인 공급과정이 필요치 않으며, 증착 처리물을 하단부에 배치할 수 있고 다른 공정들과 연계할 수 있는 오염방지물질 증착장치 및 증착방법의 개발이 요구되고 있다.
Therefore, with respect to the deposition of the antifouling material, the manual feeding process of the pellets is not necessary, and the development of the antifouling material deposition apparatus and the deposition method which can place the deposition treatment at the bottom and can be connected with other processes is required. It is required.
본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질의 증착 공정의 과정 중에 오염방지물질의 공급을 기체의 형태로 연속적으로 할 수 있게 하는 것을 해결과제로 한다. Contamination preventing material deposition apparatus and deposition method capable of a continuous process according to the present invention is to make it possible to continuously supply the antifouling material in the form of gas during the process of the deposition process of the antifouling material.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질이 증착되는 처리물을 하단부에 탈착이 용이한 형태로 배치할 수 있게 하는 것을 해결과제로 한다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process according to the present invention is to make it possible to arrange the processed material on which the anti-fouling material is deposited in a form that can be easily detached to the lower end.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질을 증착하는 공정과 다른공정과의 인라인(in-line)화를 용이하게 하는 것을 해결과제로 한다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process according to the present invention is to facilitate the in-line of the process of depositing the anti-fouling material and other processes.
그리고, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 소량의 처리물을 짧은 시간에 연속적으로 처리할 수 있는 형태로도 공정의 구성을 가능하게 하는 것을 해결과제로 한다.
In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-pollution material capable of continuous processing according to the present invention is to enable the configuration of the process even in the form capable of continuously processing a small amount of the processed material in a short time. .
상기와 같은 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 플라즈마(Plasma) 발생영역을 포함하는 진공챔버; 상기 진공챔버 내부에 배치되며, 전력을 공급받아 플라즈마를 발생시키는 전극부; 상기 전극부에 전력을 공급하는 전원부; 상기 진공챔버에 오염방지물질을 기체의 형태로 공급하는 가스주입부; 및 상기 전극부와 대향하는 상기 진공챔버 하부에 배치되고, 처리물을 고정한 후에 이동시키는 처리물이송부;를 포함하여, 증착되는 상기 오염방지물질을 기체의 형태로 공급할 수 있고, 상기 오염방지물질이 증착되는 처리물을 상기 진공챔버의 하부에 배치할 수 있는 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the apparatus for depositing an anti-pollution material in a continuous process according to the present invention includes a vacuum chamber including a plasma generation region; An electrode part disposed inside the vacuum chamber and configured to generate electric power by receiving electric power; A power supply unit supplying power to the electrode unit; A gas injection unit supplying the antifouling material to the vacuum chamber in the form of a gas; And a treatment material transfer part disposed under the vacuum chamber facing the electrode portion and fixed to the treatment material and then moved to fix the treatment material, and supply the pollution prevention material deposited in the form of a gas. The deposited material may be disposed under the vacuum chamber.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 처리물이송부가, 증착과정 중에 일직선 방향으로 왕복운동을 하는 것을 특징으로 한다. In addition, the contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, characterized in that the workpiece transfer unit, the reciprocating movement in a straight direction during the deposition process.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 가스주입부가 상기 오염방지물질을 기화시켜서 기체의 형태로 공급하는 가스공급장치; 및 상기 오염방지물질을 상기 진공챔버 내부에 공급하는 가스노즐을 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, a pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, the gas injection unit for supplying the gas in the form of a gas by vaporizing the pollution prevention material; And a gas nozzle for supplying the antifouling material into the vacuum chamber.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 오염방지물질이 플루오로실란(fluorosilane)인 것을 특징으로 한다. In addition, the pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, the pollution prevention material is characterized in that the fluorosilane (fluorosilane).
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 처리물이 유리(glass)인 것을 특징으로 한다. In addition, the contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, the treatment is characterized in that the glass (glass).
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 가스주입부가 상기 오염방지물질을 공급하기 이전에, 실리콘을 포함하는 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다. In addition, the pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, characterized in that for supplying a gas containing silicon before the gas injection unit supplies the pollution prevention material.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 실리콘을 포함하는 가스가 실란(silane), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 또는 TMOS(Tetramethylorthosilicate)인 것을 특징으로 한다. In addition, the contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention is characterized in that the gas containing silicon is silane (silane), HMDSO (Hexamethyldisiloxane), TEOS (Tetraethyl orthosilicate) or TMOS (Tetramethylorthosilicate).
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 전극부가 복수 개의 전극봉 형태로 구성되고, 상기 전원부가 교류 전원으로 구성되어서, 상기 전극부와 상기 처리물이송부 사이에 방전이 이루어지지 않는 것을 특징으로 한다.In addition, according to the present invention, the apparatus for depositing an anti-pollution material according to the present invention may include the electrode part having a plurality of electrode rods and the power supply part having an alternating current power supply, so that discharge is prevented between the electrode part and the workpiece transfer part. It is characterized by not being made.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 전극부가 망 전극(mesh electrode) 형태로 구성되고, 상기 처리물이송부가 상기 진공챔버 내부에 고정되며, 상기 가스주입부가 이동할 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, in the contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, the electrode portion is configured in the form of a mesh electrode (mesh electrode), the workpiece conveying portion is fixed inside the vacuum chamber, the gas injection portion is moved Characterized in that it can.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 진공챔버와 분리된 전처리 진공챔버; 및 상기 진공챔버와 상기 전처리 진공챔버를 연결시키고, 상기 처리물이송부가 통과하게 되는 챔버게이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to the present invention, the vacuum chamber separated from the pre-treatment chamber; And a chamber gate connecting the vacuum chamber and the pretreatment vacuum chamber and allowing the processing unit to pass therethrough.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 처리물이 유리(glass)이고, 상기 전처리 진공챔버에서, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 이산화규소(SiO2)층을 증착하는 것을 특징으로 한다.
In addition, according to the present invention, the apparatus for depositing an antifouling material in a continuous process may include depositing a silicon dioxide (SiO 2 ) layer in the pretreatment vacuum chamber and depositing the antifouling material in the pretreatment vacuum chamber. Characterized in that.
그리고, 상기와 같은 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은, 처리물을 고정시킨 처리물이송부가 진공챔버 하부에 배치되는 단계; 상기 진공챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜서, 상기 처리물의 표면을 플라즈마처리하는 단계; 가스주입부가 기체 형태의 오염방지물질을 상기 진공챔버 내부에 공급하는 단계; 상기 처리물이송부를 이동시키면서 상기 처리물 표면에 상기 오염방지물질을 증착하는 단계;를 포함하여, 증착되는 상기 오염방지물질을 기체 형태로 공급할 수 있고, 상기 오염방지물질이 증착되는 처리물을 상기 진공챔버의 하단부에 이동가능한 형태로 배치할 수 있는 것을 특징으로 한다. And, in order to solve the above problems, the method for depositing a pollution-preventing material which can be a continuous process according to the present invention, the process of the processing unit is fixed to the processing unit is disposed under the vacuum chamber; Generating a plasma inside the vacuum chamber, thereby plasma treating the surface of the workpiece; Supplying a gas injector to the inside of the vacuum chamber to prevent contamination of a gas; And depositing the antifouling material on the surface of the workpiece while moving the workpiece transfer part, and supplying the antifouling material to be deposited in a gaseous form, and providing a treatment material on which the antifouling material is deposited. Characterized in that it can be arranged in a movable form on the lower end of the vacuum chamber.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은, 상기 처리물이 유리(glass)인 것을 특징으로 한다. In addition, the method for depositing the anti-pollution material capable of the continuous process according to the present invention is characterized in that the treated material is glass.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은, 상기 유리(glass)의 표면을 플라즈마처리하는 단계 이후에, 상기 진공챔버 내부에, 실리콘을 포함하는 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜서 이산화규소(SiO2)층을 증착하는 단계;를 더 포함하고, 상기 오염방지물질은, 상기 이산화규소(SiO2)층 위에 증착되는 것을 특징으로 한다.In addition, according to the present invention, a method for depositing a contaminant-resistant material according to the present invention may include supplying a gas containing silicon into a vacuum chamber and generating a plasma after the plasma treatment of the surface of the glass. And depositing a silicon dioxide (SiO 2 ) layer, wherein the antifouling material is deposited on the silicon dioxide (SiO 2 ) layer.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은, 상기 이산화규소(SiO2)층 위에 상기 오염방지물질이 증착되는 것을 가속화시키기 위해, 반응 촉매를 투입하는 것을 특징으로 한다. In addition, the method for depositing an antifouling material in a continuous process according to the present invention is characterized in that a reaction catalyst is added to accelerate the deposition of the antifouling material on the silicon dioxide (SiO 2 ) layer.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은, 상기 오염방지물질이 플루오로실란(fluorosilane)인 것을 특징으로 한다.
In addition, the method for depositing a contaminant preventable material according to the present invention is characterized in that the contaminant preventive material is fluorosilane.
본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치 및 증착방법은, 공정과정 중에 사용되는 오염방지물질을 기체의 형태로 연속적으로 공급할 수 있게 한다. 따라서, 종래에 사용되던 펠릿 형태의 공급방식과 달리, 매 공정마다 펠릿을 수동적으로 공급하는 과정이 필요치 않으며, 공급되는 오염방지물질의 조절이 가능하므로 오염방지물질이 증착되는 처리물의 양과 처리속도의 조절이 가능하다. Contamination preventing material deposition apparatus and deposition method capable of a continuous process according to the present invention, it is possible to continuously supply the anti-fouling material used during the process in the form of gas. Therefore, unlike the pellet-type feeding method used in the prior art, the process of manually supplying the pellets is not required in every process, and the control of the pollution prevention material supplied is possible, so that the amount of treatment material and the treatment speed at which the pollution prevention material is deposited is increased. Adjustable
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질이 증착되는 처리물을 하단부에 탈착이 용이한 형태로 배치할 수 있게 한다. 따라서 증착 방식의 구조상 처리물을 하단에 배치하기 어려우며,제품을 고정하는 별도의 방식이 필요했던 기존의 방식과 달리 자동화가 용이하다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process according to the present invention, it is possible to arrange the processed material on which the anti-fouling material is deposited in a form that can be easily removable. Therefore, it is difficult to place the processing material at the bottom due to the structure of the deposition method, and unlike the conventional method that required a separate method of fixing the product, the automation is easy.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질을 증착하는 공정과 다른공정과의 인라인(in-line)화를 용이하게 할 수 있다. 따라서 다른 공정과 연계하여 자동화가 용이하며, 제품 생산의 효율성을 향상시킬 수 있다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process according to the present invention can facilitate the in-line of the process of depositing the anti-fouling material and other processes. Therefore, it is easy to automate in conjunction with other processes and improve the efficiency of product production.
그리고, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 소량의 처리물을 짧은 시간에 연속적으로 처리할 수 있는 형태로도 공정의 구성을 가능하게 할 수 있다. 따라서 다른 공정과의 연계가 용이하며, 장비를 소형으로 구성할 수 있어 공간 활용을 효율적으로 할 수 있다.
In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process according to the present invention can enable the configuration of the process even in the form that can continuously process a small amount of the processed material in a short time. Therefore, it is easy to link with other processes, and the equipment can be configured in a small size, thus making efficient use of space.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 2는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 3은, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 4는, 도 3과는 다른, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 5는, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법에 관한 흐름도이다. 1 is a block diagram showing a configuration of a pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a block diagram showing the configuration of a pollution preventing material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention.
Figure 3 is a block diagram showing the configuration of a pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention.
4 is a block diagram showing a configuration of an apparatus for depositing an anti-pollution material in a continuous process according to still another embodiment of the present invention, different from FIG. 3.
5 is a flowchart illustrating a method for depositing an antifouling material capable of a continuous process according to the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치 및 증착방법을 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an apparatus and a method for depositing a pollution prevention material capable of a continuous process according to the present invention. The embodiments are provided so that those skilled in the art can easily understand the technical spirit of the present invention, and thus the present invention is not limited thereto. In addition, matters represented in the accompanying drawings may be different from the form actually embodied in the schematic drawings in order to easily explain the embodiments of the present invention.
이하, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, referring to FIG. 1, a contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing the configuration of a pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 플라즈마 발생영역(700)을 포함하는 진공챔버(300), 상기 진공챔버(300) 상부에 배치되고 전력을 공급받아 플라즈마를 발생시키는 전극부(400), 상기 전극부(400)에 전력을 공급하는 전원부(500), 상기 진공챔버(300)에 오염방지물질을 기체의 형태로 공급하는 가스주입부(200), 및 상기 전극부(400)에 대향하는 상기 진공챔버(300) 하부에 배치되고 처리물(110)을 고정한 후에 이동시키는 처리물이송부(100)를 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 1, the apparatus for depositing an antifouling material in a continuous process according to an embodiment of the present invention may include a
여기서, 상기 오염방지물질은, 물체의 표면에서 발생될 수 있는 지문에 의한 오염이나 주변환경에 의한 스크래치(scratch) 등을 방지하는 물질로써, 바람직하게는 터치스크린 등의 표시장치 표면에서 발생할 수 있는 오염을 방지하는 물질을 의미한다. 이러한 오염방지물질은, 바람직하게는 플로오로실란(fluorosilnae)으로 구성할 수 있는데, 대표적으로 다우코닝(Dowcorning)사의 2634가 오염방지물질로 사용될 수 있다.
Here, the anti-pollution material is a material that prevents contamination by fingerprints or scratches caused by the surrounding environment, which may occur on the surface of an object, and preferably may occur on the surface of a display device such as a touch screen. Means a material to prevent contamination. Such an antifouling material, preferably fluorosilnae (fluorosilnae) may be composed, typically Dow Corning (Dowcorning) 2634 may be used as an antifouling material.
상기 가스주입부(200)는, 상기 진공챔버(300)에 공정가스를 공급하는 구성으로써, 공정에 필요한 가스와 상기 처리물(110)에 증착시킬 물질들을 기체의 형태로 공급하며, 특히 오염방지물질을 기체의 형태로 공급할 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 기존의 펠릿 형태의 공급과 달리, 오염방지물질을 연속적으로 공급할 수 있고, 처리되는 처리물(110)에 따른 오염방지물질의 공급조절이 가능하다.The
상기 가스주입부(200)는 가스공급장치(210) 및 가스노즐(220)을 포함하여 구성될 수 있는데, 먼저, 상기 가스공급장치(210)는 상기 오염방지물질을 기화시켜서 기체의 형태로 공급하는 구성이다. 여기서 상기 오염방지물질의 기화방식은 바람직하게는 가열방식을 통해 기화되어 공급될 수 있는데, 가열 방식뿐만 아니라 압력변화 등 오염방지 물질의 상태를 변화시킬 수 있는 모든 방식이 이용될 수 있다. The
다음으로, 상기 가스노즐(220)은 상기 오염방지물질을 상기 진공챔버(300) 내부에 공급하는 구성으로써, 상기 가스공급장치(210)로부터 전달되는 공정가스를 상기 진공챔버(300)에 공급하는 역할을 하는 구성이다. 이러한 상기 가스노즐(220)은 상기 진공챔버(300) 내에 배치되는데, 증착 공정의 효율향상을 위해서 상기 전극부(400)와 가까이에 배치되는 것이 바람직하다. Next, the
한편, 상기 가스주입부(200)가 공급하는 오염방지물질은 바람직하게는 플로오로실란(fluorosilnae)으로 구성할 수 있는데, 대표적으로 다우코닝(Dowcorning)사의 2634를 오염방지물질로 사용할 수 있다. On the other hand, the pollution prevention material supplied by the
또한, 상기 처리물(110)이 유리(glass)인 경우에는, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 이산화규소(SiO2)를 선택적으로 증착할 수도 있는데, 이 경우에는 상기 가스주입부(200)에 의해 실리콘이 포함된 가스가 상기 진공챔버(300) 속으로 공급되게 된다. 이러한 실리콘이 포함된 가스는, 실란(silane), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 또는 TMOS(Tetramethylorthosilicate)로 구성될 수 있으며 상기 오염방지물질의 공급 이전에 상기 진공챔버(300)에 공급되게 된다.
In addition, when the
상기 처리물이송부(100)는, 상기 오염방지물질이 증착되는 처리물(110)을 장착하고 공정의 진행과정에 따라 상기 처리물(110)을 상기 진공챔버(300) 내부에서 이동시키는 역할을 하는 구성이다. The
이러한 처리물이송부(100)는 상기 진공챔버(300) 내에서 이동가능한 형태로 배치되게 되는데, 바람직하게는 증착 공정 중에 일직선 방향으로 왕복운동이 가능한 형태로 구성될 수 있다. 이러한 왕복운동을 통해 상기 오염방지물질의 증착 효율을 증가시킬 수 있고, 상기 오염물질을 상기 처리물(110) 표면 전체에 균일하게 형성할 수 있기 때문이다. The
또한, 상기 처리물이송부(100)는 증착공정이 일어나는 상기 진공챔버(300)의 하부에 위치하는 것이 바람직한데, 상기 오염방지물질을 펠릿 형태로 공급하던 종래의 방식과 달리 상기 처리물(110)의 하부 배치가 용이하기 때문이다. 이러한 상기 처리물이송부(100)의 하부 배치는 처리물이송부(100)의 이동성과 결합하여 증착 공정의 자동화를 가능하게 하며, 에칭 등의 다른 공정과의 인라인(in-line)화를 가능하게 한다.
In addition, the treatment
상기 처리물(110)은, 지문이나 스크래치(scratch) 등의 오염을 방지할 필요가 있는 대상으로써, 디스플레이 패널(Display Panel)이나 필름(Film)이 이에 해당할 수 있다. 이러한 처리물(110)의 재질은 PET(Poly Ethylene Terephthalate), PC(Poly Carbonate), PMMA(Poly Methyl Methacrylate)등일 수 있는데, 바람직하게는 유리(glass)로 구성될 수 있으며, 강화 글라스도 상기 처리물(110)에 해당할 수 있다.
The processed
상기 진공챔버(300)는, 상기 증착 공정이 진행되는 공간을 제공하는 구성으로써, 상기 증착장치의 구성요소 전부 혹은 일부를 구비하며, 내부가 진공으로 유지되는 챔버를 의미한다.The
상기 진공챔버(300)는, 접지선(310)이 연결된 형태로도 구성될 수 있는데, 접지선(310)이 연결된 상기 진공챔버(300)는 플라즈마 발생을 위한 접지전극의 역할을 수행하게 된다.The
상기 전극부(400)는, 상기 전원부(500)로부터 전력을 공급받아 플라즈마 방전을 일으키는 구성으로써, 상기 진공챔버(300) 내부에서 상기 전원부(500)와 전기적으로 연결된 형태로 배치가 된다. The
상기 전극부(400)에 상기 전원부(500)로부터 전력이 공급이 되면, 플라즈마 방전이 일어나서 플라즈마가 발생하게 되는데, 이러한 플라즈마는 상기 오염방지물질의 증착 이전에 상기 처리물(110)을 전처리하는 데에 이용되거나, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 다른 물질을 증착하는 데에 이용된다. 구체적으로, 상기 처리물(110)을 플라즈마로 전처리하여 상기 처리물(110) 표면의 접촉각 및 접촉력을 향상시키는 데에 이용되며, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 다른 물질을 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방식을 통해 증착시키는 데에 이용된다.When electric power is supplied to the
한편, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 이루어지는 다른 물질의 증착은, 상기 처리물(110)과 상기 오염방지물질의 반응성에 따라 선택적으로 이루어질 수 있는데, 대표적으로, 상기 처리물(110)이 유리(glass)일 경우에는 이산화규소(SiO2)층이 상기 오염방지물의 증착 이전에 상기 처리물(110)에 증착될 수 있다. 이러한 물질은 상기 처리물(110)에 먼저 증착되어서 상기 오염방지물질의 증착을 용이하게 하는 역할을 한다.
Meanwhile, the deposition of another material prior to the deposition of the antifouling material may be selectively performed according to the reactivity of the
상기 전원부(500)는, 플라즈마 방전을 위한 전력을 상기 전극부(400)에 제공하는 구성으로써, 상기 전극부(400)와 전기적으로 연결되며, 상기 전극부(400)의 플라즈마 발생을 위한 전력을 공급하는 구성이다.The
이러한 상기 전원부(500)는, 상기 전원부(500)는, DC 전원, MF 전원, RF 전원, pulse 전원 등 다양한 형태로 구성될 수 있는데, 이러한 형태로 상기 진공챔버(300) 내부 혹은 외부에 배치될 수 있다.
The
이상에서 살핀, 본 발명의 일 실시예에 따른, 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 공정과정 중에 사용되는 오염방지물질을 기체의 형태로 연속적으로 공급할 수 있게 한다. 따라서, 종래에 사용되던 펠릿 형태의 공급방식과 달리, 매 공정마다 펠릿을 수동적으로 공급하는 과정이 필요치 않으며, 공급되는 오염방지물질의 조절이 가능하므로 오염방지물질이 증착되는 처리물(110)의 양과 처리속도의 조절이 가능하다. Salping as described above, according to an embodiment of the present invention, the continuous process is possible pollution prevention material deposition apparatus, it is possible to continuously supply the pollution prevention material used in the process in the form of a gas. Therefore, unlike the pellet-type supply method used in the related art, the process of manually supplying the pellets is not required in every process, and since it is possible to control the supplied antifouling material, Volume and processing speed can be adjusted.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른, 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질이 증착되는 처리물(110)을 하단부에 탈착이 용이한 형태로 배치할 수 있게 한다. 따라서 증착 방식의 구조상 처리물(110)을 하단에 배치하기 어려우며,제품을 고정하는 별도의 방식이 필요했던 기존의 방식과 달리 자동화가 용이하다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process, it is possible to arrange the processed
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른, 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착장치 및 증착방법은, 오염방지물질을 증착하는 공정과 다른공정과의 인라인(in-line)화를 용이하게 할 수 있다. 따라서 다른 공정과 연계하여 자동화가 용이하며, 제품 생산의 효율성을 향상시킬 수 있다.
In addition, the deposition apparatus and the deposition method of the anti-fouling material capable of a continuous process, according to an embodiment of the present invention, can facilitate the in-line of the process of depositing the anti-fouling material and other processes. have. Therefore, it is easy to automate in conjunction with other processes and improve the efficiency of product production.
이하, 도 2를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, referring to FIG. 2, an apparatus for depositing an antifouling material capable of performing a continuous process according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
도 2는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.Figure 2 is a block diagram showing the configuration of a pollution preventing material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 전극부(400)가 복수 개의 전극봉 형태로 구성하고, 상기 전원부(500)를 교류 전원으로 구성할 수 있다. Referring to FIG. 2, according to another embodiment of the present invention, in an apparatus for depositing an anti-pollution material in a continuous process, the
이러한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 전극부(400)의 형태와 상기 전원부(500)의 형태를 한정한 점에서 도 1의 개시발명과 차이가 있는데, 이러한 구성요소의 한정을 통해 상기 처리물(110)의 표면에서 발생하는 데미지(damage)를 줄일 수 있다는 장점을 추가적으로 얻을 수 있다. Such a contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention is different from the disclosed invention of FIG. 1 in that the shape of the
구체적으로 살펴보면, 상기 전극부(400)를 두 개의 전극봉으로 구성하고, 상기 전원부(500)를 교류전원, 바람직하는 MF전원으로 구성한 후에 상기 전극부(400)에 전원을 인가하면, 플라즈마 발생을 위한 방전이 두 개의 전극봉 사이에만 일어나게 된다. 따라서 처리물이송부(100)와 상기 전극부(400) 사이의 방전이 줄어들게 되고, 이러한 방전에 의해서 생길 수 있는 처리물(110)의 데미지(damage)를 방지할 수 있게 된다.
Specifically, when the
이하, 도 3을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, referring to FIG. 3, an apparatus for depositing an antifouling material capable of performing a continuous process according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
도 3은, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.Figure 3 is a block diagram showing the configuration of a pollution prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 처리물이송부(100)를 고정하고, 대신에 상기 가스노즐(220)을 이동시키는 형태로 구성할 수 있다. 또한, 상기 전극부(400)의 형태도 고정되는 캐리어 전체를 커버할 수 있는 망(mesh) 전극 형태로 구성할 수 있다.
Referring to FIG. 3, the apparatus for depositing an anti-fouling material in a continuous process according to another embodiment of the present invention may fix the
여기서, 상기 가스노즐(220)은 상기 가스공급장치(210)로부터 전달되는 기체형태의 오염방지물질을 상기 처리물(110)에 공급하여 증착시키며, 이동성까지 추가되어 상기 오염방지물질의 증착을 더욱 균일하게 한다. 또한, 상기 망(mesh)전극은 플라즈마를 발생시켜 상기 고정된 처리물(110) 전체를 전처리하며, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 반응성에 따라 선택적으로 증착되는 다른물질을 PECVD로 증착시키는 공정에도 이용된다.
Here, the
이러한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 처리물이송부(100) 대신에 상기 가스노즐(220)을 이동시키고, 상기 전극부(400)의 형태를 망(mesh) 전극으로 구성한 점에서 도 1의 개시발명과 차이가 있는데, 이러한 구성상의 차이를 통해 처리 장비의 사이즈(size)를 줄일 수 있다는 장점을 추가적으로 얻을 수 있다. 상기 처리물이송부(100)의 이동을 위한 공간확보가 불필요하기 때문이다. Such a contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention moves the
따라서, 소량의 처리물(110)을 짧은 시간에 연속적으로 처리할 수 있는 형태로 공정을 구성할 수 있고, 다른 공정과의 연계가 용이하며, 장비를 소형으로 구성할 수 있어 공간 활용을 효율적으로 할 수 있다.
Therefore, the process can be configured in a form that can continuously process a small amount of the
이하, 도 4을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, referring to FIG. 4, a contamination prevention material deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention will be described in detail.
도 4는, 도 3과는 다른, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치의 구성을 나타내는 구성도이다.4 is a block diagram showing a configuration of an apparatus for depositing an anti-pollution material in a continuous process according to still another embodiment of the present invention, different from FIG. 3.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착장치는, 상기 진공챔버(300)와 분리된 전처리 진공챔버(600) 및 상기 진공챔버(300)와 상기 전처리 진공챔버(600)를 연결시키고, 상기 처리물이송부(100)가 통과하게 되는 챔버게이트(610)를 더 포함할 수 있으며, 상기 진공챔버(300)의 체적을 상기 전처리 진공챔버(600)의 체적보다 작은 형태로 구성할 수 있다.
Referring to FIG. 4, the apparatus for depositing an antifouling material in a continuous process according to another embodiment of the present invention may include a
여기서, 상기 전처리 진공챔버(600)는, 상기 진공챔버(300)와 분리되는 또 하나의 진공챔버(300)로써, 상기 오염방지물질의 증착 이외의 공정들이 이루어지는 구성이다. Here, the
이러한 전처리 진공챔버(600)에서는, 대표적으로 상기 처리물(110)을 플라즈마 처리하는 공정 및 상기 오염방지물질 이외의 물질의 증착 공정이 이루어지게 되는데, 여기서 상기 처리물(110)의 전처리 공정은 상기 처리물(110)의 표면을 플라즈마로 활성화시켜 상기 오염방지물질의 증착을 용이하게 하는 공정이다. 또한, 상기 오염방지물질 이외 물질의 증착 공정은, 상기 처리물(110)과 상기 오염방지물질의 반응성에 따라 선택적으로 이루어지는 공정으로, 상기 오염방지물질의 증착을 용이하게 하는 물질을 상기 처리물(110) 위에 증착시키는 공정인데, 대표적으로 상기 처리물(110)이 유리(glass)일 경우에 이산화규소(SiO2)층이 상기 오염방지물의 증착 이전에 상기 처리물(110)에 증착될 수 있다.
In the
상기 챔버게이트(610)는, 분리된 형태로 구성되는 상기 전처리 진공챔버(600)와 사익 진공챔버(300)를 연결시키는 구성으로써, 개폐가 가능한 형태로 구성되며, 상기 처리물이송부(100)가 두 챔버 사이를 이동할 수 있도록 하는 게이트(gate)이다.
The
이러한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연속공정이 가능한 증착장치는, 상기 오염방지물질의 증착 공정 이외의 공정들이 모두 상기 전처리 진공챔버(600)에서 이루어지도록 구성하여, 상기 진공챔버(300)에서는 상기 오염방지물질의 증착 공정만이 이루어지도록 한다. Such a deposition apparatus capable of a continuous process according to another embodiment of the present invention is configured such that all processes other than the deposition process of the antifouling material are performed in the
또한, 상기 오염방지물질의 증착 공정만이 이루어지는 상기 진공챔버(300)의 체적을 더욱 축소하여 구성된다. In addition, it is configured to further reduce the volume of the
따라서, 상기 오염방지 물질의 사용효율을 더욱 증가시킬 수 있는데, 이러한 사용효율의 증가는 상기 오염방지물질이 고가의 물질인 점에서 공정상의 큰 이점으로 작용할 수 있다.
Therefore, the use efficiency of the anti-pollution material can be further increased, and this increase in the use efficiency may act as a big advantage in the process in that the anti-pollution material is an expensive material.
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법을 상세하게 설명한다.
Hereinafter, with reference to Figure 5 will be described in detail a method for depositing a pollution prevention material capable of a continuous process according to the present invention.
참고로, 이하에서 살필 S10 내지 S13 단계들의 순서는, 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 상기 S10 내지 S13 단계들을 다른 순서로 조합하여도 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법의 기술사상이 달성될 수 있다.
For reference, the following sequence of steps S10 to S13 are disclosed for the purpose of illustration, and the technical concept of the method for depositing an anti-pollution material capable of a continuous process according to the present invention may be combined even if the steps S10 to S13 are combined in different orders. This can be achieved.
도 5는, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법에 관한 흐름도이다.
5 is a flowchart illustrating a method for depositing an antifouling material capable of a continuous process according to the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은 먼저, 처리물(110)을 고정시킨 처리물이송부(100)가 진공챔버(300) 하부에 배치되는 단계를 포함한다.(S10)Referring to FIG. 5, the method for depositing a contaminant-preventable material in a continuous process according to the present invention may include a step of firstly disposing a
여기서 상기 처리물이송부(100)는, 오염방지물질이 증착될 처리물(110)을 장착하고, 상기 진공챔버(300) 하부에서 이동가능한 형태로 구성되는데, 직선운동뿐만 아니라 증착 공정과정 중의 왕복운동까지도 가능한 형태로 구성되는 것이 바람직하다. Here, the
또한, 상기 S10단계는 상기 처리물이송부(100)가 에칭 등의 다른공정을 거친 후에 연속적으로 진입하게 되는 공정단계로도 구성될 수 있다.
In addition, the step S10 may also be configured as a process step that is continuously entered after the
상기 S10 단계 이후에는, 진공챔버(300) 내부에 플라즈마를 발생시키게 되며, 상기 처리물이송부(100)에 장착된 처리물(110)의 표면을 플라즈마 처리하게 된다.(S11) After the step S10, the plasma is generated inside the
이러한 상기 처리물(110) 표면의 플라즈마 처리는, 상기 처리물(110)의 표면을 활성화시켜 증착을 용이하게 하기 위한 공정으로, 플라즈마 발생영역(700)으로 상기 처리물이송부(100)를 이동시키면서 공정이 진행되는데, 바람직하게는 상기 처리물이송부(100)를 상기 플라즈마 발생영역(700)에 진입시킨 후에 왕복운동을 하도록 하면서 진행할 수 있다.The plasma treatment of the surface of the
이러한 상기 처리물이송부(100)의 왕복운동을 통해, 상기 처리물이송부(100)에 장착된 모든 처리물(110)에 균일한 플라즈마 처리가 가해질 수 있기 때문이다. This is because a uniform plasma treatment may be applied to all of the
상기 S11 단계 이후에는, 상기 오염방지물질의 증착을 위한 공정들이 진행되는데, 본격적인 상기 오염방지물질의 증착 공정 이전에, 선택적으로 다른 물질을 먼저 증착시키는 공정을 포함할 수 있다. 상기 오염방지물질과 상기 처리물(110)의 반응성이 좋지 않은 경우에는, 상기 처리물(110)과 상기 오염방지물질 사이에 증착을 위한 중간층을 형성할 필요가 있기 때문이다. After the step S11, processes for depositing the antifouling material are performed, and may include a step of selectively depositing another material before the deposition process of the antifouling material in earnest. This is because when the reactivity of the antifouling material and the
대표적으로 상기 처리물(110)이 유리(glass)인 경우에, 상기 유리와 상기 오염방지물질과의 반응성에 따라 이산화규소(SiO2)층을 형성할 수 있으며, 이 경우 상기 유리에 이산화규소(SiO2)층을 먼저 증착하고 상기 오염물질을 증착하게 된다. Typically, when the
상기 이산화규소(SiO2)층의 증착은, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)등의 화학기상증착(CVP, Chemical Vapor Deposition) 방식을 통해 이루어 지는 것이 바람직한데, 구체적으로, 상기 진공챔버(300)에 실리콘이 포함된 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜 이산화규소(SiO2)층을 증착하게 된다.
The deposition of the silicon dioxide (SiO 2 ) layer is preferably performed through a chemical vapor deposition (CVP) method such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), specifically, the
상기 S11 단계에 의해 상기 처리물(110)의 표면이 플라즈마 처리되거나, 선택적인 증착공정을 통해 상기 처리물(110)에 중간층이 증착되면, 상기 진공챔버(300) 내부로 기체 형태의 오염방지물질이 공급이 되게 된다.(S12) When the surface of the
즉, 상기 기체 형태의 오염방지물질이 펠릿 형태로 상기 진공챔버(300) 내부에 공급하는 것이 아니라, 상기 진공챔버(300) 외부에서 가열이나 압력의 변화에 의해 기화된 이후에 상기 진공챔버(300) 내부로 공급되게 된다. That is, the anti-contamination material in the form of gas is not supplied into the
여기서, 상기 오염방지물질은 바람직하게는 플로오로실란(fluorosilnae)으로 구성할 수 있으며, 대표적으로 다우코닝(Dowcorning)사의 2634를 오염방지물질로 사용할 수 있다.
Here, the antifouling material may be preferably composed of fluorosilnae, and representatively, Dow Corning's 2634 may be used as an antifouling material.
상기 S12단계 이후에는, 상기 처리물(110)을 상기 진공챔버(300) 내에서 이동시키면서 상기 처리물(110) 표면에 상기 오염방지물질을 증착하게 되는데, 이러한 상기 오염방지물질의 증착은 기체상태로 공급된 상기 오염방지물질이 상기 처리물(110)의 표면과 반응하여 이루어진다. (S13)After the step S12, while moving the
이 경우, 상기 처리물(110)을 이동시키는 상기 처리물이송부(100)는 상기 오염방지물질이 유입되는 가스주입부(200) 부근에서 왕복운동을 하면서 상기 오염방지물질을 증착시키는 것이 바람직한데, 이러한 왕복 운동에 의해 모든 처리물(110)을 균일하게 증착시킬 수 있기 때문이다. In this case, it is preferable that the treatment
한편, 상기 처리물(110)이 유리인 경우에는, 상기에서 언급했듯이 반응성에 따라 상기 유리 위에 이산화규소(SiO2)이 증착될 수 있는데, 이 경우, 상기 이산화규소(SiO2)층 위에 상기 오염방지물질이 증착되는 것을 가속화시키기 위한 촉매를 투입할 수 있다. 대표적으로 암모니아(NH3OH)가 이러한 반응촉매로 이용될 수 있으며, 이러한 촉매의 투입에 의해 상기 오염방지물질과 이산화규소(SiO2)의 반응이 가속화된다.
On the other hand, when the
이상에서 살핀, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지물질 증착방법은, 공정과정 중에 사용되는 오염방지물질을 기체의 형태로 연속적으로 공급한다. 따라서, 종래에 사용되던 펠릿 형태의 공급방식과 달리, 매 공정마다 펠릿을 수동적으로 공급하는 과정이 필요치 않으며, 공급되는 오염방지물질의 조절이 가능하므로 오염방지물질이 증착되는 처리물(110)의 양과 처리속도의 조절이 가능하다. Salping as described above, the method for depositing an antifouling material capable of a continuous process according to the present invention continuously supplies the antifouling material used during the process in the form of a gas. Therefore, unlike the pellet-type supply method used in the related art, the process of manually supplying the pellets is not required in every process, and since it is possible to control the supplied antifouling material, Volume and processing speed can be adjusted.
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착방법은, 오염방지물질이 증착되는 처리물(110)을 하단부에 탈착이 용이한 형태로 배치한다. 따라서 증착 방식의 구조상 처리물(110)을 하단에 배치하기 어려우며,제품을 고정하는 별도의 방식이 필요했던 기존의 방식과 달리 자동화가 용이하다. In addition, according to the present invention, the method for depositing a pollution prevention material capable of a continuous process includes disposing the processed
또한, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착방법은, 오염방지물질을 증착하는 공정과 다른공정과의 인라인(in-line)화를 용이하게 한다. 따라서 다른 공정과 연계하여 자동화가 용이하며, 제품 생산의 효율성을 향상시킬 수 있다. In addition, the method of depositing an antifouling material capable of a continuous process according to the present invention facilitates in-line formation of a process of depositing an antifouling material with another process. Therefore, it is easy to automate in conjunction with other processes and improve the efficiency of product production.
그리고, 본 발명에 따른 연속공정이 가능한 오염방지 물질의 증착방법은, 소량의 처리물(110)을 짧은 시간에 연속적으로 처리할 수 있는 형태로도 공정의 구성이 가능하다. 투입되는 처리물에 따라 기체형태인 오염방지물질을 조절하여 공급할 수 있기 때문이다. 따라서 다른 공정과의 연계가 용이하며, 장비를 소형으로 구성할 수 있어 공간 활용을 효율적으로 할 수 있다. In addition, in the method for depositing a pollution prevention material that can be continuously processed according to the present invention, the process can be configured even in a form in which a small amount of the processed
위에서 설명된 본 발명의 실시 예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 본 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the spirit and scope of the invention, , Changes and additions should be considered to fall within the scope of the claims of this patent.
100 : 처리물이송부 110 : 처리물
200 : 가스주입부 210 : 가스공급장치
220 : 가스노즐 300 : 진공챔버
310 : 접지선 400 : 전극부
500 : 전원부 600 : 전처리 진공챔버
610 : 챔버게이트 700 : 플라즈마 발생영역 100: processing material transfer unit 110: processing material
200: gas injection unit 210: gas supply device
220: gas nozzle 300: vacuum chamber
310: ground wire 400: electrode portion
500: power supply 600: pretreatment vacuum chamber
610: chamber gate 700: plasma generating region
Claims (16)
상기 진공챔버 내부에 배치되며, 전력을 공급받아 플라즈마를 발생시키는 전극부;
상기 전극부에 전력을 공급하는 전원부;
상기 진공챔버에 오염방지물질을 기체의 형태로 공급하는 가스주입부; 및
상기 진공챔버의 하부에 배치되고, 처리물을 고정한 후에 이동시키는 처리물이송부;
를 포함하여,
증착되는 상기 오염방지물질을 기체의 형태로 공급할 수 있고, 상기 오염방지물질이 증착되는 처리물을 상기 진공챔버의 하부에 배치할 수 있는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
A vacuum chamber including a plasma generation region;
An electrode part disposed inside the vacuum chamber and configured to generate electric power by receiving electric power;
A power supply unit supplying power to the electrode unit;
A gas injection unit supplying the antifouling material to the vacuum chamber in the form of a gas; And
A workpiece transfer part disposed below the vacuum chamber and configured to move the fixed workpiece after the workpiece is fixed;
Including,
The pollutant to be deposited may be supplied in the form of a gas, and the treatment material on which the pollutant is deposited may be disposed under the vacuum chamber.
상기 처리물이송부는, 증착과정 중에 일직선 방향으로 왕복운동을 하는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
The workpiece transport unit, characterized in that the reciprocating movement in a straight direction during the deposition process, pollution prevention material deposition apparatus.
상기 가스주입부는,
상기 오염방지물질을 기화시켜서 기체의 형태로 공급하는 가스공급장치; 및
상기 오염방지물질을 상기 진공챔버 내부에 공급하는 가스노즐;
을 포함하는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
The gas injection unit,
A gas supply device which vaporizes the pollution prevention material and supplies the gas in the form of a gas; And
A gas nozzle for supplying the antifouling material to the inside of the vacuum chamber;
Characterized in that, comprising a pollution prevention material deposition apparatus.
상기 오염방지물질은 플루오로실란(fluorosilane)인 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
The antifouling material is characterized in that the fluorosilane (fluorosilane), anti-fouling material deposition apparatus.
상기 처리물은 유리(glass)인 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
And the treated material is glass.
상기 가스주입부는,
상기 오염방지물질을 공급하기 이전에, 실리콘을 포함하는 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 5, wherein
The gas injection unit,
Prior to supplying the antifouling material, characterized in that for supplying a gas containing silicon, antifouling material deposition apparatus.
상기 실리콘을 포함하는 가스는,
실란(silane), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 또는 TMOS(Tetramethylorthosilicate)인 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method according to claim 6,
The gas containing silicon,
A silane, Hexamethyldisiloxane (HMDSO), Tetraethyl orthosilicate (TEOS) or Tetramethylorthosilicate (TMOS), Anti-pollution material deposition apparatus.
상기 전극부가 복수 개의 전극봉 형태로 구성되고,
상기 전원부가 교류 전원으로 구성되어서,
상기 전극부와 상기 처리물이송부 사이에 방전이 이루어지지 않는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
The electrode portion is composed of a plurality of electrode rods,
The power supply unit is composed of an AC power supply,
Discharge between the electrode portion and the workpiece transfer portion, characterized in that the pollution prevention material deposition apparatus.
상기 전극부가 망 전극(mesh electrode) 형태로 구성되고,
상기 처리물이송부가 상기 진공챔버 내부에 고정되며,
상기 가스주입부가 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
The electrode portion is configured in the form of a mesh electrode (mesh electrode),
The workpiece transfer part is fixed inside the vacuum chamber,
The gas injection unit, characterized in that the movement, pollution prevention material deposition apparatus.
상기 진공챔버와 분리된 전처리 진공챔버; 및
상기 진공챔버와 상기 전처리 진공챔버를 연결시키고, 상기 처리물이송부가 통과하게 되는 챔버게이트;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
The method of claim 1,
A pretreatment vacuum chamber separated from the vacuum chamber; And
A chamber gate connecting the vacuum chamber and the pretreatment vacuum chamber and passing through the workpiece transfer part;
Characterized in that, further comprising, pollution prevention material deposition apparatus.
상기 처리물은 유리(glass)이고,
상기 전처리 진공챔버에서, 상기 오염방지물질의 증착 이전에 이산화규소(SiO2)층을 증착하는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착장치.
11. The method of claim 10,
The treated material is glass,
In the pretreatment vacuum chamber, depositing a silicon dioxide (SiO 2 ) layer prior to deposition of the antifouling material.
상기 진공챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜서, 상기 처리물의 표면을 플라즈마처리하는 단계;
가스주입부가 기체 형태의 오염방지물질을 상기 진공챔버 내부에 공급하는 단계;
상기 처리물이송부를 이동시키면서 상기 처리물 표면에 상기 오염방지물질을 증착하는 단계;
를 포함하여,
증착되는 상기 오염방지물질을 기체 형태로 공급할 수 있고, 상기 오염방지물질이 증착되는 처리물을 상기 진공챔버의 하부에 이동가능한 형태로 배치할 수 있는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착방법.
Disposing the workpiece conveying unit to which the workpiece is fixed, under the vacuum chamber;
Generating a plasma inside the vacuum chamber, thereby plasma treating the surface of the workpiece;
Supplying a gas injector to the inside of the vacuum chamber to prevent contamination of a gas;
Depositing the antifouling material on the surface of the workpiece while moving the workpiece transfer part;
Including,
The contaminant to be deposited may be supplied in a gaseous form, and the treatment material on which the contaminant is deposited may be disposed in a movable form below the vacuum chamber.
상기 처리물은 유리(glass)인 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착방법.
13. The method of claim 12,
And the treated material is glass.
상기 유리(glass)의 표면을 플라즈마처리하는 단계 이후에,
상기 진공챔버 내부에, 실리콘을 포함하는 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜서 이산화규소(SiO2)층을 증착하는 단계;
를 더 포함하고,
상기 오염방지물질은, 상기 이산화규소(SiO2)층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착방법.
The method of claim 13,
After plasma treating the surface of the glass,
Depositing a silicon dioxide (SiO 2 ) layer inside the vacuum chamber by supplying a gas containing silicon and generating a plasma;
Further comprising:
The antifouling material, characterized in that deposited on the silicon dioxide (SiO 2 ) layer, anti-fouling material deposition method.
상기 이산화규소(SiO2)층 위에 상기 오염방지물질이 증착되는 것을 가속화시키기 위해, 반응 촉매를 투입하는 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착방법.
15. The method of claim 14,
In order to accelerate the deposition of the antifouling material on the silicon dioxide (SiO 2 ) layer, characterized in that the reaction catalyst is added, pollution prevention material deposition method.
상기 오염방지물질은 플루오로실란(fluorosilane)인 것을 특징으로 하는, 오염방지물질 증착방법.13. The method of claim 12,
The antifouling material is characterized in that the fluorosilane (fluorosilane), anti-fouling material deposition method.
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KR101472356B1 (en) * | 2014-04-02 | 2014-12-15 | 주식회사 제이앤티씨 | A glass with the antibacterial function and its manufacturing method |
KR101487309B1 (en) * | 2014-04-02 | 2015-01-30 | 주식회사 제이앤티씨 | A glass with the antibacterial function and its manufacturing method |
KR20160092242A (en) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 전남대학교산학협력단 | Simplified bus voltage estimation method for changes in sending end voltage at radial network and estimation program |
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2011
- 2011-05-27 KR KR1020110050724A patent/KR20120132107A/en not_active Application Discontinuation
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