KR20120094418A - 고 굴절률 메타물질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메타물질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 굴절률이 자연계의 물질에서 볼 수 없을 정도로 매우 큰 메타물질에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 유전체 기판과, 상기 유전체 기판에 형성되며, 일정한 갭을 형성하는 복수의 단위 격자들로 이루어진 전도 층을 포함하며, 소정 주파수 구간에서 굴절률이 상기 기판의 굴절률 이상인 고 굴절률 메타물질이 제공된다. 본 발명에 따른 메타물질은 분극과 자화의 정도가 의도적으로 조절되어 매우 높은 굴절률 가진다. 또한, 유연한 재질의 기판을 사용하면 3차원 물질을 용이하게 덮을 수 있어, 다양한 분야에 응용이 가능하다.

Description

고 굴절률 메타물질{High refractive index metamaterial}
본 발명은 메타물질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 굴절률이 자연계의 물질에서 볼 수 없을 정도로 매우 큰 메타물질에 관한 것이다.
자연에 존재하는 투명한 물질들은 황화납(PbS) 혹은 근적외선 영역(특히, 공명 근처)에서 20 이상의 상당히 높은 피크 값의 굴절률을 가지는 스트론튬 티탄산염(SrTiO3) 같은 몇몇의 반도체와 부도체들을 제외하고는 굴절률이 작다.
과거 수년 동안 마이크로파와 가시광 영역에 이르는 다양한 파장 영역에서, 유효 유전율과 유효 투자율이 모두 음의 값을 가지도록 함으로써 음의 굴절률을 가지는 음굴절률 메타물질들이 개발되어 왔다. 그러나 반대 극한인 양의 고굴절률을 가지는 메타물질에 대한 연구는 이론적인 실현가능성에 초점에 둔 채 비교적 덜 연구되어 왔다. 이전 연구들 중에서 분리된 링 공진기들에서 전기적인 공명들을 활용하는 접근법이 굴절률의 증가를 보였지만, 그와 같은 설계들은 태생적으로 좁은 주파수 대역에서 고굴절률을 가진다. 그 메타물질은 공명주파수 근처에서 강한 분산특성을 보이고 단지 좁은 주파수 영역에서만 원하는 굴절률을 유지한다. 서브파장(파장 이하)의 커패시터(축전기) 배열로 이루어진 메타물질이 광대역에서 높은 유전율을 가지도록 제안되었지만, 이 또한 여전히 자기 투자율 값을 억제하는 강한 반자성 효과로 인하여 문제가 있었다. 최근에야 비로소 이 반자성 효과를 줄이는 광대역 고굴절률 메타물질이 이론적으로 제안되었다. 하지만, 그 제안된 구조 또한 그것이 가지는 삼차원적인 특징으로 인해 손쉬운 구현의 대상이 되지는 못했다.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 분극과 자화의 정도가 의도적으로 조절된 굴절률이 매우 높은 메타물질을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의하면, 유전체 기판과, 상기 유전체 기판에 형성되며, 일정한 갭을 형성하는 복수의 단위 격자들로 이루어진 전도 층을 포함하며, 소정 주파수 구간에서 굴절률이 상기 기판의 굴절률 이상인 고 굴절률 메타물질이 제공된다.
본 발명에 따른 고 굴절률 메타물질은 소정 주파수 구간에서 굴절률이 35 이상일 수 있으며, 소정 주파수 구간에서 굴절률이 상기 기판의 굴절률의 10배 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 고 굴절률 메타물질의 전도 층의 두께는 소정 주파수 구간에서의 표면 두께(skin depth) 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 고 굴절률 메타물질은 상기 단위 격자들이 서로 강하게 커플링되도록, 상기 갭이 조절될 수 있다. 상기 갭이 상기 전도 층의 두께에 비해서 좁을 수 있다. 또한, 상기 단위 격자들이 평행판 캐패시터의 영역(parallel plate capacitor regime)에 속하도록, 상기 갭이 조절될 수 있다.
상기 단위 격자는 I 형태, 사각형 형태, 육각형 형태일 수 있다. 상기 단위 격자는 등방성을 가질 수 있도록, 상기 단위 격자는 회전 대칭 구조를 가질 수 있다. 그 형태는 도 15에 도시된 형태일 수 있다.
본 발명에 따른 고 굴절률 메타물질은 상기 전도 층이 형성된 유전체 기판이 여러 층 적층된 다층 고 굴절률 메타물질일 수 있다.
본 발명에 따른 메타물질은 분극과 자화의 정도가 의도적으로 조절되어 매우 높은 굴절률 가진다. 또한, 유연한 재질의 기판을 사용하면 3차원 물질을 용이하게 덮을 수 있어, 다양한 분야에 응용이 가능하다.
고 굴절률 메타물질은 이전에는 획득하지 못했던 높은 굴절률을 가지므로, 메타물질의 영역뿐 아니라, 전자기파 경로의 임의적 제어를 위하여 최근 각광받고 있는 변형광학의 영역까지 적용이 가능하다. 특히, 투명망토 기술, 고광각 메타물질 렌즈, 고밀도 공진기, 초소형 광소자 등에 대한 연구의 시발점이 될 수 있다.
고 굴절률 메타물질은 마이크로파, 라디오파, 근적외선 및 가시광선 등 저주파수 대역으로 확대 적용이 가능하다. 또한, 고 굴절률 메타물질은 파장 이하 스케일의 매우 작은 물체를 구분해내는 이미징 시스템의 개발에 큰 역할을 할 것으로 기대된다.
도 1은 본 발명에 따른 고굴절율 메타물질의 일실시예의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 고굴절율 메타물질의 기본 구성 단위를 나타낸 사시도이다.
도 3은 제조된 메타물질의 사진이다.
도 4는 0.33 ㎔ 주파수에서 한 층의 메타물질 주변의 전기장 분포를 계산한 결과를 나타낸 도면이다.
도 5는 0.33 ㎔ 주파수에서 한 층의 메타물질 주변의 자기장 분포를 계산한 결과를 나타낸 도면이다.
도 6은 고 굴절율 메타물질의 유효 유전율, 투자율을 도시한 도면이다.
도 7은 고 굴절율 메타물질의 굴절률 및 FOM 값을 도시한 도면이다.
도 8은 다층 고 굴절율 메타물질의 유효 유전율, 투자율을 도시한 도면이다.
도 9는 다층 고 굴절율 메타물질의 굴절률 및 FOM 값을 도시한 도면이다.
도 10은 다층 고 굴절율 메타물질의 전송 및 반사 스펙트럼 및 밴드 구조를 나타낸 도면이다.
도 11은 고 굴절율 메타물질의 갭간격에 따라 굴절률과 굴절률의 최대값이 나타나는 주파수의 변화를 나타낸 도면이다.
도 12는 고 굴절율 메타물질의 주파수에 따른 굴절률의 변화를 나타낸 도면이다.
도 13은 고 굴절율 메타물질의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 2차원적으로 등방성인 고 굴절율 메타물질의 굴절율을 나타낸 도면이다.
도 15는 등방성인 고굴절율 메타물질의 기본 구성 단위의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참고하여, 본 발명에 따른 고 굴절률 메타물질을 상세하게 설명한다. 이하에서는 테라파 영역을 예로 들어서 설명하였으나, 마이크로파, 라디오파, 근적외선 및 가시광선 등 저주파수 대역으로 확대가 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 고굴절율 메타물질의 일실시예의 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 고굴절율 메타물질의 기본 구성 단위를 나타낸 사시도이다. 도 1과 2를 참고하면, 본 발명에 따른 고굴절율 메타물질의 일실시예는 한 쌍의 유전체 기판(1,3)과, 한 쌍의 유전체 기판(1,3)의 사이에 형성된 복수의 단위 격자(2)들로 이루어진 전도 층을 포함한다.
도 2에서 k는 입사하는 테라파의 편광방향을 나타낸다. 사용된 기판(1)은 폴리아미드(굴절율 n=1.8)이며, 전도층으로는 (약간의 크롬 위에 제작된) 금 또는 알루미늄을 사용하였다. 제작된 대면적 (2×2 ㎠)의 유연성 메타물질을 도 3에 나타내었다. 현미경 사진과 그 확대 사진에서 확인할 수 있듯이, 다층인 경우에는 층간의 정교한 정렬이 되었음을 알 수 있다. 기판이 유연한 폴리아미드를 사용하였기 때문에, 도 3에 삽입된 사진에서 볼 수 있듯이 제작된 메타물질도 아주 유연하다.
Figure pat00001
로 정의되는 기본 구성 단위 사이 갭의 폭(g)은 유효 유전율을 증가시키는데 아주 중요한 역할을 한다. 얇은 I자 모양의 금속 패치 구조의 경우, 갭의 폭에 따라 약하게 커플된 영역과 강하게 커플된 영역으로 서로 다른 점근적 특성(asymptotic behavior)을 보인다. 강하게 커플된 영역에서는, 갭이 가까워짐에 따라 서로 반대의 전하를 당기기 때문에 수많은 표면 전하들이 커패시터(I자 모양을 개별의 축전지라고 부름)의 각 팔에 축적되게 된다. 커패시터의 모서리에 쌓인 전하는 엄청나게 큰 다이폴 모멘트를 만들어 내며, 그 크기는 갭 폭에 반비례한다(
Figure pat00002
). 이 엄청난 전하 축적은 단위 격자 내부에 엄청난 다이폴 모멘트를 만들어 내며 (또는 큰 편극 밀도), 궁극적으로 큰 유효 유전율을 이끌어 낸다. 반면, 약하게 커플된 영역에서는 전하의 양이 갭 폭이 줄어드는 것에 다음과 같은 이차 함수의 관계를 가진다.
Figure pat00003
갭 폭이 감소함에 따라서 유효 유전율을 증가시킬 수 있으나, 여전히 큰 굴절률을 얻기 위해서는 반자성 효과를 줄일 필요가 있다. 얇은 두께를 가지는 I자 형태의 금속 면은 그 얇은 두께 때문에 회전 전류가 생길 수 있는 면적을 최소화하여 결과적으로 반자성을 최소화하는 효과를 가진다. 이 이론적인 논의를 실제로 구현하기 위해서는 메타물질이 테라파 영역에서의 표면 두께(skin depth, 100㎚) 이하의 두께를 가지는 얇은 막으로 제작되어야 한다. 고 굴절률 메타물질의 물리학적 배경을 검증하기 위해서 한 층의 메타물질이 0.33 ㎔ 주파수에서 그 주변에 어떠한 전기 및 자기장 분포를 가지는지 계산해 본 결과를 도 4, 5에 각각 나타내었다. 앞서 언급한 바와 같이 전기장은 단위 구조 간격 사이에 강하게 집속되는 모습을 보여주며, 자기장은 금속의 부피가 워낙 작기 때문에 단위 구조 깊숙하게 잘 투과함을 알 수 있다.
제안한 메타물질에서 큰 쌍극자 모멘트와 약한 반자성이 어떻게 나타나는지를 정량화하기 위하여 유효 물질 상수 추출법을 이용하였다. 이 방법을 통해 굴절률 n과 임피던스 z (혹은 같은 의미를 갖는 유전율(
Figure pat00004
)과 투자율(
Figure pat00005
), Z0는 진공의 임피던스를 뜻한)를 산란 파라미터로부터 구하였다. 도 6에서 나타난 바와 같이, 강력한 전기 공진 현상이 나타나는 0.504㎔에서는 583의 유전율을, 정전기장에 가까운 현상이 나타나는 낮은 주파수영역에서는 122의 유전율이 나타낸다. 이들은 폴리이미드 필름의 유전율인 3.24보다 훨씬 큰 값이다.
투자율의 경우에는 유전율과 달리 강한 전기 공진 현상이 있는 주파수 영역 근처를 제외하고는 거의 1에 가까운 크기를 가진다. 오직 강력한 전기 공진 주파수 근처에서만 이에 수반한 약한 자성 반공진 현상이 관측된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 반자성을 최소화함과 동시에 유전율을 극대화함으로써 굴절률은 0.516㎔에서 최대값 27.25를 가지고 준 정전 영역에서는 11.1의 값을 가진다. 이 메타물질의 두께(2.45㎜)는 테라파의 유효파장 범위 내에 속하므로 균질화 이론과 유효 물질 상수를 정의하기 위한 조건에 잘 들어맞는다. 분석의 일관성을 위하여, 메타물질의 실제 두께를 사용하여 유효 굴절률 등을 추출하였다. 하지만 이로 인하여 실제 유효 굴절률은 메타물질의 실제 두께를 이용하여 추출한 굴절률보다 작은 값을 가지게 된다. 이는 단일 층 메타물질의 유효 두께가 모드의 감쇄 정도로 결정되기 때문이다.
유효 굴절률이 증가되는 것을 실험적으로 측정하기 위하여 0.1 ~ 1.5 ㎔주파수 범위에서 ㎔시간영역 분광법을 사용하였다. 모든 샘플들은 후술하는 바와 같이 통상적인 마이크로 및 나노 리소그래피 기술을 사용하여 제작하였다. ㎔시간영역 실험에서 신뢰성 있는 복소수 굴절률 추출을 위해서 샘플에 투과된 전자기장 신호(transmission)에 반복 알고리즘을 적용하였다. 다음으로, ㎔시간영역 측정으로부터 추출된 복소수 굴절률은 S-매개변수 추출방법을 사용해서 수학적으로 얻어진 굴절률과 비교하였다. 물질 매개변수의 불확실성을 고려하는 것은 시뮬레이션과 갭의 거리 측정 오차를 보정하는데 사용되고, 도 7에 도시된 바와 같이, 실험적으로 얻어진 복소수 굴절률은 시뮬레이션된 굴절률과 훌륭하게 일치하였다. 단층 메타물질은 0.522 ㎔에서 최고 굴절률(n=24.34)을 가지며, 준 정적 한도(quasi-static limit)에서 11.18의 굴절률을 가지는 것으로 측정되었다. 단층 메타물질에서의 손실은 FOM(FOM은 figure of merit의 약자로, 전자기파가 메타물질을 지날 때 에너지 손실이 얼마가 일어나는지를 쉽게 알 수 있는 척도로 Re(n)/Im(n)으로 정의된다. FOM이 높을수록 손실이 작은 것이다)에 의해 정량화될 수 있으며, FOM의 실험 및 계산 값은 도 7에서 확인할 수 있다. 대부분의 주파수 영역, 특히 전기적 공명 이하의 낮은 주파수 영역에서 FOM은 10을 넘으며, 피크 값은 100을 넘는다.
우리는 지금까지 굴절률 증가의 가능성을 단층 메타물질에서 실험적으로 보였다. 이제부터는 3차원에서 고굴절 메타물질을 획득하는 방향으로 이루어질 것이다. 물질의 벌크 특성(물질의 개념을 사용하기 위하여 2차원 필름에서 3차원으로 확대함)을 조사하기 위해서 5층까지 포함하는 준 3차원 고굴절 메타물질을 제작하고 테스트하였다. 작은 층간 간격(1.62㎛)을 가지고 있는 5층의 고굴절 메타물질에서 계산 또는 측정된 유전율, 투자율, 복소수 굴절률과 FOM은 도 8과 9에 나타내었으며, 시뮬레이션 값과 잘 맞았다. ㎔시간영역 측정법과 매개변수 추출법으로부터 최고 굴절률 33.22라는 값을 0.851㎔에서 얻을 수 있었다. 흥미롭게도 굴절률은 고주파수 영역에서 급격히 떨어지지 않으며, FWHM(full width at half maxim㎛)이 1.15㎔로 굉장히 광대역에 걸쳐 고굴절률 보여주는 것을 확인하였다. 비록 여기서 모든 유효 굴절률이 메타물질의 평면에 수직으로 입사하는 전자기파에서 측정된 값이지만 본 실험에 사용된 고굴절 메타물질은 입사각의 변화에 크게 영향을 받지 않는다. 입사각에 따른 굴절률의 변화가 크지 않은 것은 입사된 자기장의 방향에서 유효 투자율에 대한 의존도가 약하기 때문이다.
준-3차원 메타물질에서 존재하는 다층 간의 커플링은 단층 구조와 비교해보면 굴절률과 투과스펙트럼에서 두드러진 차이를 야기한다. 층 수에 따른 영향을 보다 깊이 이해하기 위해 우리는 밴드 구조(band structure)를 분석하고 분산 관계(dispersion relation)를 도 10에 도시하였다. 층간의 커플링과 그에 따른 투과 스펙트럼 변화를 명확하게 조사하기 위해서, 단위 격자(unit cell)의 두께(d=12.2㎛)는 높은 굴절률을 위해 설계된 샘플보다 의도적으로 늘렸다. 그 밴드 구조는 z방향으로 완벽하게 주기적인 메타물질, 즉 극한의 경우를 나타낸다. 유효 변수 설명(effective parameter description)과 함께, 0.833과 1.734㎔의 밴드갭은 음의 유효 유전율 영역에 대응된다. 도 10에 명확히 보이는 것처럼, 이 밴드갭에 해당하는 투과(투과율)는 레이어의 개수에 따라 점진적으로 감소한다. 이는 밴드갭이 형성되어가는 것을 가리킨다. 밴드갭 형성에 더불어, 투과율의 최고점(peak)이 스펙트럼에 나타나는데, 이는 여러 가지 방법으로 해석될 수 있다. 균일한 박막으로 바라본다면(From a homogeneous slab description) 이 메타물질은 패브리-페로 에탈론(Fabry-Perot etalon)으로 취급할 수 있다. 왕복당 위상 지연은 2π의 음이 아닌 정수 배이어야 하며 박막의 투과율은 조건
Figure pat00006
가 만족될 때 최대화가 된다. 여기서 fp는 투과율 최고점의 주파수이며, p는 음이 아닌 정수, 그리고 c는 광속을 나타낸다. 미시적인 관점에서 본다면, 투과율 최고점은 메타물질 박막의 F패브리-페로 에탈론 공진과 위상 정합되는 Bloch-like한 모드이다. 예를 들면, 두 층 메타물질에서 관찰되는 단일(single) 투과율 최고점은 정규화된 파수(wavenumber)
Figure pat00007
의 블로흐(Bloch) 모드에 해당한다. 다층 구조의 샘플에 일반화하면, 투과되는 모드는 정규화된 파수(wavenumber)
Figure pat00008
를 가지는 블로흐(Bloch) 모드에 해당하며, 여기서 p는 0,....,N-1이다.
제안된 고굴절률 메타물질의 굴절률은 갭(gap)에 민감한 함수이다. 이것을 염두에 두었을 때 굴절률을 얼마나 크게 할 수 있을까 하는 의문이 자연스럽게 들 것이다. 이 문제에 대한 답을 실험적으로 얻기 위해 간격을 80㎚로부터 30㎛까지 변화시키며 메타물질의 굴절률을 측정했다. 굴절률의 측정값과 계산된 예측 값 (굴절률의 최대값과 근사정지한계(quasi-static limit: 그래프에서 피크치 이전에 주파수가 낮은 영역에서 거의 직선인 구간을 의미한다))을 도 11의 상단 도표에, 갭 폭을 변수로 최대값이 발생하는 주파수를 하단 도표에 표시하였다. 근사정지한계(quasi-static limit) 점근경험식(empirical asymptotic formula)으로 구한 이론적인 굴절률값을 도표로 나타내었다. 근사정지한계에서 굴절률의 예측 값은 26.6이었으며, 80㎚간격일 경우 0.315㎔에서 54.87까지 증가하였다(실험값은 근사정지한계에서 20이 넘었으며, 최대값은 38.64였음, 도 12 참조). 약하게 커플된(coupled) 영역에서는, 단위 격자 간의 축전용량(capacitance)은 무시할 수 있기 때문에 굴절률은 아래와 같이 근사될 수 있다.
Figure pat00009
여기서 α,β는 단위가 없는 근사(fitting)계수이다. 그러나, 간격이 줄어들수록, 단위 격자 간 커플링에 의한 축전용량에 의해 지배된다. 결국, 굴절률은 간격의 (1-β)/2차 항의 역수에 비례해서 괄목할 정도로 증가하게 된다(단, 간격의 크기가 금속의 두께에 비해 크다는 가정하에). 추가로, 간격이 금속의 두께에 비해 작아지게 되면, 유효 굴절률은 평행판 캐패시터 영역(parallel plate capacitor regime)에 이른 후 더욱 빠른 속도로 증가한다. 따라서, 간격 또는 층간 거리를 더 줄임으로써 굴절률을 더 크게 할 수 있을 것이다. 간격이 더 줄수록, 토마스-페르미 길이(Thomas-Fermi length scale) 또는 양자 터널링의 스케일에 이를 때까지 계속 증가할 것으로 보인다. 간격 조종 외에도, 유효 굴절률은 기판의 굴절률에도 비례하다. 따라서, 기판을 굴절률이 더 높은 물질로 만든다면, 굴절률을 더 크게 증폭시키고, 훨씬 더 높은 유효굴절률을 얻을 수 있을 것이다.
이하, 도 13을 참고하여, 마이크로 갭을 가지는 메타물질의 제조 과정을 설명한다.
폴리아미드 용액을 실리콘 기판(10)에 스핀코팅을 한 후, 대류 오븐에서 180℃로 소프트 베이크를 진행한다. 큐어링(고분자 양생과정) 과정은 석영 튜브 로(furnace)에서 350℃로 불활성 가스 분위기(inert gas atmosphere)에서 진행된다. 이때, 도 13의 (a)에 도시된 바와 같이, 폴리아미드 용액이 잘 녹지 않는 폴리아미드 필름(1)이 되게 된다. 폴리아미드 필름(1) 위에 음성 광감제(negative photoresist)를 스핀코팅하고, 포토리소그래피 기술을 이용하여 패턴을 형성한다. 다음, 크롬과 금을 순차적으로 전자빔 증착기를 사용하여 증착한 후, 리프트오프(lift-off) 공정으로, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, I자 모양으로 배열된 패턴(2)을 형성한다. 도 13의 (c)에 도시된 바와 같이, 그 위에 다시 한번 폴리아미드 필름(3)을 만드는 공정을 수행한다. 여기서 희생층으로 사용된 실리콘 웨이퍼(10)로부터 유연한 폴리아미드/금속/폴리아미드 구조를 떼어냄으로 유연한 메타물질을 제작할 수 있다. 필요에 따라, 도 13의 (d), (e)에 도시된 바와 같이, 폴리아미드 층(3)위에 금속 층(4)과 폴리아미드 층(5)을 형성하는 과정을 다시 한번 수행한 후, 도 13의 (f)에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(10)로부터 유연한 폴리아미드(1, 3, 5)와 금속(2. 4)으로 이루어진 구조를 떼어냄으로 유연한 다층 메타물질을 얻을 수 있다. 마이크로 갭 메타물질의 구조적인 크기는 현미경, 표면 측정기, 3차원 측정기를 이용하여 측정하였다.
나노 갭 메타물질은 전자빔 리소그래피를 이용한 나노 갭 형성단계를 제외하고는 위의 마이크로 갭 메타물질과 같은 방법을 이용하여 제작하였다. 알루미늄을 폴리아미드 용액이 코팅된 실리콘 기판에 증착하였고, 리프트오프(lift-off) 공정으로 I자 모양들이 붙어서 배열된 패턴을 형성한다. 대면적 전자빔 리소그래피로 메타물질의 갭만 그린 다음, 전자빔 레지스트를 식각 마스크로 사용하여 알루미늄을 식각하여 갭을 형성하였다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예들인 2차원적으로 등방성인 고 굴절율 메타물질의 굴절율을 나타낸 도면이다. 등방성 고 굴절률 메타물질을 제작하기 위해서 도 14에 도시된 바와 같이 두 가지 구조를 제작하였다. 하나는 田자 형태의 구조이며, 둘은 육각형 고리 형태의 메타물질이다. 등방성을 얻을 수 있는 구조는 이에 한정되는 것은 아니며, 회전 대칭 구조를 가지는 경우 등방성 성질을 가진다. 도 14에서 알 수 있듯이, 회전 대칭 구조를 가지는 두 구조는 0~90도의 편광 빛을 입사시켰을 때 거의 동일한 반응을 보이는 등방성을 가진다. 도 15는 등방성인 고굴절율 메타물질의 기본 구성 단위의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다.
이하에서는, 메타물질의 공명진동수를 조절하는 방법에 대해서 설명한다. 유전율과 투자율만 고려했을 경우에는 삼각형, 사각형 혹은 육각형의 얇은 막이나 혹은 가운데가 뚫린 삼각, 사각 혹은 육각 고리 구조가 적합하다. 하지만 사각형 고리구조의 뚫린 부분에 2개의 막대를 연결하여 田자 형태를 만드는 것처럼, 고리 구조의 뚫린 부분에 연결 막대들을 첨가하여 구조 내부에 작은 고리들을 더 추가하면 메타물질의 유도 계수(인덕턴스)가 변하여 단위 격자의 공명 주파수가 변화하게 된다. 작아진 구조는 더 작은 유도 계수를 가지게 되며 공명진동수는 이의 제곱근에 반비례하므로, 결과적으로 더 큰 공명진동수를 가지게 된다. 이를 이용해 메타물질의 공명진동수를 조절할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
예를 들어, 단위 격자는 금속 층인 것으로 설명하였으나, 전기 전도가 가능한 모든 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어 그래핀을 사용할 수 있다.
또한, 폴리이미드 필름을 기판으로 사용하고, 금을 이용해 단위 격자를 제작하였으나, 대부분의 유전체 박막은 기판으로 사용이 가능하고, 대부분의 금속 역시 메타물질 단위 격자를 만들기 위해 사용될 수 있다.
또한, 상술한 단위 격자 이외에, 평면에서 단위 격자를 구성하는 모든 구조(삼각형 사각형 육각형 등)를 아주 작은 간격을 두고 배열한 구조는 모두 고 굴절률 메타물질을 제작하는데 사용이 가능하다.
1, 3, 5: 유전체 기판 2, 4: 단위 격자
10:

Claims (13)

  1. 유전체 기판과,
    상기 유전체 기판에 형성되며, 일정한 갭을 형성하는 복수의 단위 격자들로 이루어진 전도 층을 포함하며,
    소정 주파수 구간에서 굴절률이 상기 기판의 굴절률 이상인 고 굴절률 메타물질.
  2. 제1항에 있어서,
    소정 주파수 구간에서 굴절률이 35 이상인 고 굴절률 메타물질.
  3. 제1항에 있어서,
    소정 주파수 구간에서 굴절률이 상기 기판의 굴절률의 10배 이상인 고 굴절률 메타물질.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전도 층의 두께는 소정 주파수 구간에서의 표면 두께(skin depth) 이하인 고 굴절률 메타물질.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 단위 격자들이 서로 강하게 커플링되도록, 상기 갭이 조절된 고 굴절률 메타물질.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 갭이 상기 전도 층의 두께에 비해서 좁은 고 굴절률 메타물질.
  7. 상기 단위 격자들이 평행판 캐패시터의 영역(parallel plate capacitor regime)에 속하도록, 상기 갭이 조절된 고 굴절률 메타물질.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 단위 격자는 I 형태인 고 굴절률 메타물질.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 단위 격자는 사각형 형태인 고 굴절률 메타물질.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 단위 격자는 육각형 형태인 고 굴절률 메타물질.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 단위 격자는 회전 대칭 구조를 가지는 고 굴절률 메타물질.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 단위 격자는 도 15에 도시된 형태인 고 굴절률 메타물질.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전도 층이 형성된 유전체 기판이 여러 층 적층된 고 굴절률 메타물질.
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