KR20120068793A - Refrigerator system for semiconductor process - Google Patents

Refrigerator system for semiconductor process Download PDF

Info

Publication number
KR20120068793A
KR20120068793A KR1020120051671A KR20120051671A KR20120068793A KR 20120068793 A KR20120068793 A KR 20120068793A KR 1020120051671 A KR1020120051671 A KR 1020120051671A KR 20120051671 A KR20120051671 A KR 20120051671A KR 20120068793 A KR20120068793 A KR 20120068793A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter
air
nox
exchange resin
semiconductor process
Prior art date
Application number
KR1020120051671A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이후근
이성근
김옥기
장길남
김홍현
Original Assignee
주식회사 젬백스앤카엘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 젬백스앤카엘 filed Critical 주식회사 젬백스앤카엘
Priority to KR1020120051671A priority Critical patent/KR20120068793A/en
Publication of KR20120068793A publication Critical patent/KR20120068793A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

PURPOSE: An air conditioning system for a semiconductor process is provided to remove NOX by independently installing an additional NOX filter in the front or rear of a chemical filter. CONSTITUTION: Outer air or circulating air of a semiconductor process is inputted into an inlet duct(11). A control unit(30) comprises a refrigerator(31), a heater, and a humidifier and controls the temperature and humidity of the circulating air. A filter unit(20) includes a pre-filter, a chemical filter, and an NOX filter(27). The filter unit removes contaminant of ionic molecule and dust included in the outer air or circulating air. The NOX filter comprises one or more anion exchange resin layers in the front or rear of the chemical filter and absorbs NOX.

Description

반도체 공정용 공조기 시스템{Refrigerator System for Semiconductor Process}Air Conditioner System for Semiconductor Processes {Refrigerator System for Semiconductor Process}

본 발명은 반도체 공정에 있어서 외기나 반도체 공정 중에 발생하는 분진이나 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하여 반도체 공정으로 공급하기 위한 반도체 공정용 공조기 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 NOX필터를 구비함으로써 질소산화물을 충분하게 제거하면서도 케미컬필터의 교체 주기를 연장할 수 있는 반도체 공정설비 등에 사용되는 반도체 공정용 공조기 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an air conditioner system for a semiconductor process for removing contaminants on outside air and semiconductor molecules in a semiconductor process and supplying it to a semiconductor process. The present invention relates to an air conditioning system for a semiconductor process used in a semiconductor processing equipment and the like, which can sufficiently remove the chemical filter and extend the replacement cycle of the chemical filter.

일반적으로 각종 제품을 생산하는 생산라인에는 제품생산 시 발생하는 먼지나 분진 등과 같은 오염 물질을 외부로 배출하여 실내 공기를 청정하게 유지하기 위한 공기조화설비가 갖추어져 있다. 특히, 반도체 생산라인에서 반도체를 제조할 때는 미세 먼지, NOX나 SOX와 같은 산성 산화물, 암모니아 가스 등과 같은 염기성 가스가 발생하며, 이러한 오염 물질은 고집적 반도체 공정에 있어서 반도체의 불량률을 증가시키고 생산 설비에도 장애를 발생시키는 원인이 되어 반도체 공정의 고집적화 고효율화를 도모할 수가 없게 된다. 따라서 반도체 공정에서는 고성능의 공조기 시스템이 필수적이다. 그리고 공조기 시스템은 보수가 용이하며 필터의 교체 주기가 길수록 바람직하다.
In general, production lines that produce various products are equipped with air conditioning equipment to keep indoor air clean by discharging pollutants such as dust and dust generated during product production to the outside. Particularly, when manufacturing a semiconductor in a semiconductor production line, fine dust, acidic oxides such as NOX and SOX, basic gases such as ammonia gas, etc. are generated. Such contaminants increase the defect rate of semiconductors in high-integrated semiconductor processes and It is a cause of failure, and it is impossible to achieve high integration and high efficiency of the semiconductor process. Therefore, a high performance air conditioner system is essential in the semiconductor process. And the air conditioner system is easy to repair and the longer the replacement cycle of the filter, the better.

종래의 반도체 공정에 채택되는 반도체 공정용 공조기 시스템은 미세 먼지 등 분진을 제거하는 프리필터(Pre-filter)와 미디엄필터(Medium Filter), 상기 프리필터 및 미디엄필터를 통과한 공기 중에 포함되어 있는 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하는 케미컬필터(Chemical Filter)를 포함하고 있으며,The air conditioner system for the semiconductor process adopted in the conventional semiconductor process is a pre-filter and a medium filter for removing dust such as fine dust, and ions contained in the air passing through the pre-filter and the medium filter. It includes a chemical filter to remove contaminants on the molecule,

상기 분진 및 분자 상 오염 물질이 제거된 공기를 냉각하여 공기 중에 포함된 수증기를 제거하는 냉각기, 수증기가 제거된 공기를 일정 온도로 가열하여 반도체 공정에 필요한 적정 수준의 온도로 가열하는 가열기, 가열된 공기 내에 수분이 보충되도록 하는 가습기를 구비하고 있다.A cooler for cooling the air from which the dust and molecular contaminants have been removed to remove water vapor contained in the air, and a heater for heating the air from which the water vapor is removed to a predetermined temperature required for a semiconductor process, and A humidifier is provided to replenish moisture in the air.

따라서 종래 기술에 의한 반도체 공정용 공조기 시스템은 덕트를 통해 공급되는 공기 중의 오염 물질을 제거하고, 공기를 반도체 공정에 알맞은 온도와 습도로 변환되도록 하기 위하여 공기를 프리필터, 미디엄필터, 케미컬필터를 거치도록 하고, 냉각기, 가열기 및 제습기를 거치도록 하고 있다. 상기에 있어서 공기가 통과되는 순서는 위에 기술한 순서에 한정되는 것은 아니다. Therefore, the air conditioner system for a semiconductor process according to the prior art passes the air through a pre-filter, a medium filter, and a chemical filter to remove contaminants in the air supplied through the duct and convert the air into a temperature and humidity suitable for the semiconductor process. And a cooler, heater and dehumidifier. In the above, the order of passing air is not limited to the order described above.

도 1은 최근에는 반도체용 공조기 시스템에 적용되는 종래의 케미컬필터(125)를 도시한 개략적인 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 케미컬필터(125)는 적층된 형태로 사용되고 있으며, 각 층은 각각 제거할 수 있는 오염 물질을 달리하는 층으로 이루어진다.1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional chemical filter 125 recently applied to an air conditioner system for a semiconductor. As shown in FIG. 1, the conventional chemical filter 125 is used in a stacked form, and each layer is formed of a different layer of contaminants that can be removed.

도 1을 참조로 예를 들어 설명하면, 종래의 케미컬필터(125)는 질소산화물(NOX)이나 황산화물(SOX)과 같은 산성산화물을 제거하는 제1층(125a)과, 염기성 가스를 제거하는 제2층(125b)과, 오존을 제거하는 제3층(125c)로 이루어져, 반도체 공정 중에서 발생하는 이온 분자 상의 오염 물질을 하나 또는 두 개의 조합형 케미컬필터(125)로 제거할 수 있도록 하였다.For example, referring to FIG. 1, the conventional chemical filter 125 may include a first layer 125a for removing an acid oxide such as nitrogen oxides (NOX) or sulfur oxides (SOX), and a basic gas for removing basic gases. The second layer 125b and the third layer 125c for removing ozone may remove contaminants on ionic molecules generated during the semiconductor process by using one or two combination chemical filters 125.

본 발명자가 출원한 종래 기술에 의한 조합형 케미컬필터의 제작방법(출원번호 : 10-2003-09259호, 2003년 2월 14일)에 따르면 상기 산성산화물을 제거하는 제1층(125a)은 일반활성탄에 KOH, K2CO3, KI와 같은 염기성 물질을 첨착시킨 첨착활성탄으로 이루어지며, 염기성 가스를 제거하는 제2층(125b)은 H3PO4나 H2SO4를 첨착시킨 첨착활성탄으로 이루어진다.
According to the manufacturing method of the combination type chemical filter according to the prior art filed by the present inventors (Application No .: 10-2003-09259, February 14, 2003), the first layer (125a) for removing the acid oxide is a general activated carbon It consists of impregnated activated carbon impregnated with basic substances such as KOH, K 2 CO 3 , KI, and the second layer 125b for removing the basic gas is impregnated activated carbon impregnated with H 3 PO 4 or H 2 SO 4 . .

상기와 같은 반도체용 공조기 시스템이 있어서 반도체 공정 중에서 발생하는 이온 분자 상의 오염 물질을 하나의 케미컬필터(125)로 효과적으로 제거할 수 있으며 설치 후 일정 시간이 경과하여도 따라 오존이나 황산화물의 제거 성능은 유지된다. 그러나 설치 후 사용 시간의 경과에 따라 NO2를 NO로 변환시키면서 질소산화물(NOX)의 제거 성능이 급격히 감소하는 문제가 있었으며, 따라서 질소산화물(NOX)의 제거 효율을 회복시키기 위하여 황산화물(SOX)과 같은 다른 종류의 산성 산화물이나 염기성 산화물의 제거 성능은 유지하고 있음에도 불구하고 케미컬필터(125)를 조기에 교체하여야 하는 문제점이 있었다.With the air conditioner system for semiconductors as described above, it is possible to effectively remove contaminants on ionic molecules generated during the semiconductor process with a single chemical filter 125, and even after a certain time after installation, ozone or sulfur oxide removal performance is maintain. However, there has been a problem that the removal performance of nitrogen oxides (NOX) is drastically reduced while converting NO 2 to NO with the use time after installation, and thus sulfur oxides (SOX) to recover the removal efficiency of nitrogen oxides (NOX). Despite maintaining the removal performance of other types of acid oxides or basic oxides, such as the chemical filter 125 had to be replaced early.

대한민국 공개 특2001-77363호 공개특호공보Korean Unexamined Patent Publication No. 2001-77363

본 발명은 위와 같은 종래의 반도체용 공조기 시스템이 가지고 있는 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 케미컬필터 전방 또는 후방에 별도의 NOX필터를 독립해서 설치함으로써 질소산화물의 제거 성능을 향상시키고, 케미컬필터의 질소산화물 제거 성능이 감소하는 경우에도 케미컬필터를 교체할 필요가 없어 케미컬필터의 교체 주기를 충분히 연장시킬 수 있는 반조체용 공조기 시스템을 제공하는데 목적이 있는 것이다.The present invention has been proposed to solve the problems of the conventional air conditioner system for semiconductors, and by separately installing a separate NOx filter in the front or rear of the chemical filter to improve the nitrogen oxide removal performance, It is an object of the present invention to provide an air conditioner system for a semi-assembly which can extend the replacement cycle of the chemical filter by eliminating the need to replace the chemical filter even when the NOx removal performance is reduced.

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따르는 반도체용 공조기 시스템은 냉각기, 가열기, 가습기로 이루어져 외기나 순환 공기의 온도와 습도를 조절하는 조절부와; 프리필터, 케미컬필터로 이루어져 외기나 순환 공기에 포함된 분진과 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하는 필터부와; 공기를 강제로 순환시키는 송풍팬을 포함하여 구성되며, 상기 필터부는 케미컬필터의 전방 또는 후방에 하나 이상의 음이온교환수지층으로 이루어져 질소 산화물을 흡착하는 NOX필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하며, In order to achieve this object, an air conditioner system for a semiconductor according to the present invention comprises a control unit for controlling a temperature and humidity of an outside air or circulating air, including a cooler, a heater, and a humidifier; A filter unit formed of a pre-filter and a chemical filter to remove contaminants on dust and ionic molecules contained in outside air or circulating air; It is configured to include a blowing fan for circulating air forcibly, The filter unit is characterized in that it further comprises a NOx filter consisting of one or more anion exchange resin layer in front or rear of the chemical filter adsorbs nitrogen oxides,

상기에서 NOX필터는 하나 이상의 양이온교환수지층을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며,The NO x filter is characterized in that it further comprises one or more cation exchange resin layer,

상기에 있어서 NOX필터의 음이온교환층 및/또는 양이온교환층은 음이온교환수지 및/또는 양이온교환수지를 알루미늄 망체, 폴리에틸렌 망체, 부직포 또는 폴리우레탄 폼에 부착하여 형성되는 것을 특징으로 한다.In the above, the anion exchange layer and / or the cation exchange layer of the NOx filter is formed by attaching the anion exchange resin and / or the cation exchange resin to an aluminum mesh, a polyethylene network, a nonwoven fabric or a polyurethane foam.

그리고 상기 NOX필터는 3개 층의 음이온교환수지층과 2개의 양이온교환수지층으로 형성하는 것이 바람직하며,And the NOx filter is preferably formed of three layers of anion exchange resin layer and two cation exchange resin layer,

상기 이온교환수지층에 더하여 Ag이 첨착된 Ag흡착제를 더 구비하는 것이 바람직하다.In addition to the ion exchange resin layer, Ag is preferably further provided with an Ag adsorbent impregnated with.

상기와 같은 본 발명에 따른 반도체 공정용 공조기 시스템(1)에 의하면, 케미컬필터(25) 전방 또는 후방에 케미컬필터(25)와 독립적으로 설치되는 NOX필터(27)를 구비하므로 질소산화물의 제거 효율을 향상시킬 수 있으며, 케미컬필터(25) 전방에 설치되는 경우에는 미리 NO2를 충분히 제거하므로 NO2에서 NO로의 변환에 의하여 케미컬필터(25)의 질소산화물 제거 성능이 조기에 하락하는 것을 방지할 수 있으며, 케미컬필터(25) 후방에 설치되는 경우에는 NO2에서 NO로의 변환에 의하여 케미컬필터(25)의 질소산화물 제거 효율이 감소되어도 NOX필터(27)에 의하여 케미컬필터(25)를 통과한 공기 중의 질소산화물을 충분히 제거할 수 있으므로 질소산화물 이외의 오염 물질 제거 성능을 구비하는 케미컬필터(25)를 조기에 교체할 필요가 없게 되며, 따라서 잦은 교체로 인한 케미컬필터(25)의 제거 작업에 소용되는 노력이나 시간이 절약되며, 상기 NOX필터(27)를 한층 이상의 음이온교환수지층(27-1, 27-2, 27-3)과 한층 이상의 양이온교환수지층(27-4, 27-5)으로 형성함으로써 질소산화물과 함께 악취도 충분히 제거할 수 있으며, Ag첨착제를 구비하는 경우에는 유해가스와 함께 유해 세균도 함께 제거할 수 있는 효과가 있다. According to the air conditioner system 1 for a semiconductor process according to the present invention as described above, since the NOx filter 27 is installed in front of or behind the chemical filter 25 independently of the chemical filter 25, nitrogen oxide removal efficiency In the case of being installed in front of the chemical filter 25, NO 2 is sufficiently removed in advance, so that the NOx removal performance of the chemical filter 25 may be prevented from dropping prematurely by the conversion of NO 2 to NO. number, and by the chemical filter 25, NOX filter 27 may be reduced NOx removal efficiency of the chemical filter (25) by conversion to NO in is NO 2, when installed to the rear passing through the chemical filter (25) Since the nitrogen oxides in the air can be sufficiently removed, it is unnecessary to replace the chemical filter 25 having the contaminant removal performance other than nitrogen oxides at an early stage, and thus frequent replacement The effort and time required for the removal of the chemical filter 25 is saved, and one or more cation exchanges with the one or more anion exchange resin layers 27-1, 27-2, and 27-3 are carried out. By forming the resin layers 27-4 and 27-5, the odor can be sufficiently removed together with the nitrogen oxide. When the Ag additive is provided, the harmful bacteria can be removed together with the harmful gas.

도 1은 종래 기술에 의한 조합형 케미컬필터 미디엄의 예를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따르는 반도체 공정용 공조기 시스템을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따르는 반도체 공정용 공조기 시스템의 질소 산화물 제거 성능을 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따르는 반도체 공정용 공조기 시스템에 채택되는 NOX필터 미디엄을 도시한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a combination chemical filter medium according to the prior art.
2 is a schematic cross-sectional view showing an air conditioner system for a semiconductor process according to the present invention.
3 is a graph showing the nitrogen oxide removal performance of the air conditioner system for a semiconductor process according to the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing a NO x filter medium employed in an air conditioner system for a semiconductor process according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 반도체용 공조기 시스템의 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 상세한 설명에 있어서 종래 기술과 동일한 작용을 하는 구성에 대하여는 동일한 명칭을 사용한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a semiconductor air conditioner system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the detailed description, the same name is used for a configuration having the same function as the prior art.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 반도체용 공조기 시스템(1)을 도시한 개략적인 단면도이며, 도 3은 본 발명에 따르는 NOX필터(27) 전방(도 2의 'A'부분) 및 후방(도 2의 'B'부분)의 질소산화물의 농도를 측정한 결과이며, 도 4는 본 발명에 따르는 반도체용 공조기 시스템(1)의 NOX필터(27)를 이루는 미디엄을 도시한 개략적인 단면도이다. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an air conditioner system 1 for semiconductors according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a front ('A' portion of FIG. 2) and a rear of the NOX filter 27 according to the present invention. It is a result of measuring the density | concentration of nitrogen oxide of the "B" part of FIG. 2, and FIG. 4 is a schematic sectional drawing which shows the medium which comprises the NOx filter 27 of the semiconductor air conditioner system 1 which concerns on this invention. .

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 반도체용 공조기 시스템(1)은 외기 또는 반도체 공정 중의 순환 공기가 인입되는 인입덕트(11)와, 오염 물질이 제거된 공기가 반도체 공정으로 공급되는 연결덕트(13)와, 외기나 순환 공기의 온도와 습도를 조절하는 조절부(30)와, 외기나 순환 공기에 포함된 분진과 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하는 필터부(20)와; 공기를 강제로 순환시키는 송풍팬(60)으로 이루어진다.As shown in FIG. 2, the air conditioner system 1 for semiconductors according to an exemplary embodiment of the present invention includes an induction duct 11 through which circulating air is introduced during external air or a semiconductor process, and air in which contaminants are removed is a semiconductor process. The supply duct 13 to be supplied, the control unit 30 for controlling the temperature and humidity of the outside air or circulating air, the filter unit 20 for removing contaminants on the dust and ions molecules contained in the outside air or circulating air and ; Blower fan 60 for circulating air forcibly.

상기 조절부(30)는 인입되는 공기를 냉각하여 공기 중에 포함된 수증기를 제거하는 냉각기(31)와, 냉각된 공기를 반도체 공정에 적합한 온도로 가열하는 가열기(33)와, 상기 가열된 공기에 수증기를 공급하여 소정 범위의 습도를 유지하게 하는 가습기(35)로 이루어지며, 이에 더하여 제습기(도시하지 않음)를 구비하는 것도 가능하다. 도 2에는 필터부(20) 후방으로 설치되는 조절부(30)를 도시하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며 상기 조절부(30) 전체가 필터부(20) 전방으로 설치되는 것도 가능하며, 조절부(30)를 이루는 구성들의 일부는 필터부(20) 전방으로, 일부는 필터부(20) 후방으로 설치되는 것도 가능하며, 필터부(20)를 이루는 구성 사이에 설치되는 것도 가능하다.
The control unit 30 is a cooler 31 for cooling the incoming air to remove water vapor contained in the air, a heater 33 for heating the cooled air to a temperature suitable for the semiconductor process, and the heated air It consists of a humidifier 35 which supplies water vapor to maintain humidity in a predetermined range, and in addition, it is possible to have a dehumidifier (not shown). 2 shows an adjusting unit 30 installed to the rear of the filter unit 20, but the present invention is not limited thereto, and the entire adjusting unit 30 may be installed to the front of the filter unit 20. Some of the components constituting the 30 may be provided at the front of the filter unit 20, some may be installed at the rear of the filter unit 20, or may be installed between the components constituting the filter unit 20.

*상기 필터부(20)는 공기 중에 포함되는 분진 등 미세한 먼지를 제거하는 프리필터(21) 및 미디엄필터(23)와, 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하는 케미컬필터(25)로 이루어진다. 상기 케미컬필터(25)를 이루는 필터미디엄(도시하지 않음)은 종래 기술에 기재된 바와 같이 반도체 공정에서 배출되는 다양한 종류의 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하기 위하여 다층으로 적층되는 구조로 하는 것이 바람직하다. The filter unit 20 includes a prefilter 21 and a medium filter 23 for removing fine dust such as dust contained in air, and a chemical filter 25 for removing contaminants on ionic molecules. The filter medium (not shown) constituting the chemical filter 25 is preferably laminated in a multilayer structure in order to remove contaminants on various kinds of ionic molecules discharged from a semiconductor process as described in the prior art.

상기 필터부(20)는 이에 더하여 케미컬필터(25)의 전방 또는 후방에 NOX필터(27)를 구비한다. 상기 NOX필터(27)는 알루미늄과 같은 금속 망체, 폴리에틸렌 망체, 부직포 또는 폴리우레탄 폼(Foam)에 음이온교환수지 및/또는 양이온교환수지를 접착제로 부착하여 층상으로 형성한 미디엄으로 이루어진다. 상기 미디엄을 하나의 층으로 형성할 수 있으나 도 4에 도시된 바와 같이 다층으로 형성하는 것도 가능하다.In addition, the filter unit 20 includes a NOX filter 27 in front of or behind the chemical filter 25. The NOx filter 27 is formed of a medium formed by attaching an anion exchange resin and / or a cation exchange resin to a metal mesh such as aluminum, a polyethylene mesh, a nonwoven fabric or a polyurethane foam with an adhesive. The medium may be formed in one layer, but may be formed in multiple layers as shown in FIG. 4.

다층으로 형성함에 있어서 공기가 유입되는 방향으로부터 음이온교환수지로 이루어진 미디엄층을 형성하고, 음이온교환수지 미디엄층 후방으로 양이온교환수지 미디엄층을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 음이온교환수지 미디엄층은 질소산화물을 제거하는 작용을 하며, 양이온교환수지 미디엄층은 악취를 제거하는 작용을 한다. In forming a multilayer, it is preferable to form the medium layer which consists of anion exchange resin from the direction which air flows in, and to form the cation exchange resin medium layer behind the anion exchange resin medium layer. The anion exchange resin medium layer serves to remove nitrogen oxides, and the cation exchange resin medium layer serves to remove odors.

도 4에 도시된 바와 같이 공기가 유입되는 방향으로부터 음이온교환수지로 이루어진 3개 층의 미디엄층(27-1, 27-2, 27-3)과 양이온교환수지로 형성된 2개 층의 미디엄층(27-4, 27-5)으로 이루어지는 NOX필터(27)로 하는 것도 가능하다. As shown in FIG. 4, three layers of medium layers 27-1, 27-2, and 27-3 made of anion exchange resin and two layers of cation exchange resin are formed from the direction in which air is introduced. It is also possible to set it as the NOx filter 27 which consists of 27-4 and 27-5.

도 3은 도 4에 도시된 바와 같은 NOX필터(27)를 도 2에 도시된 바와 같이 케미컬필터(25) 후방에 설치하고 공기 내에 포함된 질소산화물 제거 효율을 측정한 실험 결과이다. 실험에 있어서 샘플링 시간을 1,290분으로, 샘플링 유량을 2ℓ/분으로 하여 NOX필터(27) 전방(도 2의 'A'부)과 후방(도 2의 'B'부)에서 유동하는 공기 중에 포함된 NO2, NO3의 농도를 측정하였다. NOX필터(27) 전방인 케미컬필터(25)를 통과한 공기 중에 포함된 NO2, NO3의 농도는 각각 43.9ppb와 27.1ppb이었으며, 상기 공기가 NOX필터(27)를 통과한 후인 NOX필터(27)의 후방에서 NO2, NO3의 농도는 각각 4.1ppb와 9.5ppb로 감소하였으며, 따라서 NO2에 대한 NOX필터(27)의 제거 효율은 90.7％이며, NO3에 대한 NOX필터(27)의 제거 효율은 65.1％이었다.3 is an experimental result of measuring the removal efficiency of nitrogen oxide contained in the air after installing the NOx filter 27 as shown in FIG. 4 behind the chemical filter 25 as shown in FIG. In the experiment, the sampling time was 1,290 minutes and the sampling flow rate was 2 L / min, which was included in the air flowing in front of the NOX filter 27 (the 'A' part of FIG. 2) and the rear (the 'B' part of FIG. 2). The concentrations of NO 2 and NO 3 were measured. The concentrations of NO 2 and NO 3 contained in the air passing through the chemical filter 25 in front of the NOX filter 27 were 43.9 ppb and 27.1 ppb, respectively. The NOX filter (after the air passed through the NOX filter 27) 27), the concentrations of NO 2 and NO 3 were reduced to 4.1 ppb and 9.5 ppb, respectively. Therefore, the removal efficiency of the NO x filter 27 for NO 2 was 90.7%, and the NO x filter 27 for NO 3 . Removal efficiency was 65.1%.

상기 실험 결과에서 알 수 있는 바와 같이 질소 산화물 제거 성능을 구비하는 케미컬필터(25)를 통과한 공기 중에는 다량의 질소 산화물이 포함되며, 상기와 같은 현상은 공기 중에 포함되는 NO2를 NO로 변환하면서 케미컬필터(25)의 성능이 급격히 저하되므로 케미컬필터(25)를 설치한 후 시간이 경과할수록 증가하였다. 따라서 요구되는 수준의 질소산화물 제거를 위해서는 케미컬필터(25)가 다른 이온 분자 상의 오염 물질의 제거 성능을 구비하는 경우에도 케미컬필터(25) 전체를 교환하여야 하였었다. 그러나 상기 케미컬필터(25) 전방 또는 후방으로 독립적인 NOX필터(27)를 구비하여 질소산화물을 충분한 정도로 제거함으로써 케미컬필터(25)의 교체 주기를 연장할 수 있게 된다.As can be seen from the above experimental results, a large amount of nitrogen oxide is contained in the air passing through the chemical filter 25 having the nitrogen oxide removal performance, and the above phenomenon is performed by converting NO 2 contained in the air into NO. Since the performance of the chemical filter 25 is drastically degraded, it increased as time passed after the chemical filter 25 was installed. Therefore, in order to remove nitrogen oxide at the required level, even when the chemical filter 25 had a capability of removing contaminants on other ionic molecules, the entire chemical filter 25 had to be replaced. However, the NOx filter 27 may be provided in front of or behind the chemical filter 25 to remove nitrogen oxide to a sufficient extent, thereby extending the replacement cycle of the chemical filter 25.

상기에 본 발명에 따르는 반도체용 공조기 시스템(1)의 NOX(27) 필터는 활성탄이나 실리카, 알루미나, 알루미나 실리케이트, 제올라이드 등에 Ag를 첨착시킨 Ag흡착제를 더 구비하는 것도 가능하다.The NOX 27 filter of the air conditioner system 1 for semiconductors which concerns on this invention can further be equipped with Ag adsorption agent in which Ag was affixed to activated carbon, a silica, an alumina, an alumina silicate, a zeolite.

상기와 같이 Ag흡착제를 더 구비함으로써 유해균에 직접 작용하여, 유해균의 세포막을 직접 녹이고, 유해균의 전자 전달계를 방해해서 제균을 하는 즉, 유해균의 세포막을 녹여서 세포 내의 효소와 작용하여 영양 물질의 대사기능, 즉 영양물질 유입 및 배출을 차단하고 유해균의 호흡기능을 막아 세포내 APT 생성을 막아 유해균의 생육 정지 및 재생능력을 파괴하여 유해균을 사멸키는 작용을 하게 되어 유해 가스와 함께 유해 세균도 제거할 수 있게 된다. As described above, Ag adsorbent is further provided to directly act on harmful bacteria, to directly dissolve the cell membranes of harmful bacteria, to disinfect by interfering with the electron transfer system of harmful bacteria, that is, to dissolve the cell membranes of harmful bacteria and act as enzymes in the cells to metabolize nutrients. In other words, it blocks the influx and discharge of nutrients and prevents the respiratory function of harmful bacteria to prevent the generation of intracellular APT, destroying the growth and regeneration ability of harmful bacteria, and killing harmful bacteria. It becomes possible.

한편, 상기 본 발명에 따르는 반도체용 공조기 시스템(1)은 필요에 따라서 상기 필터부(20)에 헤파필터(HEPA Filter), ULPA필터, 백필터(Bag Filter)를 더 포함하여 구성하는 것도 가능하다. Meanwhile, the semiconductor air conditioner system 1 according to the present invention may further include a HEPA filter, an ULPA filter, and a bag filter in the filter unit 20 as necessary. .

그리고 제작 방법에 있어서 NOX필터(27)는 필터 박스에 V-베드 형태로 조합하여 이루어지는 것도 가능하며, 상기 미디엄층을 절곡하여 이루어지는 것도 가능하다. In the manufacturing method, the NOx filter 27 may be formed by combining the filter box in the form of a V-bed, or may be formed by bending the medium layer.

도 4에서 화살표는 공기의 흐름 방향을 도시한 것이다.
The arrow in FIG. 4 shows the flow direction of air.

본 발명을 도면을 참조하여 실시 예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 보호 범위는 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위는 본 발명의 보호 범위에 속하는 것으로 해석하여야 한다. Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, the protection scope of the present invention is not limited thereto, and the scope obvious to those skilled in the art to which the present invention pertains is within the protection scope of the present invention. Should be interpreted as belonging.

1 : 공조기 시스템 11 : 유입덕트
13 : 연결덕트 20 : 필터부
27 : NOX필터 30 : 조절부
60 : 송풍팬1: air conditioner system 11: inlet duct
13: connection duct 20: filter part
27: NOX filter 30: control unit
60: blower fan

Claims (5)

외기 또는 반도체 공정 중의 순환 공기가 인입되는 인입덕트(11)와; 오염 물질이 제거된 공기가 반도체 공정으로 공급되는 연결덕트(13)와; 냉각기(31), 가열기(33), 가습기(35)로 이루어져 외기나 순환 공기의 온도와 습도를 조절하는 조절부(30)와; 프리필터(21), 케미컬필터(25)로 이루어져 외기나 순환 공기에 포함된 분진과 이온 분자 상의 오염 물질을 제거하는 필터부(20)와; 공기를 강제로 순환시키는 송풍팬(60)을 포함하여 구성되는 반도체 공정용 공조기 시스템(1)에 있어서,
상기 필터부(20)는 케미컬필터(25)의 전방 또는 후방에 하나 이상의 음이온교환수지층(27-1)으로 이루어져 질소 산화물을 흡착하는 NOX필터(27)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 공조기 시스템(1).An inlet duct 11 through which circulating air is introduced during external air or a semiconductor process; A connection duct 13 through which air from which contaminants have been removed is supplied to a semiconductor process; Cooling unit 31, the heater 33, the humidifier 35 is composed of a control unit 30 for controlling the temperature and humidity of the outside air or circulating air; A filter unit 20 consisting of a pre-filter 21 and a chemical filter 25 to remove contaminants on dust and ionic molecules contained in outside air or circulating air; In the air conditioner system 1 for a semiconductor process comprised including the blowing fan 60 which circulates air forcibly,
The filter unit 20 is a semiconductor process characterized in that it further comprises a NOx filter 27 made of one or more anion exchange resin layer (27-1) in front or rear of the chemical filter 25 to adsorb nitrogen oxides. Air conditioner system (1). 제1 항에 있어서, 상기 NOX필터(27)는 하나 이상의 양이온교환수지층(27-4)을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 공조기 시스템(1).The air conditioning system (1) according to claim 1, wherein the NOx filter (27) further comprises at least one cation exchange resin layer (27-4). 제2 항에 있어서, 상기 NOX필터(27)의 음이온교환층 및/또는 양이온교환층은 양이온교환수지 및/또는 음이온교환수지를 알루미늄 망체, 폴리에틸렌 망체, 부직포 또는 폴리우레탄 폼에 부착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 공조기 시스템(1).The anion exchange layer and / or cation exchange layer of the NOx filter 27 is formed by attaching a cation exchange resin and / or an anion exchange resin to an aluminum mesh, a polyethylene network, a nonwoven fabric or a polyurethane foam. An air conditioning system (1) for semiconductor processing. 제2 항에 있어서, 상기 NOX필터(27)는 3개 층의 음이온교환수지층(27-1, 27-2, 27-3)과 2개 층의 양이온교환수지층(27-4, 27-5)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 공조기 시스템(1).3. The NOX filter (27) according to claim 2, wherein the NOx filter (27) comprises three layers of anion exchange resin layers (27-1, 27-2, 27-3) and two layers of cation exchange resin layers (27-4, 27-). 5) An air conditioning system (1) for semiconductor processing. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 NOX필터(27)는 Ag가 첨착된 Ag흡착제를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 공조기 시스템(1).The air conditioning system (1) according to any one of claims 1 to 4, wherein the NOx filter (27) further comprises an Ag adsorbent to which Ag is attached.
KR1020120051671A 2012-05-15 2012-05-15 Refrigerator system for semiconductor process KR20120068793A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120051671A KR20120068793A (en) 2012-05-15 2012-05-15 Refrigerator system for semiconductor process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120051671A KR20120068793A (en) 2012-05-15 2012-05-15 Refrigerator system for semiconductor process

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060007481A Division KR101168096B1 (en) 2006-01-24 2006-01-24 Refrigerator System for Semiconductor Process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120068793A true KR20120068793A (en) 2012-06-27

Family

ID=46687311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120051671A KR20120068793A (en) 2012-05-15 2012-05-15 Refrigerator system for semiconductor process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120068793A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210187431A1 (en) Method and system for improved-efficiency air-conditioning
US11608998B2 (en) Air handling system with integrated air treatment
US10281168B2 (en) Method and system for conditioning air in an enclosed environment with distributed air circulation systems
KR100197900B1 (en) Air-condition system using clean room of semiconductor
JP2013526697A (en) Method and system for improved efficiency air conditioning
CN107138023B (en) Absorption type removing/concentrating device
KR20190107104A (en) Apparatus for purifying CO2-filled air in the cabin of a car in recirculation-air mode by an adsorption device
US20230015857A1 (en) Method to reduce both vocs and co2 in living and working spaces
JP2011247566A (en) Desiccant air conditioner
EP3455559B1 (en) Air treatment system for managing the condition of air in an enclosed environment
CN101571307B (en) Ultra-pure air filtering and purifying system, and air filtering method and air purifying method
KR101168096B1 (en) Refrigerator System for Semiconductor Process
KR20120068793A (en) Refrigerator system for semiconductor process
KR20110115193A (en) Multiple purpose heat storage type ventilating apparatus
KR100789555B1 (en) Air conditioning apparatus and air conditioning method for air purification
JP4873950B2 (en) Automotive air purification system
JP2010075791A (en) Chemical filter, and air-conditioning system having the same
JP2003210926A (en) Chemical filter unit and air cleaning system
KR100768044B1 (en) Cleaning and air conditioning system of circulating air
KR20200027599A (en) Heat recovery ventilators

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application