KR20120062659A - Organic light emitting device and method for preparing the same - Google Patents
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Abstract
Description
유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.An organic light emitting device and a method of manufacturing the same.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.Organic light emitting diodes are self-luminous devices that have a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent luminance, driving voltage and response speed, and are capable of multicoloring.
일반적인 유기 발광 소자는 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재된 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드 등을 포함할 수 있다. 상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하는데, 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 이와 같은 유기 발광 소자를 포함한 유기 발광 장치(organic light emitting device)는, 구동 트랜지스터 또는 스위칭 트랜지터 등을 더 포함할 수 있다.A general organic light emitting device may include an anode and a cathode and an organic layer interposed between the anode and the cathode. The organic layer may include a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and a cathode. When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode move to the light emitting layer via the hole transport layer, and electrons injected from the cathode move to the light emitting layer via the electron transport layer. Carriers such as holes and electrons recombine in the emission layer to generate excitons, which generate light as the excitons change from excited to ground state. The organic light emitting device including the organic light emitting device may further include a driving transistor or a switching transistor.
상기 유기 발광 소자는 산소 및/또는 수분에 의하여 열화될 수 있으므로, 고품질의 유기 발광 장치를 구현하기 위하여, 유기 발광 소자에 대한 효과적인 밀봉 수단이 요구된다.Since the organic light emitting device may be degraded by oxygen and / or moisture, an effective sealing means for the organic light emitting device is required in order to implement a high quality organic light emitting device.
산소 및/또는 수분 침투가 방지된 신규 구조의 유기 발광 장치를 제공하는 것이다.The present invention provides a novel organic light emitting device in which oxygen and / or moisture penetration is prevented.
또한, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing the organic light emitting device.
발광 영역 및 비발광 영역을 구비한 소자 기판;An element substrate having a light emitting area and a non-light emitting area;
상기 발광 영역을 덮는 봉지 기판;An encapsulation substrate covering the light emitting region;
상기 발광 영역 상에 형성되고, 상기 소자 기판과 봉지 기판 사이에 개재된 제1전극;A first electrode formed on the emission region and interposed between the device substrate and the encapsulation substrate;
상기 봉지 기판과 상기 제1전극 사이에 개재된 유기층;An organic layer interposed between the encapsulation substrate and the first electrode;
상기 유기층과 상기 봉지 기판 사이에 개재된 제2전극;A second electrode interposed between the organic layer and the encapsulation substrate;
상기 발광 영역을 둘러싼 실링 부재; 및A sealing member surrounding the light emitting region; And
상기 실링 부재 외측의 비발광 영역 상에 구비되고, 상기 실링 부재를 둘러싼 제1부분을 포함하며, 상기 제1전극과 동일한 물질로 이루어진 제3전극;A third electrode provided on a non-light emitting area outside the sealing member and including a first portion surrounding the sealing member and made of the same material as the first electrode;
을 포함한 유기 발광 장치가 제공된다.An organic light emitting device is provided.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 제1전극 및 상기 제3전극이 금속 및 도전성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.Among the organic light emitting devices, the first electrode and the third electrode may include at least one material selected from the group consisting of metals and conductive oxides.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 제1전극 및 상기 제3전극은 인듐주석 산화물(ITO)로 이루어질 수 있다.In the organic light emitting device, the first electrode and the third electrode may be made of indium tin oxide (ITO).
상기 유기 발광 장치 중, 상기 실링 부재가 접착제 및 글래스 프릿 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The sealing member of the organic light emitting device may include at least one of an adhesive and a glass frit.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 실링 부재는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다:Among the organic light emitting devices, the sealing member may include at least one of a silicon compound represented by Formula 1 and a cured product of the silicon compound:
<화학식 1><Formula 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
상기 화학식 1 중,In Formula 1,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y1은 2가 유기 그룹이고;Y 1 is a divalent organic group;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;a and e are integers from 1 to 20;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f는 0 내지 10의 정수이고;f is an integer from 0 to 10;
g는 0 내지 3의 정수이다.g is an integer of 0-3.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 실링 부재는 제1실링 부재층, 제2실링 부재층 및 제3실링 부재층을 순차로 포함하고, 상기 제1실링 부재층 및 상기 제3실링 부재층은 접착제를 포함하고, 상기 제2실링 부재층은 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device, the sealing member sequentially includes a first sealing member layer, a second sealing member layer, and a third sealing member layer, and the first sealing member layer and the third sealing member layer include an adhesive. The second sealing member layer may include at least one of a silicon compound represented by Chemical Formula 1 and a cured product of the silicon compound.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 실링 부재의 측면과 상기 제3전극의 제1부분의 측면은 서로 접촉할 수 있다.In the organic light emitting device, a side surface of the sealing member and a side surface of the first portion of the third electrode may contact each other.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 제1전극의 최대 두께가 L1이고, 상기 제3전극의 제1부분의 최대 두께가 L2이고, L1=L2일 수 있다.The maximum thickness of the first electrode of the organic light emitting device may be L 1 , the maximum thickness of the first portion of the third electrode may be L 2 , and L 1 may be L 2 .
상기 유기 발광 장치 중, 상기 제3전극의 제1부분의 최대 두께가 L2이고, 상기 실링 부재의 최대 두께가 L3이고, L2≥L3일 수 있다.And the above organic light emitting device, the maximum thickness of the first portion of the third electrode L 2, and the maximum thickness of the sealing member 3 L, 2 L ≥L may 3rd.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간이 진공일 수 있다.In the organic light emitting device, a space between the device substrate and the encapsulation substrate may be a vacuum.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 흡습층을 더 포함될 수 있다.The organic light emitting device may further include a moisture absorption layer in a space between the device substrate and the encapsulation substrate.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 충진재가 채워질 수 있다.In the organic light emitting device, a filler may be filled in a space between the device substrate and the encapsulation substrate.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 충진재는 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device, the filler may include at least one of a silicon compound represented by Formula 1 and a cured product of the silicon compound.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분은 서로 이격되어 있고, 상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분 사이의 공간을 제1층이 채우고 있고, 상기 제1층은 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device, the sealing member and the first portion of the third electrode are spaced apart from each other, and the first layer fills a space between the sealing member and the first portion of the third electrode. The layer may include at least one of a silicon compound represented by Formula 1 and a cured product of the silicon compound.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 실링 부재의 최대 두께가 L3이고, 상기 제1층의 최대 두께가 L4이며, L3≤L4일 수 있다.Of the organic light emitting device, and the maximum thickness of the sealing member 3 L, and the maximum thickness of the first layer L 4, L 3 ≤L may be four days.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 제3전극은 상기 제3전극의 제1부분으로부터 상기 실링 부재를 향하여 연장되어 있는 제2부분을 갖고, 상기 제3전극의 제2부분은 상기 실링 부재와 상기 소자 기판 사이에 위치할 수 있다.In the organic light emitting device, the third electrode has a second portion extending from the first portion of the third electrode toward the sealing member, and the second portion of the third electrode is the sealing member and the device substrate. It can be located in between.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 제3전극의 제1부분의 최대 두께가 L2이고, 상기 제3전극의 제2부분의 최대 두께가 L5이며, L2≥L5일 수 있다.Of the organic light emitting device, and the maximum thickness of the first portion of the third electrode L 2, and the maximum thickness of the second portion of the third electrode 5 L, 2 L ≥L may 5th.
상기 유기 발광 장치 중, 상기 소자 기판은 상기 실링 부재에 대응되는 홀을 포함하고, 상기 홀 내부에 상기 실링 부재가 형성될 수 있다.The device substrate may include a hole corresponding to the sealing member, and the sealing member may be formed in the hole.
한편, 발광 영역 및 비발광 영역을 구비한 소자 기판을 준비하는 단계;On the other hand, preparing a device substrate having a light emitting region and a non-light emitting region;
상기 발광 영역 상에 제1전극을 형성하고, 제1부분을 포함하고 상기 제1전극과 동일한 물질로 이루어진 제3전극을 상기 비발광 영역 상에 형성하여, 상기 제1전극과 상기 제3전극을 형성하는 단계;A first electrode is formed on the light emitting region, and a third electrode including a first portion and made of the same material as the first electrode is formed on the non-light emitting region, thereby forming the first electrode and the third electrode. Forming;
상기 제1전극 상에 유기층을 형성하는 단계;Forming an organic layer on the first electrode;
상기 유기층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및Forming a second electrode on the organic layer; And
봉지 기판이 상기 발광 영역을 덮도록 상기 봉지 기판을 상기 소자 기판과 조립하고, 상기 제3전극 내측의 비발광 영역 상에 상기 발광 영역을 둘러싸도록 실링 부재를 제공하여, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착시키는 단계;The encapsulation substrate is assembled with the element substrate so that an encapsulation substrate covers the light emitting region, and a sealing member is provided to surround the light emitting region on a non-light emitting region inside the third electrode, thereby providing the device substrate and the encapsulation substrate. Attaching;
를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.A method of manufacturing an organic light emitting device is provided.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법 중, 상기 제1전극 및 상기 제3전극은 금속 및 도전성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.In the method of manufacturing the organic light emitting device, the first electrode and the third electrode may include at least one material selected from the group consisting of a metal and a conductive oxide.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법 중, 상기 제1전극 및 상기 제3전극은 인듐주석산화물(ITO)로 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing the organic light emitting device, the first electrode and the third electrode may be made of indium tin oxide (ITO).
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착시키는 단계 중 상기 실링 부재 제공을, i) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 접착제 전구체를 제공하고 경화시키는 단계, ii) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 글래스 프릿 전구체를 제공하고 열처리하는 단계 및 iii) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물을 제공하는 단계 중 하나 이상에 의하여 수행할 수 있다.Providing the sealing member during bonding of the device substrate and the encapsulation substrate, i) providing and curing an adhesive precursor between the device substrate and the encapsulation substrate, ii) a glass between the device substrate and the encapsulation substrate Providing and heat treatment of the frit precursor and iii) providing a silicon compound represented by the formula (1) between the device substrate and the encapsulation substrate.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법은, a) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간을 진공화하는 단계, b) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 흡습층을 제공하는 단계 및 c) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 충진재를 제공하는 단계 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the organic light emitting device may include: a) evacuating a space between the device substrate and the encapsulation substrate, b) providing a moisture absorption layer in the space between the device substrate and the encapsulation substrate, and c) the The method may further include at least one of providing a filler in a space between the device substrate and the encapsulation substrate.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법은, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착시키는 단계 후, 상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분 사이의 공간에 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한 제1층을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the method of manufacturing the organic light emitting device, after the bonding of the device substrate and the encapsulation substrate, the silicon compound and the silicon compound represented by the formula (1) in the space between the sealing member and the first portion of the third electrode It may further comprise providing a first layer comprising one or more of the cured product of.
상기 제1전극과 상기 제3전극을 형성하는 단계는, 상기 제3전극의 제1부분으로부터 상기 실링 부재를 향하여 연장되어 있는 제2부분을 추가로 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The forming of the first electrode and the third electrode may further include forming a second portion extending from the first portion of the third electrode toward the sealing member.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법 중, 상기 발광 영역과 비발광 영역을 포함한 소자 기판 제공 단계는, 상기 소자 기판 중 비발광 영역 상에 상기 실링 부재에 대응되는 홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the method of manufacturing the organic light emitting device, the providing of the device substrate including the light emitting area and the non-light emitting area may further include forming a hole corresponding to the sealing member on the non-light emitting area of the device substrate. .
상기 유기 발광 장치는 수분 및/또는 산소의 침투가 실질적으로 방지되는 바, 장수명을 가질 수 있다.Since the organic light emitting device is substantially prevented from the penetration of moisture and / or oxygen, it may have a long life.
도 1a는 상기 유기 발광 장치의 일 구현예를 개략적으로 도시한 단면도(도 1b 중 I-I' 방향의 단면도)이다.
도 1b는 상기 도 1a에 도시된 유기 발광 장치 중 봉지 기판(30), 제2전극(27), 유기층(25) 및 절연층(23)을 제외하고 도시한 유기 발광 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 실링 부재(50)의 일 구현예의 단면도이다.
도 3a 내지 3d는 도 1a에 도시된 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 설명한 도면이다.
도 4a는 상기 유기 발광 장치의 다른 구현예를 개략적으로 도시한 단면도(도 4b 중 I-I' 방향의 단면도)이다.
도 4b는 상기 도 4a에 도시된 유기 발광 장치 중 봉지 기판(130), 제2전극(127), 유기층(125) 및 절연층(123)을 제외하고 도시한 유기 발광 장치의 개략적인 평면도이다.
도 5는 상기 유기 발광 장치의 또 다른 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6a 내지 6d는 도 5에 도시된 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 설명한 도면이다.
도 7은 상기 유기 발광 장치의 또 다른 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 1A is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the organic light emitting device (cross section taken along II ′ in FIG. 1B).
FIG. 1B is a schematic plan view of the organic light emitting device of FIG. 1A except for the
2 is a cross-sectional view of one embodiment of the sealing
3A to 3D are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing the organic light emitting device shown in FIG. 1A.
FIG. 4A is a cross-sectional view schematically illustrating another embodiment of the organic light emitting device (cross section taken along II ′ in FIG. 4B).
FIG. 4B is a schematic plan view of the organic light emitting device of FIG. 4A except for the
5 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the organic light emitting device.
6A through 6D sequentially illustrate a method of manufacturing the organic light emitting device illustrated in FIG. 5.
7 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the organic light emitting device.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 구현예들을 설명하면 하기와 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a는 상기 유기 발광 장치의 일 구현예를 개략적으로 도시한 단면도(도 1b 중 I-I' 방향의 단면도)이고, 도 1b는 상기 도 1a에 도시된 유기 발광 장치 중 봉지 기판(30), 제2전극(27), 유기층(25) 및 절연층(23)을 제외하고 도시한 유기 발광 장치의 개략적인 평면도이다.FIG. 1A is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the organic light emitting device (sectional view in the II ′ direction of FIG. 1B), and FIG. 1B is a sealing
도 1a 및 1b의 유기 발광 장치는, 소자 기판(10), 봉지 기판(30), 제1전극(21), 절연층(23), 유기층(25), 제2전극(27), 실링 부재(50), 및 제1부분(40a)을 포함한 제3전극(40)을 포함한다. 상기 제1전극(21), 절연층(23), 및 유기층(25) 및 제2전극(27)은 유기 발광 소자(20)를 형성할 수 있다. 한편, 상기 유기 발광 장치는, 소자 기판(10)과 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)을 포함한다.1A and 1B illustrate the
상기 소자 기판(10)은 통상적인 유기 발광 장치에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 무기물로 이루어지거나, 투명한 플라스틱 재료의 절연성 유기물로 이루어질 수 있다. 상기 절연성 유기물은, 예를 들면, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
도 1a의 유기 발광 장치가, 유기 발광 소자(20)로부터 방출된 광이 소자 기판(10) 방향으로 구현되는 배면 발광형 장치인 경우, 소자 기판(10)은 투명한 재질로 형성할 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자(20)로부터 방출된 광이 소자 기판(10)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형 장치인 경우, 소자 기판(10)을 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 소자 기판(10)을 형성할 수 있다. 금속으로 소자 기판(10)을 형성할 경우 소자 기판(10)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the organic light emitting device of FIG. 1A is a bottom emission type device in which light emitted from the organic
비록 도 1a에는 도시하지 않았으나, 소자 기판(10)의 상면에는 소자 기판(10)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수도 있다. Although not shown in FIG. 1A, a buffer layer (not shown) may be further provided on the upper surface of the
상기 소자 기판(10)은 발광 영역(A) 및 비발광 영역(도 1b 중 영역 "A"를 제외한 영역)을 포함한다.The
상기 봉지 기판(30)은 상기 소자 기판(10)에 대향되어 배치될 수 있다. 상기 봉지 기판(30)은 발광 영역(A)을 덮도록 형성될 수 있다.The
상기 봉지 기판(30)은 다양한 재료로 형성될 수 있는데, 봉지 기판(30)의 재료는 상술한 바와 같은 소자 기판(10)의 재료를 참조한다.The
상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이에는 유기 발광 소자(20)가 구비되어 있다. 상기 유기 발광 소자(20)는 제1전극(21), 절연층(23), 유기층(25) 및 제2전극(27)을 포함할 수 있다.An organic
상기 제1전극(21)은 애노드(정공 주입 전극)일 수 있으며, 높은 일함수를 갖는 물질을 이용하여 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의하여 형성할 수 있다. 상기 제1전극(21)은 금속 또는 도전성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(21)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들 중 2 이상의 조합으로부터 선택된 금속; 또는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO) 및 인듐 산화물(In2O3)으로부터 선택된 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 및 도전성 산화물의 조합(예를 들면, 혼합물, 다층 구조 등)도 제1전극(21)으로 사용가능하다. 예를 들어, 상기 제1전극(21)은 ITO로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
상기 절연층(23)은 화소 정의막의 역할을 할 수 있다. 상기 절연층(23)은 통상의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(23)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The insulating
상기 유기층(25)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(EML), 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 유기층(25)의 각 층에 대한 설명은 후술하는 바를 참조한다.The
제2전극(27)은 캐소드(전자 주입 전극)일 수 있으며, 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO 등을 사용할 수도 있다.The
상술한 바와 같은 유기 발광 소자(20)는 소자 기판(10)과 봉지 기판(30) 사이의 위치하며, 이러한 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30)은 상기 발광 영역(A)을 둘러싼 실링 부재(50)에 의하여 서로 합착될 수 있다. 상기 실링 부재(50)는 소자 기판(10)과 밀봉 기판(30)을 합착시킬 수 있도록 접착력을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 외부의 산소 및/또는 수분이 봉지 기판(30)과 소자 기판(10) 사이의 공간(60)으로 침투하는 것을 방지하기 위하여, 방투습 및/또는 방투산소 특성을 가질 수 있다.The organic
상기 실링 부재(50)는 접착제 및 글래스 프릿 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The sealing
상기 접착제는 유기 접착제, 무기 접착제, 및 유/무기 접착제 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 접착제는 접착제 전구체(예를 들면, 후술된 접착제 형성에 사용되는 모노머 등)의 경화물(예를 들면, 가교 결합물)일 수 있다.The adhesive may comprise one or more of an organic adhesive, an inorganic adhesive, and an organic / inorganic adhesive. The adhesive may be a cured product (eg, a crosslinked product) of an adhesive precursor (eg, a monomer used to form the adhesive described below).
상기 유기 접착제의 예로는 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀롤로오즈계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the organic adhesives include acrylic resins, methacryl resins, polyisoprene, vinyl resins, epoxy resins, urethane resins, cellulose resins, and the like.
상기 아크릴계 수지의 예로서, 부틸아크릴레이트, 에틸헥실아크릴레이트 등을 들 수 있고, 상기 메타크릴계 수지의 예로서, 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트 등을 들 수 있고, 상기 비닐계 수지의 예로서 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있고, 상기 에폭시계 수지의 예로서, 싸이클로알리파틱 에폭사이드, 에폭시 아크릴레이트, 비닐 에폭시계 수지 등을 들 수 있고, 상기 우레탄계 수지의 예로서, 우레탄 아크릴레이트 등을 들 수 있고, 상기 셀룰로오즈계 수지의 예로서, 셀룰로오즈나이트레이트 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the acrylic resins include butyl acrylate, ethylhexyl acrylate, and the like. Examples of the methacrylic resins include propylene glycol methacrylate and tetrahydrofurfree methacrylate. Examples of the vinyl resins include vinyl acetate, N-vinylpyrrolidone, and the like. Examples of the epoxy resins include cycloaliphatic epoxides, epoxy acrylates, and vinyl epoxy resins. Examples of the urethane-based resin include urethane acrylate, and the like. Examples of the cellulose-based resin include, but are not limited to, cellulose nitrate.
상기 무기 접착제의 예로는, 티타니아, 실리콘 산화물, 지르코니아, 알루미나 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic adhesive include titania, silicon oxide, zirconia, alumina and the like.
상기 유/무기 복합 접착제의 예로는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane) 또는 그 중합체; 에폭시 실리케이트; 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilnae) 또는 그 중합체와 같은 비닐 실란; 아미노프로필트리메톡시실란(3-Aminopropyltriethoxysilnae) 및 그 중합체와 같은 아민 실린 또는 그 유도체; 3-트리(메톡시실릴)프로필 아크릴레이트{3-(Trimethoxysilyl)propyl acrylate} 및 그 중합체와 같은 메타크릴레이트 실란; 또는 그 유도체, 페닐 실란 또는 그 중합체와 같은 아릴 실란; 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the organic / inorganic composite adhesive include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane or a polymer thereof; Epoxy silicates; Vinyl silanes such as vinyltriethoxysilnae or polymers thereof; Amine sillines or derivatives thereof such as aminopropyltriethoxysilnae and polymers thereof; Methacrylate silanes such as 3- (trimethoxysilyl) propyl acrylate} and polymers thereof; Or aryl silanes such as derivatives thereof, phenyl silanes or polymers thereof; And the like, but is not limited thereto.
상기 글래스 프릿은 글래스 프릿 전구체의 열처리 결과물(예를 들면, 용융 결과물)일 수 있다. 상기 글래스 프릿의 전구체는 각종 금속 산화물 및 비금속 산화물일 수 있다. 상기 글래스 프릿 전구체의 열처리는 예를 들면, 레이저빔 조사에 의하여 수행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The glass frit may be a heat treatment result (eg, a melt resultant) of the glass frit precursor. The precursor of the glass frit may be various metal oxides and nonmetal oxides. The heat treatment of the glass frit precursor may be performed by, for example, laser beam irradiation, but is not limited thereto.
한편, 상기 실링 부재(50)는, 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다:Meanwhile, the sealing
<화학식 1><Formula 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
상기 화학식 1 중,In Formula 1,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y1은 2가 유기 그룹이고;Y 1 is a divalent organic group;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;a and e are integers from 1 to 20;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f는 0 내지 10의 정수이고;f is an integer from 0 to 10;
g는 0 내지 3의 정수이다.g is an integer of 0-3.
상기 화학식 1 중, Q1은 -CF2-, -CHF-, -CF(CF3)-, 또는 -C(CF3)2-로 표시되는 2가 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 Q1은 -CF2-일 수 있다. a는 1 내지 5의 정수, 예를 들면, 2, 3, 또는 4일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. a가 2 이상인 경우, 2 이상의 Q1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. In Formula 1, Q 1 may be a divalent group represented by -CF 2- , -CHF-, -CF (CF 3 )-, or -C (CF 3 ) 2- . For example, Q 1 may be —CF 2 —. a may be an integer of 1 to 5, for example, 2, 3, or 4, but is not limited thereto. When a is 2 or more, two or more Q 1 may be the same or different from each other.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, "F-[Q1]a"은 CF3CF2CF2-일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in Formula 1, "F- [Q 1 ] a " may be CF 3 CF 2 CF 2- , but is not limited thereto.
상기 화학식 1 중, Q2는 -CF2CF2CF2-, -CF(CF3)CF2CF2-, -CF2CF2CH2-, 또는 -CH2CF2CHF-로 표시되는 2가 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 Q2은 -CF2CF2CF2- 또는 -CF2CF2CH2-일 수 있다. b는 0 내지 50의 정수, 예를 들면, 0 내지 31의 정수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. b가 2 이상일 경우, 2 이상의 Q2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In Formula 1, Q 2 is represented by -CF 2 CF 2 CF 2- , -CF (CF 3 ) CF 2 CF 2- , -CF 2 CF 2 CH 2- , or -CH 2 CF 2 CHF- May be a group. For example, Q 2 may be —CF 2 CF 2 CF 2 — or —CF 2 CF 2 CH 2 —. b may be an integer of 0 to 50, for example, an integer of 0 to 31, but is not limited thereto. When b is 2 or more, two or more Q 2 may be the same or different from each other.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, b는 0일 수 있다. 또는, 상기 화학식 1 중 "-[Q2-O]b-"은 -(CF2CF2CF2O)21CF2CF2CH2O-, -(CF2CF2CF2O)30CF2CF2CH2O-, -(CF2CF2CF2O)21-, -(CF2CF2CF2O)11CF2CF2CH2O-, 또는 -(CF2CF2CF2O)11-일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in Formula 1, b may be 0. Alternatively, in Formula 1, "-[Q 2 -O] b- " is-(CF 2 CF 2 CF 2 O) 21 CF 2 CF 2 CH 2 O-,-(CF 2 CF 2 CF 2 O) 30 CF 2 CF 2 CH 2 O-,-(CF 2 CF 2 CF 2 O) 21 -,-(CF 2 CF 2 CF 2 O) 11 CF 2 CF 2 CH 2 O-, or-(CF 2 CF 2 CF 2 O) 11- , but is not limited thereto.
상기 화학식 1 중, Q3는 -CF2CF2-, -CF(CF3)CF2-, -CF2CH2-, -CF(CF3)CH2-, 또는 -CH2CHF-로 표시되는 2가 그룹일 수 있다. c는 0 내지 20의 정수, 예를 들면, 0 내지 10의 정수, 예를 들면, 1 내지 6의 정수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. c가 2 이상일 경우, 2 이상의 Q3는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In Formula 1, Q 3 is represented by -CF 2 CF 2- , -CF (CF 3 ) CF 2- , -CF 2 CH 2- , -CF (CF 3 ) CH 2- , or -CH 2 CHF- 2 can be a group. c may be an integer of 0 to 20, for example, an integer of 0 to 10, for example, an integer of 1 to 6, but is not limited thereto. When c is 2 or more, two or more Q 3 may be the same or different from each other.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, c는 0일 수 있다. 또는, 상기 화학식 1 중, "-[Q3-O]c-"은 -CF(CF3)CH2O-, -[CF(CF3)CF2O]3-, -[CF(CF3)CF2O]3CF(CF3)CH2O-, -[CF(CF3)CF2O]4CF(CF3)CH2O- 또는 -[CF(CF3)CF2O]5CF(CF3)CH2O-일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in Formula 1, c may be 0. Alternatively, in Formula 1, "-[Q 3 -O] c- " is -CF (CF 3 ) CH 2 O-,-[CF (CF 3 ) CF 2 O] 3 -,-[CF (CF 3 ) CF 2 O] 3 CF (CF 3 ) CH 2 O-,-[CF (CF 3 ) CF 2 O] 4 CF (CF 3 ) CH 2 O- or-[CF (CF 3 ) CF 2 O] 5 CF (CF 3 ) CH 2 O—, but is not limited thereto.
상기 화학식 1 중, Q4는 -CF2-, -CF(CF3)-, -CHF-, 또는 -CH(CF3)-로 표시되는 2가 그룹일 수 있다. d는 0 내지 20의 정수, 예를 들면, 0 내지 10의 정수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. d가 2 이상일 경우, 2 이상의 Q4는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In Formula 1, Q 4 may be a divalent group represented by -CF 2- , -CF (CF 3 )-, -CHF-, or -CH (CF 3 )-. d may be an integer of 0 to 20, for example, an integer of 0 to 10, but is not limited thereto. When d is 2 or more, two or more Q 4 may be the same or different from each other.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, d는 0일 수 있다. 또는 상기 화학식 1 중, "-[Q4-O]d-"은 -(CF2O)10-일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, in Formula 1, d may be 0. Alternatively, in Formula 1, "-[Q 4 -O] d- " may be-(CF 2 O) 10- , but is not limited thereto.
상기 화학식 1 중, Q5는 -CH2-, -CF2-, -CF(CF3)-, -CHF-, 또는 -CH(CF3)-로 표시되는 2가 그룹일 수 있다. 상기 e는 1 내지 20, 예를 들면, 1 내지 10의 정수, 예를 들면 1 내지 3의 정수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. e가 2 이상일 경우, 2 이상의 Q5는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In Formula 1, Q 5 may be a divalent group represented by -CH 2- , -CF 2- , -CF (CF 3 )-, -CHF-, or -CH (CF 3 )-. The e may be an integer of 1 to 20, for example, 1 to 10, for example, 1 to 3, but is not limited thereto. When e is 2 or more, two or more Q 5 may be the same or different from each other.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, "-[Q5]e-"는 -CH2CH2CH2-, -CF2CF2- 또는 -CF(CF3)-일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in Formula 1, "-[Q 5 ] e- " may be -CH 2 CH 2 CH 2- , -CF 2 CF 2 -or -CF (CF 3 )-, but is not limited thereto. no.
상기 화학식 1 중, Y1은 -CONH-, -Si(R20)(R21)-, C2-C20알킬렌기(예를 들면, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기 등) 및 하나 이상의 F로 치환된 C2-C20알킬렌기로 이루어진 군으로부터 선택된 2가 유기 그룹(divalent organic group)일 수 있다. 여기서, R20 및 R21은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등), 하나 이상의 F로 치환된 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등) 및 하나 이상의 F로 치환된 C1-C10알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 상기 f는 0 내지 5의 정수일 수 있다.In Formula 1, Y 1 is -CONH-, -Si (R 20 ) (R 21 )-, C 2 -C 20 alkylene group (for example, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, etc.) and It may be a divalent organic group selected from the group consisting of C 2 -C 20 alkylene groups substituted with one or more F. Here, R 20 and R 21 independently of each other, C 1 -C 10 alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, etc.), C 1 -substituted with one or more F From a group consisting of a C 10 alkyl group, a C 1 -C 10 alkoxy group (eg methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group, etc.) and a C 1 -C 10 alkoxy group substituted with one or more F Can be selected. F may be an integer of 0 to 5.
상기 화학식 1 중, f는 0일 수 있다. 또는 상기 화학식 1 중, "-[Y1]f-"은 -CONH-CH2CH2CH2-, -Si(Me)2-Si(OMe)2-CH2CH2- 또는 -CONH-CH2CH2CH2-Si(Me)2-Si(OMe)2-CH2CH2-일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. (상기 Me는 메틸기임)In Formula 1, f may be 0. Or in Formula 1, "-[Y 1 ] f- " is -CONH-CH 2 CH 2 CH 2- , -Si (Me) 2 -Si (OMe) 2 -CH 2 CH 2 -or -CONH-CH 2 CH 2 CH 2 -Si (Me) 2 -Si (OMe) 2 -CH 2 CH 2- , but is not limited thereto. (Me is a methyl group)
상기 화학식 1 중, Z1은 C1-C10알킬기이거나, 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C10알킬기일 수 있다. 예를 들어, 상기 Z1은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 등일 수 있다. In Formula 1, Z 1 may be a C 1 -C 10 alkyl group, or may be a C 1 -C 10 alkyl group substituted with one or more -F. For example, Z 1 may be a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, or the like.
상기 화학식 1 중, Z2는 C1-C10알콕시기이거나, 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C10알콕시기일 수 있다. 예를 들어, Z2는 메톡시기, 에콕시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등일 수 있다. In Formula 1, Z 2 may be a C 1 -C 10 alkoxy group, or a C 1 -C 10 alkoxy group substituted with one or more -F. For example, Z 2 may be a methoxy group, an epoxy group, a propoxy group, butoxy group, pentoxy group, or the like.
상기 화학식 1 중, g는 0, 1, 2 또는 3일 수 있다. 예를 들어, 상기 g는 0일 수 있다. In Formula 1, g may be 0, 1, 2 or 3. For example, g may be zero.
상기 실링 부재(50)는 상기 실리콘계 화합물을 포함할 수 있다.The sealing
한편, 상기 실링 부재(50)의 형성시, 열, 가교 결합 촉매 등의 제공 유무에 따라, 상기 실리콘계 화합물이 서로 가교 결합된 경화물이 형성될 수도 있다. 따라서, 상기 실링 부재(50)는 상기 실리콘계 화합물의 경화물을 포함할 수 있다.Meanwhile, when the sealing
또는, 상기 실링 부재(50)은 상기 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물을 모두 포함할 수도 있다.Alternatively, the sealing
한편, 상기 실링 부재(50)의 형성 조건에 따라, 상기 실링 부재(50) 중 소자 기판(10)과 접촉하는 영역, 봉지 기판(30)과 접촉하는 영역, 제3전극(40)의 제1부분(40a)과 접촉하는 영역 및/또는 후술할 제3전극(240)의 제2부분(240b)과 접촉하는 영역에는, 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막(self-assembly monolayer)이 추가로 형성될 수 있다. 상기 자기조립 단분자막은 상기 실리콘계 화합물의 Z2와 상기 소자 기판(10), 봉지 기판(30), 제3전극(40)의 제1부분(40a) 및/또는 후술할 제3전극(240)의 제2부분(240b)에 존재할 수 있는 친수성 그룹, 예를 들면, -OH 사이의 반응에 의하여 형성될 수 있다. 상기 자기조립 단분자막은 하기 화학식 1a와 같은 모이어티를 포함할 수 있다:On the other hand, according to the formation conditions of the sealing
<화학식 1a><Formula 1a>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)h(Z2)2-h-*F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) h (Z 2 ) 2-h- *
상기 화학식 1a로 표시되는 모이어티에 대한 설명은 상기 화학식 1에 대한 설명을 참조하되, h는 0 내지 2의 정수이고, *는 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막이 형성된 영역의 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이다. 예를 들어, 상기 화학식 1a 중 *는 상기 소자 기판(10) 표면, 상기 봉지 기판(30) 표면, 상기 제3전극(40)의 제1부분(40a)의 표면 및/또는 후술할 제3전극(240)의 제2부분(240b)의 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이다.For a description of the moiety represented by the formula (1a) refer to the description of the formula (1), h is an integer of 0 to 2, * is a binding site with the surface of the region where the self-assembled monolayer formed from the silicon-based compound is formed It is shown. For example, in Formula 1a, * denotes a surface of the
상기 실링 부재(50)가 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상(및, 선택적으로, 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막(SAM))을 어떤 조합으로 포함할지는 상기 실링 부재(50)의 형성 조건에 따라 상이할 수 있다.In what combination the sealing
상기 실리콘계 화합물은 매우 낮은 표면 에너지를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상(및, 선택적으로, 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막(SAM))을 포함한 실링 부재(50) 중 외부에 노출된 표면은 낮은 표면 에너지를 가질 수 있어, 수분 및/또는 산소가 부착되지 않을 수 있다. 따라서, 실링 부재(50)를 통한 수분 및/또는 산소의 침투가 방지될 수 있다.The silicon-based compound can provide very low surface energy. Therefore, the silicon-based compound represented by Formula 1 and one or more of the cured product of the silicon-based compound (and, optionally, a self-assembled monolayer (SAM) formed from the silicon-based compound) exposed to the outside of the sealing
상기 실링 부재(50)는 2종 이상의 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.The sealing
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 실링 부재(50)는 상기 소자 기판(10)으로부터(또는, 후술하는 바와 같은 제3전극(240)의 제2부분(240b)으로부터) 순서대로 적층된 제1실링 부재층(51b), 제2실링 부재층(53) 및 제3실링 부재층(51a)을 포함하되, 상기 제1실링 부재층(51b) 및 상기 제3실링 부재층(51a)은 상술한 바와 같은 접착제를 포함하고, 상기 제2실링 부재층(53)은 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상(및, 선택적으로, 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막(SAM))을 포함할 수 있다. For example, as shown in FIG. 2, the sealing
상기 제3전극(40)은 상기 실링 부재(50) 외측의 비발광 영역 상에 구비되어 있다. 도 1a 중 상기 제3전극(40)은 상기 실링 부재(50)를 둘러싼 제1부분(40a)으로 이루어져 있다. 상기 제1전극(21)과 상기 제3전극(40)은 동일한 물질로 이루어져 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(21)과 상기 제3전극(40)은 모두 인듐주석 산화물(ITO)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 실링 부재(50)의 측면과 상기 제3전극(40)의 제1부분(40a)의 측면은 서로 접촉한다. 이로써, 실링 부재(50)의 측면을 통하여 산소 및/또는 수분이 봉지 기판(30)과 소자 기판(10) 사이의 공간(60)으로 침투하는 것이 실질적으로 방지될 수 있어, 유기 발광 소자(20)의 산소 및/또는 수분에 의한 열화가 방지될 수 있다. The side surface of the sealing
상기 제3전극(40)은 상기 제1전극(21) 및 제2전극(27)과는 달리 전력 공급원과는 전기적으로 연결되어 있지 않은, 이른바, "플로팅 전극"이다.Unlike the
상기 제1전극(21)의 최대 두께(L1)와 상기 제3전극(40)의 제1부분(40a)의 최대 두께(L2)는 L1=L2의 관계를 가질 수 있다.Wherein the maximum thickness of the first portion of the maximum thickness of the first electrode (21) (L 1) and the third electrode (40) (40a) (L 2) may have a relationship of L 1 = L 2.
한편, 상기 제3전극(40)의 제1부분(40a)의 최대 두께(L2)와 상기 실링 부재(50)의 최대 두께(L3)는 L2≥L3의 관계를 가질 수 있다. 여기서, 상기 제3전극(40)의 제1부분(40a) 중 상기 실링 부재(50)와 접촉하는 영역이 최대 두께(L2)를 가짐으로써, 실링 부재(50)의 측면이 외부에 노출되지 않을 수 있다. 이로써, 실링 부재(50)의 측면을 통하여 산소 및/또는 수분이 봉지 기판(30)과 소자 기판(10) 사이의 공간(60)으로 침투하는 것이 효과적으로 방지될 수 있어, 유기 발광 소자(20)의 수분 및/또는 산소에 의한 열화가 방지될 수 있다.Meanwhile, the maximum thickness L 2 of the
상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)은 진공일 수 있다.The
또는, 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)에는 흡습층(도 1a에는 미도시되어 있음)이 더 포함될 수 있다.Alternatively, a moisture absorbing layer (not shown in FIG. 1A) may be further included in the
상기 흡습층의 위치는 상기 봉지 기판(30)의 하면, 상기 실링 부재(50)의 내측 등일 수 있다.The location of the moisture absorbing layer may be a lower surface of the
상기 흡습층은, 미량이나마, 소자 기판(10) 및 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)으로 침투한 산소 및/또는 수분을 흡착하는 역할을 할 수 있다. 이를 위하여, 상기 흡습층은, 예를 들면, 평균 입경이 100nm 이하인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 알칼리 금속 산화물, 알칼리토류 금속 산화물 등일 수 있는데, 상기 알칼리 금속 산화물의 예로서, 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O) 또는 산화칼륨(K2O) 등을 들 수 있고, 상기 알칼리토류 금속 산화물의 예로는, 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO)을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The moisture absorbing layer may serve to adsorb oxygen and / or moisture that penetrates into the
상기 흡습층은 선택적으로, 바인더, 분산제 등을 더 포함할 수 있다.The moisture absorbing layer may optionally further include a binder, a dispersant, and the like.
또는, 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)에는 충진재(도 1a에는 미도시됨)가 채워질 수도 있다. 이로써, 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)은, 유기 발광 소자(20) 및 충진재에 의하여 완전히 채워지게 되며, 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이에는 빈 공간이 존재하지 않을 수 있다.Alternatively, a filler (not shown in FIG. 1A) may be filled in the
상기 충진재는 유기 발광 소자(20)를 이루는 물질과는 실질적으로 반응하지 않으면서, 유기 발광 소자(20)로부터 방출된 광이 외부로 효과적으로 취출될 수 있도록, 가시 광선 영역에서 소정의 투과도를 갖춘 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 충진재는 실리콘, 에폭시 수지 등일 수 있다.The filler does not substantially react with the material forming the organic
한편, 상기 충진재는, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상(및, 선택적으로, 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막(SAM))을 포함할 수 있다. 상기 화학식 1에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다.The filler may include at least one of a silicon compound represented by Chemical Formula 1 and a cured product of the silicon compound (and, optionally, a self-assembled monolayer (SAM) formed from the silicon compound). For the description of Formula 1, refer to the above.
상기 실리콘계 화합물은 낮은 표면 에너지를 가지므로, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 등을 충진재로 이용하면, 미량이나마 소자 기판(10)과 봉지 기판(30) 사이에 침투한 수분 및/또는 산소가 유기 발광 소자(20)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 수분 및/또는 산소에 의한 유기 발광 소자(20)의 열화가 효과적으로 방지될 수 있어, 장수명을 갖는 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.Since the silicon-based compound has a low surface energy, when the silicon-based compound represented by Chemical Formula 1 or the like is used as a filler, a small amount of moisture and / or oxygen penetrated between the
도 3a 내지 3d를 참조하여, 도 1a 및 1b에 도시된 유기 발광 장치의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIGS. 3A to 3D, the method of manufacturing the organic light emitting device illustrated in FIGS. 1A and 1B is as follows.
먼저, 발광 영역 및 비발광 영역을 구비한 소자 기판(10)을 준비한다. 상기 소자 기판은 구동 트랜지스터, 스위칭 트랜지스터 등을 포함할 수 있다.First, a
이 후, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 소자 기판(10)의 발광 영역에는 제1전극(21)을 형성하고, 상기 소자 기판(10)의 비발광 영역에는 제1부분(40a)을 포함한 제3전극(40)을 형성한다. 이 때, 제3전극(40)과 제1전극(21)을 동시에 형성할 수 있다. 예를 들어, 소자 기판(10) 상의 발광 영역 및 비발광 영역에 ITO층을 형성한 다음, 제1전극(21)과 제3전극(40)을 동시에 패터닝함으로써, ITO로 이루어져 있는 제1전극(21)과 제3전극(40)을 동시에 형성할 수 있다. 또는, 제1전극(21) 및 제3전극(40)의 패턴을 모두 포함한 마스크를 이용하여 ITO를 소자 기판(10) 상에 증착시킴으로써, ITO로 이루어져 있는 제1전극(21)과 제3전극(40)을 동시에 형성할 수도 있다. 이 때, 상기 제1전극(21)의 두께(L1)와 상기 제3전극(40)의 두께(L2)는 서로 동일할 수 있다. 3A, the
상기 방법에 의하면, 제1전극(21) 형성시 제3전극(40)도 함께 형성되는 것이므로, 별도의 제3전극(40) 형성 공정이 필요치 않다. 따라서, 용이면서도 간단하고, 경제적인 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the method, since the
상기 제1전극(21) 및 제3전극(40) 형성 방법은 공지의 방법(예를 들면, 레이저 식각법, 습식 에칭법, 소정 패턴을 포함한 마스크를 이용한 증착법 등)을 이용할 수 있다.As the method of forming the
그 다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1전극(21) 상부에 제1전극(21)의 양단에 형성된 절연층(23), 유기층(25) 및 제2전극(27)을 차례로 형성함으로써, 유기 발광 소자(20)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, an insulating
상기 유기층(25)에 포함될 수 있는 각 층의 재료 및 형성 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the material and the formation method of each layer that can be included in the
정공 주입층(HIL)은, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 진공증착법을 선택할 경우, 증착 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 100 내지 500℃의 증착 온도 범위, 10-10 내지 10-3torr의 진공도 범위, 0.01 내지 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서 선택될 수 있다. 한편, 스핀코팅법을 선택할 경우, 코팅 조건은 목적 화합물, 목적하는 하는 층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도 범위, 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도(코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도) 범위 내에서 선택될 수 있다. The hole injection layer HIL may be formed according to a method arbitrarily selected from various known methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB. In this case, when the vacuum deposition method is selected, the deposition conditions vary depending on the target compound, the structure and thermal properties of the target layer, and the like, for example, a deposition temperature range of 100 to 500 ° C., 10 −10 to 10 −3 torr. Vacuum range, 0.01 to 100 kPa / sec deposition rate range can be selected. On the other hand, when the spin coating method is selected, the coating conditions are different depending on the target compound, the structure and the thermal properties of the desired layer, but the coating speed range of 2000rpm to 5000rpm, heat treatment temperature of 80 ℃ to 200 ℃ (solvent removal after coating Heat treatment temperature).
정공 주입층 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA(하기 화학식 참조), NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA(하기 화학식 참조), 2T-NATA(하기 화학식 참조), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.As the hole injection layer material, a known hole injection material may be used. For example, a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine, m-MTDATA (see the following chemical formula), NPB (N, N′-di (1-naphthyl)) -N, N'-diphenylbenzidine (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine), TDATA (see below), 2T-NATA (see below), Pani / DBSA (Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid), PEDOT / PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / Poly (4-styrenesulfonate): Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4- Styrenesulfonate)), Pani / CSA (Polyaniline / Camphor sulfonicacid: polyaniline / camphorsulfonic acid) or PANI / PSS (Polyaniline) / Poly (4-styrenesulfonate): polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate)) But it is not limited thereto.
상기 정공 주입층의 두께는 약 10Å 내지 10000Å, 예를 들면, 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 구동 전압 상승없이 우수한 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.The hole injection layer may have a thickness of about 10 kPa to 10000 kPa, for example, 100 kPa to 1000 kPa. When the thickness of the hole injection layer satisfies the above range, excellent hole injection characteristics may be obtained without increasing a driving voltage.
상기 정공 수송층(HTL)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.The hole transport layer HTL may be formed according to a method arbitrarily selected from various known methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB. At this time, the deposition conditions and coating conditions vary depending on the target compound, the structure and thermal properties of the target layer, and the like, and are selected within a range similar to the conditions for forming the hole injection layer as described above.
정공 수송층 물질은 공지된 정공 수송 재료를 이용하여 형성할 수 있는데, 예를 들어, N-페닐카바졸, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)) 등과 같은 트리페닐아민계 물질과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다. 이 중, 예를 들면, TCTA의 경우, 정공 수송 역할 외에도, 발광층으로부터 엑시톤이 확산되는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.The hole transport layer material may be formed using a known hole transport material, for example, N-phenylcarbazole, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1, Amine derivatives having an aromatic condensed ring such as 1-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) triphenylamine (4,4' Well-known hole transport materials such as triphenylamine-based materials such as 4 " -tris (N-carbazolyl) triphenylamine)) can be used. Among these, for example, in the case of TCTA, in addition to the hole transport role, it may also play a role of preventing the exciton from diffusing from the light emitting layer.
상기 정공 수송층의 두께는 50Å 내지 1000Å, 예를 들면, 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 구동 전압의 상승없이 우수한 정공 수송 특성을 얻을 수 있다. The hole transport layer may have a thickness of 50 kPa to 1000 kPa, for example, 100 kPa to 600 kPa. When the thickness of the hole transport layer satisfies the above-described range, excellent hole transport characteristics can be obtained without increasing the driving voltage.
상기 발광층은, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.The light emitting layer may be formed according to a method arbitrarily selected from various known methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, LB, and the like. At this time, the deposition conditions and coating conditions vary depending on the target compound, the structure and thermal properties of the target layer, and the like, and are selected within a range similar to the conditions for forming the hole injection layer as described above.
상기 발광층은, 단일 발광 재료로 이루어질 수 있으며, 호스트 및 도펀트를 포함할 수도 있다.The light emitting layer may be made of a single light emitting material, and may include a host and a dopant.
상기 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of such hosts include Alq 3 , CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), 9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene (ADN), TCTA, TPBI (1, 3,5-tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene (1,3,5-tris (N-phenylbenzimidazole-2-yl) benzene)), TBADN (3-tert-butyl-9,10 Di (naphth-2-yl) anthracene), E3 and the like, but are not limited thereto.
한편, 공지된 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. On the other hand, PtOEP, Ir (piq) 3 , Btp 2 Ir (acac) and the like can be used as a known red dopant, but is not limited thereto.
또한, 공지된 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, as the known green dopant, Ir (ppy) 3 (ppy = phenylpyridine), Ir (ppy) 2 (acac), Ir (mpyp) 3, or the like may be used, but is not limited thereto.
한편, 공지된 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4'-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴] 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌 (TBP) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, as a known blue dopant, F 2 Irpic, (F 2 ppy) 2 Ir (tmd), Ir (dfppz) 3 , ter-fluorene, 4,4'-bis [4- (di-p -Tolylamino) styryl] biphenyl (DPAVBi), 2,5,8,11-tetra- tert -butyl perylene (TBP) and the like can be used, but is not limited thereto.
상기 발광층의 두께는 100Å 내지 1000Å, 예를 들면, 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 얻을 수 있다. The light emitting layer may have a thickness of 100 kPa to 1000 kPa, for example, 100 kPa to 600 kPa. When the thickness of the light emitting layer satisfies the above range, excellent light emission characteristics may be obtained without increasing a driving voltage.
정공 저지층은 발광층(예를 들면, 발광층이 인광 화합물을 포함할 경우)의 삼중항 여기자 또는 정공이 캐소드 등으로 확산되는 현상을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 발광층 상부에 추가로 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.The hole blocking layer serves to prevent the triplet excitons or holes of the light emitting layer (for example, when the light emitting layer includes a phosphorescent compound) from diffusing into the cathode, and may be further formed on the light emitting layer. It may be formed according to a method arbitrarily selected from various known methods such as vacuum deposition, spin coating, cast, LB, and the like. At this time, the deposition conditions and coating conditions vary depending on the target compound, the structure and thermal properties of the target layer, and the like, and are selected within a range similar to the conditions for forming the hole injection layer as described above.
상기 정공 저지 재료는 공지된 정공 저지 재료 중에서 임의로 선택될 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 사용할 수 있다.The hole blocking material may be arbitrarily selected from known hole blocking materials. For example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, etc. can be used.
상기 정공 저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 예를 들면, 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공 저지층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. The hole blocking layer may have a thickness of about 50 kPa to 1000 kPa, for example, 100 kPa to 300 kPa. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the above range, excellent hole blocking characteristics may be obtained without increasing a driving voltage.
상기 정공 수송층(ETL)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 발광층 또는 정공 저지층 상부에 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.The hole transport layer ETL may be formed on the light emitting layer or the hole blocking layer according to a method arbitrarily selected from various known methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB. At this time, the deposition conditions and coating conditions vary depending on the target compound, the structure and thermal properties of the target layer, and the like, and are selected within a range similar to the conditions for forming the hole injection layer as described above.
상기 전자 수송층(ETL) 물질로는 공지된 전자 수송 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP, BeBq2, BAlq 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다:As the electron transport layer (ETL) material, a known electron transport material may be used. For example, tris (8-quinolinorate) aluminum (Alq 3 ), TAZ, Bphen (4,7-diphenyl-1, Known materials such as 10-phenanthroline (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BCP, BeBq 2 , BAlq and the like can also be used:
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 예를 들면, 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 구동 전압 상승없이 우수한 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The electron transport layer may have a thickness of about 100 kPa to 1000 kPa, for example, 200 kPa to 500 kPa. When the thickness of the electron transport layer satisfies the above range, excellent electron transport characteristics may be obtained without increasing the driving voltage.
상기 전자 수송층 상부에는, 전자 주입층이 형성될 수 있다. 상기 전자 주입층 형성 재료로는 공지의 전자 주입 재료인 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등이 사용될 수 있으며, 상기 전자 주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.An electron injection layer may be formed on the electron transport layer. As the electron injection layer forming material, LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, and the like, which are known electron injection materials, may be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but generally, It is selected from the range of conditions which are almost same as formation.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 예를 들면, 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The electron injection layer may have a thickness of about 1 kPa to 100 kPa, for example, 5 kPa to 50 kPa. When the thickness of the electron injection layer satisfies the aforementioned range, a satisfactory electron injection characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
이어서, 제2전극(27)을 상기 유기층(25) 상에 형성한다.Subsequently, a
한편, 도 3c에 도시된 바와 같이, 봉지 기판(30)을 준비한다. 이 때, 봉지 기판(30)의 너비(L12)는 소자 기판(10) 중 제3전극(40) 내측 영역의 너비(L11)(도 3a 및 3b 참조)를 고려하여 선택될 수 있다. 도 1a에 도시된 유기 발광 장치를 구현하기 위하여, 봉지 기판(30)의 너비(L12)는 소자 기판(10) 중 제3전극(40) 내측 영역의 너비(L11)와 동일하게 선택될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 3C, an
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 봉지 기판(30)이 상기 발광 영역(A)을 덮도록 봉지 기판(30)과 소자 기판(10)을 조립하고, 소자 기판(10)과 봉지 기판(30) 사이에 제공된 실링 부재(50) 형성용 물질(50a)을 제1처리(D)에 의하여 실링 부재(50)로 변화시킴으로써 상기 제3전극(40) 내측의 비발광 영역 상에 상기 발광 영역(A)을 둘러싸도록 실링 부재(50)를 제공하여, 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30)을 합착시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 3D, the
상기 실링 부재(50) 형성용 물질(50a)을 실링 부재(50)로 변화시키는 제1처리(D)는 선택된 실링 부재(50) 형성용 물질(50a)에 따라 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1처리(D)는, 상기 실링 부재(50) 형성용 물질(50a)에 포함된 용매를 제거할 수 있는 소프트 베이킹, 상기 실링 부재(50) 형성용 물질(50a)을 경화시키는 UV 조사 및/또는 열처리, 상기 실링 부재(50) 형성용 물질(50a)을 용융시킬 수 있는 열처리인 레이저빔 조사 등일 수 있다.The first treatment D for changing the sealing
예를 들어, 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30)을 합착시키는 단계 중 상기 실링 부재(50) 제공을, i) 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이에 접착제 전구체를 제공하고 경화(예를 들면, UV 조사 또는 열처리에 의한 경화)하는 단계, ii) 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이에 글래스 프릿 전구체를 제공하고 열처리(예를 들면, 레이저빔 조사에 의한 열처리)하는 단계 및 iii) 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이에 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물을 제공하는 단계 중 하나 이상에 의하여 수행할 수 있다. 상기 화학식 1에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.For example, providing the sealing
한편, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법은, a) 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)을 진공화하는 단계, b) 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)에 흡습층을 제공하는 단계 및 c) 상기 소자 기판(10)과 상기 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)에 충진재를 제공하는 단계 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 충진재에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.On the other hand, the method of manufacturing the organic light emitting device, a) vacuuming the
여기서, 상기 충진재 제공 단계를, 예를 들면, 도 3c 중 봉지 기판(30)의 내측 영역(C)에 충진재를 제공한 다음, 소자 기판(10)과 봉지 기판(30)을 합착시킴으로써, 수행할 수 있다.Here, the filling material providing step may be performed, for example, by providing a filling material to the inner region C of the
도 4a는 상기 유기 발광 장치의 다른 일 구현예를 개략적으로 도시한 단면도(도 4b 중 I-I' 방향의 단면도)이고, 도 4b는 상기 도 4a에 도시된 유기 발광 장치 중 봉지 기판(130), 제2전극(127), 유기층(125) 및 절연층(123)을 제외하고 도시한 유기 발광 장치의 개략적인 평면도이다. 도 4a 및 4b의 유기 발광 장치는, 소자 기판(110), 봉지 기판(130), 제1전극(121), 절연층(123), 유기층(125), 제2전극(127), 실링 부재(150), 제1부분(140a)을 포함한 제3전극(140) 및 제1층(170)을 포함한다. 상기 제1전극(121), 절연층(123), 및 유기층(125) 및 제2전극(127)은 유기 발광 소자(120)를 형성할 수 있다. 상기 유기 발광 장치는 소자 기판(110)과 봉지 기판(130) 사이의 공간(160)을 포함한다.4A is a cross-sectional view schematically illustrating another embodiment of the organic light emitting device (sectional view in the II ′ direction of FIG. 4B), and FIG. 4B is an
도 4a 및 4b의 유기 발광 장치 중 소자 기판(110), 봉지 기판(130), 제1전극(121), 절연층(123), 유기층(125), 제2전극(127), 실링 부재(150), 제1부분(140a)을 포함한 제3전극(140) 및 소자 기판(110)과 봉지 기판(130) 사이의 공간(160)에 대한 상세한 설명은 도 1a 및 1b의 유기 발광 장치 중 기판(10), 봉지 기판(30), 제1전극(21), 절연층(23), 유기층(25), 제2전극(27), 실링 부재(50), 제1부분(40a)을 포함한 제3전극(40) 및 소자 기판(10)과 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)에 대한 상세한 설명을 참조한다.4A and 4B, the
도 4a 및 4b의 유기 발광 장치 중 실링 부재(150)와 상기 제3전극(140)의 제1부분(140a)은 서로 이격되어 있고, 상기 실링 부재(150)와 상기 제3전극(140)의 제1부분(140a) 사이의 공간은 제1층(170)이 채우고 있다. 여기서, 상기 제1층(170)은 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상(및, 선택적으로, 상기 실리콘계 화합물로부터 형성된 자기조립 단분자막(SAM))을 포함할 수 있다. 상기 화학식 1에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다. 4A and 4B, the sealing
상기 실리콘계 화합물은 매우 낮은 표면 에너지를 제공할 수 있으므로, 상기 제1층(170) 중 외기에 노출된 표면의 표면 에너지는 매우 낮다. 따라서, 도 4a 및 4b에 도시된 유기 발광 장치는 제3전극(140) 뿐만 아니라, 제1층(170)에 의하여도 수분 및/또는 산소 침투가 방지되므로, 수분 및/또는 산소에 의한 유기 발광 소자(120)의 열화가 효과적으로 방지될 수 있다. 이로써, 장수명의 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.Since the silicon compound may provide very low surface energy, the surface energy of the surface exposed to the outside air in the
상기 도 4a 및 4b의 유기 발광 장치는, 봉지 기판(130)의 너비(도 3c 중 L12 참조)가 소자 기판(110) 중 제3전극(140) 내측 영역의 너비(도 3c 중 L11 참조)보다 작게 되도록 선택하여 소자 기판(110)과 봉지 기판(130)을 합착시킨 다음, 실링 부재(150)와 제3전극(140)의 제1부분(140a) 사이에 형성된 공간에 상기 제1층(170)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 제1층(170)은, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물(및, 선택적으로는 용매)을 상기 실링 부재(150)와 제3전극(140)의 제1부분(140a) 사이에 형성된 공간에, 공지된 방법(예를 들면, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법 등)을 이용하여 제공한 후, 소프트 베이킹 등과 같은 방법을 추가로 수행하여, 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.4A and 4B, the width of the encapsulation substrate 130 (see L 12 in FIG. 3C) is the width of the inner region of the
도 5는 상기 유기 발광 장치의 또 다른 일 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5의 유기 발광 장치는 소자 기판(210), 봉지 기판(230), 제1전극(221), 절연층(223), 유기층(225), 제2전극(227), 실링 부재(250), 제1부분(240a) 및 제2부분(240b)을 포함한 제3전극(240) 및 제1층(270)을 포함한다. 상기 제1전극(221), 절연층(223), 및 유기층(225) 및 제2전극(227)은 유기 발광 소자(220)를 형성할 수 있다. 상기 유기 발광 소자는 소자 기판(210)과 봉지 기판(230) 사이의 공간(260)을 포함한다.5 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the organic light emitting device. In the organic light emitting device of FIG. 5, the
도 5의 유기 발광 장치 중 소자 기판(210), 봉지 기판(230), 제1전극(221), 절연층(223), 유기층(225), 제2전극(227), 실링 부재(250), 제1층(270), 제1부분(240a), 제3전극(240) 및 소자 기판(210)과 봉지 기판(230) 사이의 공간(260)에 대한 설명은 도 4a 및 4b의 유기 발광 장치 중 기판(110), 봉지 기판(130), 제1전극(121), 절연층(123), 유기층(125), 제2전극(127), 실링 부재(150), 제1층(170), 제1부분(140a), 제3전극(140) 및 소자 기판(110)과 봉지 기판(130) 사이의 공간(160)에 대한 설명을 각각 참조한다.The
도 5의 유기 발광 장치 중 제3전극(240)은 실링 부재(250)를 둘러싼 제1부분(240a) 외에, 상기 제3전극(240)의 제1부분(240a)으로부터 상기 실링 부재(250)를 향하여 연장되어 있는 제2부분(240b)을 더 포함한다. 상기 제3전극(240)의 제1부분(240a)의 최대 두께(L2)와 상기 제3전극(240)의 제2부분(240b)의 최대 두께(L5)는 L2≥L5의 관계를 가질 수 있다.In the organic light emitting device of FIG. 5, the
상기 제3전극(240)의 제2부분(240b)을 형성함으로써, 수분 및/또는 산소의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다.By forming the
상기 도 5의 유기 발광 장치의 제조 방법을 도 6a 내지 6d를 참조하여 설명하면 하기와 같다.The method of manufacturing the organic light emitting device of FIG. 5 will be described with reference to FIGS. 6A through 6D.
먼저, 도 6a에서와 같이, 소자 기판(210)을 준비한 다음, 제1전극(221) 및 제3층(241)을 동시에 형성한다. 상기 제1전극(221) 및 제3층(241) 형성 단계는, 도 3a 중 제1전극(21) 및 제3전극(24)의 형성 단계와 마찬가지로, 별도의 제3층(241) 형성 공정없이, 제1전극(221) 및 제3층(241)을 동시에 형성함으로써 수행될 수 있다.First, as shown in FIG. 6A, the
이어서, 도 6b에서와 같이, 제3층(241)의 일부를 패터닝하여, 제3층(241) 중 제1부분(240a) 및 제2부분(240b)을 형성함으로써, 제3전극(240)을 형성한다. 제1부분(240a) 및 제2부분(240b)의 형성 방법은 통상의 패터닝 방법, 예를 들면, 레이저 식각법, 습식 에칭법 등을 이용할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a portion of the
그 다음으로, 도 6c에서와 같이 절연층(223), 유기층(225) 및 제2전극(227)을 순차적으로 형성한다. 이에 대한 상세 설명은 도 3b에 대한 설명을 참조한다. Next, as illustrated in FIG. 6C, the insulating
그 후로, 도 6d에서와 같이 봉지 기판(230) 중 소자 기판(210)을 향하여 연장된 부분이 제3전극(240)의 제2부분(240b) 상에 위치하도록 조립하고, 봉지 기판 기판(230)과 소자 기판(210) 사이에(구체적으로는, 봉지 기판(230)과 제3전극(240)의 제2부분(240b) 사이에) 실링 부재(250)를 제공하여, 봉지 기판(230)과 소자 기판(210)을 합착시킨다. 이에 대한 상세 설명은 도 3d에 대한 설명을 참조한다.Thereafter, as shown in FIG. 6D, the portion of the
그 다음으로, 실링 부재(250)와 제3전극(240)의 제1부분(240a) 사이에 형성된 공간(280)에 상기 제1층(270)을 형성함으로써, 도 5의 유기 발광 장치를 제조할 수 있다.Next, the organic light emitting device of FIG. 5 is manufactured by forming the
도 7은 상기 유기 발광 장치의 또 다른 일 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 7의 유기 발광 장치는 소자 기판(310), 봉지 기판(330), 제1전극(321), 절연층(323), 유기층(325), 제2전극(327), 실링 부재(350), 제1부분(340a)을 포함한 제3전극(340) 및 홀(311)을 포함한다. 상기 제1전극(321), 절연층(323), 및 유기층(325) 및 제2전극(327)은 유기 발광 소자(320)를 형성할 수 있다. 상기 유기 발광 장치는, 소자 기판(310)과 봉지 기판(330) 사이의 공간(360)을 포함한다.7 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the organic light emitting device. In the organic light emitting device of FIG. 7, the
도 7의 유기 발광 장치 중 소자 기판(310), 봉지 기판(330), 제1전극(321), 절연층(323), 유기층(325), 제2전극(327), 실링 부재(350), 제1부분(340a), 제3전극(340) 및 소자 기판(310)과 봉지 기판(330) 사이의 공간(360)에 대한 설명은 도 1a 및 1b의 유기 발광 장치 중 기판(10), 봉지 기판(30), 제1전극(21), 절연층(23), 유기층(25), 제2전극(27), 실링 부재(50), 제1부분(40a), 제3전극(40) 및 소자 기판(10)과 봉지 기판(30) 사이의 공간(60)에 대한 설명을 각각 참조한다.The
도 7의 유기 발광 장치 중 소자 기판(310)은 실링 부재(350)에 대응되는 홀(311)을 포함한다. 따라서, 상기 홀(311) 내부에 실링 부재(350)가 형성되어 있다. 이로써, 실링 부재(350)의 외기 노출이 방지될 수 있어, 실링 부재(350) 측면을 통한 산소 및/또는 수분의 침투가 효과적으로 방지될 수 있다.The
상기 도 7의 유기 발광 장치는 홀(311)이 미리 마련된 소자 기판(310)을 준비함으로써, 제조가능하다.The organic light emitting device of FIG. 7 may be manufactured by preparing the
본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 장치의 구조 및 제조 방법은 도 1a 내지 7를 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 변형예가 가능하다. 예를 들면, 도 5의 유기 발광 장치 중 실링 부재(250)의 측면과 제3전극(240)의 제1부분(240a)의 측면은 서로 접촉되어 있는 변형예, 도 1의 유기 발광 장치 중 소자 기판(10)이 실링 부재(50)에 대응되는 홀을 더 포함하는 변형예 등 다양한 변형예가 가능하다.The structure and manufacturing method of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention have been described with reference to FIGS. 1A to 7, but various modifications are possible. For example, the side surface of the sealing
10, 110, 210, 310: 소자 기판
20, 120, 220, 320: 유기 발광 소자
30, 130, 230, 330: 봉지 기판
21, 121, 221, 321: 제1전극
23, 123, 223, 323: 절연층
25, 125, 225, 325: 유기층
27, 127, 227, 327: 제2전극
40, 140, 240, 340: 제3전극
40a, 140a, 240a, 340a: 제3전극의 제1부분
240b: 제3전극의 제2부분
50, 150, 250, 350: 실링 부재
170, 270: 제1층
60, 160, 260, 360: 소자 기판과 봉지 기판 사이의 공간10, 110, 210, 310: device substrate
20, 120, 220, 320: organic light emitting device
30, 130, 230, 330: encapsulation substrate
21, 121, 221, 321: first electrode
23, 123, 223, 323: insulation layer
25, 125, 225, 325: organic layer
27, 127, 227, 327: second electrode
40, 140, 240, 340: third electrode
40a, 140a, 240a, 340a: first portion of third electrode
240b: second portion of the third electrode
50, 150, 250, 350: sealing member
170, 270: first floor
60, 160, 260, 360: space between element substrate and encapsulation substrate
Claims (28)
상기 발광 영역을 덮는 봉지 기판;
상기 발광 영역 상에 형성되고, 상기 소자 기판과 봉지 기판 사이에 개재된 제1전극;
상기 봉지 기판과 상기 제1전극 사이에 개재된 유기층;
상기 유기층과 상기 봉지 기판 사이에 개재된 제2전극;
상기 발광 영역을 둘러싼 실링 부재; 및
상기 실링 부재 외측의 비발광 영역 상에 구비되고, 상기 실링 부재를 둘러싼 제1부분을 포함하며, 상기 제1전극과 동일한 물질로 이루어진 제3전극;
을 포함하고,
상기 실링 부재가 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한, 유기 발광 장치:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.An element substrate having a light emitting area and a non-light emitting area;
An encapsulation substrate covering the light emitting region;
A first electrode formed on the emission region and interposed between the device substrate and the encapsulation substrate;
An organic layer interposed between the encapsulation substrate and the first electrode;
A second electrode interposed between the organic layer and the encapsulation substrate;
A sealing member surrounding the light emitting region; And
A third electrode provided on a non-light emitting area outside the sealing member and including a first portion surrounding the sealing member and made of the same material as the first electrode;
Including,
An organic light emitting device, wherein the sealing member comprises at least one of a silicon compound represented by the following formula (1) and a cured product of the silicon compound:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 제1전극 및 상기 제3전극이 금속 및 도전성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the first electrode and the third electrode comprise at least one material selected from the group consisting of metals and conductive oxides.
상기 제1전극 및 상기 제3전극이 인듐주석 산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the first electrode and the third electrode are made of indium tin oxide (ITO).
상기 실링 부재가 접착제 및 글래스 프릿 중 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the sealing member comprises at least one of an adhesive and a glass frit.
상기 실링 부재가 접착제를 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the sealing member comprises an adhesive.
상기 실링 부재가 제1실링 부재층, 제2실링 부재층 및 제3실링 부재층을 순차로 포함하고, 상기 제1실링 부재층 및 상기 제3실링 부재층은 접착제를 포함하고, 상기 제2실링 부재층은 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The sealing member sequentially includes a first sealing member layer, a second sealing member layer, and a third sealing member layer, wherein the first sealing member layer and the third sealing member layer include an adhesive, and the second sealing The member layer includes at least one of a silicon compound represented by Formula 1 and a cured product of the silicon compound.
상기 실링 부재의 측면과 상기 제3전극의 제1부분의 측면이 서로 접촉한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And a side surface of the sealing member and a side surface of the first portion of the third electrode are in contact with each other.
상기 제1전극의 최대 두께가 L1이고, 상기 제3전극의 제1부분의 최대 두께가 L2이고, L1=L2인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the maximum thickness of the first electrode is L 1 , the maximum thickness of the first portion of the third electrode is L 2 , and L 1 = L 2 .
상기 제3전극의 제1부분의 최대 두께가 L2이고, 상기 실링 부재의 최대 두께가 L3이고, L2≥L3인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the maximum thickness of the first portion of the third electrode is L 2 , the maximum thickness of the sealing member is L 3 , and L 2 ≧ L 3 .
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간이 진공인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And a space between the device substrate and the encapsulation substrate is a vacuum.
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 흡습층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The organic light emitting device of claim 1, further comprising a moisture absorbing layer in the space between the element substrate and the encapsulation substrate.
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 충진재가 채워진 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The organic light emitting device of claim 1, wherein a filler is filled in a space between the device substrate and the encapsulation substrate.
상기 충진재가 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.The method of claim 12,
An organic light emitting device, characterized in that the filler comprises at least one of a silicon compound represented by the following formula (1) and a cured product of the silicon compound:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분이 서로 이격되어 있고, 상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분 사이의 공간을 제1층이 채우고 있고, 상기 제1층은 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.The method of claim 1,
The sealing member and the first portion of the third electrode are spaced apart from each other, and a first layer fills a space between the sealing member and the first portion of the third electrode, and the first layer is represented by the following Chemical Formula 1 An organic light emitting device comprising at least one of a silicon compound to be displayed and a cured product of the silicon compound:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 실링 부재의 최대 두께가 L3이고, 상기 제1층의 최대 두께가 L4이며, L3≤L4인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 14,
And the maximum thickness of the sealing member 3 L, and the maximum thickness of the first layer L 4, the organic light emitting device, characterized in that L 3 ≤L 4.
상기 제3전극이 상기 제3전극의 제1부분으로부터 상기 실링 부재를 향하여 연장되어 있는 제2부분을 갖고, 상기 제3전극의 제2부분이 상기 실링 부재와 상기 소자 기판 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The third electrode has a second portion extending from the first portion of the third electrode toward the sealing member, wherein the second portion of the third electrode is positioned between the sealing member and the element substrate; An organic light emitting device.
상기 제3전극의 제1부분의 최대 두께가 L2이고, 상기 제3전극의 제2부분의 최대 두께가 L5이며, L2≥L5인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 16,
And the maximum thickness of the first portion of the third electrode is L 2 , the maximum thickness of the second portion of the third electrode is L 5 , and L 2 ≧ L 5 .
상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분이 서로 이격되어 있고, 상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분 사이의 공간을 제1층이 채우고 있고, 상기 제1층은 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.The method of claim 16,
The sealing member and the first portion of the third electrode are spaced apart from each other, and a first layer fills a space between the sealing member and the first portion of the third electrode, and the first layer is represented by the following Chemical Formula 1 An organic light emitting device comprising at least one of a silicon compound to be displayed and a cured product of the silicon compound:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 소자 기판이 상기 실링 부재에 대응되는 홀을 포함하고, 상기 홀 내부에 상기 실링 부재가 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
And the device substrate includes a hole corresponding to the sealing member, and the sealing member is provided inside the hole.
상기 발광 영역 상에 제1전극을 형성하고, 제1부분을 포함하고 상기 제1전극과 동일한 물질로 이루어진 제3전극을 상기 비발광 영역 상에 형성하여, 상기 제1전극과 상기 제3전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극 상에 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
봉지 기판이 상기 발광 영역을 덮도록 상기 봉지 기판을 상기 소자 기판과 조립하고, 상기 제3전극 내측의 비발광 영역 상에 상기 발광 영역을 둘러싸도록 실링 부재를 제공하여, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착시키는 단계;
를 포함하고,
상기 실링 부재가 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.Preparing a device substrate having a light emitting area and a non-light emitting area;
A first electrode is formed on the light emitting region, and a third electrode including a first portion and made of the same material as the first electrode is formed on the non-light emitting region, thereby forming the first electrode and the third electrode. Forming;
Forming an organic layer on the first electrode;
Forming a second electrode on the organic layer; And
The encapsulation substrate is assembled with the element substrate so that an encapsulation substrate covers the light emitting region, and a sealing member is provided to surround the light emitting region on a non-light emitting region inside the third electrode, thereby providing the device substrate and the encapsulation substrate. Attaching;
Including,
A method of manufacturing an organic light emitting device, wherein the sealing member comprises at least one of a silicon compound represented by Formula 1 and a cured product of the silicon compound:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 제1전극 및 상기 제3전극이 금속 및 도전성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
And the first electrode and the third electrode comprise at least one material selected from the group consisting of metals and conductive oxides.
상기 제1전극 및 상기 제3전극이 인듐주석산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
And the first electrode and the third electrode are formed of indium tin oxide (ITO).
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착시키는 단계 중 상기 실링 부재 제공을, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물을 제공하는 단계에 의하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
Providing the sealing member during the step of bonding the device substrate and the encapsulation substrate to each other by providing the silicon-based compound represented by Formula 1 between the device substrate and the encapsulation substrate. Method of preparation.
a) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간을 진공화하는 단계, b) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 흡습층을 제공하는 단계 및 c) 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간에 충진재를 제공하는 단계 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
a) evacuating a space between the device substrate and the encapsulation substrate, b) providing a hygroscopic layer in the space between the device substrate and the encapsulation substrate, and c) a space between the device substrate and the encapsulation substrate The method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that it further comprises at least one of the steps of providing a filler.
상기 충진제가 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.25. The method of claim 24,
Method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that the filler comprises at least one of a silicon compound represented by the formula (1) and a cured product of the silicon compound:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착시키는 단계 후, 상기 실링 부재와 상기 제3전극의 제1부분 사이의 공간에 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 상기 실리콘계 화합물의 경화물 중 하나 이상을 포함한 제1층을 제공하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법:
<화학식 1>
F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3-g
상기 화학식 1 중,
Q1은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 그룹(divalent group)이고;
Q2는 -C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q3는 -C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q4는 -C(R13)(R14)-로 표시되는 2가 그룹이고;
Q5는 -C(R15)(R16)-으로 표시되는 2가 그룹이고;
상기 R1 내지 R16은 서로 독립적으로, H, -F, -CH3, -CH2F, -CHF2 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1은 2가 유기 그룹이고;
Z1은 C1-C30알킬기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알킬기이고;
Z2는 C1-C30알콕시기 또는 하나 이상의 -F로 치환된 C1-C30알콕시기이고;
a 및 e는 1 내지 20의 정수이고;
b, c 및 d는 서로 독립적으로, 0 내지 200의 정수이되, b, c 및 d가 모두 0인 경우는 제외되고;
f는 0 내지 10의 정수이고;
g는 0 내지 3의 정수이다.The method of claim 20,
After the step of bonding the device substrate and the encapsulation substrate, a material comprising at least one of a silicon compound represented by the following formula (1) and a cured product of the silicon compound in the space between the sealing member and the first portion of the third electrode A method of manufacturing an organic light emitting device, further comprising the step of providing a first layer:
<Formula 1>
F- [Q 1 ] a -O- [Q 2 -O] b- [Q 3 -O] c- [Q 4 -O] d- [Q 5 ] e- [Y 1 ] f -Si (Z 1 ) g (Z 2 ) 3-g
In Formula 1,
Q 1 is a divalent group represented by -C (R 1 ) (R 2 )-;
Q 2 is a divalent group represented by -C (R 3 ) (R 4 ) -C (R 5 ) (R 6 ) -C (R 7 ) (R 8 )-;
Q 3 is a divalent group represented by -C (R 9 ) (R 10 ) -C (R 11 ) (R 12 )-;
Q 4 is a divalent group represented by -C (R 13 ) (R 14 )-;
Q 5 is a divalent group represented by -C (R 15 ) (R 16 )-;
R 1 to R 16 are each independently selected from the group consisting of H, -F, -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 and -CF 3 ;
Y 1 is a divalent organic group;
Z 1 is a C 1 -C 30 alkyl group or a C 1 -C 30 alkyl group substituted with one or more -F;
Z 2 is a C 1 -C 30 alkoxy group or a C 1 -C 30 alkoxy group substituted with one or more -F;
a and e are integers from 1 to 20;
b, c and d are, independently from each other, an integer from 0 to 200, except where b, c and d are all zero;
f is an integer from 0 to 10;
g is an integer of 0-3.
상기 제1전극과 상기 제3전극을 형성하는 단계가, 상기 제3전극의 제1부분으로부터 상기 실링 부재를 향하여 연장되어 있는 제2부분을 추가로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
The forming of the first electrode and the third electrode may further include forming a second portion extending from the first portion of the third electrode toward the sealing member. Method of manufacturing a light emitting device.
상기 발광 영역과 비발광 영역을 포함한 소자 기판 제공 단계가, 상기 소자 기판 중 비발광 영역 상에 상기 실링 부재에 대응되는 홀을 형성하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
And providing a device substrate including the light emitting region and the non-light emitting region further comprises forming a hole corresponding to the sealing member on a non-light emitting region of the device substrate.
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