KR20120131856A - 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120131856A
KR20120131856A KR1020110050314A KR20110050314A KR20120131856A KR 20120131856 A KR20120131856 A KR 20120131856A KR 1020110050314 A KR1020110050314 A KR 1020110050314A KR 20110050314 A KR20110050314 A KR 20110050314A KR 20120131856 A KR20120131856 A KR 20120131856A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
alignment
alignment layer
liquid crystal
band
Prior art date
Application number
KR1020110050314A
Other languages
English (en)
Inventor
강석훈
김경태
이준우
전백균
염주석
조수련
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110050314A priority Critical patent/KR20120131856A/ko
Priority to US13/243,829 priority patent/US8530325B2/en
Publication of KR20120131856A publication Critical patent/KR20120131856A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

배향막은 베이스 기판 상에 배향액을 형성하고, 상기 배향액을 경화하여 배향막을 형성한 후, 상기 배향막에 파장 280nm 내지 340nm의 광을 조사하여 상기 배향막을 배향시킴으로써 제조된다. 액정 표시 장치는 상기 배향막 형성 방법을 이용하여 제조할 수 있다.

Description

배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법{METHOD OF FORMING ALIGNMENT LAYER AND FABRICATION METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THE SAME}
본 발명은 배향막 형성 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 장치는 액정층의 특성에 따라 트위스티드 네마틱형 액정 표시 장치, 수평 전계형 액정 표시 장치, 또는 수직 배향형 액정 표시 장치 등으로 구분된다.
상기 수직 배향형 액정 표시 장치는 전기장이 인가되지 않은 상태에서 소정 방향으로 배향되고 액정 분자들의 장축이 상기 기판면에 수직하게 배열된다. 이에 따라, 시야각이 넓고 콘트라스트 비가 크다.
상기 액정 분자들을 전기장이 인가되지 않은 상태에서 소정 방향으로 배향시키기 위한 방법으로는 러빙 방법이나 광 배향 방법이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 광배향법을 이용한 배향막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 배향막 형성 방법을 이용하여 표시 품질이 향상된 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막은 베이스 기판 상에 배향액을 형성하고, 상기 배향액을 경화하여 배향막을 형성한 후, 상기 배향막에 파장 280nm 내지 340nm의 광을 조사하여 상기 배향막을 배향시킴으로써 제조된다.
상기 배향막은 광 반응기를 포함하며, 상기 광 반응기는 상기 광이 조사되면 서로 인접한 반응기와 광 중합 또는 광 이성질 반응을 일으키는 가교형 반응기일 수 있다.
상기 광 반응기는 아조계 화합물, 시나메이트계 화합물, 칼콘계 화합물, 쿠마린계 화합물, 또는 말레이미드계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 광의 노광량은 3mJ 내지 50mJ일 수 있으며, 상기 광의 조사 각도는 상기 대응하는 베이스 기판의 법선을 기준으로 40도 내지 50도일 수 있다. 또한, 상기 광은 선편광된 광 또는 부분 편광된 광일 수 있으며, 상기 광은 10~50mW/cm2의 세기로 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 제1 베이스 기판 상에 제1 배향막을, 제2 베이스 기판 상에 제2 배향막을 형성하고, 상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막 사이에 액정층을 형성하여 제조한다.
여기서, 상기 제1 및 제2 배향막을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 대응하는 베이스 기판 상에 배향막을 형성하고, 상기 배향막에 파장 280nm 내지 340nm의 광을 조사하여 상기 배향막을 배향시키는 것을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배향막 형성 방법을 이용하여 액정 표시 장치의 배향막을 형성하는 경우, 러빙과 같은 별도의 공정없이 용이하게 배향막을 배향할 수 있다. 또한, 광의 조사 방향만 바꿈으로써 상기 배향막의 소정 영역에 서로 다른 배향 방향을 갖는 복수의 도메인을 간단하게 형성할 수 있다. 또한, 액정 표시 장치에 있어서의 잔상, 전압 유지비, 이온 밀도, 공통 전압(Vcom) 쉬프트가 감소된다. 더욱이 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막 형성 방법을 이용하여 액정 표시 장치의 배향막을 형성하는 경우, 원하는 프리틸트 각을 형성하기가 용이하며, 프리틸트의 안정성 또한 우수하며, 그 결과 상기 액정 표시 장치의 두드림 텍스처 불량이 감소한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 레이아웃이다.
도 3은 도 2에 도시된 절단선 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 노광기의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 5은 각 파장 대역에 따른 VHR, ID, 및 프리틸트 각을 나타낸 그래프이다.
도 6는 각 파장 대역에 따른 Vcom 쉬프트 값을 나타낸 그래프이다.
도 7은 파장에 따른 IR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 8은 각 대역 대역에 따른 프리틸트각을 나타낸 것이다.
도 9a는 제5 대역의 광을 노광하였을 때의 화소의 사진이다.
도9b는 제1b 대역의 광을 노광하였을 때의 화소의 사진이다.
도 10a는 상기 제3 대역의 광을 조사하였을 때의 화소를 나타낸 사진
도 10b는 상기 제3 대역의 광을 조사한 기판에 상기 제5e 대역의 광을 추가 조사하였을 때의 화소를 나타낸 사진이다.
도 11는 노광량에 따른 VHR, ID, 및 프리틸트 각을 나타낸 그래프이다.
도 12는 노광량에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 13은 노광량에 따른 프리틸트각의 변화량을 도시한 그래프이다.
도 14a는 노광량 별 프리틸트각을 도시한 것이다.
도 14b는 도 14a의 일부를 확대하여 도시한 그래프이다.
도 15는 노광량에 따른 프리틸트각 측정치를 나타낸 그래프이다.
도 16은 프리틸트각에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 화소의 레이아웃이고, 도 3은 도 2에 도시된 절단선 I-I'를 따라 절단한 단면도이다. 이하의 화소의 레이아웃은 본 발명의 일 실시예로서 설명된 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면 도 2 및 도 3에 도시된 화소와 다른 레이아웃을 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 하나의 화소에 하나의 게이트 라인과 하나의 데이터 라인이 연결될 수 있으며, 또 다른 실시예에서는 하나의 화소에 하나의 게이트 라인과 두 개의 데이터 라인이 연결될 수도 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 복수의 화소들(PX)을 포함하는 제1 기판(100), 제2 기판(200), 및 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 상기 베이스 기판 상에 제공된 다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들, 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들에 연결된 다수의 화소들, 및 상기 화소들 상에 형성된 제1 배향막을 포함한다.
도 2 및 도 3 에서는 설명의 편의를 위하여, 다수의 게이트 라인들 중 n번째 게이트 라인(GLn)과 n+1번째 게이트 라인(GLn+1, 및 m번째 데이터 라인(DLm)과 m+1번째 데이터 라인(DLm+1)과 함께 하나의 화소를 도시하였다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 나머지 화소들도 이와 유사한 구조를 가지며, 이하에서는 n번째 게이트 라인(GLn)과 n+1번째 게이트 라인(GLn+1)을 각각 제1 및 제2 게이트 라인, m번째 데이터 라인(DLm)과 m+1번째 데이터 라인(DLm+1)을 각각 제1 데이터 라인과 제2 데이터 라인으로 지칭한다.
상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GLn, GLn+1)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 방향(D1)으로 서로 평행하게 연장된다. 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DLm, DLm+1)은 상기 제1 방향(D1)에 교차하는 제2 방향(D2)으로 서로 평행하게 연장된다.
각 화소(PX)는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 포함한다. 상기 제1 서브 화소는 제1 박막 트랜지스터(Tr1), 제1 화소 전극(141), 및 제1 스토리지 전극으로 이루어지고, 상기 제2 서브 화소는 제2 박막 트랜지스터(Tr2), 제2 스토리지 전극, 제3 박막 트랜지스터(Tr3), 제2 화소 전극(142), 및 커플링 커패시터 전극(CE1)으로 이루어진다. 상기 제1 및 제2 서브 화소는 서로 인접하는 상기 제1 데이터 라인(DLm) 및 제2 데이터 라인(DLm+1) 사이에 구비된다.
상기 제1 서브 화소의 상기 제1 박막 트랜지스터(Tr1)는 상기 제1 데이터 라인(DLm) 및 제1 게이트 라인(GLn)에 연결된다.
상기 제1 박막 트랜지스터(Tr1)의 제1 게이트 전극(GE1)은 상기 제1 게이트 라인(GLn)으로부터 분기되고, 제1 소스 전극(SE1)은 상기 제1 데이터 라인(DLm)으로부터 분기된다. 상기 제1 박막 트랜지스터(Tr1)의 제1 드레인 전극(DE1)은 제1 화소 전극(141)과 전기적으로 연결된다.
상기 제1 스토리지 전극은 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 스토리지 라인(SLn)과, 상기 제1 스토리지 라인(SLn)으로부터 분기되어 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)을 더 포함한다.
상기 제1 화소 전극(141)은 상기 제1 스토리지 라인(SLn), 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)과 부분적으로 오버랩되어 상기 제1 스토리지 커패시터를 형성한다.
상기 제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 제1 게이트 라인(GLn)으로부터 분기되고, 제2 소스 전극(SE2)은 상기 제1 데이터 라인(DLm)으로부터 분기된다. 상기 제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제2 드레인 전극(DE2)은 제2 화소 전극(142)과 전기적으로 연결된다.
상기 제2 스토리지 전극은 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 스토리지 라인(SLn+1)과, 상기 제2 스토리지 라인(SLn+1)으로부터 분기되어 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제3 및 제4 분기 전극(LSLn+1, RSLn+1)을 더 포함한다.
상기 제2 화소 전극(142)은 상기 제2 스토리지 라인(SLn+1), 제3 및 제4 분기 전극(LSLn+1, RSLn+1)과 부분적으로 오버랩되어 상기 제2 스토리지 커패시터를 형성한다.
상기 제3 박막 트랜지스터(Tr3)의 제3 게이트 전극(GE3)은 상기 제2 게이트 라인(GLn+1)으로부터 분기되고, 제3 소스 전극(SE3)은 상기 제2 드레인 전극(DE2)으로부터 연장되며, 제3 드레인 전극(DE3)은 상기 커플링 커패시터 전극(CE1)에 연결된다. 상기 커플링 커패시터 전극(CE1)은 상기 제2 분기 전극(RSLn)으로부터 연장되어 상기 커플링 커패시터 전극(CE1)과 커플링 커패시터(CCP)를 형성하는 대향 전극(CE2)으로 이루어진다. 그러나, 상기 커플링 커패시터(CCP)의 구조는 여기에 한정되지는 않는다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 기판(100)은 게이트 절연막(151), 제1 보호막(152) 및 제2 보호막(153)을 더 포함한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 제1 보호막(152) 및 상기 제2 보호막의 이중막으로 형성되었으나, 다른 실시예에서는 단일 보호막으로 형성될 수 있으며, 3중막 이상의 다중 보호막으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 배향막(155)은 상기 화소들(PX)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 제공된다. 상기 제1 배향막(155)은 서로 다른 배향 방향을 갖도록 광배향된 복수의 영역들을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서는 상기 복수의 영역들이 제1 내지 제4 도메인(DM1, DM2, DM3, DM4)로 이루어진 것을 일 예로서 표시하였다. 상기 제1 배향막(155)은 상기 제1 내지 제4 도메인(DM1, DM2, DM3, DM4)에 따라 상기 액정층(300)의 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배향시킬 수 있다. 상기 제1 배향막(155)에 대해서는 후술한다.
한편, 상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 블랙 매트릭스(241), 컬러 필터들(R, G, B), 공통 전극(211), 및 제2 배향막(255)을 포함한다.
상기 컬러 필터들(R, G, B) 및 블랙 매트릭스(241)는 상기 제2 절연 기판(210) 상에 구비된다. 상기 공통전극(211) 및 상기 제2 배향막(255)은 상기 컬러 필터들(R, G, B) 및 블랙 매트릭스(241) 상에 순차적으로 구비된다.
상기 컬러 필터들(R, G, B)은 상기 화소 영역들(PA)에 대응하여 구비된다. 각 컬러 필터(R, G, B)는 붉은색(R), 녹색(G) 또는 푸른색(B) 중의 어느 한 색상을 구현할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 컬러 필터들(R, G, B) 사이에 형성되며, 상기 컬러 필터들(R, G, B) 사이의 상기 액정층(300)을 투과하는 광을 차단한다. 상기 공통 전극(211)은 상기 컬러 필터들(R, G, B) 및 블랙 매트릭스(241) 상에 구비된다.
상기 제2 배향막(255)은 상기 공통 전극(211)이 형성된 제2 베이스 기판(210) 상에 제공된다. 상기 제2 배향막(255)은 상기 제1 배향막(155)의 배향 방향에 대응하여, 서로 다른 배향 방향을 갖도록 광배향된 복수의 영역들을 포함한다.
상기 제1 배향막(155)과 상기 제2 배향막(255)은 서로 다른 배향 방향을 갖도록 광배향된 복수의 영역들에 의해 서로 다른 방향으로 배향 방향을 갖는 복수의 도메인들을 가질 수 있다. 여기서, 최종 액정 표시 장치에 있어서 배향 방향은 상기 제1 배향막(155)의 도메인과 상기 제1 배향막(155)에 대응하는 상기 제2 배향먁(255) 도메인에서의 배향 방향의 벡터합일 수 있다. 또한, 상기 복수의 도메인들은 각 화소에 대응될 수 있는 바, 예를 들어, 상기 제1 배향막(155)이 서로 다른 배향 방향을 갖는 상기 제1 내지 제4 도메인(DM1~DM4)을 포함하는 경우, 상기 제1 내지 제4 도메인(DM1~DM4)은 제1 서브 화소와 제2 서브 화소에 각각 대응될 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 배향막(155)과 상기 제2 배향막(255) 사이에 구비된다. 상기 액정층(300)은 수직 배향형 액정 모드이다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명의 다른 실시예에서는 트위스티드 네마틱형 액정 모드일 수도 있다.
다음으로, 상기 제1 배향막(155) 및 제2 배향막(255)에 대해 상세히 설명한다. 상기 액정층(300)에 포함된 액정 분자들은 상기 제1 배향막(155)과 상기 제2 배향막(255)의 특성에 따라 프리틸트 각이 달라진다.
상기 제1 배향막(155) 및 제2 배향막(255)은 주 배향 물질과, 측쇄에 수직 발현기가 포함된 수직 광배향 물질이 혼합되어 있다. 상기 주 배향 물질과 수직 광배향 물질은 미세 상분리(MPS: micro phase separation) 상태에 있다.
상기 수직 광배향 물질은 액정층(300)에 가까운 표면 쪽에 주로 형성되어 있고, 주 배향 물질은 기판(110, 210)에 가까운 쪽에 주로 형성되어 있다. 따라서 제1 배향막(155)은 상기 액정층(300)에 가까운 표면으로 갈수록 상기 주 배향 물질의 몰농도에 대한 상기 수직 광배향 물질의 몰농도의 비율이 커진다. 이때 상기 수직 광배향 물질에 포함되는 수직 발현기(vertical functional group)는 제1 배향막(155)의 표면으로부터 배향막 전체 두께의 대략 20 %에 해당하는 깊이까지 존재할 수 있다.
상기 수직 광배향 물질은 중량 평균 분자량이 대략 1,000-1,000,000 정도되는 고분자 물질로서, 주쇄(main chain)와 상기 주쇄에 연결된 측쇄로 이루어진다. 상기 주쇄는 폴리이미드(polyimide), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리아믹이미드(polyamicimide), 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리 실록산 등 다양한 종류가 하나 이상 포함될 수 있다. 또한 주쇄가 이미드기 등의 고리 구조를 더 많이 포함할수록, 주쇄의 강직도가 강화된다. 따라서 액정 표시 장치를 장기간 구동했을 때 발생하는 얼룩이 감소하고, 배향막의 선경사(pretilt)에 대한 안정성이 강화된다. 나아가 이미드기 등을 약 50 몰% 농도 이상으로 포함할 경우, 얼룩이 더욱 감소하고 배향막의선경사에 대한 안정성이 더욱 강화된다. 또한 선경사의 각도는 대략 85-89.9도이다.
상기 측쇄는 유연기(flexible functional group), 열가소성 작용기(thermoplastic functional group), 광반응기(photo reactive group), 수직 발현기 등을 포함할 수 있다
상기 유연기 또는 상기 열가소성 작용기는 상기 측쇄가 용이하게 배향될 수 있도록 도와주는 작용기이며, 탄소수가 대략 3 내지 20 인 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 알콕시기가 포함될 수 있다.
상기 광반응기는 자외선 등의 조사에 의하여 직접 광중합(photo dimerization) 반응 또는 광이성질(photo isomerization) 반응이 일어나는 작용기이다. 예를 들면, 광반응기는 아조(azo)계 화합물, 시나메이트(cinnamate)계 화합물, 칼콘(chalcone)계 화합물, 쿠마린(coumarin)계 화합물, 말레이미드(maleimide)계 화합물 등을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 수직 발현기는 기판(110, 220)과 평행하게 위치한 주쇄에 대하여 수직 방향으로 측쇄 전체를 이동시키는 작용기이며, 탄소수가 3 내지 10인 알킬기 또는 알콕시기가 치환된 아릴기 또는 탄소수가 3 내지 10인 알킬기 또는 알콕시기가 치환된 사이클로 헥실기를 포함할 수 있다.
상기 수직 광배향 물질은 측쇄로서 유연기, 광반응기, 수직 발현기 등이 결합되어 있는 디아민 등의 단량체가 무수물 산(acid anhydride)등과 함께 고분자 중합 반응을 통하여 제조될 수 있다. 또는 열가소성 작용기, 광반응기, 수직 발현기 등이 결합되어 있는 화합물을 상술한 폴리이미드, 폴리아믹산 등에 첨가하여 제조될 수도 있다. 이 경우 열가소성 작용기가 상기 주쇄에 직접 결합될 수 있다.
상기 주 배향 물질은 상기 주쇄를 포함할 수 있으며, 중량 평균 분자량은 대략 10,000-1,000,000이다. 이때 주 배향 물질이 이미드기 등을 대략 50-80 몰% 농도로 포함할 경우, 액정 표시 장치의 얼룩과 잔상이 더욱 감소한다. 상기 주 배향 물질은 고분자 주쇄에 결합된 측쇄로서 수직 발현기가 약 5 몰%농도 이하로 포함될 수 있다. 상기 주 배향 물질이 수직 발현기를 약 5 몰% 농도 이하로 함유할수록 미세 상분리 구조가 더욱 선명하게 형성되고, 액정 표시 장치의 잔상이 감소한다. 나아가 상기 주 배향 물질이 수직 발현기를 약 2 몰% 농도 이하로 함유하는 경우 액정 표시 장치의 잔상이 더욱 감소한다.
상기 수직 광배향 물질과 상기 주 배향 물질이 혼합된 중량 비율은 대략 5:95-50:50일 수 있다. 상기 수직 광배향 물질이 약 50 중량% 이하로 혼합되는 경우 전압 유지 비율(VHR, voltage holding rate)이 증가하여 액정 표시 장치의 잔상이 감소할 수 있다. 상기 수직 광배향 물질이 약 5 중량% 이상으로 혼합되는 경우 선경사 균일성이 유지되어 액정 표시 장치의 얼룩이 감소한다. 상기 수직 광배향 물질이 약 10-30 중량%로 혼합되는 경우 액정 표시 장치의 잔상과 얼룩이 더욱 감소한다. 아울러 상기 수직 광배향 물질이 적게 혼합될수록 광 반응기가 적어지기 때문에, 불필요한 부산물이 더 적게 생성되어 액정 표시 장치의 잔상이 감소하고 반응 효율이 높아진다. 또한 상기수직 광배향 물질이 적게 혼합될수록 공정 원가를 절감할 수 있다.
상기 수직 광배향 물질과 상기 주 배향 물질의 표면 장력은 각각 대략 25-65 dyne/cm이다. 수직 광배향 물질의 표면 장력은 주 배향 물질의 표면 장력보다 동일하거나 작을 수 있으며, 이 경우 미세 상분리 구조가 더욱 선명하게 형성된다.
그러면, 본 발명의 일 실시예 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 다만 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3의 내용을 참조하여, 전술한 액정 표시 장치의 설명과 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)을 각각 준비하고, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 다수의 게이트 라인들(GLn, GLn+1), 다수의 데이터 라인들(DLm, DLm+1), 상기 게이트 라인들(GLn, GLn+1) 및 상기 데이터 라인들(DLm, DLm+1)에 연결된 다수의 화소들(PX) 등을 형성하고, 상기 화소들(PX) 상에 제1 배향막(155)을 형성하여 제조된다.
먼저, 상기 제1 베이스 기판(110) 위에 상기 게이트 라인들(GLn, GLn+1), 상기 데이터 라인들(DLm, DLm+1), 및 상기 제1 및 제3 박막 트랜지스터들(Tr1, Tr2, Tr3) 등이 형성된다. 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터 (Tr1, Tr2, Tr3)상에 상기 제1 보호막(152) 및 제2 보호막(153)이 형성되고, 상기 제1 및 제2 보호막(152, 153)을 사이에 두고 콘택홀(CH)을 통해 상기 박막 트랜지스터들(Tr1, Tr2, Tr3)과 연결된 화소 전극들(141, 142)이 형성된다. 이 때, 박막 트랜지스터들은 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들을 포함하며, 상기 화소 전극은 상기 제1 박막 트랜지스터에 연결된 제1 화소 전극(141)과, 상기 제2 박막 트랜지스터에 연결된 제2 화소 전극을 포함한다.
다음으로, 상기 제1 및 제2 화소 전극(141, 142)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 제1 배향막(155)이 형성된다. 상기 제1 배향막(155)은 제1 배향액을 상기 제1 기판 상에 도포한 후, 경화하여 형성될 수 있다.
상기 제1 배향액은 상기 수직 광배향 물질과 상기 주 배향 물질의 혼합물일 수 있다. 상기 제1 배향액은 잉크젯 방식 등으로 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 인쇄될 수 있다. 상기 경화는 2단계로 진행될 수 있다. 상기 제1 배향액은 약 70-80도의 온도에서 약 2-3분 동안 예비 경화(pre-bake) 공정이 진행됨으로써 그 내부의 용매가 제거된다. 그 다음, 약 210도 이상의 온도에서 약 10-20분 동안 경화 공정이 진행됨으로써 제1 배향막(155)가 제조된다. 상기 경화 공정을 통해 상기 제1 배향막(155)은 미세 상분리 구조를 형성한다. 이때, 수직 광배향 물질은 상부에 주 배향 물질은 하부에 형성된다.
다음, 상기 제1 배향막(155)에 방향성을 주기 위해 소정 파장의 광을 기판(110)에 수직 방향으로 또는 경사진 방향으로 조사하는 노광 공정이 수행된다. 상기 노광 공정은 약 280nm 내지 약 340nm의 파장을 가지는 광을 약 3mJ 내지 50mJ의 노광량으로 상기 제1 배향막(155)에 조사하는 공정일 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서는, 10mJ 내지 50mJ의 노광량으로 상기 제1 배향막(155)에 조사될 수 있다. 이때, 상기 제1 배향막(155)이 수직 배향 모드로 동작하도록 하는 프리틸트 각을 형성하기 위해, 상기 광은 약 40도 내지 50도의 조사 각도로 상기 제1 배향막(155)에 조사될 수 있다. 또한, 10~50mW/cm2의 노광 세기로 상기 광이 조사될 수 있다. 상기 광은 상기 제1 배향막(155)에 일시에 조사되거나 스캔 방식으로 조사될 수 있다.
상기 광은 상기 280nm 내지 약 340nm의 파장 대역에서 피크를 갖는 램프를 이용하여 제공될 수 있다. 또는 상기 광은 상기 280nm 내지 약 340nm의 파장보다 넓은 파장대역을 갖는 램프를 이용하여 제공될 수 있으나, 이 경우에는 280nm 미만의 광(이하, '단파장 광'으로 지칭한다.)을 차단하는 로우 패스 필터(low pass filter) 및 340nm 초과의 광(이하, '장파장 광'으로 지칭한다)을 차단하는 하이 패스 필터(high pass filter)가 사용될 수 있다.
상기한 파장은 자외선 파장 대역이며, 상기 광은 부분 편광된 자외선(partially polarized ultra violet) 또는 선 편광된 자외선(linearly polarized ultra violet)일 수 있다. 상기 편광된 자외선의 경우, 소광비(즉, P 편광과 S 편광의 비율)가 3:1 내지 200:1인 광일 수 있다. 여기서, 복수의 석영 기판을 사용하여 상기 편광된 광을 제조할 수 있다.
상기 노광 공정에 있어서, 상기 제1 및 제2 배향막(155, 255)을 이루는 재료는 특정 파장의 광, 특히 자외선에 민감하게 반응을 일으키기 때문에 상기 노광 공정 조건을 특정 범위로 한정함으로써 부반응을 방지하거나 제거한다.
상기 제1 및 제2 배향막(155, 255)의 상기 반응에 영향을 미치는 인자로는 파장 영역, 노광량, 조사각도 및 노광 세기가 있다.
상기 파장 영역에 있어서, 상기 파장 영역을 한정하는 이유는, 광배향 재료에 전파장의 자외선을 조사할 경우, 상기 배향막의 부반응에 의해 잔상 및 특성 악화 현상이 발생하기 때문이다. 상기 잔상은 자외선 단파장에 의한 쉽게 발생하며, 장파장으로 갈수록 잔상 영향성은 감소한다. 이에 비해, 배향 각도 및 프리틸트의 안정성은 자외선 장파장에 의해 영향을 받는다.
상기 노광량에 있어서, 상기 액정 분자들의 프리틸트를 형성하기 위하여 최적의 파장을 선정하여 조사하더라도, 선택된 파장 내에서 일부 원하지 않는 부반응이 진행된다. 이에 따라, 노광량 지나치게 증가하면 잔상이 증가하는 문제점이 있으며, 노광량이 부족할 경우에는 프리틸트가 형성되지 않는 문제점이 있다. 또한, 자외선 노광량을 특정 범위 이상으로 증가시킬 경우 잔상이 악화되어, 프리틸트가 원상으로 복귀하지 않는 현상이 증가함과 동시에 투과율 저하가 발생한다. 반면, 자외선 노광량을 특정 범위 이상으로 감소시킬 경우, 프리틸트가 저하되고, 투과율이 감소되며 이에 따라 두드림 텍스처 불량이 발생한다.
상기 노광 각도에 있어서, 특히, 선편광에 있어서, 동일한 에너지를 조사할 경우 상기 제1 및 제2 베이스 기판(110, 210)에 수직한 면에서부터의 조사 각도가 클 경우 프리틸트 형성이 증대된다. 상기 조사 각도가 증가할 수록, 높은 프리틸트 각을 형성할 수 있으며, 노광량이 감소되는 이점이 있다. 그런데, 상기 조사 각도가 클수록 조사 영역의 감소하기 때문에 상기 광을 방출하는 램프 설비의 파워 또는 크기가 증대되어야만 한다. 또한, 배향 형성 시간이 증가하고 배향의 균일성이 감소할 수 있다.
상기 노광 세기에 있어서, 동일 에너지를 기준으로 노광 세기를 다르게 하여 조사하는 경우, 프리틸트, 전압 유지비(VHR; voltage holding ratio), 이온 밀도(ID; ion density) 및 잔상 특성에 큰 유의차가 발생하지는 않는다. 다만, 상기 노광 세기가 낮은 10mW/cm2의 경우는 전기적으로는 실질적으로 동일한 특성을 나타내지만, 프리틸트 형성이 적게 되는 경향이 있다. 또한, 상기 노광 세기가 증가하면 전체 배향 시간 측면에서 유리하나, 상기 광을 제공하는 램프의 수명 및 광학계 등에 불리하다.
상기한 방법으로 광배향 방법을 이용하여 상기 제1 배향막(155)을 배향할 수 있으며, 이때 제1 배향막(155)을 형성하기 위하여 별도의 러빙 공정을 진행하지 않아도 되기 때문에, 생산 속도가 증가하며 공정 원가가 절감된다. 또한 마스크를 이용하여 자외선의 조사 방향을 다르게 함으로써 선경사의 방향이 다른 멀티 도메인(multi-domain)을 형성할 수 있다.
상기 제2 기판은 상기 제2 베이스 기판(110) 상에 블랙 매트릭스(241), 컬러 필터들(R, G, B), 및 공통 전극(211)을 형성하고, 상기 공통 전극 상에 제2 배향막(255)을 형성하여 제조된다.
상기 제2 배향막(255)을 형성하는 단계는 상기 제1 배향막(155)을 형성하는 단계와 실질적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
다음으로, 상기 제1 배향막(155)과 상기 제2 배향막(255) 사이에 상기 액정층을 형성한다.
실험예
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 배향막을 형성하는 공정에 대해 다음과 같은 실험을 실시하였다.
실험예 1. 실험 파장 대역
상기 배향막 형성시의 노광 조건을 확인하기 위하여, 250~400nm의 자외선 노광기를 준비하였다. 도 4는 상기 자외선 노광기의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
상기 자외선 노광기는 하기의 파장 대역을 갖는 광을 방출하도록 밴드 패스 필터를 장착하였다.
- 제1a 대역 : 260nm 이상
- 제1b 대역 : 280nm 이상
- 제2 대역 : 340nm 이하
- 제3 대역 : 280 nm 이상 340nm 이하
- 제4 대역 : 전파장
- 제5a 대역 : 297nm 단일 파장
- 제5b 대역 : 302nm 단일 파장
- 제5c 대역 : 314nm 단일 파장
- 제5d 대역 : 334nm 단일 파장
- 제5e 대역 : 365nm 단일 파장
실험예 2. 광원의 파장의 하한 범위 평가
1) 잔상 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제4 대역, 상기 제1a 대역, 상기 제1b 대역, 및 상기 제5a 대역을 선택하여 액정 표시 장치의 잔상에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 노광량 50mJ, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다. 여기서, 상기 면 잔상에 있어서 제1 수준은 잔상이 없는 경우, 제2 수준은 미약하나마 잔상이 시인되는 경우, 제3 수준은 잔상이 약하게 시인되는 경우, 제4 수준은 잔상이중간 정도로 시인되는 경우, 제5 수준은 잔상이 강하게 시인되는 경우에 해당한다. 또한, 상기 블랙 잔상에 있어서, 상기 제1 수준은 잔상이 없는 경우, 제2 수준은 잔상이 측면에서 약하게 시인되는 경우, 제3 수준은 잔상이 측면에서 시인되는 경우, 제4 수준은 잔상이 정면에서 시인되는 경우, 제5 수준은 잔상이 정면에서 강하게 시인되는 경우에 해당한다.
상기 파장 대역들에 대한 선 잔상 결과는 상기 제4 대역에 있어서 336시간, 상기 제1a 대역에 있어서 432시간이었으며, 상기 제1b 대역에 있어서는 1000시간에도 잔상이 발생하지 않았다.
상기 파장 대역들에 대해 336시간 동안 평가한 면 잔상 결과는 상기 제4 대역에 있어서 3수준, 상기 제1a 대역에 있어서 2.5수준, 및 상기 제1b 대역에 있어서는 2 수준이었다.
상기 파장 대역들에 대해 336시간 동안 평가한 블랙 잔상 결과는 상기 제4 대역에 있어서 3수준, 상기 제1a 대역에 있어서 2.5수준, 및 상기 제1b 대역에 있어서는 1.5 수준이었다.
상기 파장 대역들에 있어서, 잔상이 많이 발생한 순서부터 나열하면 제4 대역, 제1a 대역, 제1b 대역, 및 제5a 대역(제4 대역>제1a 대역>>제1b 대역, 제5a 대역)의 순이었다. 상기 결과를 살펴 보면, 노광 시 자외선 노광기의 전파장 영역을 조사할 경우 가장 잔상 악화 현상을 확인할 수 있었으며, 반면 280nm이하의 단파장 영역을 제거한 제1b 대역의 경우 선잔상 문제가 3배이상 개선 되었음을 확인할 수 있었는 바, 단일 파장인 297nm 대역을 조사한 제5a 대역 조사시에서의 잔상과 동등 수준이었다.
특히 가교형 배향 재료에 있어서는 280nm 이하의 단파장 영역을 조사할 경우 잔상이 증가되며, 자외선 노광량을 증가시킬 경우에도 동일하게 발생한다. 이는 상기 가교형 배향 재료가 단파장대에서 반응성이 크기 때문으로 판단되며, 특히, 280nm 파장 전후의 차이가 크게 발생하였다. 이는, IR 스펙트럼 분석 및 전기 특성 평가 결과에 근거한 것으로, 상기 280nm 이하의 파장대에서는 자외선 노광량이 250mJ에서도 부반응(광분해)이 발생하지 않았으나, 전 파장대에서는 노광량 50mJ에서도 광분해 반응 현상이 발생하였다.
상기 잔상의 악화 원인은 자외선 노광시 광반응(가교, 분해 반응 포함)에 의한 부반응 또는 표면 변화 발생 때문으로 예상되며, 상기 부반응이나 표면 변화 발생에 의해 표면 극성이 변화됨으로써, VHR 저하 및 ID 증가가 일어날 수 있는 것으로 판단된다.
2) VHR 및 ID 평가
상기 노광기의 각 대역 중 제1a 대역, 제1b 대역, 제3 대역, 제4 대역, 및 제5a 내지 제5e 대역을 선택하여, 액정 표시 장치의 VHR 및 ID에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 노광량 50mJ, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 5은 상기 선택된 각 대역에 따른 VHR, ID, 및 프리틸트 각을 나타낸 그래프이다.
도 5를 참조하면, 제4 대역 또는 제2 대역의 광을 노광할 때에는 프리틸트각에 큰영향이 없지만, 260~280nm를 포함하여 광을 노광하는 경우 VHR는 0.5~0.8%저하되었다. 또한, 260~280nm를 포함하여 광을 노광하는 경우 ID가 280nm 이상의 광을 조사하는 경우에 비해 2~5배 증가되었다. 이로서, 280nm 미만의 광을 포함하여 노광하는 경우 전기적 특성에 끼치는 악영향이 크다는 것을 확인할 수 있다.
3) Vcom 쉬프트 결과
상기 노광기의 각 대역 중 제1a 대역, 제1b 대역, 제3 대역, 제4 대역, 및 제5a 내지 제5e 대역을 선택하여, 액정 표시 장치의 Vcom 쉬프트에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 노광량 50mJ, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 6는 상기 선택된 각 대역에 따른 Vcom 쉬프트 값을 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면 제4 대역에 있어서 Vcom 쉬프트량이 증가하였다. 이는 단파장 포함시 Vcom 쉬프트량이 증가 한다는 것을 보여주고 있는 바, 이런 결과는 잔상 악화의 주요 원인인 직류 잔상이 증가되는 것을 의미한다. 이에 비해, 상대적으로 280nm 이상인 대역과 280nm 이상의 각 단일 파장 평가시에는 V-com 쉬프트 영향이 작게 나타났다.
상기 Vcom 쉬프트 현상은 상기 잔상 중 직류 전류(DC)의 영향을 받는 것으로 보인다.
4) 광 재배열 영향 평가
상기 노광기의 각 대역 중 제1b 대역 및 제4 대역을 선택하여, 상기 광을 미조사한 경우와, 상기 제1b 대역 및 제4 대역을 각각 서로 다른 노광량(50mJ, 250mJ)으로 조사한 후, 액정 표시 장치의 파장에 따른 투과율을 FT-IR로 측정하였다. 여기서, 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 노광량 50mJ 및 250mJ, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 7은 각 파장별 IR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 7을 참조하면, 제4 대역의 광 조사시, 제1b 대역 대비 -OH 피크가 증가하는 현상이 나타났다. 이와 같이 -OH 피크가 증가하는 현상은 광 프리스 재배열(photo fries-rearrangement)에 의한 부반응에 기인한 것으로 보인다.
도 7을 다시 참조하면, 상기 -OH 피크증가 현상은 노광량 증대시에 더욱 가속화되며, 50mJ 대비 250mJ에서 급격히 증가하였다. 그리고, 상기 제4 대역에서는 노광량 50mJ에서도 광분해 반응 현상이 상기 제1b 대비하여 상대적으로 증가하는 것으로 확인되었다. 이는 3250cm-1에서 발생하는 -OH 피크로 확인할 수 있다.
실험예 2. 자외선 광원의 파장의 상한 범위 평가
1) 프리틸트 형성 평가
상기 노광기의 각 대역 중 제1a 대역, 제1b 대역, 제3 대역, 제4 대역, 및 제5a 내지 제5e 대역을 선택하여, 액정 표시 장치의 VHR 및 ID에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 노광량 50mJ, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 8은 상기 선택된 각 대역에 따른 프리틸트각을 나타낸 것이다. 도 9a는 제5 대역의 광을 노광하였을 때의 화소의 사진이며, 도9b는 제1b 대역의 광을 노광하였을 때의 화소의 사진이다.
도 8, 도 9a 및 도 9b을 참조하면, 50mJ 노광량으로 배향막을 노광한 제5a 내지 제5d 대역에서는 프리틸트각이 적절하게(예를 들어, 1~2도) 형성되었으나, 제5e 대역의 광을 조사할 경우 프리틸트각이 89.9도로 나타남으로써, 프리틸트각이 미형성되었다.
또한 상기 제5e 대역의 광은 형성된 프리틸트 각을 변경시키는 것도 확인되었다. 도 9는 제4 대역의 광을 노광한 기판에 제5e 대역의 광을 추가적으로 약 20mJ 조사할 경우 프리틸트각을 나타낸 것이다. 도 9를 살펴 보면, 제4 대역의 광을 노광한 기판에 제5e 대역의 광을 추가적으로 약 20mJ 조사할 경우 이미 형성된 프리틸트각이 88.2도에서 88.5도로 0.3도 감소하는 현상을 확인할 수 있다. 이러한 프리틸트 각의 감소 원인은 프리틸트각의 형성이 불가능한 제5e 대역의 광이 조사됨으로써, 배향 변화에 의한 이방성(anisotropy) 감소 현상이 발생되었기 때문이다.
결국, 프리틸트각 형성이 가능한 최적화된 장파장 영역을 조사하기 위해서는 상기 365nm 대역의 광을 제거하는 것이 필요하며, 프리틸트가 형성되었던 334 nm 대역의 광을 포함하여 노광하는 것이 필요하다. 여기서, 334nm의 파장 대역(~340nm)도 기존 297~314nm까지의 파장대비 광배향 효율이 저하되지만, 프리틸트 형성에는 참여하고, 잔상에 크게 악영향을 주지 않음을 확인하였기 때문에, 334nm은 포함 시킬 필요가 있다. 그 결과, 효율적인 에너지 조사를 위해 340nm 이하의 파장을 사용할 수 있다.
2) 프리틸트 별 텍스쳐 두께 차 평가
상기 노광기의 각 대역 중 제3 대역 및 제5e 대역을 선택하여, 액정 표시 장치의 텍스쳐 변화량를 확인하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 노광량 50mJ, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
상기 제3 대역의 광을 조사한 기판을 준비하고, 상기 제3 대역의 광을 조사한 기판에 상기 제5e 대역의 광 20mJ를 추가 조사하여 준비하였다.
도 10a 및 도 10b는 각각 상기 제3 대역의 광을 조사한 화소를 나타낸 사진과, 상기 제3 대역의 광을 조사한 기판에 상기 제5e 대역의 광을 추가 조사한 화소를 나타낸 사진이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면 상기 제3 대역의 광을 조사한 기판에 있어서 배향막의 프리틸트각은 88.2도였으며, 텍스쳐의 두께는 약 7μm였으나, 상기 제3 대역의 광을 조사한 패널에 상기 제5e 대역의 광 20mJ를 추가 조사한 경우에 있어서의 배향막의 프리틸트각은 88.5도로 0.3도 높아졌으며, 텍스쳐 두께는 약 8μm였다. 이로서, 상기 제5e 대역의 광이 텍스처의 두께를 증가시킨다는 것이 확인되었다. 여기서, 상기 텍스처의 두께가 증가되면 액정 표시 장치의 투과율이 감소된다.
실험예 3. 노광량의 상한 범위 평가
1) 잔상 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 노광량 별로 액정 표시 장치의 잔상에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
상기 노광량에 대한 선 잔상 결과는, 300mJ 노광시 168시간이었으며, 50mJ 및 3mJ 노광시에는 1000시간 동안에도 선잔상이 발생하지 않았다.
상기 노광량에 대한 336시간 동안 평가한 면 잔상 결과는 300mJ 노광시 5수준, 100mJ 노광시 4 수준, 50mJ 노광시 2 수준, 10mJ 노광시 1.5 수준이었다.
상기 노광량에 대한 336시간 동안 평가한 블랙 잔상 결과는 300mJ 노광시 5수준, 100mJ 노광시 4 수준, 50mJ 노광시 2 수준, 10mJ 노광시 1수준이었다.
상기한 결과에서 알 수 있는 바와 같이, 노광량이 증가함에 따라 블랙 잔상, 면잔상, 선잔상이 악화되는 현상을 확인할 수 있다.
2) 노광량 증가에 따른 VHR 및 ID 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 노광량 별로 액정 표시 장치의 VHR 및 ID에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 11는 노광량에 따른 VHR, ID, 및 프리틸트 각을 나타낸 그래프이다.
도 11을 참조하면, 배향막에 노광량 50mJ 이상 조사시에는 VHR 및 ID의 특성이 급격히 감소하는 것을 확인 할 수 있었다. 100mJ 조사시에는 VHR의 저하 및 ID 3~4배 증가가 확인되었다. 그 결과로 50mJ 이상의 노광량으로 배향막을 형성하는 경우에는 액정 표시 장치의 전기적 특성의 악화되는 것을 확인할 수 있다.
3) 프리틸트각 원상 복귀 및 투과율 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 노광량 별로 액정 표시 장치의 투과율에 대한 평가를 수행하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 12는 노광량에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다. 도 12를 참조하면 배향막에 광을 조사하면, 프리틸트각은 증가 후 약 50mJ을 경계로 감소하는 경향성이 있다. 프리틸트각이 감소하면 이에 따른 텍스처의 증가로 인하여 투과율이 감소되므로, 프리틸트각이 감소하지 않도록 노광량이 50mJ 이상 넘어가지 않는 것이 바람직하다.
4) 프리틸트각 변화량 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 노광량 별로 액정 표시 장치의 프리틸트각의 변화량에 대한 평가를 수행하였다. 상기 변화량은 상기 액정 표시 장치 초기 프리틸트각과 168시간 동안 7V의 전압을 인가한 후 변화한 프리틸트각의 차이를 말한다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 13은 노광량에 따른 프리틸트각의 변화량을 도시한 그래프이다.
도 13을 참고하면 50mJ 이하에서는 프리틸트값의 변화량이 상대적으로 매우 작으며(0.1도 이하) 100mJ이상에서는 폭이 커지는 것을 확인할 수 있다. 이 결과는 노광량이 증가함에 따라 나타나는 부반응이나 표면 변화에 의해 수직성분들의 열적 유동성이 커지는 것에 기인한다. 그 결과, 액정 표시 장치의 블랙 잔상 및 면잔상이 나빠질 수 있다.
5) 광재배열 평가
도 7을 살펴보면, 50mJ 대비 250mJ에서 -OH의 피크가 크게 증가하였다. 이또한, 광 재배열 현상에 기인한 것으로 판단된다.
실험예 4. 자외선 노광량의 하한 범위
1) 재료별 최소 프리틸트 발생 에너지 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 노광량 별로 액정 표시 장치의 프리틸트각에 대한 평가를 수행하였다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막으로 이루어지나 일부 조성비가 다른 제1 내지 제3 재료를 사용하여 프리틸트 각을 측정하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 14a는 노광량 별 프리틸트각을 도시한 것이다. 도 14b는 도 14a의 일부를 확대하여 도시한 그래프이다.
PVA와 같은 전극 패턴이 없는 광 배향 패널에 있어서는 액정 분자들의 프리틸트각은 최소 0.5도 이상이 되어야 하는데, 그 이유는 프리틸트각t 형성에 의해 균일한 액정의 방향성 및 제어력을 확보할 수 있기 때문이다. 여기서, 노광량이 일정 값 이하로 작으면 동일 재료에 있어서도 초기 프리틸트각 차이가 발생할 수 있으므로, 노광시에 광배향을 위한 최소 노광 에너지는 3mJ~5mJ 이상이다. 결국 재료 1 내지 3에 따라서 배향성 및 산포를 고려하면 약 3mJ 이상의 에너지가 필요하며, 이때의 프리틸트각은 0.7~0.9도의 범위에 해당된다.
2) 두드림 텍스처 평가
프리틸트각이 0.2~3도인 경우에도 배향 자체는 이루어지지만, 이럴 경우 다른 불량들이 발생하게 된다. 그 중 가장 일반적인 것 중의 하나가 두드림 텍스처라는 불량이다. 상기 두드림 텍스처 불량은 외부에서 충격이 가해졌을 때, 액정이 배향이 흐트러져 텍스처가 발생하게 된 후, 상기 외부 충격이 제거되어도 액정이 원래 방향으로 되돌아가지 않은 불량을 말한다. 상기 두드림 텍스처는 배향막의 프리틸트각과 밀접한 상관 관계가 있는 바, 실험결과 두드림 텍스처가 발생하지 않는 최소 프리틸트각은 최소 0.8도이었다. 상기 두드림 텍스처는 약 3mJ 이상으로 노광시에 현저히 감소하였다.
실험예 5. 노광량에 따른 투과율 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 노광량에 따른 액정 표시 장치의 투과율 및 프리틸트각에 따른 투과율을 측정하였다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막으로 이루어지나 일부 조성비가 다른 재료 1 내지 재료 3 중 재료 2를 사용하여 프리틸트 각을 측정하였다. 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2, 조사 각도 45도이었다.
도 15는 노광량에 따른 프리틸트각 측정치를 나타낸 그래프, 도 16은 프리틸트각에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 16에 있어서, 실선부분은 실측값이며, 점선 부분은 실측한 부분을 기반으로 예상한 투과율이다.
도 15를 참조하면, 프리틸트각이 증가할 경우 투과율은 일정영역에서 증가한다.
도 16을 참조하면, 광배향 재료에 있어서는 노광량이 증가하면 부반응이 발생하기 때문에 노광량 상한치가 결정되며 노광량이 감소하면 프리틸트각이 줄어들어 배향이 불가능하며 투과율이 감소한다.
실험예 6. 조사 각도에 따른 프리틸트각 평가
상기 자외선 노광기의 파장 대역 중, 상기 제1b 대역을 선택하여 조사 각도에 따른 프리틸트각을 측정하였다. 이때, 상기 자외선 노광기를 이용한 광배향의 공정 조건은 상기 배향막 재료를 이용하여 파장 대역 280nm 내지 340nm, 노광 세기 40mW/cm2이었다.
상기 자외선 노광기의 조사각도가 20도, 40도, 50도, 및 60도일 때 프리틸트각은 각각 88.7도, 88.2도, 87.8도, 및 87.5도를 나타내었다.
상기한 내용을 참조하면, 동일한 에너지를 조사할 경우 기판에 수직한 면에서부터의 조사 각도가 클 경우 프리틸트각이 증가한다. 이에 따라, 조사 각도가 증가할수록 큰 프리틸트각을 형성할 수 있으며 노광량 감소에 따라 잔상이 감소하나, 노광 영역의 감소로 인해 배향 시간이 증가하고 배향 균일성이 떨어진다. 이에 따라, 조사 각도는 약 30도 내지 약 60도가 가능하다. 본 발명에 따른 일 실시예에서는 약 40도 내지 약 50도로 조사할 수 있다.
실험예 7. 노광 세기 평가
동일 에너지를 기준으로 노광 세기(intensity)를 10 내지 50mW/cm2로 다르게 하여 조사하는 경우, 프리틸트, 전압 유지비(VHR; voltage holding ratio), 이온 밀도(ID; ion density) 및 잔상 특성에 큰 유의차가 발생하지는 않는다. 다만, 상기 노광 세기가 낮은 10mW/cm2의 경우는 전기적으로는 실질적으로 동일한 특성을 나타내지만, 프리틸트 형성이 적게 되는 경향이 있다. 또한, 상기 노광 세기가 증가하면 전체 배향 시간 측면에서 유리하나, 상기 광을 제공하는 램프의 수명 및 광학계 등에 불리하다.
실험예 8. 노광 공정 평가 소결
상기 각 실험예에 따른 결과를 나타내면 다음의 표 1과 같다.
파장(nm)
(노광량 50mJ, 조사 각도 45도, 노광 세기 40mW/cm2 조건)		 노광량(mJ)
(파장 제3 대역, 조사 각도 45도, 노광량 50mJ 조건)		 조사 각도(도)
(파장 제3 대역, 노광량 50mJ, 노광 세기 40mW/cm2 조건)		 노광 세기(40mW/cm2)
(파장 제3 대역, 조사 각도 45도, 노광량 50mJ 조건)
제4 대역 제1a 대역 제1b 대역 제5a~5d 대역 제5e 대역 제3 대역 3 미만 50미만 100미만 250 초과 20 40 60 25 40
잔상 X ▽ ○ ○ ○ ○ ◎ ○ ▽ X ○ ○ ○ 동일
VHR, ID X ▽ ○ ○ ○ ○ ◎ ○ ▽ X ○ ○ ○ 동일
프리틸트각 ○ ○ ○ ○ X ◎ X ○ ◇ X ▽ ◇ △ 동일
프리틸트각 변화량 X X ○ ○ - ○ ○ ○ ▽ X ○ ○ ○ 동일
투과율 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ▽ ◎ ○ ◇ - - - - -
공정소요시간 - - - - - - - - - - △ ◇ ▽ ▽ △
평가 - - - - - 적합 - 적합 - - - 적합 - - 적합
◎: 최우수, ○: 우수, △: 양호, ◇ : 보통, ▽ : 저하, X :
100 : 제1 기판 110 : 제1 베이스 기판
141, 142 : 제1 및 제2 화소 전극 155 : 제1 배향막
200 : 제2 기판 210 : 제2 베이스 기판
211 : 공통 전극 255 : 제2 배향막
300 : 액정층
Tr1, Tr2, Tr3 : 제1, 제2 및 제3 박막 트랜지스터

Claims (17)

  1. 베이스 기판 상에 배향액을 형성하는 단계;
    상기 배향액을 경화하여 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 배향막에 파장 280nm 내지 340nm의 광을 조사하여 상기 배향막을 배향시키는 단계를 포함하는 배향막 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배향막은 광 반응기를 포함하며, 상기 광 반응기는 상기 광이 조사되면 서로 인접한 반응기와 광 중합 또는 광 이성질 반응을 일으키는 가교형 반응기인 것을 특징으로 하는 배향막 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광 반응기는 아조계 화합물, 시나메이트계 화합물, 칼콘계 화합물, 쿠마린계 화합물, 또는 말레이미드계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 배향막 형성 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 광의 노광량은 3mJ 내지 50mJ인 것을 특징으로 하는 배향막 형성 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 광의 조사 각도는 상기 대응하는 베이스 기판의 법선을 기준으로 40도 내지 50도인 것을 특징으로 하는 배향막 형성 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 광은 선편광된 광 또는 부분 편광된 광인 것을 특징으로 하는 배향막 형성 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 광은 10~50mW/cm2의 세기로 조사되는 것을 특징으로 하는 배향막 형성 방법.
  8. 제1 베이스 기판 상에 제1 배향막을 형성하는 단계;
    제2 베이스 기판 상에 제2 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 배향막을 형성하는 단계 중 적어도 하나는
    대응하는 베이스 기판 상에 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 배향막에 파장 280nm 내지 340nm의 광을 조사하여 상기 배향막을 배향시키는 단계를 포함하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배향막 중 상기 광이 조사되는 배향막은 광 반응기를 포함하며, 상기 광 반응기는 상기 광이 조사되면 서로 인접한 반응기와 광 중합 또는 광 이성질 반응을 일으키는 가교형 반응기인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광 반응기는 아조계 화합물, 시나메이트계 화합물, 칼콘계 화합물, 쿠마린계 화합물, 또는 말레이미드계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 광의 노광량은 3mJ 내지 50mJ인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 광의 조사 각도는 상기 대응하는 베이스 기판의 법선을 기준으로 40도 내지 50도인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 광은 선편광된 광 또는 부분 편광된 광인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 광은 10~50mW/cm2의 세기로 조사되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 액정층은 수직 배향 모드 액정층인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 배향막을 형성하기 전에 상기 제1 베이스 기판 상에 복수의 화소를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 배향막은 상기 화소에 대응하는 영역에서 서로 다른 방향으로 배향되는 복수의 도메인을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
KR1020110050314A 2011-05-26 2011-05-26 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법 KR20120131856A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110050314A KR20120131856A (ko) 2011-05-26 2011-05-26 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법
US13/243,829 US8530325B2 (en) 2011-05-26 2011-09-23 Method of forming alignment layer and fabrication method of liquid crystal display using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110050314A KR20120131856A (ko) 2011-05-26 2011-05-26 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120131856A true KR20120131856A (ko) 2012-12-05

Family

ID=47219474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110050314A KR20120131856A (ko) 2011-05-26 2011-05-26 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8530325B2 (ko)
KR (1) KR20120131856A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150111396A (ko) * 2014-03-20 2015-10-06 삼성디스플레이 주식회사 곡면 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9904116B2 (en) 2015-01-06 2018-02-27 Samsung Display Co. Ltd. LCD device, manufacturing method thereof and mask thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140127641A (ko) * 2013-04-25 2014-11-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10126602B2 (en) * 2014-03-20 2018-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device and fabricating method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100720454B1 (ko) * 2005-06-14 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101481703B1 (ko) * 2008-03-24 2015-01-12 삼성디스플레이 주식회사 광배향재, 이를 이용해 제조된 배향막을 갖는 표시 기판 및 그 표시 기판의 제조 방법
KR101484250B1 (ko) * 2008-05-21 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 광배향재, 이를 이용하여 형성한 배향막을 갖는 표시 기판및 그 표시 기판의 제조 방법
KR101490488B1 (ko) 2008-11-27 2015-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150111396A (ko) * 2014-03-20 2015-10-06 삼성디스플레이 주식회사 곡면 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9904116B2 (en) 2015-01-06 2018-02-27 Samsung Display Co. Ltd. LCD device, manufacturing method thereof and mask thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US8530325B2 (en) 2013-09-10
US20120301983A1 (en) 2012-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102056779B1 (ko) 화소전극 표시판, 액정표시판 조립체 및 이들을 제조하는 방법들
CN107037635B (zh) 液晶显示装置的制造方法
JP6077222B2 (ja) 液晶表示装置
US9057917B2 (en) Pixel electrode panel, a liquid crystal display panel assembly and methods for manufacturing the same
KR101820966B1 (ko) 액정표시장치, 배향막 및 이들을 제조하는 방법들
TWI578063B (zh) A liquid crystal display device, and a liquid crystal display device
US20090325453A1 (en) Alignment treatment method of substrate for liquid crystal display device and manufacturing method thereof
TWI559057B (zh) A liquid crystal display device, and a liquid crystal display device
WO2010079703A1 (ja) 液晶表示装置及び液晶層形成用組成物
JP6618043B2 (ja) 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
KR101490488B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2010106915A1 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR20110111212A (ko) 화소전극 표시판, 액정표시판 조립체 및 이들을 제조하는 방법들
US9239493B2 (en) Liquid crystal alignment agent, liquid crystal display, and method for manufacturing liquid crystal display
TW201512305A (zh) 具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板的製造方法
CN103797407A (zh) 液晶显示装置的制造方法
WO2012029591A1 (ja) 液晶表示パネル、液晶表示装置及び配向膜材料用重合体
KR20110021588A (ko) 광배향제 및 그것을 이용한 액정 표시 장치
KR20120131856A (ko) 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 제조 방법
KR20120088010A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2012029589A1 (ja) 液晶表示パネル、液晶表示装置及び配向膜材料用重合体
WO2012093629A1 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
CN104099106B (zh) 液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件、相位差膜及这些的制造方法
WO2012056947A1 (ja) 液晶表示パネル、液晶表示装置及び配向膜材料用重合体
KR101810061B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101003140; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180725

Effective date: 20191031