KR20120059032A - Thermoelectric Element and Manufacturing Method Thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A thermoelectric element and a manufacturing method thereof are provided to improve electricity generation efficiency of the thermoelectric element by multiplying an interference phenomenon by using the wave nature of phonon. CONSTITUTION: A heat absorbing unit(110) absorbs heat provided from outside. A first row slit(120) changes the absorbed heat as into a heat source point. A second row slit(130) interferes phonon of heat source point. A heat interference unit(140) cranks down the interfered phonon. A heat radiating unit(150) receives the absorbed heat and emits it to outside. The heat absorbing unit is a high temperature unit. The heat radiating unit is a low temperature unit. The heat absorbing unit and the heat radiating unit are connected by the first row slit, the second row slit, and the heat interference unit.

Description

열전소자 및 이의 제조 방법{Thermoelectric Element and Manufacturing Method Thereof}Thermoelectric element and manufacturing method therefor {Thermoelectric Element and Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 열전소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포논의 파동성을 이용하여 간섭 현상을 증대시켜 열전소자의 전기 발생 효율을 증대시킬 수 있는 열전소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric device, and more particularly, to a thermoelectric device and a method of manufacturing the same, which can increase the generation efficiency of the thermoelectric device by increasing the interference phenomenon by using the phonon wave characteristics.

개발도상국 경제의 급부상 등으로 인해 화석연료의 사용량이 급증하고 있고, 이로 인해 지구 상의 화석연료가 점차 고갈되어가고 있다. 또한, 화석연료의 사용으로 인한 지구 환경 오염 문제와 CO2 가스 배출량의 증가 등이 집중 부각되고 있다.Due to the rapid rise of economies in developing countries, the use of fossil fuels is increasing rapidly, which is causing the global fossil fuel to be exhausted. In addition, global environmental pollution and increased CO2 emissions due to the use of fossil fuels have been highlighted.

따라서, 기존 화석 연료를 대체할 수 있는 새로운 청정 에너지가 요구되고 있으며, 그 중 유망한 것이 열전소자이다.Therefore, new clean energy that can replace existing fossil fuels is required, and a promising one is a thermoelectric element.

열전소자는 열을 전기에너지로 바꿀 수 있는 소자이다. 열전소자의 열원은 태양열 등의 복사열, 지열, 체열 및 폐열 등이 될 수 있다.Thermoelectric devices are devices that can convert heat into electrical energy. The heat source of the thermoelectric element may be radiant heat such as solar heat, geothermal heat, body heat and waste heat.

한편, 태양열은 태양이 존재하는 한 꾸준히 공급되고, 환경오염도 전혀 걱정 없는 가장 이상적인 열원이다. 따라서 열원으로서 태양열 등의 복사열을 사용하는 고효율의 열전소자를 개발한다면, 시장성 및 응용성 측면에서 가장 폭발적인 반응을 불러 일으킬 것으로 판단된다. 하지만, 태양열 등의 복사열을 열원으로 갖는 열전소자는 그 연구가 아직 미미한 단계에 있다.On the other hand, solar heat is supplied steadily as long as the sun exists, and is the most ideal heat source without any environmental pollution. Therefore, if a high-efficiency thermoelectric device using radiant heat such as solar heat is developed as a heat source, it is expected to cause the most explosive reaction in terms of marketability and applicability. However, the study of thermoelectric elements having radiant heat such as solar heat as a heat source is still in a very small stage.

열전효과(Thermoelectric Effect)는 1800년대 Thomas Seebeck에 의해 가장 먼저 발견되었다. Seebeck은 창연(비스무트)과 구리를 연결하고 그 안에 나침반을 배치하였다. 비스무트의 한쪽을 뜨겁게 가열하면 온도 차이로 인해 전류가 유도되고, 이 유도 전류로 인해 발생하는 자기장이 나침반에 영향을 끼쳐 나침반이 움직이는 것을 보임으로써 열전효과를 처음으로 규명하였다.The thermoelectric effect was first discovered by Thomas Seebeck in the 1800s. Seebeck connects bismuth with copper and places a compass in it. The hot heating of one side of bismuth induces a current due to the temperature difference, and the magnetic field generated by this induced current affects the compass, demonstrating the thermoelectric effect for the first time.

열전효율을 가늠하는 지표로는 ZT(Figure of Merit) 값이 사용된다. ZT 값은 Seebeck 계수(Coefficient)의 제곱과 전기전도도(Electric Conductivity)에 비례하고, 열전도도(Thermal Conductivity)에 반비례한다. 이들 항(Term)들은 물질의 고유 특성에 의해 크게 좌우된다. 금속의 경우 Seebeck 계수 값이 수 uV/K 수준으로 매우 낮은 데다 비데만 프란쯔 법칙(Wiedemann-Franz law)에 의해 전기전도도와 열전도도는 비례 관계에 있기 때문에, 금속을 이용한 ZT 값의 향상은 불가능하다.The ZT (Figure of Merit) value is used as an indicator of thermoelectric efficiency. The ZT value is proportional to the Seebeck coefficient (Coefficient) squared and the electrical conductivity, and inversely proportional to the thermal conductivity. These terms are highly dependent on the intrinsic properties of the material. In the case of metals, the Seebeck coefficient is very low, a few uV / K, and the Wiedmann-Franz law shows that the electrical and thermal conductivity are proportional to each other. Do.

한편, 반도체 물질들에 대한 과학자들의 꾸준한 연구를 통해 각각 체열 및 방사능 열을 그 열원으로 하는 열전소자들이 시장에 나오게 되었다. 제품화된 열전소자용 물질로는 상온 및 중온에서는 Bi2Te3가, 고온에서는 SiGe가 적용되고 있다. Bi2Te3의 ZT 값은 상온에서는 0.7, 120 ℃에서 최대값인 0.9를 갖는다. SiGe의 ZT 값은 상온에서는 약 0.1, 900 ℃에서 최대값인 0.9를 갖는다.On the other hand, through constant research by scientists on semiconductor materials, thermoelectric devices whose body heat and radiation heat are the heat sources are brought to the market. As commercialized thermoelectric materials, Bi2Te3 is used at room temperature and medium temperature, and SiGe is used at high temperature. The ZT value of Bi2Te3 has a maximum value of 0.9 at room temperature and 0.7 at 120 ° C. The ZT value of SiGe has a maximum of 0.9 at room temperature at about 0.1 and 900 ° C.

또한, 반도체 산업의 기본 소재인 실리콘을 기반으로 한 연구도 관심을 받고 있다. 실리콘은 열전도도가 150 W/mㆍK로서 매우 높아, ZT 값이 0.01의 값을 가지므로 열전소자로서의 활용이 어려운 것으로 인식되어 왔다. 하지만, 최근 들어 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)법으로 성장한 실리콘 나노 와이어(Nano-Wire)의 경우에는 열전도도를 0.01 배 이하까지 줄일 수 있고, 이에 따라서 ZT 값이 1에 근접하는 것으로 보고되고 있다.In addition, research based on silicon, a basic material of the semiconductor industry, is also receiving attention. Since silicon has a very high thermal conductivity of 150 W / m · K and a ZT value of 0.01, it has been recognized that it is difficult to be used as a thermoelectric element. However, in the case of Nano-Wire recently grown by Chemical Vapor Deposition (CVD), the thermal conductivity can be reduced by 0.01 times or less, and thus the ZT value is reported to be close to 1. It is becoming.

하지만, 일반적인 금속의 경우 전기전도도를 증가시키게 되면 열전도도도 함께 증가되어 ZT 값이 감소하는 문제점이 있다.However, in the case of a general metal, when the electrical conductivity is increased, the thermal conductivity is also increased to decrease the ZT value.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 포논의 파동성을 이용하여 열전도도를 감소시키고, 전기전도도는 그대로 유지함으로써, 열전 효율을 향상시킬 수 있는 열전소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the problems described above, by reducing the thermal conductivity using the phonon wave characteristics, and maintains the electrical conductivity as it is, a thermoelectric device and a method for manufacturing the same that can improve the thermoelectric efficiency The purpose is to provide.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 외부로부터 공급되는 열을 흡수하는 열흡수부; 상기 흡수된 열을 점열원으로 바꿔주는 제1 열슬릿부; 상기 점열원의 포논을 간섭시키고, 상기 점열원의 전자는 간섭시키지 않는 제2 열슬릿부; 간섭된 포논은 소멸되고, 간섭되지 않은 전자는 통과하는 열간섭부; 및 상기 흡수된 열을 전달받아 외부로 방출하는 열방출부를 포함하는 열전소자를 제공한다.The present invention for achieving the above object, the heat absorption unit for absorbing heat supplied from the outside; A first heat slit portion for converting the absorbed heat into a point heat source; A second heat slit portion which interferes with the phonon of the point heat source and does not interfere with electrons of the point heat source; The interference phonon is extinguished, and the heat interference portion through which the uninterrupted electrons pass; And a heat dissipation unit receiving the absorbed heat and dissipating it to the outside.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 포논의 파동성을 이용한 열전소자 및 이의 제조 방법을 제공함으로써, 포논의 소멸간섭을 증가시켜 포논의 이동을 제어하여 열전도도를 최소화하고, 전자의 이동은 자유롭게 하여 열전소자의 전기 발생 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, by providing a thermoelectric element using the phonon wave characteristics and a method of manufacturing the same, by increasing the extinction interference of the phonon to control the movement of the phonon to minimize the thermal conductivity, the movement of electrons freely Therefore, there is an effect that can improve the electricity generation efficiency of the thermoelectric element.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 열전소자의 구조를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 열전소자의 제조 방법을 나타낸 흐름도,
도 3은 본 발명에 따른 열전소자에서 열전도도를 결정짓는 포논의 흐름을 나타낸 도면,
도 4는 본 발명에 따른 열전소자에서 전기전도도를 결정짓는 전자의 흐름을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the structure of a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention;
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention;
3 is a view showing a flow of phonon to determine the thermal conductivity in the thermoelectric device according to the present invention,
4 is a view showing the flow of electrons to determine the electrical conductivity in the thermoelectric device according to the present invention.

이하, 본 발명의 일실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

고온부에서 높은 에너지 밀도를 갖는 전자들은 상대적으로 에너지 밀도가 낮은 저온부로 이동을 하여 열적 평형을 이루게 되고, 전하 이동에 의하여 전압이 생성된다. 하지만, 열적 평형은 전자의 에너지 재분배와 더불어 포논의 에너지 재분배에 의해 일어나므로, 일정 시간이 흐르고 나면 전기적으로 중성을 띄게 되고 전압차도 없어지게 된다.The electrons having a high energy density in the high temperature portion move to the low energy portion having a relatively low energy density to achieve thermal equilibrium, and a voltage is generated by charge transfer. However, thermal equilibrium is caused by the energy redistribution of phonons in addition to the energy redistribution of electrons, so that after a certain period of time, it becomes electrically neutral and there is no voltage difference.

본 발명의 일실시예에서는 전기전도도는 물질 특성에 따라 그대로 유지하고, 열전도도는 감소시키는 열전소자를 제공함으로써, 열전소자의 전기 발생 효율을 높일 수 있는 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, by maintaining the electrical conductivity in accordance with the material properties, by providing a thermoelectric element to reduce the thermal conductivity, it provides a method for increasing the electricity generation efficiency of the thermoelectric element.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 열전소자의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing the structure of a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 열전소자는 열흡수부(110), 제1 열슬릿부(120), 제2 열슬릿부(130), 열간섭부(140) 및 열방출부(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the thermoelectric device according to the present invention includes a heat absorbing part 110, a first heat slit part 120, a second heat slit part 130, a heat interference part 140, and a heat dissipation part 150. ).

열흡수부(110)는 고온부이고, 열방출부(150)는 저온부이며, 열흡수부(110)와 열방출부(150)는 제1 열슬릿부(120), 제2 열슬릿부(130) 및 열간섭부(140)에 의해 서로 연결된 구조를 갖는다. 즉, 열흡수부(110)는 외부로부터 열을 흡수하고, 이 열은 제1 열슬릿부(120), 제2 열슬릿부(130) 및 열간섭부(140)를 경유하여 열방출부(150)를 통해 외부로 빠져나간다.The heat absorption part 110 is a high temperature part, the heat release part 150 is a low temperature part, and the heat absorption part 110 and the heat release part 150 are the first heat slit part 120 and the second heat slit part 130. ) And the thermal interference unit 140 have a structure connected to each other. That is, the heat absorbing unit 110 absorbs heat from the outside, and the heat is released through the first heat slit unit 120, the second heat slit unit 130, and the thermal interference unit 140. Exit out through 150).

제1 열슬릿부(120)는 한 점에서 열을 방출할 수 있도록 나노 와이어 형태로 제작된다. 제1 열슬릿부(120) 및 제2 열슬릿부(130)는 Si, Ge, C, Sn 및 Pb 중 적어도 하나를 포함한다. 따라서, 제1 열슬릿부(120) 및 제2 열슬릿부(130)를 통해 전하가 이동되면, 양자효과에 의해 열전도도의 감소 효과를 얻을 수 있다.The first heat slit portion 120 is manufactured in the form of nanowires to emit heat at one point. The first heat slit 120 and the second heat slit 130 include at least one of Si, Ge, C, Sn, and Pb. Therefore, when charge is transferred through the first heat slit part 120 and the second heat slit part 130, a decrease in thermal conductivity may be obtained by a quantum effect.

열흡수부(110), 제1 열슬릿부(120), 제2 열슬릿부(130), 열간섭부(140) 및 열방출부(150)는 동일한 기판 상에 형성될 수 있다. 여기서, 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판 또는 이들을 결합한 다층 기판이 될 수 있다.The heat absorbing part 110, the first heat slit part 120, the second heat slit part 130, the heat interference part 140, and the heat dissipation part 150 may be formed on the same substrate. The substrate may be a silicon substrate, a glass substrate, a plastic substrate, a metal substrate, a silicon on insulator (SOI) substrate, or a multi-layer substrate combining them.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 열전소자의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a thermoelectric device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 열흡수부(110)와 열방출부(150)를 포함하는 기판을 제공한다(S210). 여기서, 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속기판, SOI 기판 또는 이들을 결합한 다층 기판이 될 수 있다.Referring to FIG. 2, a substrate including a heat absorbing unit 110 and a heat radiating unit 150 is provided (S210). Herein, the substrate may be a silicon substrate, a glass substrate, a plastic substrate, a metal substrate, an SOI substrate, or a multilayer substrate in combination thereof.

이어서, 열흡수부(110)와 열방출부(150) 사이에 제1 열슬릿부(120), 제2 열슬릿부(130) 및 열간섭부(140)를 증착한다(S220).Subsequently, the first heat slit part 120, the second heat slit part 130, and the thermal interference part 140 are deposited between the heat absorbing part 110 and the heat dissipating part 150 (S220).

끝으로, 제1 열슬릿부(120), 제2 열슬릿부(130) 및 열간섭부(140)를 각각 식각하여 패턴을 형성한다(S230). 여기서, 제1 열슬릿부(120)는 단일슬릿의 형태로 제2 열슬릿부(130)와 열간섭부(140)는 이중슬릿의 형태로 패터닝한다. 이때, 제1 열슬릿부(120) 및 제2 열슬릿부(130)의 슬릿(s)는 100 nm 이하이고, 제2 열슬릿부(130)의 슬릿간격(d)는 100 nm에서 200 nm 사이이며, 제2 열슬릿부(130)에서 열간섭부(140)까지의 거리(L)은 수학식 1과 같다. 여기서, 슬릿(s), 슬릿간격(d) 및 거리(L)은 제작 물질에 따라 달라질 수 있다.Finally, the first heat slit part 120, the second heat slit part 130, and the heat interference part 140 are etched to form a pattern (S230). Here, the first heat slit part 120 is patterned in the form of a single slit, the second heat slit part 130 and the heat interference part 140 in the form of a double slit. At this time, the slit s of the first heat slit part 120 and the second heat slit part 130 is 100 nm or less, and the slit spacing d of the second heat slit part 130 is 100 nm to 200 nm. The distance L between the second heat slit part 130 and the heat interference part 140 is expressed by Equation 1 below. Here, the slit s, the slit gap d and the distance L may vary depending on the fabrication material.

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, n은 자연수, λ는 포논의 파장, hn은 열간섭부(140)의 중심에서 소멸간섭까지의 거리, L은 제2 열슬릿부(130)로부터 열간섭부(140)까지의 거리를 나타낸다.Here, n is a natural number, λ is the wavelength of the phonon, h n is the distance from the center of the thermal interference portion 140 to the extinction interference, L is the distance from the second thermal slit portion 130 to the thermal interference portion 140 Indicates.

이와 같이 슬릿간격(d)와 제2 열슬릿부(130)로부터 열간섭부(140)까지의 거리(L)은 패턴의 모양을 결정짓는 요인이며, 슬릿간격(d)와 제2 열슬릿부(130)로부터 열간섭부(140)까지의 거리(L)에 따라 상쇄 간섭 효과가 결정된다.As such, the slit spacing d and the distance L from the second heat slit portion 130 to the heat interference portion 140 are factors that determine the shape of the pattern, and the slit spacing d and the second heat slit portion The offset interference effect is determined according to the distance L from 130 to the thermal interference unit 140.

도 3은 본 발명에 따른 열전소자에서 열전도도를 결정짓는 포논의 흐름을 나타낸 도면이다.3 is a view showing the flow of phonon to determine the thermal conductivity in the thermoelectric device according to the present invention.

도 3을 참조하면, 열흡수부(110)를 통하여 흡수된 열은 제1 열슬릿부(120)를 통하여 한 점으로 방출된다. 이에 따라, 제1 열슬릿부(120)에서 발생되는 파동은 갖은 위상을 갖게 된다.Referring to FIG. 3, heat absorbed through the heat absorbing unit 110 is discharged to a point through the first heat slit unit 120. Accordingly, the wave generated in the first heat slit portion 120 has various phases.

갖은 위상을 갖는 파동은 제2 열슬릿부(130)를 통해 슬릿간격(d)의 거리를 두고 진행하게 되고, 제2 열슬릿부(130)를 통과한 파동은 서로 가간섭성(Coherence)을 갖고 간섭된다.Waves having various phases proceed at a distance of the slit interval d through the second heat slit part 130, and waves passing through the second heat slit part 130 exhibit coherence with each other. And interfere with it.

이 간섭 결과는 열간섭부(140)에서 나타나게 되는데, h1에서 첫번째 소멸 간섭이 생기게 되면, h1에서는 포논이 진행하지 않게 된다. 즉, 열간섭부(140)에서 포논은 소멸되어 더 이상 진행되지 않는다.This interference result is shown in the thermal interference unit 140. When the first extinction interference occurs in h1, the phonon does not proceed in h1. That is, in the thermal interference unit 140, the phonon disappears and does not proceed any further.

도 4는 본 발명에 따른 열전소자에서 전기전도도를 결정짓는 전자의 흐름을 나타낸 도면이다.4 is a view showing the flow of electrons to determine the electrical conductivity in the thermoelectric device according to the present invention.

도 4를 참조하면, 열흡수부(110)에서 생성된 전자는 큰 산란없이 제1 열슬릿부(120) 및 제2 열슬릿부(130)를 통해 슬릿간격(d)의 거리를 두고 진행하게 되며, 제2 열슬릿부(130)를 통과하여 열방출부(150)에 이르게 된다.Referring to FIG. 4, the electrons generated by the heat absorbing unit 110 may proceed at a distance of the slit interval d through the first heat slit 120 and the second heat slit 130 without large scattering. The second heat slit 130 passes through the heat dissipation part 150.

전자의 흐름은 포논의 흐름과 달리 열간섭부(140)에서 간섭을 일으키지 않는다. 왜냐하면, 제1 열슬릿부(120)를 통과할 때 전자의 파장은 수 nm 정도에 불과하므로 파동 특성을 나타내지 않고 통과하게 되고, 전자는 제1 열슬릿부(120)를 통과하듯 제2 열슬릿부(130)를 자연스럽게 통과하게 되며, 제2 열슬릿부(130)를 통과한 전자는 슬릿간격(d)가 전자의 파장보다 훨씬 크므로, 열간섭부(140)에서 간섭을 일으키지 않고 열간섭부(140)를 통과하게 된다.The flow of electrons does not cause interference in the thermal interference unit 140 unlike the flow of phonons. Because, when passing through the first heat slit portion 120, the wavelength of the electron is only a few nm, so it passes through without exhibiting wave characteristics, and electrons pass through the second heat slit as if passing through the first heat slit portion 120. The electrons passing through the portion 130 naturally and the electrons passing through the second heat slit portion 130 have a slit interval d much larger than the wavelength of the electrons, and thus do not cause interference in the thermal interference portion 140. Pass through section 140.

이와 같이, 본 발명의 일실시예에서 파동성을 갖는 포논은 간섭에 의해 제한되는 반면, 입자성을 갖는 전자의 경우, 특별한 방향성 없이 위의 구조물을 통과하게 된다. 이를 통해, 전기전도도는 그대로 유지되고 열전도도는 감소되어, 열전성능지수인 ZT 값을 향상시킬 수 있다.As such, in one embodiment of the present invention, the phonon having a wave property is limited by interference, while in the case of the electron having particle nature, the structure passes through the above structure without any particular direction. Through this, the electrical conductivity is maintained as it is, the thermal conductivity is reduced, it is possible to improve the ZT value of the thermoelectric performance index.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 열흡수부 120: 제1 열슬릿부
130: 제2 열슬릿부 140: 열간섭부
150: 열방출부110: heat absorbing portion 120: first heat slit portion
130: second heat slit portion 140: thermal interference portion
150: heat dissipation unit

Claims (1)

외부로부터 공급되는 열을 흡수하는 열흡수부;
상기 흡수된 열을 점열원으로 바꿔주는 제1 열슬릿부;
상기 점열원의 포논을 간섭시키고, 상기 점열원의 전자는 간섭시키지 않는 제2 열슬릿부;
간섭된 포논은 소멸되고, 간섭되지 않은 전자는 통과하는 열간섭부; 및
상기 흡수된 열을 전달받아 외부로 방출하는 열방출부;
를 포함하는 열전소자.A heat absorber for absorbing heat supplied from the outside;
A first heat slit portion for converting the absorbed heat into a point heat source;
A second heat slit portion which interferes with the phonon of the point heat source and does not interfere with electrons of the point heat source;
The interference phonon is extinguished, and the heat interference portion through which the uninterrupted electrons pass; And
A heat dissipation unit receiving the absorbed heat and dissipating it to the outside;
Thermoelectric element comprising a.
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