KR20120094216A - Method for forming selective emitter in a solar cell - Google Patents

Method for forming selective emitter in a solar cell Download PDF

Info

Publication number
KR20120094216A
KR20120094216A KR1020110013567A KR20110013567A KR20120094216A KR 20120094216 A KR20120094216 A KR 20120094216A KR 1020110013567 A KR1020110013567 A KR 1020110013567A KR 20110013567 A KR20110013567 A KR 20110013567A KR 20120094216 A KR20120094216 A KR 20120094216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
mask pattern
high concentration
emitter
forming
Prior art date
Application number
KR1020110013567A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
서준모
Original Assignee
현대중공업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대중공업 주식회사 filed Critical 현대중공업 주식회사
Priority to KR1020110013567A priority Critical patent/KR20120094216A/en
Publication of KR20120094216A publication Critical patent/KR20120094216A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for forming a selective emitter of a solar battery is provided to omit a separate subsequent process by eliminating a mask pattern through a dry etching process, thereby improving processing efficiency. CONSTITUTION: A high concentration impurity region is formed inside a substrate with constant depth. A mask pattern(205) is formed on the substrate of a region for forming a high concentration emitter(206) with a screen printing method. The top area of the substrate including the mask pattern is dry-etched. A low concentration emitter(207) is formed in a region which does not includes the mask pattern. The high concentration emitter is formed in the region which includes the mask pattern.

Description

태양전지의 선택적 에미터 형성방법{Method for forming selective emitter in a solar cell}Method for forming selective emitter in a solar cell

본 발명은 태양전지의 선택적 에미터 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마스크 패턴의 형성 후 건식식각을 통해 고농도 및 저농도 에미터를 동시에 형성함으로써 공정을 간소화하여 공정효율을 향상시킬 수 있는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for forming a selective emitter of a solar cell, and more particularly, to form a high concentration and low concentration emitter at the same time through the dry etching after the formation of the mask pattern to simplify the process to improve the process efficiency It relates to a method of forming a selective emitter of.

태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다. A solar cell is a key element of photovoltaic power generation that converts sunlight directly into electricity, and is basically a diode composed of a p-n junction. In the process of converting sunlight into electricity by solar cells, when solar light is incident on the pn junction of solar cells, electron-hole pairs are generated, and electrons move to n layers and holes move to p layers by the electric field. Photovoltaic power is generated between the pn junctions, and when a load or a system is connected to both ends of the solar cell, current flows to generate power.

이와 같은 태양전지는 일반적으로 p형 기판의 상부에 n형 반도체층이 구비되며, n형 반도체층 상에는 전면전극이 구비되는 구조를 갖는다. 전면전극은 통상, 금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 형성하는데, 이와 같은 방식으로 형성된 전면전극은 n형 반도체층과의 접촉 저항이 높은 문제점이 있다. 이를 해소하기 위해, 전면전극이 형성되는 부위에 국부적으로 고농도의 불순물 영역을 형성하는 이른바, 선택적 에미터 형성방법이 제시되고 있다. Such a solar cell is generally provided with an n-type semiconductor layer on the p-type substrate, the front electrode is provided on the n-type semiconductor layer. The front electrode is usually formed by screen printing a metal paste, but the front electrode formed in this manner has a high contact resistance with the n-type semiconductor layer. In order to solve this problem, a so-called selective emitter formation method has been proposed in which a high concentration of impurity regions are locally formed at a portion where a front electrode is formed.

종래의 선택적 에미터를 형성하는 방법을 살펴보면, 대표적인 방법으로, 확산 공정을 통해 n형 반도체층을 형성한 다음, 기판 상에 고농도 에미터가 형성될 부위를 선택적으로 노출하는 마스크 패턴을 형성하고, 고농도의 불순물 이온을 주입하여 고농도 에미터를 형성하는 방법이 있다. 이 때, 마스크 패턴은 기판 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어지는 마스크층을 적층한 다음, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성하거나 레이저 융발(laser ablation)을 통해 형성할 수 있다. 이와 같은 방법은 마스크 패턴 형성을 위해 별도의 마스크층 증착 공정이 요구됨과 함께 패터닝을 위한 포토리소그래피 공정 또는 레이저 융발 공정이 필요하다는 단점이 있다. Looking at the conventional method of forming a selective emitter, as a representative method, by forming a n-type semiconductor layer through a diffusion process, and then to form a mask pattern to selectively expose the site where the high concentration emitter will be formed on the substrate, There is a method of forming a high concentration emitter by implanting a high concentration of impurity ions. In this case, the mask pattern may be formed by stacking a mask layer made of a silicon oxide film or a silicon nitride film on a substrate, and then patterning the same through a photolithography process and an etching process or by laser ablation. Such a method has a disadvantage in that a separate mask layer deposition process is required to form a mask pattern and a photolithography process or a laser fusion process for patterning is required.

또한, 마스크 패턴의 형성 후 습식 식각을 통해 저농도 및 고농도 에미터를 형성하는 방법이 있으나, 마스크 패턴을 별도의 공정을 통해 제거해야 하는 번거로움이 있다.
In addition, there is a method of forming a low concentration and high concentration emitter through wet etching after the formation of the mask pattern, there is a hassle to remove the mask pattern through a separate process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 마스크 패턴의 형성 후 건식식각을 통해 고농도 및 저농도 에미터를 동시에 형성함으로써 공정을 간소화하여 공정효율을 향상시킬 수 있는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, and the selective emitter of the solar cell that can improve the process efficiency by simplifying the process by simultaneously forming a high concentration and low concentration emitter through dry etching after the formation of the mask pattern The purpose is to provide a formation method.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법은 기판을 준비하는 단계와, 기판 표면의 내부에 일정 깊이로 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계와, 고농도 에미터가 형성될 영역의 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 포함한 기판 전면을 건식식각하여, 상기 마스크 패턴이 구비되지 않은 영역의 경우 기판의 일부 두께가 식각됨으로 인해 고농도 불순물 영역의 일부가 상실되어 저농도 에미터가 형성되고, 상기 마스크 패턴이 구비된 영역의 경우 고농도 불순물 영역이 유지되어 고농도 에미터가 형성되는 것을 특징으로 한다. Selective emitter forming method of a solar cell according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of preparing a substrate, forming a high concentration impurity region to a predetermined depth inside the substrate surface, a high concentration emitter is to be formed Forming a mask pattern on the substrate of the region, and dry etching the entire surface of the substrate including the mask pattern, so that a part of the high concentration impurity region is lost due to etching of a part of the substrate in the case where the mask pattern is not provided. Thus, a low concentration emitter is formed, and in the case of the region having the mask pattern, a high concentration impurity region is maintained to form a high concentration emitter.

상기 고농도 불순물 영역이 형성됨과 함께 상기 기판 상에 확산 부산물층이 형성되며, 상기 건식식각의 식각종료점은 상기 마스크 패턴과 확산 부산물층의 경계선 또는 상기 확산 부산물층과 기판의 경계선일 수 있다. 또한, 상기 마스크 패턴은 스크린 인쇄 방법을 통해 형성할 수 있다.
The high concentration impurity region is formed and a diffusion byproduct layer is formed on the substrate, and the etching end point of the dry etching may be a boundary between the mask pattern and the diffusion byproduct layer or a boundary between the diffusion byproduct layer and the substrate. In addition, the mask pattern may be formed through a screen printing method.

본 발명에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다. The selective emitter forming method of the solar cell according to the present invention has the following effects.

건식식각공정을 통해 고농도 에미터 및 저농도 에미터가 동시에 형성되고, 마스크 패턴 역시 건식식각공정에 의해 제거됨에 따라, 별도의 후속공정이 요구되지 않는다. 이에 따라, 공정이 간소화되어 공정 효율이 향상된다.
Since the high concentration emitter and the low concentration emitter are simultaneously formed through the dry etching process, and the mask pattern is also removed by the dry etching process, a separate subsequent process is not required. Accordingly, the process is simplified and the process efficiency is improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법을 설명하기 위한 순서도.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 1 is a flow chart illustrating a method of forming a selective emitter of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of forming a selective emitter of a solar cell according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of forming a selective emitter of a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저, 도 1 및 도 2a에 도시한 바와 같이 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(201)을 준비하고(S101), 상기 제 1 도전형의 실리콘 기판(201)의 상부면에 요철(202)이 형성되도록 텍스쳐링(texturing) 공정을 진행한다. 상기 텍스쳐링 공정은 기판(201) 표면에서의 빛 반사를 줄이기 위한 것이며, 습식 식각 또는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 등의 건식식각 방법을 이용하여 진행할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있으며, 후술하는 제 2 도전형은 제 1 도전형의 반대이며, 이하의 설명에서는 제 1 도전형은 p형인 것을 기준으로 한다. First, as shown in FIGS. 1 and 2A, a crystalline silicon substrate 201 of a first conductivity type is prepared (S101), and an unevenness 202 is formed on an upper surface of the first conductivity type silicon substrate 201. The texturing process is performed to form. The texturing process is to reduce light reflection on the surface of the substrate 201 and may be performed by using a dry etching method such as wet etching or reactive ion etching. Here, the first conductivity type may be p-type or n-type, the second conductivity type described later is the opposite of the first conductivity type, in the following description it is based on the first conductivity type is p-type.

텍스쳐링 공정이 완료된 상태에서, 도 2b에 도시한 바와 같이 확산공정을 실시하여 고농도 불순물 영역(203)(n++)을 형성한다(S102). 구체적으로, 챔버 내에 상기 실리콘 기판(201)을 구비시키고 상기 챔버 내에 제 2 도전형 불순물 이온 즉, n형 불순물 이온을 포함하는 가스(예를 들어, POCl3)를 공급하여 인(P) 이온이 확산(diffusion)되도록 한다. 이를 통해, 상기 기판(201) 둘레를 따라 일정 깊이로 고농도 불순물 영역(203)(n++)이 형성된다. In the state where the texturing process is completed, as shown in FIG. 2B, a diffusion process is performed to form a high concentration impurity region 203 (n ++) (S102). Specifically, the silicon substrate 201 is provided in a chamber, and a gas (for example, POCl 3 ) containing a second conductivity type impurity ion, that is, an n-type impurity ion, is supplied into the chamber to form phosphorus (P) ions. Allow diffusion. As a result, a high concentration impurity region 203 (n ++) is formed at a predetermined depth around the substrate 201.

한편, 상기 n형 불순물 이온의 확산 공정은 상술한 바와 같은 기상의 가스를 이용하는 방법 이외에, n형 불순물 이온이 포함된 용액 예를 들어, 인산(H3PO4) 용액 내에 상기 실리콘 기판(201)을 침적시키고 후속의 열처리를 통해 인(P) 이온이 기판(201) 내부에 확산되도록 하여 고농도 불순물 영역(203)을 형성할 수도 있다. 또한, 상기 제 2 도전형 불순물 이온이 p형일 경우, 상기 반도체층을 형성하는 불순물 이온은 붕소(B)일 수 있다. On the other hand, the diffusion process of the n-type impurity ions, in addition to the method using a gaseous gas as described above, the silicon substrate 201 in a solution containing n-type impurity ions, for example, a phosphoric acid (H 3 PO 4 ) solution The phosphorus (P) ions may be diffused into the substrate 201 through subsequent heat treatment to form a high concentration impurity region 203. In addition, when the second conductivity type impurity ions are p-type, the impurity ions forming the semiconductor layer may be boron (B).

상기 확산공정으로 인해, 기판(201) 내부에 고농도 불순물 영역(203)(n++)이 형성됨과 함께 기판(201) 표면에는 확산 부산물층(204)인 PSG(phosphor-silicate glass)막이 형성된다. 상기 PSG막은 n형 불순물 이온인 인(P) 이온과 실리콘 기판(201)의 실리콘(Si) 등이 반응하여 형성된 것이다. Due to the diffusion process, a high concentration impurity region 203 (n ++) is formed inside the substrate 201, and a PSG (phosphor-silicate glass) film, which is a diffusion byproduct layer 204, is formed on the surface of the substrate 201. The PSG film is formed by reacting phosphorus (P) ions, n-type impurity ions, and silicon (Si) on the silicon substrate 201.

상기 고농도 불순물 영역(203)이 형성된 상태에서, 도 2c에 도시한 바와 같이 고농도 에미터(206)가 형성될 영역의 기판(201) 상에 마스크 패턴(205)을 형성한다(S103). 상기 마스크 패턴(205)은 스크린 인쇄 방법을 통해 형성하는 것이 바람직하다. In the state where the high concentration impurity region 203 is formed, a mask pattern 205 is formed on the substrate 201 in the region where the high concentration emitter 206 is to be formed, as shown in FIG. 2C (S103). The mask pattern 205 is preferably formed through a screen printing method.

이와 같은 상태에서, 반응성이온식각(reactive ion etching) 등의 건식식각공정을 이용하여 기판(201) 전면을 일정 두께만큼 식각, 제거한다. 이 때, 건식식각의 식각종료점(end point)은 마스크 패턴(205)과 확산부산물층의 경계선으로 맞추어지는 것이 바람직하다. 즉, 마스크 패턴(205)이 제거되는 시점까지 건식식각공정이 진행되며, 마스크 패턴(205)이 식각, 제거됨과 함께 마스크 패턴(205)이 구비되지 않은 영역에서는 확산부산물층 및 기판(201)이 일정 두께만큼 식각, 제거된다. In this state, the entire surface of the substrate 201 is etched and removed by a predetermined thickness using a dry etching process such as reactive ion etching. At this time, it is preferable that the etching end point of the dry etching is aligned with the boundary line between the mask pattern 205 and the diffusion byproduct layer. That is, the dry etching process is performed until the mask pattern 205 is removed, and the diffusion byproduct layer and the substrate 201 are removed in the region where the mask pattern 205 is etched and removed and the mask pattern 205 is not provided. It is etched and removed by a certain thickness.

상기 건식식각에 의해 기판(201)이 일정 두께만큼 제거(마스크 패턴(205)이 구비되지 않은 영역)됨에 따라, 기판(201)에 일정 깊이로 형성된 고농도 불순물 영역(203) 역시 식각으로 인해 제거된다. 반면, 마스크 패턴(205)이 구비된 영역은 마스크 패턴(205)만 제거됨에 따라 고농도 불순물 영역(203)은 최초 상태를 유지한다. 도 2d를 참조하면, 기판(201)이 식각되지 않은 부위는 고농도 불순물 영역(203) 상태를 유지하여 고농도 에미터(206)를 이루며, 기판(201)이 식각된 부위는 고농도 불순물 영역(203)이 일부 제거됨으로 인해 저농도 에미터(207)를 이루게 된다. 즉, 상기 건식식각을 통해 고농도 에미터(206) 및 저농도 에미터(207)가 동시에 형성된다(S104). As the substrate 201 is removed by the dry etching by a predetermined thickness (area not provided with the mask pattern 205), the highly concentrated impurity region 203 formed at a predetermined depth in the substrate 201 is also removed by etching. . On the other hand, as the mask pattern 205 is removed, only the mask pattern 205 is removed, and thus the high concentration impurity region 203 maintains its initial state. Referring to FIG. 2D, a portion where the substrate 201 is not etched maintains a high concentration impurity region 203 to form a high concentration emitter 206, and a portion where the substrate 201 is etched has a high concentration impurity region 203. This partial removal results in a low concentration emitter 207. That is, the high concentration emitter 206 and the low concentration emitter 207 are simultaneously formed through the dry etching (S104).

한편, 고농도 에미터(206)와 저농도 에미터(207)의 동시 형성과 함께 고농도 에미터(206)와 저농도 에미터(207)의 농도 차이를 명확하게 하기 위해, 상기 확산 공정을 통해 형성되는 고농도 불순물 영역(203)의 도핑 프로파일을 기판(201) 깊이와 도핑 농도가 반비례의 관계를 갖도록 할 수 있다. 이 경우, 기판(201) 상부의 도핑 농도가 기판(201) 하부보다 크기 때문에 기판(201) 상부의 식각, 제거를 통해 고농도 에미터(206)와 농도 차이가 큰 저농도 에미터(207)를 용이하게 형성할 수 있게 된다. Meanwhile, in order to clarify the concentration difference between the high concentration emitter 206 and the low concentration emitter 207 together with the simultaneous formation of the high concentration emitter 206 and the low concentration emitter 207, the high concentration formed through the diffusion process. The doping profile of the impurity region 203 may be inversely related to the depth of the substrate 201 and the doping concentration. In this case, since the doping concentration of the upper portion of the substrate 201 is greater than that of the lower portion of the substrate 201, the low concentration emitter 207 having a large difference in concentration from the high concentration emitter 206 is easily formed by etching and removing the upper portion of the substrate 201. It can be formed.

상기 건식식각을 통해 고농도 에미터(206) 및 저농도 에미터(207)가 동시에 형성된 상태에서, 도 2e에 도시한 바와 같이 고농도 에미터(206) 상에 잔류하는 확산 부산물층(204)을 제거하면 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법은 완료된다. 한편, 상기 건식식각시 식각종료점을 마스크 패턴(205)과 확산 부산물층(204)의 경계선 이외에 마스크 패턴(205)과 기판(201)의 경계선으로 설정할 수도 있으며, 이 경우 건식식각을 통해 모든 영역에서의 확산 부산물층(204)이 함께 제거됨에 따라 부가적인 잔류 확산 부산물층(204) 제거 공정이 생략될 수 있다.
When the high concentration emitter 206 and the low concentration emitter 207 are simultaneously formed through the dry etching, the diffusion byproduct layer 204 remaining on the high concentration emitter 206 as shown in FIG. 2E is removed. The method of forming a selective emitter of a solar cell according to an embodiment of the present invention is completed. Meanwhile, the etching end point may be set as the boundary line between the mask pattern 205 and the substrate 201 in addition to the boundary line between the mask pattern 205 and the diffusion byproduct layer 204. As the diffusion byproduct layer 204 is removed together, the additional residual diffusion byproduct layer 204 removal process may be omitted.

201 : 기판 202 : 요철
203 : 고농도 불순물 영역 204 : 확산 부산물층
205 : 마스크 패턴 206 : 고농도 에미터
207 : 저농도 에미터201: substrate 202: irregularities
203: high concentration impurity region 204: diffusion byproduct layer
205: mask pattern 206: high concentration emitter
207 low concentration emitter

Claims (4)

기판을 준비하는 단계;
기판 표면의 내부에 일정 깊이로 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계;
고농도 에미터가 형성될 영역의 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴을 포함한 기판 전면을 건식식각하여,
상기 마스크 패턴이 구비되지 않은 영역의 경우 기판의 일부 두께가 식각됨으로 인해 고농도 불순물 영역의 일부가 상실되어 저농도 에미터가 형성되고, 상기 마스크 패턴이 구비된 영역의 경우 고농도 불순물 영역이 유지되어 고농도 에미터가 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법.
Preparing a substrate;
Forming a high concentration impurity region in a predetermined depth inside the substrate surface;
Forming a mask pattern on the substrate in the region where the high concentration emitter is to be formed;
Dry etching the entire surface of the substrate including the mask pattern;
In the case where the mask pattern is not provided, a portion of the high concentration impurity region is lost due to the etching of a part of the substrate, and a low concentration emitter is formed. In the case where the mask pattern is provided, the high concentration impurity region is maintained to maintain The emitter is a selective emitter forming method of a solar cell, characterized in that formed.
제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 영역이 형성됨과 함께 상기 기판 상에 확산 부산물층이 형성되며,
상기 건식식각의 식각종료점은 상기 마스크 패턴과 확산 부산물층의 경계선인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법.
The method of claim 1, wherein the high concentration impurity region is formed and a diffusion byproduct layer is formed on the substrate.
The etching end point of the dry etching is a selective emitter forming method of a solar cell, characterized in that the boundary between the mask pattern and the diffusion by-product layer.
제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 영역이 형성됨과 함께 상기 기판 상에 확산 부산물층이 형성되며,
상기 건식식각의 식각종료점은 상기 확산 부산물층과 기판의 경계선인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법.
The method of claim 1, wherein the high concentration impurity region is formed and a diffusion byproduct layer is formed on the substrate.
The etching end point of the dry etching is a selective emitter forming method of a solar cell, characterized in that the boundary between the diffusion by-product layer and the substrate.
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 스크린 인쇄 방법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법. The method of claim 1, wherein the mask pattern is formed through a screen printing method.
KR1020110013567A 2011-02-16 2011-02-16 Method for forming selective emitter in a solar cell KR20120094216A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110013567A KR20120094216A (en) 2011-02-16 2011-02-16 Method for forming selective emitter in a solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110013567A KR20120094216A (en) 2011-02-16 2011-02-16 Method for forming selective emitter in a solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120094216A true KR20120094216A (en) 2012-08-24

Family

ID=46885167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110013567A KR20120094216A (en) 2011-02-16 2011-02-16 Method for forming selective emitter in a solar cell

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120094216A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102725867B (en) Method for fabricating a back contact solar cell
KR101383395B1 (en) Method for fabricating back contact solar cell
KR101360658B1 (en) Method for forming selective emitter in a solar cell
KR101160116B1 (en) Method of manufacturing Back junction solar cell
CN117423762A (en) Solar cell, preparation method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system
KR101054985B1 (en) Method for fabricating solar cell
KR101089992B1 (en) Method for forming selective emitter in a solar cell
KR101125450B1 (en) Method for fabricating back contact solar cell
KR20110078549A (en) Method for forming selective emitter in a solar cell
KR101146782B1 (en) Method for Fabricating Solar Cell
KR20120094216A (en) Method for forming selective emitter in a solar cell
KR101155192B1 (en) Method for fabricating solar cell
KR101115104B1 (en) Solar cell and method for fabricating the same
KR20110060130A (en) Method for making selective emitter when solar cell is fabricated
KR101382047B1 (en) Method for fabricating selective emitter structure of solar cell
KR20130048975A (en) Method for fabricating solar cell
KR20130048939A (en) Method for forming selective emitter in a solar cell
KR101137068B1 (en) Method for fabricating back contact solar cell
KR101612132B1 (en) Method for fabricating back contact solar cell
KR20120122016A (en) Method for fabricating solar cell
KR20120094215A (en) Method for forming selective emitter in a solar cell
TW202218176A (en) Solar cell manufacturing
KR20120026736A (en) Method for making selective emitter when solar cell is fabricated
KR101069961B1 (en) Method for fabricating solar cell
KR20110032407A (en) Solar cell and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application