KR20120068381A - Method for protecting electron device about temperature effect, and apparatus applied to the same - Google Patents

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KR20120068381A
KR20120068381A KR1020100129985A KR20100129985A KR20120068381A KR 20120068381 A KR20120068381 A KR 20120068381A KR 1020100129985 A KR1020100129985 A KR 1020100129985A KR 20100129985 A KR20100129985 A KR 20100129985A KR 20120068381 A KR20120068381 A KR 20120068381A
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Abstract

PURPOSE: An electronic device protection method with respect to a temperature influence and an apparatus using the same are provided to determine excess of heat generation using a circuit configuration including a temperature sensing resistor. CONSTITUTION: A temperature sensing resistor(100) detects excessive heat generation with respect to a predetermined electronic device formed on a circuit board. The temperature sensing resistor is mounted on a predetermined surrounding region of the electronic device. A resistance value is created according to a reaction result from the temperature sensing resistor due to heat generation of the electronic device. A circuit receives voltage according to the resistance value. The electronic device which is a heat generation monitoring target is corresponded to the most of devices operated by the voltage.

Description

온도영향에 대한 전자소자 보호 방법 및 이에 적용되는 장치{METHOD FOR PROTECTING ELECTRON DEVICE ABOUT TEMPERATURE EFFECT, AND APPARATUS APPLIED TO THE SAME}METHOD FOR PROTECTING ELECTRON DEVICE ABOUT TEMPERATURE EFFECT, AND APPARATUS APPLIED TO THE SAME}

본 발명은 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법 및 이에 적용되는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor) 등과 같은 온도감지 레지스터를 이용한 회로 구성을 통해 회로 기판에 구비된 소정의 전자소자의 온도를 감지하여 지정된 온도 이상의 발열시 이를 보호하기 위한 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법 및 이에 적용되는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for protecting an electronic device against temperature effects and a device applied thereto, and more particularly, using a temperature sensing resistor such as a positive temperature thermistor or a negative temperature coefficient thermistor. The present invention relates to a method for protecting an electronic device against a temperature effect for detecting a temperature of a predetermined electronic device provided on a circuit board through a circuit configuration and protecting it when heat is generated above a specified temperature, and a device applied thereto.

일반적으로, 자동차의 전장 제어 부분에서 활용되는 회로 구성 중에서 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor) 등과 같은 전자소자에 부하가 소요 이상으로 커지면 기준치 이상으로 과잉 발열하여 열폭주하기에 이르는 경우가 있다.In general, when the load of an electronic device such as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), such as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), becomes excessively necessary, an excessive heat generation beyond the reference value leads to thermal runaway. There is a case.

이에, 이러한 과열을 방지하기 위한 회로 구성을 요하게 되는데, 종래에는 온도센서를 내장한 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor) 등과 같은 전자소자를 이용하여 회로를 구성하였다.Accordingly, a circuit configuration for preventing such overheating is required. In the related art, a circuit is constructed using an electronic device such as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) having a temperature sensor.

따라서, 종래의 회로 구성에 의한 경우에는 과열 방지 회로를 구비하는 데에 부품단가가 높을 수밖에 없었고, 회로 구성상으로 볼 때도 확정된 온도 기준치로 동작하는 온도센서를 구비함에 따라 온도 설정을 가변할 수가 없으므로 회로 주변의 다양한 환경요인을 능동적으로 반영할 수 없는 문제점이 있었다.Therefore, in the case of the conventional circuit configuration, the unit cost is high in order to provide the overheat protection circuit, and the temperature setting can be varied by providing a temperature sensor operating at a determined temperature reference value in view of the circuit configuration. Therefore, there was a problem that can not actively reflect the various environmental factors around the circuit.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점들을 해결하기 위해 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor) 등과 같은 온도감지 레지스터를 이용한 회로 구성을 통해 회로 기판에 구비된 소정의 전자소자의 온도를 감지하여 지정된 온도 이상의 발열시 이를 보호하기 위한 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법 및 이에 적용되는 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a circuit configuration using a temperature sensing register such as a positive temperature thermistor or a negative temperature coefficient thermistor. The present invention provides a method for protecting an electronic device against a temperature effect for sensing a temperature of a predetermined electronic device provided on a circuit board and protecting it when heating above a specified temperature, and an apparatus applied thereto.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 관점에 따른 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법은, 온도감지 레지스터가, 전자소자의 입력단 및 출력단 중 적어도 하나에 실장되는 단계, 상기 전자소자에 분배되는 전압으로 인하여 상기 전자소자의 발열이 이루어지면 상기 전자소자의 주변 온도를 감지하는 단계, 상기 주변 온도를 감지한 것에 대한 반응으로 상응하는 저항값을 형성하는 단계, 상기 저항값을 구비된 회로 패턴을 경유해 회로 제어장치에 전달하는 단계, 상기 회로 제어장치가, 상기 저항값으로 판별되는 발열 온도와 기 설정되어 있는 임계 온도를 비교하는 단계, 상기 발열 온도가 상기 임계 온도를 초과하는지에 대한 비교 결과에 따라 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부를 결정하는 단계 및 결정한 결과에 의해 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부에 대한 스위칭 절환을 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for protecting an electronic device against a temperature influence, the temperature sensing resistor being mounted on at least one of an input terminal and an output terminal of an electronic device, and the voltage distributed to the electronic device. Therefore, when the electronic device generates heat, sensing the ambient temperature of the electronic device, forming a corresponding resistance value in response to detecting the ambient temperature, and passing the circuit pattern having the resistance value. The step of transmitting to the circuit control device, the circuit controller compares the heating temperature determined by the resistance value with a predetermined threshold temperature, the comparison result of whether the heating temperature exceeds the threshold temperature Determining whether or not to provide a voltage applied to the electronic device according to the Characterized in that it comprises applying to run the switching switch for the availability of the voltage.

바람직하게는, 상기 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법은, 상기 회로 제어장치에서 상기 임계 온도를 가변 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the electronic device protection method against the temperature influence further comprises the step of variably setting the threshold temperature in the circuit control device.

바람직하게는, 상기 온도감지 레지스터는, 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)로 구비되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the temperature sensing resistor is characterized in that it is provided as a positive temperature thermistor (Positive Temperature Coefficient Thermistor) or a negative temperature thermistor (Negative Temperature Coefficient Thermistor).

바람직하게는, 상기 전자소자는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the electronic device includes a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

바람직하게는, 상기 전자소자가 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)로 구비되는 경우, 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 드레인 부분에 상기 온도감지 레지스터를 연결하는 것을 특징으로 한다.Preferably, when the electronic device is provided with the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the temperature sensing is performed at a drain portion of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). It is characterized by connecting the register.

그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 관점에 따른 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치는, 전자소자의 입력단 및 출력단 중 적어도 하나에 마련되어 상기 전자소자에 분배되는 전압으로 인하여 상기 전자소자의 발열이 이루어지면 상기 전자소자의 주변 온도를 감지하고, 상기 주변 온도를 감지한 것에 대한 반응으로 상응하는 저항값을 형성하는 온도감지 레지스터부, 상기 저항값을 기 구비된 회로 패턴을 경유해 제공받은 후 상기 저항값으로 판별되는 발열 온도와 기 설정되어 있는 임계 온도를 비교하고, 상기 발열 온도가 상기 임계 온도를 초과하는지에 대한 비교 결과에 따라 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부를 결정하는 회로 제어장치부 및 상기 회로 제어장치에서 결정한 결과에 의해 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부에 대한 스위칭 절환을 실행하는 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the electronic device protection circuit device for the temperature effect according to the second aspect of the present invention for achieving the above object, provided in at least one of the input terminal and the output terminal of the electronic device due to the voltage distributed to the electronic device When the heat is generated to sense the ambient temperature of the electronic device, and a temperature sensing register unit for forming a corresponding resistance value in response to the sensing of the ambient temperature, the resistance value provided through a circuit pattern provided After receiving, comparing the heating temperature determined by the resistance value with a predetermined threshold temperature, and determines whether to provide a voltage applied to the electronic device according to the comparison result of whether the heating temperature exceeds the threshold temperature The electric power applied to the electronic device by the circuit controller and the result determined by the circuit controller. It characterized in that it comprises a switching unit for performing a switching switching for whether or not to provide a pressure.

바람직하게는, 상기 회로 제어장치부는, 상기 임계 온도를 가변 설정하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the circuit control unit is characterized in that the threshold temperature variable setting.

바람직하게는, 상기 온도감지 레지스터부는, 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the temperature sensing register unit includes a positive temperature coefficient thermistor or a negative temperature coefficient thermistor.

바람직하게는, 상기 전자소자는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the electronic device includes a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

바람직하게는, 상기 전자소자가 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)로 구비되는 경우, 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 드레인 부분에 상기 온도감지 레지스터부를 연결하는 것을 특징으로 한다.Preferably, when the electronic device is provided with the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the temperature sensing is performed at a drain portion of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). It is characterized by connecting the register unit.

따라서, 본 발명에서는 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor) 등과 같은 온도감지 레지스터를 이용한 회로 구성을 통해 회로 기판에 구비된 소정의 전자소자의 온도를 감지하여 지정된 온도 이상의 발열시 이를 보호할 수 있도록 함으로써, 과열 방지 회로를 구현하는데에 부품단가를 낮출 수 있으며, 발열의 과잉을 판단할 임계 온도를 용이하게 가변할 수 있으므로 회로 구성의 운용을 보다 효율적으로 할 수 있는 이점이 있다.Accordingly, in the present invention, the temperature of a predetermined electronic device provided on the circuit board is sensed through a circuit configuration using a temperature sensing resistor such as a positive temperature thermistor or a negative temperature thermistor. By protecting it in case of overheating, it is possible to reduce the unit cost in implementing the overheat prevention circuit, and to easily change the threshold temperature for judging the excess of heat. There is an advantage to that.

도 1은 본 발명에 의한 과열방지 회로 구성을 일실시 예로 나타내는 개념도,
도 2는 본 발명에 의한 과열방지 회로 구성 중 온도감지 레지스터에 대한 회로 연결을 일실시 예로 나타내는 회로도 및
도 3은 본 발명에 의한 과열방지 회로 구성 중 온도감지 레지스터에 대한 회로 연결을 다른 실시 예로 나타내는 회로도이다.1 is a conceptual diagram showing an overheat prevention circuit configuration according to an embodiment of the present invention;
2 is a circuit diagram illustrating a circuit connection to a temperature sensing resistor in an overheat prevention circuit configuration according to an embodiment of the present invention;
3 is a circuit diagram illustrating another example of a circuit connection to a temperature sensing resistor in the overheat prevention circuit configuration according to the present invention.

이하, 첨부도면들을 참조하여 본 발명에 따른 과열방지 회로 구성의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the overheat prevention circuit configuration according to the present invention with reference to the accompanying drawings in more detail.

도 1은 본 발명에 의한 과열방지 회로 구성을 일실시 예로 나타내는 개념도이다. 도 1에 단지 예로써 도시된 바와 같이, 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치는 회로 기판상에 구비되어 있는 소정의 전자소자에 대한 과잉 발열을 감지하기 위한 온도감지 레지스터(100)를 전자소장의 주변 일정 영역에 실장함에 따라, 온도감지 레지스터(100)로부터 전자소자의 발열로 인한 반응 결과로 형성되는 저항값을 전달받아 해당 회로 상에 전압 제공 여부를 스위칭하는 구조로 이루어진다.1 is a conceptual view showing an overheat prevention circuit configuration according to an embodiment of the present invention. As shown by way of example only in FIG. 1, an electronic device protection circuit device against temperature influences includes a temperature sensing register 100 for detecting excessive heat generation for a predetermined electronic device provided on a circuit board. As it is mounted in a peripheral area, the resistance value formed as a result of the reaction caused by the heat generation of the electronic device is received from the temperature sensing register 100 and is configured to switch whether or not to provide a voltage on the circuit.

여기서, 발열 여부의 감시 대상이 되는 전자소자라 함은 인가되는 전압을 분배받아 동작하는 대부분의 소자들이 해당되는 것이며, 일례로 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 들 수 있다.Herein, the electronic device to be monitored whether heat is generated corresponds to most devices that operate by receiving an applied voltage, and an example may be a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). .

이하에서는 전자소자를 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)인 것으로 하여 상세 설명하기로 한다.Hereinafter, the electronic device will be described in detail as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

더 나아가, 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치의 구체적인 구성은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor) 중 적어도 하나 이상에 마련되어 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)에 분배되는 전압으로 인하여 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 발열이 이루어지면 이에 대해 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 주변 온도를 감지한 후 감지한 주변 온도에 대한 반응으로 상응하는 저항값을 형성하는 온도감지 레지스터부, 온도감지 레지스터부로부터 기 구비된 회로 패턴을 경유해 저항값을 전달받은 후 전달받은 저항값으로 판별되는 발열 온도와 기 설정된 임계 온도를 비교하고 비교한 결과(즉, 발열 온도가 임계 온도를 초과하는지에 대한 결과)에 따라 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)에 인가되는 전압의 제공을 결정하는 회로 제어장치부, 및 회로 제어장치부로부터 전압 제공 여부에 대한 제어 신호를 제공받아 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)에 인가되는 전압에 대한 스위칭 온/오프를 실행하는 스위칭부를 포함한다.Furthermore, the specific configuration of the electronic device protection circuit device against the temperature effect is provided in at least one or more of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) MOS field effect transistor (MOSFET). When the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) generates heat due to the voltage distributed to it, the ambient temperature of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is detected and then detected. A heat sensing temperature and a predetermined threshold determined by the resistance value received after receiving the resistance value through a circuit pattern provided from the temperature sensing register portion and the temperature sensing register portion forming a corresponding resistance value in response to the ambient temperature. Compare and compare temperature (i.e. exothermic temperature is Circuit control unit for determining the supply of the voltage applied to the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), and control of whether or not the voltage is supplied from the circuit control unit according to the result And a switching unit configured to receive a signal and perform switching on / off for a voltage applied to a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

여기서, 스위칭부는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)에 대한 전압 여부 제공만을 스위칭하도록 구현될 수도 있겠으나, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 전자회로에 대해 스위칭 절환하도록 구현되는 것도 가능한 구성이다.Here, the switching unit may be implemented to switch only whether to provide a voltage for the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the electron including a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). It is also possible to implement to switch switching for the circuit.

또한, 회로 제어장치부는 사용자로 하여금 임계 온도를 가변 설정할 수 있도록 함으로써, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 전자 회로 상에 적합한 과열 상태를 때에 따라 능동적으로 조절할 수 있다.In addition, by allowing the user to variably set the threshold temperature, the circuit controller may actively adjust a suitable overheating state on an electronic circuit including a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) at any time. .

이러한 구성으로 인하여, 발열의 과잉을 판단할 임계 온도를 용이하게 가변할 수 있으므로 회로 구성의 운용을 보다 효율적으로 할 수 있다 할 것이다.Due to such a configuration, it is possible to easily vary the threshold temperature for determining the excess of heat generation, thereby making it possible to operate the circuit configuration more efficiently.

도 2는 본 발명에 의한 과열방지 회로 구성 중 온도감지 레지스터(100)에 대한 회로 연결을 일실시 예로 나타내는 회로도이다. 먼저, 온도감지 레지스터부는 레지스터부는 온도 상승과 함께 저항값이 감소하는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor) 또는 이와 반대로 온도의 상승과 함께 저항값이 증가하는 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor)를 포함할 수 있다.2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit connection to the temperature sensing register 100 in the overheat prevention circuit configuration according to the present invention. First, the temperature sensing resistor unit includes a negative temperature coefficient thermistor whose resistance decreases with increasing temperature or a positive temperature thermistor whose resistance increases with increasing temperature. can do.

금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)과 온도감지 레지스터부 간의 회로 연결을 일례로 설명하면, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 드레인 부분에 온도감지 레지스터부가 구비되는 것이 가능하다.As an example, a circuit connection between a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a temperature sensing resistor portion is described. The temperature sensing resistor portion is formed at a drain of a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). It is possible to be provided.

이 경우, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 게이트 부분에 바이어스가 이루어지면 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 소스 부분과 드레인 부분 간의 채널이 형성되어 전류가 소스 부분에서 드레인 부분으로 흐르게 됩니다In this case, when a bias is applied to the gate portion of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), a channel is formed between the source portion and the drain portion of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Current flows from the source to the drain.

또한, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 경우에는 드레인 부분을 방열판을 사용하게 되는데, 이를 이용해 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 드레인 부분에 온도감지 레지스터부를 구현하게 된다.In addition, in the case of a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), a heat sink is used as the drain portion, and the temperature sensing is sensed at the drain portion of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The register part is implemented.

이와 같이, 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor) 또는 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor)를 포함하여 이루어지는 온도감지 레지스터부에서 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)에 대한 온도 상승을 감지하게 되면, 이에 상응하는 저항값을 형성해 회로 연결된 소정 패턴을 경유해 회로 제어장치에 전달하게 된다.In this way, the temperature rise of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) in the temperature sensing register portion including a negative temperature coefficient (positive temperature coefficient coefficient) or positive temperature coefficient thermistor (Positive Temperature Coefficient Thermistor) Upon detection, a corresponding resistance value is formed and transmitted to the circuit control device via a predetermined circuit connected circuit.

이후로, 회로 제어장치는 온도감지 레지스터부로부터 전달된 저항값으로 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 발열 온도를 판별한 후, 판별한 발열 온도의 과잉을 추가적으로 판단하기 위해 기 설정된 임계 온도와 비교하게 된다.Subsequently, the circuit controller determines the heat generation temperature of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) using the resistance value transmitted from the temperature sensing register unit, and then further determines the excess of the determined heat generation temperature. The temperature is compared with a preset threshold temperature.

이에, 발열 온도가 임계 온도를 초과하는 경우, 회로 제어장치는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 회로 영역에 대해 전압 제공을 차단하는 제어 신호를 형성한다.Accordingly, when the heat generation temperature exceeds the threshold temperature, the circuit controller forms a control signal for blocking voltage supply to a circuit region including a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

회로 제어장치로부터 상기 차단을 위한 제어 신호를 제공받는 스위칭부는 제어 신호에 따른 동작을 실행하여 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 회로 영역에 대한 전압 제공을 차단하는 스위칭 절환을 실행한다.A switching unit that receives a control signal for blocking the circuit from the circuit controller performs an operation according to the control signal to switch off voltage supply to a circuit region including a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Execute the switch.

반대로, 발열 온도가 임계 온도를 초과하지 않는 경우, 회로 제어장치는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 회로 영역에 대한 전압 제공을 유지하게 된다.On the contrary, when the heating temperature does not exceed the threshold temperature, the circuit controller maintains the voltage supply to the circuit region including the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

도 3은 본 발명에 의한 과열방지 회로 구성 중 온도감지 레지스터(100)에 대한 회로 연결을 다른 실시 예로 나타내는 회로도이다. 도 3에 단지 예로써 도시된 바와 같이, 본 발명의 과열방지 회로는 H-브리지 회로 등에도 구비되는 것이 가능하다.3 is a circuit diagram illustrating a circuit connection to the temperature sensing resistor 100 in another embodiment of the overheat protection circuit according to the present invention. As shown by way of example only in Fig. 3, the overheat protection circuit of the present invention can also be provided in the H-bridge circuit or the like.

이와 같이, H-브리지 회로에 과열방지 회로가 구비되는 경우에는 두 개의 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 동시에 보호하는 기능이 실현될 수 있다.As such, when the H-bridge circuit is provided with an overheat protection circuit, a function of simultaneously protecting two metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) can be realized.

즉, 도 3에 도시된 'LOAD' 부분에 구비된 온도감지 레지스터부는 드레인 부분을 공유하고 있는 두 개의 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)에 대한 발열 온도를 동일한 지점에서 측정하는 것이 가능하다.That is, the temperature sensing resistor unit included in the 'LOAD' portion shown in FIG. 3 measures the exothermic temperature of two metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) sharing the drain portion at the same point. It is possible.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

또한, 본 발명은 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor) 등과 같은 온도감지 레지스터(100)를 이용한 회로 구성을 통해 회로 기판에 구비된 소정의 전자소자의 온도를 감지하여 지정된 온도 이상의 발열시 이를 보호하기 위한 것임에 따라, 시판 또는 영업의 가능성이 충분할 뿐만 아니라 현실적으로 명백하게 실시할 수 있는 정도이므로 산업상 이용가능성이 있는 발명이다.In addition, the present invention provides the temperature of a predetermined electronic device provided on a circuit board through a circuit configuration using a temperature sensing resistor 100 such as a positive temperature thermistor or a negative temperature coefficient thermistor. As it is to detect and protect heat when the temperature is higher than a specified temperature, it is an invention that can be used industrially because it is not only sufficient for commercial sale or business, but also can be clearly implemented in reality.

100: 온도감지 레지스터100: temperature sensing resistor

Claims (10)

온도감지 레지스터가, 전자소자의 입력단 및 출력단 중 적어도 하나에 실장되는 단계;
상기 전자소자에 분배되는 전압으로 인하여 상기 전자소자의 발열이 이루어지면 상기 전자소자의 주변 온도를 감지하는 단계;
상기 주변 온도를 감지한 것에 대한 반응으로 상응하는 저항값을 형성하는 단계;
상기 저항값을 구비된 회로 패턴을 경유해 회로 제어장치에 전달하는 단계;
상기 회로 제어장치가, 상기 저항값으로 판별되는 발열 온도와 기 설정되어 있는 임계 온도를 비교하는 단계;
상기 발열 온도가 상기 임계 온도를 초과하는지에 대한 비교 결과에 따라 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부를 결정하는 단계; 및
결정한 결과에 의해 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부에 대한 스위칭 절환을 실행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법.Mounting the temperature sensing resistor on at least one of an input terminal and an output terminal of the electronic device;
Sensing ambient temperature of the electronic device when heat is generated by the electronic device due to the voltage distributed to the electronic device;
Forming a corresponding resistance value in response to sensing the ambient temperature;
Transmitting the resistance value to a circuit control device via a circuit pattern;
Comparing, by the circuit controller, a heating temperature determined by the resistance value with a predetermined threshold temperature;
Determining whether to provide a voltage applied to the electronic device according to a comparison result of whether the exothermic temperature exceeds the threshold temperature; And
And performing switching switching on whether to provide a voltage applied to the electronic device based on the determined result. 제1 항에 있어서,
상기 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법은, 상기 회로 제어장치에서 상기 임계 온도를 가변 설정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법.The method according to claim 1,
The electronic device protection method against the temperature influence further comprises the step of: variably setting the threshold temperature in the circuit control device. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 온도감지 레지스터는, 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)로 구비되는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법.The method according to claim 1 or 2,
The temperature sensing resistor is provided with a positive temperature thermistor (Positive Temperature Coefficient Thermistor) or a negative temperature (Negative Temperature Coefficient Thermistor). 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 전자소자는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법.The method according to claim 1 or 2,
The electronic device includes a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) characterized in that the electronic device protection method against temperature effects. 제4 항에 있어서,
상기 전자소자가 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)로 구비되는 경우, 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 드레인 부분에 상기 온도감지 레지스터를 연결하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호 방법.The method of claim 4, wherein
When the electronic device is provided with the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the temperature sensing resistor is connected to the drain portion of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Electronic device protection method against the temperature effect, characterized in that. 전자소자의 입력단 및 출력단 중 적어도 하나에 마련되어 상기 전자소자에 분배되는 전압으로 인하여 상기 전자소자의 발열이 이루어지면 상기 전자소자의 주변 온도를 감지하고, 상기 주변 온도를 감지한 것에 대한 반응으로 상응하는 저항값을 형성하는 온도감지 레지스터부;
상기 저항값을 기 구비된 회로 패턴을 경유해 제공받은 후 상기 저항값으로 판별되는 발열 온도와 기 설정되어 있는 임계 온도를 비교하고, 상기 발열 온도가 상기 임계 온도를 초과하는지에 대한 비교 결과에 따라 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부를 결정하는 회로 제어장치부; 및
상기 회로 제어장치에서 결정한 결과에 의해 상기 전자소자에 인가되는 전압의 제공 여부에 대한 스위칭 절환을 실행하는 스위칭부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치.When the heating of the electronic device is generated due to the voltage distributed to the electronic device and provided to at least one of an input terminal and an output terminal of the electronic device, the ambient temperature of the electronic device is detected, and the corresponding response is detected in response to the sensing of the ambient temperature. A temperature sensing register unit forming a resistance value;
After the resistance value is provided through a circuit pattern provided, the heating temperature determined by the resistance value is compared with a preset threshold temperature, and according to a comparison result of whether the heating temperature exceeds the threshold temperature. A circuit control unit determining whether or not to provide a voltage applied to the electronic device; And
And a switching unit for performing switching switching of whether or not to provide a voltage applied to the electronic device based on a result determined by the circuit control device. 제6 항에 있어서,
상기 회로 제어장치부는, 상기 임계 온도를 가변 설정하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치.The method of claim 6,
The circuit control unit, the electronic device protection circuit device against the temperature effect, characterized in that for setting the threshold temperature variably. 제6 항 또는 제7 항에 있어서,
상기 온도감지 레지스터부는, 정특성 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor) 또는 부특성 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치.The method according to claim 6 or 7,
The temperature sensing register unit includes a positive temperature coefficient thermistor (Positive Temperature Coefficient Thermistor) or a negative temperature coefficient (Negative Temperature Coefficient Thermistor). 제6 항 또는 제7 항에 있어서,
상기 전자소자는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치.The method according to claim 6 or 7,
The electronic device includes a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the electronic device protection circuit device against temperature effects. 제9 항에 있어서,
상기 전자소자가 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)로 구비되는 경우, 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET: MOS field effect transistor)의 드레인 부분에 상기 온도감지 레지스터부를 연결하는 것을 특징으로 하는 온도영향에 대한 전자소자 보호회로 장치.10. The method of claim 9,
When the electronic device is provided with the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the temperature sensing resistor unit is connected to a drain of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Electronic device protection circuit device for temperature effects, characterized in that.
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