KR20120063429A - Method of fabricating patterned retarder - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A patterned retarder manufacturing method is provided to reduce manufacturing costs by simplifying a manufacturing process. CONSTITUTION: A transparent substrate(210) is exposed to polarized UV light. First and second regions are defined on the transparent substrate. The substrate has anisotropic properties using a thermal process. A retarder material layer(220) is formed on the substrate. The UV light polarized in a first direction is projected to the first region of the retarder material layer. The UV light polarized in a second direction is projected to the second region. An anisotropic property is manifested inside the retarder material layer. First and second phase patterns(222,224) are alternatively formed.

Description

패턴드 리타더의 제조방법{Method of fabricating patterned retarder}Method of manufacturing a patterned retarder {Method of fabricating patterned retarder}

본 발명은 3D 디스플레이를 구성하는 구성요소인 패턴드 리타더에 관한 것으로, 특히 제조 공정 단순화를 구현한 패턴드 리타더의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a patterned retarder which is a component constituting a 3D display, and more particularly, to a method of manufacturing a patterned retarder that implements a simplified manufacturing process.

최근에는 입체성을 가져 더욱 실감있는 영상을 표현하기 위한 즉, 3D 영상 구현이 가능한 표시장치에 대한 사용자들의 요구가 증대됨으로써 이에 부응하여 3D 영상 표현이 가능한 표시장치가 개발되고 있다.Recently, as the users' demand for a display device capable of realizing a 3D image with a three-dimensional image is increased, a display device capable of expressing a 3D image has been developed in response to this.

일반적으로 3D를 표현하는 입체화상은 두 눈을 통한 스테레오 시각의 원리에 의하여 이루어지게 되며, 두 눈의 시차 즉, 두 눈이 약 65㎜정도 떨어져서 존재하기 때문에 나타나게 되는 양안시차(binocular disparity)를 이용하여 입체감 있는 영상을 보여줄 수 있는 3D 영상 구현 표시장치가 제안되었다. In general, stereoscopic images expressing 3D are made by the principle of stereo vision through two eyes, and use the parallax of two eyes, that is, binocular disparity that appears because the two eyes are about 65 mm apart. A 3D image display device capable of displaying a stereoscopic image has been proposed.

일반적인 3D 영상 구현 표시장치는 크게 화상을 표시하는 표시장치 일례로 액정표시장치와, 상기 액정표시장치의 외측면에 부착된 패턴드 리타더와, 상기 액정표시장치부터 상기 패턴드 리타더를 통과하여 나오는 화상을 선택적으로 투과시키는 것을 특징으로 하는 안경으로 구성되고 있다. A typical 3D image display device includes a liquid crystal display device, a patterned retarder attached to an outer surface of the liquid crystal display device, and a liquid crystal display device through the patterned retarder. It consists of spectacles which selectively transmit the image which comes out.

이때, 상기 패턴드 리타더는 액정표시장치로부터 나오는 2D 화상 중 좌안용 화상과 우안용 화상에 대해 서로 다른 위상 값을 갖도록 즉, 일례로 좌안용 화상에 대해서는 좌원편광 되도록 우안용 화상에 대해서는 우원편광 되도록 하는 역할을 하며, 이렇게 좌안용 화상과 우안용 화상에 대해 위상 값을 달리하도록 하기 위해서는 복잡한 제조 과정이 필요로 되고 있다. In this case, the patterned retarder may have a different phase value for the left eye image and the right eye image of the 2D image from the liquid crystal display device, that is, the right circle polarization for the right eye image such that the left circle polarization for the left eye image, for example. In order to make the phase value different for the left eye image and the right eye image, a complicated manufacturing process is required.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 패턴드 리타더의 제조 단계별 공정 단면도이다.1A to 1D are cross-sectional views of manufacturing steps of a conventional patterned retarder.

우선, 도 1a에 도시한 바와 같이, 기판(10) 상에 고분자 물질 예를들면 UV광에 반응하여 고분자 측쇄(미도시)가 일방향으로 배열되는 특성을 갖는 물질을 코팅장치(90)를 이용하여 도포하고 경화시킴으로서 무질서한 다수의 고분자 측쇄를 갖는 광배향막(20)을 전면에 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, a coating material 90 having a property that polymer side chains (not shown) are arranged in one direction in response to a polymer material, for example, UV light, on a substrate 10 is used. By applying and curing, an optical alignment film 20 having a plurality of disordered polymer side chains is formed on the entire surface.

이후, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 광배향막(20)이 형성된 기판(10)에 대해 상기 기판(10)을 열처리 장치(95) 내부에 위치시키고 수초 내지 수 분간 상기 기판(10)을 가열하는 건조 공정을 진행함으로서 상기 광배향막(20) 내부에 남아있는 솔벤트 등을 제거한다. Subsequently, as shown in FIG. 1B, the substrate 10 is positioned inside the heat treatment apparatus 95 with respect to the substrate 10 on which the optical alignment layer 20 is formed, and the substrate 10 is heated for a few seconds to several minutes. By performing a drying process to remove the solvent and the like remaining in the optical alignment film 20.

다음, 도 1c에 도시한 바와같이, 상기 솔벤트가 제거된 광배향막(20) 위로 빛의 투과영역(TA)과 차단영역(BA)을 갖는 제 1 노광 마스크(70)를 위치시키고, 상기 제 1 노광 마스크(70) 상부에서 상기 기판(10) 전면에 수직하게 제 1 편광된 UV광을 조사함으로써 상기 제 1 편광된 UV광이 조사된 부분이 선택적으로 제 1 방향으로 광 배향된 상태를 갖는 제 1 배향영역(21)을 이루도록 한다. 즉, 좌안용 영상열 또는 우안용 영상열 중 어느 하나의 영상열에 대해서는 제 1 편광된 UV광이 조사되도록 하여 고분자 측쇄(미도시)가 제 1 방향으로 배열되도록 하며, 제 1 편광된 UV광이 조사되지 않은 부분의 배향막(20) 부분은 상기 고분자 측쇄(미도시)들이 여전히 무질서하게 배열된 상태를 이루도록 한다. Next, as shown in FIG. 1C, a first exposure mask 70 having a light transmitting area TA and a blocking area BA is positioned on the solvent-oriented optical alignment layer 20, and the first exposure mask 70 is positioned. The first polarized UV light is irradiated vertically on the entire surface of the substrate 10 from the upper part of the exposure mask 70 so that the first polarized UV light is selectively photo-oriented in a first direction. 1 to form an alignment region (21). That is, the first polarized UV light is irradiated to any one of the left eye image train and the right eye video train so that the polymer side chains (not shown) are arranged in the first direction, and the first polarized UV light is The portion of the alignment layer 20 of the unirradiated portion is such that the polymer side chains (not shown) are still arranged in a disordered state.

이 경우, 제 1 편광된 UV광의 선택적인 조사에 의해 상기 광배향막(20)은 고분자 측쇄(미도시)가 제 1 방향으로 잘 정렬된 제 1 배향영역(21)과 상기 고분자 측쇄(미도시)가 무질서하게 배치된 비 배향영역을 이루게 된다.In this case, the selective alignment of the first polarized UV light causes the optical alignment layer 20 to have a first alignment region 21 and a polymer side chain (not shown) in which polymer side chains (not shown) are well aligned in a first direction. Is a disorderedly arranged non-oriented region.

다음, 도 1d에 도시한 바와 같이, 제 1 방향으로 배향된 제 1 배향영역(21)이 구비된 광배향막(20)에 대해 상기 제 1 배향영역(21)에 대해서는 차단영역(BA)을 가지며, 비배향영역에 대해서는 투과영역(TA)을 갖는 제 2 노광 마스크(72)를 위치시킨 후, 제 2 편광돤 UV광을 조사함으로써 상기 제 2 노광 마스크(72)의 투과영역(TA)에 대응하는 광배향막(20) 표면에 구비된 고분자 측쇄가 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 잘 정렬되도록 함으로써 제 2 배향영역(23)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1D, the optical alignment layer 20 having the first alignment region 21 oriented in the first direction has a blocking area BA with respect to the first alignment region 21. For the non-oriented region, the second exposure mask 72 having the transmissive area TA is positioned, and then the second polarized light is irradiated with UV light to correspond to the transmissive area TA of the second exposure mask 72. The second alignment region 23 is formed by aligning the polymer side chains provided on the surface of the optical alignment layer 20 in a second direction perpendicular to the first direction.

이후 전술한 바와같이 제 1 방향과 이와 수직한 제 2 방향으로 정렬된 제 1 미 제 2 배향영역이 구비된 광배향막 상에 액정층을 형성하고 1차 및 2차 UV광 처리를 실시함으로써 제 1 및 2 위상패턴을 구비한 패턴드 리타더가 완성되고 있다.Subsequently, as described above, the liquid crystal layer is formed on the photoalignment film including the first non-second alignment region aligned in the first direction and the second direction perpendicular thereto, and the first and second UV light treatments are performed. And a patterned retarder having two phase patterns.

하지만, 전술한 바와 같이 제조되는 패턴드 리타더는 광배향막(20)의 도포, 건조, 2회의 편광된 UV광을 이용한 분할노광, 액정층 코팅과 이의 UV경화 및 소성 등의 일련을 공정을 진행하야 하므로 그 제조 공정이 매우 복잡하며, 이러한 복잡한 제조에 의해 제조 비용의 상승을 초래하고 있는 실정이다.
However, the patterned retarder manufactured as described above is subjected to a series of processes such as coating, drying, split exposure using two polarized UV light, liquid crystal layer coating, and UV curing and firing thereof. Since the manufacturing process is very complicated, it is a situation that leads to an increase in the manufacturing cost by such a complicated manufacturing.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 제조 공정을 단순화함으로써 제조비용을 저감시킬 수 있는 패턴드 리타더의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a manufacturing method of a patterned retarder which can reduce manufacturing costs by simplifying a manufacturing process.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법은, 스트라이프 타입으로 서로 교대하는 제 1 및 제 2 영역이 정의된 투명한 기판 상에 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 리타더 물질을 코팅하여 리타더 물질층을 형성하는 단계와; 상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역에 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계와; 상기 리타더 물질층의 상기 제 2 영역에 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계와; 편광된 UV광이 2차 조사된 기판을 열처리하여 상기 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층 내부에 이방성이 발현되도록 하여 서로 교대하는 형태의 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성하는 단계를 포함한다. In order to achieve the above object, a method of manufacturing a patterned retarder according to an embodiment of the present invention is performed after exposure to polarized UV light on a transparent substrate having first and second regions alternated with each other in a stripe type. Coating a retarder material, wherein the retarder material is formed by annealing to form a retarder material layer; Firstly irradiating UV light polarized in a first direction to the first region of the retarder material layer; Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction to the second region of the retarder material layer; Heat-treating the substrate irradiated with the polarized UV light to form anisotropy in the retarder material layer irradiated with the polarized UV light to form first and second phase patterns alternately formed. Include.

이때, 상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역에 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계는 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 1 영역 대응해서는 투과영역이 상기 제 2 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 1 마스크를 개재한 후 상기 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 것이 특징이며, 상기 리타더 물질층의 상기 제 2 영역에 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계는 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 2 영역 대응해서는 투과영역이 상기 제 1 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 2 마스크를 개재한 후 상기 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 것이 특징이다. At this time, the first step of irradiating the polarized UV light in the first direction to the first region of the retarder material layer is a transmission region corresponding to the first region over the retarder material layer does not correspond to the second region And firstly irradiating UV light polarized in the first direction after the first mask including the blocking region, and perpendicular to the second area of the retarder material layer. And irradiating the UV light polarized in the direction to the second layer after the second mask is disposed on the retarder material layer through a second mask having a transmissive area corresponding to the second area and a blocking area corresponding to the first area. It is characterized by the secondary irradiation of the UV light polarized in the direction.

또한, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광은 단위 면적당 에너지 밀도가 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광의 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 특징이다.In addition, the UV light polarized in the first and second directions has an energy density of 1 mJ / cm 2 to 500 mJ / cm 2 per unit area, and the wavelength of the UV light polarized in the first and second directions is 200 nm to 500 nm. .

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법은, 스트라이프 타입으로 서로 교대하는 제 1 및 제 2 영역이 정의된 투명한 기판 상에 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 리타더 물질을 코팅하여 리타더 물질층을 형성하는 단계와; 상기 리타더 물질층 전면에 제 1 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계와; 상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역에 상기 제 1 에너지 밀도보다 큰 제 2 에너지 밀도를 가지며 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계와; 편광된 UV광이 2차 조사된 기판을 열처리하여 상기 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층 내부에 이방성이 발현되도록 하여 서로 교대하는 형태의 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성하는 단계를 포함한다. In the method of manufacturing a patterned retarder according to another embodiment of the present invention, anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to polarized UV light on a transparent substrate having first and second regions alternated with each other in a stripe type. Coating a retarder material to form a retarder material layer; Firstly irradiating UV light polarized in a first direction with a first energy density on the entire surface of the retarder material layer; Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction and having a second energy density greater than the first energy density to the first region or the second region of the retarder material layer; ; Heat-treating the substrate irradiated with the polarized UV light to form anisotropy in the retarder material layer irradiated with the polarized UV light to form first and second phase patterns alternately formed. Include.

이때, 제 4 항에 있어서, 상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역에 상기 제 1 에너지 밀도보다 큰 제 2 에너지 밀도를 가지며 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계는, 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 대해서는 투과영역이 나머지 다른 한 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 1 마스크를 개재한 후 상기 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 것이 특징이며, 상기 제 1 에너지 밀도는 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 상기 제 2 에너지 밀도는 상기 제 1 에너지 밀도의 2배 이상이며, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광의 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 특징이다.The UV light of claim 4, wherein the UV light is polarized in a second direction perpendicular to the first direction and having a second energy density greater than the first energy density in the first region or the second region of the retarder material layer. The step of irradiating the light secondly includes: a first mask having a blocking area corresponding to one of the first area and the second area above the retarder material layer and having a transmission area corresponding to the other area. Afterwards characterized in that the second irradiation of the polarized UV light in the second direction, the first energy density is 1mJ / ㎠ to 500mJ / ㎠, the second energy density is at least two times the first energy density The wavelength of the UV light polarized in the first and second directions is 200nm to 500nm.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법은, 스트라이프 타입으로 서로 교대하는 제 1 및 제 2 영역이 정의된 투명한 기판 상에 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 리타더 물질을 코팅하여 리타더 물질층을 형성하는 단계와; 상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 제 1 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계와; 상기 리타더 물질층 전면에 상기 제 1 에너지 밀도보다 작은 제 2 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계와; 편광된 UV광이 2차 조사된 기판을 열처리하여 상기 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층 내부에 이방성이 발현되도록 하여 서로 교대하는 형태의 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성하는 단계를 포함한다. In the method of manufacturing a patterned retarder according to another embodiment of the present invention, anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to polarized UV light on a transparent substrate having first and second regions alternated with each other in a stripe type. Coating a retarder material to form a retarder material layer; Firstly irradiating UV light having a first energy density and polarized in a first direction in any one of the first region and the second region of the retarder material layer; Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction and having a second energy density less than the first energy density on the entire surface of the retarder material layer; Heat-treating the substrate irradiated with the polarized UV light to form anisotropy in the retarder material layer irradiated with the polarized UV light to form first and second phase patterns alternately formed. Include.

이때, 상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 제 1 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계는, 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 대해서는 투과영역이 나머지 다른 한 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 1 마스크를 개재한 후 상기 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 것이 특징이며, 상기 제 1 에너지 밀도는 2mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이며, 상기 제 2 에너지 밀도는 상기 제 1 에너지 밀도의 1/2 이하의 값을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광의 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 특징이다. At this time, the first step of irradiating the UV light polarized in the first direction with a first energy density in any one of the first region or the second region of the retarder material layer, the above retarder material layer In any one of the first region and the second region, the first region is irradiated with UV light polarized in the first direction after the first mask is provided with a blocking region in response to the other region. Wherein the first energy density is 2 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2, and the second energy density has a value of 1/2 or less of the first energy density, and is UV polarized in the first and second directions. The wavelength of light is characterized by 200 nm to 500 nm.

한편, 상기 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 물질은, 호모폴리머(homopolymer) 형태로서 폴리머의 측쇄에 광반응성 액정기가 위치하며, 광 반응성기와 액정성 기가 카본 사슬(carbon chain)에 의해 연결된 형태를 이루거나, 코폴리머(Copolymer)의 형태로 액정성기가 부가적으로 상기 측쇄에 존재하는 형태를 이루거나, 호스트 폴리머(hostpolymer)에 리액티브 메소겐(reactive mesogen) 또는 액정성 폴리머가 혼합되어 블렌딩 폴리머 형태를 이루는 것이 특징이다. On the other hand, the material characterized in that the anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to the polarized UV light, a homopolymer (homopolymer) form a photoreactive liquid crystal group is located in the side chain of the polymer, the photoreactive group and the liquid crystalline group carbon chain (carbon chain) connected to the form, or in the form of a copolymer (copolymer) in the form of a liquid crystal group additionally present in the side chain, or reactive mesogen (reactive mesogen) in the host polymer (host polymer) Or a liquid crystalline polymer is mixed to form a blended polymer.

이때, 상기 호모폴리머(homopolymer) 형태로서 폴리머의 측쇄에 광반응성 액정기가 위치하며, 광 반응성기와 액정성 기가 카본 사슬(carbon chain)에 의해 연결된 형태를 갖는 물질은, 상기 광반응성기 자체가 액정성기를 이루거나, 또는 상기 광반응성기가 수소 결합 형태로 연결되어 액정성기를 나타내는 형태를 이루는 것이 특징이다.In this case, a photoreactive liquid crystal group is positioned in the side chain of the polymer as a homopolymer, and a material having a form in which a photoreactive group and a liquid crystal group are connected by a carbon chain is a liquid crystal group. Or, the photoreactive group is characterized in that the form of a hydrogen bond is connected to form a liquid crystal group.

또한, 상기 호모폴리머(homopolymer) 형태의 물질은, 주쇄는 polymethacrylate로 이루어지며, 측쇄는 azobenzene기, cinnamate기, coumarin기, benzylidenephthalimidine기 중 어느 하나를 포함하는 광반응 액정성 폴리머로 이루어지는 것이 특징이다.In addition, the homopolymer (homopolymer) type of material, the main chain is made of polymethacrylate, the side chain is characterized by consisting of a photoreactive liquid crystal polymer containing any one of azobenzene group, cinnamate group, coumarin group, benzylidenephthalimidine group.

그리고, 상기 호모폴리머(homopolymer) 형태의 물질은, Cinnamate기를 포함하는 광반응 액정성 폴리머로 이루어지며, 상기 광반응 폴리머는 측쇄에 cinnamte기 및 액정성기를 갖는 호모폴리머(homopolymer) 형태를 갖거나, 측쇄에 cinnamate기를 가지고 있고 인접한 측쇄와 수소 결합을 통해 액정성을 나타내는 호모폴리머(homopolymer) 형태를 이루거나, 측쇄에 cinnmate기 및 액정성기를 갖고, 동시에 부가적인 액정성기를 갖는 코폴리머(co-polymer) 형태를 갖는 것이 특징이다.And, the homopolymer (homopolymer) material is made of a photoreactive liquid crystalline polymer comprising a Cinnamate group, the photoreaction polymer has a homopolymer (homopolymer) form having a cinnamte group and a liquid crystalline group in the side chain, Copolymer having a cinnamate group in the side chain and forming a homopolymer showing liquid crystallinity through hydrogen bonding with adjacent side chains, or having a cinnmate group and a liquid crystal group in the side chain and at the same time an additional liquid crystal group. ) Is characterized by having a form.

한편, 상기 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 물질은, 주쇄(main chain)가 polymethacrylate로 되어 있으며, 측쇄(side chain)는 광반응성기(photo reactive group)와 액정성기(mesogenic group)를 동시에 구비하거나, 또는 코폴리머 형태로 상기 반응성기(photo reactive group)와 액정성기(mesogenic group)를 각각 가지고 있는 형태를 이루는 것이 특징이다.On the other hand, the material characterized in that the anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to the polarized UV light, the main chain (polymethacrylate), the side chain (side chain) is a photo reactive group (photo reactive group) Equipped with a mesogenic group (mesogenic group) at the same time, or in the form of a copolymer is characterized in that the form having a photoactive group and a liquid crystal (mesogenic group), respectively.

그리고, 상기 리터더 물질은 그 굴절율 이방성 값인 △n값이 0.10 내지 0.18인 것이 특징이다.In addition, the litter material is characterized in that the refractive index anisotropy value Δn value is 0.10 to 0.18.

또한, 상기 리타더 물질층은 스핀코팅 또는 슬릿코팅에 의해 형성되며, 이때, 상기 리타더 물질층은 0.5㎛ 내지 2㎛의 두께로 형성하며, 이때, 상기 패턴드 리타더는 그 리타데이션 값(Δnd)이 550nm의 파장에 대해 125nm ± 10nm의 범위가 되도록 형성하는 것이 특징이다.In addition, the retarder material layer is formed by spin coating or slit coating, wherein the retarder material layer is formed to a thickness of 0.5 2㎛, wherein the patterned retarder is the retardation value ( Δnd) in a range of 125 nm ± 10 nm for a wavelength of 550 nm.

또한, 상기 리타더 물질은 그 고형분 농도가 1중량% 내지 30중량%이며, 상기 리타더 물질의 솔벤트는 ketone류, ether류 중 하나 또는 상기 ketone류와 ether류가 혼합된 물질이며, 상기 리타더 물질의 점도는 1mPas 내지 50mPas인 것이 특징이다.In addition, the retarder material is a solid content concentration of 1% to 30% by weight, the solvent of the retarder material is one of ketones, ethers or a mixture of the ketones and ethers, the retarder The viscosity of the material is characterized by 1 mPas to 50 mPas.

이때, 상기 ketone류는 cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopetanone, MIBK(Methyl isobutyl ketone) 중 어느 하나이며, 상기 ether류는 PGME(Propylene glycol monomethyl ether) 또는 Toluene인 것이 특징이다.In this case, the ketone is any one of cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopetanone, MIBK (Methyl isobutyl ketone), and the ether is characterized in that PGME (Propylene glycol monomethyl ether) or Toluene.

또한, 상기 솔벤트에는 코팅성 향상을 위해 Silicon 계열 또는 Acryl 계열의 레벨링 에이전트(levelling agent)를 더 포함하는 것이 특징이다.In addition, the solvent further comprises a silicon-based or Acryl-based leveling agent (leveling agent) to improve the coating properties.

그리고, 상기 편광된 UV광을 1차 조사하기 전에 상기 리타더 물질층이 형성된 기판을 상온(24도) 내지 80도의 온도 분위기를 갖는 건조장치 내부 또는 상부에 안착시키고, 60초 내지 300초간 유지시켜 건조시키는 프리베이킹 공정을 진행하는 것이 특징이다. Before the first irradiation of the polarized UV light, the substrate on which the retarder material layer is formed is placed in or on a drying apparatus having a temperature atmosphere of room temperature (24 degrees) to 80 degrees, and maintained for 60 seconds to 300 seconds. It is a characteristic to advance the prebaking process to dry.

또한, 상기 열처리는 110℃ 내지 130℃의 온도 분위기를 갖는 소성장치에서 30초 내지 10분간 진행되는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.In addition, the heat treatment is a patterned retarder manufacturing method characterized in that the progress for 30 seconds to 10 minutes in a baking apparatus having a temperature atmosphere of 110 ℃ to 130 ℃.

그리고, 상기 투명한 기판은, 유리기판, 필름, 플렉서블 기판 중 어느 하나이며, 상기 투명한 기판이 상기 필름인 경우, TAC(tri acetate cellulose) COP(cyclo olephine polymer), PC(poly carbonate), PMMA (poly methyl methacrylate), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PI(poly imide) 중 어느 하나로 이루어진 것이 특징이다.
The transparent substrate may be any one of a glass substrate, a film, and a flexible substrate. When the transparent substrate is the film, triacetate cellulose (TAC) cyclo olephine polymer (COP), polycarbonate (PC), and PMMA (poly) may be used. It is characterized by consisting of methyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polystyrene (PS), and polyimide (PI).

본 발명에 따른 패턴드 리타더 제조 방법은, 광배향막을 필요로 하지 않으며, 따라서 광배향막의 도포, 건조 및 경화공정을 생략할 수 있으므로 공정 단순화의 효과가 있으며, 이러한 공정 단순화에 의해 제조 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
The method of manufacturing a patterned retarder according to the present invention does not require a photoalignment film, and thus, the application, drying, and curing processes of the photoalignment film can be omitted, thereby simplifying the process, and thus simplifying the manufacturing cost. There is an effect that can be reduced.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 패턴드 리타더의 제조 단계별 공정 단면도.
도 2는 3D 영상 구현 시스템을 도시한 도면.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 패턴드 리타더의 제조 단계별 공정 단면도.
도 4는 본 발명에 이용되는 리타더 물질의 분자 구조를 나타낸 도면
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 리타더 물질에 있어 선편광된 빛은 조사 및 열처리 시의 상태 변화를 도시한 도면.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 따른 리티터 물질의 다양한 예에 따른 화학 구조를 나타낸 도면.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제 1 변형예에 따른 순차 반복되는 제 1 및 제 2 위상패턴을 갖는 패턴드 리타더를 제조하는 방법을 나타낸 제조 공정 단면도.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제 2 변형예에 따른 순차 반복되는 제 1 및 제 2 위상패턴을 갖는 패턴드 리타더를 제조하는 방법을 나타낸 제조 공정 단면도.
1A to 1D are cross-sectional views of manufacturing steps of a conventional patterned retarder.
2 is a diagram illustrating a 3D image realization system.
3A to 3D are cross-sectional views of manufacturing steps of a patterned retarder according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing the molecular structure of the retarder material used in the present invention
5 is a view showing a state change during irradiation and heat treatment of the linearly polarized light in the retarder material according to an embodiment of the present invention.
6A-6E illustrate chemical structures according to various examples of litter materials of the present invention.
7A to 7C are cross-sectional views of a manufacturing process showing a method of manufacturing a patterned retarder having first and second phase patterns that are sequentially repeated according to a first modification of the present invention.
8A to 8C are cross-sectional views of a manufacturing process showing a method of manufacturing a patterned retarder having first and second phase patterns sequentially repeated according to a second modification of the present invention.

이하 도면을 참조하며 본 발명에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법과 이를 구비하여 3D 입체 영상 구현이 가능한 3D영상 구현 시스템에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a patterned retarder according to the present invention and a 3D image realization system capable of realizing a 3D stereoscopic image using the same will be described in detail.

우선, 일반적인 액정표시장치를 이용한 3D 영상 구현 시스템에 대해 간단히 설명한다.First, a 3D image realization system using a general liquid crystal display will be briefly described.

일반적으로 액정표시장치는 마주보는 제 1 및 제 2 전극과 그 사이에 개재되는 액정층을 포함하여 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정층의 액정분자를 구동함으로써 화상을 표시한다. In general, the liquid crystal display device includes a liquid crystal layer interposed between the first and second electrodes facing each other, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer by an electric field generated by applying a voltage to the first and second electrodes. The image is displayed by driving.

액정분자는 분극성질과 광학적 이방성(optical anisotropy)을 갖는데, 분극성질은 액정분자가 전기장 내에 놓일 경우 액정분자내의 전하가 액정분자의 양쪽으로 몰려서 전기장에 따라 분자배열 방향이 변화되는 것을 말하고, 광학적 이방성은 액정분자의 가늘고 긴 구조와 앞서 말한 분자배열 방향에 기인하여 입사광의 입사방향이나 편광상태에 따라 출사광의 경로나 편광상태를 달리 변화시키는 것을 말한다.Liquid crystal molecules have polarization property and optical anisotropy. Polarization property means that when liquid crystal molecules are placed in an electric field, charges in the liquid crystal molecules are attracted to both sides of the liquid crystal molecules, and the direction of molecular arrangement changes according to the electric field. Refers to changing the path or polarization state of the emitted light differently according to the incident direction or the polarization state of the incident light due to the elongated structure of the liquid crystal molecules and the aforementioned molecular arrangement direction.

이에 따라 액정층은 상기 제 1 및 제 2 전극에 인가되는 전압에 의하여 투과율의 차이를 나타내게 되고 그 차이를 화소별로 달리하여 2D 화상을 표시할 수 있다. Accordingly, the liquid crystal layer may exhibit a difference in transmittance due to voltages applied to the first and second electrodes, and display the 2D image by changing the difference for each pixel.

한편, 이렇게 2D의 화상을 표시하는 액정표시장치를 이용하여 3D 입체화상을 표시하기 위해 특수 안경에 의한 입체화상 디스플레이, 무안경식 입체화상 디스플레이 및 홀로그래픽(holographic) 디스플레이 방식이 제안되고 있으며, 이중 특수 안경에 의한 입체화상 디스플레이 방식이 가장 많이 이용되고 있다.Meanwhile, in order to display a 3D stereoscopic image using a liquid crystal display device displaying a 2D image, a stereoscopic image display, an autostereoscopic stereoscopic display, and a holographic display method using special glasses have been proposed, of which specialty The stereoscopic image display method using glasses is most often used.

특수 안경에 의한 입체화상 디스플레이 방식은 편광의 진동방향 또는 회전방향을 이용한 편광 안경방식과, 좌우화상을 서로 전환시켜가면서 교대로 제시하는 시분할 안경방식 및 좌/우안에 서로 다른 밝기의 빛을 전달하는 방식인 농도차 방식으로 나눌 수 있다.The three-dimensional image display method using special glasses transmits light of different brightness in polarized glasses method using the vibration direction or rotation direction of polarized light, time-divided glasses method which alternately presents the left and right images while switching left and right. It can be divided into concentration difference method.

도 2는 일반적인 특수 안경을 이용한 3D 영상 구현 시스템을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a 3D image realization system using general special glasses.

도시한 바와 같이, 특수 안경을 이용한 3D 영상 구현 시스템은 크게 2D 화상을 표시하는 액정표시장치(110)와, 상기 액정표시장치(110)의 외측면에 부착된 패턴드 리타더(140)와, 상기 액정표시장치(110)부터 상기 패턴드 리타더(140)를 통과하여 나오는 화상을 선택적으로 투과시키는 것을 특징으로 하는 안경(145)으로 구성되고 있다.As shown in the drawing, the 3D image realization system using the special glasses includes a liquid crystal display 110 displaying large 2D images, a patterned retarder 140 attached to an outer surface of the liquid crystal display 110, The glasses 145 may be configured to selectively transmit an image passing through the liquid crystal display device 110 through the patterned retarder 140.

우선, 상기 액정표시장치(110)는 어레이 기판(115)과, 컬러필터 기판(120)과 이들 두 기판(115, 120) 사이에 개재된 액정층(미도시)과, 상기 두 기판(115, 120) 각각의 외측면에 부착된 제 1 및 제 2 편광판(125, 130)과 도면에 나타내지 않았지만, 상기 제 1 편광판(125)의 외측면에 백라이트 유닛(미도시)을 포함하여 구성되고 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 편광판(125, 130)은 그 투과축이 서로 수직 교차하도록 구성되고 있다. First, the liquid crystal display 110 includes an array substrate 115, a color filter substrate 120, a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates 115 and 120, and the two substrates 115, 120. Although not shown in the drawings, the first and second polarizing plates 125 and 130 attached to the outer side surfaces of the first polarizing plate 125 include a backlight unit (not shown). In this case, the first and second polarizing plates 125 and 130 are configured such that their transmission axes perpendicularly cross each other.

한편, 상기 컬러필터 기판(120)의 외측면에 부착된 상기 제 2 편광판(130)의 외측면에 구비된 패턴드 리타더(140)는 가로방향으로 홀수번째 화소라인에 위치하는 화소영역(P)에 대응해서는 이들 화소영역(P)으로부터 상기 제 2 편광판(130)을 통해 나온 빛을 좌원편광 상태가 되도록 하며, 짝수번째 화소라인에 위치하는 화소영역(P)에 대응해서는 우원편광 상태가 되도록 하는 역할을 하도록 그 내부적으로 위상을 변경시키는 복굴절 물질이 화소영역(P) 라인별로 교대하여 서로 다른 방향성을 갖도록 패턴된 것이 특징이다. 이렇게 빛을 좌원편광 또는 우원편광 되도록 하는 상기 패턴드 리타더(140)는 일례로 λ/4 위상 차이를 발현시키는 것이 특징이다.On the other hand, the patterned retarder 140 provided on the outer surface of the second polarizing plate 130 attached to the outer surface of the color filter substrate 120 is located in the pixel area (P) located in the odd pixel line in the horizontal direction. ) And the light emitted from the pixel region P through the second polarizing plate 130 to the left circularly polarized state, and corresponding to the pixel region P located in the even-numbered pixel lines to be the right circularly polarized state. The birefringent material whose phase is internally changed so as to play a role in the patterning is alternately patterned to have different directionalities for each pixel region P line. As such, the patterned retarder 140 for allowing light to be left circularly or rightly polarized is characterized by expressing λ / 4 phase difference.

이렇게 λ/4의 위상차가 발생하도록 하는 패턴드 리타더(140)에 있어 그 광축은 상기 액정표시장치(110)에 구비된 제 2 편광판(130)의 투과축에 대해 각각 +45도와 -45도를 이루고 있다. The optical axis of the patterned retarder 140 in which the phase difference of λ / 4 is generated is +45 degrees and -45 degrees with respect to the transmission axis of the second polarizing plate 130 provided in the liquid crystal display device 110, respectively. To achieve.

따라서, 3D 영상 구현 시스템(101)의 구성에 의해 상기 액정표시장치(110)는 상기 패턴드 리타더(140)를 통과한 후에는 홀수번째의 화소라인에 위치하는 화소영역으로부터는 좌원편광 된 상태의 빛이 나오고, 짝수번째의 화소라인에 위치하는 화소영역(P)으로부터는 우원편광된 상태의 빛이 나오게 된다. 이때, 상기 액정표시장치(110)에 있어 홀수번째 화소라인에 위치하는 화소영역(P)에 대해서는 사용자의 좌안으로 입사되는 좌안용 영상신호를, 짝수번째 화소라인에 위치하는 화소영역(P)에 대해서는 우안으로 입사되는 우안용 영상신호를 인가하도록 함으로써 3D 영상 구현이 가능하도록 하는 표시장치를 이루게 되는 것이다. Therefore, after the liquid crystal display 110 passes through the patterned retarder 140 due to the configuration of the 3D image implementing system 101, the left circularly polarized state is obtained from the pixel region positioned in the odd pixel line. Light is emitted from the pixel area P positioned in the even-numbered pixel line, and light in a right circularly polarized state is emitted. In this case, the pixel area P in the odd-numbered pixel line of the liquid crystal display device 110 receives a left-eye image signal incident to the left eye of the user to the pixel region P in the even-numbered pixel line. In this regard, the right eye image signal incident to the right eye is applied to form a display device capable of realizing a 3D image.

한편, 전술한 구성을 갖는 λ/4 패턴드 리타더(140)를 포함하는 액정표시장치(110)와 하나의 세트를 이루는 3D 영상 시청용 안경(145)은, 투명한 유리재질로 이루어진 통상적인 안경에 편광필름(150a, 150b) 및 λ/4 위상차 필름(미도시)이 부착된 것이 특징이다. On the other hand, the 3D image viewing glasses 145 forming a set with the liquid crystal display device 110 including the lambda / 4 patterned retarder 140 having the above-described configuration, the conventional glasses made of a transparent glass material Polarizing films 150a and 150b and a λ / 4 retardation film (not shown).

이때, 안경(145) 착용 시 사용자의 좌안에 대응되는 좌안용 렌즈(145a)에는 원편광된 빛을 직선편광으로 바꾸는 역할을 하는 λ/4 위상필름(미도시)과 제 1 편광필름(150a)이 부착되어 있고, 우안용 렌즈(145b)에는 원편광된 빛을 선택적으로 직선편광으로 바꾸는 역할을 하는 λ/4 위상필름(미도시)과 제 2 편광필름(150b)이 부착되고 있다. At this time, when wearing the glasses 145, the left eye lens 145a corresponding to the left eye of the user has a λ / 4 phase film (not shown) and a first polarizing film 150a which serve to convert circularly polarized light into linearly polarized light. The right eye lens 145b is attached with a λ / 4 phase film (not shown) and a second polarizing film 150b which serve to selectively change circularly polarized light into linearly polarized light.

따라서, 사용자가 이러한 구성을 갖는 3D 화상용 안경(145)을 착용하고, 라인별로 교대하여 좌안용 및 우안용 화상 데이터가 인가되고 서로 다른 원편광 상태를 갖는 화상을 표시하는 액정표시장치(110)를 통해 화상을 시청하는 경우, 좌안용 렌즈(145a)를 통해서는 좌안용 영상이, 우안용 렌즈(145b)를 통해서는 우안용 영상이 입사되므로 이들 두 화상의 합성에 의해 사용자는 3D 화상을 시청할 수 있게 된다.Therefore, the user wears the 3D image glasses 145 having such a configuration, and the liquid crystal display 110 for displaying images having different circularly polarized states with different left and right eye image data applied alternately line by line. When viewing an image through the left eye image through the left eye lens 145a and the right eye image through the right eye lens 145b, the user can view a 3D image by combining these two images. It becomes possible.

이러한 구성을 갖는 3D 영상 구현 시스템(101)에 있어 3D 화상 구현이 가능하도록 하는 가장 중요한 구성요소 중 하나가 패턴드 리타더(140)가 되고 있으며, 이러한 패턴드 리타더(140)는 배경기술에서 설명한 바와 같이 매우 복잡한 제조과정을 거치게 됨으로써 3D 영상 구현 시스템의 가격 상승을 초래하는 요인이 되고 있으므로 제조 방법의 단순화 및 이를 통한 제조 비용 저감이 필요로 되고 있다.In the 3D image realization system 101 having such a configuration, one of the most important components for enabling 3D image realization is the patterned retarder 140, and the patterned retarder 140 is used in the background art. As described above, since a very complicated manufacturing process is a factor that increases the price of the 3D image realization system, it is necessary to simplify the manufacturing method and to reduce the manufacturing cost.

이후에는 공정을 단순화한 본 발명에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a patterned retarder according to the present invention, which simplifies the process, will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 패턴드 리타더의 제조 단계별 공정 단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of a patterned retarder according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 3a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연기판(210) 상에 용액 상태의 리타더 물질을 스핀 코팅장치 또는 슬릿코팅 장치 등을 통해 코팅함으로써 상기 기판(210) 전면에 0.5㎛ 내지 2㎛ 정도의 두께를 갖는 리타더 물질층(220)을 형성한다. 이때, 상기 투명한 절연기판(210)은 예를들면 유리기판, 필름, 플렉서블 기판이 될 수 있으며, 상기 필름은 TAC(tri acetate cellulose) COP(cyclo olephine polymer), PC(poly carbonate), PMMA(poly methyl methacrylate), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PI(poly imide) 중 어느 하나로 이루어진 것이 될 수 있다. First, as shown in FIG. 3A, a retarder material in a solution state is coated on a transparent insulating substrate 210 by using a spin coating apparatus or a slit coating apparatus, etc., to about 0.5 μm to 2 μm on the entire surface of the substrate 210. A retarder material layer 220 having a thickness of is formed. In this case, the transparent insulating substrate 210 may be, for example, a glass substrate, a film, a flexible substrate, and the film may be tri acetate cellulose (TAC) cyclo olephine polymer (COP), polycarbonate (PC), or poly (PMMA). It may be made of any one of methyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polystyrene (PS), and polyimide (PI).

한편, 상기 리타더 물질은 도 4(본 발명에 이용되는 리타더 물질의 분자 구조를 나타낸 도면)와 도 5(본 발명의 실시예에 따른 리타더 물질에 있어 선편광된 빛은 조사 및 열처리 시의 상태 변화를 도시한 도면)에 도시한 바와 같이, 광반응 액정성 폴리머(photo-reactive liquid crystalline polymer)로서, 선편광 빛에 노출에 의한 축 선별 광화학성(axis-selective photochemistry) 및 열처리에 따른 액정성에 의한 셀프 오리엔테이션(self-orientation) 현상을 통해 이방성을 나타내는 특징을 갖는다. 이러한 특성을 갖는 리타더 물질은 주쇄(main chain)가 polymethacrylate로 되어 있으며, 측쇄(side chain)는 광반응성기(photo reactive group)와 액정성기(mesogenic group)를 동시에 혹은 코폴리머 형태로 이 기능성기(functional group)를 각각 가지고 있는 형태를 이루는 것이 특징이다.On the other hand, the retarder material is shown in Figure 4 (representing the molecular structure of the retarder material used in the present invention) and Figure 5 (repolarized light in the retarder material according to an embodiment of the present invention during irradiation and heat treatment As shown in the state diagram), a photo-reactive liquid crystalline polymer is a photo-reactive liquid crystalline polymer, which is characterized by axis-selective photochemistry due to exposure to linearly polarized light and liquid crystallization due to heat treatment. It is characterized by anisotropy through the self-orientation phenomenon. The retarder material having these characteristics has a polymethacrylate main chain, and the side chain has a photoreactive group and a mesogenic group simultaneously or in copolymer form. It is characterized by forming a form having each (functional group).

이때, 이방성을 이루는 트리거(trigger)로서 광이성질화(photo-isomerization) 혹은 광이합체화(photo-dimerization) 현상이 이용되며, 이를 위해 상기 측쇄는 azobenzene, cinnamate, coumarin, benzylidenephthalimidine 중 어느 하나로 이루어지는 것이 특징이다. In this case, a photo-isomerization or photo-dimerization phenomenon is used as a trigger to achieve anisotropy, and for this purpose, the side chain is made of any one of azobenzene, cinnamate, coumarin, benzylidenephthalimidine. It is characteristic.

이러한 본 발명의 실시예에 따른 리타더 물질은 굴절율 이방성 값인 △n값이 0.10 내지 0.18인 것이 특징이다. Retarder material according to an embodiment of the present invention is characterized in that the value of the refractive index anisotropy value Δn is 0.10 to 0.18.

한편, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 리타더 물질의 이방성 형성 매커니즘(mechanism)을 살펴보면, 크게 선편광판 빛과 광반응성 액정성기의 축 선별 반응과 열에너지에 의한 액정성기의 셀프 오리엔테이션 반응에 기인한다.On the other hand, looking at the anisotropic formation mechanism (mechanism) of the retarder material according to an embodiment of the present invention having such a configuration, largely in the axial sorting reaction of the linear polarizing plate light and photoreactive liquid crystal group and the self-orientation reaction of the liquid crystal group by the thermal energy Is caused.

조금 더 상세히 본 발명의 실시예에 따른 리타더 물질에 대해 살펴보면, 재료적으로는 호모폴리머(homopolymer) 형태로서 폴리머의 측쇄에 광반응성 액정기가 위치하며, 광반응성기와 액정성기가 카본 사슬(carbon chain)에 의해 연결되어 있는 형태를 이룬다. In more detail with respect to the retarder material according to an embodiment of the present invention, a photopolymerizable liquid crystal group is located in the side chain of the polymer as a homopolymer material, the photoreactive group and the liquid crystal group is a carbon chain It is connected by).

이때, 상기 광반응성기 자체가 액정성기를 이룰 수 있으며, 또는 광반응성기가 수소 결합 형태로 연결되어 액정성기를 나타내는 형태를 이룰 수도 있다. In this case, the photoreactive group itself may form a liquid crystalline group, or the photoreactive group may be connected in a hydrogen bond form to form a liquid crystalline group.

또한, 상기 리타더 물질은 코폴리머(Copolymer)의 형태로 액정성기가 추가로 측쇄에 존재하는 형태를 이룰 수도 있으며, 나아가 호스트 폴리머(hostpolymer)에 모노머(monomer)가 혼합되어 있는 형태를 이룰 수도 있다.In addition, the retarder material may be in the form of a copolymer (copolymer) may form a form in which the liquid crystal group is additionally present in the side chain, and may also form a form in which a monomer (monomer) is mixed with the host polymer (host polymer). .

아래 본 발명의 따른 리티터 물질의 다양한 예를 나타내었으며, 화학 구조를 도 6a 내지 6e에 나타내었다.Various examples of the litter material according to the present invention are shown below, and the chemical structures are shown in FIGS. 6A to 6E.

도 6a 내지 도 6c는 각각 호모폴리머 형태를 일례로 나타낸 화학 구조를 나타낸 것이고, 도 6d는 코폴리머 형태를 일례로 나타낸 화학 구조를 나타낸 것이며, 도 6e는 호스트 폴리머(hostpolymer)에 RM(reactive mesogen)이 혼합되어 있는 형태를 일례로 나타낸 화학 구조를 나타낸 것이다. 6A to 6C each show a chemical structure showing an example of a homopolymer form, FIG. 6D shows a chemical structure showing an example of a copolymer form, and FIG. 6E shows a reactive mesogen (RM) in a host polymer. The chemical structure which showed this mixed form as an example is shown.

조금 더 구체적으로 본 발명의 실시예에 따른 리타더 물질에 대해 설명한다. More specifically, the retarder material according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 일실시예에 따른 리타더 물질은, 호모폴리머 형태로서, 도 6a에 도시한 바와같이 Azobenzene기를 포함하는 광반응 액정성 폴리머로 이루어 질 수 있다.The retarder material according to one embodiment of the present invention, in the form of a homopolymer, may be made of a photoreactive liquid crystalline polymer including an Azobenzene group as shown in FIG. 6A.

Azobenzene기를 포함하는 광반응 액정성 폴리머의 화학 구조를 살펴보면, polymethacrylate 주쇄에 측쇄로서 azobenzene기를 가지고 있으며, 이때 azobenezene기는 액정성을 나타내게 된다.Looking at the chemical structure of the photoreactive liquid crystal polymer containing azobenzene group, the polymethacrylate main chain has an azobenzene group as a side chain, where the azobenezene group shows liquid crystallinity.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리타더 물질은, 또 다른 호모폴리머 형태로서 도 6b, 6c, 6d에 도시한 바와같이, Cinnamate기를 포함하는 광반응 액정성 폴리머로 이루어 질 수 있다. 이때, 상기 광반응 폴리머는 다양하게 구성될 수 있으며, 특히 크게 3가지로 나눌 수 있다.The retarder material according to another embodiment of the present invention may be made of a photoreactive liquid crystalline polymer including a Cinnamate group as shown in FIGS. 6B, 6C, and 6D as another homopolymer form. In this case, the photoreaction polymer may be configured in various ways, and in particular, may be divided into three types.

즉, 도 6b에 도시한 바와같이, 상기 광반응 폴리머는 측쇄에 cinnamte기 및 액정성기를 갖는 호모폴리머(homopolymer) 형태로 이루어지거나, 또는 도 6c에 도시한 바와같이, 측쇄에 cinnamate기를 가지고 있고 인접한 측쇄와 수소 결합을 통해 액정성을 나타내는 호모폴리머(homopolymer) 형태로 이루어지거나, 또는 도 6d에 도시한 바와같이, 측쇄에 cinnmate기 및 액정성기를 갖고, 동시에 추가적인 액정성기를 갖는 hetero-polymer(혹은 co-polymer)로 이루어질 수 있다.That is, as shown in Figure 6b, the photoreaction polymer is made of a homopolymer having a cinnamte group and a liquid crystalline group in the side chain, or as shown in Figure 6c, has a cinnamate group in the side chain and adjacent Heteropolymers (or homopolymers) having liquid crystallinity through side chains and hydrogen bonds, or heteropolymers having cinnmate and liquid crystalline groups in the side chain, and at the same time having additional liquid crystalline groups (or co-polymer).

도 6b는 측쇄에 cinnamate기 및 액정성기를 갖는 homopolymer의 화학 구조를 일례로 나타낸 것으로, 이 경우 biphenyl이 스페이서(spacer)(일례로 카본사슬(carbon chain))에 의해 주쇄에 연결되어 있으며, 다시 biphenyl이 cinnamate기와 연결되어 있는 형태를 이룸을 알 수 있다.Figure 6b shows an example of the chemical structure of a homopolymer having a cinnamate group and a liquid crystalline group in the side chain, in which case biphenyl is connected to the main chain by a spacer (for example carbon chain), biphenyl again It can be seen that the form connected with this cinnamate group.

이때, biphenyl기와 cinnamate기 사이에 스페이서(spacer)가 추가로 존재할 수 있으며, cinnamate기의 말단에도 methoxy기가 더욱 존재할 수도 있다. In this case, a spacer may be additionally present between the biphenyl group and the cinnamate group, and a methoxy group may further exist at the end of the cinnamate group.

이러한 세부적인 화학 구조의 변화는 특정 용매에 대한 용해력(solubility), 광반응의 효율과 관련된 광반응성(photo-reactivity), 그리고 마지막으로 평면상에서의 질서(in-plane order)에 영향을 미칠 수 있다.These detailed chemical structure changes can affect solubility in specific solvents, photo-reactivity associated with the efficiency of the photoreaction, and finally in-plane order. .

도 6c는 측쇄에 cinnamate기를 가지고 있고 인접한 측쇄와 수소 결합을 통해 액정성을 나타내는 호모폴리머(homopolymer) 형태를 일례로 나타낸 것으로, 액정성 폴리머의 한 형태로써 측쇄(side-chain)의 말단기가 수소 결합을 할 수 있다는 점이 특징이다. 여기서 수소 결합은 이방성 형성 기구에 있어 매우 큰 역할을 하는데, biphenyl기가 없음에도 불구하고 수소 결합을 통해 폴리머가 액정성을 나타내게 해 준다는 것이다.FIG. 6C illustrates an example of a homopolymer form having a cinnamate group in the side chain and exhibiting liquid crystallinity through hydrogen bonding with an adjacent side chain. As a form of the liquid crystal polymer, the end group of the side chain is hydrogen bond. It is characteristic that can be. Here, the hydrogen bond plays a very large role in the anisotropic formation mechanism, which allows the polymer to show liquid crystallinity through the hydrogen bond despite the absence of the biphenyl group.

한편, 이러한 물질은 낮은 조사 에너지에서는 이성질화(isomerization) 반응이 우세하며 조사 에너지가 커질수록 이합체화(dimerization) 반응이 일어나게 된다.On the other hand, these materials are predominantly isomerization reaction at low irradiation energy and dimerization reaction occurs as the irradiation energy increases.

편광된 UV 조사 후, 경화 고정시의 온도를 액정상의 상전이 온도(Tni:nematic-isotropic) 부분으로 올리게 되면 오리엔테이션 확장(orientational amplification) 반응이 일어나서 이방성 형성을 극대화 한다. 또한, 분자 사이의 수소 결합을 통해서 이방성이 형성 될 수 있으므로 이방성 형성에 도움을 준다.After polarized UV irradiation, raising the temperature at the time of hardening fixation to a phase (Tni: nematic-isotropic) portion of the liquid crystal phase causes an orientation expansion (orientational amplification) reaction to maximize anisotropy formation. In addition, anisotropy can be formed through hydrogen bonding between molecules, which helps to form anisotropy.

도 6d는 측쇄에 cinnmate기 및 액정성기를 갖고, 동시에 추가적인 액정성기를 갖는 코폴리머(co-polymer) 형태를 가지는 일례를 나타낸 것으로 이러한 구조뿐만 아니라 광반응성기와 액정성 moiety들이 코폴리머 형태를 이룰 수도 있다.FIG. 6D shows an example of a copolymer having a cinnmate group and a liquid crystalline group in the side chain and at the same time having an additional liquid crystalline group. In addition to such a structure, the photoreactive group and the liquid crystalline moieties may form a copolymer. have.

도 6e는 호스트 폴리머(hostpolymer)에 모노머(monomer)가 혼합되어 있는 형태를 일례로 나타낸 것이며, 이때, 모노머(monomer)는 폴리머(polymer)의 Tni 온도를 낮추거나 이방성 형성에 도움을 주는 역할을 한다. 이때, 상기 RM(reactive mesogen)을 폴리머 형태로 만들어서 호스트 폴리머(hostpolymer)와 액정성 폴리머의 블렌딩 폴리머 형태를 이루도록 할 수도 있다.
FIG. 6E illustrates a form in which a monomer is mixed with a host polymer as an example, wherein the monomer plays a role of lowering the polymer's Tni temperature or helping to form anisotropy. . In this case, the reactive mesogen (RM) may be made into a polymer to form a blended polymer of a host polymer and a liquid crystalline polymer.

한편, 전술한 다양한 화학 구조를 갖는 상기 리타더 물질의 특성을 살펴보면, 기준 파장대(550nm)에서의 리타데이션값(△n?d)은 125nm ± 10nm 정도가 되며, 솔벤트에 녹아 용액 상태를 이룰 때의 점성은 1mPas 내지 50mPas 정도가 되며, 솔벤트를 제외한 고형분 농도는 1중량% 내지 30중량%인 것이 특징이다. On the other hand, looking at the properties of the retarder material having a variety of chemical structures described above, the retardation value (△ n ~ d) in the reference wavelength band (550nm) is about 125nm ± 10nm, when dissolved in a solvent to form a solution state Viscosity of about 1mPas to 50mPas, the solid content except the solvent is characterized in that 1% to 30% by weight.

이때, 상기 리타더 물질의 솔벤트는 ketone류 일례로 Cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopetanone , MIBK(Methyl isobutyl ketone)가 될 수 있으며, 또는 ether류로서 일례로 PGME(Propylene glycol monomethyl ether) 또는 Toluene가 될 수 있으며, 경우에 따라서는 전술한 2가지 이상의 솔벤트가 혼합된 것이 될 수도 있다. 이때, 상기 솔벤트에는 코팅성 향상을 위해 Silicon 계열 또는 Acryl 계열의 레벨링 에이전트(levelling agent)가 부가적으로 첨가될 수 있다. In this case, the solvent of the retarder material may be Cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopetanone, MIBK (Methyl isobutyl ketone) as an example of ketone, or PGME (Propylene glycol monomethyl ether) or Toluene as an ether, In some cases, two or more solvents described above may be mixed. At this time, the solvent may be additionally added to the silicon-based or Acryl-based leveling agent (leveling agent) to improve the coating properties.

다음, 상기 리타더 물질층(220)이 형성된 기판(210)을 상온(24℃)80℃ 내지 80℃의 온도 분위기를 갖는 건조장치 일례로 오븐, 핫 챔버 또는 핫 플레이트(미도시) 내부 또는 상부에 위치시키고, 60초 내지 300초간 유지시켜 상기 기판(210)을 가열함으로써 상기 리타더 물질층(220) 내부에 포함되어 있는 솔벤트를 제거하여 건조시킨다. 이러한 일련의 과정을 프리 베이킹(pre-baking) 공정이라 한다. Next, an example of a drying apparatus having a temperature atmosphere of room temperature (24 ° C.) 80 ° C. to 80 ° C. of the substrate 210 on which the retarder material layer 220 is formed may be an oven, a hot chamber, or a hot plate (not shown). The solvent contained in the retarder material layer 220 is removed by drying the substrate 210 by heating the substrate 210 by maintaining the substrate 210 for 60 seconds to 300 seconds. This series of processes is called a pre-baking process.

다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 건조장치를 통해 프리베이킹 공정을 진행한 상기 리타더 물질층(220)에 대해 스트라이프(stripe) 형태를 갖는 투과영역(TA)과 이와 교대하며 스트라이프(stripe) 형태를 갖는 차단영역(BA)을 포함하는 제 1 마스크(290)를 상기 기판(210)면과 나란하게 위치시킨다.Next, as illustrated in FIG. 3B, the transmissive area TA having a stripe shape with respect to the retarder material layer 220 which has undergone the prebaking process through a drying apparatus, and alternately have a stripe shape. The first mask 290 including the blocking area BA having a shape is positioned parallel to the surface of the substrate 210.

이후, 상기 제 1 마스크(290) 상부에서 편광된 UV광을 상기 기판(210)을 향해 1차 조사함으로써 상기 제 1 마스크(290)의 투과영역(TA)에 대응하는 리타더 물질층(220)이 제 1 방향으로 편광된 UV광에 노출되도록 한다. Thereafter, the retarder material layer 220 corresponding to the transmission area TA of the first mask 290 is first irradiated with UV light polarized on the first mask 290 toward the substrate 210. It is exposed to UV light polarized in the first direction.

이때, 프리베이크 된 상기 리타더 물질층(220)에 1차 조사되는 상기 제 1 방향으로 편광된 UV광의 단위 면적당 에너지 밀도는 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 그 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 바람직하다. In this case, the energy density per unit area of the UV light polarized in the first direction irradiated to the prebaked retarder material layer 220 is 1mJ / ㎠ to 500mJ / ㎠, the wavelength is preferably 200nm to 500nm Do.

한편, 상기 편광된 UV광의 단위 면적당 에너지 밀도는 상기 리타더 물질층(220)의 리타데이션 값을 결정하는 중요한 요인이 된다. 3D 화상 구현 시스템에 이용되어 직선 편광된 빛을 좌원편광 또는 우원편광된 상태로 만들기 위한 역할을 하는 패턴드 리타더를 이루기 위해서는 즉, 2D를 표시하는 액정표시장치를 통해 3D 화상을 시청하기 위해 요구되는 패턴드 리타더의 바람직한 리타데이션 값(△nd)은 기준 파장인 550nm의 파장에 대해 125nm ± 10nm 정도가 되고 있다. Meanwhile, the energy density per unit area of the polarized UV light becomes an important factor in determining the retardation value of the retarder material layer 220. In order to achieve a patterned retarder that serves to make a linearly polarized light into a left circularly or rightly polarized state used in a 3D image realization system, that is, to view 3D images through a 2D display liquid crystal display device. The preferred retardation value (Δnd) of the patterned retarder is about 125 nm ± 10 nm with respect to the wavelength of 550 nm which is a reference wavelength.

따라서, 이를 만족시키기 위해 본 발명에 따른 패턴드 리타더의 제조에서는 단위 면적당 에너지 밀도가 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 200nm 내지 500nm의 파장을 갖는 편광된 UV광을 조사한 것이 특징이다. Therefore, in order to satisfy this, in the manufacture of the patterned retarder according to the present invention, the energy density per unit area is 1mJ / cm 2 to 500mJ / cm 2 and is characterized by irradiating polarized UV light having a wavelength of 200nm to 500nm.

일례로 각각 8mJ/㎠, 20mJ/㎠, 40mJ/㎠, 60mJ/㎠, 80mJ/㎠, 100mJ/㎠의 단위 면적당 에너지 밀도를 갖는 편광된 UV광을 프리베이킹 된 상기 리타더 물질층(220)에 조사하였을 경우, 열처리 후 최종적으로 발현되는 550nm 파장에 대한 리타데이션 값(△nd)은 각각 18.3nm, 53.5nm, 71.8nm, 92.5nm, 101.5nm, 130.2nm가 됨을 실험을 통해 알 수 있었다.For example, polarized UV light having an energy density per unit area of 8 mJ / cm 2, 20 mJ / cm 2, 40 mJ / cm 2, 60 mJ / cm 2, 80 mJ / cm 2, and 100 mJ / cm 2 is prebaked to the retarder material layer 220. When irradiated, the retardation value (△ nd) for the final 550nm wavelength after heat treatment was found to be 18.3nm, 53.5nm, 71.8nm, 92.5nm, 101.5nm, 130.2nm, respectively.

이 경우, 100mJ/㎠의 단위 면적당 에너지 밀도를 갖는 편광된 UV광을 조사한 경우에 대해서만 리타더 물질이 기준이 되는 550nm 파장에 대한 리타데이션 값(△nd)이 130.2nm가 되어 본원에서 요구되는 범위의 리타데이션 값을 갖게 되지만, 이는 본원에 제시된 여러 리타더 형태의 물질 중 어느 한 물질에 대해서만 측정한 것이고, 다른 물질의 경우는 1mJ/㎠의 단위 면적당 에너지 밀도를 갖는 편광된 UV광을 조사하여도 그 리타데이션 값이 125nm ± 10nm 정도의 범위 내에 위치하게 됨을 알 수 있었다.In this case, only in the case of irradiating polarized UV light having an energy density per unit area of 100 mJ / cm 2, the retardation value (Δnd) for the 550 nm wavelength on which the retarder material is a reference is 130.2 nm, which is the range required herein. It has a retardation value of, but it is measured only for one of the various retarder types of materials presented herein, and for other materials it is irradiated with polarized UV light having an energy density per unit area of 1 mJ / cm 2. The retardation value was found to be located in the range of about 125nm ± 10nm.

상기 리타더 물질층의 리타데이션 값은 125nm ± 10nm 정도의 범위 내에 위치하는 것이 바람직하다고 설명하였지만, 더욱 정확히는 3D 영상 시청용 안경의 리타데이션 값에 의해 그 범위는 더욱 변경될 수 있다.It has been described that the retardation value of the retarder material layer is preferably within a range of about 125 nm ± 10 nm, but more precisely, the range may be further changed by the retardation value of the glasses for viewing 3D images.

통상적으로 3D 시청시 필요로 되는 편광안경은 그 리타데이션 값의 중심값이 125nm ± 10nm 정도가 되고 있으며, 이러한 특성을 갖는 편광안경과 패턴드 리터더간의 크로스토크 현상을 억제하기 위한 패턴드 리타더의 리타데이션 값의 최적치가 125nm ± 10nm가 된 것이며, 상기 크로스토크는 편광안경과 패턴드 리타더의 리타데이션 값이 10% 이내의 범위에서 소정의 차이를 갖는 경우 거의 발생되지 않는다. 따라서, 이를 반영할 때, 상기 패턴드 리타더의 리타데이션 값은 편광안경의 리타데이션 값의 ± 10% 범위에서 결정되는 것이 바람직하다.In general, polarized glasses required for 3D viewing have a center value of about 125 nm ± 10 nm of the retardation value, and a patterned retarder for suppressing crosstalk phenomenon between polarized glasses having such characteristics and a patterned litter The optimum value of the retardation value is 125 nm ± 10 nm, and the crosstalk is hardly generated when the retardation value of the polarized glasses and the patterned retarder has a predetermined difference within a range of 10%. Therefore, when reflecting this, the retardation value of the patterned retarder is preferably determined in the range of ± 10% of the retardation value of the polarizing glasses.

그리고, 패턴드 리타더는 3D 화상 구현 시스템 뿐만 아니라 다른 여러 분야에서도 사용되며, 이러한 여러 분야에서 사용되는 패턴드 리타더는 그 분야별로 요구되는 리타데이션 값(△nd)이 다르다. The patterned retarder is used not only in a 3D image realization system but also in other fields, and the patterned retarder used in these fields has a different retardation value? Nd.

따라서, 이러한 경우 상기 편광된 UV광의 단위 면적당 에너지 밀도값은 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠의 범위에서 자유롭게 변경할 수 있다.Therefore, in this case, the energy density value per unit area of the polarized UV light may be freely changed in the range of 1 mJ / cm 2 to 500 mJ / cm 2.

이러한 공정 진행에 의해 제 1 방향으로 편광된 UV광에 노출된 리타더 물질층(220)은 제 1 위상부분(221a)을 이루게 된다.As a result of this process, the retarder material layer 220 exposed to the UV light polarized in the first direction forms the first phase portion 221a.

다음, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 마스크(도 3b의 290)를 개재하여 1차 편광된 UV광이 조사되어 제 1 위상부분(221a)이 구비된 리타더 물질층(220) 상에 위치하는 상기 제 1 마스크(도 3b의 290)를 제거한다.Next, as shown in FIG. 3C, the first polarized UV light is irradiated through the first mask 290 of FIG. 3B, and thus, on the retarder material layer 220 having the first phase portion 221a. The first mask (290 of FIG. 3B) located at is removed.

다음, 스트라이프 타입의 투과영역(TA)과 스트라이프 타입의 차단영역(BA)이 교대하는 구성을 갖는 제 2 마스크(292)를 상기 1차 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층(220) 상부에 위치시킨다. Next, the retarder material layer 220 to which the first polarized UV light is irradiated on the second mask 292 having a configuration in which the stripe-type transmission area TA and the stripe-type blocking area BA are alternately formed. Position it at the top.

이때, 상기 제 2 마스크(292)는 상기 리타더 물질층(220)에 1차 편광된 UV광 조사 시 상기 편광된 UV광이 조사된 제 1 영역(221a)에 대응해서는 차단영역(BA)에 의해 완전히 가려지도록, 그리고 1차 편광된 UV광 조사 시 상기 편광된 UV광이 조사되지 않은 제 2 영역에 대해서는 투과영역(TA)이 대응되도록 위치시킨다. In this case, the second mask 292 may correspond to the blocking area BA corresponding to the first area 221a to which the polarized UV light is irradiated when the first polarized UV light is irradiated onto the retarder material layer 220. And the transmission area TA correspond to the second area not completely irradiated by the polarized UV light and irradiated with the first polarized UV light.

이후, 1차 편광된 UV광을 조사한 방법과 동일하게 상기 제 2 마스크(292)를 개재하여 200nm 내지 500nm의 파장을 가지며 단위 면적당 에너지 밀도가 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠를 가지며 편광방향이 상기 제 1 차 편광된 UV광과 수직한 제 2 방향을 갖는 2차 편광된 UV광을 상기 리타더 물질층(220)에 조사한다. 이때, 상기 2차 편광판 UV광은 상기 1차 조사된 편광된 UV광과 동일한 파장대와 동일한 에너지 밀도를 갖는 것이 바람직하다.Thereafter, similarly to the method of irradiating the first polarized UV light, the second mask 292 has a wavelength of 200 nm to 500 nm, an energy density of 1 mJ / cm 2 to 500 mJ / cm 2, and a polarization direction of the first polarized UV light. Secondary polarized UV light having a second direction perpendicular to the first polarized UV light is irradiated to the retarder material layer 220. At this time, the secondary polarizing plate UV light preferably has the same energy density and the same wavelength band as the primary irradiated polarized UV light.

다음, 도 3d에 도시한 바와 같이, 1차 및 2차 편광된 UV광이 조사된 리타더 물질층(220)을 갖는 상기 기판(210)을 80℃ 내지 130℃의 온도 분위기를 갖는 소성장치(296) 일례로 오븐, 핫 챔버, 핫 플레이트 내부 또는 상에 위치하도록 하고, 30초 내지 10분간 80℃ 내지 130℃의 온도 분위기에 노출시켜 상기 리타더 물질층(220)을 소성시킴으로써 본 발명에 따른 패턴드 리타더(201)를 완성한다. 이러한 소성장치(296)를 이용하여 리타더 물질층(220)을 소성시키는 공정을 포스트베이킹(post-baking) 공정이라 한다.Next, as shown in Figure 3d, the substrate 210 having the retarder material layer 220 irradiated with the primary and secondary polarized UV light is a firing apparatus having a temperature atmosphere of 80 ℃ to 130 ℃ ( 296) For example, the retarder material layer 220 is fired by placing it in or on an oven, hot chamber, hot plate, and then exposed to a temperature atmosphere of 80 ° C to 130 ° C for 30 seconds to 10 minutes. The patterned retarder 201 is completed. The process of baking the retarder material layer 220 by using the baking apparatus 296 is called a post-baking process.

이러한 포스트베이킹 공정 진행에 의해 상기 리타더 물질층(220) 내부에는 편광 UV광이 조사된 방향에 대해 수직한 방향으로 리타데이션이 발현되는 상태를 이루게 된다. As a result of the post-baking process, the retardation material layer 220 has a state in which retardation is expressed in a direction perpendicular to a direction in which polarized UV light is irradiated.

즉, 본 발명에 따른 패턴드 리타더(201)의 제조에 이용되는 리타더 물질층(220)은 그 특징 상 편광된 UV광에 노출되는 상태까지는 등방성을 유지하다가, 편광된 UV광의 조사 후 포스트 베이킹 공정을 진행하게 되면 이방성 특성을 갖게 된다. 상기 리타더 물질층(220)은 이러한 특성에 의해 1차 및 2차 편광된 UV광의 조사 방향이 달라짐으로써 그 내부에서 제 1 위상부분(도 3c의 221a)과 제 2 위상부분(도 3c의 221b)에서 서로 다른 방향으로 이방성 특성을 갖도록 배열됨으로써 각각 직선 편광된 빛을 좌원편광 및 우원편광 시키는 제 1 및 위상패턴(222) 및 제 2 위상패턴(224)을 이루게 된다.That is, the retarder material layer 220 used in the manufacture of the patterned retarder 201 according to the present invention maintains isotropy until a state of being exposed to polarized UV light due to its characteristics, and post-irradiates the polarized UV light. As the baking process proceeds, it has anisotropic properties. The retarder material layer 220 has a first phase portion (221a in FIG. 3c) and a second phase portion (221b in FIG. 3c) therein by changing the irradiation direction of the primary and secondary polarized UV light due to this characteristic. The first and phase patterns 222 and the second phase patterns 224 are arranged to have anisotropic properties in different directions, respectively, so that linearly polarized light is left and right polarized.

전술한 바와같이 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 패턴드 리타더(201)는 별도의 광배향막을 형성할 필요가 없는 것이 특징이다. As described above, the patterned retarder 201 manufactured by the manufacturing method according to the present invention is not required to form a separate optical alignment film.

따라서 광배향막을 형성하는 종래의 패턴드 리터더 제조방법 대비 광배향 물질의 도포, 건조 및 소성공정을 진행할 필요가 없으므로 제조 공정이 단순화 되며 이에 의해 제조 비용을 저감시킬 수 있다. Therefore, the process of coating, drying, and firing the photo-alignment material does not need to be carried out as compared with the conventional method of manufacturing the photolithography, which forms the photo-alignment layer, thereby simplifying the manufacturing process and thereby reducing the manufacturing cost.

한편, 도면에 나타나지 않았지만, 전술한 바와같이 제조된 패턴드 리타더(201)는 레이저 빔 조사장치(미도시)를 이용하여 절단하는 절단공정을 진행하여 적정 크기를 갖도록 단위 패턴드 리타더로 분리된다. Meanwhile, although not shown in the drawings, the patterned retarder 201 manufactured as described above is separated into unit patterned retarders to have a proper size by performing a cutting process of cutting using a laser beam irradiation apparatus (not shown). do.

또한 이렇게 적정 크기로 분리된 단위 패턴드 리타더에 반사 방지 코팅막을 형성하거나, 또는 반사 방지 코팅 필름을 부착함으로써 반사 방지 기능을 갖는 단위 패턴드 리타더를 완성할 수 있다.
In addition, the unit patterned retarder having an antireflection function may be completed by forming an antireflective coating film on the unit patterned retarder separated into appropriate sizes or by attaching an antireflective coating film.

한편, 도 3a 내지 도 3c에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 패턴드 리타더에 제조 방법에서는 2개의 마스크를 이용하여 동일한 에너지 밀도를 갖는 1차 및 2차 노광을 실시함으로서 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성함을 일례로 보이고 있지만, 다양하게 변형될 수 있다.Meanwhile, in the manufacturing method of the patterned retarder according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 3A to 3C, first and second phases are performed by performing first and second exposures having the same energy density using two masks. Forming a pattern is shown as an example, but may be variously modified.

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제 1 변형예에 따른 순차 반복되는 제 1 및 제 2 위상패턴을 갖는 패턴드 리타더를 제조하는 방법을 나타낸 제조 공정 단면도이다. 7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a patterned retarder having first and second phase patterns that are sequentially repeated according to a first modification of the present invention.

우선, 도 7a에 도시한 바와같이, 앞서 설명한 바와같이, 투명한 절연기판(310) 상에 용액 상태의 리타더 물질을 스핀 코팅장치 또는 슬릿코팅 장치 등을 통해 코팅함으로써 상기 기판(310) 전면에 0.5㎛ 내지 2㎛ 정도의 두께를 갖는 리타더 물질층(320)을 형성한다. 이때, 상기 투명한 절연기판(310)은 예를들면 유리기판, 필름, 플렉서블 기판이 될 수 있으며, 상기 필름은 TAC(tri acetate cellulose) COP(cyclo olephine polymer), PC(poly carbonate), PMMA (poly methyl methacrylate), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PI(poly imide) 중 어느 하나로 이루어진 것이 될 수 있다. First, as shown in FIG. 7A, as described above, the retarder material in a solution state is coated on the transparent insulating substrate 310 by using a spin coating apparatus or a slit coating apparatus, so that the front surface of the substrate 310 is 0.5. A retarder material layer 320 having a thickness of about 2 μm to about 2 μm is formed. In this case, the transparent insulating substrate 310 may be, for example, a glass substrate, a film, a flexible substrate, the film is tri acetate cellulose (TAC) cyclo olephine polymer (COP), polycarbonate (PC), PMMA (poly) It may be made of any one of methyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polystyrene (PS), and polyimide (PI).

한편, 상기 투명한 절연기판(310)에 상기 리타더 물질층(320)을 형성한 후에는 프리 베이킹 공정을 진행하여 건조시킨다. 이때, 프리베이킹 공정은 실시예와 동일하게 진행하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Meanwhile, after the retarder material layer 320 is formed on the transparent insulating substrate 310, a prebaking process is performed to dry. At this time, since the prebaking process proceeds in the same manner as in the embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

다음, 도 7b에 도시한 바와같이, 건조된 상기 리타더 물질층(도 7a의 320) 위로 마스크 없이 리타더 물질층(도 7a의 320) 전면에 제 1 에너지 밀도 일례로 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 200nm 내지 500nm의 파장대를 갖는 제 1 편광된 UV광을 조사함으로써 상기 리타더 물질층(도 7a의 320) 전체가 125nm ± 10 nm 의 리타데이션 값을 갖는 제 1 위상층(321)을 이루도록 한다.Next, as shown in FIG. 7B, the first energy density is 1 mJ / cm 2 to 500 mJ / in front of the retarder material layer 320 of FIG. 7A without a mask on the dried retarder material layer 320 of FIG. 7A. By irradiating the first polarized UV light having a wavelength range of 200 nm to 500 nm, the entire retarder material layer 320 (FIG. 7A) has a first phase layer 321 having a retardation value of 125 nm ± 10 nm. To achieve.

다음, 도 7c에 도시한 바와같이, 125nm ± 10 nm 의 리타데이션 값을 갖는 제 1 위상층(321) 위로 스트라이프 타입의 투과영역(TA)과 스트라이프 타입의 차단영역(BA)이 교대하는 구성을 갖는 제 1 마스크(390)를 위치시킨다. Next, as shown in FIG. 7C, the stripe-type transmission area TA and the stripe-type blocking area BA are alternated on the first phase layer 321 having a retardation value of 125 nm ± 10 nm. The first mask 390 is positioned.

이후, 제 1 마스크(390)를 개재하여 200nm 내지 500nm의 파장을 가지며 단위 면적당 에너지 밀도가 상기 1차 편광된 UV광이 갖는 에너지 밀도보다 2배 큰 2mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠를 가지며 편광방향이 상기 제 1 차 편광된 UV광과 수직한 방향을 갖는 2차 편광된 UV광을 상기 제 1 위상층(321)에 조사함으로서 1 차 편광된 UV광에만 노출된 부분은 제 1 위상부분(321a)을 이루며, 상기 1차 및 2차 편광된 UV광에 모두 노출된 부분은 제 2 위상부분(321b)을 이루도록 한다.Thereafter, the wavelength is 200 nm to 500 nm through the first mask 390, and the energy density per unit area is 2 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2, which is twice the energy density of the primary polarized UV light, and the polarization direction is By irradiating the first phase layer 321 with the second polarized UV light having a direction perpendicular to the first polarized UV light, the portion exposed only to the first polarized UV light is the first phase part 321a. A portion exposed to both the primary and secondary polarized UV light forms a second phase portion 321b.

이때, 상기 2차 편광된 광은 실질적으로 1차 편광된 UV광의 2배 이상의 에너지 밀도를 갖는 것이 특징이다. 즉, 1차 편광된 UV광을 100mJ/㎠로 조사했다면 2차 편광된 UV광은 200mJ/㎠의 이상의 에너지 밀도를 갖는 편광된 UV광인 것이 특징이다.In this case, the second polarized light is characterized in that it has an energy density of more than twice the first polarized UV light. That is, if the primary polarized UV light is irradiated at 100mJ / cm 2 The secondary polarized UV light is characterized in that the polarized UV light having an energy density of 200mJ / cm 2 or more.

다음, 이러한 방법으로 1차 및 2차 노광이 이루어져 제 1 및 제 2 위상부분(321a, 321b)을 갖는 패턴드 물질층(320)에 대해 실시예에 제시된 동일한 방법으로 포스트 베이킹 공정을 진행함으로써 제 1 및 제 1 위상패턴(미도시)을 갖는 패턴드 리타더를 완성할 수 있다.Next, the first and second exposures are made in this manner, so that the post-baking process is performed on the patterned material layer 320 having the first and second phase portions 321a and 321b in the same manner as described in the embodiment. A patterned retarder having first and first phase patterns (not shown) can be completed.

전술한 제 1 변형예와 같이 패턴드 리타더를 제작하는 경우, 총 1장의 마스크가 사용됨으로써 실시예 대비 마스크 수를 저감시킬 수 있는 장점을 갖는다.
When manufacturing the patterned retarder as in the first modification described above, a total of one mask is used, which has the advantage of reducing the number of masks compared to the embodiment.

한편, 또 다른 변형예에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법으로서 도 8a 내지 도 8c(본 발명의 제 2 변형예에 따른 순차 반복되는 제 1 및 제 2 위상패턴을 갖는 패턴드 리타더를 제조하는 방법을 나타낸 제조 공정 단면도)를 참조하면, 도 8a에 도시한 바와같이, 투명한 절연기판(410) 상에 용액 상태의 리타더 물질을 스핀 코팅장치 또는 슬릿코팅 장치 등을 통해 코팅함으로써 상기 기판(410) 전면에 0.5㎛ 내지 2㎛ 정도의 두께를 갖는 리타더 물질층(420)을 형성한다. 이때, 상기 투명한 절연기판(410)은 예를들면 유리기판, 필름, 플렉서블 기판이 될 수 있으며, 상기 필름은 TAC(tri acetate cellulose) COP(cyclo olephine polymer), PC(poly carbonate), PMMA (poly methyl methacrylate), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PI(poly imide) 중 어느 하나로 이루어진 것이 될 수 있다. Meanwhile, as a method of manufacturing a patterned retarder according to another modified example, FIGS. 8A to 8C (a method of manufacturing a patterned retarder having first and second phase patterns which are sequentially repeated according to the second modified example of the present invention) Referring to FIG. 8A, the substrate 410 is formed by coating a retarder material in a solution state on a transparent insulating substrate 410 through a spin coating apparatus or a slit coating apparatus, as shown in FIG. 8A. The retarder material layer 420 having a thickness of about 0.5 μm to 2 μm is formed on the entire surface. At this time, the transparent insulating substrate 410 may be, for example, a glass substrate, a film, a flexible substrate, the film is tri acetate cellulose (TAC) cyclo olephine polymer (COP), polycarbonate (PC), PMMA (poly) It may be made of any one of methyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polystyrene (PS), and polyimide (PI).

한편, 상기 투명한 절연기판(410)에 상기 리타더 물질층(420)을 형성한 후에는 프리 베이킹 공정을 진행하여 건조시킨다. Meanwhile, after the retarder material layer 420 is formed on the transparent insulating substrate 410, the prebaking process is performed to dry.

다음, 도 8b에 도시한 바와같이, 서로 교대하는 스트라이프 타입의 투과영역(TA)과 차단영역(BA)을 갖는 제 1 마스크(490)를 리타더 물질층(420) 상에 위치시킨 후, 제 1 에너지 밀도 일례로 2mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이며, 200nm 내지 500nm의 파장대를 갖는 제 1 편광된 UV광을 1차 조사함으로써 상기 제 1 마스크(490)의 투과영역(TA)에 대응하는 리타더 물질층(420) 부분을 125nm ± 10 nm 의 리타데이션 값을 갖는 제 1 위상부분(421a)을 이루도록 한다. Next, as shown in FIG. 8B, a first mask 490 having alternating stripe-type transmission regions TA and blocking regions BA is positioned on the retarder material layer 420. Retarder corresponding to the transmission area TA of the first mask 490 by firstly irradiating first polarized UV light having an energy density of 2 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2 and having a wavelength band of 200 nm to 500 nm. A portion of the material layer 420 forms a first phase portion 421a having a retardation value of 125 nm ± 10 nm.

이후, 도 8c에 도시한 바와같이, 상기 제 1 위상 부분(421a)이 형성된 리타더 물질층(420)에 대해 마스크 없이 전면에 상기 제 1 에너지 밀도보다 작은 제 2 에너지 밀도를 가지며 상기 1차 편광된 UV광과 수직한 편광방향을 갖는 편광된 UV광을 조사함으로써 1차 편광된 UV광에 노출되지 않았던 리타더 물질층(420) 부분이 125nm ± 10 nm 의 리타데이션 값을 갖는 제 2 위상 부분(421b)을 이루도록 한다. 이때, 상기 2차 편광된 UV광을 노광시는 상기 제 1 위상 부분(421a)이 상기 1차 편광된 UV광에 의해 제 1 방향으로 편광되며 125nm ± 10 nm 의 리타데이션 값이 유지됨과 동시에 상기 제 2 위상부분(421b)이 형성될 수 있도록 상기 2차 편광된 UV광의 제 2 에너지 밀도가 적절히 조절되는 것이 특징이다. 이때, 상기 2차 편광된 UV광의 제 2 에너지 밀도는 상기 리타더 물질층(420)을 이루는 재료마다 차이가 있지만, 이미 1차 편광된 UV광에 노출됨으로써 형성된 상기 제 1 위상 부분(421a)의 리타데이션 값의 변화를 발생시키지 않도록 하기 위해서는 상기 1차 편광된 UV광의 제 1 에너지 밀도보다 작은 값을 갖는 것이 특징이며, 나아가 안정적으로 상기 제 1 위상부분(421a)의 리타데이션 값의 변화를 억제하는 동시에 상기 제 1 방향에 수직한 방향으로 제 2 위상부분(421b)의 형성하기 위해서는 상기 제 2 에너지 밀도는 상기 제 1 에너지 밀도의 1/2 이하가 되는 것이 바람직하다. Subsequently, as shown in FIG. 8C, the first polarized light having a second energy density smaller than the first energy density on the front surface without a mask for the retarder material layer 420 having the first phase portion 421a formed thereon. Part of the retarder material layer 420 which was not exposed to the first polarized UV light by irradiating polarized UV light having a polarization direction perpendicular to the UV light of the second phase part having a retardation value of 125 nm ± 10 nm. (421b). At this time, when exposing the second polarized UV light, the first phase portion 421a is polarized in the first direction by the first polarized UV light, and a retardation value of 125 nm ± 10 nm is maintained. The second energy density of the second polarized UV light is properly adjusted so that the second phase portion 421b can be formed. In this case, although the second energy density of the second polarized UV light is different for each material forming the retarder material layer 420, the first phase portion 421a of the first phase portion 421a formed by being exposed to the first polarized UV light is different. In order not to generate a change in the retardation value is characterized by having a value less than the first energy density of the first polarized UV light, and further stably suppress the change in the retardation value of the first phase portion 421a At the same time, in order to form the second phase portion 421b in a direction perpendicular to the first direction, the second energy density is preferably equal to or less than 1/2 of the first energy density.

다음, 이러한 방법으로 1차 및 2차 노광이 이루어진 리타더 물질층(420)에 대해 실시예와 동일한 방법으로 포스트 베이킹 공정을 진행함으로써 제 1 및 제 1 위상패턴(미도시)을 갖는 패턴드 리타더를 완성할 수 있다.Next, the patterned retarder having the first and first phase patterns (not shown) is subjected to a post-baking process on the retarder material layer 420 subjected to the first and second exposures in this manner in the same manner as in the embodiment. You can complete more.

이러한 또 제 2 변형예에 따른 패턴드 리타더의 제조 방법 또한 총 1장의 마스크가 사용됨으로써 실시예 대비 마스크 수를 저감시킬 수 있는 장점을 갖는다.In addition, the manufacturing method of the patterned retarder according to the second modified example also has an advantage of reducing the number of masks compared to the embodiment by using a total of one mask.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 제조방법에 의해 실제 제작된 32" 크기의 패턴드 리타더에 대한 편광 광학 현미경 사진으로서 패턴드 리타더 상에 λ/4 위상차 필름을 위치시킨 후 촬영한 사진이다. FIG. 9 is a polarization optical microscope photograph of a patterned retarder having a size of 32 ″ actually manufactured by a manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 9 is a photograph taken after λ / 4 retardation film is placed on a patterned retarder. to be.

도시한 바와같이, 본 발명의 실시예에 따른 제조된 패턴드 리타더는 좌원(또는 우원)편광된 빛만을 투과시키는 제 1 위상패턴과 상기 제 1 위상패턴과는 반대되는 우원(또는 좌원)편광된 빛만을 투과사키는 제 2 위상패턴이 명백히 교대하는 형태로 365㎛ ± 5㎛ 정도의 폭을 가지며 교대하며 형성되었음을 알 수 있다. As shown, the patterned retarder manufactured according to the embodiment of the present invention has a first phase pattern which transmits only left circle (or right circle) polarized light and a right circle (or left circle) polarization opposite to the first phase pattern. It can be seen that only the transmitted light is alternately formed with a width of about 365 μm ± 5 μm in the form of clearly alternating second phase patterns.

201 : 패턴드 리타더 210 : 기판
220 : 리타더 물질층 222 : 제 1 위상패턴
224 : 제 2 위상패턴 296 : 소성장치
201: patterned retarder 210: substrate
220: retarder material layer 222: first phase pattern
224: Second Phase Pattern 296: Firing Device

Claims (24)

스트라이프 타입으로 서로 교대하는 제 1 및 제 2 영역이 정의된 투명한 기판 상에 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 리타더 물질을 코팅하여 리타더 물질층을 형성하는 단계와;
상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역에 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계와;
상기 리타더 물질층의 상기 제 2 영역에 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계와;
편광된 UV광이 2차 조사된 기판을 열처리하여 상기 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층 내부에 이방성이 발현되도록 하여 서로 교대하는 형태의 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 패턴드 리타더 제조 방법.
Forming a retarder material layer by coating a retarder material, characterized in that anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to polarized UV light on a transparent substrate defined first and second regions alternate with each other in a stripe type Steps;
Firstly irradiating UV light polarized in a first direction to the first region of the retarder material layer;
Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction to the second region of the retarder material layer;
Heat-treating the substrate irradiated with the polarized UV light to form anisotropy in the retarder material layer irradiated with the polarized UV light to form first and second phase patterns alternately formed.
Patterned retarder manufacturing method comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역에 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계는 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 1 영역 대응해서는 투과영역이 상기 제 2 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 1 마스크를 개재한 후 상기 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 것이 특징이며,
상기 리타더 물질층의 상기 제 2 영역에 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계는 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 2 영역 대응해서는 투과영역이 상기 제 1 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 2 마스크를 개재한 후 상기 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 1,
The first step of irradiating the first area of the retarder material layer with polarized UV light in a first direction may include a transmission area corresponding to the first area over the retarder material layer, and a blocking area corresponding to the second area. After the first mask is provided is characterized in that the first irradiation of the UV light polarized in the first direction,
The second step of irradiating the second area of the retarder material layer with the polarized UV light in a second direction perpendicular to the first direction may correspond to the second area over the retarder material layer. The method of manufacturing a patterned retarder, characterized in that the second region is irradiated with UV light polarized in the second direction after interposing a second mask having a blocking region corresponding to one region.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광은 단위 면적당 에너지 밀도가 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광의 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 1,
The UV light polarized in the first and second directions has an energy density of 1 mJ / cm 2 to 500 mJ / cm 2, and the wavelength of the UV light polarized in the first and second directions is 200 nm to 500 nm. Retarder manufacturing method.
스트라이프 타입으로 서로 교대하는 제 1 및 제 2 영역이 정의된 투명한 기판 상에 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 리타더 물질을 코팅하여 리타더 물질층을 형성하는 단계와;
상기 리타더 물질층 전면에 제 1 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계와;
상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역에 상기 제 1 에너지 밀도보다 큰 제 2 에너지 밀도를 가지며 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계와;
편광된 UV광이 2차 조사된 기판을 열처리하여 상기 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층 내부에 이방성이 발현되도록 하여 서로 교대하는 형태의 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 패턴드 리타더 제조 방법.
Forming a retarder material layer by coating a retarder material, characterized in that anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to polarized UV light on a transparent substrate defined first and second regions alternate with each other in a stripe type Steps;
Firstly irradiating UV light polarized in a first direction with a first energy density on the entire surface of the retarder material layer;
Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction and having a second energy density greater than the first energy density to the first region or the second region of the retarder material layer; ;
Heat-treating the substrate irradiated with the polarized UV light to form anisotropy in the retarder material layer irradiated with the polarized UV light to form first and second phase patterns alternately formed.
Patterned retarder manufacturing method comprising a.
제 4 항에 있어서,
상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역에 상기 제 1 에너지 밀도보다 큰 제 2 에너지 밀도를 가지며 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계는, 상기 리타더 물질층 위로 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 대해서는 투과영역이 나머지 다른 한 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 1 마스크를 개재한 후 상기 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 4, wherein
Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction and having a second energy density greater than the first energy density to the first region or the second region of the retarder material layer; And a polarized light in the second direction after interposing a first mask having a blocking area corresponding to the other area of the first area or the second area above the retarder material layer. A method for producing a patterned retarder, characterized by irradiating UV light secondly.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 에너지 밀도는 1mJ/㎠ 내지 500mJ/㎠이며, 상기 제 2 에너지 밀도는 상기 제 1 에너지 밀도의 2배 이상이며, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광의 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 4, wherein
The first energy density is 1mJ / ㎠ to 500mJ / ㎠, the second energy density is more than twice the first energy density, the wavelength of the UV light polarized in the first and second directions is 200nm to 500nm Patterned retarder manufacturing method characterized in that.
스트라이프 타입으로 서로 교대하는 제 1 및 제 2 영역이 정의된 투명한 기판 상에 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 리타더 물질을 코팅하여 리타더 물질층을 형성하는 단계와;
상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 제 1 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계와;
상기 리타더 물질층 전면에 상기 제 1 에너지 밀도보다 작은 제 2 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 편광된 UV광을 2차 조사하는 단계와;
편광된 UV광이 2차 조사된 기판을 열처리하여 상기 편광된 UV광이 조사된 상기 리타더 물질층 내부에 이방성이 발현되도록 하여 서로 교대하는 형태의 제 1 및 제 2 위상패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 패턴드 리타더 제조 방법.
Forming a retarder material layer by coating a retarder material, characterized in that anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to polarized UV light on a transparent substrate defined first and second regions alternate with each other in a stripe type Steps;
Firstly irradiating UV light having a first energy density and polarized in a first direction in any one of the first region and the second region of the retarder material layer;
Irradiating UV light polarized in a second direction perpendicular to the first direction and having a second energy density less than the first energy density on the entire surface of the retarder material layer;
Heat-treating the substrate irradiated with the polarized UV light to form anisotropy in the retarder material layer irradiated with the polarized UV light to form first and second phase patterns alternately formed.
Patterned retarder manufacturing method comprising a.
제 7 항에 있어서,
상기 리타더 물질층의 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 제 1 에너지 밀도를 가지며 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 단계는,
상기 리타더 물질층 위로 상기 제 1 영역 또는 제 2 영역 중 어느 한 영역에 대해서는 투과영역이 나머지 다른 한 영역에 대응해서는 차단영역이 구비되는 제 1 마스크를 개재한 후 상기 제 1 방향으로 편광된 UV광을 1차 조사하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
Irradiating UV light polarized in a first direction with a first energy density in any one of the first region or the second region of the retarder material layer,
UV polarized in the first direction after the first mask having a blocking area corresponding to the other area of the first area or the second area above the retarder material layer through the other area. A method for producing a patterned retarder, characterized by firstly irradiating light.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 에너지 밀도는 2mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이며, 상기 제 2 에너지 밀도는 상기 제 1 에너지 밀도의 1/2 이하의 값을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 편광된 UV광의 파장은 200nm 내지 500nm인 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The first energy density is 2mJ / ㎠ to 1000mJ / ㎠, the second energy density has a value of 1/2 or less of the first energy density, the wavelength of the UV light polarized in the first and second directions Method for producing a patterned retarder, characterized in that 200nm to 500nm.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 물질은,
호모폴리머(homopolymer) 형태로서 폴리머의 측쇄에 광반응성 액정기가 위치하며, 광 반응성기와 액정성 기가 카본 사슬(carbon chain)에 의해 연결된 형태를 이루거나,
코폴리머(Copolymer)의 형태로 액정성기가 부가적으로 상기 측쇄에 존재하는 형태를 이루거나,
호스트 폴리머(hostpolymer)에 리액티브 메소겐(reactive mesogen) 또는 액정성 폴리머가 혼합되어 블렌딩 폴리머 형태를 이루는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7,
The material characterized in that the anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to the polarized UV light,
As a homopolymer form, a photoreactive liquid crystal group is located in the side chain of the polymer, and the photoreactive group and the liquid crystal group are connected by a carbon chain,
In the form of a copolymer (Copolymer) forms a form in which the liquid crystal group is additionally present in the side chain,
A method for producing a patterned retarder, characterized in that a reactive polymer such as a reactive mesogen or a liquid crystalline polymer is mixed with a host polymer to form a blended polymer.
제 10 항에 있어서,
상기 호모폴리머(homopolymer) 형태로서 폴리머의 측쇄에 광반응성 액정기가 위치하며, 광 반응성기와 액정성 기가 카본 사슬(carbon chain)에 의해 연결된 형태를 갖는 물질은,
상기 광반응성기 자체가 액정성기를 이루거나,
또는 상기 광반응성기가 수소 결합 형태로 연결되어 액정성기를 나타내는 형태를 이루는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
11. The method of claim 10,
As the homopolymer form, a photoreactive liquid crystal group is positioned in a side chain of a polymer, and a material having a form in which the photoreactive group and the liquid crystal group are connected by a carbon chain,
The photoreactive group itself forms a liquid crystalline group,
Or the photoreactive group is connected in the form of hydrogen bond to form a form representing a liquid crystal group.
제 10 항에 있어서,
상기 호모폴리머(homopolymer) 형태의 물질은,
주쇄는 polymethacrylate로 이루어지며, 측쇄는 azobenzene기, cinnamate기, coumarin기, benzylidenephthalimidine기 중 어느 하나를 포함하는 광반응 액정성 폴리머로 이루어지는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The homopolymer-type material,
The main chain is made of polymethacrylate, the side chain is a method for producing a patterned retarder, characterized in that made of a photoreactive liquid crystalline polymer containing any one of azobenzene group, cinnamate group, coumarin group, benzylidenephthalimidine group.
제 10 항에 있어서,
상기 호모폴리머(homopolymer) 형태의 물질은, Cinnamate기를 포함하는 광반응 액정성 폴리머로 이루어지며,
상기 광반응 폴리머는 측쇄에 cinnamte기 및 액정성기를 갖는 호모폴리머(homopolymer) 형태를 갖거나,
측쇄에 cinnamate기를 가지고 있고 인접한 측쇄와 수소 결합을 통해 액정성을 나타내는 호모폴리머(homopolymer) 형태를 이루거나,
측쇄에 cinnmate기 및 액정성기를 갖고, 동시에 부가적인 액정성기를 갖는 코폴리머(co-polymer) 형태를 갖는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The homopolymer material is made of a photoreactive liquid crystalline polymer including a Cinnamate group,
The photoreactive polymer has a homopolymer form having a cinnamte group and a liquid crystalline group in the side chain,
Form a homopolymer having a cinnamate group in the side chain and exhibiting liquid crystallinity through hydrogen bonding with adjacent side chains,
A method for producing a patterned retarder, characterized in that it has a cinnmate group and a liquid crystalline group in the side chain, and at the same time has a copolymer form having an additional liquid crystalline group.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 편광된 UV광에 노출 후 열처리에 의해 이방성이 발현되는 것을 특징으로 하는 물질은,
주쇄(main chain)가 polymethacrylate로 되어 있으며, 측쇄(side chain)는 광반응성기(photo reactive group)와 액정성기(mesogenic group)를 동시에 구비하거나,
또는 코폴리머 형태로 상기 반응성기(photo reactive group)와 액정성기(mesogenic group)를 각각 가지고 있는 형태를 이루는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7,
The material characterized in that the anisotropy is expressed by heat treatment after exposure to the polarized UV light,
The main chain is made of polymethacrylate, and the side chain has photo reactive groups and mesogenic groups at the same time,
Or a copolymer in the form of a patterned retarder, characterized in that the form having a photo reactive group and a liquid crystal group (mesogenic group), respectively.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 리터더 물질은 그 굴절율 이방성 값인 △n값이 0.10 내지 0.18인 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7,
And said litter material has a refractive index anisotropy value of? N of 0.10 to 0.18.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 리타더 물질층은 스핀코팅 또는 슬릿코팅에 의해 형성되는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7,
And the retarder material layer is formed by spin coating or slit coating.
제 16 항에 있어서,
상기 리타더 물질층은 0.5㎛ 내지 2㎛의 두께로 형성하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
17. The method of claim 16,
The retarder material layer is a patterned retarder manufacturing method characterized in that formed to a thickness of 0.5㎛ 2㎛.
제 17 항에 있어서
상기 패턴드 리타더는 그 리타데이션 값(Δnd)이 550nm의 파장에 대해 125nm ± 10nm의 범위가 되도록 형성하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 17
The patterned retarder is a patterned retarder manufacturing method characterized in that the retardation value (Δnd) is formed to be in the range of 125nm ± 10nm for a wavelength of 550nm.
제 16 항에 있어서,
상기 리타더 물질은 그 고형분 농도가 1중량% 내지 30중량%이며,
상기 리타더 물질의 솔벤트는 ketone류, ether류 중 하나 또는 상기 ketone류와 ether류가 혼합된 물질이며,
상기 리타더 물질의 점도는 1mPas 내지 50mPas인 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
17. The method of claim 16,
The retarder material has a solid concentration of 1% to 30% by weight,
The solvent of the retarder material is one of ketones, ethers or a mixture of the ketones and ethers,
Wherein the viscosity of the retarder material is 1 mPas to 50 mPas.
제 19 항에 있어서,
상기 ketone류는 cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopetanone, MIBK(Methyl isobutyl ketone) 중 어느 하나이며,
상기 ether류는 PGME(Propylene glycol monomethyl ether) 또는 Toluene인 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 19,
The ketones are any one of cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopetanone, MIBK (Methyl isobutyl ketone),
The ether is a patterned retarder manufacturing method characterized in that PGME (Propylene glycol monomethyl ether) or Toluene.
제 19 항에 있어서,
상기 솔벤트에는 코팅성 향상을 위해 Silicon 계열 또는 Acryl 계열의 레벨링 에이전트(levelling agent)를 더 포함하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method of claim 19,
The solvent is a patterned retarder manufacturing method characterized in that it further comprises a silicon-based or Acryl-based leveling agent (leveling agent) to improve the coating properties.
제 16 항에 있어서,
상기 편광된 UV광을 1차 조사하기 전에 상기 리타더 물질층이 형성된 기판을 상온(24도) 내지 80도의 온도 분위기를 갖는 건조장치 내부 또는 상부에 안착시키고, 60초 내지 300초간 유지시켜 건조시키는 프리베이킹 공정을 진행하는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Before first irradiating the polarized UV light, the substrate on which the retarder material layer is formed is placed on or in a drying apparatus having a temperature atmosphere of room temperature (24 ° C) to 80 ° C, and maintained by drying for 60 seconds to 300 seconds. A method for producing a patterned retarder, characterized in that the prebaking process is performed.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 열처리는 110℃ 내지 130℃의 온도 분위기를 갖는 소성장치에서 30초 내지 10분간 진행되는 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7,
The heat treatment is a patterned retarder manufacturing method characterized in that the proceeding for 30 seconds to 10 minutes in a baking apparatus having a temperature atmosphere of 110 ℃ to 130 ℃.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 투명한 기판은, 유리기판, 필름, 플렉서블 기판 중 어느 하나이며,
상기 투명한 기판이 상기 필름인 경우, TAC(tri acetate cellulose) COP(cyclo olephine polymer), PC(poly carbonate), PMMA (poly methyl methacrylate), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PI(poly imide) 중 어느 하나로 이루어진 것이 특징인 패턴드 리타더 제조 방법.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7,
The transparent substrate is any one of a glass substrate, a film, a flexible substrate,
When the transparent substrate is the film, tri acetate cellulose (TAC) cyclo olephine polymer (COP), polycarbonate (PC), poly methyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethersulfone (PES) ), PS (polystyrene), PI (poly imide) characterized in that the method of producing a patterned retarder.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100969148B1 (en) * 2003-05-30 2010-07-08 엘지디스플레이 주식회사 A method of fabricating retardation film using of polarized uv
JP3841306B2 (en) * 2004-08-05 2006-11-01 日東電工株式会社 Method for producing retardation film
US20100068419A1 (en) * 2007-04-23 2010-03-18 Sin Young Kim Retardation film, a method for preparing retardation film and polarizer comprising the retardation film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9354463B2 (en) 2013-06-25 2016-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

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