KR20120061553A - 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

전기영동 표시장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20120061553A
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정이레
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Abstract

하나의 화소 영역 내에서 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있는 본 발명의 일 측면에 따른 전기 영동 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 서로 교차하도록 배열되어 복수개의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소 내에서 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성되는 박막트랜지스터; 및 상기 화소 상에 배치되는 화소 전극을 포함하고, 상기 박막트랜지스터는, n번째 화소의 구동을 위한 n번째 박막 트랜지스터가 n+1번째 화소 내에 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

전기영동 표시장치 및 그 제조 방법{Electrophoretic Display Device and Method for Manufacturing The Same}
본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 전기영동 표시장치에 관한 것이다.
전기 영동 표시 장치란 착색된 대전 입자가 외부로부터 가해진 전계에 의해 이동하는 전기 영동 현상을 이용하여 화상을 표시하는 장치를 말한다. 여기에서 전기 영동(Electrophoresis) 현상이란, 대전 입자를 액체 속에 분산시킨 전기 영동 분산액에 전계를 인가하는 경우에 대전 입자가 쿨롱력에 의하여 액체 속을 이동하는 현상을 말한다.
이러한 전기 영동 표시 장치는 쌍안정성(Bistability)을 갖고 있어 인가된 전압이 제거되어도 원래의 이미지를 장시간 보존할 수 있다. 즉, 전기 영동 표시 장치는 지속적으로 전압을 인가하지 않아도 일정 화면을 장기간 유지할 수 있기 때문에 화면의 신속한 교환이 요구되지 않는 전자 책 분야에 특히 적합하다. 또한, 전기 영동 표시 장치는 액정 표시 장치와는 달리 시야각(Viewing Angle)에 대한 의존성이 없을 뿐만 아니라 종이와 유사한 정도로 눈에 편안한 화상을 제공할 수 있다는 장점을 가지고 있다.
이러한 전기영동 표시장치의 일반적인 구조를 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 일반적인 전기영동 표시장치의 개략적인 평면도로서 n번째 화소와 n+1번째 화소의 배열을 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A선을 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 전기영동 표시장치(100)는, 기판(110)에 게이트 라인(120a, 120b)과 데이터 라인(150)이 교차되게 배열되어 화소(예컨대, n번째 화소(Pn) 및 n+1번째 화소(Pn+1))를 정의하며, 상기 각 화소를 정의하는 게이트 라인(120a, 120b)과 데이터 라인(150)의 교차 영역에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터 (Thin Film Transistor; TFT(T))가 형성된다.
이때, 전기영동 표시장치(100)는 통상적으로 복수개의 화소들로 구성되어 있지만, 이하에서는 설명의 편의를 위해 n번째 화소인 Pn과 n+1번째 화소인 Pn+1를 중심으로 설명하기로 한다.
먼저, 박막트랜지스터(Tn, Tn+1)는 게이트 라인(120a, 120b)으로부터 데이터 라인(150)과 평행하게 연장된 게이트 전극(122a, 122b)과, 데이터 라인(150)에서 연장된 소스 전극(152a, 152b), 소스 전극(152a, 152b)으로부터 소정 간격 이격된 드레인 전극(154a, 154b), 및 반도체층(미도시)을 포함한다.
또한, 각 화소에는 스토리지 전극(124a, 124b)이 형성되어 있고, 박막트랜지스터(Tn, Tn+1)를 포함하는 화소(Pn, Pn+1)상에는 n번째 화소 전극(190a)과 n+1번째 화소전극(190b)이 각각 오버랩 되어 배치된다.
이때, n번째 화소전극(190a)과 n+1번째 화소전극(190b) 각각은 콘택홀(182a, 182b)을 통해 각 화소에 형성된 드레인 전극(154a, 154b)과 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 화소 전극(190a, 190b) 상에는 보호막(160) 및 유전체층(170)이 형성되어 있다. 이때, n번째 화소(Pn)상에 배치되는 화소 전극(190a)은 n번째 화소(Pn)에 구비된 트랜지스터(Tn)와 오버랩 되어 있으며, n+1번째 화소(Pn+1)상에 배치되는 화소 전극(190b)은 n+1번째 화소(Pn+1)에 구비된 트랜지스터(Tn+1)와 오버랩 되어 있다.
한편, 화소 전극(190a, 190b)상에는 전기영동 필름이 부착되는데, 전기영동필름은, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스필름(210), 상부전극(220), 마이크로캡슐(230), 및 접착필름(240)으로 구성되어, 화소 전극(190a, 190b) 상에 라미네이션(Lamination)된다. 이때, 마이크로캡슐(230)내부에는 서로 다른 전압으로 차징되는 흑색입자(Black Pigment, 232), 백색입자(White Pigment, 234), 및 유전 용매(236)가 충진되어 있다.
따라서, 화소(Pn, Pn+1)에 각각 배치된 화소 전극(190a, 190b)에 특정한 전압을 인가하면, 흑색입자(232)와 백색입자(234)는 그에 따라 마이크로캡슐(230)내부에서 이동하게 되는데, 이로 인해 화상이 베이스필름(210)측으로 구현된다.
그러나, 이러한 일반적인 전기영동 표시장치의 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 각 화소 전극(190a, 190b)이 각 화소에 형성된 박막트랜지스터(Tn, Tn+1)뿐만 아니라 화소 전체에 오버랩 되어 있기 때문에, 하나의 화소 내에서 기생 커패시턴스(Cgs, Cst)가 증가하게 된다.
이러한 기생 커패시턴스(Cgs, Cst)의 증가로 인해,박막트랜지스터의 크기가 증가됨은 물론, 화질의 상태를 크게 좌우하는 킥-백 전압(△Vp)도 증가하여 화질 상태가 나빠지고, 패널의 소비 전류가 증가한다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 하나의 화소 영역 내에서 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있는 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 관점들 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이 밖에도, 본 발명의 실시를 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 전기 영동 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 서로 교차하도록 배열되어 복수개의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소 내에서 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성되는 박막트랜지스터; 및 상기 화소 상에 배치되는 화소 전극을 포함하고, 상기 박막트랜지스터는, n번째 화소의 구동을 위한 n번째 박막 트랜지스터가 n+1번째 화소 내에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 교차하여 복수개의 화소를 정의하는 데이터 라인, 및 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 데이터 라인 및 박막 트랜지스터를 포함하는 기판 전면 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 유전체층을 형성하는 단계; 상기 보호막과 상기 유전체층을 관통하는 홀을 형성하기 위하여, 상기 보호막과 상기 유전체층을 부분적으로 제거하는 단계; 및 상기 홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 상기 유전체층 상에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 박막트랜지스터 형성 시, n번째 화소의 구동을 위한 n번째 박막 트랜지스터를 n+1번째 화소 내에 형성 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 현재 단 박막트랜지스터를 다음 단 화소 영역에 형성함으로써 기생 커패시턴스(Cgs, Cst)를 감소시킬 수 있어 박막트랜지스터의 크기, 킥-백 전압(△Vp), 및 패널의 소비 전류를 감소시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 킥-백전압(△Vp)의 감소로 인해 화질을 개선시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 박막트랜지스터와 화소 전극간의 에지 마진(Edge Margin)이 많아 블랙 메트릭스로 박막트랜지스터를 충분히 커버할 수 있어 빛샘 효과를 개선시킬 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 전기영동 표시장치의 평면도.
도 2는 도 1의 A-A'선을 절단한 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기영동 표시장치의 평면도.
도 4는 도 3의 A-A'를 절단한 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기영동 표시장치의 제조 방법을 보여주는 단면도.
도 6은 기존의 전기영동 표시장치와 본 발명에 따른 전기영동 표시장치의 성능을 비교하여 보여주는 도표.
이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 다만, "바로 위에" 또는 "바로 아래에"라는 용어가 사용될 경우에는, 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 것으로 제한되어 해석되어야 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기영동 표시장치의 단면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'선을 절단한 단면도이다. 이하의 설명에서는 설명의 편의를 위해, n번째 화소(Pn, 이하, 'Pn'이라 함)와 n+1번째 화소(Pn+1, 이하, 'Pn+1'이라 함) 를 중심으로 설명하기로 한다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기영동 표시장치(300)는 기판(310)을 포함한다. 상기 기판(310)은 유리 기판일 수 있으나, 전기영동 표시장치(300)에 가연성(Flexibility)을 부여하기 위하여 플라스틱 기판 또는 금속 기판이 기판(310)으로 사용될 수도 있다. 기판(310)은 화상이 표시되는 면의 반대 측에 위치하므로 투명성을 가질 필요는 없다.
기판(310) 상에 게이트 라인(320), 게이트 라인(320)으로부터 분지된 게이트 전극(322) 및 스토리지 전극(324)이 형성되어 있다. 게이트 라인(320), 게이트 전극(322), 및 스토리지 전극(324)은 비저항(Resistivity)이 낮은 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금(alloy)으로 이루어진 단일막이거나, 또는 이러한 단일막에 더하여 전기적 특성이 우수한 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 또는 탄탈륨(Ta)으로 이루어진 막을 더 포함하는 다층막일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, Pn을 구동시키기 위한 게이트 전극(322)은, Pn을 구동시키기 위한 게이트 라인(320)으로부터 Pn+1내로 연장되어 형성된다.
이와 같이, 본 발명에서 Pn을 구동시키기 위한 게이트 전극(322)을 Pn+1 내에 형성하는 것은, Pn의 구동을 위한 화소 전극(390a)이 Pn의 구동을 위한 게이트 라인(320), 데이터 라인(350), 및 박막트랜지스터(Tn)와 중첩될 경우 기생 커패시턴스(Cst, Cgs)가 증가하게 되고, 이로 인해 상당한 크기의 킥백 전압이 발생하게 되므로, Pn을 구동시키기 위한 박막트랜지스터(Tn)를 Pn이 아닌 Pn+1내에 형성되도록 함으로써 기생 커패시턴스(Cst, Cgs)를 감소시키기 위한 것이다.
다음으로, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(320), 게이트 전극(322), 및 스토리지 전극(324)을 포함하는 기판(310)의 전면(Entire Area) 상에 게이트 절연막(330)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(330)은 질화규소(SiNx) 막(이하, '질화막'이라 칭함)일 수 있다.
게이트 절연막(330) 상에 반도체층(340), 게이트 라인(320)과 교차되는 방식으로 배열되어 복수개의 화소(예컨대, Pn 및 Pn+1)를 정의하는 데이터 라인(350), 데이터 라인(350)으로부터 분지된 소스 전극(352), 및 드레인 전극(354)이 형성되어 있다.
이러한 데이터 라인(350), 소스 전극(352), 및 드레인 전극(354)은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일막이거나, 또는 이러한 단일막에 더하여 전기적 특성이 우수한 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 또는 탄탈륨(Ta)으로 이루어진 막을 더 포함하는 다층막일 수 있다.
본 발명의 경우 상술한 바와 같이, Pn을 구동시키기 위한 박막트랜지스터(Tn)가 Pn이 아닌 Pn+1내에 형성되도록 하기 때문에, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, Pn을 구동시키기 위한 소스 전극(352) 또한 데이터 라인(350)으로부터 Pn+1 내로 연장되어 형성된다.
한편, 드레인 전극(354)은 소스 전극(352)으로부터 소정 간격 이격 되도록 형성되는데, 본 발명의 경우 드레인 전극(354)은 화소 전극(390a)과의 전기적인 접속을 위해 데이터 라인(350)과 평행하게 Pn내부로 연장되어 형성된다.
이러한 소스 전극(352) 및 드레인 전극(354)는 반도체층(340)과 부분적으로 중첩되도록 형성된다.
도시되어 있지는 않으나, 소스 전극(352)과 반도체층(340) 사이, 그리고 드레인 전극(354)과 반도체층(340) 사이에 각각 오믹 콘택층(Ohmic Contact)이 더 형성되어 있을 수 있다.
상술한 게이트 전극(322), 게이트 절연막(330), 반도체층(340), 소스 전극(352), 및 드레인 전극(354)이 스위칭 소자(SW)인 박막트랜지스터(Tn)를 구성하게 된다.
이와 같이, 본 발명의 경우 n번째 화소인 Pn을 구동시키기 위한 박막트랜지스터(Tn)가 Pn이 아닌 Pn+1내에 형성되도록 함으로써 기생 커패시턴스(Cst, Cgs)를 감소시킬 수 있게 되고, 박막트랜지스터(Tn)과 화소 전극(390a)의 에지 마진(Edge Margin)이 많아 블랙 메트릭스로 박막트랜지스터(Tn)를 충분히 커버할 수 있어 빛샘 효과를 개선시킬 수 있다.
다음으로, 보호막(360)은 데이터 라인(350), 박막트랜지스터(Tn), 및 게이트 절연막(330) 상에 형성되어 있다. 일 실시예에 있어서, 보호막(360)은 질화막일 수 있다.
보호막(360) 상에는 유전체층(370)이 형성되어 있다. 유전체층(370)은 포토아크릴(Photoacryl), 폴리이미드, 또는 폴리(4-비닐페놀) 등과 같은 낮은 유전상수를 갖는 유기물로 형성될 수 있으며, 약 1 내지 5㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
보호막(360) 및 유전체층(370) 상에는 화소 전극(390a, 390b)이 형성되어 있다. 이때, 화소 전극(390a)은 보호막(360) 및 유전체층(370)을 관통하는 관통 홀(382)을 통해 박막트랜지스터(Tn)를 구성하는 드레인 전극(354)과 전기적으로 접속된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 경우, 기생 커패시턴스를 감소시키기 위해, Pn을 구동하기 위한 화소전극(390a)은 Pn의 구동을 위한 박막트랜지스터(Tn)와 중첩되지 않고, Pn+1을 구동하기 위한 화소전극(390b)이 Pn의 구동을 위한 박막트랜지스터(Tn)와 중첩된다.
또한, 본 발명의 경우, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, Pn의 구동을 위한 화소 전극(390a)은 Pn의 구동을 위한 게이트 라인(320) 및 데이터 라인(350)과도 중첩되지 않게 형성된다. 이를 통해, 화소 전극(390a)과 게이트 라인(320)간의 기생 커패시턴스와 화소 전극(390a)과 데이터 라인(350)간의 기생 커패시턴스를 더욱 감소시킬 수 있게 된다.
상기 화소 전극(390a, 390b) 상에는 전기영동필름(400)이 부착된다. 본 발명에 따른 전기영동필름(400)은 베이스 필름(410), 공통 전극(420), 복수개의 마이크로캡슐(430), 및 점착층(440)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 이러한 전기영동필름(400)의 점착층(440)이 라미네이팅 공정에 의해 화소전극(390a, 390b) 상에 부착된다.
베이스 필름(410)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어지며, 공통 전극(420)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성된다. 상기 베이스 필름(410) 및 공통 전극(420)은 화상 표시를 위해 투명하여야 한다.
마이크로캡슐(430)은 그 안에 전기영동 분산액을 갖는다. 전기영동 분산액은, 유전 용매(436) 및 상기 유전 용매(436) 내에 분산되어 있는 양 및 음으로 각각 대전된 대전 입자들(432, 434)을 포함한다. 유전 용매(436)는 반사 휘도를 확보하기 위하여 투명한 것이 바람직하다. 그 예로는, 물, 알코올계 용매, 에스테르계 용매, 케톤계 용매, 지방족 탄화수소계 용매, 방향족 탄화수소계 용매, 할로겐화 용매 등이 있으며, 이들 물질은 단독 또는 혼합물로서 이용될 수 있다. 상기 유전 용매(436)는 계면 활성제를 더 포함할 수 있다. 대전 입자들(432, 434)의 높은 이동도(Mobility)를 담보한다는 측면에서 상기 유전 용매(436)는 낮은 점도를 갖는 것으로 선택될 수 있다.
흑색 입자(432)는, 예를 들면, 아닐린 블랙, 카본 블랙 등의 흑색 염료로 착색된 고분자 또는 콜로이드이며, 플러스로 대전되어 이용될 수 있다. 백색 입자(434)는, 예를 들면, 이산화티탄, 삼산화 안티몬 등의 백색 염료로 착색된 고분자 또는 콜로이드이며, 마이너스로 대전되어 이용될 수 있다. 필요에 따라서, 이들 염료 외에도 하전 제어제, 분산제, 윤활제 등이 더 첨가될 수 있다.
본 명세서 및 도면에서는 설명의 편의를 위하여 무색의 유전 용매에 양으로 대전된 흑색 입자(432) 및 음으로 대전된 백색 입자(434)가 분산되어 있는 전기영동 분산액을 예로 들어 본 발명을 설명하고 있으나, 본 발명의 전기영동 분산액은 이에 제한되지 않으며, 대전된 백색 입자가 흑색 염료를 포함하는 유전 용매에 분산되어 있는 전기영동 분산액이 이용될 수 있다.
이 경우, 화소 전극(390a, 390b) 및 공통전극(420)에 데이터 전압 및 공통 전압(Vcom)이 각각 인가되면 백색 입자가 반대 극성의 전극으로 이동함으로써 흑과 백이 표시된다. 반대로, 대전된 흑색 입자가 백색 염료를 포함하는 유전 용매에 분산되어 있는 전기 영동 분산액이 이용될 수도 있다.
이하에서는, 도 5a 내지 5g를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전기영동 표시장치의 제조방법을 구체적으로 설명하도록 한다.
도 5a 내지 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기영동 표시장치의 제조 방법을 보여주는 평면도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(310) 상에 게이트라인(320), 게이트 라인(320)으로부터 연장된 게이트 전극(322)과, 스토리지 전극(324)을 형성하고, 게이트 전극(322) 및 스토리지 전극(324) 상에 절연막(330)을 형성한다.
이후, 절연막(330) 상에 반도체층(340)을 형성한 후, 게이트 라인(320)과 교차 배열되어 복수개의 화소(예컨대, Pn-1, Pn, 및 Pn+1)를 정의하는 복수개의 데이터 라인(350), 반도체층(340)과 부분적으로 중첩되는 소스 전극(352) 및 소스 전극(352)과 이격된 드레인 전극(354)을 형성한다. 이러한 게이트 전극(322), 게이트 절연막(330), 반도체층(340), 소스 전극(352), 및 드레인 전극(354)이 스위칭 소자(SW)인 박막트랜지스터(Tn)를 구성하게 된다.
일 실시예에 있어서, 본 발명의 경우 도 5a에 도시된 바와 같이, Pn을 구동시키기 위한 박막트랜지스터(Tn)는 Pn 내에 형성되는 것이 아니라, Pn+1내에 형성된다. 이는, Pn의 구동을 위한 화소 전극(390a)이 Pn의 구동을 위한 게이트 라인(320), 데이터 라인(350), 및 박막트랜지스터(Tn)과 중첩될 경우 기생 커패시턴스(Cst, Cgs)가 발생되기 때문에 Pn을 구동시키기 위한 박막트랜지스터(Tn)가 Pn이 아닌 Pn+1내에 형성되도록 함으로써 기생 커패시턴스(Cst, Cgs)를 감소시키기 위한 것이다.
이를 위해, 박막트랜지스터(Tn)을 구성하는 게이트 전극(322)은, Pn을 구동시키기 위한 게이트 라인(320)으로부터 Pn+1 내로 연장되어 형성되고, 소스 전극(352) 또한 데이터 라인(350)으로부터 Pn+1 내로 연장되어 형성되며, 드레인 전극(354)은 소스 전극(352)으로부터 소정 간격 이격 되도록 형성되되, 화소 전극(390a)과의 전기적인 접속을 위해 데이터 라인(350)과 평행하게 Pn내부로 연장되어 형성된다.
한편, 도시되어 있지는 않으나, 소스 전극(352)과 반도체층(340) 사이, 그리고 드레인 전극(354)과 반도체층(340) 사이에 각각 오믹 콘택층을 더 형성할 수 있다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(Tn)을 포함하는 기판(310)의 전면 상에 보호막(360)을 형성하고, 보호막(360) 상에 유전체층(370)을 형성한다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 보호막(360) 및 유전체층(370)을 관통하는 홀(382)을 형성하기 위하여, 보호막(360) 및 유전체층(370)의 일부를 선택적으로 제거한다.
이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 각 화소(Pn, Pn+1) 상에 화소 전극(390a, 390b)을 형성한다. 이때, Pn의 구동을 위한 화소 전극(390a)은 상기 홀(382)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tn)의 드레인 전극(354)과 접속되도록 형성된다.
한편, 본 발명의 경우, 도 5d에 도시된 바와 같이, 기생 커패시턴스를 감소시키기 위해, Pn을 구동하기 위한 화소전극(390a)은 Pn의 구동을 위한 박막트랜지스터(Tn)와 중첩되지 않도록 형성되고, Pn+1을 구동하기 위한 화소전극(390b)이 Pn의 구동을 위한 박막트랜지스터(Tn)와 중첩되도록 형성된다.
또한, 본 발명의 경우, 도 5d에 도시된 바와 같이, Pn의 구동을 위한 화소 전극(390a)은 Pn의 구동을 위한 게이트 라인(320) 및 데이터 라인(350)과도 겹치지 않게 형성된다. 이를 통해, 화소 전극(390a)과 게이트 라인(320)간의 기생 커패시턴스와 화소 전극(390a)과 데이터 라인(350)간의 기생 커패시턴스를 더욱 감소시킬 수 있게 된다.
이어서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 전기영동 필름(400)의 점착층(440)을 화소 전극(390a, 390b) 상에 부착시킴으로써 전기영동 표시장치를 완성한다. 이때, 전기영동필름(400)은 도 5e에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(410), 공통 전극(420), 및 복수개의 마이크로 캡슐(430), 및 점착층(440)으로 구성된다.
상술한 바와 같이, Pn의 구동을 위한 박막트랜지스터(Tn)을 Pn+1내에 형성하는 본 발명에 따른 전기영동 표시장치의 경우, 기존의 전기영동 표시장치와 비교할 때 도 6에 도시된 바와 같이 소스 커패시턴스, 기생 커패시턴스(Cst, Cgs), 킥백전압(△Vp) 모두 감소하게 된다는 것을 알 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
300: 전기 영동 표시 장치 310: 기판
320: 게이트 라인 322: 게이트 전극
324: 스토리지 전극 330: 절연막
340: 반도체층 350: 데이터 라인
352: 소스 전극 354: 드레인 전극
360: 보호막 370: 유전체층
390:화소전극 400: 전기 영동 필름

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 서로 교차하도록 배열되어 복수개의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;
    상기 화소 내에서 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성되는 박막트랜지스터; 및
    상기 화소 상에 배치되는 화소 전극을 포함하고,
    상기 박막트랜지스터는, n번째 화소의 구동을 위한 n번째 박막 트랜지스터가 n+1번째 화소 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 n번째 화소의 구동을 위한 n번째 화소 전극은, 상기 n번째 화소의 구동을 위한 게이트 라인과 중첩되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 n번째 화소의 구동을 위한 n번째 화소 전극은, 상기 n번째 화소의 구동을 위한 데이터 라인과 중첩되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 n번째 박막 트랜지스터는,
    상기 n번째 화소의 구동을 위한 게이트 라인으로부터 상기 n+1번째 화소 내로 연장되어 형성된 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에서 상기 데이터 라인으로부터 상기 n+1번째 화소 내로 연장되어 형성된 소스 전극; 및
    상기 게이트 전극 상에서 상기 소스 전극과 소정 간격 이격되어 형성된 드레인 전극을 포함하고,
    상기 드레인 전극은, 상기 데이터 라인과 평행하게 상기 n번째 화소 내로 연장되어 형성되어 상기 n번째 화소의 구동을 위한 n번째 화소 전극과 콘택 홀을 통해 전기적으로 접속되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화소 전극 상에 부착된 전기영동 필름을 더 포함하고,
    상기 전기영동 필름은 대전 입자를 함유한 마이크로캡슐을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  6. 기판 상에 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 교차하여 복수개의 화소를 정의하는 데이터 라인, 및 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 데이터 라인 및 박막 트랜지스터를 포함하는 기판 전면 상에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막 상에 유전체층을 형성하는 단계;
    상기 보호막과 상기 유전체층을 관통하는 홀을 형성하기 위하여, 상기 보호막과 상기 유전체층을 부분적으로 제거하는 단계; 및
    상기 홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 상기 유전체층 상에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 박막트랜지스터 형성 시, n번째 화소의 구동을 위한 n번째 박막 트랜지스터를 n+1번째 화소 내에 형성 하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 n번째 박막 트랜지스터 형성 시,
    상기 n번째 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극은, 상기 n번째 화소의 구동을 위한 게이트 라인으로부터 상기 n+1번째 화소 내로 연장하여 형성하고,
    상기 n번째 박막 트랜지스터를 구성하는 소스 전극은, 상기 게이트 전극 상에서 상기 데이터 라인으로부터 상기 n+1번째 화소 내로 연장하여 형성하며,
    상기 n번째 박막 트랜지스터를 구성하는 드레인 전극은, 상기 게이트 전극 상에서 상기 소스 전극과 소정 간격 이격 되도록 형성하되, 상기 n번째 화소 내로 상기 데이터 라인과 평행하게 연장되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 화소 전극 형성 시, 상기 n번째 화소의 구동을 위한 n번째 화소 전극이 상기 n번째 화소의 구동을 위한 게이트 라인과 중첩되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 화소 전극 형성 시, 상기 n번째 화소의 구동을 위한 n번째 화소 전극이 상기 n번째 화소의 구동을 위한 데이터 라인과 중첩되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 화소 전극 상에 대전 입자를 함유한 마이크로캡슐을 포함하는 전기영동 필름을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치의 제조방법.
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