KR20120057499A - 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 245
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 51
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 214
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 109
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 89
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 76
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 16
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 28
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 49
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 39
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 21
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOWYVZNYZTUDQ-UHFFFAOYSA-L [O-]S([O-])(=O)=O.N.[Ce+3].[Ce+3] Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.N.[Ce+3].[Ce+3] PVOWYVZNYZTUDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical class [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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Abstract
마스크 블랭크용 기판에 표면 결함이 발생한 경우라도, 간편하게 또한 기판의 평탄도 및 표면 거칠기에 악영향을 미치는 일 없이 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정할 수 있는, 저코스트이면서 또한 높은 수율의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법과 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공한다. 대향하는 2개의 주표면을 갖는 기판으로 이루어지는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 2개의 주표면을 연마하는 공정과, 상기 기판의 주표면에 존재하는 표면 결함에 대하여, 상기 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시켜 상기 표면 결함을 수정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이다.
Description
본 발명은, 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법과 그 마스크 블랭크용 기판을 이용하는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 포토리소그래피법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 행해지고 있다. 또한, 이 미세 패턴의 형성을 위해, 통상 수매인 전사용 마스크로 불리고 있는 기판이 사용된다. 이 전사용 마스크는, 일반적으로 투광성의 마스크 블랭크용 기판 상에, 금속 박막 등으로 이루어지는 미세 패턴을 형성한 것이다. 전사용 마스크의 금속 박막 등에 미세 패턴을 형성할 때에, 포토리소그래피법이 이용되고 있다. 전사용 마스크는, 통상, 투명한 마스크 블랭크용 기판 상에 차광막이 형성된 마스크 블랭크로 만들어진다. 미세 패턴을 갖는 전사용 마스크를 얻기 위해, 마스크 블랭크용 기판에 대하여, 고평탄도 및 고평행도가 요구되고 있다. 또한, 마스크 블랭크용 기판 상에 결함(손상이나 이물질 등)이 있으면, 그것을 이용하여 제조되는 전사용 마스크에도 결함이 존재하게 된다. 전사용 마스크에 결함이 존재하면, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 미세 패턴의 형성시에 결함을 야기한다. 따라서, 마스크 블랭크용 기판은, 결함을 갖지 않는 것이 요구되고 있다.
종래의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로서, 예를 들면, 특허 문헌 1에는, 연마포를 접착한 정반과, 마스크 블랭크용 기판을, 일정 하중을 가한 상태에서 상대적으로 이동시키고, 그때 연마액을 연마포와 마스크 블랭크용 기판과의 접촉면간에 공급하여 마스크 블랭크용 기판의 연마를 행하는 공정을 갖는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 제조 방법에 있어서, 정반의 연마포 접착면에 소정의 형상의 홈을 갖는 것이 개시되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에는, 전자 디바이스용 기판으로서, 상기 기판 주표면의 평탄도가 0㎛를 초과하고 0.25㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스용 기판이 개시되어 있다. 또한, 특허 문헌 2에는, 소정의 평탄도의 전자 디바이스용 기판을 제조하기 위한 장치로서, 소정의 연마 정반, 연마 패드, 연마제 공급 수단 및 기판 가압 수단을 갖는 연마 장치가 개시되어 있다.
또한, 특허 문헌 3에는, 석영 글래스 가공품의 치수 수정 방법이 개시되어 있다. 구체적으로는, 특허 문헌 3에는, 치수 수정해야 할 석영 글래스 가공품을 석영 글래스 용접봉에 대하여 소정 거리만큼 이격하여 배치하는 것, 버너의 가연 가스 화염을 그 석영 글래스 용접봉의 단부에 방사하여 그 석영 글래스 용접봉을 가열하고 석영을 승화하여 가스상(狀) 석영으로 하는 것, 이 가스상 석영을 버너의 가연 가스 화염의 방사 방향으로 비산함으로써 그 석영 글래스 가공품의 치수 수정해야 할 부위에 가스상 석영을 부착 퇴적시키는 것, 그 후에, 그 부착 퇴적된 불투명한 석영 퇴적층을 가열하여 용착한 투명한 석영 글래스층으로 하고 그 석영 글래스 가공품의 치수 수정을 행하도록 하는 것을 특징으로 하는 석영 글래스 가공품의 치수 수정 방법이 기재되어 있다.
마스크 블랭크용 기판을, 높은 평탄성, 높은 평활성 및 손상 등의 결함이 없는 것으로 다듬질하기 위해, 통상, 랩핑(연삭) 공정 및 연마(폴리싱) 공정이 복수 단계로 나누어 행해진다. 랩핑 공정은, 주표면의 가공 변형층을 균일화하고, 소정의 판 두께 치수로 조절하여, 평탄도를 양호화시키는 목적으로 행해진다. 또한, 연마 공정은, 랩핑 공정에 의해서 얻어진 평탄도를 유지하고, 또한 향상시키면서, 다음의 2개의 목적을 위해 행해진다. 즉, 연마 공정은, 기판 주표면의 평활성을 더 향상시키는 목적, 및 기판 주표면에 부착되어 있는 파티클을 제거하는 것을 목적으로 한다. 연마 공정에 있어서, 단계적으로 연마 지립의 입경을 작게 하면서, 복수 단계에 걸쳐서 연마 가공이 행해진다. 예를 들면, 평균 입경이 0.3?3㎛의 산화 세륨의 연마 지립에 의한 연마를 행한 후, 평균 입경이 300㎚ 이하의 콜로이달 실리카에 의한 연마 지립에 의한 정밀 연마가 행해진다. 그 후, 검사 공정에 있어서, 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함의 유무 등을 검사한다.
최근, 반도체 장치의 한층 더한 미세화의 요구로 인해, 마스크 블랭크용 기판의 평행도, 평탄도, 표면 거칠기 및 표면 결함에 대한 요구도 높아지고 있다. 특히, 표면 결함에 관하여, 그 마스크 블랭크용 기판을 이용하여 제조되는 마스크 블랭크의 그레이드에 의해서, 허용되는 결함 사이즈가 정해져 있다. 마스크 블랭크의 그레이드에 의해서 정해진 사이즈 이상의 표면 결함의 존재는 허용되지 않는다. 최선단의 반도체 디바이스를 제조하기 위해 사용되는 마스크 블랭크용 기판의 경우, 허용될 수 있는 표면 결함의 사이즈는 매우 엄격하다.
한편, 액정 표시 장치(박막 트랜지스터:TFT 등) 및 컬러 필터(CF) 제조용 마스크 등에 이용되는 대형 마스크 블랭크용 기판(330㎜×450㎜ 이상)의 경우, 반도체 디바이스용의 마스크 블랭크에 비해, 주표면이 대면적이다. 그 때문에, 대형 마스크 블랭크용 기판의 경우, 주표면의 평행도, 평탄도, 표면 거칠기의 정밀도의 요구는 비교적 완화된다. 또한, 허용될 수 있는 표면 결함의 사이즈에 관한 요구도 비교적 완화된다. 그러나, 최근, TFT 패턴의 미세화가 진행하고 있다. 그 때문에, 대형 마스크 블랭크에 있어서도, 평행도, 평탄도, 표면 거칠기 및 표면의 무결함성에 대한 요구가 높아지고 있다. 표면 결함은, 이물질이 연마 장치의 정반상의 연마포와 기판 주표면과의 사이에 들어가는 것에 의해서 발생하는 경우가 매우 많다. 그러나, 외부로부터의 이물질의 침입을 억제하는 대책을 실시해도, 연마 지립이 고화되어 생기는 이물질도 표면 결함의 발생 요인으로 되고 있다. 그로 인해, 연마 공정시에 표면 결함이 발생하는 것을 전무하게 하는 것은 곤란하다. 대면적의 마스크 블랭크용 기판의 경우, 표면 결함이 존재하는 경우의 폐기에 의한 제조 코스트에의 증가의 영향은, 소면적의 마스크 블랭크용 기판의 경우보다 크다.
연마 공정에서 연마된 마스크 블랭크용 기판에 대하여, 검사 공정에 있어서, 표면 결함 등의 결함 검사가 행해진다. 이 검사 공정에 있어서 기판 주표면에 허용값 이상의 사이즈의 표면 결함이 발견된 마스크 블랭크용 기판은, 통상, 불합격품으로서, 연마 공정까지 되돌려진다. 연마 공정까지 되돌려진 마스크 블랭크용 기판은, 재차, 주표면이 연마되게 된다. 표면 결함은, 볼록 형상 결함과 오목 형상 결함으로 크게 나눌 수 있다. 오목 형상 결함을 제거하는 연마의 경우, 평행도 및 평탄도를 유지하기 위해서는, 주표면을 국소적뿐만 아니라, 전체적으로 제거할 필요가 있다. 그 때문에, 오목 형상 결함을 제거하는 연마의 경우, 필요한 연마 가공 여유가 많아진다. 또한, 몇 번이나 정밀 연마의 단계로 되돌려진 마스크 블랭크용 기판으로서, 규정값의 기판의 두께보다도 얇아지게 된 마스크 블랭크용 기판은, 마스크 블랭크용 기판으로서의 사용이 불가능하게 되어 폐기된다.
특허 문헌 3에는, 치수 수정해야 할 부위에 가스상 석영을 부착 퇴적시키는 기술을 이용하는 석영 글래스 가공품의 치수 수정 방법이 기재되어 있다. 그러나, 가스상의 석영을 부착 퇴적시키는 기술을, 마스크 블랭크용 기판의 오목 형상 결함 부분에 이용하면, 오목 형상 결함의 주위에도 석영이 퇴적된다. 그 결과, 마스크 블랭크용 기판의 평탄도 및 표면 거칠기에 악영향을 미치는 것은 피할 수 없다. 오목 형상 결함의 사이즈는, ㎛ 오더의 것이 많고, 매우 작기 때문이다. 그 때문에, 여분으로 퇴적된 석영을 제거하기 위한 연마 공정이 필요하게 되게 된다. 연마 공정에 있어서, 연마 지립이 고화된 것 등의 이물질이, 가공 압력이 가해진 상태에서 회전 운동을 행하고 있는 정반상의 연마포와 기판의 주표면과의 사이에 침입하여, 주표면을 손상시킬 수 있다. 이 결과, 오목 형상 결함이 생기게 된다. 여분으로 퇴적된 석영을 제거하는 연마 공정을 행함으로써, 마스크 블랭크용 기판에 새로운 표면 결함의 발생 리스크가 생긴다고 하는 문제가 있다. 또한, 오목 형상 결함은, 그 폭이 매우 작고, 저부에까지 가스상 석영을 퇴적시키는 것은 매우 어렵다. 따라서, 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정하기 위해, 특허 문헌 3에 개시된 발명을 이용하는 것은 곤란하다.
따라서, 본 발명은, 마스크 블랭크용 기판에 표면 결함이 발생한 경우라도, 간편하게 또한 기판의 평탄도 및 표면 거칠기에 악영향을 미치는 일 없이 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정할 수 있는, 저코스트이면서 또한 높은 수율의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법과 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정하기 위한 다양한 방법을 검토하였다. 그 결과, 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시킴으로써, 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시킨 것이다. 즉, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
본 발명은, 하기의 구성 1?4인 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법, 하기의 구성 5인 마스크 블랭크의 제조 방법, 및 하기의 구성 6인 전사용 마스크의 제조 방법이다.
(구성 1)
대향하는 2개의 주표면을 갖는 기판으로 이루어지는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 2개의 주표면을 연마하는 공정과, 상기 기판의 주표면에 존재하는 표면 결함에 대하여, 상기 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시켜 상기 표면 결함을 수정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이다.
(구성 2)
상기 표면 결함이, 오목 형상 결함인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이다.
(구성 3)
상기 기판이, 합성 석영 글래스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 또는 2에 기재된 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이다.
(구성 4)
상기 화염이, 1600℃ 이상의 연소 온도인 것을 특징으로 하는 구성 3에 기재된 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이다.
(구성 5)
구성 1?4 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로 제조된 마스크 블랭크용 기판의 주표면 상에 패턴 형성용의 박막을 성막하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 6)
구성 5에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법이다.
다음으로, 본 발명의 전사용 마스크의 제조 방법의 구성 1?4에 대해서 설명한다.
본 발명은, 구성 1에 기재한 바와 같이, 대향하는 2개의 주표면을 갖는 기판으로 이루어지는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 2개의 주표면을 연마하는 공정(연마 공정)과, 상기 기판의 주표면에 존재하는 표면 결함에 대하여, 상기 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시켜 상기 표면 결함을 수정하는 공정(표면 결함 수정 공정)을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법이다.
구성 1에 기재한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에서는, 기판의 주표면에 존재하는 표면 결함에 대하여, 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시켜 표면 결함을 수정한다. 「기판의 연화점」이란, 기판을 구성하는 기판 재료의 연화점이며, 그 기판 재료의 점성율(점도)을 η(poise)로 한 경우, log η=7.6을 충족시키는 점성율로 될 때의 온도를 말한다. 또한, 점성율(점도)의 측정은 관입법을 이용하여 행할 수 있다. 관입법(페니트레이션법)이란, 로드 셀을 이용하여 기판에 대한 부하 가중을 측정함으로써 점도를 구하는 방법을 말한다. 구체적으로는, 평판 형상 기판 표면에 관입 압자를 일정한 관입 속도로 뚫고 들어가게 하고, 관입봉에 걸리는 가중으로부터, 하기의 수학식 1에 의해, 점도 η(dPaㆍsec)를 측정할 수 있다.
또한, 수학식 1에 있어서, G는 장치 상수, W는 관입봉에의 부하 가중(g), V는 관입 속도(㎜/sec)를 나타낸다. 장치 상수 G의 결정은, 점도와 온도의 관계가 기지인 재료를 측정함으로써, 행할 수 있다.
또한, 필요에 따라서, 빔 굽힘법 또는 구(球) 인상법 등의 측정법을 이용하여 점도 측정을 행할 수 있다. 또한, 기판의 「주표면」이란, 도 3에 예시한 바와 같이, 기판 주연부(측면(72) 및 면취면(73))를 제외한 표면을 말한다. 즉, 기판의 「주표면」이란, 도 3에 있어서, 대향하는 2개의 「주표면(71)」으로서 도시되는 표면을 말한다.
본 발명자는, 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함이 존재하는 부분(표면 결함 부분)에, 국소적으로 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시키면, 표면 결함 부분의 기판 재료가 연화하여, 표면 결함 부분을 수정하는 방향으로 기판 재료를 유동시킬 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명자는, 이 기판 재료의 유동의 결과, 표면 결함을 수정할 수 있는 것을 발견한 것이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상술한 화염을 이용한 표면 결함의 수정 방법을, 「화염 결함 수정」이라고 한다. 본 발명의 제조 방법에서는, 표면 결함 부분에 합성 석영 글래스와 같은 기판 재료를 부착시킬 필요는 없다. 본 발명의 제조 방법에서는, 마스크 블랭크용 기판에 대하여 국소적으로 소정의 연소 온도 이상의 화염을 접촉시킴으로써, 표면 결함의 주위의 기판 재료를 약간 유동시킴으로써, 마스크 블랭크용 기판을 평탄화할 수 있다. 예를 들면, 표면 결함으로서 오목 형상 결함이 존재하는 경우는, 기판 재료가 표면 결함 부분을 매립하도록, 기판 재료를 유동시킴으로써, 마스크 블랭크용 기판을 평탄화할 수 있다. 또한, 표면 결함으로서 볼록 형상 결함이 존재하는 경우는, 기판 재료가 표면 결함 부분으로부터 넓어지도록, 기판 재료를 유동시킴으로써, 마스크 블랭크용 기판을 평탄화할 수 있다.
화염 결함 수정을 이용함으로써, 표면 결함 부분의 수정에 의해서 영향을 받는 주표면의 영역을 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 화염 결함 수정의 영향을 받는 부분의 평탄도 변화 및 표면 거칠기의 변화도 적다. 그 때문에, 화염 결함 수정 후의 평탄도의 수정을 위한 연마 공정의 반복 횟수를 줄일 수 있다. 즉, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 간편하게 또한 기판의 평탄도 및 표면 거칠기에 악영향을 미치는 일 없이 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정할 수 있다. 특히, 평탄도나 표면 거칠기의 제한이 비교적 심하지 않은 FPD 제조 용도의 마스크 블랭크용 기판의 경우에는, 표면 결함의 화염 결함 수정 후에 연마 공정을 행하지 않아도, 소정의 사양을 만족할 수 있는 경우가 있다. 또한, 반도체 디바이스 제조 용도의 마스크 블랭크용 기판의 경우에 있어서도, 화염 결함 수정을 행한 개소에 대해, 오목 형상 결함이 생기기 어려운 비접촉 연마를 국소적으로 행함으로써, 소정의 사양을 만족할 수 있는 경우도 있다. 사용 가능한 비접촉 연마로서는, 예를 들면, 일본 특허 공개 제2004-291209호 공보에 기재된 플로트 폴리싱, EEM 및 하이드로플레인 폴리싱 등을 들 수 있다.
(구성 2)
또한, 구성 2에 기재한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 표면 결함이, 오목 형상 결함인 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
구성 2에 기재한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법은, 기판의 주표면에 존재하는 표면 결함이 오목 형상 결함인 경우에 적절하다. 종래의 오목 형상 결함을 수정하는 방법에서는, 주표면 전체의 재연마를 행할 때의 연마 가공 여유를 크게 취할 필요가 있다. 이에 대해, 본 발명에 있어서의 오목 형상 결함을 수정하는 방법의 경우, 연마 가공 여유가 불필요하거나, 매우 작게 되기 때문이다.
또한, 구성 3에 기재한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 기판이, 합성 석영 글래스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
구성 3에 기재한 바와 같이, 기판의 재료로서 합성 석영 글래스를 이용하는 것이 바람직하다. 합성 석영 글래스는 화학적으로 안정하며, 다른 공업 재료와 비교하여 열팽창 계수가 매우 작다고 하는 특징을 갖는다. 또한, 합성 석영 글래스는, FPD 제조 용도의 전사용 마스크에서 사용되는 초고압 수은등의 노광광에 대한 광 투과성도 높다. 나아가서는, 합성 석영 글래스는, 반도체 디바이스 제조 용도의 전사용 마스크에서 사용되는 KrF 엑시머 레이저(파장:약 248㎚)나 ArF 엑시머 레이저(파장:약 193㎚)의 노광광에 대한 광 투과성도 높다. 이들의 점으로부터도 알 수 있는 바와 같이, 마스크 블랭크용 기판의 재료로서, 합성 석영 글래스를 적절히 이용할 수 있다.
또한, 구성 4에 기재한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 화염이, 1600℃ 이상의 연소 온도인 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
구성 4에 기재한 바와 같이, 화염은, 1600℃ 이상의 연소 온도인 것이 바람직하다. 합성 석영 글래스의 연화점은, 그 종류에 의한 것의 일반적으로 1600℃ 이상이다. 그 때문에, 1600℃ 이상의 연소 온도의 화염을 이용함으로써, 표면 결함의 주위의 합성 석영 글래스를 약간 유동시켜, 표면 결함을 평탄화할 수 있다. 또한, 합성 석영 글래스의 유동을 확실하게 하기 위해서는, 화염은, 1700℃ 이상의 연소 온도인 것이 보다 바람직하고, 1800℃ 이상의 연소 온도인 것이 더 바람직하다. 또한, 화염의 연소 온도의 상한은, 합성 석영 글래스에 대하여 악영향을 미치지 않는 정도의 온도인 것이 바람직하고, 예를 들면, 2800℃ 이하, 바람직하게는 2500℃ 이하, 보다 바람직하게는 2300℃ 이하이다.
다음으로, 본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법의 구성 5에 대해서 설명한다.
본 발명은, 구성 5에 기재한 바와 같이, 상기 구성 1?4 중 어느 하나의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로 제조된 마스크 블랭크용 기판의 주표면 상에 패턴 형성용의 박막을 성막하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
구성 5에 기재한 바와 같이, 상기 구성 1?4 중 어느 하나의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에서는, 화염 결함 수정에 의해서 표면 결함을 용이하게 수정함으로써, 저코스트이면서 또한 높은 수율의 마스크 블랭크용 기판을 얻을 수 있다. 그 때문에, 구성 1?3 중 어느 하나의 마스크 블랭크용 기판에 패턴 형성용의 박막을 성막한 마스크 블랭크도, 저코스트이면서 또한 높은 수율로 할 수 있다. 또한, 마스크 블랭크용 기판에의 패턴 형성용 박막의 성막은, 공지의 방법을 이용하여 행할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 전사용 마스크의 제조 방법의 구성 6에 대해서 설명한다.
본 발명은, 구성 6에 기재한 바와 같이, 상기 구성 5의 마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법이다.
구성 6에 기재한 바와 같이, 본 발명에 따른 구성 5의 마스크 블랭크의 제조 방법은, 저코스트이면서 또한 높은 수율로 할 수 있다. 그 때문에, 구성 5의 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성한 전사용 마스크도, 저코스트이면서 또한 높은 수율로 할 수 있다. 또한, 마스크 블랭크의 박막에의 전사 패턴의 형성은, 공지의 방법을 이용하여 행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 마스크 블랭크용 기판에 표면 결함이 발생한 경우라도, 간편하게 또한 기판의 평탄도 및 표면 거칠기에 악영향을 미치는 일 없이 마스크 블랭크용 기판의 표면 결함을 수정할 수 있는, 저코스트이면서 또한 높은 수율의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법과 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 마스크 블랭크를 화염 결함 수정하고 있는 모습의 일례를 나타내는 단면 모식도.
도 2는 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 제조 방법에 이용할 수 있는 마스크 블랭크용 기판을 도시하는 모식도.
도 4는 화염 결함 수정을 하고 있는 장소를 광학 현미경으로 관찰하면서 화염 결함 수정을 행하기 위한, 화염 결함 수정 장치의 일례의 개략 구성도.
도 5는 마스크 블랭크를 이용하여 전사용 마스크를 제조하는 공정을 도시하는 단면 모식도.
도 6은 양면 연마 장치의 일례를 나타내는 모식도.
도 7은 한쪽 면 연마 장치의 일례를 나타내는 모식도.
도 2는 본 발명의 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 제조 방법에 이용할 수 있는 마스크 블랭크용 기판을 도시하는 모식도.
도 4는 화염 결함 수정을 하고 있는 장소를 광학 현미경으로 관찰하면서 화염 결함 수정을 행하기 위한, 화염 결함 수정 장치의 일례의 개략 구성도.
도 5는 마스크 블랭크를 이용하여 전사용 마스크를 제조하는 공정을 도시하는 단면 모식도.
도 6은 양면 연마 장치의 일례를 나타내는 모식도.
도 7은 한쪽 면 연마 장치의 일례를 나타내는 모식도.
<마스크 블랭크용 기판의 제조 방법의 설명>
이하, 본 발명의 마스크 블랭크용 기판(1)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 이하, 합성 석영 글래스를 마스크 블랭크용 기판(1)의 재료로서 이용하는 경우를 예로 설명하지만, 본 발명은 그것에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 마스크 블랭크용 기판(1)의 제조 방법은, 도 2에 도시하는 공정, 즉, 절단 공정(S101), 랩핑 공정(S102), 연마 공정(S103), 검사 공정(S104) 및 표면 결함 수정 공정(S105)을 가질 수 있다.
또한, 연마 공정(S103)과 검사 공정(S104)과의 사이 등의 각 공정의 사이에, 전(前)공정에 사용한 예를 들면 연마 지립 등이 다음 공정에 반입되지 않도록 하기 위해, 기판에 부착된 연마 지립 등을 제거하기 위한 세정 공정을 적절히 포함할 수 있다.
(1) 절단 공정(S101)
우선, 합성 석영 글래스의 잉곳으로부터, 시트 형상의 합성 석영 글래스(시트 글래스)를 잘라낸다. 다음으로, 합성 석영 글래스로 이루어지는 시트 글래스로부터 연삭 지석으로 잘라내어, 장방형상의 기판(1)을 얻을 수 있다. 또한, 장방형상의 치수는 용도에 따라 다르지만, 예를 들면, 대형 마스크 블랭크용 기판(1)인 경우에는, 330㎜×450㎜ 이상, 예를 들면, 500㎜×800㎜, 두께 10㎜의 형상, 800㎜×920㎜, 두께 10㎜의 형상, 1220㎜×1400㎜, 두께 13㎜의 형상, 2140㎜×2460㎜, 두께 15㎜의 형상 등을 이용할 수 있다. 이하, 각 공정의 가공 조건에 대해서는, 800㎜×920㎜로 두께 10㎜의 기판 형상의 경우에 대해서 기재한다.
(2) 랩핑 공정(S102)
다음으로, 기판(1)에 랩핑 공정을 실시한다. 랩핑 공정은, 거친 랩핑 공정, 형상 가공 공정 및 정밀 랩핑 공정의 3개의 공정을 포함할 수 있다.
거친 랩핑 공정은, 치수 정밀도 및 형상 정밀도의 향상을 목적으로 하고 있다. 거친 랩핑 공정은, 양면 랩핑 장치를 이용하여 행하고, 예를 들면 지립의 입도를 #400(400번)으로 행할 수 있다. 구체예로서는, 입도 #400의 알루미나 지립을 이용하고, 하중 L을 100㎏ 정도로 설정하여, 캐리어에 수납한 기판(1)의 양면을 소정의 정밀도로 다듬질할 수 있다. 또한, 「입도 #400」이란, JIS R6001:1998 「연삭 지석용 연마재의 입도」에 규정되는 「#400」의 정밀 연마용 미분을 말한다. 후술하는 「#1000」 등에 대해서도 마찬가지이다.
다음으로, 형상 가공 공정에 의해, 기판(1)의 형상을 가공한다. 구체적으로는, 외주 끝면을 연삭하여 외형 치수를 조절한 후, 외주 끝면 및 내주면에 소정의 면취 가공을 실시할 수 있다.
다음으로, 정밀 랩핑 공정에 의해, 기판(1)의 2개의 주표면(71)을 소정의 정밀도로 다듬질한다. 구체적으로는, 지립의 입도를 #1000(1000번)으로 바꾸고, 기판(1)의 주표면(71)을 랩핑함으로써, 기판(1)의 양면을 소정의 정밀도로 다듬질할 수 있다. 지립 등을 다음의 공정에 반입되지 않도록 하기 위해, 상기 정밀 랩핑 공정을 끝낸 기판(1)을, 중성 세제, 물의 각 세정조에 순차적으로 침지하여 세정하는 것이 바람직하다.
(3) 연마 공정(S103)
다음으로, 연마 공정(S103)에 의해, 상술한 랩핑 공정(S102)에서 얻어진 기판(1)의 평탄도를 유지하면서, 랩핑 공정 시에 형성된 손상이나 변형을 제거한다. 연마 공정은, 또한 기판(1)의 주표면(71)의 경면화를 목적으로서 행해진다. 통상, 연마 공정에 있어서는, 손상이나 변형의 제거와, 경면화와는 별도의 연마에 의해 행한다. 따라서, 연마 공정에서는 복수회의 연마를 행하는 것이 일반적이다.
연마 공정(S103)은, 공지의 방법으로 행할 수 있다. 연마 공정은, 예를 들면, 도 6에 도시한 대형 마스크 블랭크용 양면 연마 장치를 이용하여 행할 수 있다. 또한, 도 6에 도시한 대형 마스크 블랭크용 양면 연마 장치에 있어서는, 상하 정반(22, 23)의 회전축 a와 기판(20)의 회전축 b와의 거리는, 기판(20)이 회전축 b를 축으로 하여 회전한 경우라도, 기판(20)의 어느 곳의 개소도 회전축 a의 개소를 통과하는 일이 없도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 이 연마 공정은, 이에 한정되지 않는다. 연마 공정은, 예를 들면, 일본 특허 공개 제2010-76047호 공보에 기재된 대형 마스크 블랭크용 양면 연마 장치를 이용하는 연마 공정 등에 의해 행할 수 있다.
(4) 검사 공정(S104)
다음으로, 검사 공정(S104)에 의해서, 연마 공정(S103)에 의해서 얻어진 기판(1)의 평탄도, 표면 거칠기와 표면 결함(5)의 유무 및 그 위치를 검사한다. 상술한 공정(S101?S103)에 의해서 얻어진 기판(1)은, 높은 평탄성 및 높은 평활성을 갖는다. 그러나, 기판(1)에는, 적지 않은 빈도로 표면 결함(5)이 존재하는 것이 알려져 있다. 허용되는 표면 결함(5)의 사이즈는, 마스크 블랭크용 기판(1)으로부터 제조되는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 용도에 따라 다르다. 광학 현미경을 이용한 표면 검사 장치에 의해, 표면 결함(5)의 치수, 형상 및 위치를 측정할 수 있다. 또한, 이 외에도 레이저 산란광 방식의 결함 검사 장치나 콘포컬 광학계의 결함 검사 장치 등도 사용 가능하다. 예를 들면, FPD 제조 용도의 마스크 블랭크용 기판의 경우, 오목 형상의 표면 결함(5)에서는, 폭이 1㎛보다도 큰 사이즈의 것은 허용되지 않는다고 판정하는 경우가 많다. 이 검사 공정에서는, 기판(1)을 검사한 결과, 주표면(71)이 소정 이상의 평탄도 및 표면 거칠기를 갖고, 또한, 검출된 표면 결함(5) 중에서 허용되지 않는 사이즈가 없는 것을 양품의 마스크 블랭크용 기판(1)으로서 선정하는 작업을 우선 행한다. 양품의 마스크 블랭크용 기판(1)에 대해서는, 다음 공정(세정 후, 패턴 형성용의 박막을 성막하는 공정이 행해짐)으로 보내진다.
다음으로, 주표면(71)이 평탄도 및 표면 거칠기 중 적어도 어느 하나가 소정값을 충족하지 않는 기판(1)은, 수정하는 것이 가능한 단계인 연마 공정까지 되돌려 재연마된다. 한편, 평탄도 및 표면 거칠기가 모두 소정 조건을 충족하고 있지만, 허용되지 않는 사이즈의 표면 결함(5)이 존재하는 기판(1)에 대해서는, 표면 결함(5)의 종류(오목 형상 결함, 볼록 형상 결함), 위치, 사이즈, 깊이(또는 높이)를 특정하는 것이 행해진 후, 표면 결함 수정 공정으로 보내진다.
(5) 표면 결함 수정 공정(S105)
허용되지 않는 사이즈의 표면 결함(5)이 존재하는 기판(1)에 대해서, 그 표면 결함(5)을 표면 결함 수정 공정(S105)에서 행해야 할지, 연마 공정으로 되돌려 보내야 할지를 우선 판정한다. 화염 결함 수정에 의해, 표면 결함(5)이 오목 형상 결함인 경우, 깊이가 0.5㎛ 정도까지의 오목 형상 결함일 때에는, 주표면의 평탄도를 유지하면서, 표면 결함(5)을 수정하는 것이 가능하다. 그러나, 0.5㎛ 정도보다도 깊은 오목 형상 결함의 경우, 평탄도의 악화를 피할 수 없다. 따라서, 0.5㎛ 정도의 깊이의 오목 형상 결함을 갖는 기판(1)은, 연마 공정으로 되돌리거나, 폐기된다. 또한, 마스크 블랭크용 기판의 주표면(71)에 매우 높은 평탄도가 요구되어 있고, 또한, 표면 결함 수정 공정 후에 비접촉 연마를 행하지 않는 경우, 화염 결함 수정에서 수정 가능한 표면 결함(5)의 깊이는 0.1㎛ 정도까지로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 화염 결함 수정을 행하는 것이 바람직하다고 판정된 기판(1)에 대해서만, 이 표면 결함 수정 공정이 행해진다. 본 발명의 마스크 블랭크용 기판(1)의 제조 방법에서는, 표면 결함 수정 공정에 있어서, 마스크 블랭크용 기판(1)의 주표면(71)에 존재하는 표면 결함(5)에 대하여, 마스크 블랭크용 기판(1)의 재료의 연화점 이상의 연소 온도의 화염(52)을 접촉시키는 방법(화염 결함 수정)에 의해서 표면 결함(5)을 수정하는 것에 특징이 있다.
도 1에, 기판(1)의 표면 결함(5)을 화염 결함 수정하고 있는 모습의 일례의 단면 모식도를 도시한다. 기판(1)의 표면 결함(5)은, 화염 조사 장치(50)로부터 조사하는 화염(52)에 의해서 가열됨으로써 화염 결함 수정된다. 표면 결함(5)을 화염 결함 수정함으로써, 허용되지 않는 사이즈의 표면 결함(5)이 존재하지 않는 마스크 블랭크용 기판(1)을 얻을 수 있다. 화염 결함 수정시에 화염(52)을 적절한 크기로 함으로써, 기판(1)을 필요 이상으로 가열하는 것을 억제하면서, 표면 결함(5)만을 화염 결함 수정할 수 있다. 또한, 화염 결함 수정을 하기 위해서는 대규모 설비의 필요는 없기 때문에, 간이하면서 저코스트로 표면 결함(5)의 화염 결함 수정을 행할 수 있다.
화염 결함 수정을 행하기 위한 화염 조사 장치(50)로서는, 인화성 가스를 연소함으로써 화염(52)을 발생하는 버너 등을 이용할 수 있다. 화염 조사 장치(50)에 이용하는 인화성 가스로서는, 메탄, 프로판, 부탄 및 아세틸렌 등의 탄화수소, 수소와 산소 및 수소의 혼합 기체 등으로부터 선택하여 이용하는 것이 바람직하다. 보다 고온에서 화염 결함 수정을 행할 수 있기 때문에, 부탄 또는 수소와, 산소와의 혼합 기체의 인화성 가스를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
화염 결함 수정시의 화염 조사 장치(50)와 기판(1)과의 사이의 거리는, 화염(52)의 발생을 방해하지 않고, 표면 결함(5)에 대한 화염(52)의 접촉이 유효하게 행해지는 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 화염 결함 수정시의 화염 조사 장치(50)와 표면 결함(5)과의 사이의 거리는, 표면 결함(5)에 대한 화염(52)의 접촉을 방해하지 않고 유효하게 행하는 점으로부터, 1㎜?50㎜로 하는 것이 바람직하고, 2㎜?20㎜로 하는 것이 보다 바람직하다.
기판(1)의 가열을 억제하면서, 표면 결함(5)만을 화염 결함 수정하기 위해, 비교적 작은 화염(52)을 발생하는 장치를 이용하고, 표면 결함(5)이 존재하는 장소에 국소적으로 화염(52)을 조사함으로써, 표면 결함(5)의 화염 결함 수정을 행하는 것이 바람직하다. 국소적인 화염 결함 수정을 하는 경우, 표면 결함(5)에 대한 화염(52)의 조사 직경은, 0.1㎜?10㎜로 하는 것이 바람직하고, 0.2㎜?5㎜로 하는 것이 보다 바람직하고, 0.5㎜?4㎜로 하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 제조 방법에 이용하는 화염 결함 수정에 있어서, 화염(52)의 부분의 온도는, 기판(1)의 재료의 연화점에 따라 다르다. 기판(1)의 재료가 합성 석영 글래스의 경우에는, 화염(52)의 부분의 온도는, 바람직하게는 1600℃ 이상, 보다 바람직하게는 1700℃ 이상, 더 바람직하게는 1700℃ 이상이다. 이와 같은 온도 범위의 화염(52)을, 표면 결함(5)이 존재하는 기판(1)의 국소적 부분과 접촉시킴으로써, 표면 결함(5)이 존재하는 부분의 온도가 화염(52)의 부분의 온도와 동일한 정도로 된다. 그 결과, 기판(1)이 국소적으로 연화되어, 표면 결함(5)의 화염 결함 수정을 행할 수 있다. 또한, 기판(1)의 화염 결함 수정을 행한 부분은, 그 이외의 부분에 비해, OH기의 농도 분포가 변화하는 경향이 있다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 화염 결함 수정시에, 표면 결함(5)을 광학 현미경(108)으로 관찰하면서 화염(52)을 조사하는 것이 바람직하다. 도 4에, 표면 결함(5)을 광학 현미경(108)으로 관찰하면서 화염 결함 수정을 행하기 위한 화염 결함 수정 장치(100)의 개략 구성도를 도시한다. 또한, 관찰용의 조사광으로서는, 집광 램프 등(도시 생략)을 광원으로 하는 조사광을 이용함으로써, 기판(1)에 대하여 현미경 관찰에 충분한 강도의 광을 조사할 수 있다. 표면 결함(5)으로부터의 관찰광(126)이 광학 현미경(108)에 입사하고, 표면 결함(5)의 광학 현미경 화상을 얻을 수 있다. 이 광학 현미경 화상으로부터 표면 결함(5)을 식별하기 위한 화상 처리부(110)를 설치함으로써, 표면 결함(5)의 유무, 치수 및 위치의 검출을 자동화할 수 있다. 도 4에 도시한 바와 같은 화염 결함 수정 장치(100)를 이용하면, 기판(1)의 표면 결함(5)에 대하여 화염을 조사한 후, 광학 현미경(108)으로 관찰하고, 화염 결함 수정에 의한 표면 결함(5)의 수정의 정도를 평가할 수 있다. 그로 인해, 혹시 화염 결함 수정이 불충분하면, 또한 화염 결함 수정을 행하는 등의 피드백을 수반하는 처리가 가능해지므로, 표면 결함(5)의 수정을 확실하게 행할 수 있다.
기판(1)에 표면 결함(5)이 복수 존재하는 경우에는, 스테이지 컨트롤러(112) 및 스테이지(102)를 이용하여, 표면 결함(5)이 화염(52)의 조사 위치로 되도록 기판(1)을 이동시킬 수 있다. 인화성 가스(105)의 유량 등을 제어하여 화염(52)을 제어하기 위한 화염 제어부(104), 화상 처리부(110) 및 스테이지 컨트롤러(112)에 접속된 제어부(114)를 설치한 화염 결함 수정 장치(100)를 이용함으로써, 화염 결함 수정을 자동적으로 행할 수 있다. 또한, 화염 결함 수정을 행하는 위치는, 검사 공정에서 이용하는 표면 검사 장치에 의해 측정된 치수, 형상 및 위치의 정보로부터 특정하는 것도 가능하다. 또한, 화염 결함 수정 장치(100)는, 스테이지 컨트롤러(112) 및 자동적으로 이동할 수 있는 스테이지(102)를 구비할 수 있다. 그 경우에는, 표면 결함(5)이 존재하는 위치 등의 정보를 표면 검사 장치로부터 얻음으로써, 화염 조사 장치(50)의 화염 결함 수정을 위한 이동을 자동적으로 행할 수 있다.
또한, 화염 결함 수정을 행한 영향에 의해서, 기판 주표면의 평탄도나 표면 거칠기가 소정의 범위를 충족하지 않게 된 경우, 오목 형상 결함이 생기기 어려운 비접촉 연마를 국소적으로 행하여, 소정의 평탄도나 표면 거칠기로 하는 것도 가능하다. 사용 가능한 비접촉 연마로서는, 플로트 폴리싱, EEM 및 하이드로플레인 폴리싱 등을 예로 들 수 있다. 이 경우의, 연마 지립에는 소입경의 콜로이달 실리카가 적절하다. 특히, 기판 주표면의 평탄도나 표면 거칠기의 조건이 엄격한 반도체 디바이스 제조 용도의 마스크 블랭크용 기판에 대하여 유효하다.
<마스크 블랭크용 기판의 설명>
본 발명의 제조 방법에 의해서 얻어지는 마스크 블랭크용 기판(1)은, 그 용도에 따라서 높은 평탄도를 갖고, 또한 높은 평행도를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 마스크 블랭크용 기판(1)은, 도 3에 도시한 바와 같이 서로 대향하여 설치된 1조의 주표면(71)과, 그 주표면과 직교하는 2조의 측면(72)과, 상기 주표면과 측면에 의해서 끼워진 면취면(73)을 갖는 각형(사각형)의 기판이다. 마스크 블랭크용 기판(1)은, 그 주표면(바람직하게는 양쪽 주표면)의 평탄도(마스크 블랭크용 기판(1)의 주표면에 있어서, 측면으로부터 30㎜를 제외한 내측의 영역의 평탄도를 가리킨다. 따라서, 면취면(73)은, 필연적으로 제외됨)가, 소형 마스크 블랭크용 기판(1)(330㎜×450㎜ 미만)에서는 0㎛를 초과하고 5㎛ 이하, 대형 마스크 블랭크용 기판(1)(330㎜×450㎜ 이상)에서는 0㎛를 초과하고 30㎛ 이하의 높은 평탄도를 갖는 기판이다.
또한, 마스크 블랭크용 기판(1)의 양쪽 주표면(71)은, 정밀 연마에 의해서 경면으로 다듬질되어 있다. 마스크 블랭크용 기판(1)의 표면 거칠기는, 평균 표면 거칠기 Ra에서 0.3㎚ 이하로 다듬질되어 있다. 주표면(71)의 표면 거칠기는, 결함의 검출 및 성막 후의 막 표면의 균일성의 점으로부터 작은 쪽이 바람직하다. 주표면(71)의 표면 거칠기는, Ra에서 0.2㎚ 이하, 더 바람직하게는 0.15㎚ 이하로 경면 처리하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 마스크 블랭크용 기판(1)의 측면(72) 및 면취면(73)도, 파티클의 발생 방지의 점으로부터, 브러시 연마 등에 의해서 경면으로 다듬질되어 있는 쪽이 바람직하다. 측면(72) 및 면취면(73)의 표면 거칠기는, 평균 표면 거칠기 Ra에서 0.3㎚ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎚ 이하, 더 바람직하게는 0.15㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다.
<전사용 마스크 및 전사용 마스크의 설명>
이하, 본 발명의 마스크 블랭크(10) 및 전사용 마스크의 제조 방법의 실시 형태를 설명한다.
본 발명은, 상술한 본 발명의 마스크 블랭크용 기판(1) 상에, 전사 패턴을 형성하기 위한 패턴 형성용 박막을 갖는 마스크 블랭크(10)의 제조 방법이다. 본 발명의 제조 방법에서는, 상술한 본 발명의 마스크 블랭크용 기판(1) 상에 패턴 형성용 박막을 성막한다. 본 발명의 마스크 블랭크용 기판(1)의 표면 결함(5)은 수정되어 있으므로, 마스크 블랭크용 기판(1)에 기인하는 표면 결함(5)이 존재하지 않는 마스크 블랭크(10)를 얻을 수 있다.
전사 패턴을 형성하기 위한 패턴 형성용 박막은, 반도체 디바이스 제조 용도의 마스크 블랭크의 경우와, FPD 제조 용도의 마스크 블랭크의 경우로 크게 상위하다. 상세하게는 후술한다. 마스크 블랭크용 기판(1) 상에 패턴 형성용 박막을 성막하는 방법으로서는, 예를 들면 스퍼터 성막법을 바람직하게 들 수 있다. 그러나, 본 발명은 스퍼터 성막법에 한정되지 않는다.
마스크 블랭크(10)의 패턴 형성용 박막에 대하여, 공지의 포토리소그래피법에 의해 소정의 미세 패턴을 형성함으로써, 전사용 마스크를 얻을 수 있다.
반도체 디바이스 제조 용도의 마스크 블랭크의 경우, 패턴 형성용의 박막에는, 예를 들면, 차광막, 하프톤형 위상 시프트막 등의 광 반투과막이 있다. 차광막은, 노광광에 대하여 높은 차광 성능을 갖는 박막이다. 차광막은, 노광광을 거의 투과하지 않는다(일반적으로 투과율이 약 0.1％ 이하). 이 차광막을 이용한 마스크 블랭크는, 바이너리 마스크라고도 불리어진다. 또한, 이 마스크 블랭크로부터 제작된 전사용 마스크는, 바이너리 마스크라고도 불리어진다.
광 반투과막의 1종인 하프톤형 위상 시프트막은, 실질적으로 노광에 기여하지 않는 강도의 광(예를 들면, 노광 파장에 대하여 1％?20％)을 투과시키는 것으로서, 소정의 위상차(예를 들면 180도)를 갖는 것이다. 이 하프톤형 위상 시프트막을 패터닝한 위상 시프트부와, 위상 시프트부가 형성되어 있지 않은 실질적으로 노광에 기여하는 강도의 광을 투과시키는 광 투과부가 존재함으로써, 위상 시프트부를 투과한 광의 위상이, 광 투과부를 투과한 광의 위상에 대하여 실질적으로 반전된 관계로 되도록 한다. 그리고, 위상 시프트부와 광 투과부와의 경계부 근방을 통과한 후, 회절 현상에 의해서 서로 상대의 영역으로 들어간 광이 서로 상쇄됨으로써, 경계부에 있어서의 광 강도를 거의 제로로 할 수 있다. 따라서, 하프톤형 위상 시프트막을 이용하면, 위상 시프트부와 광 투과부와의 경계부의 콘트라스트, 즉 해상도를 향상시킬 수 있다.
하프톤형 위상 시프트막 이외의 광 반투과막으로서는, 패턴 전사를 행하는 레지스트막이 감광되지 않는 정도의 소정의 투과율로 노광광을 투과시키는 박막이지만, 박막을 투과한 노광광과, 박막이 없는 부분을 투과한 노광광과의 사이에서 위상차를 발생시키지 않도록 조정되어 있는 박막인 것도 있다. 이 타입의 광 반투과막을 이용한 마스크 블랭크는, 인핸서 마스크를 제작할 때에 사용되는 경우가 많다. 광 반투과막은, 노광광에 대하여 소정의 투과율을 갖고 있기 때문에, 노광 장치에서의 전사 대상물의 레지스트막에의 노광시에 겹침 노광을 행하면, 레지스트막이 감광하게 되는 경우가 있다. 이 때문에, 광 반투과막을 이용한 마스크 블랭크는, 광 반투과막 상에, 차광대를 형성하기 위한 차광막을 적층시킨 막 구성으로 하는 경우가 많다.
한편, FPD 제조 용도의 마스크 블랭크의 경우, 이 마스크 블랭크로부터 제작된 전사용 마스크는, 초고압 수은등을 광원(노광광)으로 하는 노광 장치에서 사용되는 것이 일반적이다. 초고압 수은등의 노광광은, ArF 엑시머 레이저 등과 같은 단일 파장의 광이 아니라, 다색광으로 된다. 초고압 수은등의 노광광은, i선(365㎚), h선(405㎚), g선(436㎚)의 3개의 파장으로 특히 광 강도가 강한 광이다. 이와 같은 다색광에서는, 위상 시프트 효과는 얻어지기 어렵기 때문에, 하프톤형 위상 시프트막은 FPD 제조 용도의 마스크 블랭크에서는 거의 사용되지 않는다. FPD 제조 용도의 마스크 블랭크의 경우, 반도체 디바이스 제조 용도의 마스크 블랭크와 마찬가지로, 패턴 형성용의 박막에 차광막을 이용한 마스크 블랭크(바이너리 마스크 블랭크)가 사용되고 있다.
FPD 제조 용도의 전사용 마스크에는, 투과율이 다른 복수의 패턴 형성용 박막에 각각 전사 패턴이 형성된 구성의 다계조 마스크가 있다. 이 다계조 마스크를 이용하여, 전사 대상물의 레지스트막에 전사 노광을 행하고, 현상 처리를 행하면, 레지스트막에, 레지스트가 모두 용해된 영역과, 어느 정도의 막 두께가 용해되어 있는 영역과, 거의 용해되어 있지 않은 영역이 형성된다. 따라서, 복수의 패턴이 레지스트막에 형성되어 있게 된다. 이와 같은 레지스트 패턴은, 우선, 레지스트가 모두 용해되어 있는 영역과 그 밖의 레지스트가 남아 있는 잔존 영역으로 이루어지는 제1 패턴을 마스크로 하여, 레지스트막 아래의 박막을 패터닝할 수 있다. 다음으로, 레지스트막을 어느 정도 용해되어 있는 영역의 레지스트가 소멸될 때까지, 레지스트막을 전면에서 소정막 두께만큼 제거하는 처리를 행한다. 이에 의해서, 최초의 단계에서 레지스트가 거의 용해되어 있지 않은 영역 이외의 영역은, 레지스트가 모두 용해된 영역으로 되어, 제2 패턴이 생긴다. 이 제2 패턴을 마스크로 하여, 레지스트막 아래의 박막에 제1 패턴과는 다른 패턴을 형성할 수 있다. 이와 같은 프로세스를 사용함으로써, 원래 2매의 전사용 마스크가 필요한 부분을, 1매의 다계조 마스크로 할 수 있게 된다.
다계조 마스크를 제작하는 방법으로서는, 패턴 형성용 박막의 성막과, 패턴 형성의 에칭 처리를 반복하여 다계조 마스크를 완성시키는 방법을 우선 예로 들 수 있다. 그 밖에, 미리, 마스크 블랭크용 기판(1) 상에 광 반투과막(1단 또는 2단 이상)과 차광막을 적층한 구조의 다계조 마스크 블랭크를 제조하고, 이 다계조 마스크 블랭크에 대하여 에칭 처리를 행하고, 다계조 마스크를 완성시키는 방법이 있다.
또한, 상기 이외의 패턴 형성용의 박막으로서는, 에칭 마스크(하드 마스크)막이나 에칭 스토퍼막이 있다.
또한, 천이 금속 및 규소를 주성분으로 하는 재료(천이 금속 실리사이드를 주성분으로 하는 재료)도 사용 가능하다. 천이 금속 실리사이드를 주성분으로 하는 재료에는, 천이 금속 실리사이드 단체 외에, 천이 금속 실리사이드에 산소, 질소, 탄소, 수소 및/또는 붕소 등의 원소를 첨가한 천이 금속 실리사이드 화합물이 있다. 천이 금속 실리사이드의 천이 금속에는, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 티탄, 하프늄, 니켈, 바나듐, 지르코늄, 니오븀, 팔라듐, 루테늄 및/또는 로듐 등이 사용 가능하다.
이 외에, 패턴 형성용 박막에 사용 가능한 재료로서는, 탄탈을 주성분으로 하는 재료를 예로 들 수 있다. 탄탈을 주성분으로 하는 재료에는, 탄탈 단체 외에, 탄탈에 산소, 질소, 탄소, 수소 및/또는 붕소 등의 원소를 첨가한 탄탈 화합물이 있다.
차광막의 경우, 높은 차광성을 갖기 때문에, 노광광에 대한 반사율이 높아지는 경향이 있다. 이것을 억제하기 위해, 차광막을 차광 성능이 높은 금속(천이 금속 실리사이드)의 함유량이 많은 차광층 상에 반사율을 억제하기 위한 반사 방지층을 형성한 적층 구조로 하는 경우가 많다. 또한, 차광막의 기판측의 반사율도 억제할 필요가 있는 경우는, 기판과 차광층의 사이에 이면 반사 방지층을 더 형성한 적층 구조로 하는 경우도 있다. 반사 방지층이나 이면 반사 방지층의 재료로서는, 금속(천이 금속 실리사이드)에 산소 및/또는 질소를 함유한 금속(천이 금속 실리사이드) 화합물 재료가 적절하다. 이에 대해, 차광층의 재료는, 높은 차광 성능을 가질 필요가 있기 때문에, 금속(천이 금속 실리사이드) 재료, 또는 산소 및 질소가 가능한 한 적은 금속 화합물(천이 금속 실리사이드 화합물) 재료가 바람직하다.
이 하프톤형 위상 시프트막 등의 광 반투과막에 사용 가능한 재료로서는, 상기의 크롬 화합물, 탄탈 화합물 및/또는 천이 금속 실리사이드 화합물을 예로 들 수 있다. 특히, 투과율 등을 조정하기 위해, 산소 및/또는 질소를 함유하는 상기 화합물이 바람직하다.
<실시예>
다음으로, 본 발명의 실시예에 의해서, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
마스크 블랭크용 기판(1)의 제조는, (1) 절단 공정, (2) 랩핑 공정, (3) 연마 공정, (4) 검사 공정 및 (5) 표면 결함 수정 공정의 각 공정에 의해서 행하였다. 이하, 각 공정을 상세하게 설명한다.
(1) 절단 공정
합성 석영 글래스 잉곳으로부터, 평판 상에 잘라낸 합성 석영 글래스를 준비하였다. 다음으로, 합성 석영 글래스로 이루어지는 시트 글래스로부터 연삭 지석으로 잘라내어, 장방형상의 대형의 기판(1)(330㎜×450㎜ 이상, 구체적으로는 800㎜×920㎜, 두께 10㎜)을 얻었다.
(2) 랩핑 공정
다음으로, 기판(1)에 랩핑 공정을 실시하였다. 이 랩핑 공정은, 치수 정밀도 및 형상 정밀도의 향상을 목적으로 하고 있다. 랩핑 공정은, 거친 랩핑 공정, 형상 가공 공정 및 정밀 랩핑 공정의 3개의 공정으로 이루어질 수 있다.
(2-1) 거친 랩핑 공정
거친 랩핑 공정은, 양면 랩핑 장치를 이용하여 행하고, 지립의 입도를 #400으로 행하였다. 상세하게는, 입도 #400의 알루미나 지립을 이용하고, 하중 L을 100㎏ 정도로 설정하여, 캐리어에 수납한 기판(1)의 양면을 소정의 정밀도로 다듬질하였다.
(2-2) 형상 가공 공정
다음으로, 외주 끝면도 연삭하여 외형 치수를 조절한 후, 외주 끝면 및 내주면에 소정의 면취 가공을 실시하였다.
(2-3) 정밀 랩핑 공정
다음으로, 지립의 입도를 #1000으로 바꾸고, 마스크 블랭크용 기판(1) 표면을 랩핑함으로써, 기판(1)의 양면을 소정의 정밀도로 다듬질하였다. 상기 정밀 랩핑 공정을 끝낸 기판(1)을, 중성 세제, 물의 각 세정조에 순차적으로 침지하여 세정하였다.
(3) 연마 공정
다음으로, 연마 공정을 실시하였다. 이 연마 공정은, 상술한 랩핑 공정에서 잔류한 손상이나 변형의 제거를 목적으로 하는 것으로, 제1 연마 공정, 제2 연마 공정 및 제3 연마 공정의 복수의 연마 공정으로 이루어질 수 있다. 또한, 소정의 연마 후, 소정의 세정을 행하기 위한 세정 공정을 가질 수 있다.
(3-1) 제1 연마 공정
특허 문헌 1에 기재된 도 6에 도시한 바와 같은 대형 마스크 블랭크용 양면 연마 장치를 이용하여 행하였다. 폴리셔로서 경질 폴리셔를 이용하여, 이하의 연마 조건에서 실시하였다.
연마액:산화 세륨(평균 입경 2?3㎛) 지립에 물을 가한 유리 지립
연마포:경질 폴리셔, 두께 2㎜
홈에만 직접적으로 공급하는 연마액량:5리터/분
정반 상에 공급하는 연마액량:2리터/분
상정반 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 시계 방향 회전)
하정반 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 반시계 방향 회전)
캐리어(기판(20)) 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 반시계 방향 회전)
하중(부압):80?100g/㎠
연마 시간:30?100분
제거량:35?75㎛
상기 연마 공정을 끝낸 기판(1)을, 중성 세제, 순수, 순수, IPA, IPA(증기 건조)의 각 세정조에 순차적으로 침지하여, 세정하였다. 또한, 각 세정조에는 초음파를 인가하였다. 또한, 이 세정 공정은, 다음의 제2 연마 공정에 있어서 사용하는 연마액이 동일한 것인 경우, 생략할 수도 있다.
(3-2) 제2 연마 공정
다음으로, 특허 문헌 1에 기재된 도 7에 도시한 대형 마스크 블랭크용 한쪽 면 연마 장치를 이용하여, 제2 연마 공정을 실시하였다. 폴리셔로서 초연질 폴리셔를 이용하여, 이하의 연마 조건에서 실시하였다.
연마액:콜로이달 실리카(평균 입경 50?80㎚) 지립에 물을 가한 유리 지립
연마포:초연질 폴리셔(스웨이드 타입), 두께 2㎜
홈에만 직접적으로 공급하는 연마액량:5리터/분
정반 상에 공급하는 연마액량:2리터/분
하정반 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 반시계 방향 회전)
캐리어(기판(20)) 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 반시계 방향 회전)
하중(부압):80?100g/㎠
연마 시간:30?50분
제거량:35?45㎛
(3-3) 제3 연마 공정(경면 연마 가공 공정)
다음으로, 도 6에 도시한 대형 마스크 블랭크용 양면 연마 장치를 이용하여, 제3 연마 공정(경면 연마 가공 공정;파이널 폴리싱)을 실시하였다. 폴리셔로서 초연질 폴리셔를 이용하여, 이하의 연마 조건에서 실시하였다.
연마액:콜로이달 실리카(평균 입경 50?80㎚) 지립에 물을 가한 유리 지립
연마포:초연질 폴리셔(스웨이드 타입), 두께 2㎜
홈에만 직접적으로 공급하는 연마액량:5리터/분
정반 상에 공급하는 연마액량:2리터/분
상정반 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 시계 방향 회전)
하정반 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 반시계 방향 회전)
캐리어(기판(20)) 회전수:1?50rpm(장치 상면에서 보아 반시계 방향 회전)
하중(부압):80?100g/㎠
연마 시간:30?50분
제거량:35?45㎛
(3-4) 세정 공정
상기 제3 연마 공정을 끝낸 기판(1)을, 알칼리 용액(NaOH 용액), 황산에 순차적으로 침지하여, 세정을 행하였다. 또한, 각 세정조에는 초음파를 인가하였다. 또한, 중성 세제, 순수, 순수, IPA, IPA(증기 건조)의 각 세정조에 순차적으로 침지하여, 세정하였다.
(4) 검사 공정
다음으로, 얻어진 기판(1)의 평탄도, 표면 거칠기 및 표면 결함(5)의 유무 및 그 위치의 검사를 행하였다. 표면 결함(5)의 유무에 대해서는, 레이저 산란광 방식의 결함 검사 장치로 검사되었다. 여기서, 마스크 블랭크용 기판(1)에 요구되는 평탄도는 20㎛ 이하로 하고, 표면 거칠기는 산술 평균 거칠기 Ra에서 0.25㎚ 이하로 하였다. 또한, 표면 결함(5)에 대해서는, 폭이 1㎛보다도 큰 사이즈인 것은 허용되지 않는 것으로 판정하는 것으로 하였다. 여기서는, 본 발명의 화염 결함 수정의 유효성을 검증하기 위해, 검사 후의 기판(1)에 대해서, 평탄도 및 표면 거칠기는 모두 상기 조건을 충족하고 있지만, 허용되지 않는 사이즈의 표면 결함(5)(오목 형상 결함)이며, 그 깊이가 0.5㎛ 이하인 것이 존재하는 기판(1)을 선정하는 것으로 하였다.
(5) 표면 결함 수정 공정
검사 공정에서 선정된 기판(1)의 표면 결함(5)에 대하여, 화염 결함 수정을 실시하였다. 표면 결함(5)의 수정에 이용한 화염(52)은 이하와 같다.
ㆍ화염 온도:2200℃
ㆍ화염 조사 장치(50)와 마스크 블랭크용 기판(1)과의 거리:15㎜
ㆍ화염 직경:3㎜
ㆍ화염 조사 시간:10분
ㆍ인화성 가스의 종류:부탄과 산소와의 혼합 기체
이상과 같이 하여 얻어진 기판(1)에 대해서, 표면 결함(5)이 존재하였던 부분을 광학 현미경에 의해서 현미경 관찰을 행한 결과, 표면 결함(5)은 없어졌다. 또한, 이 기판(1)에 대해서, 재차, 주표면(17)의 평탄도와 표면 거칠기를 측정한 결과, 모두 상기의 판정 임계값 이하이며, 양품의 마스크 블랭크용 기판(1)으로서 사용 가능한 레벨로 수정할 수 있었다.
다음으로, 표면 결함(5)이 수정되어 양품으로 된 마스크 블랭크용 기판(1)을 이용하여, FPD 제조 용도의 다계조 마스크 블랭크의 제조를 행하였다. 마스크 블랭크용 기판(1)의 주표면(17)에, 최초로 몰리브덴과 규소로 이루어지는 광 반투과막(2)을 성막하였다. 구체적으로는, 몰리브덴(Mo)과 규소(Si)와의 혼합 타깃(Mo:Si=20at％:80at％)을 이용하여, 아르곤(Ar) 가스 분위기에서, DC 스퍼터링을 행하였다. 이 결과, 몰리브덴과 규소로 이루어지는 MoSi막(광 반투과막(2))을, 10㎚의 막 두께로 형성하였다. 이 광 반투과막(2)은, i선(365㎚)의 파장에 있어서, 투과율이 15％로 되도록 조정되어 있다.
다음으로, 광 반투과막(2) 상에 크롬계 재료로 이루어지는 차광막(3)을 성막하였다.
구체적으로는, 스퍼터 타깃에 크롬(Cr) 타깃을 이용하여, 아르곤(Ar)과 질소(N2)와의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 막 두께 15㎚의 CrN층을 성막하였다. 다음으로, 아르곤(Ar)과 메탄(CH4)과 질소(N2)와의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 막 두께 65㎚의 CrCN층을 성막하였다. 다음으로, 아르곤(Ar)과 일산화 질소(NO)와의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 막 두께 25㎚의 CrON층을 성막하였다. 이와 같이 하여, 합계 막 두께 105㎚의 차광막(3)을 형성하였다. 이 차광막(3)은, 각 층이 조성 경사진 구조의 막이며, 상기 광 반투과막(2)과의 적층 구조에서 i선(365㎚)의 파장에 있어서 광학 농도 3.0으로 되도록 조정되어 있다.
이상과 같이 하여, 마스크 블랭크용 기판(1) 상에, 광 반투과막(2)과 차광막(3)이 이 순서대로 적층된 다계조 마스크 블랭크(10)를 제조하였다.
다음으로, 상기의 다계조 마스크 블랭크를 이용하여 다계조 마스크(전사용 마스크)를 제작하였다. 도 5는, 다계조 마스크 블랭크를 이용하여 다계조 마스크를 제조하는 공정을 도시하는 단면 모식도이다. 우선, 마스크 블랭크(10) 상에, 레지스트막(4)을 형성하였다(도 5의 (a) 참조).
다음으로, 상기 마스크 블랭크(10) 상에 형성된 레지스트막(4)에 대해, 레이저 묘화 장치를 이용하여, 다계조 마스크의 투광부 패턴의 묘화를 행하였다. 그 후, 소정의 현상액으로 현상하여, 레지스트 패턴(4a)을 형성하였다(도 5의 (b) 참조).
다음으로, 상기 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 하여, 차광막(3)의 에칭을 행하여, 차광막(3)에 투광부 패턴을 형성하였다(도 5의 (c) 참조). 여기서는, Cr용 에칭액(황산 제2 세륨 암모늄과 과염소산을 포함하는 수용액)을 이용한 웨트 에칭에 의해, 에칭을 행하였다.
다음으로, 잔존하는 레지스트 패턴(4a)을 박리하였다(도 5의 (d) 참조). 상기 차광막(3)에 형성된 투광부 패턴을 마스크로 하여, 광 반투과막(2)의 에칭을 행하여, 투광부 패턴을 형성하였다(도 5의 (e) 참조). 여기서는, MoSi용 에칭액(불화수소 암모늄과 과산화수소를 포함하는 수용액)을 이용한 웨트 에칭에 의해 에칭을 행하였다.
다음으로, 마스크 블랭크(10) 상에 레지스트막(4)을 다시 형성하였다. 레이저 묘화 장치를 이용하여, 다계조 마스크의 차광부 패턴의 묘화를 행한 후, 소정의 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(4b)을 형성하였다(도 5의 (f) 참조).
다음으로, 상기 레지스트 패턴(4b)을 마스크로 하여, 차광막(3)의 에칭을 행하여, 차광막(3)에 차광부 패턴을 형성하였다(도 5의 (f) 참조). 여기서도, 상기와 마찬가지의 Cr용 에칭액을 이용한 웨트 에칭에 의해 에칭을 행하였다.
다음으로, 잔존하는 레지스트 패턴(4b)을 박리하여, 다계조 마스크(전사용 마스크)(15)를 얻었다. 이 다계조 마스크(15)는, 마스크 블랭크용 기판(1) 상에, 주표면(17)이 노출된 투광부(17), 광 반투과막(2)으로 이루어지는 반투광부(18), 및 광 반투과막(2)과 차광막(3)과의 적층 구조로 이루어지는 차광부(16)가 형성된 구성으로 되어 있다. 또한, 주표면(17)의 표면 결함(5)이 존재하였던 부분이, 투광부(17)와 반투광부(18)에 걸리는 패턴 배치를 굳이 행하고 있다.
이 다계조 마스크(15)를 이용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하는 노광 장치로, 전사 대상물의 레지스트막에 대하여 패턴의 노광 전사를 행하였다. 전사 대상물의 레지스트막에 대하여, 현상 처리를 행한 결과, 표면 결함(5)을 수정한 부분도 포함하여 정상적으로 레지스트 패턴이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
(비교예 1)
이 비교예 1에서는, (4) 검사 공정에서, 평탄도 및 표면 거칠기는 모두 소정 조건을 충족하고 있지만, 허용되지 않는 사이즈의 표면 결함(5)(오목 형상 결함)이며, 그 깊이가 0.5㎛ 이하인 것이 존재하는 기판(1)을 선정하는 부분까지는, 실시예 1과 마찬가지이다. 비교예 1에서는, 선정된 기판(1)의 표면 결함(5)을 수정하는 (5) 표면 결함 수정 공정을 행하지 않은 상태에서, 마스크 블랭크용 기판(1)으로서, 실시예 1과 마찬가지의 조건에서 광 반투과막(2) 및 차광막(3)을 성막하여, 마스크 블랭크(10)를 제조하였다. 또한, 이 마스크 블랭크(10)를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 광 반투과막(2) 및 차광막(3)의 패터닝을 행하고, 다계조 마스크(15)를 제작하였다.
이 다계조 마스크(20)를 이용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하는 노광 장치로, 전사 대상물의 레지스트막에 대하여 패턴의 노광 전사를 행하였다. 전사 대상물의 레지스트막에 대하여, 현상 처리를 행한 결과, 표면 결함(5)이 존재하는 부분의 투광부(17) 및 반투광부(18)가 노광 전사된 부분은 전사 불량을 일으키고 있어, 정상적으로 패턴이 형성되어 있지 않았다. 이 레지스트 패턴을 이용하여, 그 아래의 금속막에 패턴 전사를 하는 에칭을 행해도 설계대로의 패턴을 형성할 수는 없다. 따라서, 비교예 1의 마스크 블랭크용 기판(1), 다계조 마스크 블랭크(10) 및 다계조 마스크(15)는, 사용에 적합하지 않다.
1 : 마스크 블랭크용 기판
2 : 광 반투과막(패턴 형성용 박막)
3 : 차광막(패턴 형성용 박막)
4 : 레지스트막
4a, 4b : 레지스트 패턴
5 : 표면 결함
10 : 다계조 마스크 블랭크
15 : 다계조 마스크
16 : 차광부
17 : 투광부
18 : 반투광부
20 : 연마 장치에 장착된 마스크 블랭크용 기판
21 : 캐리어
22 : 상정반
23 : 하정반
30 : 연마포를 접착하여 이루어지는 정반
50 : 화염 조사 장치
52 : 화염
71 : 주표면
72 : 측면
73 : 면취면
100 : 화염 결함 수정 장치
102 : 스테이지
104 : 화염 제어부
105 : 인화성 가스
108 : 현미경
110 : 화상 처리부
112 : 스테이지 컨트롤러
114 : 제어부
126 : 관찰광
2 : 광 반투과막(패턴 형성용 박막)
3 : 차광막(패턴 형성용 박막)
4 : 레지스트막
4a, 4b : 레지스트 패턴
5 : 표면 결함
10 : 다계조 마스크 블랭크
15 : 다계조 마스크
16 : 차광부
17 : 투광부
18 : 반투광부
20 : 연마 장치에 장착된 마스크 블랭크용 기판
21 : 캐리어
22 : 상정반
23 : 하정반
30 : 연마포를 접착하여 이루어지는 정반
50 : 화염 조사 장치
52 : 화염
71 : 주표면
72 : 측면
73 : 면취면
100 : 화염 결함 수정 장치
102 : 스테이지
104 : 화염 제어부
105 : 인화성 가스
108 : 현미경
110 : 화상 처리부
112 : 스테이지 컨트롤러
114 : 제어부
126 : 관찰광
Claims (6)
- 대향하는 2개의 주표면을 갖는 기판으로 이루어지는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로서,
상기 기판의 2개의 주표면을 연마하는 공정과,
상기 기판의 주표면에 존재하는 표면 결함에 대하여, 상기 기판의 연화점 이상의 연소 온도의 화염을 접촉시켜 상기 표면 결함을 수정하는 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 표면 결함이, 오목 형상 결함인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판이, 합성 석영 글래스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 화염이, 1600℃ 이상의 연소 온도인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법으로 제조된 마스크 블랭크용 기판의 주표면 상에 패턴 형성용의 박막을 성막하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제5항에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110080223A KR20120057499A (ko) | 2010-08-12 | 2011-08-11 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2010-180848 | 2010-08-12 | ||
| KR1020110080223A KR20120057499A (ko) | 2010-08-12 | 2011-08-11 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120057499A true KR20120057499A (ko) | 2012-06-05 |
Family
ID=46609366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110080223A KR20120057499A (ko) | 2010-08-12 | 2011-08-11 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120057499A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102301059B1 (ko) * | 2021-01-19 | 2021-09-14 | (주)케이티지 | 포토마스크 제조방법 및 그 시스템, 그리고 상기 제조방법에 따라 제조된 포토마스크 |
-
2011
- 2011-08-11 KR KR1020110080223A patent/KR20120057499A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102301059B1 (ko) * | 2021-01-19 | 2021-09-14 | (주)케이티지 | 포토마스크 제조방법 및 그 시스템, 그리고 상기 제조방법에 따라 제조된 포토마스크 |
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