KR20120122934A - Chemical mechanical polishing composition and method for polishing germanium-antimony-tellurium alloys - Google Patents

Chemical mechanical polishing composition and method for polishing germanium-antimony-tellurium alloys Download PDF

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장광윤
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Abstract

PURPOSE: A chemical-mechanical abrasive composition and a Ge-St-Te alloy polishing method are provided to secure excellent selectivity of chemical-mechanical abrasive materials on a substrate. CONSTITUTION: A polishing method with a chemical-mechanical abrasive composition is as follows: A substrate comprising a Ge-St-Te phase change alloy is prepared. A chemical-mechanical abrasive composition is prepared. A chemical-mechanical abrasive pad is prepared. Dynamic contact is generated in an interface between the chemical-mechanical abrasive pad and the substrate. The chemical-mechanical abrasive composition is distributed on the chemical-mechanical polishing pad near the interface.

Description

화학 기계적 연마 조성물 및 게르마늄-안티모니-텔루륨 합금의 연마 방법{CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR POLISHING GERMANIUM-ANTIMONY-TELLURIUM ALLOYS}TECHNICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR POLISHING GERMANIUM-ANTIMONY-TELLURIUM ALLOYS}

본 발명은 화학 기계적 연마 조성물 및 그의 사용방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 갖는 기판을 연마하기 위한 화학 기계적 연마 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to chemical mechanical polishing compositions and methods of use thereof. More specifically, the present invention relates to a chemical mechanical polishing composition for polishing a substrate having a germanium-antimony-tellurium phase change alloy.

절연성, 일반적으로 무정형 상태와, 전도성, 일반적으로 결정 상태 사이에 전기적으로 전이될 수 있는 상 변화 물질을 사용하는 상 변화 랜덤 액세스 메모리(Phase change random access memory, PRAM) 디바이스가 차세대 메모리 디바이스를 선도하는 후보로 부각되어 왔다. 이러한 차세대 PRAM 디바이스는, 각 메모리 비트에 대하여 마이크로전자 회로 소자를 이용하는, 통상적인 솔리드 스테이트 메모리 디바이스, 예컨대, 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory, DRAM) 디바이스; 스태틱 랜덤 액세스 메모리(static random access memory, SRAM) 디바이스, 소거·프로그램 가능형 판독 전용 메모리(erasable programmable read only memory, EPROM) 디바이스 및 전기적 소거·프로그램 가능형 판독 전용 메모리(electrically erasable programmable read only memory, EEPROM) 디바이스를 대체할 수 있다. 이러한 통상적인 솔리드 스테이트 메모리 디바이스는 정보를 저장하기 위해 많은 칩 공간이 소모되어, 칩 밀도를 제한하게 되고, 프로그래밍 속도도 상대적으로 늦다.Phase change random access memory (PRAM) devices employing a phase change material that can be electrically transitioned between an insulating, generally amorphous, and a conductive, generally crystalline state are leading the next generation of memory devices. It has been highlighted as a candidate. Such next-generation PRAM devices include conventional solid state memory devices, such as dynamic random access memory (DRAM) devices, that use microelectronic circuit elements for each memory bit; Static random access memory (SRAM) devices, erasable programmable read only memory (EPROM) devices and electrically erasable programmable read only memory, EEPROM) device can be replaced. Such conventional solid state memory devices consume a lot of chip space to store information, limiting chip density and having relatively slow programming speeds.

PRAM 디바이스에 유용한 상 변화 물질에는 칼코게나이드 물질, 예컨대, 게르마늄=텔루룸(Ge-Te) 및 게르마늄-안티모니-텔루륨(Ge-Sb-Te) 상 변화 합금이 포함된다. PRAM 디바이스의 제조에는 칼코게나이드 상 변화 물질을 선택적으로 제거하고 디바이스 표면을 평탄화하는 화학 기계적 연마 단계가 포함된다.Phase change materials useful for PRAM devices include chalcogenide materials such as germanium = telum (Ge-Te) and germanium-antimony-tellurium (Ge-Sb-Te) phase change alloys. Fabrication of PRAM devices includes a chemical mechanical polishing step to selectively remove chalcogenide phase change material and planarize the device surface.

텔루륨은 칼코게나이드 상 변화 합금 필름에서 비교적 이동성을 띄는 경향이 있다. CMP 조건하에서, 텔루륨은 평탄화 중에 웨이퍼 표면상에서 이동하고 응집하는 경향을 띌 수 있다. 이로 인해, 불균일 조성을 갖는 필름을 생성하고, 표면 특성이 웨이퍼를 가로질러 한 위치에서 다른 곳으로 변화하게 된다.Tellurium tends to be relatively mobile in chalcogenide phase change alloy films. Under CMP conditions, tellurium may tend to migrate and aggregate on the wafer surface during planarization. This results in a film having a non-uniform composition, and the surface properties change from one location to another across the wafer.

칼코게나이드 상 변화 물질을 갖는 기판 연마용 연마 조성물 중 하나가 미국 특허출원 공개공보 제20070178700호 (Dysard et al.)에 개시되어 있다. 상기 공개공보 (Dysard et al.)에는, 기판을 포함하는 상 변화 합금 연마를 위한 화학 기계적 연마 조성물로서: (a) 입자상 연삭 물질(abrasive material) 약 3 중량 퍼센트 이하; (b) 상 변화 합금, 그의 성분, 또는 화학 기계적 연마 중 상 변화 합금으로부터 생성되는 물질을 킬레이팅할 수 있는 적어도 하나의 킬레이트제; 및 (c) 이를 위한 수성 캐리어를 포함하는 조성물이 개시되어 있다.One of the polishing compositions for polishing substrates with chalcogenide phase change materials is disclosed in US Patent Application Publication No. 20070178700 (Dysard et al.). The publication (Dysard et al.) Discloses a chemical mechanical polishing composition for polishing a phase change alloy comprising a substrate: (a) up to about 3 weight percent of an abrasive material; (b) at least one chelating agent capable of chelating a phase change alloy, its components, or a material resulting from the phase change alloy during chemical mechanical polishing; And (c) an aqueous carrier therefor.

그러나, 전체 결함과 Te 잔여물 결함을 감소시키면서도, 상 변화 물질을 높은 제거 속도로 선택적으로 제거할 수 있는 새로운 화학 기계적 연마(CMP) 조성물이 요구되고 있다.However, there is a need for new chemical mechanical polishing (CMP) compositions that can selectively remove phase change materials at high removal rates while reducing overall and Te residue defects.

본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제(abrasive) 0.1 내지 5 wt%; 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 및 그의 염으로부터 선택되는 물질 0.001 내지 5 wt%; 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12이며, 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되는, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention provides a method comprising: providing a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate, wherein the chemical mechanical polishing composition comprises as an initial component: water; 0.1-5 wt% abrasive; 0.001 to 5 wt% of a material selected from ethylene diamine tetra acetic acid and salts thereof; Provides a method of chemical mechanical polishing of a substrate, consisting essentially of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as the oxidant, pH of 7.1 to 12, and at least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate. .

또한, 본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제 0.1 내지 5 wt%; 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 또는 그의 염 0.001 내지 5 wt%; 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12이며; 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 60 rpm(분당 회전)의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스(nominal down force)에서 1,000 Å/분 이상을 나타내고, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공(hollow) 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드(non-woven subpad)를 포함하는, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate, wherein the chemical mechanical polishing composition comprises as an initial component: water; Soft erase 0.1 to 5 wt%; 0.001 to 5 wt% of ethylene diamine tetra acetic acid or salts thereof; Essentially consisting of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as oxidizing agent, pH of 7.1 to 12; At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate; The soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of 60 rpm (rotation per minute) platen speed, 55 rpm carrier speed, 200 ml / min chemical mechanical polishing composition flow rate, and 200 mm At a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi) on a polishing machine at least 1,000 kW / min, the chemical mechanical polishing pad comprising a polyurethane polishing layer containing polymeric hollow core microparticles and A method of chemical mechanical polishing of a substrate is provided, comprising a polyurethane impregnated nonwoven subpad.

또한, 본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제 0.1 내지 5 wt%; 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 또는 그의 염 0.001 내지 5 wt%; 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12이며; 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 60 rpm의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스에서 1,000 Å/분 이상을 나타내고, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함하며, 상기 화학 기계적 연마 조성물은 300 이하의 연마후(post polish) SP1 결함수(> 0.16μm)를 가지며 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 1,000 Å/분 이상이 되도록 촉진하는, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate, wherein the chemical mechanical polishing composition comprises as an initial component: water; Soft erase 0.1 to 5 wt%; 0.001 to 5 wt% of ethylene diamine tetra acetic acid or salts thereof; Essentially consisting of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as oxidizing agent, pH of 7.1 to 12; At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate; The soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate on a platen speed of 60 rpm, a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, and a 200 mm polishing machine. Exhibiting at least 1,000 dl / min at a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi), the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane impregnated nonwoven subpad; The mechanical polishing composition has a post-polish SP1 defect number (> 0.16 μm) of 300 or less and the chemical mechanical and mechanical properties of the substrate, which promotes the germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of at least 1,000 dl / min. Provide a polishing method.

또한, 본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제 0.1 내지 5 wt%; 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 또는 그의 염 0.001 내지 5 wt%; 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12이며; 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 60 rpm의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스에서 1,000 Å/분 이상을 나타내고, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함하며, 상기 화학 기계적 연마 조성물은 300 이하의 연마후(post polish) SP1 결함수(> 0.16μm)를 가지며 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 1,000 Å/분 이상이 되도록 촉진하고, 여기에서 200 이하의 연마후 SP1 결함은 텔루륨 잔여물 결함인, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate, wherein the chemical mechanical polishing composition comprises as an initial component: water; Soft erase 0.1 to 5 wt%; 0.001 to 5 wt% of ethylene diamine tetra acetic acid or salts thereof; Essentially consisting of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as oxidizing agent, pH of 7.1 to 12; At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate; The soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate on a platen speed of 60 rpm, a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, and a 200 mm polishing machine. Exhibiting at least 1,000 dl / min at a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi), the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane impregnated nonwoven subpad; The mechanical polishing composition has a post polish SP1 defect number (> 0.16 μm) and promotes a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of 1,000 dl / min or more, where 200 or less The SP1 defect after polishing of is a tellurium residue defect, providing a method of chemical mechanical polishing of the substrate.

또한, 본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제 0.1 내지 5 wt%; 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 또는 그의 염 0.001 내지 5 wt%; 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12이며; 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 60 rpm의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스에서 1,000 Å/분 이상을 나타내고, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함하며, 상기 화학 기계적 연마 조성물은 300 이하의 연마후(post polish) SP1 결함수(> 0.16μm)를 가지며 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 1,000 Å/분 이상이 되도록 촉진하고, 여기에서 200 이하의 연마후 SP1 결함은 텔루륨 잔여물 결함이며; 상기 기판은 Si3N4를 추가로 포함하고, 이 Si3N4 중 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택성이 15:1 이상을 나타내는, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate, wherein the chemical mechanical polishing composition comprises as an initial component: water; Soft erase 0.1 to 5 wt%; 0.001 to 5 wt% of ethylene diamine tetra acetic acid or salts thereof; Essentially consisting of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as oxidizing agent, pH of 7.1 to 12; At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate; The soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate on a platen speed of 60 rpm, a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, and a 200 mm polishing machine. Exhibiting at least 1,000 dl / min at a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi), the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane impregnated nonwoven subpad; The mechanical polishing composition has a post polish SP1 defect number (> 0.16 μm) and promotes a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of 1,000 dl / min or more, where 200 or less SP1 defects after polishing are tellurium residue defects; The substrate further comprises Si 3 N 4 , wherein at least some of the Si 3 N 4 is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition provides a method for chemical mechanical polishing of a substrate, wherein the germanium-antimony-tellurium phase change alloy to Si 3 N 4 removal rate selectivity exhibits at least 15: 1.

또한, 본 발명은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제 0.1 내지 5 wt%; 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 또는 그의 염 0.001 내지 5 wt%; 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12이며; 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 60 rpm의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스에서 1,000 Å/분 이상을 나타내고, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함하며, 상기 화학 기계적 연마 조성물은 300 이하의 연마후(post polish) SP1 결함수(> 0.16μm)를 가지며 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 1,000 Å/분 이상이 되도록 촉진하고, 여기에서 200 이하의 연마후 SP1 결함은 텔루륨 잔여물 결함이며; 상기 기판은 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 추가로 포함하고, 이 TEOS 중 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택성이 15:1 이상을 나타내는, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate, wherein the chemical mechanical polishing composition comprises as an initial component: water; Soft erase 0.1 to 5 wt%; 0.001 to 5 wt% of ethylene diamine tetra acetic acid or salts thereof; Essentially consisting of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as oxidizing agent, pH of 7.1 to 12; At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate; The soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate on a platen speed of 60 rpm, a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, and a 200 mm polishing machine. Exhibiting at least 1,000 dl / min at a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi), the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane impregnated nonwoven subpad; The mechanical polishing composition has a post polish SP1 defect number (> 0.16 μm) and promotes a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of 1,000 dl / min or more, where 200 or less SP1 defects after polishing are tellurium residue defects; The substrate further comprises tetraethyl orthosilicate (TEOS), at least some of which TEOS is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition provides a method of chemical mechanical polishing of a substrate, wherein the germanium-antimony-tellurium phase change alloy to TEOS removal rate selectivity exhibits at least 15: 1.

상세한 설명details

본 발명의 화학 기계적 연마 방법은 칼코게나이드 상 변화 합금을 함유하는 기판을 연마하는데 유용하다. 본 발명의 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 기판상의 추가 물질들 전반에 걸쳐 우수한 선택성을 나타내고 전체 결함과 Te 잔여물 결함들을 낮추면서 높은 칼코게나이드 상 변화 합금 제거 속도를 제공한다.The chemical mechanical polishing method of the present invention is useful for polishing a substrate containing a chalcogenide phase change alloy. The chemical mechanical polishing composition used in the method of the present invention exhibits good selectivity across additional materials on the substrate and provides high chalcogenide phase change alloy removal rates while lowering overall defects and Te residue defects.

화학 기계적 연마를 위한 본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 기판은 게르마늄-안티모니-텔루륨(GST) 상 변화 합금을 포함한다.Suitable substrates for use in the method of the present invention for chemical mechanical polishing include germanium-antimony-tellurium (GST) phase change alloys.

화학 기계적 연마를 위한 본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 기판은 임의로, 포스포르 실리케이트 글래스(PSG), 보로-포스포르 실리케이트 글래스(BPSG), 비도핑(undoped) 실리케이트 글래스(USG), 스핀-온-글래스(SOG), 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS), 플라즈마-강화 TEOS (PETEOS), 유동성(flowable) 옥사이드(FOx), 고밀도 플라즈마 화학 증착(HDP-CVD) 옥사이드, 및 실리콘 니트라이드(예: Si3N4)로부터 선택되는 추가 물질을 더 포함한다. 바람직하게, 기판은 Si3N4 및 TEOS로부터 선택되는 추가 물질을 더 포함한다.Substrates suitable for use in the method of the present invention for chemical mechanical polishing optionally include phosphor silicate glass (PSG), boro-phosphor silicate glass (BPSG), undoped silicate glass (USG), spin-on Glass (SOG), tetraethyl orthosilicate (TEOS), plasma-enhanced TEOS (PETEOS), flowable oxide (FOx), high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) oxide, and silicon nitride (e.g. Si 3 N 4 ) further material selected from. Preferably, the substrate further comprises an additional material selected from Si 3 N 4 and TEOS.

본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물에 사용하기에 적합한 연삭제에는, 예를 들면, 무기 산화물, 무기 하이드록시드, 무기 하이드록시드 산화물, 금속 보라이드, 금속 카르바이드, 금속 니트라이드, 폴리머 입자 및 상술한 것들 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물 등이 포함된다. 적절한 무기 산화물에는, 예를 들면, 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 세리아(CeO2), 산화망간(MnO2), 산화티탄(TiO2) 또는 상술한 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 배합물 등이 포함된다. 또한, 원하는 경우, 이들 무기 산화물들의 개질 형태(modified form), 예컨대, 유기 폴리머-코팅된 무기 산화물 입자 및 무기 코팅된 입자들을 사용할 수 있다. 적절한 금속 카르바이드, 보라이드 및 니트라이드에는, 예를 들면, 실리콘 카르바이드, 실리콘 니트라이드, 실리콘 카본니트라이드(SiCN), 보론 카르바이드, 텅스텐 카르바이드, 지르코늄 카르바이드, 알루미늄 보라이드, 탄탈륨 카르바이드, 보라이드 및 니트라이드 등이 포함된다. 바람직하게, 사용되는 연삭제는 콜로이드성 실리카 연삭제이다. 보다 바람직하게, 사용되는 연삭제는, 잘 알려진 레이저광 산란 기술로 측정한 평균 입자 크기가 1 내지 200 nm(보다 바람직하게 100 내지 150 nm, 가장 바람직하게 110 내지 130 nm)인 콜로이드성 실리카이다.Suitable polishing compositions for use in the chemical mechanical polishing compositions used in the chemical mechanical polishing methods of the present invention include, for example, inorganic oxides, inorganic hydroxides, inorganic hydroxide oxides, metal borides, metal carbides, metals Nitrides, polymer particles and mixtures comprising at least one of the foregoing, and the like. Suitable inorganic oxides include, for example, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), ceria (CeO 2 ), manganese oxide (MnO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ) or the like. Blends comprising at least one of one oxide, and the like. Also, if desired, modified forms of these inorganic oxides may be used, such as organic polymer-coated inorganic oxide particles and inorganic coated particles. Suitable metal carbides, borides and nitrides include, for example, silicon carbide, silicon nitride, silicon carbon nitride (SiCN), boron carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, aluminum boride, tantalum carbide Carbides, borides, nitrides, and the like. Preferably, the soft erase used is colloidal silica soft erase. More preferably, the soft erase used is colloidal silica having an average particle size of 1 to 200 nm (more preferably 100 to 150 nm, most preferably 110 to 130 nm) as measured by well known laser light scattering techniques.

본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 바람직하게, 초기 성분으로서, 연삭제 0.1 내지 5 wt%, 보다 바람직하게 0.5 내지 4 wt %, 보다 더 바람직하게 1 내지 4 wt%, 보다 더 바람직하게 3 내지 4 wt%를 포함한다. 바람직하게, 연삭제는 콜로이드성 실리카 연삭제이다. 가장 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제 3 내지 4 wt%를 포함한다.The chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention is preferably, as an initial component, 0.1 to 5 wt%, more preferably 0.5 to 4 wt%, even more preferably 1 to 4 wt%, More preferably 3 to 4 wt%. Preferably, the soft erase is colloidal silica soft erase. Most preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises, as an initial component, 3 to 4 wt% of colloidal silica scavenger having an average particle size of 110 to 130 nm.

바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 및 그의 염으로부터 선택되는 물질(예: 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 디포타슘염 디하이드레이트)을 0.001 내지 5 wt% (보다 바람직하게 0.01 내지 5 wt%, 가장 바람직하게 0.15 내지 0.25 wt%) 포함한다. Preferably, the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention contains, as an initial component, a material selected from ethylene diamine tetra acetic acid and salts thereof, such as ethylene diamine tetra acetate dipotassium salt dihydrate, from 0.001 to 5 wt% (more preferably 0.01 to 5 wt%, most preferably 0.15 to 0.25 wt%).

바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 산화제를 0.001 내지 3 wt% (보다 바람직하게 0.01 내지 3 wt%, 보다 더 바람직하게 0.05 내지 1 wt%, 가장 바람직하게 0.25 내지 0.75 wt%) 포함한다. 바람직하게, 산화제는 과산화수소이다. 가장 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 과산화수소를 0.25 내지 0.75 wt% 포함한다.Preferably, the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention comprises, as an initial component, 0.001 to 3 wt% (more preferably 0.01 to 3 wt%, even more preferably 0.05 to 1 wt%, most oxidizing agent). Preferably 0.25 to 0.75 wt%). Preferably the oxidant is hydrogen peroxide. Most preferably, the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention contains 0.25 to 0.75 wt% of hydrogen peroxide as an initial component.

바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물 내 사용되는 물은 부수적인 불순물을 제한하기 위해 탈이온 및 증류 중 적어도 하나를 실시한다.Preferably, the water used in the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention undergoes at least one of deionization and distillation to limit incidental impurities.

본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 임의로 pH 조정제, 분산제, 계면활성제, 완충제 및 살생제로부터 선택되는 추가의 첨가제를 더 포함한다.The chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention optionally further comprises additional additives selected from pH adjusters, dispersants, surfactants, buffers and biocides.

본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 pH가 7.1 내지 12 (바람직하게 7.5 내지 10, 보다 바람직하게 7.5 내지 9, 가장 바람직하게 7.5 내지 8.5) 이다. 화학 기계적 연마 조성물의 pH를 조정하는데 적합한 산에는, 예를 들면, 질산, 황산 및 염산이 포함된다. 화학 기계적 연마 조성물의 pH를 조정하는데 적합한 염기에는, 예를 들면, 암모늄 하이드록시드, 포타슘 하이드록시드, 테트라메틸암모늄 하이드록시드 및 바이카보네이트가 포함되고; 바람직하게 테트라메틸암모늄 하이드록시드이다.The chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention has a pH of 7.1 to 12 (preferably 7.5 to 10, more preferably 7.5 to 9, most preferably 7.5 to 8.5). Acids suitable for adjusting the pH of the chemical mechanical polishing composition include, for example, nitric acid, sulfuric acid and hydrochloric acid. Suitable bases for adjusting the pH of the chemical mechanical polishing composition include, for example, ammonium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide and bicarbonate; Preferably tetramethylammonium hydroxide.

임의로, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 있어서, 기판은 Si3N4를 추가로 포함하고; 여기에서 Si3N4의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 사용되는 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택성이 10:1 이상(보다 바람직하게 15:1 이상; 가장 바람직하게 18:1 이상)을 나타낸다.Optionally, in the chemical mechanical polishing method of the present invention, the substrate further comprises Si 3 N 4 ; Wherein at least a portion of Si 3 N 4 is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition used exhibits a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to Si 3 N 4 removal rate selectivity of at least 10: 1 (more preferably at least 15: 1; most preferably at least 18: 1).

임의로, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 있어서, 기판은 테트라에틸 오르토실리케티트 (TEOS)를 추가로 포함하고; 여기에서 TEOS의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택성이 10:1 이상(보다 바람직하게 15:1 이상)을 나타낸다.Optionally, in the chemical mechanical polishing method of the present invention, the substrate further comprises tetraethyl orthosilicatet (TEOS); Wherein at least a portion of the TEOS is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition exhibits a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to TEOS removal rate selectivity of at least 10: 1 (more preferably at least 15: 1).

바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법은: 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고; 여기에서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서: 물; 연삭제 (바람직하게, 평균 입자 크기가 1 내지 200 nm, 보다 더 바람직하게 100 내지 150 nm, 가장 바람직하게 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제) 0.1 내지 5 wt% (바람직하게 0.5 내지 4 wt%, 보다 바람직하게 1 내지 4 wt%, 가장 바람직하게 3 내지 4 wt%); 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 및 그의 염으로부터 선택되는 물질 0.001 내지 5 wt% (바람직하게 0.01 내지 5 wt%, 보다 바람직하게 0.15 내지 0.25 wt%); 산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt% (바람직하게 0.01 내지 3 wt%, 보다 바람직하게 0.05 내지 1 wt%, 가장 바람직하게 0.25 내지 0.75 wt%)으로 필수적으로 구성되고, pH는 7.1 내지 12 (바람직하게 7.5 내지 10, 보다 바람직하게 7.5 내지 9, 가장 바람직하게 7.5 내지 8.5)이며; 상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 60 rpm의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스에서 1,000 Å/분 이상 (바람직하게 1,200 Å/분 이상)을 나타내고; 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함하며, 상기 화학 기계적 연마 조성물은 300 이하 (보다 바람직하게 0 내지 300; 가장 바람직하게 0 내지 270)의 연마후 SP1 결함수(> 0.16μm)를 가지며 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가 1,000 Å/분 이상 (바람직하게 1,200 Å/분 이상)이 되도록 촉진하고, 여기에서 200 이하 (보다 바람직하게 0 내지 200, 가장 바람직하게 0 내지 185)의 연마후 SP1 결함은 텔루륨 잔여물 결함이며; 임의로, 상기 기판은 Si3N4를 추가로 포함하고, 이 Si3N4 중 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택성이 15:1 이상 (바람직하게 18:1 이상)을 나타내고; 임의로, 상기 기판은 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 추가로 포함하며, 이 TEOS 중 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 상기 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택성이 15:1 이상을 나타낸다.
Preferably, the chemical mechanical polishing method of the present invention comprises the steps of: providing a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy; Providing a chemical mechanical polishing composition; Providing a chemical mechanical polishing pad; Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And dispensing the chemical mechanical polishing composition on the chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; Wherein said chemical mechanical polishing composition comprises as initial components: water; 0.1 to 5 wt% (preferably colloidal silica wiping having an average particle size of 1 to 200 nm, even more preferably 100 to 150 nm, most preferably 110 to 130 nm) (preferably 0.5 to 4 wt) %, More preferably 1 to 4 wt%, most preferably 3 to 4 wt%); 0.001 to 5 wt% of a material selected from ethylene diamine tetra acetic acid and salts thereof (preferably 0.01 to 5 wt%, more preferably 0.15 to 0.25 wt%); Essentially consisting of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide (preferably 0.01 to 3 wt%, more preferably 0.05 to 1 wt%, most preferably 0.25 to 0.75 wt%) as the oxidizing agent, the pH is 7.1 to 12 (preferably 7.5) To 10, more preferably 7.5 to 9, most preferably 7.5 to 8.5); At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate on a platen speed of 60 rpm, a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, and a 200 mm polishing machine. At least 1,000 dl / min (preferably at least 1,200 dl / min) at a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi); The chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane impregnated nonwoven subpad, wherein the chemical mechanical polishing composition is 300 or less (more preferably 0 to 300; most preferably 0 to 270) with a number of SP1 defects (> 0.16 μm) and promoted to have a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of at least 1,000 m 3 / min (preferably at least 1,200 m 3 / min), where 200 SP1 defects after polishing (more preferably 0 to 200, most preferably 0 to 185) are tellurium residue defects; Optionally, the substrate further comprises Si 3 N 4 , wherein at least some of the Si 3 N 4 is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition exhibits a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to Si 3 N 4 removal rate selectivity of at least 15: 1 (preferably at least 18: 1); Optionally, the substrate further comprises tetraethyl orthosilicate (TEOS), at least some of which TEOS is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition exhibits a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to TEOS removal rate selectivity of at least 15: 1.

이제 본 발명의 일부 구체예들을 하기 실시예에 상세하게 설명한다.Some embodiments of the invention are now described in detail in the following examples.

실시예Example

테스트된 화학 기계적 연마 조성물(CMPC)을 표 1에 나타내었다. 화학 기계적 연마 조성물 A-D는 청구 발명의 범위에 속하지 않는 비교 제제들이다.The chemical mechanical polishing compositions (CMPC) tested are shown in Table 1. Chemical mechanical polishing compositions A-D are comparative agents that do not fall within the scope of the claimed invention.

CMPCCMPC EDTAEDTA **
(( wtwt %)%) 연삭제Delete ŧŧŧŧ
(( wtwt %)%) HH 22 OO 22
(( wtwt %)%) pHpH αalpha 1One 0.20.2 3.53.5 0.50.5 88 AA -- 3.53.5 -- 88 BB 0.20.2 3.53.5 -- 88

* 에틸렌 디아민 테트라 아세트산 디포타슘염 디하이드레이트 * Ethylenediaminetetraacetic acid dipotassium salt dihydrate

ŧŧ AZ Electronic Materials에서 제조되고, Rohm and Haas Electronic Materials CMP 사에서 시판중인, 평균 입자 크기 120 nm의 Klebosol? K1630 콜로이드성 실리카 ŧŧ Klebosol with an average particle size of 120 nm manufactured by AZ Electronic Materials and sold by Rohm and Haas Electronic Materials CMP.?K1630 colloidal silica

α 테트라메틸암모늄 하이드록시드를 첨가하여 조정
Adjusted by adding α tetramethylammonium hydroxide

연마 테스트Polishing test

표 1의 화학 기계적 연마 조성물을 사용하여, SKW Associates 사의 게르마늄-안티모니-텔루륨(GST) 블랭킷 웨이퍼(Si / 1 kA 열산화 / 200 A TiN / 1500 A GST 필름) 상에서 연마 실험을 실시하였다.Using the chemical mechanical polishing composition of Table 1, polishing experiments were carried out on a germanium-antimony-tellurium (GST) blanket wafer (Si / 1 kA thermal oxidation / 200 A TiN / 1500 A GST film) from SKW Associates.

상기 연마 실험은, 60 rpm의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속 및 1.2 psi (8.27 kPa)의 다운 포스에서, IC1010™ 폴리우레탄 연마 패드(Rohm and Hass Electronic Materials CMP 사에서 시판)를 사용하는 ISRM 검출 시스템이 장착된 Applied Materials 사의 Mirra? 200 mm 연마 기계를 사용하여 실시하였다. Diagrid? AD3BG-150855 다이아몬드 패드 컨디셔너(Kinik Company에서 시판중)을 사용하여 연마 패드를 컨디셔닝하였다. 연마 전, 연마 패드를 컨디셔너로 14.0 lbs(6.35 kg)의 다운 포스를 사용하여 20분간 길을 들인 후, 9.01 lbs(4.08 kg)의 다운 포스로 10분간 길을 들였다. 추가로, 웨이퍼 연마 중에, 연마 패드를 9.01 lbs(4.08 kg)의 다운 포스로 그 자리에서(in situ) 컨디셔닝하였다. 표 2에 제시된 GST 제거 속도 데이터는 Jordan Valley JVX-5200T 계측 툴을 사용하여 측정한 것이다. 각각 SVTC 및 Advantiv로부터의 Si3N4 및 TEOS 블랭킷 웨이퍼 역시, 제시된 조건하에서 연마하였다. 표 2에 제시된 Si3N4 및 TEOS 제거 속도는, KLA-Tencor FX200 계측 툴을 사용하여 연마 전과 후에 필름 두께를 측정하여 결정하였다. 0.16μm 초과의 결함에 대한 결함 수 분석을 KLA-Tencor의 SP1 계측 툴을 사용하여 실시하였다. 무작위로 선택된 결함의 주어진 숫자(표 2에 제시됨)을 KLA-Tencor의 SEM EDR5200 계측 툴을 사용하여 검토하고, Te 잔여물 결함을 확인하였다. 그 후, 결함의 잔여에 대한 판정을 추정하여 Te 잔여물 결함의 총 숫자를 평가하였다. 연마 테스트의 결과를 표 2에 나타내었다.The polishing experiments were conducted using IC1010 ™ polyurethane polishing pads (Rohm and Hass) at a platen speed of 60 rpm, a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min and a down force of 1.2 psi (8.27 kPa). Mirra ® from Applied Materials with ISRM detection system using Electronic Materials CMP It was carried out using a 200 mm polishing machine. Diagrid ? The polishing pad was conditioned using an AD3BG-150855 diamond pad conditioner (commercially available from Kinik Company). Prior to polishing, the polishing pad was tamed for 20 minutes using a conditioner of 14.0 lbs (6.35 kg) and then 10 minutes with 9.01 lbs (4.08 kg) of down force. Additionally, during wafer polishing, the polishing pad at a down force of 9.01 lbs (4.08 kg) on the spot (in situ ) conditioned. GST removal rate data presented in Table 2 were measured using the Jordan Valley JVX-5200T metrology tool. Si 3 N 4 and TEOS blanket wafers from SVTC and Advantiv, respectively, were also polished under the conditions indicated. The Si 3 N 4 and TEOS removal rates shown in Table 2 were determined by measuring film thickness before and after polishing using the KLA-Tencor FX200 metrology tool. Defect number analysis for defects greater than 0.16 μm was performed using KLA-Tencor's SP1 metrology tool. Given numbers of randomly selected defects (shown in Table 2) were reviewed using KLA-Tencor's SEM EDR5200 metrology tool to identify Te residue defects. The determination of the residuals of the defects was then estimated to evaluate the total number of Te residue defects. The results of the polishing test are shown in Table 2.

CMPCCMPC GSTGST
제거remove
속도speed
(Å/분)(Å / min) TEOSTEOS
제거remove
속도speed
(Å/분)(Å / min) SiSi 33 NN 44
제거remove
속도speed
(Å/분)(Å / min) 전체all
결함flaw ŦŦ SEMSEM
검토Review
결함flaw TeTe
잔여물Residue
결함flaw 1One 12891289 8383 7070 261261 100100 180180 AA 204204 8585 5858 806806 100100 467467 BB 276276 133133 9797 881881 100100 150150

Ŧ 0.16μm 초과의 크기를 갖는 전체 결함.
Full defects having a size of more than Ŧ 0.16μm.

Claims (10)

게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계;
화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계;
화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및
화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하고,
여기에서, 상기 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서:
물;
연삭제(abrasive) 0.1 내지 5 wt%;
에틸렌 디아민 테트라 아세트산 및 그의 염으로부터 선택되는 물질 0.001 내지 5 wt%;
산화제로서 과산화수소 0.001 내지 3 wt%으로 필수적으로 구성되고,
이 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 7.1 내지 12이며,
상기 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되는,
기판의 화학 기계적 연마 방법.Providing a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium phase change alloy;
Providing a chemical mechanical polishing composition;
Providing a chemical mechanical polishing pad;
Creating a dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; And
Dispensing the chemical mechanical polishing composition on the chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate,
Wherein the chemical mechanical polishing composition is as an initial component:
water;
0.1-5 wt% abrasive;
0.001 to 5 wt% of a material selected from ethylene diamine tetra acetic acid and salts thereof;
Consisting essentially of 0.001 to 3 wt% hydrogen peroxide as oxidizing agent,
The pH of this chemical mechanical polishing composition is 7.1 to 12,
At least a portion of the germanium-antimony-tellurium phase change alloy is removed from the substrate,
Method of chemical mechanical polishing of a substrate. 제1항에 있어서, 기판은 Si3N4를 추가로 포함하고; 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; Si3N4의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택성이 10:1 이상인 방법.The method of claim 1, wherein the substrate further comprises Si 3 N 4 ; Soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; At least a portion of Si 3 N 4 is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to Si 3 N 4 removal rate selectivity of at least 10: 1. 제1항에 있어서, 기판은 테트라에틸 오르토실리케이트 (TEOS)를 추가로 포함하고; 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이며; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택성이 10:1 이상인 방법.The method of claim 1, wherein the substrate further comprises tetraethyl orthosilicate (TEOS); Soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to TEOS removal rate selectivity of at least 10: 1. 제1항에 있어서, 연삭제는 평균 입자 크기가 110 내지 130 nm인 콜로이드성 실리카 연삭제이고; 화학 기계적 연마 조성물은, 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도가, 60 rpm(분당 회전)의 플래튼 속도, 55 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계 상에 8.27 kPa (1.2 psi)의 공칭 다운 포스(nominal down force)에서, 1,000 Å/분 이상을 나타내고, 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공(hollow) 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드(non-woven subpad)를 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein the soft erase is colloidal silica soft erase with an average particle size of 110 to 130 nm; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate, a platen speed of 60 rpm (rotation per minute), a carrier speed of 55 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, and 200 At a nominal down force of 8.27 kPa (1.2 psi) on a mm polishing machine, the mechanical mechanical polishing pad exhibits at least 1,000 mW / min, and the chemical mechanical polishing pad is a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles. And a polyurethane impregnated nonwoven subpad. 제4항에 있어서, 기판은 Si3N4를 추가로 포함하고; Si3N4의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택성이 15:1 이상인 방법.The method of claim 4, wherein the substrate further comprises Si 3 N 4 ; At least a portion of Si 3 N 4 is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to Si 3 N 4 removal rate selectivity of at least 15: 1. 제4항에 있어서, 기판은 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 추가로 포함하고; TEOS의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택성이 15:1 이상인 방법.The method of claim 4, wherein the substrate further comprises tetraethyl orthosilicate (TEOS); At least a portion of the TEOS is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to TEOS removal rate selectivity of at least 15: 1. 제4항에 있어서, 화학 기계적 연마 조성물은 300 이하의 연마후(post polish) SP1 결함수(> 0.16μm)를 가지면서 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 제거 속도를 1,000 Å/분 이상으로 촉진하는 방법.The method of claim 4 wherein the chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy removal rate of at least 1,000 dl / min with a post polish SP1 defect number (> 0.16 μm). How to promote. 제7항에 있어서, 연마후 SP1 결함 중 200 이하가 텔루륨 잔여물 결함인 방법.8. The method of claim 7, wherein up to 200 of the SP1 defects after polishing are tellurium residue defects. 제8항에 있어서, 기판은 Si3N4를 추가로 포함하고; Si3N4의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택성이 15:1 이상인 방법.The method of claim 8, wherein the substrate further comprises Si 3 N 4 ; At least a portion of Si 3 N 4 is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to Si 3 N 4 removal rate selectivity of at least 15: 1. 제8항에 있어서, 기판은 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 추가로 포함하고; TEOS의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되며; 화학 기계적 연마 조성물은 게르마늄-안티모니-텔루륨 상 변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택성이 15:1 이상인 방법.
The method of claim 8, wherein the substrate further comprises tetraethyl orthosilicate (TEOS); At least a portion of the TEOS is removed from the substrate; The chemical mechanical polishing composition has a germanium-antimony-tellurium phase change alloy to TEOS removal rate selectivity of at least 15: 1.
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