KR20120121834A - Method of manufacturing organic electroluminescence display device - Google Patents

Method of manufacturing organic electroluminescence display device Download PDF

Info

Publication number
KR20120121834A
KR20120121834A KR1020120039540A KR20120039540A KR20120121834A KR 20120121834 A KR20120121834 A KR 20120121834A KR 1020120039540 A KR1020120039540 A KR 1020120039540A KR 20120039540 A KR20120039540 A KR 20120039540A KR 20120121834 A KR20120121834 A KR 20120121834A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
organic
organic compound
display device
compound
Prior art date
Application number
KR1020120039540A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
사토루 시오바라
준 카마타니
요스케 니시데
타로 엔도
토모유키 히로키
노부히코 사토
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Priority to KR1020120039540A priority Critical patent/KR20120121834A/en
Publication of KR20120121834A publication Critical patent/KR20120121834A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an organic electroluminescence(EL) display device is provided to obtain an organic EL device having equivalent device characteristics of an organic EL device which is formed by a vacuum in-situ method. CONSTITUTION: Organic compound layers(22a,22b,22c) are formed on first electrodes(21a,2lb,21c). A peeling layer(30) is formed on the organic compound layer. The organic compound layer is removed from the peeling layer. The peeling layer includes a deposition film consisting of the organic compound. A polar solvent includes water and a solvent which is mixed with the polar solvent.

Description

유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE}Manufacturing method of organic electroluminescent display device {METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 유기 일렉트로루미네센스(EL) 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of an organic electroluminescent (EL) display apparatus.

일반적으로 알려진 유기EL소자를 탑재한 표시장치는, 각각 유기EL소자를 단수 혹은 다수 갖는 화소를 소정의 패턴으로 배열한 장치다. 이들 화소들에 의해, 표시장치의 표시 영역은 이차원적으로 섬세하게 분할되어 있다. 이 화소들에 포함된 유기EL소자는, 예를 들면 적색광, 녹색광 및 청색광 중 어느 하나를 출력하는 전자소자다. 유기EL소자를 탑재한 표시장치는, 원하는 색을 출력하는 유기EL소자를 원하는 발광강도에서 구동시킴으로써 풀컬러의 화상을 얻는다.BACKGROUND ART A display device equipped with a generally known organic EL element is a device in which pixels having a single or multiple organic EL elements are arranged in a predetermined pattern. By these pixels, the display area of the display device is finely divided two-dimensionally. The organic EL element contained in these pixels is an electronic element which outputs any one of red light, green light, and blue light, for example. A display device equipped with an organic EL element obtains a full color image by driving an organic EL element that outputs a desired color at a desired emission intensity.

그런데, 표시장치의 구성요소인 유기EL소자에 있어서, 상기 소자에서의 유기 화합물층은, 증착 등에 의해 유기재료로 이루어진 박막을 형성하여서 형성된 박막층이다. 증착에 의해 표시장치의 유기EL소자에서의 유기 화합물층을 소자마다 형성할 때, 미세 패터닝 기술이 필요하다. 그 패터닝을 행할 때, 패터닝의 미세도에 따른 미세한 금속 마스크가 필요하다. 그러나, 금속 마스크가 반복 증착에 사용될 때 부착되는 증착막은, 그 마스크의 개구부를 좁게 하거나, 응력은 그 마스크의 개구부를 변형하여도 된다. 따라서, 일정 회수의 성막 후에 사용한 마스크를 세정할 필요가 있고, 이것이 제조 비용의 관점에서 불리한 요인이다. 또한, 부분적으로 마스크의 가공 정밀도의 제약으로 인해, 픽셀 사이즈는 100μm정도가 한계이며, 보다 미세한 사이즈에 대하여 불리하다. 한층 더, 기판 사이즈에 관해서도, 고정세 금속 마스크를 대형화하면, 마스크의 개구부의 위치 정밀도를 확보하기 위해서, 마스크의 프레임의 강성을 높일 필요가 있다. 그러나, 마스크의 강성을 높이면, 그에 따라 마스크 자체의 중량의 증가를 일으킨다. 이 때문에, 가공성과 핸들링의 양쪽의 관점에서, 제4세대이후의 대형 표시장치를 제작하는 경우에, 고정세 유기EL소자 및 이 유기EL소자를 탑재한 표시장치의 최적의 제작 프로세스에 대해서는 현재 시점에서 구체화되어 있지 않다.By the way, in the organic EL element which is a component of the display device, the organic compound layer in the element is a thin film layer formed by forming a thin film made of an organic material by vapor deposition or the like. When forming the organic compound layer in the organic EL element of the display device for each element by vapor deposition, fine patterning technique is required. When performing the patterning, a fine metal mask according to the fineness of the patterning is required. However, the vapor deposition film deposited when the metal mask is used for repeated vapor deposition may narrow the opening of the mask, or the stress may deform the opening of the mask. Therefore, it is necessary to wash the mask used after a certain number of film formation, which is a disadvantage in terms of manufacturing cost. Further, in part due to the limitation of the processing accuracy of the mask, the pixel size is limited to about 100 μm, which is disadvantageous for the finer size. Further, regarding the substrate size, when the high-definition metal mask is enlarged, it is necessary to increase the rigidity of the frame of the mask in order to secure the positional accuracy of the opening of the mask. However, increasing the rigidity of the mask causes an increase in the weight of the mask itself. For this reason, from the viewpoint of processability and handling, when manufacturing a large-sized display device after the fourth generation or later, an optimal manufacturing process of a high-definition organic EL element and a display device on which the organic EL element is mounted is present. Not embodied in

이들의 상황하에서, 금속 마스크를 사용하지 않는 방법으로 고정세 유기EL소자를 갖는 표시장치를 제조하는 방법이 제안되어 있다.Under these circumstances, a method of manufacturing a display device having a high-definition organic EL element by a method without using a metal mask has been proposed.

일본국 특허 제3839276호에서 제안되어 있는 방법에서는, 발광층 위에 포토레지스트가 직접 형성되어 있다. 이 방법을 채용하는 경우, 사용되는 포토레지스트에는, 일반적으로 광개시제, 가교제등이 많이 포함되어 있다. 여기에서, 광개시제, 가교제등은, 각각 적어도 현상액에 대한 불용성을 변화시키기 위한 재료다. 일본국 특허 제4507759호에서 제안된 방법에서는, 유기 화합물층 위에 수용성 재료로 형성된 중간층이 설치되고, 이 중간층상에서 포토리소그래피를 행함으로써 유기 화합물층이 패터닝된다. 여기에서, 발광층 위에 형성되도록 중간층을 구성하는 수용성 고분자는 일반적으로 절연성이다. 또한, 일본국 특허 제4544811호에서는, 수용성 고분자를 박리층으로서 사용해서 이 박리층과 함께 포토레지스트를 박리하는 기술이 제안되어 있다.In the method proposed in Japanese Patent No. 3839276, a photoresist is directly formed on the light emitting layer. When employing this method, the photoresist used generally contains many photoinitiators, crosslinking agents and the like. Here, photoinitiator, crosslinking agent, etc. are materials for changing insolubility to a developing solution at least, respectively. In the method proposed in Japanese Patent No. 4507759, an intermediate layer formed of a water-soluble material is provided on the organic compound layer, and the organic compound layer is patterned by performing photolithography on the intermediate layer. Here, the water-soluble polymer constituting the intermediate layer to be formed on the light emitting layer is generally insulating. In addition, Japanese Patent No. 4548211 has proposed a technique of using a water-soluble polymer as a release layer to peel a photoresist together with the release layer.

상기 레지스트, 상기 중간층, 상기 박리층 등은 일반적으로 절연성이다. 이에 따라, 이들 층중 어느 한 층이 유기EL소자의 발광층 등의 표면에 남겨져 있으면, 그 층은, 저항이 되어서 유기EL표시장치내의 유기EL소자의 소자특성이 현저하게 악화한다. 이에 따라, 상기 레지스트, 상기 중간층, 상기 박리층 등을, 발광층 등의 표면에 남지 않도록 제거할 필요가 있다. 그러나, 고분자재료로 각각 형성된 상기 레지스트, 상기 중간층, 상기 박리층 등을 완전하게 제거하는 것은 곤란해서, 완전히 제거할 수 없는 잔류물이 어느 정도 상기 장치내에 잔존한다. 예를 들면 다음의 내용으로 인해 소자 특성에 대해 악화가 걱정된다. 상기 레지스트, 상기 중간층, 상기 박리층 등에 포함되어 있는 미량 불순물이나, 상기 레지스트, 상기 중간층, 상기 박리층 등을 도포할 때에 사용되는 용매가 유기 화합물층을 구성하는 발광층 등에 확산해서 유기 화합물층의 결정화의 요인이 된다. 이에 따라서, 종래는 다음의 문제가 일어났다. 포토리소그래피 프로세스를 이용한 것을 포함하는 패터닝에 의해 제조된 유기EL표시장치에 포함되는 유기EL소자의 소자특성은, 진공 인시투(in-situ) 방식에서 금속 마스크 등의 패턴과 같이 형성된 유기EL소자의 소자특성보다 못하다.The resist, the intermediate layer, the release layer and the like are generally insulating. As a result, if any one of these layers is left on the surface of the light emitting layer or the like of the organic EL element, the layer becomes a resistance, and the device characteristics of the organic EL element in the organic EL display device deteriorate remarkably. Accordingly, it is necessary to remove the resist, the intermediate layer, the release layer, and the like so as not to remain on the surface of the light emitting layer or the like. However, it is difficult to completely remove the resist, the intermediate layer, the release layer, and the like, each formed of a polymer material, so that a residue which cannot be completely removed remains in the apparatus to some extent. For example, the following is a concern about deterioration of device characteristics. Trace impurities contained in the resist, the intermediate layer, the exfoliation layer, or the like, or a solvent used when applying the resist, the intermediate layer, the exfoliation layer, or the like diffuses to the light-emitting layer constituting the organic compound layer and causes crystallization of the organic compound layer. Becomes Accordingly, the following problem has arisen in the prior art. The device characteristics of the organic EL element included in the organic EL display device manufactured by patterning including the use of a photolithography process are determined by the organic EL element formed like a pattern such as a metal mask in a vacuum in-situ method. It is worse than device characteristics.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은, 포토리소그래피에 의거한 패터닝 수법을 이용하면서, 금속 마스크 등을 사용하여, 진공 인시투 방식으로 형성한 유기EL소자의 것들과 동등한 소자특성을 갖는 유기EL소자를 구비하는 유기EL표시장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide device characteristics equivalent to those of an organic EL element formed by a vacuum in-situ method using a metal mask or the like while using a patterning method based on photolithography. The present invention provides a method for manufacturing an organic EL display device having an organic EL element.

본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법은, 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이에 배치되고 패터닝 되어 있는 유기 화합물층으로 이루어진 유기EL소자를 갖는 유기EL표시장치의 제조 방법으로서, 상기 제1전극 위에 적어도 상기 유기 화합물층을 형성하는 유기 화합물층의 형성 공정; 상기 유기 화합물층 위에 박리층을 형성하는 박리층의 형성 공정; 상기 박리층을 패터닝 하는 상기 박리층의 제1의 가공 공정; 상기 박리층의 상기 제1의 가공 공정에서 가공된 상기 박리층에 피복되지 않은 영역의 상기 유기 화합물층을 제거하는 유기 화합물층의 가공 공정; 및 상기 박리층의 일부를 제거하는 상기 박리층의 제2의 가공 공정을 포함하고, 상기 박리층이, 전하수송성의 유기 화합물로 이루어진 증착막을 포함하고, 또 극성용매에 가용성이다.A method for manufacturing an organic EL display device of the present invention includes an organic EL having an organic EL element composed of a first electrode and a second electrode and an organic compound layer disposed and patterned between the first electrode and the second electrode. A method of manufacturing a display device, comprising: forming an organic compound layer forming at least the organic compound layer on the first electrode; A step of forming a release layer for forming a release layer on the organic compound layer; A first processing step of the release layer for patterning the release layer; A processing step of the organic compound layer for removing the organic compound layer in a region not covered with the release layer processed in the first processing step of the release layer; And a second processing step of the release layer for removing a part of the release layer, wherein the release layer includes a vapor deposition film made of a charge-transporting organic compound and is soluble in a polar solvent.

본 발명에 의하면, 포토리소그래피에 의거한 패터닝 수법을 이용하면서, 금속 마스크 등을 사용하여, 진공 인시투 방식으로 형성한 유기EL소자와 것들과 동등한 소자특성을 갖는 유기EL소자를 구비하는 유기EL표시장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, an organic EL display comprising an organic EL element formed by a vacuum in-situ method and an organic EL element having a device characteristic equivalent to those using a metal mask or the like while using a patterning method based on photolithography. It is possible to provide a method of manufacturing the device.

본 발명의 또 다른 특징들은, 첨부도면을 참조하여 아래의 예시적 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.
Further features of the present invention will become apparent from the description of exemplary embodiments below with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 유기EL표시장치의 예를 나타내는 단면 모식도다.
도 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g, 2h, 2i, 2j, 2k, 2l, 2m, 2n, 2o 각각은, 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법에 있어서의 실시예 1을 나타내는 단면 모식도다.
도 3은 화합물 1과 화합물A2에 있어서의 에칭 시간에 대한 두께 변화를 나타내는 그래프다.
도 4는 축합 다환 탄화수소 화합물(화합물1)과 복소환식 화합물(화합물A2)과의 IPA/물 혼합 용제(수극성 용매)에 대한 용해도를 나타낸 그래프다.
도 5a, 5b, 5c, 5d, 5e는 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법에 있어서의 실시예 2를 각각 나타내는 단면 모식도다.
도 6a, 6b, 6c, 6d, 6e, 6f는, 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법에 있어서의 실시예 3을 각각 나타내는 단면 모식도다.
도 7은 디지털 카메라 시스템의 일례를 나타내는 블록도다.
1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic EL display device manufactured by the manufacturing method of the present invention.
2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g, 2h, 2i, 2j, 2k, 2l, 2m, 2n, and 2o respectively show Example 1 in the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention. It is a cross-sectional schematic diagram shown.
3 is a graph showing a change in thickness with respect to etching time in Compound 1 and Compound A2.
4 is a graph showing the solubility of an IPA / water mixed solvent (polar solvent) between a condensed polycyclic hydrocarbon compound (Compound 1) and a heterocyclic compound (Compound A2).
5A, 5B, 5C, 5D, and 5E are cross-sectional schematic diagrams showing Example 2 of the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention, respectively.
6A, 6B, 6C, 6D, 6E, and 6F are cross-sectional schematic diagrams showing Example 3 of the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention, respectively.
7 is a block diagram illustrating an example of a digital camera system.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을, 첨부도면에 따라 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 방법은, 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이에 배치되어 있는 유기 화합물층으로 이루어진, 유기EL소자를 갖고, 상기 유기 화합물층이 원하는 형상으로 패터닝 되어 있는 유기EL표시장치의 제조 방법이다.The method according to the present invention has an organic EL element comprising a first electrode and a second electrode and an organic compound layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic compound layer has a desired shape. It is a manufacturing method of the patterned organic EL display apparatus.

본 발명의 제조 방법은, 하기에 나타내는 공정(A) 내지 (E)를 포함한다: (A) 제1전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 유기 화합물층의 형성 공정; (B) 상기 유기 화합물층 위에 박리층을 형성하는 박리층의 형성 공정; (C) 상기 박리층을 원하는 형상으로 가공하는 박리층의 제1의 가공 공정; (D) 상기 박리층의 제1의 가공 공정에서 가공된 박리층에 피복되지 않은 영역의 유기 화합물층을 제거하는 유기 화합물층의 가공 공정; (E) 상기 박리층의 일부를 제거하는 박리층의 제2의 가공 공정.The manufacturing method of this invention includes the process (A)-(E) shown below: (A) Formation process of the organic compound layer which forms an organic compound layer on a 1st electrode; (B) forming a release layer for forming a release layer on the organic compound layer; (C) the first processing step of the release layer for processing the release layer into a desired shape; (D) The process of the organic compound layer which removes the organic compound layer of the area | region which is not covered by the peeling layer processed by the 1st process process of the said peeling layer; (E) 2nd process of peeling layer which removes a part of said peeling layer.

또한, 본 발명에 있어서는, 박리층은, 전하수송성의 유기 화합물로 이루어지는 증착막이며, 또한 극성용매에 가용한(soluble) 박막층이다. 일반적으로, 유기EL소자의 유기 화합물층은, 극성용매에서의 용해도가 작은 화합물로 형성된다. 따라서, 상기 공정(E)에 있어서, 유기 화합물층을 거의 용해시키지 않고, 선택적으로 박리층을 선택적으로 용해시킬 수 있다. 한층 더, 상기 공정(E) 후에 유기 화합물층의 표면에 남는 박리층이, 전하수송성의 유기 화합물로 형성된 층이다. 이에 따라, 그 위에 제2전극등의 유기EL소자를 구성하는 층을 형성해도, 전하의 흐름을 방해하지 않는다. 이때, 본 발명에서의 방법은, 상기 공정(E)(박리층의 제2의 가공 공정) 후에, 알칼리 금속을 포함하는 층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in this invention, a peeling layer is a vapor deposition film which consists of a charge transport organic compound, and is a thin film layer soluble in a polar solvent. In general, the organic compound layer of the organic EL element is formed of a compound having a low solubility in a polar solvent. Therefore, in the said process (E), a peeling layer can be selectively melt | dissolved selectively, hardly dissolving an organic compound layer. Furthermore, the peeling layer which remains on the surface of an organic compound layer after the said process (E) is a layer formed from the charge-transporting organic compound. Thus, even if a layer constituting an organic EL element such as a second electrode is formed thereon, the flow of charges is not disturbed. At this time, it is preferable that the method of this invention further includes the process of forming the layer containing an alkali metal after the said process (E) (2nd process process of a peeling layer).

(실시예 1)(Example 1)

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관하여 설명한다. 이때, 이하의 설명에 있어서, 특히 도면에 나타내는 것 또는 기재가 없는 부분에 관해서는, 해당 기술분야의 주지기술 또는 공지 기술을 적용할 수 있다. 추가로, 이하에 설명하는 실시예들은, 어디까지나 본 발명의 일 실시예에 지나지 않고, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 또, 조합이 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 한, 이하에 설명하는 실시예들을 적절하게 조합하여도 좋다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. At this time, in the following description, the well-known technique or well-known technique of the said technical field can be applied especially about the part which is shown in a figure, or a part without description. In addition, the Example described below is only one Example of this invention to the last, and this invention is not limited to these. As long as the combination does not deviate from the gist of the present invention, the embodiments described below may be appropriately combined.

(유기EL표시장치)(Organic EL display device)

도 1은, 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 유기EL표시장치의 일례를 나타내는 단면 모식도다. 도 1의 유기EL표시장치(1)는, 지지 기판(10) 위에, 3종류의 부화소, 즉, 제1 부화소(20a)와, 제2 부화소(20b)와, 제3 부화소(20c)가 설치된다. 여기에서 제1 부화소(20a)와, 제2 부화소(20b)와, 제3 부화소(20c)로 화소가 구성되어 있다. 도 1의 유기EL표시장치(1)에는, 제1 부화소(20a)와, 제2 부화소(20b)와, 제3 부화소(20c)로 이루어지는 1화소가 나타나 있지만, 실제의 유기EL표시장치에서는, 지지 기판(10) 위에 복수의 화소가 매트릭스 모양으로 배치되어 있다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic EL display device manufactured by the manufacturing method of the present invention. In the organic EL display device 1 of FIG. 1, three types of subpixels, that is, the first subpixel 20a, the second subpixel 20b, and the third subpixel (on the support substrate 10) are provided. 20c) is installed. Here, the pixel is composed of the first subpixel 20a, the second subpixel 20b, and the third subpixel 20c. In the organic EL display device 1 of FIG. 1, one pixel composed of the first subpixel 20a, the second subpixel 20b, and the third subpixel 20c is shown, but the actual organic EL display is shown. In the apparatus, a plurality of pixels are arranged in a matrix on the support substrate 10.

또한, 도 1의 유기EL표시장치(1)에 있어서, 각 부화소(20a, 20b 또는 20c)는, 제1전극(21)과, 유기 화합물층(22)과, 전하수송층(23)과, 전하주입/수송층(24)과, 제2전극(25)을 갖는다.In the organic EL display device 1 of FIG. 1, each of the subpixels 20a, 20b, or 20c includes the first electrode 21, the organic compound layer 22, the charge transport layer 23, and the charge. The injection / transport layer 24 and the second electrode 25 are provided.

제1전극(21)(21a, 2lb 또는 21c)은, 지지 기판(10) 위에 설치된 전극층(하부전극)이며, 부화소마다 개별적으로 설치된다. 또, 제1전극(21a, 2lb, 21c)은, 트랜지스터 등의 스위칭소자(도면에 나타내지 않는다)와 전기적으로 각각 접속되어 있다.The first electrodes 21 (21a, 2lb or 21c) are electrode layers (lower electrodes) provided on the support substrate 10, and are provided individually for each subpixel. The first electrodes 21a, 2lb, and 21c are electrically connected to switching elements (not shown) such as transistors, respectively.

유기 화합물층(22)(22a, 22b 또는 22c)은, 소정의 유기 화합물로 이루어지는 단층 혹은 이러한 종류의 복수층으로 형성된 적층체다. 이때, 유기 화합물층(22a, 22b 또는 22c)에는, 적어도, 적색, 녹색 및 청색을 포함한 색중 어느 하나의 광을 출력시키기 위한 발광층(도면에 나타내지 않는다)을 가지고 있다.The organic compound layer 22 (22a, 22b, or 22c) is a single layer which consists of a predetermined organic compound, or a laminated body formed from these multiple layers. At this time, the organic compound layer 22a, 22b, or 22c has a light emitting layer (not shown) for outputting at least one of colors including red, green, and blue.

전하수송층(23)(23a, 23b 또는 23c)은, 제2전극(25)으로부터 주입된 정공 또는 전자를 유기 화합물층(22)에 주입 또는 수송하도록 설치된다. 또, 도 1의 유기EL표시장치(1)에 있어서, 전하수송층(23a, 23b 또는 23c)은, 부화소마다 개별적으로 설치된다.The charge transport layers 23 (23a, 23b or 23c) are provided to inject or transport holes or electrons injected from the second electrode 25 into the organic compound layer 22. In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the charge transport layers 23a, 23b or 23c are provided separately for each subpixel.

전하주입/수송층(24)은, 전하수송층(23)과 함께, 제2전극(25)으로부터 주입된 정공 또는 전자를 유기 화합물층(22)에 주입 또는 수송하도록 설치된다. 도 1의 유기EL표시장치(1)에서는 전하주입/수송층(24)이, 각기 부화소(20a, 20b, 20c)에 공통되는 층으로서 설치되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 전하주입/수송층(24)은, 부화소마다 개별적으로 설치되어도 된다.The charge injection / transport layer 24 is provided along with the charge transport layer 23 to inject or transport the holes or electrons injected from the second electrode 25 to the organic compound layer 22. In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the charge injection / transport layer 24 is provided as a layer common to the subpixels 20a, 20b, and 20c, respectively, but the present invention is not limited thereto. That is, the charge injection / transport layer 24 may be provided separately for each subpixel.

도 1의 유기EL표시장치(1)에서는, 제2전극(25)(상부전극)이, 전하주입/수송층(24)과 같이 각 부화소(20a, 20b, 20c)에 공통되는 층으로서 설치되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제2전극(25)은, 부화소마다 개별적으로 설치되어도 된다.In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the second electrode 25 (upper electrode) is provided as a layer common to each of the subpixels 20a, 20b, 20c like the charge injection / transport layer 24. However, the present invention is not limited to this. That is, the second electrode 25 may be provided separately for each subpixel.

(유기EL표시장치의 제조 방법)(Method of manufacturing organic EL display device)

다음에, 본 발명에 따른 도 1의 유기EL표시장치의 제조 방법의 구체적인 예로서, 서로 다른 색을 표시하는 3종류의 부화소를 구비한, 유기EL표시장치의 제조 방법에 관하여 설명한다.Next, as a specific example of the manufacturing method of the organic EL display device of FIG. 1 according to the present invention, a manufacturing method of the organic EL display device having three types of subpixels displaying different colors will be described.

상기한 바와 같이, 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법은, 적어도 하기에 나타내는 공정(A) 내지 (E)를 포함한다: (A) 제1전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 유기 화합물층의 형성 공정; (B) 상기 유기 화합물층 위에 박리층을 형성하는 박리층의 형성 공정; (C) 상기 박리층을 원하는 형상으로 가공하는 박리층의 제1의 가공 공정; (D) 상기 박리층의 제1의 가공 공정에서 가공된 박리층에 피복되지 않은 영역의 유기 화합물층을 제거하는 유기 화합물층의 가공 공정; (E) 상기 박리층의 일부를 제거하는 박리층의 제2의 가공 공정.As described above, the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention includes at least the following steps (A) to (E): (A) Step of forming an organic compound layer for forming an organic compound layer on the first electrode ; (B) forming a release layer for forming a release layer on the organic compound layer; (C) the first processing step of the release layer for processing the release layer into a desired shape; (D) The process of the organic compound layer which removes the organic compound layer of the area | region which is not covered by the peeling layer processed by the 1st process process of the said peeling layer; (E) 2nd process of peeling layer which removes a part of said peeling layer.

도 2a 내지 2o는, 각각 도 1의 유기EL표시장치의 제조 프로세스의 일례를 나타내는 단면 모식도다. 또한, 도 2a 내지 2o는, 각각 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법에 있어서의 실시예 1을 나타내는 단면 모식도다. 도 1의 유기EL표시장치를 제조할 때, 예를 들면, 이하의 공정에 의해 유기EL표시장치를 제조한다: (1)제1전극의 형성 공정(도 2a); (2)유기 화합물층의 형성 공정(도 2b); (3)박리층의 형성 공정(도 2c); (4)감광성 수지층의 형성 공정(도 2d); (5)감광성 수지층의 가공 공정(도 2e); (6)박리층의 제1의 가공 공정(도 2f); (7)유기 화합물층의 가공 공정(도 2g); (8)감광성 수지층의 제거 공정(도 2l); (9)박리층의 제2의 가공 공정(전하수송층의 형성 공정)(도 2m); (10)전하주입/수송층의 형성 공정(도 2n); 및 (11)제2전극의 형성 공정(도 2o).2A to 2O are cross-sectional schematic diagrams each showing an example of a manufacturing process of the organic EL display device of FIG. 1. 2A to 2O are schematic cross-sectional views showing Example 1 of the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention, respectively. When manufacturing the organic EL display device of FIG. 1, for example, an organic EL display device is manufactured by the following steps: (1) Formation process of first electrode (FIG. 2A); (2) formation process of organic compound layer (FIG. 2B); (3) formation process of peeling layer (FIG. 2C); (4) formation process of photosensitive resin layer (FIG. 2D); (5) processing step of photosensitive resin layer (FIG. 2E); (6) 1st process process of peeling layer (FIG. 2F); (7) processing step of organic compound layer (FIG. 2G); (8) removal process of photosensitive resin layer (FIG. 2L); (9) 2nd processing process (formation process of charge transport layer) of peeling layer (FIG. 2m); (10) formation process of charge injection / transport layer (FIG. 2N); And (11) a step of forming the second electrode (FIG. 2O).

다만, 상기(1) 내지 (11)의 공정은 어디까지나 특정 예들이며, 본 발명은 이 형태에 한정되는 것은 아니다. 도 1의 유기EL표시장치(1)는, 발광 색이 다른 3종류의 부화소(20a, 20b, 20c)를 각각 제조할 필요가 있으므로, (1)의 공정을 행한 후는, (8)의 공정을 행하기 전에, (2) 내지 (7)의 공정을 총 3회 행할 필요가 있다. 예를 들면, 먼저 제1 부화소(20a)에서의 유기 화합물층(22a)을 (2) 내지 (7)의 공정으로 형성한다(도 2g). 그리고, 제2 부화소(20b)에서의 유기 화합물층(22b)을 (2) 내지 (7)의 공정으로 형성한다(도 2h?도 2i). 그 후, 제3 부화소(20c)에서의 유기 화합물층(22c)을 (2) 내지 (7)의 공정으로 형성한다(도 2j?도 2k).However, the process of said (1)-(11) is a specific example to the last, and this invention is not limited to this form. Since the organic EL display device 1 of FIG. 1 needs to manufacture three types of subpixels 20a, 20b, and 20c, each having a different emission color, the organic EL display device 1 of FIG. Before performing a process, it is necessary to perform the process of (2)-(7) three times in total. For example, first, the organic compound layer 22a in the first subpixel 20a is formed by the steps (2) to (7) (Fig. 2G). And the organic compound layer 22b in the 2nd subpixel 20b is formed by the process of (2)-(7) (FIG. 2H-FIG. 2I). Then, the organic compound layer 22c in the 3rd subpixel 20c is formed by the process of (2)-(7) (FIG. 2J-FIG. 2K).

다음에, 상기 (1) 내지 (11)의 각 공정에 대해서 구체적으로 설명한다.Next, each process of said (1)-(11) is demonstrated concretely.

(제1전극의 형성 공정)(Step of Forming First Electrode)

우선, 지지 기판(10) 위에 제1전극(21a, 2lb, 21c)을 형성한다. 지지 기판(10)으로서, 유리 기판등의 공지의 기판을 선택할 수 있다. 제1전극(21a, 2lb, 21c)은, 공지의 전극재료로 각각 이루어진 전극층이며, 광 추출 방향에 대응해서 그 구성 재료를 적절하게 선택한다. 톱 이미션형의 유기EL표시장치를 제조하는 경우에, 제1전극(21a, 2lb, 21c)은 반사 전극이고, 후술하는 제2전극(25)을 광 투과성 전극이다. 한편, 보텀 이미션형의 유기EL표시장치를 제조하는 경우에, 제1전극(21a, 2lb, 21c)은 광 투과성전극이고 제2전극(25)은 반사 전극이다.First, first electrodes 21a, 2lb, and 21c are formed on the support substrate 10. As the support substrate 10, a well-known board | substrate, such as a glass substrate, can be selected. The first electrodes 21a, 2lb, and 21c are electrode layers made of known electrode materials, respectively, and appropriately select its constituent materials in accordance with the light extraction direction. In the case of manufacturing a top emission organic EL display device, the first electrodes 21a, 2lb, and 21c are reflective electrodes, and the second electrode 25 described later is a light transmissive electrode. On the other hand, in the case of manufacturing a bottom emission type organic EL display device, the first electrodes 21a, 2lb, and 21c are light transmissive electrodes and the second electrode 25 is a reflective electrode.

반사 전극으로서 제1전극(21a, 2lb, 21c)을 형성할 경우, 제1전극(21a, 2lb, 21c) 각각의 구성 재료는, 바람직하게는, Cr, Al, Ag, Au 또는 Pt등의 금속재료다. 이것들 금속재료 중, 반사율이 높은 재료는, 광 추출 효율을 추가로 향상시킬 수 있기 때문에 보다 바람직하다. 반사 전극은, 예를 들면 스퍼터링 등의 공지의 방법으로 상기 금속재료의 박막을 형성하여, 포토리소그래피 등에 의해 그 박막을 원하는 형상으로 가공함으로써 부화소마다 별개로 형성된다. 이때, 임의의 상기 금속재료로 이루어진 박막 위에는, 해당 박막의 보호 혹은 일함수의 조절 등의 이유에 의해, ITO나 IZO등의 광 투과성을 갖는 산화물반도체로 이루어진 층을 한층 더 설치해도 된다. 또한, 제1전극(21a, 2lb, 21c)을 형성할 때는, 금속 마스크를 사용한 증착을 이용해도 좋다. 금속 마스크를 사용한 증착을 행하는 경우에도, 제1전극(21a, 2lb 또는 21c)은, 부화소마다 별개로 형성된다.When the first electrodes 21a, 2lb, 21c are formed as reflective electrodes, the constituent material of each of the first electrodes 21a, 2lb, 21c is preferably a metal such as Cr, Al, Ag, Au, or Pat. Material Of these metal materials, materials having high reflectance are more preferable because they can further improve light extraction efficiency. The reflective electrode is formed separately for each subpixel by forming a thin film of the metal material by a known method such as sputtering and processing the thin film into a desired shape by photolithography or the like. At this time, a layer made of an oxide semiconductor having light transmittance such as ITO or IOX may be further provided on the thin film made of any of the above metal materials for reasons such as protection of the thin film or adjustment of the work function. In addition, when forming the 1st electrode 21a, 2lb, 21c, vapor deposition using a metal mask may be used. Even when vapor deposition is performed using a metal mask, the first electrodes 21a, 2lb, or 21c are formed separately for each subpixel.

광 투과성 전극으로서 제1전극(21a, 2lb, 21c)을 형성할 경우, 제1전극(21a, 2lb, 21c) 각각의 구성 재료의 예들은, 산화인듐 주석(ITO)이나 산화인듐 아연등의 광 투과성을 갖는 산화물반도체가 있다.When the first electrodes 21a, 2lb and 21c are formed as the light transmissive electrodes, examples of the constituent material of each of the first electrodes 21a, 2lb and 21c include light such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide. There is an oxide semiconductor having permeability.

(유기 화합물층의 형성 공정)(Formation process of organic compound layer)

유기 화합물층(22)(22a, 22b 또는 22c)은, 유기EL표시장치의 구성부재이며, 적어도 발광층을 포함하는 단층 또는 복수의 층으로 이루어진 적층체다. 유기 화합물층(22)에서의 발광층이외의 층은, 본 발명이 여기에 한정되지 않으면, 예를 들면 정공주입층, 정공수송층, 전자 블록층, 정공 블록층, 전자수송층 또는 전자주입층이다. 여기에서, 발광층에 접하는 층은, 전하수송층(정공수송층 또는 전자수송층)이여도 되거나, 전하 블록층(전자 블록층 또는 정공 블록층)이여도 된다.The organic compound layers 22 (22a, 22b or 22c) are constituent members of the organic EL display device, and are at least a single layer or a plurality of layers including a light emitting layer. Layers other than the light emitting layer in the organic compound layer 22 are, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, a hole block layer, an electron transport layer, or an electron injection layer, unless the present invention is limited thereto. The layer in contact with the light emitting layer may be a charge transport layer (hole transport layer or electron transport layer) or a charge block layer (electron block layer or hole block layer).

또한, 제1전극(21)에 대한 유기 화합물층(22)의 구체적 구성에 대해서는, 제1전극(21)이 유기 화합물층(22)을 향해서 주입하는 캐리어의 종류에 따라 적절하게 설정하면 좋다. 즉, 제1전극(21)으로부터 정공이 주입될 경우에는, 제1전극(21)측에 정공을 주입 또는 수송하는 층(정공주입층 또는 정공수송층)이 설치되는 한편, 제2전극(25)측에 전자를 주입 또는 수송하는 층(전자주입층 또는 전자수송층)이 설치된다. 한편, 제1전극(21)으로부터 전자가 주입될 경우에서, 제1전극(21)측에 전자를 주입 또는 수송하는 층(전자주입층 또는 전자수송층)이 설치되는 한편, 제2전극(25)측에 정공을 주입 또는 수송하는 층(정공주입층 또는 정공수송층)이 설치된다.In addition, about the specific structure of the organic compound layer 22 with respect to the 1st electrode 21, what is necessary is just to set suitably according to the kind of carrier which the 1st electrode 21 injects toward the organic compound layer 22. FIG. That is, when holes are injected from the first electrode 21, a layer (hole injection layer or hole transport layer) for injecting or transporting holes is provided on the side of the first electrode 21, while the second electrode 25 is provided. On the side, a layer (electron injection layer or electron transport layer) for injecting or transporting electrons is provided. On the other hand, when electrons are injected from the first electrode 21, a layer (electron injection layer or electron transport layer) for injecting or transporting electrons is provided on the first electrode 21 side, while the second electrode 25 is provided. On the side, a layer (hole injection layer or hole transport layer) for injecting or transporting holes is provided.

이때, 유기 화합물층(22)은, 발광 효율의 관점에서 아모퍼스막인 것이 바람직하다. 또한, 광학간섭 효과를 얻도록, 발광 파장에 따라, 각 유기층의 두께를 적절하게 설계하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the organic compound layer 22 is an amorphous film from a viewpoint of luminous efficiency. In addition, it is preferable to appropriately design the thickness of each organic layer in accordance with the light emission wavelength so as to obtain the optical interference effect.

정공주입층 혹은 정공수송층, 또는 그 양쪽을 설치할 경우, 정공주입층 또는 정공수송층의 구성 재료인 정공주입/수송성 재료는, 특별하게 한정 되는 것은 아니지만, 적어도 발광층의 구성 재료보다도 일함수가 작고 정공수송성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 정공주입층 또는 정공수송층은, 정공을 수송하는 기능뿐만 아니라, 발광층으로부터 흐르는 전자를 차단하는 기능이 구비되어도 좋다. 이와는 달리, 정공주입층이나 정공수송층과는 별도로, 발광층으로부터 흐르는 전자를 차단하는 기능을 갖는 층(전자 블록층)을 정공수송층(혹은 정공주입층)과 발광층과의 사이에 삽입해도 된다.When the hole injection layer, the hole transport layer, or both are provided, the hole injection / transport material, which is a constituent material of the hole injection layer or the hole transport layer, is not particularly limited, but at least the work function is smaller than the constituent material of the light emitting layer, and the hole transportability is provided. It is preferable to use this high material. The hole injection layer or the hole transport layer may be provided with not only a function of transporting holes but also a function of blocking electrons flowing from the light emitting layer. Alternatively, apart from the hole injection layer or the hole transport layer, a layer (electron block layer) having a function of blocking electrons flowing from the light emitting layer may be inserted between the hole transport layer (or the hole injection layer) and the light emitting layer.

발광층에서의 각 색(적색/녹색/청색)의 유기발광 재료로서, 예를 들면, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 폴리아릴렌, 축합 다환 탄화수소 화합물, 복소환식 방향족화합물, 복소환식 축합 다환 화합물, 유기금속착체 화합물등 및 이것들의 호모올리고머 혹은 헤테로올리고머를 각각 사용할 수 있고, 본 발명에서의 발광재료는 상기 재료에 한정되는 것은 아니라고 한다.As the organic light emitting material of each color (red / green / blue) in the light emitting layer, for example, an arylamine derivative, stilbene derivative, polyarylene, a condensed polycyclic hydrocarbon compound, a heterocyclic aromatic compound, a heterocyclic condensed polycyclic compound, An organometallic complex compound and the like and a homo oligomer or a hetero oligomer can be used, respectively, and the light emitting material in the present invention is not limited to the above materials.

이때, 도 1의 유기EL표시장치를 제조할 때에, 하부전극(21a, 2lb, 21c)에 각각 설치되는 3종류의 유기 화합물층(22a, 22b, 22c)에서의 발광층의 발광 색은, 각각 청색, 적색, 녹색이고, 즉 그 발광색은 서로 다르다. 또, 발광 색의 조합은 특별히 한정되지 않는다.At this time, when the organic EL display device of FIG. 1 is manufactured, the light emission colors of the light emitting layers in the three types of organic compound layers 22a, 22b and 22c respectively provided on the lower electrodes 21a, 2lb and 21c are blue, Red and green, that is, their emission colors are different from each other. In addition, the combination of emission colors is not specifically limited.

정공 블록층의 구성 재료는, 발광층으로부터 음극방향으로 정공이 누설되는 것을 방지하기 위한 에너지 장벽을 갖고, 또 전자수송성을 갖는 재료이면 특별히 한정되지 않는다.The constituent material of the hole block layer is not particularly limited as long as it has an energy barrier for preventing holes from leaking from the light emitting layer toward the cathode and has electron transport properties.

본 발명에서는, 유기 화합물층의 패터닝 후에 행하는 박리층의 제거 공정에서, 박리층을 선택적으로 에칭할 필요가 있다. 상술한 것을 고려하여, 유기 화합물층의 형성 공정에서 형성되는 유기 화합물층(22)의 전체가, 박리층보다도 극성용매에서 용해도가 낮은 재료로 이루어진 층인 것이 바람직하다. 여기에서, 유기 화합물층(22)은, 적어도 발광층을 가지고, 한층 더 정공 블록층, 전자 블록층, 전하수송층(정공수송층 또는 전자수송층) 및 전하주입층(전자주입층 또는 정공주입층)으로부터 선택된 층을 포함하여도 된다. 여기에서, 극성용매에서 용해도가 낮은 재료는, 구체적으로는, 어떠한 m-터페닐기도 없는 축합 다환 탄화수소 화합물이다.In this invention, it is necessary to selectively etch a peeling layer in the removal process of the peeling layer performed after patterning of an organic compound layer. In consideration of the above, it is preferable that the whole of the organic compound layer 22 formed in the formation process of an organic compound layer is a layer which consists of a material with low solubility in a polar solvent rather than a peeling layer. Here, the organic compound layer 22 has at least a light emitting layer, and is further selected from a hole block layer, an electron block layer, a charge transport layer (hole transport layer or electron transport layer) and a charge injection layer (electron injection layer or hole injection layer). It may include. Here, the material with low solubility in a polar solvent is specifically a condensed polycyclic hydrocarbon compound without any m-terphenyl group.

여기에서, 축합 다환 탄화수소 화합물은, 탄화수소만으로 구성된 환형 불포화 유기 화합물이다. 더 구체적으로는, 이 화합물은, 적어도 벤젠 환등의 방향환의 1변이 축합되어서 얻어진 축합 환을 포함하는 화합물이다. 축합 다환 탄화수소 화합물의 구체적인 예들로는, 나프탈렌, 플루오렌, 플루오란텐, 크리센, 안트라센, 테트라센, 페난트렌, 피렌, 트리페닐렌이 있다.Here, the condensed polycyclic hydrocarbon compound is a cyclic unsaturated organic compound composed only of hydrocarbons. More specifically, this compound is a compound containing the condensed ring obtained by condensation of at least one side of aromatic rings, such as a benzene ring. Specific examples of the condensed polycyclic hydrocarbon compound include naphthalene, fluorene, fluoranthene, chrysene, anthracene, tetracene, phenanthrene, pyrene, triphenylene.

그렇지만, 상기의 축합 다환 탄화수소 화합물은, 그대로로는 열안정성이 낮기 때문에, 유기 화합물층의 구성 재료로서는 이용하기 어렵다. 따라서, 이것들의 축합 다환 탄화수소 화합물에 치환기가 부가된 화합물이 유기 화합물층의 구성 재료로서 사용된다.However, since said condensation polycyclic hydrocarbon compound is low in thermal stability as it is, it is difficult to use it as a constituent material of an organic compound layer. Therefore, the compound to which the substituent was added to these condensed polycyclic hydrocarbon compounds is used as a structural material of an organic compound layer.

여기에서, 유기 화합물층의, 특히, 그 최상층의 구성 재료인 화합물은, 바람직하게는, 상기의 축합 다환 탄화수소 화합물이 단결합에 의해 복수 결합되어서 얻어진 유기 화합물이다. 이 유기 화합물은, 주 골격인 축합 다환 탄화수소 화합물에 메틸기나 에틸기등의 알킬기가 적절하게 치환되어서 얻어진 화합물을 함유한다. 이러한 유기 화합물은, 그것의 주 사슬 혹은 치환기중에 헤테로 원자(N, O등)를 갖는 어떠한 화합물도 함유하지 않기 때문에, 극성용매에서의 용해도가 특히 낮다.Here, especially the compound which is a structural material of the uppermost layer of an organic compound layer, Preferably, the said condensed polycyclic hydrocarbon compound is an organic compound obtained by combining two or more by single bond. This organic compound contains the compound obtained by the alkyl group, such as a methyl group and an ethyl group, being suitably substituted by the condensed polycyclic hydrocarbon compound which is a main skeleton. Since such an organic compound does not contain any compound having a hetero atom (N, O, etc.) in its main chain or substituent, solubility in a polar solvent is particularly low.

상기 방향족 탄화수소 화합물로 이루어진 층은 전하수송성을 갖는다. 여기에서, "전하수송성"이란, 전류를 흘려보낼 수 있는 특성을 말한다. 구체적으로는, 전자수송층이나 정공수송층뿐만아니라, 전자주입층, 정공주입층, 블록층등도, 전하수송성을 갖는 층에 포함된다.The layer made of the aromatic hydrocarbon compound has charge transport properties. Here, "charge transport property" means the characteristic which can flow an electric current. Specifically, not only an electron transport layer and a hole transport layer, but also an electron injection layer, a hole injection layer, a block layer, etc. are contained in the layer which has charge transport property.

이때, 상기 방향족 탄화수소 화합물로 이루어진 층을 형성하는 방법으로서는, 진공증착법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법 또는 잉크젯법 등의 기존의 방법을 사용하는 것이 가능하다. 유기EL표시장치의 발광 특성을 고려하면, 성막 방법은 진공증착법이 보다 바람직하다.At this time, as a method of forming the layer made of the aromatic hydrocarbon compound, it is possible to use conventional methods such as vacuum deposition, spin coating, dip coating or inkjet. In consideration of the light emission characteristics of the organic EL display device, the deposition method is more preferably a vacuum deposition method.

(박리층의 형성 공정)(Formation Process of Peeling Layer)

유기 화합물층(22) 위에 설치되는 박리층(30)은, 단일층이여도 좋거나, 복수의 층으로 이루어진 적층체이어도 된다. 본 발명에서는, 박리층(30)이 단일층으로 이루어질 경우, 이 층은 극성용매에 가용한 재료로 형성된 증착막이다. 또는, 박리층(30)이 복수의 층으로 이루어진 적층체일 경우, 해당 적층체를 구성하는 층 중 적어도 최하층은, 진공증착법에 의해 성막되는 저분자 중량 재료로 이루어진 층이다. 더 구체적으로는, 박리층(30)의 최하층은, 극성용매에 가용한 재료로 형성된 증착막이다. 이에 따라, 극성용매를 사용함으로써 박리층(30)을 선택적으로 제거하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 발명에 있어서 박리층(30)은, 아모퍼스막인 것이 바람직하다.The peeling layer 30 provided on the organic compound layer 22 may be a single layer, or may be a laminate composed of a plurality of layers. In this invention, when the peeling layer 30 consists of a single layer, this layer is a vapor deposition film formed from the material soluble in a polar solvent. Or when the peeling layer 30 is a laminated body which consists of a some layer, at least the lowest layer among the layers which comprise this laminated body is a layer which consists of low molecular weight materials formed into a film by the vacuum deposition method. More specifically, the lowermost layer of the release layer 30 is a vapor deposition film formed of a material soluble in a polar solvent. Thereby, it becomes possible to selectively remove the peeling layer 30 by using a polar solvent. In addition, in this invention, it is preferable that the peeling layer 30 is an amorphous film.

여기에서, 박리층(30)(또는 적어도 그 최하층)을, 극성용매에 가용한 재료를 진공증착법에 의해 형성한 증착막이라고 하는 이유에 관하여 설명한다.Here, the reason why the release layer 30 (or at least its lowest layer) is a vapor deposition film in which the material available for the polar solvent is formed by vacuum deposition will be described.

진공증착법이 승화성이 높은 화합물에 대하여 적용된 박막형성방법이기 때문에, 진공증착법으로 성막되는 재료는, 저절로 승화성을 갖는 저분자중량 화합물에 한정된다. 승화성이 높은 화합물은, 구체적으로는, 10-4Pa?10-5Pa의 압력 하에서, 400℃이하의 온도에서 승화하는 화합물이다. 또, 증착막에 포함되는 화합물의 분자 중량은, 고분자재료와 비교해서 작기 때문에, 증착막을 구성하는 분자끼리의 상호작용(분자간의 힘)이 약하고, 또한, 유기 화합물층(22)에의 흡착력도 약하다. 한층 더, 아모퍼스 상태에서 형성된 증착막중의 분자의 상태, 예를 들면 분자끼리의 배향은 랜덤하다. 이 때문에, 고체상태 및 결정 상태와 비교하면 분자간 거리는 커져서, 분자가 확대하고 용매분자가 들어가기 쉬운 상태, 즉, 분자가 용해되기 쉬운 상태로 확립되어 있다. 따라서, 이러한 진공증착법에 의해 형성된 (유기 화합물의) 증착막은, 극성용매를 함유하는 용제에 접촉시킴으로써 표면으로부터 거의 균일하게 에칭되기 때문에, 수nm 내지 수십nm의 원하는 두께를 남길 수 있다.Since the vacuum evaporation method is a thin film formation method applied to a compound having high sublimability, the material formed by the vacuum evaporation method is limited to a low molecular weight compound which has sublimation by itself. The compound with high sublimability is a compound specifically sublimated at the temperature of 400 degrees C or less under the pressure of 10 <-4> Pa <10> -5 Pa. Moreover, since the molecular weight of the compound contained in a vapor deposition film is small compared with a polymeric material, the interaction (molecular force) of the molecules which comprise a vapor deposition film is weak, and the adsorption power to the organic compound layer 22 is also weak. Furthermore, the state of the molecule | numerator in the vapor deposition film formed in amorphous state, for example, the orientation of molecules is random. For this reason, compared with a solid state and a crystalline state, intermolecular distance becomes large and it is established in the state which a molecule expands and a solvent molecule easily enters, ie, a state in which a molecule is easy to melt | dissolve. Therefore, the vapor-deposited film (of organic compound) formed by such a vacuum deposition method is etched almost uniformly from the surface by contacting a solvent containing a polar solvent, so that a desired thickness of several nm to several tens of nanometers can be left.

한편, 박리층이 고분자재료인 경우, 수nm 내지 수십nm의 원하는 두께를 남기면서 그 박리층을 제거하는 것은 곤란하다. 예를 들면, 도전성의 수용성 고분자를 박리층에 사용했을 경우, 도포 후의 베이크 건조에 의해 계면영역에 용해도가 낮은 변질층을 형성할 수 있기 때문에, 균일하게 상기 박리층을 에칭하는 것은 어렵다. 또한, 발광층 등에도 사용할 수 있는 π공역 고분자등은, 재료도포시, 도포액의 용매가 하층인 유기 화합물층의 용해를 야기하기 때문에, 박리층으로서 형성할 수 없다.On the other hand, when the peeling layer is a polymer material, it is difficult to remove the peeling layer while leaving a desired thickness of several nm to several tens of nm. For example, when a conductive water-soluble polymer is used for the release layer, since the deterioration layer having low solubility can be formed in the interface region by baking drying after application, it is difficult to etch the release layer uniformly. Further, π-conjugated polymers that can be used in the light emitting layer and the like cannot be formed as a release layer because, when the material is applied, the solvent of the coating liquid causes dissolution of the organic compound layer having a lower layer.

후술하는 박리층의 제2의 가공 공정에 있어서, 박리층의 일부를 제거하기 위해서 사용되는 극성용매를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 박리층의 일부를 제거하기 위해서 사용되는 극성용매는, 물과 혼화가능한 유기용매와, 물을 혼합하여서 얻어진 혼합 용매인 것이 보다 바람직하다. 물과 혼화가능한 유기용매는 복수종류 사용해도 좋다.In the 2nd process of the peeling layer mentioned later, it is preferable to use the polar solvent used in order to remove a part of peeling layer. Moreover, it is more preferable that the polar solvent used in order to remove a part of peeling layer is a mixed solvent obtained by mixing water and the organic solvent miscible with water. Two or more types of organic solvents miscible with water may be used.

여기에서, 극성용매의 예들로서는, 알코올류, 다가 알코올류, 케톤류, 에스테르류, 피리딘류 및 에테르류가 있고, 다만, 제2의 가공 공정을 행한 후에 후술하는 박리층의 제2 가공 공정에서 사용한 용매를 휘발시켜서 제거할 필요가 있다. 이에 따라서, 사용하는 유기용매의 비점은, 적어도, 유기 화합물층(22)에서의 유기 화합물의 분해온도나 유리 전이 온도보다도 낮은 것이 바람직하다. 알코올류를 구체적인 예로 하여서 설명하면, 각각 탄소수가 적은 알코올류, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜은 비점이 낮으므로, 바람직하다.Here, examples of the polar solvent include alcohols, polyhydric alcohols, ketones, esters, pyridines and ethers, except that in the second processing step of the peeling layer described later after the second processing step is performed. It is necessary to volatilize and remove the used solvent. Accordingly, the boiling point of the organic solvent to be used is preferably at least lower than the decomposition temperature or the glass transition temperature of the organic compound in the organic compound layer 22. When the alcohols are described as specific examples, alcohols each having a low carbon number, for example, methanol, ethanol, and isopropyl alcohol, are preferable because of their low boiling point.

극성용매에 대한 여러 가지의 화합물로 이루어진 막의 에칭 레이트간의 차이, 즉, 용해성의 차이가 생기는 요인으로서는, 아래와 같이 생각할 수 있다.As a factor which produces the difference between the etching rates of the film | membrane which consists of various compounds with respect to a polar solvent, ie, a difference in solubility, it can think as follows.

극성용매로서 열거된 화합물에는 분자중에 헤테로 원자가 반드시 포함되어 있고, 이 헤테로 원자가 대상이 되는 화합물 분자의 극성부위로서 기능한다. 그리고, 이 극성부위가 박리층의 구성 재료에 포함되는 극성부위와 상호작용을 하여서, 그 박리층의 구성 재료가 극성용매에 용해된다. 또한, 이 극성부위끼리의 상호작용은, 여러 가지의 화합물의 극성용매에서의 용해도에 영향을 준다. 이상을 고려하면, 박리층(30)의 구성 재료로서 사용되는 화합물의 구조를 고려하면서 극성용매를 적절하게 선택함으로써 극성용매로 이루어진 용제에서 유기 화합물층의 용해성보다도 박리층의 최하층의 용해성을 높이는 것이 가능하다.Compounds listed as polar solvents necessarily contain heteroatoms in the molecule, and these heteroatoms serve as polar regions of the compound molecules to be targeted. This polar portion interacts with the polar portion contained in the constituent material of the release layer, and the constituent material of the release layer is dissolved in the polar solvent. In addition, the interaction between these polar regions affects the solubility of various compounds in the polar solvent. In view of the above, it is possible to increase the solubility of the lowermost layer of the release layer than the solubility of the organic compound layer in the solvent composed of the polar solvent by appropriately selecting the polar solvent while considering the structure of the compound used as the constituent material of the release layer 30. Do.

따라서, 극성용매의 비점과 아울러, 박리층(30)의 구성 재료가 되는 화합물에 포함되는 극성부위와 용매분자의 극성부위와의 상호작용을 고려해서 박리층(30)의 구성 재료를 적절하게 선택함으로써, 박리층(30)을 선택적으로 용해시키는 것이 가능하게 된다.Therefore, the material of the release layer 30 is appropriately selected in consideration of the boiling point of the polar solvent and the interaction between the polar portion contained in the compound which is the constituent material of the release layer 30 and the polar portion of the solvent molecule. This makes it possible to selectively dissolve the release layer 30.

그런데, 상기 극성용매에 용해하는 화합물은, 구체적으로는, 복소환식 화합물이나, 전자공여성 또는 전자흡인성의 치환기를 갖는 유기 화합물이다.By the way, the compound which melt | dissolves in the said polar solvent is a heterocyclic compound and the organic compound which has an electron donating or an electron withdrawing substituent specifically ,.

(1)전하수송성을 갖는 복소환식 화합물(1) a heterocyclic compound having charge transport properties

본 발명에서는, 박리층(30)의 구성 재료로서, 복소환식 화합물을 사용해도 된다. 본 발명에 있어서는, 전하수송성이 우수한 복소환식 화합물이 적합하게 사용된다. 그 예들은, 피리딘, 비피리딘, 트리아진, 페난트롤린(phenanthroline), 퀴놀린, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸 등의 복소환식 화합물을 기본골격으로서 각각 함유하고 있는 화합물군을 포함한다. 이때, 이러한 화합물이 퀴놀린을 기본골격으로서 함유할 때, 그 화합물은 퀴노리네이트 착체이어도 된다. 이 복소환식 화합물의 화합물군에 포함된 화합물은, 예를 들면 아래의 화합물이 있다.In the present invention, a heterocyclic compound may be used as a constituent material of the release layer 30. In the present invention, a heterocyclic compound having excellent charge transport properties is suitably used. Examples include heterocyclic compounds such as pyridine, bipyridine, triazine, phenanthroline, quinoline, imidazole, oxazole, thiazole, oxadiazole and thiadiazole, respectively, as basic skeletons. Compound group. At this time, when such a compound contains quinoline as a basic skeleton, the compound may be a quinolinate complex. The compound contained in the compound group of this heterocyclic compound has the following compound, for example.

Figure pat00001
Figure pat00001

(2)m-터페닐기와 축합 환기를 각각 갖는 화합물군(2) group of compounds having m-terphenyl group and condensation ventilation, respectively

본 발명에서는, 박리층(30)의 구성 재료로서, m-터페닐기와 축합 환기와를 갖는 화합물을 사용해도 된다. m-터페닐기의 존재는, 극성용매에서의 용해성이 향상하고, 다만, 박리층은 극성용매에서의 용해성과 아울러, 유리전이온도등의 열 안정성에 면에서도 향상시킬 필요가 있다. 이 때문에, m-터페닐기와 축합 다환 탄화수소 화합물을 조합하여 얻어진 화합물을, 박리층(30)의 구성 재료로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 m-터페닐기와 축합 환기를 갖는 화합물의 예들은, 아래의 화합물이 있다.In this invention, you may use the compound which has m-terphenyl group and condensation ventilation as a constituent material of the peeling layer 30. The presence of the m-terphenyl group improves the solubility in the polar solvent, but the peeling layer needs to be improved in terms of the solubility in the polar solvent as well as thermal stability such as glass transition temperature. For this reason, it is preferable to use the compound obtained by combining the m-terphenyl group and the condensed polycyclic hydrocarbon compound as a constituent material of the peeling layer 30. Examples of the compound having condensation ventilation with this m-terphenyl group include the following compounds.

Figure pat00002
Figure pat00002

(3)전자흡인성기를 각각 갖는 전하수송성 화합물군(3) Group of charge transport compounds each having electron-withdrawing groups

본 발명에서는, 박리층(30)의 구성 재료로서, 전자흡인성기를 갖는 전하수송성 화합물을 사용해도 된다. 여기에서, 전자흡인성기의 예들은, 케톤기와 시아노기가 있다. 이 전자흡인성기를 갖는 화합물의 예들은, 아래의 화합물이 있다.In the present invention, a charge transport compound having an electron withdrawing group may be used as a constituent material of the release layer 30. Here, examples of the electron withdrawing group include a ketone group and a cyano group. Examples of the compound having this electron withdrawing group include the following compounds.

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 3종류의 화합물군 중, 1종류를 단독으로 사용해도 좋거나, 극성용매에 대한 용해성 향상의 관점에서 2종류 이상을 적절하게 조합하여 사용해도 된다.One type may be used independently from the said three types of compound group, or may be used in combination of 2 or more types from a viewpoint of the improvement of the solubility with respect to a polar solvent.

복소환식 화합물에서는, 탄소이외의 헤테로 원소(N, O 또는 S등)에 전하가 국한된다. 예를 들면, 환내에 질소원자를 갖는 피리딘은, 해당 질소원자 위에 음전하가 국재화 함으로써 분자 전체의 극성이 생긴다. 여기에서, 수산기(-OH)등의 양전하가 국재화하는 수소원자를 함유하는(물과 혼화가능함) 유기용매가 개재하고 있다고 한다. 그 결과, 복소환식 화합물이 갖고 음전하가 국재화하는 부위(N원자)와, 극성용매분자에서 양전하가 국재화하는 수소원자와의 사이에서 수소결합이 형성된다. 상술한 것처럼 수소결합이 형성되면, 상기 복소환식 화합물은 극성용매중에 용해하거나 또는 용해하기 쉬워진다.In a heterocyclic compound, the charge is limited to hetero elements other than carbon (N, O or S, etc.). For example, in a pyridine having a nitrogen atom in a ring, the negative charge is localized on the nitrogen atom, and thus the polarity of the entire molecule is generated. Here, it is said that an organic solvent containing a hydrogen atom (miscible with water) that localizes a positive charge such as a hydroxyl group (-OH) is interposed. As a result, a hydrogen bond is formed between the site (N atom) of the heterocyclic compound and the localized negative charge and the hydrogen atom localized with the positive charge in the polar solvent molecule. When the hydrogen bond is formed as described above, the heterocyclic compound is easily dissolved or dissolved in the polar solvent.

마찬가지로, 적어도 헤테로 원자(N, O 또는 S등)를 함유하는 것으로 극성이 생기고 있는 화합물은, 축합 다환 탄화수소 화합물과 비교하여, 극성용매에 대한 용해성이 향상한다.Similarly, the compound which has polarity by containing at least a hetero atom (N, O, S, etc.) improves the solubility with respect to a polar solvent compared with a condensed polycyclic hydrocarbon compound.

예를 들면, 방향족 환에 전자흡인성기 또는 전자공여성기가 도입된 화합물에서는, π전자의 바이어스가 생겨서 분극화 현상이 생긴다. 여기에서, 전자흡인기의 치환기를 도입했을 경우에는, 이 치환기 위에 음전하가 국재화 함으로써 극성이 생긴다. 전자공여기의 치환기를 도입했을 경우에는, 이 치환기 위에 양전하가 국재화 함으로써 극성이 생긴다. 이 극성의 발생에 의해 극성용매의 용매분자와의 상호작용이 가능하게 되므로 이 유기용매에서의 용해성이 향상한다.For example, in a compound in which an electron-withdrawing group or an electron-donating group is introduced into an aromatic ring, a bias of π electrons occurs and a polarization phenomenon occurs. Here, in the case where a substituent of the electron withdrawing group is introduced, polarity is generated by localizing negative charges on the substituent. When a substituent of the electron donating group is introduced, polarity is generated by localizing a positive charge on the substituent. This polarization enables interaction with the solvent molecules of the polar solvent, so that the solubility in the organic solvent is improved.

한편, 어떠한 축합 환도 갖지 않는 방향족 탄화수소 화합물, 구체적으로는, 단결합에 의해 벤젠 환끼리가 연결되어 있는 화합물은, 분자자체의 크기가 축합 다환 탄화수소 화합물과 비교해서 작다. 이 때문에, 전자의 화합물은, 축합 다환 탄화수소 화합물에 비교해서 극성용매에서의 용해성이 향상하였다. 특히 m-터페닐 구조를 각각 갖는 분자는, 서로 배향하기 어려운 구조를 갖기 때문에, 결정화하기 어려운 구조다. 이 때문에, 극성용매에서의 용해도는 추가로 향상된다.On the other hand, the aromatic hydrocarbon compound which does not have any condensed ring, specifically, the compound in which the benzene rings are connected by a single bond, is small in size compared with the condensed polycyclic hydrocarbon compound. For this reason, the former compound improved the solubility in a polar solvent compared with a condensed polycyclic hydrocarbon compound. In particular, the molecules each having an m-terphenyl structure are difficult to crystallize because they have a structure that is difficult to orient each other. For this reason, the solubility in a polar solvent further improves.

상술한 고찰을 고려하여, 본 발명에 사용되는 박리층에 적합한 전하수송성을 갖고 용해성이 양호한 재료로서 다음과 같은 화합물군 중 어느 하나에 속하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 그렇지만, 상기 재료가 상기 고찰을 따르는 것이면 그 재료는 하기의 예들에 한정되지 않는다.In view of the above considerations, it is preferable to use a compound belonging to any one of the following compound groups as a material having good charge transportability and good solubility for the release layer used in the present invention. However, the material is not limited to the following examples as long as the material follows the above consideration.

여기에서, 유기 화합물층의 구성 재료와 박리층의 구성 재료와의 극성용매에서의 용해도의 차이에 관하여 설명한다. 구체적인 예들로서, 유기 화합물층의 구성 재료로서 사용되는 어떠한 m-터페닐 구조도 갖지 않는 축합 다환 탄화수소를 갖는 화합물인 하기 화합물 1; 및 박리층의 구성 재료로서 사용되는 하기 화합물A2의 에칭 레이트에 관하여 설명한다.Here, the difference in solubility in the polar solvent between the constituent material of the organic compound layer and the constituent material of the release layer will be described. Specific examples include the following compound 1 which is a compound having a condensed polycyclic hydrocarbon having no m-terphenyl structure used as a constituent material of the organic compound layer; And the etching rate of the following compound A2 used as a constituent material of a peeling layer is demonstrated.

Figure pat00004
Figure pat00004

본 발명에서는, 에칭 레이트가 크다고 하는 것은 용해속도가 빠른 것을 의미한다. 그리고, 에칭 레이트가 크다고 하는 것은, 대상재료를 갖는 층의 용제(극성용매)에서의 용해도가 높은 것을 의미한다.In the present invention, a large etching rate means a fast dissolution rate. And a large etching rate means that the solubility in the solvent (polar solvent) of the layer which has a target material is high.

도 3은, 화합물 1과 화합물A2에 있어서의 에칭 시간에 대한 두께변화를 나타내는 그래프다. 여기에서, 도 3은, 극성용매로 이루어진 용제로서, 이소프로필 알콜(IPA)이 60중량%가 되도록, IPA와 물을 혼합해서 얻어진 혼합 용매(이하, "IPA/물 혼합 용제"라고 부르는 경우가 있다.)를 사용했을 경우의 각 층의 에칭의 결과를 나타낸다.3 is a graph showing the change in thickness with respect to the etching time in Compound 1 and Compound A2. Here, FIG. 3 is a mixed solvent obtained by mixing IPA and water so that isopropyl alcohol (IPA) becomes 60 weight% as a solvent which consists of a polar solvent (henceforth a case called "IPA / water mixed solvent". The result of etching of each layer at the time of using () is shown.

도 3으로부터 알 수 있듯이, m-터페닐 구조를 갖지 않는 축합 다환 탄화수소 화합물인 화합물 1로 이루어진 층(A층)은, 에칭 시간을 길게 하는 경우에도 두께가 거의 감소하지 않는다. 한편, 복소환식 화합물인 화합물A2로 이루어진 층(B층)의 두께는, 시간에 대해 감소한다. 에칭 조건을 같게 하여 각 층의 에칭 레이트를 산출하면, A층의 에칭 레이트는 0.008nm/sec이지만, B층의 에칭 레이트는 0.87nm/sec이며, 즉, 전자에 대한 후자의 비율은 약 100이다.As can be seen from Fig. 3, the layer (A layer) made of compound 1, which is a condensed polycyclic hydrocarbon compound having no m-terphenyl structure, hardly decreases in thickness even when the etching time is increased. On the other hand, the thickness of the layer (layer B) which consists of compound A2 which is a heterocyclic compound reduces with time. When the etching rate of each layer is calculated by making the etching conditions the same, the etching rate of the A layer is 0.008 nm / sec, while the etching rate of the B layer is 0.87 nm / sec, that is, the latter to the former ratio is about 100. .

여기에서, 유기 화합물층(A층에 상당)과 박리층(B층에 상당)에 있어서의 극성용매에 의한 에칭 레이트의 비율(n)은, 하기식과 같이 나타낼 수 있다.Here, the ratio (n) of the etching rate by the polar solvent in an organic compound layer (equivalent to A layer) and a peeling layer (equivalent to B layer) can be represented as follows.

Figure pat00005
Figure pat00005

이때, 상기 식에 기재되어 있는 유기 화합물층은, 예를 들면, 정공 블록층, 발광층, 전자 블록층 또는 정공수송층을 포함한다. 본 발명에 있어서, n은, 적어도 1보다 큰 것이 필요하다. n은, 바람직하게는, 10보다도 크다(n>10). 여기에서, 상기의 화합물 1을 유기 화합물층의 최상층에 사용하고, 화합물A2를 박리층(의 최하층)에 사용했을 경우, n은 약 100이 된다. 이에 따라, 극성용매에서의 각 재료의 용해성을 고려하여, 유기 화합물층의 최상층의 구성 재료와 박리층의(최하층의) 구성 재료를 선택하면, 양층의 에칭 레이트 비율을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 극성용매를 사용해서 박리층의 선택적인 제거가 가능하게 된다. 따라서, 유기 화합물층(22)은, 극성용매로 향하는 용출이나 이 용매의 침투 등에 의한 데미지로부터 보호된다. 또한, 막의 단부가 노출된 경우, 유기 화합물층(22)의 단부가 극성용매로 이루어진 용제에 의해 용출하는 것을 막도록, 유기 화합물층(22)에서의 모든 층의 각각에 대하여, 적어도 상기 식에서 n이 10보다 큰 관계를 만족한다.At this time, the organic compound layer described in the above formula includes, for example, a hole block layer, a light emitting layer, an electron block layer or a hole transport layer. In the present invention, n needs to be larger than at least one. n is preferably larger than 10 (n> 10). Here, when said compound 1 is used for the uppermost layer of an organic compound layer, and compound A2 is used for a peeling layer (lowest layer), n becomes about 100. Accordingly, in consideration of the solubility of each material in the polar solvent, selecting the constituent material of the uppermost layer of the organic compound layer and the constituent material of the peeling layer (lowest layer) can increase the etching rate ratio of both layers. Thereby, selective removal of the release layer is possible using a polar solvent. Therefore, the organic compound layer 22 is protected from damage due to elution to the polar solvent, penetration of the solvent, and the like. In addition, when each end of the film is exposed, at least n is 10 in each of all the layers in the organic compound layer 22 so as to prevent the end of the organic compound layer 22 from eluting with a solvent composed of a polar solvent. Satisfy a greater relationship.

상술한 IPA/물 혼합 용제에 있어서 각 층의 구성 재료인 화합물의 용해도는, 혼합 용제에서 IPA의 중량비에 따라 변화된다. 도 4는, 화합물 1(축합 다환 탄화수소 화합물)과 화합물A2(복소환식 화합물)의 IPA/물 혼합 용제(극성용매)에 대한 용해도를 나타낸 그래프다. 여기에서, 도 4의 그래프에 있어서, 가로축은 IPA/물 혼합 용제중의 IPA의 중량 퍼센트 농도이고, 세로축은 용매 1g중에 용해하는 축합 다환 탄화수소 화합물 또는 복소환식 화합물의 양이다. 도 4로부터 알 수 있듯이, 화합물 1(축합 다환 탄화수소 화합물)은, IPA가 80중량%의 IPA/물 혼합 용제 1g에 대한 용해량이 5μg인 한편, 화합물A2(복소환식 화합물)는, 용해량이 73μg이다.The solubility of the compound which is a constituent material of each layer in the above-mentioned IPA / water mixed solvent is changed depending on the weight ratio of IPA in the mixed solvent. 4 is a graph showing the solubility of the compound 1 (condensed polycyclic hydrocarbon compound) and compound A2 (heterocyclic compound) in the IPA / water mixed solvent (polar solvent). In the graph of FIG. 4, the horizontal axis represents the weight percent concentration of IPA in the IPA / water mixed solvent, and the vertical axis represents the amount of the condensed polycyclic hydrocarbon compound or heterocyclic compound dissolved in 1 g of the solvent. As can be seen from FIG. 4, Compound 1 (condensed polycyclic hydrocarbon compound) has a dissolution amount of 5 µg in 1 g of an IPA / water mixed solvent having an IPA of 80% by weight, while Compound A2 (heterocyclic compound) has a dissolution amount of 73 µg. .

또한, 도 4의 그래프는, 하기 항목(i) 및 (ii)을 증명하는 그래프이기도 하다: (i)IPA/물 혼합 용제중의 IPA의 농도가 지나치게 짙으면, 박리층의 구성 재료와 유기 화합물층의 구성 재료가, 모두 IPA/물 혼합 용제에 대한 용해속도가 지나치게 빨라서 에칭 레이트 비율(n)이 1에 가까운 상황이 되는 것; 및 (ii) 항목(i)의 경우에 있어서, 물을 첨가해서 IPA의 농도를 엷게 하는 것으로 각각의 재료의 용해속도를 저하시키면서 에칭 레이트 비율(n)을 크게 하는 것이 가능한 것.In addition, the graph of FIG. 4 is also the graph which demonstrates the following item (i) and (ii): (i) When the density | concentration of IPA in an IPA / water mixed solvent is too high, the structural material and organic compound layer of a peeling layer. All of the constituent materials of the present invention are in such a situation that the dissolution rate in the IPA / water mixed solvent is too fast and the etching rate ratio n is close to one; And (ii), in the case of item (i), by adding water to thin the concentration of IPA, the etching rate ratio n can be increased while lowering the dissolution rate of each material.

이러한 경우에, 용매중에 물을 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 유기 화합물층에 대하여 박리층의 에칭 레이트가 보다 커지도록 물의 함유량을 적절하게 조절하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 유기 화합물층중의 최상층에 위치하는 층과 박리층의 에칭 레이트 비율(n)이 10을 초과하도록 물의 함유량을 적절하게 조절하는 것이다. 이에 따라, 보다 선택적으로 박리층의 제거가 가능하게 되어서, 유기EL표시장치의 특성저하를 막을 수 있다.In this case, it is preferable to include water in the solvent. Specifically, it is preferable to appropriately adjust the content of water so that the etching rate of the release layer becomes larger with respect to the organic compound layer. More preferably, the content of water is appropriately adjusted so that the etching rate ratio (n) of the layer located on the uppermost layer in the organic compound layer and the peeling layer exceeds 10. As a result, the peeling layer can be removed more selectively, thereby preventing the deterioration of the characteristics of the organic EL display device.

(박리층의 제1의 가공 공정)(1st processing process of peeling layer)

본 발명에 있어서, 박리층(30)을 원하는 형상으로 패터닝(가공)하는 수단으로서, 포토리소그래피법을 이용할 수 있다. 여기에서, 포토리소그래피법을 이용하는 것을 수반하는 박리층의 가공 프로세스(박리층의 제1의 가공 공정)에 관하여 설명한다.In this invention, the photolithographic method can be used as a means of patterning (processing) the peeling layer 30 to a desired shape. Here, the processing process (1st processing process of a peeling layer) of the peeling layer accompanying using photolithography method is demonstrated.

(i)감광성 수지층의 형성 및 가공 공정(i) Formation and processing process of photosensitive resin layer

포토리소그래피법을 이용하는 경우에, 우선 박리층(30) 위에 감광성 수지층(40)을 설치할 필요가 있다. 감광성 수지층(40)의 구성 재료인 감광성 수지는, 공지의 재료를 사용할 수 있다. 또, 감광성 수지층(40)의 형성 방법으로서는, 스핀 코팅법, 딥 코팅법 또는 잉크젯법 등의 기존의 방법을 이용할 수 있다. 일부의 상황에서는 진공 증착법을 이용할 수 있다.In the case of using the photolithography method, it is first necessary to provide the photosensitive resin layer 40 on the peeling layer 30. A well-known material can be used for the photosensitive resin which is a constituent material of the photosensitive resin layer 40. Moreover, as a formation method of the photosensitive resin layer 40, existing methods, such as a spin coating method, a dip coating method, or the inkjet method, can be used. In some situations, vacuum deposition may be used.

감광성 수지층(40)을 형성한 후, 감광성 수지층(40)을 가공한다. 여기에서, 감광성 수지층(40)의 가공 공정은, 감광성 수지층에의 노광(노광 공정)과 감광성 수지층의 현상(현상 공정)으로 나뉘어진다.After the photosensitive resin layer 40 is formed, the photosensitive resin layer 40 is processed. Here, the processing process of the photosensitive resin layer 40 is divided into the exposure (exposure process) to the photosensitive resin layer, and the image development (developing process) of the photosensitive resin layer.

여기에서, 노광 공정에서는, 기존의 광조사장치를 사용할 수 있다. 이때, 노광 장치는 마스크 패턴의 미세도에 따라 사용하면 된다. 또한, 이 노광 공정을 행할 때는, 노광되는 영역에 개구를 갖는 포토마스크(50)를 사용한다. 이때, 포토마스크로서는, 일반적으로 사용되는 Cr박막으로 이루어진 차광 영역을 갖는 포토마스크를 사용할 수 있다. 한편, 이 노광 공정에 있어서 감광성 수지층(40)에 조사하는 광으로서, 자외광이나 가시광을 이용할 수 있다.Here, in the exposure process, the existing light irradiation apparatus can be used. At this time, the exposure apparatus may be used depending on the fineness of the mask pattern. In addition, when performing this exposure process, the photomask 50 which has an opening in the area | region to expose is used. At this time, as a photomask, the photomask which has a light shielding area which consists of a Cr thin film generally used can be used. On the other hand, ultraviolet light or visible light can be used as light irradiated to the photosensitive resin layer 40 in this exposure process.

그런데, 노광 공정을 행할 때는, 감광성 수지층(40)의 구성 재료인 감광성 수지의 성질을 고려해서 감광성 수지층(40)의 노광 영역을 결정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 포지티브형의 감광성 수지를 사용하는 경우에는, 다음 현상 공정에서 감광성 수지층(40)을 제거하고 싶은 영역을 노광 영역이라고 한다. 반면에, 네가티브형의 감광성 수지를 사용하는 경우에는, 다음 현상 공정을 행했을 때에 감광성 수지층(40)을 남기고 싶은 영역을 노광 영역이라고 한다. 여기에서, 도 2e는, 포지티브형의 감광성 수지를 사용하는 경우를 나타낸다. 도 2e에 있어서, 감광성 수지층(40) 중 자외광(51)으로 조사된 영역 42는, 다음 현상 공정에서 제거된다. 한편, 포토마스크(50)에 의해 자외광으로부터 차단된 영역 41은, 후에 행하는 박리층의 가공 공정이나 유기 화합물층의 가공 공정에 있어서, 소정의 영역(제1 부화소20a)에 설치된 유기 화합물층(22a)을 보호하는 역할을 한다.By the way, when performing an exposure process, it is preferable to consider the property of the photosensitive resin which is a constituent material of the photosensitive resin layer 40, and to determine the exposure area of the photosensitive resin layer 40. FIG. Specifically, when using positive photosensitive resin, the area | region in which the photosensitive resin layer 40 is to be removed at the next image development process is called exposure area. On the other hand, when using negative photosensitive resin, the area | region which wants to leave the photosensitive resin layer 40 at the next image development process is called exposure area. Here, FIG. 2E shows the case of using positive photosensitive resin. In FIG. 2E, the region 42 irradiated with the ultraviolet light 51 in the photosensitive resin layer 40 is removed in the next development step. On the other hand, the area | region 41 cut | disconnected from the ultraviolet light by the photomask 50 is the organic compound layer 22a provided in the predetermined | prescribed area | region (1st subpixel 20a) in the process of the peeling layer performed later, or the process of the organic compound layer. Protects).

현상 공정을 행할 때는, 감광성 수지층(40)의 구성 재료인 감광성 수지에 적합한 현상액을 사용하면 된다.What is necessary is just to use the developing solution suitable for the photosensitive resin which is a structural material of the photosensitive resin layer 40 when performing a image development process.

(ii)박리층의 제1의 가공 공정(ii) 1st process of peeling layer

다음에, 박리층(30) 중 감광성 수지층(40)에 피복되지 않은 영역을 선택적으로 제거함으로써 박리층(30)의 가공을 행한다. 박리층(30)의 선택적인 제거 방법은 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 구체적으로는, 습식 에칭 또는 드라이에칭 등의 기존의 박막 가공 방법을 사용할 수 있고, 다만, 용매에 의한 사이드 에칭의 영향이 임의의 다른 방법보다도 작기 때문에 드라이에칭이 바람직하다.Next, the peeling layer 30 is processed by selectively removing a region of the peeling layer 30 which is not covered with the photosensitive resin layer 40. Although the selective removal method of the peeling layer 30 is not specifically limited, Specifically, the existing thin film processing methods, such as a wet etching or dry etching, can be used, However, the influence of the side etching by a solvent is arbitrary. Dry etching is preferred because it is smaller than other methods.

이상의 설명에서는, 박리층(30)의 가공 수단으로서, 포토레지스트를 사용한 것을 포함하는 포토리소그래피 프로세스를 이용하고 있지만, 박리층(30)의 가공 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 잉크젯 방식, 인쇄, 레이저 가공 등을 이용하여, 박리층을 원하는 형상으로 패터닝 하여도 된다. 이 경우에는, 어떠한 포토레지스트도 형성하지 않고, 원하는 형상으로 패터닝된 박리층을 형성할 수 있다. 이 때문에, 박리층(30)을, 다음 공정(유기 화합물층의 가공 공정)에 있어서, 유기 화합물층을 가공할 때의 에칭 마스크로서 이용하는 것을 권한다. 이때, 박리층(30)을 에칭 마스크로서 이용할 때는, 박리층(30)의 두께는, 적어도 유기 화합물층보다도 두껍게 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 제조 방법에서는 고정세 금속 마스크를 사용하지 않으므로, 픽셀 사이즈를 10μm정도로 하는 높은 미세도를 달성하는 것이 가능하다. 그러므로, 제5세대이후에서의 지지 기판 사이즈가 큰 유기EL표시장치의 제조를 실현할 수 있다.In the above description, although the photolithography process including the thing using a photoresist is used as a processing means of the peeling layer 30, the processing method of the peeling layer 30 is not limited to this. For example, you may pattern a peeling layer to a desired shape using the inkjet system, printing, laser processing, etc. In this case, the release layer patterned into a desired shape can be formed without forming any photoresist. For this reason, it is recommended to use the peeling layer 30 as an etching mask at the time of processing an organic compound layer in a next process (processing process of an organic compound layer). At this time, when using the peeling layer 30 as an etching mask, it is preferable to make thickness of the peeling layer 30 thicker than an organic compound layer at least. In addition, since the high-definition metal mask is not used in the manufacturing method of the present invention, it is possible to achieve high fineness of setting the pixel size to about 10 m. Therefore, the manufacturing of the organic EL display device having a large support substrate size after the fifth generation can be realized.

(유기 화합물층의 가공 공정)(Process of Organic Compound Layer)

다음에, 유기 화합물층(22) 중 박리층(30)에 피복되지 않은 영역에 있는 유기 화합물층(22)을 선택적으로 제거한다. 유기 화합물층(22)의 가공 방법은 특별하게 한정되는 것이 아니고, 습식 에칭 또는 드라이에칭 등의 기존의 방법을 사용할 수 있고, 다만, 용매에 의한 사이드 에칭에 대해 걱정이 없기 때문에 드라이에칭이 바람직하다.Next, the organic compound layer 22 in the area | region which is not coat | covered with the peeling layer 30 among the organic compound layer 22 is selectively removed. The processing method of the organic compound layer 22 is not specifically limited, Conventional methods, such as wet etching or dry etching, can be used, but dry etching is preferable since there is no worry about side etching by a solvent.

이상의 프로세스에 의해, 유기 화합물층을 소정의 부화소에만 선택적으로 설치되도록 형성할 수 있다. 또한, 이상에서 설명한 유기 화합물층의 형성 공정부터 유기 화합물층의 가공 공정까지를 부화소의 종류의 수에 대응한 횟수만큼 반복함으로써, 부화소에, 각 부화소에 대해서만 원하는 유기 화합물층을 선택적으로 형성할 수 있다.By the above process, an organic compound layer can be formed so that it may selectively install only a predetermined subpixel. In addition, by repeating the above-described forming process of the organic compound layer to the processing step of the organic compound layer by the number of times corresponding to the number of types of subpixels, the desired organic compound layer can be selectively formed in each subpixel only in the subpixels. have.

(박리층의 제2의 가공 공정)(2nd processing process of peeling layer)

다음에, 박리층(30)의 일부를 제거해서 박막화(박리층(30)을 얇은 형상으로 가공)하여도 된다. 이 제2 가공 공정은, 구체적으로는, 상술한 유기 화합물층의 가공 공정 후, 물을 혼합한 극성용매에 박리층(30)까지 층들이 형성되어 있는 지지 기판(10)을 침지하는 공정이다. 여기에서, 박리층(30)까지 층들이 형성되어 있는 지지 기판(10)을, 물을 혼합한 극성용매에 침지하면, 박리층(30)은, 지지 기판(10)의 반대측으로부터 점차 용해된다. 여기에서, 아래의 에칭 레이트의 조건하에서 박리층(30)까지 층들이 형성되어 있는 지지 기판(10)을 일정 시간동안 침지한다. 일정 기간의 공정에서 사용되는 용제에 일정시간 침지했을 때에 용출한 박리층(30)의 구성 재료의 양(용출량)으로부터 미리 구한 에칭 레이트를 사용한다. 이에 따라, 박리층(30)을 원하는 두께로 가공할 수 있다. 이 제2 가공 공정에서 가공된 각 박리층(30)은, 전하수송층(23)(23a, 23b 또는 23c)으로서 기능한다(도 2m). 이 때문에, 후의 공정에서는, 전하수송층을 형성하는 공정을 간략화 혹은 생략할 수 있다. 또, 제2 가공 공정후의 박리층(전하수송층(23)(23a, 23b 또는 23c))의 두께는, 소자설계에 따라 적절하게 변경할 수 있다.Next, a part of the peeling layer 30 may be removed and thinned (processing the peeling layer 30 to thin shape). Specifically, the second processing step is a step of immersing the support substrate 10 in which the layers are formed up to the release layer 30 in the polar solvent mixed with water after the above-described processing step of the organic compound layer. Here, when the support substrate 10 in which the layers are formed up to the release layer 30 is immersed in the polar solvent mixed with water, the release layer 30 is gradually dissolved from the opposite side of the support substrate 10. Here, under the conditions of the etching rate below, the supporting substrate 10 in which the layers are formed up to the release layer 30 is immersed for a predetermined time. The etching rate previously determined from the amount (elution amount) of the constituent material of the release layer 30 eluted when the solvent is used for a certain period of time is immersed is used. Thereby, the peeling layer 30 can be processed to desired thickness. Each release layer 30 processed in this second processing step functions as a charge transport layer 23 (23a, 23b or 23c) (FIG. 2M). For this reason, the process of forming a charge transport layer can be simplified or abbreviate | omitted in a later process. In addition, the thickness of the peeling layer (charge transport layer 23 (23a, 23b or 23c)) after a 2nd process process can be changed suitably according to element design.

상기 박리층의 제2의 가공 공정에 있어서, 극성용매에 대한 박리층의 에칭 레이트가 유기 화합물층보다도 빨라지도록, 물과 IPA간의 혼합비를 조정한다. 이 때문에, 유기 화합물의 가공 공정 후에 각 부화소의 단위로 생기는 유기 화합물층(22)(22a, 22b 또는 22c)의 단부는 상기 용제에서 거의 용해되기 어려워진다. 따라서, 이 박리층의 제2의 가공 공정을 행한 후에, 극성용매로부터 상기 지지 기판(10)을 들어 올려지면, 유기 화합물층(22)(22a, 22b 또는 22c)의 형상을 유지하면서, 박리층(30)만을 가공할 수 있다. 한층 더 필요에 따라 전자수송층 등의 전하수송층을 별도로 형성하면 좋다.In the 2nd processing process of the said peeling layer, the mixing ratio between water and IPA is adjusted so that the etching rate of a peeling layer with respect to a polar solvent may be faster than an organic compound layer. For this reason, the edge part of the organic compound layer 22 (22a, 22b, or 22c) which arises in the unit of each subpixel after the organic compound process process becomes hard to melt | dissolve in the said solvent. Therefore, after performing the 2nd processing process of this peeling layer, when the said support substrate 10 is lifted up with a polar solvent, the peeling layer (while maintaining the shape of the organic compound layer 22 (22a, 22b or 22c) Only 30) can be processed. Further, if necessary, a charge transport layer such as an electron transport layer may be formed separately.

박리층(30)의 제2 가공 공정을 행한 후는, 유기 화합물층(22)이 설치되는 지지 기판(10) 위에 또는 유기 화합물층(22) 위에 잔존하는 용매를 지지 기판(10)을 가열해서 제거하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 진공조건 하 80℃정도에서 지지 기판(10)을 가열한다. 이렇게, 지지 기판(10)을 가열해서 용매를 제거하는 경우, 상기 형성이 그 용매에 영향을 받지 않는 상태에서 다음의 공정에서 전하주입층 또는 전하수송층을 형성할 수 있다. 이때, 다음 공정을 행하기 전에, 지지 기판(10)을 진공 가열해도 된다. 이 진공가열에 의해서도 대기중의 물, 산소 또는 이물질의 부착 등의 영향을 저감시킬 수 있다.After performing the 2nd process of the peeling layer 30, the solvent which remains on the support substrate 10 in which the organic compound layer 22 is provided, or on the organic compound layer 22 is heated and removed, It is preferable. More preferably, the support substrate 10 is heated at about 80 ° C. under vacuum conditions. In this way, when the support substrate 10 is heated to remove the solvent, the charge injection layer or the charge transport layer can be formed in the next step while the formation is not affected by the solvent. At this time, the support substrate 10 may be vacuum heated before performing the next step. This vacuum heating also can reduce the effects of adhesion of water, oxygen, or foreign matter in the air.

(전하주입/수송층의 형성 공정)(Formation process of charge injection / transport layer)

상기한 바와 같이, 박리층(30)의 재가공(박리층(30)의 제2 가공 공정)을 행한 후는, 전하수송층(23) 위에, 전하주입/수송층(24)을 형성한다. 이때, 이 전하주입/수송층(24)은, 각각의 부화소에 공통되는 층으로서 형성되는 것이 바람직하다.As described above, after the reprocessing of the release layer 30 (second processing step of the release layer 30), the charge injection / transport layer 24 is formed on the charge transport layer 23. At this time, it is preferable that this charge injection / transport layer 24 is formed as a layer common to each subpixel.

전하주입/수송층(24)으로서 전자주입층을 형성하는 경우, 전자주입층의 구성 재료인 전자주입 재료는 일함수가 높다. 이러한 재료의 예들로는, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 알칼리금속 화합물(산화물, 탄산염, 또는 할로겐화염), 알칼리금속 화합물(산화물, 탄산염, 또는 할로겐화염), 및 전자수송 재료에 알칼리 금속 혹은 알칼리금속 화합물을 도핑하여 얻어진 재료가 있다. 여기에서, 알칼리 금속으로서, 구체적으로는, 세슘, 칼륨, 리튬 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리토류 금속으로서, 구체적으로는, 칼슘과 바륨 등을 들 수 있다.When the electron injection layer is formed as the charge injection / transport layer 24, the electron injection material which is a constituent material of the electron injection layer has a high work function. Examples of such materials include alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal compounds (oxides, carbonates, or halogenated salts), alkali metal compounds (oxides, carbonates, or halogenated salts), and alkali metal or alkali metal compounds in electron transport materials. There is a material obtained by doping. Here, as an alkali metal, cesium, potassium, lithium etc. are mentioned specifically ,. Moreover, calcium, barium, etc. are mentioned specifically as alkaline earth metal.

한편, 전하주입/수송층(24)으로서 정공주입층을 형성하는 경우, 정공주입층의 구성 재료인 정공주입 재료로서는, 일함수가 작은 유기 화합물과 일함수가 대단히 깊은 전자흡인성의 재료를 적합하게 들 수 있다. 일함수가 작은 유기 화합물의 예들로서는, 아릴아민 화합물과 프탈로시아닌을 들 수 있다. 또한, 일함수가 깊은 전자흡인성의 재료의 예들로서는, F4-TCNQ, 아자트리페닐렌 화합물(PPDN 또는 헥사시아노-헥사아자트리페닐렌등), 산화몰리브덴, 및 산화텅스텐을 들 수 있다.On the other hand, in the case where the hole injection layer is formed as the charge injection / transport layer 24, as the hole injection material which is a constituent material of the hole injection layer, an organic compound having a small work function and an electron withdrawing material having a deep work function are suitably mentioned. Can be. As an example of the organic compound with a small work function, an arylamine compound and a phthalocyanine are mentioned. In addition, examples of the electron-absorbing material having a deep work function include F4-TNC, azatriphenylene compounds (PCD or hexacyano-hexaazatriphenylene, etc.), molybdenum oxide, and tungsten oxide.

(제2전극의 형성 공정)(Step of Forming Second Electrode)

톱 이미션형의 유기EL표시장치를 제조하는 경우, 상부전극에 해당하는 제2전극(25)은, 투명도전 재료로 이루어진 투명전극이다. 광 투과성을 갖는 투명도전 재료는, 광의 투과율이 높은 재료가 바람직하다. 이러한 재료의 예들은, ITO, IZO 및 ZnO등의 투명도전 재료; 및 폴리아세틸렌 등의 유기도전 재료를 포함한다. 이때, Ag 또는 Al등의 금속재료를 두께 10nm 내지 30nm정도의 막으로 형성한 반투과막은, 제2전극(25)으로서 사용되어도 된다. 여기에서, ITO, IZO 또는 ZnO등의 투명 도전 재료로 광 투과성의 전극을 형성하는 경우, 저소비 전력화를 목적으로서, 전극에서 사용되는 조성에 필요한 저저항 특성과, 광의 추출 효율을 향상시키는데 필요한 고투과율 특성과의 양쪽을 만족하는 조성이 바람직하다. 광 투과성의 전극이 되는 박막은, 스퍼터링 등의 공지의 방법으로 형성될 수 있다. 상술한 저저항 특성과 고투과율 특성을 겸비하는 투명도전막을 제조하는 경우에는, 성막 장치의 용량, 타겟, 장치내의 압력, 및 성막시의 출력 전압을 적절하게 조정할 필요가 있다. 이때, 제2전극(25)은, TFT(도면에 나타내지 않는다)등의 스위칭소자에 전기적으로 접속되어 있다.When manufacturing the top emission type organic EL display device, the second electrode 25 corresponding to the upper electrode is a transparent electrode made of a transparent conductive material. The transparent conductive material having light transmittance is preferably a material having high light transmittance. Examples of such materials include transparent conductive materials such as ITO, IPO, and CN; And organic conductive materials such as polyacetylene. At this time, the transflective film which formed the metal material, such as Ag or Al, into the film of about 10 nm-30 nm in thickness, may be used as the 2nd electrode 25. As shown in FIG. Here, in the case of forming a light-transmissive electrode with a transparent conductive material such as ITO, IGO or CNNO, the low-resistance characteristics required for the composition used in the electrode and the high transmittance necessary for improving the light extraction efficiency for the purpose of lowering the power consumption. The composition which satisfy | fills both with a characteristic is preferable. The thin film which becomes a light transmissive electrode can be formed by well-known methods, such as sputtering. In the case of producing a transparent conductive film having both the low resistance characteristic and the high transmittance characteristic described above, it is necessary to appropriately adjust the capacity of the film forming apparatus, the target, the pressure in the apparatus, and the output voltage at the time of film formation. At this time, the second electrode 25 is electrically connected to a switching element such as TFT (not shown).

(유기EL표시장치의 구동에 대해서)(Drive of organic EL display device)

본 발명의 제조 방법으로 제조된 유기EL표시장치는, 각 부화소(20a, 20b 또는 20c)가 갖는 제1전극(21)과 제2전극(25)과의 사이에 전압을 인가함으로써 구동할 수 있다. 여기에서, 전압을 인가하는 경우에는, 예를 들면, TFT를 거쳐서 각 전극과 전기적으로 접속된 전원수단(미도시됨)을 사용한다.The organic EL display device manufactured by the manufacturing method of the present invention can be driven by applying a voltage between the first electrode 21 and the second electrode 25 of each of the subpixels 20a, 20b or 20c. have. Here, in the case of applying the voltage, for example, a power supply means (not shown) electrically connected to each electrode via a TFT is used.

(실시예 2)(Example 2)

도 5a 내지 5e는, 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법에 있어서의 실시예 2를 각각 나타내는 단면 모식도다. 여기에서, 실시예 2는, 실시예 1과는, 박리층(30)의 형성 공정 후, 이 박리층(30) 위에 보호층(60)이 형성되어 있는 점에서 다르다(도 5a). 이하, 실시예 1과의 차이점을 특히 강조하여 실시예 2를 설명한다.5A to 5E are cross-sectional schematic diagrams each showing Example 2 of the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention. Here, Example 2 differs from Example 1 in that the protective layer 60 is formed on this peeling layer 30 after the formation process of the peeling layer 30 (FIG. 5A). The second embodiment will be described below with particular emphasis on the differences from the first embodiment.

(보호층의 형성 공정)(Formation process of a protective layer)

본 발명의 제조 방법에 있어서는, 박리층(30)의 형성 공정 후, 도 5a에 나타나 있는 바와 같이, 이 박리층(30) 위에 보호층(60)을 형성해도 된다. 여기에서, 박리층(30) 위에 형성되는 보호층(60)은, 물과 유기용매에서 용해 불가능한 막이며, 방습성과 가스 장벽성을 갖는 막인 것이 바람직하다. 여기에서, 보호층(60)은, 포토리소그래피시에 조사되는 광을 흡수하는 특성을 갖는 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 제조 방법에 있어서 형성되는 보호층(60)은, 질화규소(SiN)를 주재료로서 사용하는 무기화합물의 박막층인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of this invention, after the formation process of the peeling layer 30, you may form the protective layer 60 on this peeling layer 30, as shown in FIG. 5A. Here, it is preferable that the protective layer 60 formed on the peeling layer 30 is a film | membrane insoluble in water and an organic solvent, and is a film | membrane which has moisture resistance and gas barrier property. Here, it is more preferable that the protective layer 60 has the characteristic which absorbs the light irradiated at the time of photolithography. It is preferable that the protective layer 60 formed in the manufacturing method of this invention is a thin film layer of the inorganic compound which uses silicon nitride (SiI) as a main material.

그런데, 박리층(30) 위에 보호층(60)을 형성 함에 의해, 다음 공정에서 감광성 수지층(40)을 형성할 때에 사용되는 용매가 박리층(30)을 침투해서 유기 화합물층(22)에 접할 가능성을 없앤다. 따라서, 감광성 수지층(40)의 용매를 선택할 때, 그 용매가 유기 화합물층(22)을 용해하지 않아야 하는 등의 제약이 없어져서, 더 저렴한 재료를 선택할 수도 있다.By forming the protective layer 60 on the release layer 30, however, a solvent used to form the photosensitive resin layer 40 in the next step penetrates the release layer 30 to contact the organic compound layer 22. Eliminate the possibility Therefore, when selecting the solvent of the photosensitive resin layer 40, the restriction that the solvent should not dissolve the organic compound layer 22 is eliminated, and a cheaper material can also be selected.

(보호층의 가공 공정)(Process of protective layer)

감광성 수지층(40)과 박리층(30)과의 사이에 보호층(60)이 설치되는 경우에는, 박리층(30)의 가공을 행하기 전에, 보호층(60)의 가공을 행할 필요가 있다. 여기에서, 보호층(60)의 가공은, 구체적으로는, 보호층(60) 중 감광성 수지층(41)(노광 공정에 있어서 노광되지 않은 감광성 수지)에 피복되지 않은 영역을 선택적으로 제거하는 것이다(도 5b). 보호층(60)을 선택적으로 제거하는 방법은 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 공지의 기술, 예를 들면 습식 에칭 또는 드라이에칭을 이용할 수 있다. 예를 들면, 보호층(60)의 구성 재료가 SiN일 경우에, CF4를 반응 가스로서 사용한 드라이에칭이 이용 가능하다.When the protective layer 60 is provided between the photosensitive resin layer 40 and the peeling layer 30, it is necessary to process the protective layer 60 before processing the peeling layer 30. have. Here, the process of the protective layer 60 specifically removes the area | region which is not covered by the photosensitive resin layer 41 (photosensitive resin which was not exposed in an exposure process) among the protective layers 60. FIG. (FIG. 5B). The method for selectively removing the protective layer 60 is not particularly limited, but known techniques such as wet etching or dry etching may be used. For example, when the constituent material of the protective layer 60 is SiN, dry etching using CF 4 as the reaction gas can be used.

(보호층의 제거 공정등)(Removal process of protective layer)

이상에서 설명한 보호층(60)의 가공 공정을 행한 후, 실시예 1과 마찬가지로, 박리층(30) 및 유기 화합물층(22a)의 가공을 행한다(도 5c). 이때, 유기 화합물층(22a)의 가공을 행할 때에, 감광성 수지층(41)의 제거도 동시에 행해도 된다.After performing the process of the protective layer 60 demonstrated above, similarly to Example 1, the peeling layer 30 and the organic compound layer 22a are processed (FIG. 5C). At this time, when the organic compound layer 22a is processed, the photosensitive resin layer 41 may be removed at the same time.

이후, 유기 화합물층(22b 또는 22c)의 형성으로부터 유기 화합물층의 가공까지의 공정을 각 부화소에서 행하고 나서(도 5d), 보호층(60) 및 박리층(30)을 제거한다(도 5e). 본 실시예처럼, 박리층(30)과 감광성 수지층(40)과의 사이에 보호층(60)을 설치한 경우에는, 감광성 수지층(40)을 제거한 후에, 상술한 보호층의 가공 공정동안에 이용한 방법(드라이에칭 또는 습식 에칭 등)으로 보호층(60)을 제거한다. 보호층(60)을 제거한 후의 지지 기판(10)을 극성용매에 침지하고, 유기 화합물층(22)(22a, 22b 또는 22c)의 형상을 유지하면서, 박리층(30)만을 가공한다. 박리층(30)의 표면으로부터 특정 두께만 제거한 후, 실시예 1과 마찬가지로, 한층 더 필요에 따라 전자수송층 등의 전하수송층, 전하주입/수송층, 제2전극 등을 별도로 형성한다.Thereafter, the steps from the formation of the organic compound layer 22b or 22c to the processing of the organic compound layer are performed in each subpixel (FIG. 5D), and then the protective layer 60 and the peeling layer 30 are removed (FIG. 5E). As in the present embodiment, in the case where the protective layer 60 is provided between the release layer 30 and the photosensitive resin layer 40, the photosensitive resin layer 40 is removed and then, during the processing of the protective layer described above. The protective layer 60 is removed by the method used (dry etching or wet etching, etc.). After removing the protective layer 60, the support substrate 10 is immersed in a polar solvent, and only the peeling layer 30 is processed, maintaining the shape of the organic compound layer 22 (22a, 22b, or 22c). After removing only a specific thickness from the surface of the peeling layer 30, similarly to Example 1, further, a charge transport layer, such as an electron transport layer, a charge injection / transport layer, a 2nd electrode, etc. are formed separately as needed.

(실시예 3)(Example 3)

도 6a 내지 6f는, 본 발명의 유기EL표시장치의 제조 방법에 있어서의 실시예 3을 나타내는 단면 모식도다. 여기에서, 실시예 3은, 실시예 2와 달리, 보호층(60)이 복수의 층(제1보호층 61, 제2보호층 62)으로 형성되어 있는 점에서 차이가 있다(도 6a). 이하, 실시예 2와의 차이점을 특별하게 강조하여 실시예 3에 관하여 설명한다.6A to 6F are cross-sectional schematic diagrams illustrating the third embodiment in the method of manufacturing an organic EL display device of the present invention. Here, the third embodiment differs from the second embodiment in that the protective layer 60 is formed of a plurality of layers (first protective layer 61 and second protective layer 62) (FIG. 6A). The third embodiment will be described below with particular emphasis on the differences from the second embodiment.

(보호층의 형성 공정)(Formation process of a protective layer)

도 5a와 도 6a에 나타나 있는 바와 같이, 보호층(60)은, 단일층이여도 되거나 복수의 층이어도 된다. 보호층이 2개의 층으로 이루어진 적층체일 경우, 먼저 형성되는 제1보호층(61)이 수용성 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 추가로, 제1보호층(61)의 다음에 형성되는 제2보호층(62)은, 질화규소등의 물과 유기용매에서의 용해 불가능한 재료를 주재료로서 사용하는 무기화합물의 막인 것이 바람직하다.As shown to FIG. 5A and 6A, the protective layer 60 may be a single layer, or may be a some layer. When the protective layer is a laminate composed of two layers, it is preferable that the first protective layer 61 formed first is formed of a water-soluble material. In addition, it is preferable that the second protective layer 62 formed after the first protective layer 61 is a film of an inorganic compound using a material that cannot be dissolved in water such as silicon nitride and an organic solvent as a main material.

제1보호층(61)의 구성 재료인 수용성 재료의 예들은, 공지의 수용성고분자 재료, 이를테면 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리비닐 피롤리돈을 포함한다. 또, 제1보호층을 형성할 때는, 공지의 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 잉크젯법 등의 기존의 방법을 이용할 수 있다. 여기에서, 유기 화합물층(22)은 물에서 용해하지 않는 재료로 된 층이기 때문에, 유기 화합물층(22)은 제1보호층(61)을 형성할 때에 용매에 의해 에칭되지 않는다. 또한, 보호층(60)의 두께를 두껍게 형성하는 경우, 감광성 수지층(40)의 용매에서 유기 화합물층(22)이 용해하거나, 유기 화합물층(22)의 두께가 감소하거나, 발광 재료가 용출하거나 하는 등의 영향을 보다 경감할 수 있다.Examples of the water-soluble material which is a constituent material of the first protective layer 61 include known water-soluble polymer materials such as polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polyvinyl pyrrolidone. Moreover, when forming a 1st protective layer, existing methods, such as a well-known spin coating method, the dip coating method, and the inkjet method, can be used. Here, since the organic compound layer 22 is a layer made of a material which does not dissolve in water, the organic compound layer 22 is not etched by a solvent when forming the first protective layer 61. In addition, when the thickness of the protective layer 60 is formed thick, the organic compound layer 22 dissolves in the solvent of the photosensitive resin layer 40, the thickness of the organic compound layer 22 decreases, or the light emitting material elutes. The influence of the back can be more reduced.

(보호층의 가공 공정)(Process of protective layer)

또한, 보호층(60)이 복수의 층으로 구성되는 경우에는, 각 보호층에 대해서 가공을 행할 필요가 있다. 예를 들면, 보호층(60)이, 수용성 고분자로 이루어진 제1보호층(61)과, SiN으로 이루어진 제2보호층(62)이 이 순서로 적층해서 얻어진 적층체일 경우, 이하의 방법으로 각 보호층을 가공한다. 우선, 상층인 제2보호층에 대해서, CF4를 반응 가스로서 사용한 드라이에칭을 행하고(도 6b), 이어서, 하층인 제1보호층에 대해서, CF4를 반응 가스로서 사용한 드라이에칭을 행한다(도 6c).In addition, when the protective layer 60 consists of several layers, it is necessary to process about each protective layer. For example, when the protective layer 60 is a laminate obtained by laminating the first protective layer 61 made of a water-soluble polymer and the second protective layer 62 made of SiN in this order, Process the protective layer. First, with respect to the upper layer of the second protective layer, and subjected to dry etching using CF 4 as a reaction gas (Fig. 6b), was then carried out, the dry etching using CF 4 as the reaction gas for the lower layer of the first protective layer ( 6c).

(보호층의 제거 공정등)(Removal process of protective layer)

이상에서 설명한 보호층(60)의 가공 공정을 행한 후, 실시예 2와 같이 유기 화합물층(22a)의 가공을 행한다(도 6d). 이때, 유기 화합물층(22a)의 가공을 행할 때에, 도 6d에 나타나 있는 바와 같이, 감광성 수지층(41)의 제거도 동시에 행해도 된다.After performing the process of the protective layer 60 demonstrated above, the organic compound layer 22a is processed like Example 2 (FIG. 6D). At this time, when the organic compound layer 22a is processed, the photosensitive resin layer 41 may be removed at the same time as shown in FIG. 6D.

이후, 유기 화합물층(22b 또는 22c)의 형성으로부터 유기 화합물층의 가공까지의 공정을 각 부화소에 있어서 행하고(도 6e), 보호층(60) 및 박리층을 제거한다(도 6f). 본 실시예와 같이, 박리층(30)과 감광성 수지층(40)과의 사이에 보호층(60)을 설치한 경우에는, 감광성 수지층(40)을 제거한 후에, 상기 보호층의 가공 공정시에 이용한 방법(드라이에칭 또는 습식 에칭 등)으로 보호층(60)을 제거한다.Subsequently, a process from the formation of the organic compound layer 22b or 22c to the processing of the organic compound layer is performed in each subpixel (FIG. 6E) to remove the protective layer 60 and the peeling layer (FIG. 6F). As in the present embodiment, in the case where the protective layer 60 is provided between the release layer 30 and the photosensitive resin layer 40, the photosensitive resin layer 40 is removed and then the protective layer is processed. The protective layer 60 is removed by a method (such as dry etching or wet etching) used in the above.

다음에, 본 발명의 예시들에 의해 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하에 설명되는 예시들에 한정되지 않는다. 예를 들면, 발광색의 면에서 부화소를 형성하는 순서는, "청색, 녹색 및 적색"의 순서에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 유기 화합물층의 구성 및 두께도 상기 예시들에 기재된 정보에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전자를 제1전극으로부터 주입하는 경우, 그 주입에 따라 유기 화합물층의 층들을 적층한 순서가 채용되면 좋다. 본 발명에서는 이하에 설명되는 예시들의 조합도 포함한다. 기술분야에서 주지 또는 공지의 기술은, 명세서에 구체적으로 설명되거나 기재되지 않은 부분에 적용된다.Next, examples of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to the examples described below. For example, the order of forming subpixels in terms of emission color is not limited to the order of "blue, green and red". For example, the structure and thickness of the organic compound layer are not limited to the information described in the examples. For example, in the case of injecting electrons from the first electrode, a stacking layer of organic compound layers may be employed in accordance with the injection. The invention also includes a combination of the examples described below. Techniques well known or known in the art apply to parts not specifically described or described in the specification.

(전자기기)(Electronics)

이상 설명한 바와 같이, 유기EL표시장치는, 전류효율, 구동수명 및 미세도가 뛰어나다. 그러므로, 본 발명의 유기EL표시장치는, 여러 가지의 전자기기의 표시부로서 사용되어도 된다. 전자기기는, 디지털 카메라, 휴대 정보단말등의 휴대 기기나, 퍼스널 컴퓨터, 텔레비전, 및 각종 프린터를 포함한다.As described above, the organic EL display device is excellent in current efficiency, drive life, and fineness. Therefore, the organic EL display device of the present invention may be used as a display portion of various electronic devices. Electronic devices include portable devices such as digital cameras and portable information terminals, personal computers, televisions, and various printers.

전자기기의 일례로서, 디지털 카메라에 관하여 설명한다. 도 7은, 디지털 카메라 시스템의 일례를 나타내는 블록도다. 디지털 카메라 시스템(7)은, 촬영부(71), 영상신호처리 회로(72), 표시장치(73), 메모리(74), CPU(75) 및 조작부(76)를 구비하고 있다. 도 7의 디지털 카메라 시스템(7)을 구성하는 표시장치(73)는, 본 발명의 제조 방법을 이용해서 제조된 유기EL표시장치를 사용한다.As an example of an electronic device, a digital camera will be described. 7 is a block diagram illustrating an example of a digital camera system. The digital camera system 7 includes a photographing unit 71, a video signal processing circuit 72, a display device 73, a memory 74, a CPU 75, and an operation unit 76. The display device 73 constituting the digital camera system 7 in FIG. 7 uses an organic EL display device manufactured using the manufacturing method of the present invention.

촬영부(71)를 사용해서 촬영한 영상과 메모리(74)에 기록된 영상정보는, 영상신호처리 회로(72)에서 신호 처리해서 영상신호로 변환된 후, 표시장치(73)에 송신되어, 영상으로서 표시된다.The video photographed using the photographing unit 71 and the video information recorded in the memory 74 are signal-processed by the video signal processing circuit 72, converted into video signals, and then transmitted to the display device 73, It is displayed as an image.

도 7의 디지털 카메라 시스템(7)에 장착된 컨트롤러(도면에 나타내지 않는다)는, 촬영부(71), 메모리(74) 및 영상신호처리 회로(72)를 제어하는 CPU(75)에 접속되고, 조작부(76)로부터의 입력 신호에 의해 상황에 적합한 촬영, 기록, 재생, 표시를 행한다.The controller (not shown) attached to the digital camera system 7 of FIG. 7 is connected to the CPU 75 that controls the photographing unit 71, the memory 74, and the video signal processing circuit 72. The input signal from the operation unit 76 performs shooting, recording, reproducing, and display appropriate to the situation.

(예시 1)(Example 1)

도 1에 도시되는 유기EL표시장치를, 도 2에 도시되는 프로세스에 따라서 제조했다.The organic EL display device shown in FIG. 1 was manufactured according to the process shown in FIG.

(1)제1전극의 형성 공정(1) Formation process of the first electrode

스퍼터링법에 의해, 지지 기판(10) 위에, 알루미늄합금(AlNd)을 형성해 AlNd막(반사 전극)을 형성했다. 이때, AlNd막의 두께를 100nm로 했다. 다음에, 스퍼터링법에 의해, AlNd막 위에 ITO를 성막해 ITO막을 형성했다. 이때, ITO막의 두께를 10nm로 했다. 또한, 상기AlNd막과 ITO막으로 이루어진 적층체는, 제1전극(21)으로서 기능한다. 다음에, 포토리소그래피 프로세스에 의거해 제1전극(21)의 패터닝을 행함으로써, 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소를 각각 구성하는 제1전극(21a, 2lb, 21c)을 각각 제조했다(도 2a).By the sputtering method, aluminum alloys were formed on the support substrate 10 to form an Al films (reflective electrodes). At this time, the thickness of the Al film was 100 nm. Next, an ITO film was formed on the Al film by the sputtering method to form an ITO film. At this time, the thickness of the ITO film was 10 nm. In addition, the laminated body consisting of the said Al film and the ITO film functions as the 1st electrode 21. As shown in FIG. Next, by patterning the first electrode 21 based on the photolithography process, the first electrodes 21a, 2lb, 21c constituting the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel are respectively formed. Each was prepared (FIG. 2A).

(2)청색 유기 화합물층의 형성 공정(2) Formation process of blue organic compound layer

패터닝된 제1전극(21a, 2lb, 21c)이 형성되어 있는 지지 기판(10) 위에, 청색 유기 화합물층(22a)을, 진공증착법을 사용한 연속 성막에 의해 형성했다. 우선, 정공수송층을 두께 120nm로 형성한 후, 청색발광 재료를 함유하는 발광층을 두께 30nm로 형성했다. 다음에, 하기식 1에 표시되는 축합 다환 탄화수소 화합물을 성막해 버퍼층을 형성했다. 이때, 버퍼층의 두께를 10nm로 했다. 이상에 의해, 유기 화합물층(22a)(청색 유기 화합물층)을 형성했다(도 2b).On the support substrate 10 on which the patterned first electrodes 21a, 2lb, 21c are formed, the blue organic compound layer 22a was formed by continuous film formation using the vacuum deposition method. First, the hole transport layer was formed to a thickness of 120 nm, and then a light emitting layer containing a blue light emitting material was formed to a thickness of 30 nm. Next, the condensed polycyclic hydrocarbon compound represented by following formula 1 was formed into a film, and the buffer layer was formed. At this time, the thickness of the buffer layer was 10 nm. The organic compound layer 22a (blue organic compound layer) was formed by the above (FIG. 2B).

Figure pat00006
Figure pat00006

(3)박리층의 형성 공정(3) Formation process of peeling layer

다음에, 진공증착법에 의해, 하기식 2로 표시되는 페난트롤린 유도체를 성막해 박리층(30)을 형성했다. 이때, 박리층(30)의 두께를 500nm로 했다(도 2c).Next, the phenanthroline derivative represented by following formula 2 was formed into a film by the vacuum deposition method, and the peeling layer 30 was formed. At this time, the thickness of the peeling layer 30 was 500 nm (FIG. 2C).

Figure pat00007
Figure pat00007

(4)감광성 수지층의 형성 및 가공 공정(4) Formation and processing process of photosensitive resin layer

다음에, 스핀 코팅법에 의해, 포지티브형의 포토레지스트(AZ일렉트로닉 머티리얼즈제, 제품명 "AZ1500")을 성막해 감광성 수지층(40)을 형성했다(도 2d). 이때, 감광성 수지층의 두께는 1000nm이었다. 다음에, 노광장치(캐논제, 마스크 얼라이너 MPA600)를 사용하여, 제1 부화소(20a)의 영역에 설치된 감광성 수지층(41)을 남기도록, 포토마스크(50)를 사용해서 감광성 수지층(41)을 차폐한 상태에서 자외광(51)에 노광을 행했다(도 2e). 이때, 노광 시간은 40s이었다. 노광 후, 현상액(AZ일렉트로닉 머티리얼즈제, 제품명 "312MIF"를 물로 희석해 농도를 50%로 한 것)을 사용해서 1분간 현상했다. 이 현상 처리에 의해 자외광(51)에 노광된 감광성 수지층(42)을 제거했다.Next, the photosensitive resin layer 40 was formed by depositing a positive photoresist (Avatronic Materials, product name "Ava 1500") by spin coating (FIG. 2D). At this time, the thickness of the photosensitive resin layer was 1000 nm. Next, the photosensitive resin layer was used using the photomask 50 so that the photosensitive resin layer 41 provided in the area | region of the 1st subpixel 20a may be left using an exposure apparatus (made by Canon, the mask aligner MPA600). The ultraviolet light 51 was exposed in the state which shielded 41 (FIG. 2E). At this time, the exposure time was 40s. After exposure, it developed for 1 minute using the developing solution (made by AJ Electronic Materials, the product name "312MIF" diluted to water, and making 50% of the density | concentration). The photosensitive resin layer 42 exposed to the ultraviolet light 51 was removed by this developing treatment.

(5)박리층의 제1의 가공 공정 및 청색 유기 화합물층의 가공 공정(5) First process of peeling layer and process of blue organic compound layer

다음에, 산소를 반응 가스로 해 유량 20sccm, 압력 8Pa, 출력 150W, 반응시간 2분의 조건하에서, 감광성 수지층(41)으로 피복되지 않고 있는 박리층(30)을 제거하여 패터닝 했다. 이렇게 함으로써, 제1 부화소(20a)의 영역에 패터닝된 박리층(30)을 형성했다(도 2f). 한층 더 동일한 조건의 드라이에칭에 의해, 제1 부화소(20a)의 영역이외의 영역에 설치된 청색 유기 화합물층(22a)을 선택적으로 제거했다. 이렇게하여 제1 부화소(20a)의 영역에 유기 화합물층(22a)(청색 유기 화합물층)을 형성했다(도 2g).Next, oxygen was used as a reaction gas, and the peeling layer 30 which was not covered with the photosensitive resin layer 41 was removed and patterned under conditions of a flow rate of 20 cc, a pressure of 8 Pa, an output of 150 W, and a reaction time of 2 minutes. By doing in this way, the peeling layer 30 patterned in the area | region of the 1st subpixel 20a was formed (FIG. 2F). By dry etching under the same conditions, the blue organic compound layer 22a provided in the region other than the region of the first subpixel 20a was selectively removed. Thus, the organic compound layer 22a (blue organic compound layer) was formed in the area | region of the 1st subpixel 20a (FIG. 2G).

(6)적색 유기 화합물층의 형성 및 가공 공정(6) Formation and processing process of red organic compound layer

다음에, 적색 유기 화합물층(22b)을, 진공증착법을 사용한 연속 성막에 의해 형성했다. 우선, 정공수송층을 두께 200nm로 형성한 후, 적색발광 재료를 함유하는 발광층을 두께 30nm로 형성했다. 다음에, 상기 식 (1)로 나타낸 축합 다환 탄화수소 화합물을 성막해 버퍼층을 형성했다. 이때, 버퍼층의 두께를 10nm로 했다. 이상에 의해, 유기 화합물층(22b)(적색 유기 화합물층)을 형성했다. 다음에, 진공증착법에 의해, 식 (2)의 페난트롤린 유도체를 성막해 박리층(30)을 형성했다. 이때, 박리층(30)의 두께를 500nm로 했다. 다음에, 스핀 코팅법에 의해, 공정(4)에서 사용한 포지티브형의 포토레지스트를 성막해 감광성 수지층(40)을 형성했다(도 2h). 이때, 감광성 수지층의 두께는 1000nm이었다. 다음에, 공정(4)와 같은 방법으로 감광성 수지층(40)의 가공을 행한 후, 공정(5)와 같은 방법으로 박리층(30) 및 유기 화합물층(22b)의 가공을 행한다. 이렇게 함으로써, 제2 부화소(20b)의 영역에 유기 화합물층(22b)(적색 유기 화합물층)을 형성했다(도 2i).Next, the red organic compound layer 22b was formed by continuous film formation using the vacuum deposition method. First, the hole transport layer was formed to a thickness of 200 nm, and then a light emitting layer containing a red light emitting material was formed to a thickness of 30 nm. Next, the condensed polycyclic hydrocarbon compound represented by said Formula (1) was formed into a film, and the buffer layer was formed. At this time, the thickness of the buffer layer was 10 nm. The organic compound layer 22b (red organic compound layer) was formed by the above. Next, the phenanthroline derivative of Formula (2) was formed into a film by the vacuum deposition method, and the peeling layer 30 was formed. At this time, the thickness of the peeling layer 30 was 500 nm. Next, the positive photoresist used in the step (4) was formed by spin coating to form the photosensitive resin layer 40 (FIG. 2H). At this time, the thickness of the photosensitive resin layer was 1000 nm. Next, after the photosensitive resin layer 40 is processed by the method similar to the process (4), the peeling layer 30 and the organic compound layer 22b are processed by the method similar to the process (5). By doing in this way, the organic compound layer 22b (red organic compound layer) was formed in the area | region of the 2nd subpixel 20b (FIG. 2I).

(7)녹색 유기 화합물층의 형성 및 가공 공정(7) Formation and processing process of green organic compound layer

다음에, 녹색 유기 화합물층(22c)을, 진공증착법을 사용한 연속 성막에 의해 형성했다. 우선, 정공수송층을 두께 160nm로 형성한 후, 녹색발광 재료를 함유하는 발광층을 두께 30nm로 형성했다. 다음에, 식 (1)로 나타낸 축합 다환 탄화수소 화합물을 성막해 정공 블록층을 형성했다. 이때, 정공 블록층의 두께를 10nm로 했다. 이상에 의해, 유기 화합물층(22c)(녹색 유기 화합물층)을 형성했다. 다음에, 진공증착법에 의해, 식 (2)의 페난트롤린 유도체를 성막해 박리층(30)을 형성했다. 이때, 박리층(30)의 두께를 500nm로 했다. 다음에, 스핀 코팅법에 의해, 공정(4)에서 사용한 포지티브형의 포토레지스트를 성막해 감광성 수지층(40)을 형성했다(도 2j). 이때, 감광성 수지층의 두께는 1000nm이었다. 다음에, 공정(4)와 같은 방법으로 감광성 수지층(40)의 가공을 행한 후, 공정(5)와 같은 방법으로 박리층(30) 및 유기 화합물층(22b)의 가공을 행한다. 이렇게 함으로써, 제3 부화소(20c)의 영역에 유기 화합물층(22c)(녹색 유기 화합물층)을 형성했다(도 2k).Next, the green organic compound layer 22c was formed by continuous film formation using the vacuum deposition method. First, the hole transport layer was formed to a thickness of 160 nm, and then a light emitting layer containing a green light emitting material was formed to a thickness of 30 nm. Next, the condensed polycyclic hydrocarbon compound represented by Formula (1) was formed into a film and the hole block layer was formed. At this time, the thickness of the hole block layer was 10 nm. The organic compound layer 22c (green organic compound layer) was formed by the above. Next, the phenanthroline derivative of Formula (2) was formed into a film by the vacuum deposition method, and the peeling layer 30 was formed. At this time, the thickness of the peeling layer 30 was 500 nm. Next, the positive photoresist used in the step (4) was formed by spin coating to form the photosensitive resin layer 40 (FIG. 2J). At this time, the thickness of the photosensitive resin layer was 1000 nm. Next, after the photosensitive resin layer 40 is processed by the method similar to the process (4), the peeling layer 30 and the organic compound layer 22b are processed by the method similar to the process (5). In this way, the organic compound layer 22c (green organic compound layer) was formed in the region of the third subpixel 20c (FIG. 2K).

(8)감광성 수지층의 제거 공정(8) Removing step of photosensitive resin layer

다음에, 산소를 반응 가스로 해 유량 20sccm, 압력 8Pa, 출력 150W의 조건하에서, 드라이에칭을 행하여, 감광성 수지층(41)을 제거했다(도 2l).Subsequently, dry etching was performed under the conditions of a flow rate of 20 sccm, a pressure of 8 Pa, and an output of 150 W using oxygen as the reaction gas to remove the photosensitive resin layer 41 (FIG. 2L).

(9)박리층의 제2의 가공 공정(9) 2nd process of peeling layer

다음에, IPA농도가 60중량%가 되도록, 물과 IPA를 혼합한 혼합 용매를 사용하여, 박리층(30)의 일부를 제거하여, 박리층(30)을 박막화하는 제2 가공 공정을 행했다. 이때, 본 예시에 있어서 박리층(30)을 구성하는 화합물(식 (2)로 나타낸 페난트롤린 유도체)의 에칭 레이트는 0.9nm/sec이므로, 상기 혼합 용매에 530초 침지하여, 박리층(30)의 일부를 제거해서 박막화했다(도 2m). 이 제2의 가공 공정의 결과, 박리층(30)의 두께는 20nm가 되었다. 또한, 이 제2의 가공 공정으로 박막화된 각 박리층은, 전하수송층(전자수송층)(23a, 23b 또는 23c)으로서 기능한다. 다음에, 80℃로 진공가열해서 전하수송층 위에 잔존하는 용제를 제거했다.Next, using the mixed solvent which mixed water and IPA so that an IPA concentration might be 60 weight%, a part of peeling layer 30 was removed and the 2nd processing process which thinned the peeling layer 30 was performed. At this time, since the etching rate of the compound (phenanthroline derivative represented by Formula (2)) constituting the release layer 30 in this example is 0.9 nm / sec, it is immersed in the mixed solvent for 530 seconds to release the release layer 30 A part of) was removed to form a thin film (FIG. 2M). As a result of this 2nd process, the thickness of the peeling layer 30 became 20 nm. Moreover, each peeling layer thinned by this 2nd process process functions as a charge transport layer (electron transport layer) 23a, 23b, or 23c. Next, it vacuum-heated at 80 degreeC, and the solvent remaining on the charge transport layer was removed.

(10)제2전극의 제조 공정등(10) manufacturing process of second electrode

다음에, 식 (2)로 나타낸 화합물(화합물A2)과 탄산세슘(Cs2CO3)을 공증착해서 전자주입층(전하주입/수송층24)을 형성했다. 이때, 전자주입층의 두께를 20nm로 했다(도 2n).Next, the compound (compound A2) and cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) represented by Formula (2) were co-deposited to form an electron injection layer (charge injection / transport layer 24). At this time, the thickness of the electron injection layer was 20 nm (FIG. 2N).

다음에, 스퍼터링에 의해, 반투명 도전재료인 Ag를 성막해 제2전극을 형성했다(도 2o). 이때, 제2전극의 두께를 16nm로 했다.Next, by sputtering, Ag which is a translucent conductive material was formed into a film, and the 2nd electrode was formed (FIG. 2O). At this time, the thickness of the second electrode was 16 nm.

다음에, 질소분위기 하에서 밀봉 유리(도면에 나타내지 않는다)를 기판에 접착함에 의해 소자열화를 막는 구조로 했다. 이와 같이 하여, 유기EL표시장치를 제조했다.Next, the sealing glass (not shown) was bonded to the substrate in a nitrogen atmosphere to prevent deterioration of the device. In this way, an organic EL display device was manufactured.

이렇게하여 제조한 유기EL표시장치(1)를 평가한 결과, 3색, 즉 적색, 녹색 및 청색 각각에 대해 전류효율 및 구동 내구수명은, 진공 인시투 성막해서 제조한 유기EL표시장치에 대하여 필적할 정도였다. 따라서, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 유기EL표시장치는, 발광 특성이 우수하다. 이때, 고정세화에 관해서는, 12μm의 픽셀 사이즈를 취득하였고, 또 미세 금속 마스크 증착으로 얻어진 픽셀 사이즈가 100μm정도이었다.As a result of evaluating the organic EL display device 1 manufactured in this way, the current efficiency and the driving durability life of each of three colors, namely red, green and blue, are comparable to those of the organic EL display device manufactured by vacuum in-situ film formation. It was enough. Therefore, the organic EL display device manufactured by the manufacturing method of the present invention is excellent in light emission characteristics. At this time, with respect to the high definition, a pixel size of 12 µm was obtained, and the pixel size obtained by fine metal mask deposition was about 100 µm.

(예시2)(Example 2)

다음을 제외하고는 예시 1과 같은 방법으로 유기EL표시장치를 제조했다. 예시 1에서, 박리층(30)의 구성 재료로서 하기 화합물B1(에칭 레이트:1.3nm/sec)을 사용했다. 또, 박리층(30)의 제거시에, IPA/물 혼합 용매내의 침지 시간을 370초로 설정했다.An organic EL display device was manufactured in the same manner as in Example 1, except for the following. In Example 1, the following compound B1 (etch rate: 1.3 nm / sec) was used as a constituent material of the release layer 30. Moreover, at the time of removal of the peeling layer 30, the immersion time in the IPA / water mixed solvent was set to 370 second.

Figure pat00008
Figure pat00008

그 결과로 얻어진 유기EL표시장치에 대해서 예시 1과 같은 방법으로 평가하였다. 그 결과, 예시 1과 마찬가지로 전류효율, 구동수명 및 미세도의 면에서 상기 표시장치는 양호한 결과를 나타냈다.The resulting organic EL display device was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, as in Example 1, the display device showed good results in terms of current efficiency, driving life, and fineness.

(예시 3)(Example 3)

다음을 제외하고는 예시 1과 같은 방법으로 유기EL표시장치를 제조했다. 예시 1에 있어서, 박리층(30)의 구성 재료로서 하기 화합물C1(에칭 레이트:1.5nm/sec)을 사용했다. 또, 박리층(30)의 제거시에, IPA/물 혼합 용매내의 침지 시간을 320초로 설정했다.An organic EL display device was manufactured in the same manner as in Example 1, except for the following. In Example 1, the following compound C1 (etch rate: 1.5 nm / sec) was used as a constituent material of the release layer 30. Moreover, at the time of removal of the peeling layer 30, the immersion time in the IPA / water mixed solvent was set to 320 second.

Figure pat00009
Figure pat00009

그 결과로 얻어진 유기EL표시장치에 대해서 예시 1과 같은 방법으로 평가하였다. 그 결과, 예시 1과 마찬가지로, 전류효율, 구동수명 및 미세도의 면에서 상기 표시장치는 양호한 결과를 나타냈다.The resulting organic EL display device was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, as in Example 1, the display device showed good results in terms of current efficiency, driving life, and fineness.

(예시 4)(Example 4)

다음을 제외하고는 예시 1과 같은 방법으로 유기EL표시장치를 제조했다. 예시 1에 있어서, 유기 화합물층(22a, 22b 또는 22c)을 가공할 때에 행해지는 박리층(30)의 형성 공정과 감광성 수지층(40)의 형성 공정과의 사이에 보호층(60)의 형성 공정을 추가했다. 또, 감광성 수지층(40)의 가공 공정과 박리층(30)의 가공 공정과의 사이에 보호층(60)의 가공 공정을 추가했다. 한층 더, 감광성 수지층(41)의 제거 공정과 박리층(30)의 제거 공정과의 사이에 보호층(60)의 제거 공정을 추가했다. 이하, 도 5를 참조하여, 보호층의 형성 공정, 보호층의 가공 공정 및 보호층의 제거 공정에 대해 특히 강조하여 본 예시에 있어서의 제조 프로세스에 관하여 설명한다.An organic EL display device was manufactured in the same manner as in Example 1, except for the following. In Example 1, the formation process of the protective layer 60 between the formation process of the peeling layer 30 and the formation process of the photosensitive resin layer 40 which are performed at the time of processing the organic compound layer 22a, 22b, or 22c. Added. Moreover, the process of the protective layer 60 was added between the process of the photosensitive resin layer 40, and the process of the peeling layer 30. FIG. Furthermore, the removal process of the protective layer 60 was added between the removal process of the photosensitive resin layer 41, and the removal process of the peeling layer 30. FIG. Hereinafter, with reference to FIG. 5, the manufacturing process in this example is demonstrated focusing especially on the formation process of a protective layer, the process of a protective layer, and the process of removing a protective layer.

(1)보호층의 형성 공정등(1) Formation process of protective layer

우선, 예시 1과 같은 방법에 의해, 지지 기판(10) 위에 박리층(30)까지 층들을 형성했다. 다음에, CVD법에 의해, 박리층(30) 위에, 질화규소(SiN)를 성막해서 보호층(60)을 형성했다. 이때, 보호층(60)의 두께를 1000nm로 했다. 다음에, 보호층(60) 위에, 예시 1과 같은 방법으로 감광성 수지층(40)을 형성했다(도 5a).First, by the same method as in Example 1, layers were formed on the support substrate 10 up to the release layer 30. Next, silicon nitride (SiN) was formed into a film on the peeling layer 30 by the CD method, and the protective layer 60 was formed. At this time, the thickness of the protective layer 60 was 1000 nm. Next, the photosensitive resin layer 40 was formed on the protective layer 60 by the method similar to Example 1 (FIG. 5A).

(2)보호층의 가공 공정(2) Processing step of protective layer

다음에, 감광성 수지층(40)을 패터닝 하였다. 그 후, 보호층(60)을, CF4를 반응 가스로 해서 유량 30sccm, 출력 150w, 압력 10Pa, 처리 시간 7분의 조건하에서, 감광성 수지층(41)으로 피복되지 않은 보호층(60)을 제거했다(도 5b). 즉, 각 부화소의 영역에 대응해서 보호층(60)이 설치되도록 이 공정에서 보호층(60)이 가공되었다.Next, the photosensitive resin layer 40 was patterned. Subsequently, the protective layer 60 which is not covered with the photosensitive resin layer 41 under the conditions of a flow rate of 30 sccm, an output of 150 w, a pressure of 10 Pa, and a processing time of 7 minutes using the protective layer 60 as the reaction gas C 4 is used. Removed (FIG. 5B). That is, the protective layer 60 was processed at this process so that the protective layer 60 may be provided corresponding to the area of each subpixel.

(3)유기 화합물층의 가공 공정등(3) Processing process of organic compound layer

그후, 예시 1과 같은 방법에 의해 박리층(30) 및 유기 화합물층(22a)의 가공 공정을 행했다(도 5c). 다음에, 제2 부화소(20b)와 제3 부화소(20c) 각각에 있어서 상기 공정(1) 및 공정(2)를 행함으로써, 제2 부화소(20b)와 제3 부화소(20c)에 각각 설치되는 유기 화합물층(22b, 22c)의 형성 및 가공을 행했다(도 5d).Then, the process of the peeling layer 30 and the organic compound layer 22a was performed by the method similar to Example 1 (FIG. 5C). Next, the step (1) and the step (2) are performed in each of the second subpixel 20b and the third subpixel 20c, whereby the second subpixel 20b and the third subpixel 20c. The organic compound layers 22b and 22c respectively provided in FIG. 5 were formed and processed (FIG. 5D).

(4)보호층의 제거 공정(4) Removing the protective layer

다음에, 예시 1과 같은 방법에 의해, 감광성 수지층(41)을 제거하였다. 그후, CF4를 반응 가스로 해서 유량 30sccm, 출력 150w, 압력 10Pa, 처리 시간 7분의 조건하에서 보호층(60)을 제거했다. 다음에, 예시 1과 같은 방법에 의해, 박리층(30)의 일부를 제거해서 박막화 하였다. 이렇게 하여, 전하수송층(23a, 23b, 23c)을 각각 형성했다(도 5e). 다음에, 예시 1과 같은 방법에 의해 전하주입/수송층(24)과, 제2전극(25)을 이 순서로 형성하였다. 이렇게 하여, 유기EL표시장치를 얻었다.Next, the photosensitive resin layer 41 was removed by the method similar to Example 1. Thereafter, the protective layer 60 was removed under the conditions of a flow rate of 30 sccm, an output of 150w, a pressure of 10 Pa, and a processing time of 7 minutes by using Cf 4 as a reaction gas. Next, a part of the peeling layer 30 was removed and thinned by the method similar to Example 1. In this way, the charge transport layers 23a, 23b, 23c were formed, respectively (FIG. 5E). Next, the charge injection / transport layer 24 and the second electrode 25 were formed in this order by the same method as in Example 1. In this way, an organic EL display device was obtained.

그 결과로 얻어진 유기EL표시장치에 대해서 예시 1과 같은 방법으로 평가하였다. 그 결과, 예시 1과 마찬가지로 전류효율, 구동수명 및 미세도의 면에서 상기 표시장치는 양호한 결과를 나타냈다.The resulting organic EL display device was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, as in Example 1, the display device showed good results in terms of current efficiency, driving life, and fineness.

(예시 5)(Example 5)

본 예시에서는, 예시 4에 있어서, 보호층의 형성 공정, 보호층(60)의 가공 공정 및 보호층(60)의 제거 공정을 이하에 설명하는 방법으로 변경한 것을 제외하고는, 예시 4와 같은 방법으로 유기EL표시장치를 제조했다. 이후, 도 6을 참조하여, 보호층의 형성 공정, 보호층의 가공 공정 및 보호층의 제거 공정에 대해 특히 강조하여 설명한다.In this example, as in Example 4, except that the forming step of the protective layer, the processing step of the protective layer 60 and the removing step of the protective layer 60 are changed by the method described below. An organic EL display device was manufactured by the method. Hereinafter, with reference to FIG. 6, the process of forming a protective layer, the process of processing a protective layer, and the process of removing a protective layer will be described with particular emphasis.

(1)보호층의 형성 공정(1) Formation process of protective layer

우선, 예시 4와 같은 방법에 의해, 지지 기판(10) 위에 박리층(30)까지 층들을 형성했다. 다음에, 수용성 고분자재료인 폴리비닐 피롤리돈(PVP, 분자량:360,000)의 수용액을, PVP의 중량농도가 5중량%가 되도록 혼합해서 PVP 수용액을 조제했다. 다음에, 조제한 PVP수용액을 박리층(30) 위에 도포하고, 스핀 코팅법에 의해 성막함으로써 제1보호층(61)을 형성했다. 이때, 제1보호층(61)의 두께는 500nm이었다. 다음에, CVD법에 의해, 제1보호층(61) 위에, 질화규소(SiN)를 성막해서 제2보호층(62)을 형성했다. 이때, 제2보호층(62)의 두께를 1000nm로 했다. 다음에, 제1보호층(61)과 제2보호층(62)이 이 순서로 적층해서 된 보호층(60) 위에, 예시 4와 같은 방법으로 감광성 수지층(40)을 형성했다(도 6a).First, by the same method as in Example 4, the layers were formed on the support substrate 10 up to the release layer 30. Next, an aqueous solution of polyvinyl pyrrolidone (PHP, molecular weight: 360,000), which is a water-soluble high molecular material, was mixed so that the weight concentration of PPP was 5% by weight, to prepare a PPP solution. Next, the prepared PPU aqueous solution was applied onto the release layer 30 and formed into a film by spin coating to form a first protective layer 61. At this time, the thickness of the first protective layer 61 was 500 nm. Next, silicon nitride (SiI) was formed on the first protective layer 61 by the CD method to form the second protective layer 62. At this time, the thickness of the second protective layer 62 was set to 1000 nm. Next, the photosensitive resin layer 40 was formed on the protective layer 60 by which the 1st protective layer 61 and the 2nd protective layer 62 were laminated | stacked in this order by the method similar to Example 4 (FIG. 6A). ).

(2)보호층의 가공 공정등(2) Processing process of protective layer

감광성 수지층(40)의 패터닝을 행한 후, 예시 4의 공정(2)와 같은 조건하에서 제2보호층(62)의 가공(제2보호층(62)의 선택적 제거)을 행했다(도 6b). 다음에, 산소를 반응 가스로 해서 유량 20sccm, 압력 8Pa, 출력 150W, 5분의 조건하에서, 감광성 수지층(41)으로 피복되지 않은 제1보호층(61)을 제거했다. 즉, 각 부화소의 영역에 대응해서 제1보호층(61)과 제2보호층(62)으로 이루어진 보호층(60)이 설치되도록 본 공정에서 보호층(60)을 가공하였다(도 6c 내지 도 6e).After patterning the photosensitive resin layer 40, the process of the 2nd protective layer 62 (selective removal of the 2nd protective layer 62) was performed on the conditions similar to the process (2) of Example 4 (FIG. 6B). . Next, using oxygen as a reaction gas, the first protective layer 61 not covered with the photosensitive resin layer 41 was removed under a condition of a flow rate of 20 cc, a pressure of 8 Pa, an output of 150 W, and 5 minutes. That is, the protective layer 60 was processed in this process so that the protective layer 60 which consists of the 1st protective layer 61 and the 2nd protective layer 62 is provided corresponding to the area | region of each subpixel (FIG. 6C thru | or 6). 6e).

(3)보호층의 제거 공정등(3) removal process of protective layer

감광성 수지층(41)을 제거한 후, 예시 4의 공정(4)와 같은 조건하에서 제2보호층(62)을 제거했다. 다음에, 산소를 반응 가스로 해서 유량 20sccm, 압력 8Pa, 출력 150W, 5분의 조건하에서 제1보호층(61)을 제거했다. 다음에, 예시 4와 같은 방법에 의해, 박리층(30)의 일부를 제거해서 박막화하였다. 이렇게 하여, 전하수송층(23)을 형성했다(도 6f). 그후, 예시 4와 같은 방법에 의해 전하주입/수송층(24)과 제2전극(25)이 이 순서로 형성되었다. 이렇게 하여, 유기EL표시장치를 얻었다.After the photosensitive resin layer 41 was removed, the second protective layer 62 was removed under the same conditions as in the step (4) of Example 4. Next, using oxygen as a reaction gas, the first protective layer 61 was removed under conditions of a flow rate of 20 cc, a pressure of 8 Pa, an output of 150 W, and 5 minutes. Next, a part of the peeling layer 30 was removed and thinned by the method similar to Example 4. In this way, the charge transport layer 23 was formed (Fig. 6B). Thereafter, the charge injection / transport layer 24 and the second electrode 25 were formed in this order by the same method as in Example 4. In this way, an organic EL display device was obtained.

그 결과로 얻어진 유기EL표시장치에 대해서 예시 1과 같은 방법으로 평가하였다. 그 결과, 예시 1과 마찬가지로, 전류효율, 구동수명 및 미세도의 면에서 상기 표시장치는 양호한 결과를 나타냈다.The resulting organic EL display device was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, as in Example 1, the display device showed good results in terms of current efficiency, driving life, and fineness.

본 발명을 예시적 실시예들을 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 상기 개시된 예시적 실시예들에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다. 아래의 청구항의 범위는, 모든 변형, 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 아주 넓게 해석해야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it will be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all modifications, equivalent structures and functions.

Claims (10)

제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이에 배치되고 패터닝 되어 있는 유기 화합물층으로 이루어진 유기 일렉트로루미네센스 소자를 갖는 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법으로서,
상기 제1전극 위에 적어도 상기 유기 화합물층을 형성하는 유기 화합물층의 형성 공정;
상기 유기 화합물층 위에 박리층을 형성하는 박리층의 형성 공정;
상기 박리층을 패터닝 하는 상기 박리층의 제1의 가공 공정;
상기 박리층의 상기 제1의 가공 공정에서 가공된 상기 박리층에 피복되지 않은 영역의 상기 유기 화합물층을 제거하는 유기 화합물층의 가공 공정; 및
상기 박리층의 일부를 제거하는 상기 박리층의 제2의 가공 공정을 포함하고,
상기 박리층이, 전하수송성의 유기 화합물로 이루어진 증착막을 포함하고, 또 극성용매에 가용성인, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
A method of manufacturing an organic electroluminescent display device having an organic electroluminescent element comprising a first electrode and a second electrode and an organic compound layer disposed between and patterned between the first electrode and the second electrode. ,
Forming an organic compound layer to form at least the organic compound layer on the first electrode;
A step of forming a release layer for forming a release layer on the organic compound layer;
A first processing step of the release layer for patterning the release layer;
A processing step of the organic compound layer for removing the organic compound layer in a region not covered with the release layer processed in the first processing step of the release layer; And
A second processing step of the release layer for removing a part of the release layer;
The release layer includes a vapor deposition film made of a charge-transporting organic compound, and is soluble in a polar solvent, wherein the organic electroluminescent display device is manufactured.
제 1 항에 있어서,
상기 극성용매가, 물과, 상기 물과 혼화가능한 극성용매를 혼합해서 얻어진 용제를 포함하는, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The said polar solvent contains water and the solvent obtained by mixing the polar solvent miscible with the said water, The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 박리층의 제2의 가공 공정에서 형성된 막을 전하수송층으로서 사용한, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus which used the film formed in the 2nd process process of the said peeling layer as a charge transport layer.
제 1 항에 있어서,
상기 박리층이, 복소환식 화합물을 포함하는, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The said peeling layer contains the heterocyclic compound, The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 박리층이, 전자흡인성기를 갖는 전하수송성 화합물을 포함하는, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The said peeling layer contains the charge transport compound which has an electron-withdrawing group, The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 박리층이, m-터페닐기와 축합 환기를 갖는 화합물을 포함하는, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The said peeling layer contains the compound which has condensation ventilation with m-terphenyl group, The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus.
제 1 항에 있어서,
하기 식이 성립되는, 청구항 1에 따른 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법:
Figure pat00010

여기서, n은 에칭 레이트의 비율이다.
The method of claim 1,
A method for producing an organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the following formula is established:
Figure pat00010

Where n is the ratio of the etching rate.
제 1 항에 있어서,
상기 박리층의 제2의 가공 공정 후에, 알칼리 금속을 함유하는 층을 형성하는 공정을 더 포함하는, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The method of manufacturing an organic electroluminescent display device, further comprising a step of forming a layer containing an alkali metal after the second processing step of the release layer.
청구항 1에 따른 제조 방법으로 제조된, 유기 일렉트로루미네센스 표시장치.
An organic electroluminescent display manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
영상을 촬영하는 촬영부;
상기 촬영된 영상을 기록하는 메모리;
상기 촬영부에서 촬영된 영상 및 상기 메모리에 기록된 영상정보를 영상신호로 변환하는 영상신호처리 회로;
상기 촬영부, 상기 메모리, 및 상기 영상신호처리 회로를 제어하는 CPU(중앙처리장치);
상기 CPU를 제어하는 신호를 입력하는 조작부; 및
상기 CPU로부터의 신호에 따라, 상기 영상신호처리 회로로부터 송신된 상기 영상신호를, 영상으로서 표시하는 표시장치를 구비하고,
상기 표시장치는, 청구항 9에 따른 유기 일렉트로루미네센스 표시장치인, 전자기기.
Shooting unit for taking an image;
A memory for recording the photographed image;
An image signal processing circuit for converting the image photographed by the photographing unit and the image information recorded in the memory into an image signal;
A CPU (central processing unit) for controlling the photographing unit, the memory, and the image signal processing circuit;
An operation unit for inputting a signal to control the CPU; And
A display device for displaying the video signal transmitted from the video signal processing circuit as a video according to the signal from the CPU;
The display device is an organic electroluminescent display device according to claim 9.
KR1020120039540A 2011-04-27 2012-04-17 Method of manufacturing organic electroluminescence display device KR20120121834A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120039540A KR20120121834A (en) 2011-04-27 2012-04-17 Method of manufacturing organic electroluminescence display device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-099394 2011-04-27
JPJP-P-2012-068007 2012-03-23
KR1020120039540A KR20120121834A (en) 2011-04-27 2012-04-17 Method of manufacturing organic electroluminescence display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120121834A true KR20120121834A (en) 2012-11-06

Family

ID=47508229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120039540A KR20120121834A (en) 2011-04-27 2012-04-17 Method of manufacturing organic electroluminescence display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120121834A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5995477B2 (en) Manufacturing method of organic EL display device
US8877532B2 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
JP6049279B2 (en) Manufacturing method of organic EL display device, electronic device
EP3175496B1 (en) Photolithographic patterning of organic electronic devices
KR100497626B1 (en) Organic semiconductor device and organic electroluminescent device manufactured by wet process
US20120252149A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
CN101691652A (en) Deposition method and method for manufacturing light emitting device
US8969861B2 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
JP5854794B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP2011107476A (en) Method for manufacturing electronic device
JP2013168242A (en) Method for manufacturing organic light-emitting device
JP2014133727A (en) Display device, method of manufacturing display device, and organic compound for use in the same
JP2014120218A (en) Method for manufacturing organic el display device
WO2007060854A1 (en) Method for manufacturing organic light-emitting device, organic light-emitting device and electronic device
WO2022162494A1 (en) Display device and method for manufacturing display device
KR20120121834A (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
KR20120121844A (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device and electronic equipment including organic electroluminescence display device manufactured by the manufacturing method
WO2023281345A1 (en) Display apparatus
WO2023012571A1 (en) Display device
JP2012094500A (en) Donor substrate for transfer, and device manufacturing method using the same
WO2022238796A1 (en) Display device and display device manufacturing method
WO2020071017A1 (en) Mixed composition for organic electroluminescent element
JP2010089447A (en) Transfer donor substrate, and device manufacturing method for device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application