KR20120072592A - Bridge diode for led lighting apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A bridge diode of an LED lighting apparatus is provided to ensure the minimum size because a part of the bridge diode formed in the same substrate a semiconductor device for driving an LED and the rest formed as a separate external device are assembled into a single package. CONSTITUTION: A first N-type layer(32A) and a second N-type layer(32B) are formed on two sides of the top of a P-type silicon substrate(31). An insulating layer(33) is formed in the whole surfaces except for the open surfaces of the P-type silicon substrate and the first and second N-type layers. A metal electrode(34) is formed on the top of the insulating layer. A first P-type layer(36A) and a second P-type layer(36B) are formed on the top of an N-type silicon substrate(35). The metal electrode and the N-type silicon substrate are attached using a conductive epoxy adhesive(37). The first N-type layer and the first P-type layer are bonded to a first bonding pad(39A) through respective bonding wires(38). The second N-type layer and the second P-type layer are bonded to a first bonding pad(39B) through respective bonding wires.

Description

발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드{BRIDGE DIODE FOR LED LIGHTING APPARATUS } Bridge diode of light emitting diode lighting device {BRIDGE DIODE FOR LED LIGHTING APPARATUS}

본 발명은 발광다이오드를 구비한 조명장치에 사용되는 브릿지 다이오드의 제조기술에 관한 것으로, 특히 브릿지 다이오드 중 일부는 발광다이오드 구동용 반도체 소자와 동일 기판상에 제작하고, 나머지는 외부에 개별소자로 제작하여 이들을 하나의 패키지로 조립하여 발광다이오드 구동장치의 복잡성과 크기를 줄일 수 있도록 한 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing technique of a bridge diode used in a lighting device having a light emitting diode. Particularly, some of the bridge diodes are fabricated on the same substrate as the semiconductor device for driving the light emitting diodes, and the rest are fabricated as individual elements externally. The present invention relates to a bridge diode of a light emitting diode illumination device capable of assembling them into one package to reduce the complexity and size of the light emitting diode driving device.

반도체 기술의 발전으로 인하여, 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 효율성이 많이 향상되었다. 이에 따라, LED는 백열 전구나 형광등과 같은 기존의 조명 장치에 비하여 수명이 길고 에너지 소모가 적어 경제적일 뿐만 아니라 친환경적이라는 장점을 갖게 되었다. 이와 같은 장점들로 인하여 LED는 현재 신호등이나 평판표시장치(예: LCD)의 백라이트 등으로 널리 사용되고 있다. Due to the development of semiconductor technology, the efficiency of light emitting diodes (LEDs) has been greatly improved. Accordingly, the LED has the advantage of longer life, less energy consumption, economical and environmentally friendly than conventional lighting devices such as incandescent bulbs and fluorescent lamps. Due to these advantages, LED is widely used as a backlight of a traffic light or a flat panel display (eg, LCD).

일반적으로, LED를 조명장치로 사용하는 경우 다수의 LED가 실장된 LED 모듈을 특정의 배열로 여러개 배치하고, 이렇게 배치된 LED 모듈을 공간의 천장이나 벽면 등에 설치하여 사용한다. 이와 같은 LED 모듈은 LED가 적정 전압의 직류전류에 의해 구동되는 특성을 감안하여 AC/DC 컨버터를 구비하게 된다. 상기와 같은 AC/DC 컨버터는 교류전압을 강압하기 위한 트랜스 코일을 포함하게 되며, 이러한 트랜스 코일은 LED 모듈에서 상당한 크기로 배치되므로 이를 적용한 제품이 대형화되는 문제점을 초래하였다. In general, in the case of using the LED as a lighting device, a plurality of LED modules mounted with a plurality of LEDs are arranged in a specific arrangement, and the LED modules arranged in this way are used by installing the ceiling or the wall of the space. Such an LED module has an AC / DC converter in consideration of a characteristic in which the LED is driven by a DC current having an appropriate voltage. The AC / DC converter as described above includes a transformer coil for stepping down an AC voltage, and the transformer coil is disposed at a considerable size in the LED module, which causes a problem in that a product to which the applied product is enlarged.

이와 같은 문제점을 해결하기 위해 근래 들어 SMPS(SMPS: Switching Mode Power Supply)라는 전원공급장치가 사용되었다. 하지만, 최근 들어 LED 조명장치는 SMPS가 배제된 구성으로 다수의 LED를 직렬연결하여 전원에 대해 각 LED에서 전압 강하를 수행하는 방식으로 구동하는 기술이 사용되고 있다. 이와 같은 LED 조명장치에서는 브릿지 다이오드와 같은 전파정류 장치를 통해 입력 교류전원을 정류하여 맥류 형태의 전원으로 직접 LED를 점등시킨다. Recently, a power supply called a switching mode power supply (SMPS) has been used to solve this problem. However, in recent years, LED lighting devices have been used in such a manner that a voltage drop is performed in each LED for a power source by connecting a plurality of LEDs in series without the SMPS. In such an LED lighting device, the input AC power is rectified through a full-wave rectifying device such as a bridge diode to directly turn on the LED by a pulse current type power source.

도 1은 종래 기술에 의한 LED 조명장치의 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 브릿지 다이오드 정류부(11), LED구동용 집적소자(12), 정전류 구동장치부(13) 및 LED 배열부(14)를 구비한다. 1 is a block diagram of a LED lighting apparatus according to the prior art, and as shown therein, a bridge diode rectifying unit 11, an LED driving integrated device 12, a constant current driving unit 13, and an LED array unit 14. It is provided.

도 1을 참조하면, 브릿지 다이오드 정류부(11)는 입력 교류전원(AC)을 전파정류하여 맥류 형태의 구동전원을 LED 배열부(14)에 공급한다.Referring to FIG. 1, the bridge diode rectifying unit 11 performs full-wave rectification on the input AC power AC to supply driving power in the form of a pulse current to the LED array unit 14.

LED구동용 집적소자(12)는 구동데이터 기억장치를 구비하는데, 그 구동데이터 기억장치에는 상기 LED 배열부(14)의 발광다이오드(LED1-LED4)를 고효율, 고역율, 전고조파 특성(THD)이 가장 바람직하게 나타나도록 구동하기 위한 특정 패턴의 구동데이터가 미리 저장되어 있다. 상기 구동데이터는 상기 구동전원의 한주기를 여러 구간으로 나누었을 때, 그 각 구간에서 정전류 구동장치(13A-13D)를 선택하기 위한 선택정보, 선택된 정전류 구동장치가 해당 구간에서 흘려야 할 전류값, 각 구간의 구간폭, 상기 발광다이오드(LED1-LED4)의 수, 입력되는 구동전원의 전압 및 주파수, 사용하고자 하는 전력량 등을 포함한다.The LED driving integrated device 12 includes a driving data storage device, which includes a light emitting diode (LED1-LED4) of the LED array unit 14 with high efficiency, high power factor, and total harmonic characteristics (THD). The drive data of a specific pattern for driving so as to appear most preferably is stored in advance. When the driving data is divided into one section of the driving power source, selection information for selecting the constant current driving devices 13A-13D in each section, the current value that the selected constant current driving device should flow in the section, and each It includes a section width of the section, the number of the light emitting diodes (LED1-LED4), the voltage and frequency of the driving power input, the amount of power to be used.

LED구동용 집적소자(12)는 상기 구동데이터 기억장치로부터 해당 어드레스에 저장된 해당 구간의 전류값 및 구간폭값, 상기 선택정보를 순차적으로 읽어내고, 해당 구간의 전류값과 구간폭값을 아날로그신호로 변환하여 정전류 구동장치부(13)에 출력한다.The LED driving integrated device 12 sequentially reads the current value, the section width value, and the selection information of the section stored at the address from the drive data storage device, and converts the current value and section width value of the section into an analog signal. To the constant current drive unit 13.

예를 들어, 상기 LED구동용 집적소자(12)에서 출력되는 선택신호(선택정보)에 의해 임의의 구간에서 정전류 구동장치(13A)가 선택되는 경우 그 구간에서 발광다이오드(LED1)가 해당 전류값 및 구간폭값으로 점등된다. For example, when the constant current driving device 13A is selected in a certain section by a selection signal (selection information) output from the LED driving integrated device 12, the light emitting diode LED1 has a corresponding current value in the section. And the section width value are lit.

상기 LED구동용 집적소자(12)에서 출력되는 선택신호에 의해 임의의 구간에서 정전류 구동장치(13B)가 선택되는 경우 그 구간에서 발광다이오드(LED1),(LED2)가 해당 전류값 및 구간폭값으로 점등된다. When the constant current driver 13B is selected in a certain section by the selection signal output from the LED driving integrated device 12, the light emitting diodes LED1 and LED2 are set to the corresponding current value and section width value in the section. Lights up.

상기 LED구동용 집적소자(12)에서 출력되는 선택신호에 의해 임의의 구간에서 정전류 구동장치(13C)가 선택되는 경우 그 구간에서 발광다이오드(LED1),(LED2), (LED3)가 해당 전류값 및 구간폭값으로 점등된다. When the constant current driving device 13C is selected in a certain section by the selection signal output from the LED driving integrated device 12, the light emitting diodes LED1, LED2, and LED3 are corresponding current values. And the section width value are lit.

상기 LED구동용 집적소자(12)에서 출력되는 선택신호에 의해 임의의 구간에서 정전류 구동장치(13D)가 선택되는 경우 그 구간에서 발광다이오드(LED1),(LED2), (LED3),(LED4)가 해당 전류값 및 구간폭값으로 점등된다. When the constant current driving device 13D is selected in a certain section by the selection signal output from the LED driving integrated device 12, the light emitting diodes LED1, LED2, LED3, and LED4 in the section. Lights up with the corresponding current value and section width value.

도 2는 상기 브릿지 다이오드 정류부(11)에 구비되는 브릿지 다이오드를 나타낸 것으로, 4개의 다이오드(D1-D4)를 구비한다. 상기 다이오드(D1,D2)의 캐소우드 접속점(N3)과 다이오드(D3,D4)의 애노드 접속점(N4)이 부하인 LED 배열부(14)의 양측 단자에 연결되고, 다이오드(D1)의 애노드와 다이오드(D3)의 캐소우드의 접속점(N1)과 다이오드(D2)의 애노드와 다이오드(D4)의 캐소우드의 접속점(N2)이 입력교류전원(AC)의 양측단단자에 연결된다. FIG. 2 illustrates a bridge diode provided in the bridge diode rectifying unit 11 and includes four diodes D1-D4. The cathode connection point N3 of the diodes D1 and D2 and the anode connection point N4 of the diodes D3 and D4 are connected to both terminals of the LED array 14 serving as a load, and are connected to the anode of the diode D1. A connection point N1 of the cathode of the diode D3, an anode of the diode D2 and a connection point N2 of the cathode of the diode D4 are connected to both terminals of the input AC power supply AC.

근래 들어, LED 조명장치의 소형화 추세에 부응하여, LED구동용 집적소자와 브릿지 다이오드를 패킷지로 구현하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. In recent years, in response to the trend of miniaturization of LED lighting devices, researches for implementing LED driving integrated devices and bridge diodes into packet papers have been actively conducted.

그러나, 브릿지 다이오드를 구성하는 4개의 다이오드 모두를 LED구동용 집적소자에 제조하는 경우 LED구동용 집적소자의 사이즈가 작아 제조공간을 확부하는데 어려움이 있고, 이들 모두를 별도의 개별 소자로 제조하여 LED구동용 집적소자와 함께 하나의 패키지로 조립하는 경우 어셈블리 공정이 복잡해지는 단점이 있다. However, when all four diodes constituting the bridge diode are manufactured in the LED driving integrated device, the size of the LED driving integrated device is small, which makes it difficult to expand the manufacturing space, and all of them are manufactured as separate individual LEDs. When assembling in one package together with the driving integrated device, the assembly process is complicated.

따라서, 본 발명의 목적은 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드에 사용되는 다이오드 중 일부를 발광다이오드 구동용 반도체 소자와 동일 기판상에 제작하고, 나머지를 외부에 개별소자로 제작하여 이들을 하나의 패키지로 조립하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to fabricate some of the diodes used in the bridge diode of the light emitting diode illumination device on the same substrate as the semiconductor device for driving the light emitting diodes, and to assemble them in one package by manufacturing the rest as individual elements to the outside. It is.

본 발명의 목적들은 앞에서 언급한 목적으로 제한되지 않는다. 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 아래 설명에 의해 더욱 분명하게 이해될 것이다.
The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects. Other objects and advantages of the invention will be more clearly understood by the following description.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, LED구동용 집적소자가 형성된 P형 실리콘 기판에 형성된 제3다이오드 및 제4다이오드; N형 실리콘 기판에 형성된 제1다이오드 및 제2다이오드; 상기 제1,2다이오드와 상기 제3,4다이오드를 연결하는 연결부재; 상기 제1,3다이오드를 전기적으로 연결하는 제1본딩패드 및, 상기 제2,4다이오드를 전기적으로 연결하는 제2본딩패드를 포함한다.
The present invention for achieving the above object, the third diode and the fourth diode formed on the P-type silicon substrate with integrated LED driving element; A first diode and a second diode formed on the N-type silicon substrate; A connection member connecting the first and second diodes to the third and fourth diodes; And a first bonding pad electrically connecting the first and third diodes, and a second bonding pad electrically connecting the second and fourth diodes.

본 발명은 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드에 사용되는 다이오드 중 일부를 발광다이오드 구동용 반도체 소자와 동일 기판상에 제작하고, 나머지를 외부에 개별소자로 제작하여 이들을 하나의 패키지로 조립하여 사용하도록 함으로써, 제품의 사이즈가 최소화되고, 어셈블리 공정이 단순해지는 효과가 있다.
According to the present invention, some of the diodes used in the bridge diode of the light emitting diode lighting apparatus are manufactured on the same substrate as the light emitting diode driving semiconductor element, and the rest are manufactured as individual elements to the outside to assemble them into one package. The size of the product is minimized, and the assembly process is simplified.

도 1은 종래 기술에 의한 LED 조명장치의 블록도이다.
도 2는 종래의 LED 조명장치에 사용되는 브릿지 다이오드의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 브릿지 다이오드의 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 패키지의 구조를 개념적으로 나타낸 설명도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 패키지의 평면도이다. 1 is a block diagram of a LED lighting apparatus according to the prior art.
2 is a circuit diagram of a bridge diode used in a conventional LED lighting apparatus.
3 is a longitudinal cross-sectional view of a bridge diode according to an embodiment of the present invention.
4 is an explanatory diagram conceptually illustrating a structure of a package according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view of a package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의해 제조된 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드의 종단면를 나타낸 것이다. 도 3을 참조하면, P형 실리콘 기판(31)의 상부 양측에 제1 N형층(32A),제2 N형층(32B)이 형성되는 것으로 브릿지 다이오드의 4개의 다이오드 중 두 개의 다이오드가 제조된다. Figure 3 shows a longitudinal section of the bridge diode of the LED lighting apparatus manufactured by the present invention. Referring to FIG. 3, the first N-type layer 32A and the second N-type layer 32B are formed on both sides of the P-type silicon substrate 31 so that two of the four diodes of the bridge diode are manufactured.

이어서, 상기 P형 실리콘 기판(31)과 제1N형층(32A), 제2N형층(32B)의 노출면을 제외한 전면에 절연막(33)이 형성되고, 상기 절연막(33)의 상부에 금속전극(34)이 형성된다. Subsequently, an insulating film 33 is formed on the entire surface of the P-type silicon substrate 31, except for the exposed surfaces of the first N-type layer 32A and the second N-type layer 32B, and a metal electrode is formed on the insulating film 33. 34) is formed.

이와 별도로, N형 실리콘 기판(35)의 상부에 제1P형층(36A), 제2P형층(36B)이 형성되는 것으로 상기 브릿지 다이오드의 나머지 두 개의 다이오드가 제조된다.Separately, the first two P-type layers 36A and the second P-type layer 36B are formed on the N-type silicon substrate 35 to manufacture the remaining two diodes of the bridge diode.

이후, 도전성 에폭시 접착제(37)를 사용하여 상기 금속전극(34)과 상기 N형 실리콘 기판(35)을 접착한다. 상기 금속전극(34)과 도전성 에폭시 접착제(37)는 상기 2 개의 다이오드들을 연결하는 역할을 하므로, "연결부재"라 칭한다.Thereafter, the metal electrode 34 and the N-type silicon substrate 35 are adhered to each other using a conductive epoxy adhesive 37. Since the metal electrode 34 and the conductive epoxy adhesive 37 serve to connect the two diodes, they are referred to as "connecting members".

끝으로, 상기 제1N형층(32A)과 제1P형층(36A)이 각각의 본딩 와이어(38)를 통해 제1본딩패드(39A)에 본딩되고, 상기 제2N형층(32B)과 제2P형층(36B)이 각각의 본딩 와이어(38)를 통해 제2본딩패드(39B)에 본딩된다. Finally, the first N-type layer 32A and the first P-type layer 36A are bonded to the first bonding pad 39A through respective bonding wires 38, and the second N-type layer 32B and the second P-type layer ( 36B is bonded to the second bonding pad 39B through each bonding wire 38.

이렇게 하여, 브릿지 다이오드에 사용되는 4개의 다이오드 중 두 개가 발광다이오드 구동용 반도체 소자와 동일 기판상에 제조되고, 나머지 두개의 다이오드가 외부에 개별소자로 제작된 후 이들이 하나의 패키지로 조립되는 공정이 완료된다.
In this way, two of the four diodes used in the bridge diode are fabricated on the same substrate as the light emitting diode driving semiconductor element, and the remaining two diodes are fabricated as individual elements on the outside and then assembled into one package. Is done.

도 4는 상기와 같이 제조된 패키지의 구조를 개념적으로 나타낸 설명도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 P형 실리콘 기판(31)이 브릿지 다이오드로 사용되는 제3다이오드(D3), 제4다이오드(D4)의 애노드로 사용되고, 상기 제1N형층(32A), 제2N형층(32B)이 상기 제3다이오드(D3), 제4다이오드(D4)의 캐소우드로 사용된다. 상기 N형 실리콘 기판(35)이 브릿지 다이오드로 사용되는 제1다이오드(D1), 제2 다이오드(D2)의 캐소우드로 사용되고, 상기 제1P형층(36A), 제2P형층(36B)이 상기 제1 다이오드(D1), 제2 다이오드(D2)의 애노드로 사용된다. 4 is an explanatory diagram conceptually showing a structure of a package manufactured as described above. Referring to FIGS. 3 and 4, the P-type silicon substrate 31 is used as an anode of the third diode D3 and the fourth diode D4 used as a bridge diode, and the first N-type layer 32A and the first diode. The 2N type layer 32B is used as the cathode of the third diode D3 and the fourth diode D4. The N-type silicon substrate 35 is used as a cathode of the first diode D1 and the second diode D2 used as the bridge diode, and the first P-type layer 36A and the second P-type layer 36B are formed of the It is used as an anode of one diode D1 and a second diode D2.

상기 제3다이오드(D3)의 캐소우드와 제1다이오드(D1)의 애노드가 접속된 제1 노드(N1)가 상기 제1본딩패드(39A)에 본딩되고, 상기 제4다이오드(D4)의 캐소우드와 제2다이오드(D2)의 애노드가 접속된 제2노드(N2)가 상기 제2본딩패드(39B)에 본딩된다. 상기 제1본딩패드(39A), 제2본딩패드(39B)가 입력교류전원(AC)의 양측단자에 연결된다. 상기 제1다이오드(D1), 제2다이오드(D2)의 캐소우드가 공통 연결된 제3 노드(N3)가 P형 실리콘 기판(31)에 형성된 LED구동용 집적소자(41)에 연결되고, 상기 제3다이오드(D3), 제4다이오드(D4)의 애노드가 공통 연결된 제4노드(N4)가 상기 P형 실리콘 기판(31)에 연결된다. 도 4에서 OUT1,OUT2는 LED 구동용 출력단자이다.
The first node N1, to which the cathode of the third diode D3 and the anode of the first diode D1 are connected, is bonded to the first bonding pad 39A, and the cathode of the fourth diode D4 is connected. The second node N2 to which the anode of the wood and the second diode D2 is connected is bonded to the second bonding pad 39B. The first bonding pad 39A and the second bonding pad 39B are connected to both terminals of the input AC power supply AC. A third node N3 having the cathodes of the first diode D1 and the second diode D2 connected to each other is connected to the LED driving integrated device 41 formed on the P-type silicon substrate 31. A fourth node N4 having a common connection between the anodes of the third diode D3 and the fourth diode D4 is connected to the P-type silicon substrate 31. In FIG. 4, OUT1 and OUT2 are output terminals for driving LEDs.

도 5는 상기와 같이 제조된 패키지의 평면도이다. 도 5를 참조하면, 패키지용 기판인 상기 P형 실리콘 기판(31)에 상기 LED구동용 집적소자(41)가 제조된다. 도 5에는 도시되지 않았지만, 상기 도 3 및 도 4의 설명에서와 같이 상기 P형 실리콘 기판(31)의 일측에 브릿지 다이오드로 사용되는 상기 제3다이오드(D3), 제4다이오드(D4)가 형성된다. 그리고, 별도로 제조된 브릿지 다이오드의 나머지 제1다이오드(D1), 제2다이오드(D2)가 상기 제1다이오드(D3), 제2다이오드(D4)의 상부에 장착되어 그 제1 다이오드(D1), 제2 다이오드(D2)와 상기와 같이 연결된다. 5 is a plan view of a package manufactured as described above. Referring to FIG. 5, the LED driving integrated device 41 is manufactured on the P-type silicon substrate 31, which is a package substrate. Although not shown in FIG. 5, the third diode D3 and the fourth diode D4 used as bridge diodes are formed on one side of the P-type silicon substrate 31 as described in FIGS. 3 and 4. do. The remaining first diode D1 and the second diode D2 of the bridge diode manufactured separately are mounted on the first diode D3 and the second diode D4, and the first diode D1, The second diode D2 is connected as described above.

도 5의 패키지 핀(PIN1-PNI12) 중에서, 제1패키지 핀(PIN1)은 상기 제1노드(N1)에 대응되는 핀으로 입력교류전원(AC)의 정극성단자(+)에 연결되고, 제3패키지 핀(PIN3)은 상기 제2노드(N2)에 대응되는 핀으로 입력교류전원(AC)의 부극성단자(-)에 연결된다. 제10패키지 핀(PIN10)은 상기 제3노드(N3)에 대응되는 핀으로 LED 구동출력단자에 연결된다.
Among the package pins PIN1-PNI12 of FIG. 5, the first package pin PIN1 is a pin corresponding to the first node N1 and is connected to the positive terminal (+) of the input AC power supply AC. The 3 package pin PIN3 is a pin corresponding to the second node N2 and is connected to the negative terminal (-) of the input AC power supply AC. The tenth package pin PIN10 is a pin corresponding to the third node N3 and is connected to the LED driving output terminal.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것이 아니라 다음의 청구범위에서 정의하는 본 발명의 기본 개념을 바탕으로 보다 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 이러한 실시예들 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Although the preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and may be implemented in various embodiments based on the basic concept of the present invention defined in the following claims. Such embodiments are also within the scope of the present invention.

31 : P형 실리콘 기판 32A,32B : N형 층
33 : 절연막 34 : 금속전극
35 : N형 실리콘 기판 36A,36B : P형 층
37 : 도전성 에폭시 접착제 38A,38B : 본딩 패드
41 : LED구동용 집적소자 31: P-type silicon substrate 32A, 32B: N-type layer
33 insulating film 34 metal electrode
35: N type silicon substrate 36A, 36B: P type layer
37: conductive epoxy adhesive 38A, 38B: bonding pad
41: LED driving integrated device

Claims (7)

LED구동용 집적소자가 형성된 P형 실리콘 기판에 형성된 제3다이오드 및 제4다이오드;
N형 실리콘 기판에 형성된 제1다이오드 및 제2다이오드;
상기 제1,2다이오드와 상기 제3,4다이오드를 연결하는 연결부재;
상기 제1,3다이오드를 전기적으로 연결하는 제1본딩패드 및, 상기 제2,4다이오드를 전기적으로 연결하는 제2본딩패드를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.
A third diode and a fourth diode formed on the P-type silicon substrate on which the LED driving integrated device is formed;
A first diode and a second diode formed on the N-type silicon substrate;
A connection member connecting the first and second diodes to the third and fourth diodes;
And a first bonding pad electrically connecting the first and third diodes, and a second bonding pad electrically connecting the second and fourth diodes.
제1항에 있어서, 제3다이오드 및 제4다이오드는 LED구동용 집적소자가 형성된 P형 실리콘 기판의 상부 양측에 형성된 제1N형층 및 제2N형층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.
The light emitting diode illumination apparatus of claim 1, wherein the third diode and the fourth diode comprise a first N-type layer and a second N-type layer formed on both sides of an upper portion of the P-type silicon substrate on which the LED driving integrated device is formed. Bridge diode.
제1항에 있어서, 제1다이오드 및 제2다이오드는 N형 실리콘 기판의 상부에 형성된 제1P형층 및 제2P형층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.
The bridge diode of claim 1, wherein the first diode and the second diode comprise a first P-type layer and a second P-type layer formed on an N-type silicon substrate.
제1항에 있어서, 연결부재는 절연막과 도전성 에폭시 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.
The bridge diode of claim 1, wherein the connection member comprises an insulating film and a conductive epoxy adhesive.
제4항에 있어서, 절연막과 도전성 에폭시 접착제의 중간에 상기 제1,2다이오드의 캐소우드를 연결하기 위한 금속전극이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.
The bridge diode of claim 4, further comprising a metal electrode for connecting the cathodes of the first and second diodes between the insulating film and the conductive epoxy adhesive.
제4항에 있어서, 절연막은 상기 제1N형층 및 제2N형층의 노출면을 제외한 상기 P형 실리콘 기판의 상부 전면에 걸쳐 도포된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.
The bridge diode of claim 4, wherein the insulating film is applied over the entire upper surface of the P-type silicon substrate except for the exposed surfaces of the first and second N-type layers.
제4항에 있어서, 도전성 에폭시 접착제는 상기 절연막의 상부에 형성된 금속전극과 상기 N형 실리콘 기판을 접착하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드.The bridge diode of claim 4, wherein the conductive epoxy adhesive bonds the metal electrode formed on the insulating film to the N-type silicon substrate.
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