KR20120052839A - Solar cells made of silicon deposition gas and mechanical - Google Patents

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KR20120052839A
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Abstract

PURPOSE: A solar cell made by depositing gas silicon and a machine are provided to simplify a manufacturing process by omitting a single crystal ingot process and a cutting process. CONSTITUTION: A left pole(11), a middle pole(12), and a right pole(13) are vertically formed on a bottom plate(10). The left pole, the middle pole, and the right pole are connected with a top pole(14). A terminal box(42b) is located on both sides of the top pole. A top left roller comprising unit(16) includes an electrode roller(41). A top right roller comprising unit(17) includes an electrode roller(42).

Description

가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계{Solar cells made of silicon deposition gas and mechanical}Solar cells made of silicon deposition gas and mechanical}

본 발명은 반도체, 태양전지의 빠르게 발전하고 있는 분야의 중요 소재인 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다. 종래에는 정제된 실리콘을 챔버내부의 용해로에서 용해하여 원하는 불순물을 소량 첨가하여 웨이퍼의 성격을 결정짓는다. 그런 다음 종래에는 궤 모양의 틀에 용해 실리콘을 붓고 굳혀 다 결정 사각기둥을 만들거나, 또는 씨앗을 사용하여 용해 챔버에서 성장시켜, 단결정 잉 곳을 만든 다음 와이어 컷팅으로 두께 약 200um내외의 다 결정 및 단결정 웨이퍼를 만들고 있다. 또한 실리콘 박막으로 유리 기판을 사용하여 저온 수백도 온도에서 비정질 실리콘을 증착하는 으로 대면적 태양전지를 만들고 있으나 결정질 태양전지에 비행 효율이 낮고 장시간의 사용에 따른 신뢰성이 다소 떨어지는 단점이 있다. The present invention relates to a silicon wafer, which is an important material in a rapidly developing field of semiconductors and solar cells. Conventionally, purified silicon is dissolved in a melting furnace inside a chamber to add a small amount of desired impurities to determine the nature of the wafer. Then, conventionally, melted silicon is poured into a bin-shaped mold and solidified to form a polycrystalline square column, or grown using a seed in a melting chamber, to form a single crystal ingot, and then wire cutting to determine polycrystalline and You are making a single crystal wafer. In addition, large-area solar cells are made by depositing amorphous silicon at low temperatures of several hundred degrees by using glass substrates as silicon thin films. However, they have low flying efficiency and low reliability due to long-term use in crystalline solar cells.

반도체 분야는 고부가가치의 산업이기 때문에 실리콘 웨이퍼의 가격은 크게 영향을 받지 않지만, 태양전지 시장은 비슷한 에너지 변환효율을 가진 제품이라면 가격싸움에서 승패가 좌우되기 때문에 가격 경쟁력까지 갖추어야 한다. 그렇기 때문에 공정을 줄이는 노력이 필요하고, 소재를 줄이는 노력이 절실히 필요하며, 이는 곳 경쟁사에 최대의 무기로 작용할 수 있다.Since the semiconductor industry is a high value-added industry, the price of silicon wafers is not largely affected. However, the solar cell market must have price competitiveness if the products with similar energy conversion efficiencies depend on the price battle. Therefore, efforts to reduce the process and efforts to reduce the material are urgently needed, which can be the greatest weapon for the competitors.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 다음과 같다. TCS로부터 태양전지의 중간 공정인 폴리실리콘제조, 잉곳제조, 잉곳슬라이스, 웨이퍼표면처리, 도핑, 과 같은 공정을 없애고 바로 태양전지를 만드는 것이며, 특히 태양전지의 웨이퍼의 두께를 현저히 줄이는데 있다.The problem to be solved in the present invention is as follows. TCS eliminates processes such as polysilicon manufacturing, ingot manufacturing, ingot slice, wafer surface treatment, doping, etc., which are intermediate processes of solar cells, and makes solar cells directly. In particular, the thickness of solar cell wafers is significantly reduced.

본 발명에서 해결수단은 폴리실리콘의 전단계인 실리콘의 중간 제조 중요 소재인 모노실란가스(SiH4), 사염화실란가스(SiHCl3)등의 가스로 연속 증착법으로, 폴리 실리콘을 만드는 것이 아니라, 바로 태양전지를 만든다.In the present invention, the solution is not to make polysilicon by continuous deposition method of gas such as monosilane gas (SiH4), tetrasilane silane gas (SiHCl3), which is an important material for the intermediate production of silicon, which is a preliminary step of polysilicon. Make.

본 발명의 가장 큰 효과는 궤 모양의 다 결정 실리콘 성형과, 단결정 잉곳 과정과, 절단공정이 없는 것으로 공정이 단순화되고, 버려지는 소재가 없기 때문에 가격을 저렴하게 할 수 있어 경쟁사와 가격 경쟁력을 가진다. 뿐만 아니라, 웨이퍼의 두께를 100um의 이하로 만들 수 있는 장점도 가진다.The greatest effect of the present invention is that the process can be simplified because there is no bin-shaped polycrystalline silicon molding, single crystal ingot process, and no cutting process, and since there is no material to be discarded, the price can be lowered and it is competitive with competitors. . In addition, there is an advantage that the thickness of the wafer can be made less than 100um.

도 1은 태양전지증착기계(100)의 배면 사시도.
도 2는 태양전지증착기계(100)의 전면 사시도.
도 3은 도 2에서 벨트작업대(20)의 a부를 전면에서 배면으로 단면도를 확대하여 보인 도면.
도 4는 도 3에서 벨트작업대(20)의 챔버기밀홈(35), 챔버기밀홈(36)에 안전챔버(70), N형실리콘증착챔버(82)의 조립의 구성을 보인 단면도.
도 5는 도 2에서 안전챔버(70)를 분해하여 보인 일부 투시 도면과, 증착챔버수단(85)을 투시하여 보인 사시도.
도 6은 태양전지증착기계(100)의 정면 투시도.
도 7의 h는 분말프린터(60)로 실리콘 분말 프린팅 작업을 하는것과, j는 그 작업으로 프린팅된 금속벨트(49)위에 프린팅분말(60c)을 하여 보인 단면도.
도 8에서 k는 전극증착챔버(80)로 전극을 증차과정을 보인 도면과, m은 프린팅분말(60c)위에 전극증착(80c)을 하여 보인 단면도.
도 9에서 n은 P형실리콘증착챔버(81)로 P형 실리콘을 증착하는 과정과, o는 전극증착(80c)위에 P형실리콘증착(81c)을 보인 단면도.
도 10에서 p는 N형실리콘증착챔버(82)로 N형 실리콘을 증착하는 과정과, q는 P형실리콘증착(81c)위에 N형실리콘(82c)을 보인 단면도.
도 11에서 r은 반사방지막증착챔버(83)로 반사방지막 증착하는 과정과, s는 N형실리콘(82c)위에 반사방지막(83c)을 보인 단면도.
도 12에서 t는 전극증착챔버(84)로 전극을 증착하는 과정과, u는 반사방지막(83c)위에 전극증착(84c)을 보인 단면도.
도 13에서 v는 증착챔버수단(85)을 보인 도면과, w는 만들어진 태양전지를 절단하고 적재하는 과정을 보인 도면.
도 14는 기판수단(64)을 보인 도면과, 일부 확대도면.
도 15는 기판수단(64), 가열기판(65), 을 보인 도면과 일부 확대도면.
도 16은 롤기판(66), 롤태양전지(69)을 보인 도면.
도 17은 두 장의 금속 박막 기판을 공급하는 것을 보인 도면.1 is a rear perspective view of a solar cell deposition machine 100.
2 is a front perspective view of the solar cell deposition machine 100.
3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the belt workbench 20 from the front to the rear in FIG.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the assembly of the safety chamber 70, the N-type silicon deposition chamber 82 in the chamber hermetic groove 35, the chamber hermetic groove 36 of the belt work table 20 in FIG.
5 is a partial perspective view showing the disassembled safety chamber 70 in FIG. 2, and a perspective view showing the deposition chamber means 85.
6 is a front perspective view of a solar cell deposition machine 100.
7 h is a silicon powder printing operation with the powder printer 60, j is a cross-sectional view showing the printing powder (60c) on the metal belt 49 printed by the operation.
8 is a view showing the process of increasing the electrode to the electrode deposition chamber 80, m is a cross-sectional view showing the electrode deposition (80c) on the printing powder (60c).
In Figure 9, n is a process of depositing P-type silicon into the P-type silicon deposition chamber 81, o is a cross-sectional view showing the P-type silicon deposition (81c) on the electrode deposition (80c).
In Figure 10, p is a process of depositing the N-type silicon into the N-type silicon deposition chamber 82, q is a cross-sectional view showing the N-type silicon 82c on the P-type silicon deposition (81c).
In Figure 11, r is the process of the anti-reflection film deposition to the anti-reflection film deposition chamber 83, s is a cross-sectional view showing the anti-reflection film 83c on the N-type silicon (82c).
In Figure 12, t is a process of depositing the electrode to the electrode deposition chamber 84, u is a cross-sectional view showing the electrode deposition (84c) on the anti-reflection film (83c).
In Figure 13 v is a view showing the deposition chamber means 85, and w is a view showing a process of cutting and loading the solar cell made.
14 is a view showing the substrate means 64, and partly an enlarged view.
15 is a view showing the substrate means 64, the heating substrate 65, and partly an enlarged view.
16 shows a roll substrate 66 and a roll solar cell 69. FIG.
FIG. 17 shows two metal thin film substrates;

이하 본 발명의 구성 및 실시예를 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 1은 태양전지증착기계(100)의 배면 사시도 이고, 도 2는 태양전지증착기계(100)의 전면 사시도 이다. 도 1, 도 2에서 태양전지증착기계(100)의 구조를 설명한다. 좌측에서 우측으로 긴 바닥판(10)의 위에 수직으로 세운 좌측지주(11), 중간지주(12), 우측지주(13)가 구비되고, 상단부에 그들을 잇는 상단지주(14)로 연결되어 있다. 바닥판(10)의 하단부에는 도면에는 도시되지 않았지만 진동을 방지하는 방진고정판을 다수 발판으로 사용할 수 있다. 상단지주(14)의 양끝 부의 상단좌측롤러구성부(16)에는 전극롤러(41)가 구비되고, 상단우측롤러구성부(17)에는 전극롤러(42)가 구비된다. 전극롤러(41), 전극롤러(42)는 자체가 전극으로 사용하기 위하여 전류가 잘 통하는 소재수단으로 하고, 또한 높은 열이 열전도 되므로 열에 견딜 수 있어야하며, 또한 화학적으로 안정적이어야 한다. 따라서 상기 소재로는 금속 수단으로 하며, 특히 화학적으로 안정적인 스테인리스 316 소재가 좋다. 하지만, 모든 금속 소재를 사용할 수 있음을 밝혀둔다. 전극롤러(41), 전극회전축(41a), 전극롤러(42), 전극회전축(42a)은 좌측지주(11), 중간지주(12), 우측지주(13), 상단지주(14)에 전기적으로 절연되어 있으며, 상단지주(14)의 양 단에 각 각 구비된 단자박스(42b), 단자박스(42b)에서 전극리시버(41c), 전극리시버(42c)로 전류를 공급받는다. 결과적으로 전극롤러(41)에는 플러스 전원, 전극롤러(42)에는 마이너스 전원의 낮은 전압에 높은 전류가 흐르게 되며 경우에 따라서 전원의 극성은 바뀔 수 있다. 중간지주(12), 우측지주(13)의 중간부 일측에 각 각 연결롤러(43), 구동롤러(44)를 구비하였으며, 전극롤러(41), 전극롤러(42), 연결롤러(43)는 베어링에 의한 무동력, 무 부하 회전을 할 수 있는 구조의 롤러 수단이며, 연결롤러(43)는 도시되지 않았지만 장력을 조절할 수 있는 것으로도 한다. 구동롤러(44)는 그 회전축에 구동모터(47)가 일체로 구비되며, 감속기능과, 정밀제어용의 서보모터가 바람직하다. 전극롤러(41), 전극롤러(42), 연결롤러(43), 구동롤러(44)에 금속벨트(49)를 둘러 장력 조절로 팽팽한 연결을 할 수 있으며, 구동모터(47)의 구동회전으로 구동롤러(44)가 회전하는 것으로 금속벨트(49)가 회전 이송된다. 아래에서 자세히 설명되겠지만, 잠깐 언급하면, 전극롤러(41)와, 전극롤러(42)에 전원을 인가하여 전류를 흘러주면, 전극롤러(41)와 전극롤러(42)의 거리가 상대적으로 짧은 윗면이 전기 저항이 작기 때문에 많은 전류가 흘러 발열 되어 고온으로 가열된다. 그러나 윗면에 비해 상대적으로 길이가 긴 아래의 벨트는 전기저항이 커서 전류가 많이 흐르지 않아 저온으로 크게 높은 온도로 발열 되지 않는다. 중간지주(12)와 우측지주(13)의 중간부의 일측에 서로 연결되는 지주수단(50)을 가로로 연결 구비하고, 세정브러시(53), 세정브러시(56), 세정브러시(59)을 구비하고, 각 각 구동모터(52), 구동모터(55), 구동모터(58)로 회전 구동할 수 있도록 구비되며, 그들의 구동으로 각 세정브러시는 회전 이송되는 금속벨트(49)를 세정할 수 있는 것으로 한다. 각 세정브러시(53), 세정브러시(56), 세정브러시(59)의 하단부에는 세정조(51), 세정조(54), 세정조(57)를 구비하고 필요할 경우 화학약품이나, 깨끗한 물을 순환시킬 수 있도록 한다. 전극롤러(41), 구동롤러(44)에 걸친 구간의 금속벨트(49)는 건조되는 구간이다. 전극롤러(41), 전극롤러(42)의 사이에 벨트작업대(20)가 상단지주(14)에 고정되어 구비되는바, 그 단면을 보면 다음과 같다. 도 3에서 보는 바와 같이 도 2에서 벨트작업대(20)의 a부를 전면에서 배면으로 단면도를 확대하여 보인 도면으로, 이하 자세히 설명한다. 벨트작업대(20)는 금속수단이 바람직하며, 석영성형판(30)은 석영유리로서 그 사용온도가 1000도 이상의 온도에서 사용할 수 있는 것으로 한다. 접합부(25)에서 볼트 수단으로 조립하여 사용하며, 벨트작업대(20)에는 냉각 기능의 냉각파이프수단(22)이 구비된 것으로 하여, 석영성형판(30)에 열을 흡수하여 냉각하는 것이 목적이다. 석영성형판(30)의 윗면에는 벨트홈(31)이 구비되어 그 넓이는 금속벨트(49)의 폭과 같고 높이는 금속벨트(49)의 두께와 같거나 또는 조금 낮은 것으로 하여, 금속벨트(49)가 벨트홈(31)안에 구비되어 조립되며, 회전 이송될 수 있는 것으로 하며, 또는 때에 따라, 벨트홈(31)을 없이 석영성형판(30)을 구비하여 그 윗면에 금속벨트(49)가 놓여서 구비될 수도 있다. 그러나 본 발명에서 도시는 벨트홈(31)을 구비하고 설명한다. 벨트홈(31), 금속벨트(49)의 폭이 만들고자 하는 태양전지의 폭과 같다. 대면적의 태양전지를 만들 고자 할 때는 벨트홈(31), 금속벨트(49)와 그에 구비되는 구성들의 폭이 커져야 함은 당연하다. 석영성형판(30)의 폭에 대한 양쪽의 끝 부의 근처에는 챔버기밀홈(35), 챔버기밀홈(36)이 각 각 구비되어 있어, 이하 설명되는 안전챔버(70)를 포함한 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)의 하단부의 가장자리가 조립되어 기밀이 되는 홈 수단이다. 도 4는 도 3에서 벨트작업대(20)의 챔버기밀홈(35), 챔버기밀홈(36)에 안전챔버(70), N형실리콘증착챔버(82)의 조립의 구성을 보인 단면도이며, N형실리콘증착챔버(82), 안전챔버(70)의 하단부 가장자리가 상기 설명된 홈 부에 조립되어 있는 도시이다. 본 발명의 도면에 도시가 생략되었지만, 석영성형판(30)은 벨트작업대(20)에 볼트 수단으로 조립되며, 석영성형판(30)이 조립된 벨트작업대(20)는 상단지주(14)에 볼트 수단으로 조립고정된다. 도 5는 도 2에서 안전챔버(70)를 분해하여 보인 일부 투시 도면과, 증착챔버수단(85)을 보인 사시 도이며, 도 6은 태양전지증착기계(100)의 정면 투시도이며, 도 5, 도 6에서 이하 설명한다. 석영성형판(30)의 윗면에 상단좌측롤러구성부(16)에서부터 차례대로, 프린팅분말(60c), 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)을 조립하여 보였으며, 모두 하단부의 가장자리가 챔버기밀홈(35)에 조립되어 기밀을 요하게 되며, 특성상 금속벨트(49)가 지나가는 b, c에서는 기밀이 되지 않는다. 그래서 완전 보완장치로 안전챔버(70)로 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)등을 모두 덮는 구조의 안정장치를 하였으며, 그 실시예를 상세히 설명한다. 금속벨트(49)를 시계 방향으로 일정한 속도로 회전 이송시키고, 전극롤러(41)에 플러스전압, 전극롤러(42)에 마이너스 전압을 인가하여 저전압에 높은 암페어의 전류를 흘려 준다. 그러면 전극롤러(41)와 전극롤러(42)의 구간의 석영성형판(30)의 벨트홈(31)에 삽입되어 이송되는 금속벨트(49)수단이 가열된다. 그 가열 온도는 전극롤러(41)에 플러스전압, 전극롤러(42)에 흐르는 전압과 전류에 따라 온도를 조절할 수 있다. 본 발명에서는 약 1000도 내외의 온도에서 작업을 하게 된다. 정확하게는 400도부터 1200도의 온도 범위에서 하는 것이 좋으며 그 범위에서 할 수 있는 것으로 한다. 도 7의 h에서 분말프린터(60)로 실리콘 분말 프린팅 작업을 하는 것으로 분말프린터(60)의 데벌로퍼롤러(63)에 마이너스 성분을 띠게 하여 분말이 데벌로퍼롤러(63)에 의해 나오면서 마이너스 성질을 가져 플러스 성질을 띠고 있는 금속벨트(49)에 달라붙게 되어 표면에 올라앉게 된다. 분말프린터(60)의 내부공간부(62)에 들어 있는 나노 분말은 실리콘나노분말(60c)이다. 즉 레이저 인쇄기 원리로 금속벨트(49)의 표면에 실리콘나노분말(60c) 코팅한다. 실리콘나노분말(60c)의 역할은 금속벨트(49)위에 태양전지를 연속적으로 증착 구비하는 공정 끝에서 만들어진 태양전지를 금속벨트(49)에서 쉽게 떼어내야 하는바, 만약, 금속벨트(49)위에 바로 증착을 하여 태양전지를 구비하면, 금속벨트(49)가 기판수단으로 태양전지가 그 위에 증착이 되기 때문에 서로 일체화되어 절대 분리할 수가 없어 연속적인 작업을 할 수가게 된다. 따라서 쉽게 만들어진 태양전지를 분리하기 위하여, 먼저 실리콘나노분말(60)을 금속벨트(49)의 표면에 인쇄하는 것이다. 도시되지 않았지만, 마이너스 성질을 가진 고열의 롤러를 사용하여 실리콘나노분말(60c)을 금속벨트(49)의 표면에 눌러 줄 수 있다. 또한, 실리콘나노분말(60c)의 소재가 흑연분말, 카본 분말, 은나노, 금나노, 동의 소재로도 사용할 수 있으며, 또한 알루미늄분말, 등을 포함하여 모든 금속의 분말을 사용할 수 있는 것으로 하며, 알루미나를 포함한 모든 세라믹 분말을 사용할 수 있음도 밝혀둔다. 만약 분말소재가 금속의 분말을 포함한 전기전도가 있는 분말이라면 전극 제로 사용되기 때문에 이상적이다. 따라서 본 발명에 소개되는 기계로 폴리실리콘을 만드는 것이라면 실리콘 분말을 인쇄하는 것이 필수이지만 태양전지를 만드는 것이라면 금속 분말을 인쇄하는 것이 바람직하다. 분말프린터(60)의 대신 분말을 흩뿌릴 수 있으며, 또는 호퍼에서 분말을 흘리고 롤러수단이나, 가로로 높낮이 조절이 가능한 막대 수단으로 분말소재의 높이를 일정하게 맞추어 사용할 있다. 상기 분말소재는 다음 공정에 따라 선택될 수 있다. 즉 다음 공정에 특성에 따라 오염문제, 특성문제를 일으키지 않은 조건을 갖추어야 한다. 본 발명에서는 다음 공정이 전극 증착이기 때문에 상기에 언급한 모든 소재를 사용할 수 있다. 실리콘나노분말(60c)은 태양전지 증착 공정에서 절대 용해가 되지 않으면서도, 금속벨트(49)의 표면에서도 흩으러 지지 않아야 한다. 도 7의 j는 상기 작업으로 인쇄된 금속벨트(49)위에 실리콘나노분말(60c)을 인쇄하여 보인 단면도이다. 그러나 앞서 설명하였지만 실리콘나노분말(60c)은 금속 소재의 분말일 수 있음을 다시 한 번 상기시키며, 만약 금속분말이라면, 바로 설명할 전극 증착챔버(80)의 공정이 생략될 수 있다. 이미 전극이 구비되었기 때문에 굳이 전극증착챔버(80)에서 전극증착(80c)을 할 필요가 없기 때문이다. 온도에 따라 금속 분말의 선택이 중요한바, 금속벨트(49)의 온도가 600도 이상이면 알루미늄분말을 사용할 수 없다. 자칫 알루미늄 분말이 용해되어 금속벨트(49)에 용착될 수 있기 때문이다. 금속벨트(49)의 이송으로, 도 8에서와같이 k의 전극증착챔버(80)로 전극을 증착과정으로 넘어간다. 전극증착챔버(80)는 종래 태양전지의 후면이 백 전극을 만드는 것으로, 다음과 같다. 먼저, 종래 고순도 실리콘을 만들기 위하여, 삼염화실란(SiHCl3), 또는, 모노실란(SiH4)을 증류과정의 반복으로 순도를 올리고, Siemens공법, FBR(Fluidized-Bed Reactor)의 공법으로 고순도의 폴리 실리콘을 만들고 있다. 먼저 용어 정리를 하면, 본 발명의 설명을 함에 있어 삼염화실란(SiHCl3), 또는, 모노실란(SiH4)이 반복적으로 나올 수 있으므로 이하 설명에서 TCS로 부르기로 한다. TCS는 삼염화실란(SiHCl3), 또는, 모노실란(SiH4)을 지칭하는 것이며, 또한 수소 가스가 포함되어 있는 것일 수도 있음을 밝혀둔다. 고순도 TCS는 고순도의 삼염화실란(SiHCl3), 또는 모노실란(SiH4)을 지칭하는 것이며, 저 순도 TCS는 저 순도의 금속급의 삼염화실란(SiHCl3), 또는 모노실란(SiH4)을 지칭하는 것이다. 그 원리를 간단히 설명하면, 챔버 안에서 실리콘 소재의 필라멘트를 만들고 필라멘트에 전류를 흘러 가열하면서 챔버안에 TCS를 흘려주어 가열된 필라멘트에 실리콘이 적출되는 공정의 지멘스방식과, 또는 미세 실리콘 분말을 챔버에 뿌려주어 미세 실리콘 분말의 표면에 실리콘이 적출되게 하는 FBR방법 등으로 고순도 폴리 실리콘 제조를 하고 있다. 고순도 폴리 실리콘의 소재가스인, TCS가사용되고 있으나, 고 순도를 얻기 위하여, 수차례의 증류 과정을 반복적으로 하여 얻는 공정이 필요하다. 즉 증류 과정을 거칠 때마다 순도가 올라가게 되며, 증류 과정이 적은 상기 가스는 Al, Fe, Cu, Ca, B, P등의 불순물이 미량 포함되어있기 때문에 순도가 낮은 TCS로 만든 폴리실리콘은 전기 저항이 낮아 금속 급의 실리콘이 된다. 그러나 증류 과정을 거칠 때마다, 상기 불순물의 함량이 낮아져 고순도의 폴리 실리콘이 만들어진다. 본 발명에서 전극증착챔버(80)에서 증착 소재는 상기 불순물이 금속 급의 TCS로 할 수 있다. 또는, 고순도의 TCS에 B, P의 불순물을 목적을 가지고 의도적으로 별도로 섞어 사용할 수도 있다. 전극증착챔버(80)의 내부공간부(80a)에 연결관(d), 연결관(e)으로 저 순도의 TCS를 공급하면, 금속벨트(49)위에 인쇄되어 고열로 가열되어 있는 실리콘나노분말(60c)위에 저 순도의 폴리 실리콘이 증착되어 전극증착(80c)이 구비된다. 즉 전극을 종래의 Ag, AgAl, Al로 하지않고 저 순도의 TCS로 하여, 전기 저항이 작게 하여 전극으로 사용한다. 전극증착(80c)의 두께는 만드는 태양전지의 특성에 따라 달리할 수 있으며, 사용되는 소재를 줄여 가격 경쟁력에 이점을 가지기 위하여 얇게 하는 것이 바람직하며, 본 발명에서는 200um의 이내의 모든 두께에서 할 수 있는 것으로 한다. 즉 전극증착(80c)은 종래 폴리실리콘의 제조과정의 Siemens공법, FBR(Fluidized-Bed Reactor)의 공법보다 좀더 향상된, 폴리실리콘의 연속적인 제조법이라고 할 수 있으며, 본 발명의 끝 부에서 자세히 설명한다. 상기에서 언급하였지만, 다시 한번 상기하면, 실리콘나노분말(60c)이전도성 금속 분말로 대체되었을 경우 전극증착(80c)는 생략됨을 다시 한번 상기한다. 상기 설명된 공정으로, 도 8에서 m의 프린팅분말(60c)위에 전극증착(80c)을 하고, 도 9에서 n의 도면과 같이 P형실리콘증착챔버(81)로 P형 실리콘을 증착하는 공정을 하게 되며, 다음과 같다. P형실리콘증착챔버(81)의 내부공간부(81a)에 연결관(d), 연결관(e)으로 TCS를 공급하여 채워주게 되는데, 내부공간부(81a)에 채워진 TCS는 태양전지를 만들 때 사용되는 6N(99.9999%)의 이상의 순도를 가지며, 의도적으로 P형 성질을 갖게 하기 위하여, 3족인 B, Al, In등의 불순물을 첨가한 TCS이다. 또는, B2, B6를 사용할 수도 있다. 즉 P형실리콘증착챔버(81)에서 사용되는 TCS는 P형 불순물이 있는 것으로 한다. 고열로 가열된 전극증착(80c)의 위에, 도 9의 o와같이 P형실리콘증착(81c)이 증착되어 구비되며 역시 두께는 만들고자 하는 태양전지의 특성에 따라 달리하여 정할 수 있으므로, 200um의 이내의 두께로 할 수 있다. 본 발명의 공정으로 태양전지를 만들 때 P형실리콘증착(81c)하고 다음공정에서 고순도의 TCS로 초 박막으로 i층을 만들어 P, N 사이에 마음대로 공핍층을 만들어 줄 수 있다. 이 구조는 비정 질 박막태양전지의 구조에서보다 높은 효율을 이끌어 내기 위하여 만든 구조이다. 본 발명에서 도시 하지 않았지만 각 증착 챔버가 여유가 있기 때문에 충분한 작업 공정을 이행할 수 있는바, i층이 필요할 경우 만들 수 있으며, 본 발명의 도시에서는 도시하지 않고 이하 설명한다. 도 10의 p에서 보는 바와 같이 N형실리콘증착챔버(82)의 내부공간부(82a)에 연결관(d), 연결관(e)으로 N형 TCS를 공급하여 고열로 가열되어 있는 P형실리콘증착(81c)위에 N형실리콘(82c)이 증착되게 한다. 내부공간부(82a)에 채워진 TCS는 태양전지를 만들 때 사용되는 6N(99.9999%)의 이상의 순도를 가지며, 의도적으로 N형 성질을 갖게 하기 위하여 5족윈소인 P, As등의 불순물을 극소량 첨가한 TCS이다. 또는, PH3을 사용할 수도 있다. 즉 N형실리콘증착챔버(82)에서 사용되는 TCS는 N형 불순물을 첨가한 TCS로 한다. 고온으로 가열된 P형실리콘증착(81c)위에 도 10의 q와같이 N형실리콘(82c)이 증착되어 구비되며, 두께는 만들고자 하는 태양전지의 특성에 따라 달리하여 정할 수 있으므로, 10um의 이내에서 선택하여 사용할 수 있다. 도 11의 r에서 보는 바와 같이 반사방지막증착챔버(83)의 내부공간부(83a)에 연결관(d), 연결관(e)으로 반사 방지막 소스를 공급하여 s에서 보는 것처럼 고열로 가열되어 있는 N형실리콘(82c)의 위에 반사방지 막 코팅이 되는바, 열 CVD의 원리이다. 본 발명에서는 다 결정 태양전지를 만들고 있는 것이며, 다 결정 열 CVD의 소스로는 SiH4, H2로 사용하여 SiNx의 반사 방지막을 구비할 수 있다. 두께는 원하는 사용 목적에 따라 조절을 할 수 있다. 즉 두께에 따라 색이 달라지는데 60nm에서는 밤색, 70nm에서는 자주색, 등의 아름다운 색을 가지며, 효율을 크게 따지지 않고, 원하는 색을 구현하는 두께로 증착할 수 있다. 그러나 본 발명에서는 핑거전극, 버스바전극을 구비하지 않는 태양전지를 만들고자 하므로, SiNx의 반사 방지막 코팅에 있어 상기에 언급된 Al, Fe, Cu, Ca, B, P, As, Al, In, PH3, B2, B6등의 불순물을 첨가하여 전기전도를 가지게 하여 반사 방지막 역할과 전극으로 사용할 수 있다. 즉 반사방지 막 전체가 전기 전도체이기 때문에 태양전지 가장 자리에서 어스 시키는 것으로 전면 전극의 역할도 할 수 있다. 그러나 별도로, 도 12의 t에서 보는 것처럼 전극증착챔버(84)에서 u처럼 반사방지막(83c)위에 전극증착(84c)을 올릴 수 있다. 전극증착챔버(84)는 앞서 설명한 전극증착챔버(80)와 같은 구성으로 전극 증착을 하는 것으로 설명이 중복되므로 자세한 설명을 생략한다. 도 13에서 v는 증착챔버수단(85)을 보인 도면으로 별도의 여유있는 증착챔버수단(85)이 구비되어, 태양전지 설계에 대응되어 다채로운 태양전지를 만들 수 있는 수단이 된다. 도면 w는 만들어진 태양전지를 절단하고 적재하는 과정을 보인 도면으로, 상기 설명된 공정으로 만들어진 태양전지가, 금속벨트(49)에서 떨어져 보조테이블(90)위로 올라오면, 알맞은 크기로 레이져컷팅기(91)로 절단하여 로보트이송수단(95)으로 적재수단(97)의 적재함(98)으로 옮겨 적재한다. 상기 설명된 제조 공정은 연속적으로 각 공정이 이루어지고, 금속벨트(49)에서 완성된 태양전지는 보조테이블(90)위로 쉽게 떨어지는바, 실리콘나노분말(60c)이 금속벨트(49)에 증착되거나, 용착 된 것이 아니고 분말 상태로 올려져 있는 것이기 때문에 쉽게 떨어진다. 본 발명은 상기 공정으로 다양한 두께의 태양전지를 만들 수 있으며, 실리콘 박막의 태양전지도 만들 수 있고 대면적의 태양전지도 만들 수 있다. 무엇보다 폴리 실리콘을 만들고, 폴리실리콘으로, 잉곳을 만들고, 슬라이스 하는 공정들이 생략되어 저렴한 제조 비용을 갖게 된다. 또한, 본 태양전지증착기계(100)의 상기 공정을 응용하면 폴리 실리콘의 연속적인 제조가 가능하다. 즉 각 챔버의 내부공간 부에 불순물이 들어있지 않은 고순도의 삼염화실란(SiHCl3), 또는, 모노실란(SiH4)을 공급하고 상기 공정으로 연속적으로 폴리 실리콘을 만들 수 있다. 상기 제조 공정에서 벨트작업대(20), 석영성형판(30)의 표면은 냉각파이프수단(22)의 냉각 공정으로 냉각이 되어 증착이 되지 않고 고온으로 가열된 금속벨트(49)의 표면과 그 위에 각 공정의 결과물의 표면에만 증착이 된다. 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)에서 벨트홈(b), 벨트홈(c)에서 각 각의 가스가 새는 것을 방지하기 위하여 가스의 압력을 안전챔버(70)의 압력과 같게 만들고, 새어 나온 가스는 안전챔버(70)의 내부공간부(75)에 들어오게 되며, 연결관(78), 연결관(79)에서 안전하게 수집하여 따로 처리한다. 도 14에서 금속벨트(49)위에 얇은 유리, 세라믹류, 금속류의 기판수단(64)을 올려놓고 그 기판 수단 위에 상기에서 설명된 방식으로 태양전지가 만들어지게 할 수 있다. 그러한 작업을 할 때는 두 가지 선택을 할 수 있는바, 한 가지는 기판수단(64)을 태양전지와 일체로 구비하는 것이고, 또 하나는 기판수단(64)을 단순히 태양전지 작업공정의 도구로 사용하는 것으로 기판수단(64)위에 바로 증착을 하여 태양전지를 만들 수 있으며, 이때에는 태양전지와 일체로 구비하는 것이기 때문에 분말프린터(60)의 구성을 없애고 사용할 수 있다. 즉 기판수단(64)을 전극역할을 하는 기판 수단으로 하고, 바로 P형실리콘증착(81c)부터 작업을 하여 공정을 이어가는 것이며, 만약 기판 수단을 단순히 태양전지 작업공정의 도구로 활용할 때는 분말프린터(60)의 기술을 사용하여 재사용할 수 있다. 즉 기판수단(64)에 분말프린터(60)의 공정을 하지 않으면, 기판수단(64)위에 태양전지가 증착이 되고, 기판수단(64)위에 분말프린터(60)의 공정 작업을 하여 분말 프린팅 작업을 하고 각 증착 작업을 하면 기판수단(64)은 재사용할 수 있는 기판수단이 된다. 도 15에서 전극롤러(41), 전극롤러(42)에 전류를 공급하지 않고, 금속벨트(49)를 가열하지 않고 작업을 할 수 있는바, 금속벨트(49)는 단순히 가열기판(65), 기판수단(64)을 각 챔버공정에 이송되는 작업을 하게 되며, 기판수단(64)을 가열하는 역할은 가열기판(65)의 예열 되어서 있는 열량으로 이루어지는 것으로, 즉 제법 두꺼운 가열기판(65)위에 기판수단(64)을 겹쳐 올려놓고 예열로에서 예열하여, 가열기판(65)과 기판수단(64)은 목적한 온도, 즉 약 필요한 온도 약 900도로 예열하였을 때 가열기판(65)이 열량을 보유하고 있기 때문에 각 작업 챔버의 작업공정이 끝날 때까지 온도를 보유하게 되며, 목적한 태양전지를 가지게 된다. 이 방법은 기계를 크게 하면, 대면적의 태양전지를 만들 수 있는 방법이다. 가열기판(65)은 세라믹, 또는 산화되지 않는 금속, 특히, 스테인리스로 할 수 있으며, 기판수단(64)은 얇은 스테인리스 및 유리기판으로 할 수 있다. 대면적이란 가로 세로의 크기가 약3000mm- 3200mm의 가열기판 소재 위에 대면적의 유리기판을 올려서 예열 로에서 적당한 온도 약 400-500도 정도의 유리기판이 손상되지 않는 범위 내의 온도에서 예열하여, 금속벨트(49)위에 올려 상기 설명된 각 챔버에서 증착 공정으로 대면적 태양전지를 만든다. 가열기판(65)이 유지하고 있는 예열온도에 의해 유리기판은 증착 온도를 유지하며 마지막 공정까지 마칠 수 있다. 가열기판의 두께는 충분한 예열온도를 작업이 끝날 때까지 유지하면서도 열변형이 없어야 한다. 적당한 두께는 약 50mm가 좋다. 하지만, 본 발명에서는 3mm이상 200mm의 이내의 모든 두께사이즈를 제품의 특성에 따라 골라 사용할 수 있는 것으로 한다. 여기서 만들어지는 대면적 유리기판의 태양전지는 종래 대면적 태양전지처럼 셀 분할을 할 수 없으므로 본 공정이 끝나고 레이저 컷팅기로 분할 컷팅 작업을 하고 전극을 구비하여 모듈화작업을 한다. 도 16에서 금속벨트(49)를 사용하지 않고 기판수단으로 얇은 금속 박막 판을 기판수단으로 사용할 수 있으며, 연속공정을 할 수 있도록 기판수단을 롤기판(66)으로 하여, 각 챔버 수단의 고정을 거치면서 상기에 설명된 방식으로 태양전지를 만든다. 이때에는 롤기판(66)에 직접 증착하여 태양전지를 만들기 때문에 분말프린터(60)는 사용하지 않는다. 만들어진 태양전지는 롤태양전지(69)처럼 감는 공정으로 롤로 만들 수 있기 때문에 공정이 연속적으로 이루어지며, 롤기판(66)은 얇은 금속 박막이며, 특히 스테인리스가 이상적인 재료이며, 얇은 알루미늄 박도 사용할 수 있다. 그 두께는 0,1mm이하로 한다. 금속판 소재이기 때문에 전극롤러(41), 전극롤러(42)에 걸고 전류를 인가하여 가열하는 방법으로 필요한 열량을 얻을 수 있다. 도 17에서 보는 바와 같이 롤기판(66)과 같은 롤기판(66b)을 추가하여 설치할 수 있으며, 또한, 롤태양전지(69)처럼 롤태양전지(69b)를 추가하여 만들어진 태양전지를 감게 되며, 이 응용된 경우는 동시에 두 장의 금속 박막 기판수단을 각 챔버에 공급하여, 포개진 면은 태양전지 공정이 이루어지지 못하고 아랫면과 윗면에서 동시에 태양전지가 만들어지게 되는 것으로 작업속도를 두 배로 할 수 있는 응용기술이다. 따라서 포개진 금속 박막 기판은 각 챔버의 내에서 떠서 구비되어 각 증착 TCS 및 수소가스가 박막기판수단의 윗면과 아랫면에 고루 닿을 수 있도록 한 것으로 한다. 물론 상기의 효과를 낼 수 있는 방법이 있는바, 한 롤 기판수단에 두 장의 금속 박막 기판을 감아 마련하여 두 장을 같이 풀면서 각 챔버내에 공급하여도 같은 효과를 내며, 이때에는 별도도 두 장의 박막 기판을 한 롤 기판으로 감는 별도의 작업이 필요하다. Hereinafter, the configuration and embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a rear perspective view of the solar cell deposition machine 100, Figure 2 is a front perspective view of the solar cell deposition machine 100. 1 and 2 will be described the structure of the solar cell deposition machine 100. The left column 11, the middle column 12, and the right column 13, which are vertically erected on the long bottom plate 10 from the left to the right, are provided and connected to the upper column 14 connecting them to the upper end. Although not shown in the figure at the lower end of the bottom plate 10 can be used as a plurality of anti-vibration fixing plate to prevent vibration. Electrode rollers 41 are provided at the upper left roller configuration 16 at both ends of the upper end 14, and electrode rollers 42 are provided at the upper right roller configuration 17. The electrode roller 41 and the electrode roller 42 are themselves made of a material which is well-flowing in order to be used as an electrode, and must be able to withstand heat because of high heat conduction and chemically stable. Therefore, the material is a metal means, in particular, a chemically stable stainless steel 316 material is preferred. However, it is noted that all metal materials can be used. The electrode roller 41, the electrode rotating shaft 41a, the electrode roller 42, and the electrode rotating shaft 42a are electrically connected to the left column 11, the intermediate column 12, the right column 13, and the upper column 14. It is insulated and receives current from the terminal box 42b and the terminal box 42b provided at both ends of the upper column 14 to the electrode receiver 41c and the electrode receiver 42c. As a result, a high current flows at a low voltage of the positive power supply to the electrode roller 41 and a negative power supply to the electrode roller 42, and the polarity of the power supply may be changed in some cases. The connecting roller 43 and the driving roller 44 were provided on one side of the intermediate support 12 and the right support 13, respectively. The electrode roller 41, the electrode roller 42, and the connecting roller 43 were provided. Is a roller means of a structure capable of rotating without load, no load by the bearing, the connecting roller 43 is not shown, but may be able to adjust the tension. The drive roller 44 is provided with the drive motor 47 integrally with the rotating shaft thereof, and a deceleration function and a servo motor for precise control are preferable. Tight connection can be made by adjusting the tension around the metal belt 49 to the electrode roller 41, the electrode roller 42, the connecting roller 43, and the driving roller 44, and by the driving rotation of the driving motor 47. As the driving roller 44 rotates, the metal belt 49 is rotated and conveyed. As will be described in detail below, if briefly mentioned, the electrode roller 41 and the electrode roller 42 are supplied with power to flow current, and the upper surface of the electrode roller 41 and the electrode roller 42 is relatively short. Because of this small electrical resistance, a lot of current flows and is heated to a high temperature. However, the lower belt, which is relatively longer than the upper surface, has a large electric resistance, and thus a large amount of current does not flow. One side of the intermediate support 12 and the right support 13 is provided with horizontally connected strut means 50 connected to each other, and provided with a cleaning brush 53, a cleaning brush 56, and a cleaning brush 59. And, each of the drive motor 52, the drive motor 55, the drive motor 58 is provided so as to rotationally drive, each of the cleaning brush to drive the cleaning of the metal belt 49 is rotated conveyed Shall be. At the lower end of each cleaning brush 53, cleaning brush 56, and cleaning brush 59, a cleaning tank 51, a cleaning tank 54, and a cleaning tank 57 are provided. Allow it to circulate. The metal belt 49 in the section spanning the electrode roller 41 and the drive roller 44 is a section to be dried. Between the electrode roller 41 and the electrode roller 42 is provided with a belt work table 20 is fixed to the upper column 14, the cross section is as follows. As shown in FIG. 3, a portion of the belt bench 20 in FIG. 2 is shown in an enlarged cross-sectional view from the front to the rear, and will be described in detail below. Preferably, the belt work table 20 is made of metal, and the quartz molding plate 30 is quartz glass, and its use temperature can be used at a temperature of 1000 degrees or more. It is used to assemble by bolt means in the joint portion 25, the belt worktable 20 is provided with a cooling pipe means 22 of the cooling function, the purpose is to absorb the heat to the quartz molding plate 30 to cool. . The upper surface of the quartz molding plate 30 is provided with a belt groove 31, the width of which is equal to the width of the metal belt 49 and the height is equal to or slightly lower than the thickness of the metal belt 49. ) Is provided in the belt groove 31 and assembled, and can be rotated, or in some cases, provided with a quartz molding plate 30 without the belt groove 31, the metal belt 49 on the upper surface It may be provided by laying. In the present invention, however, the belt groove 31 is illustrated and described. The width of the belt groove 31 and the metal belt 49 is equal to the width of the solar cell to be made. When making a large-area solar cell, it is natural that the width of the belt groove 31, the metal belt 49 and the components provided therein should be large. A chamber hermetic groove 35 and a chamber hermetic groove 36 are respectively provided near the ends of both sides of the quartz molding plate 30 so that the electrode deposition chamber including the safety chamber 70 described below ( 80), the edges of the lower ends of the P-type silicon deposition chamber 81, the N-type silicon deposition chamber 82, the anti-reflection film deposition chamber 83, the electrode deposition chamber 84, and the deposition chamber means 85 are assembled and hermetically sealed. This is the home means. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the assembly of the safety chamber 70 and the N-type silicon deposition chamber 82 in the chamber hermetic groove 35 and the chamber hermetic groove 36 of the belt work table 20 in FIG. 3. The bottom edges of the mold-silicon deposition chamber 82 and the safety chamber 70 are assembled in the above-described groove portion. Although not shown in the drawings of the present invention, the quartz molding plate 30 is assembled to the belt workbench 20 by bolt means, and the belt workbench 20 to which the quartz molding plate 30 is assembled is mounted on the upper support 14. Assembly is fixed by bolt means. FIG. 5 is a perspective view showing the disassembled safety chamber 70 in FIG. 2 and a deposition chamber means 85. FIG. 6 is a front perspective view of the solar cell deposition machine 100. It demonstrates below in FIG. The printing powder 60c, the electrode deposition chamber 80, the P-type silicon deposition chamber 81, and the N-type silicon deposition chamber 82 on the upper surface of the quartz molding plate 30 in order from the upper left roller configuration 16. ), The anti-reflection film deposition chamber 83, the electrode deposition chamber 84, and the deposition chamber means 85 were assembled, and all of the edges of the lower end were assembled into the chamber hermetic groove 35 to require airtightness. In b and c which the belt 49 passes, it is not airtight. Thus, the electrode deposition chamber 80, the P-type silicon deposition chamber 81, the N-type silicon deposition chamber 82, the anti-reflection film deposition chamber 83, and the electrode deposition chamber 84 as a safety chamber 70 as a complementary device. And, a stabilizer having a structure covering all of the deposition chamber means 85 and the like, the embodiment will be described in detail. The metal belt 49 is rotated and transferred at a constant speed in a clockwise direction, and a positive voltage is applied to the electrode roller 41 and a negative voltage is applied to the electrode roller 42 to flow a high amperage current at a low voltage. Then, the metal belt 49 means inserted into the belt groove 31 of the quartz molding plate 30 in the section between the electrode roller 41 and the electrode roller 42 is heated. The heating temperature can be adjusted in accordance with the positive voltage to the electrode roller 41, the voltage and current flowing through the electrode roller 42. In the present invention will work at a temperature of about 1000 degrees. Accurately, it is better to do it in the temperature range of 400 degree to 1200 degree, and it is supposed to be possible in that range. In FIG. 7h, the powder printing process is performed by the powder printer 60, so that the debulfer roller 63 of the powder printer 60 has a negative component so that the powder is released by the debulfer roller 63. It is attached to the metal belt 49, which has a positive characteristic, so that it sits on the surface. The nano powder contained in the inner space portion 62 of the powder printer 60 is silicon nano powder 60c. That is, the silicon nano powder (60c) is coated on the surface of the metal belt 49 by the laser printer principle. The role of the silicon nano powder (60c) is to easily remove the solar cell made at the end of the process having a continuous deposition of the solar cell on the metal belt 49 from the metal belt 49, if, on the metal belt (49) If the solar cell is formed by vapor deposition, the metal belt 49 is integrated with each other because the solar cell is deposited on the substrate means and thus cannot be separated. Therefore, in order to separate a solar cell easily made, first, the silicon nano powder 60 is printed on the surface of the metal belt 49. Although not shown, the silicon nano powder 60c may be pressed onto the surface of the metal belt 49 by using a high-temperature roller having negative properties. In addition, the material of the silicon nano powder (60c) may be used as graphite powder, carbon powder, silver nano, gold nano, copper material, and also can be used for the powder of all metals including aluminum powder, etc., alumina It also turns out that all ceramic powders can be used, including. If the powder material is an electrically conductive powder including a metal powder, it is ideal because it is used as an electrode agent. Therefore, if it is to make polysilicon with the machine introduced in the present invention, printing silicon powder is essential, but if making a solar cell, it is preferable to print metal powder. Instead of the powder printer 60, the powder may be scattered, or the powder may flow from the hopper, and the roller means, or a rod means capable of horizontally adjusting the height, may be used to uniformly adjust the height of the powder material. The powder material may be selected according to the following process. That is, according to the characteristics of the next process, it is necessary to have a condition that does not cause pollution problems or characteristics problems. In the present invention, any of the above-mentioned materials can be used because the next step is electrode deposition. The silicon nano powder 60c should not dissolve on the surface of the metal belt 49 without being dissolved in the solar cell deposition process. 7J is a cross-sectional view of the silicon nanopowder 60c printed on the metal belt 49 printed by the above operation. However, as described above, the silicon nano powder 60c is once again reminded that the powder may be a metal material. If the metal powder, the process of the electrode deposition chamber 80 to be described immediately may be omitted. This is because it is not necessary to perform electrode deposition 80c in the electrode deposition chamber 80 because the electrode is already provided. Selection of the metal powder is important according to the temperature. If the temperature of the metal belt 49 is 600 degrees or more, aluminum powder cannot be used. This is because the aluminum powder may be dissolved and deposited on the metal belt 49. With the transfer of the metal belt 49, the electrode is passed through the deposition process to the electrode deposition chamber 80 of k as shown in FIG. Electrode deposition chamber 80 is that the back of the conventional solar cell to make a back electrode, as follows. First, in order to make a conventional high-purity silicon, the trichlorosilane (SiHCl3), or monosilane (SiH4) to increase the purity by repeating the distillation process, and the high-purity polysilicon by Siemens method, FBR (Fluidized-Bed Reactor) method making. First, when the terminology is summarized, trichlorosilane (SiHCl 3), or monosilane (SiH 4) may repeatedly appear in the description of the present invention, so that it will be referred to as TCS in the following description. TCS refers to trichlorosilane (SiHCl 3), or monosilane (SiH 4), and also note that hydrogen gas may be included. High purity TCS refers to high purity trichlorosilane (SiHCl 3), or monosilane (SiH 4), and low purity TCS refers to low purity metal grade trichloride (SiHCl 3), or monosilane (SiH 4). To explain the principle briefly, Siemens method of making silicon filament in the chamber, flowing TCS into the filament while heating the filament, and extracting silicon from the heated filament, or spraying the fine silicon powder into the chamber The high purity polysilicon is manufactured by the FBR method which makes silicon extract on the surface of the fine silicon powder. Although TCS, which is a raw material gas of high purity polysilicon, is used, a process obtained by repeatedly distilling several times is necessary to obtain high purity. That is, the purity increases every time the distillation process is performed, and the polysilicon made of TCS having low purity is low because the gas containing less distillation contains a small amount of impurities such as Al, Fe, Cu, Ca, B, and P. Low resistance makes metal grade silicon. However, each time through the distillation process, the content of the impurities is lowered to make polysilicon of high purity. In the present invention, in the electrode deposition chamber 80, the deposition material may be the TCS of the impurity metal. Alternatively, the impurities of B and P may be intentionally mixed separately with high purity TCS for the purpose. When the low purity TCS is supplied to the inner space portion 80a of the electrode deposition chamber 80 by the connection pipe d and the connection pipe e, the silicon nano powder is printed on the metal belt 49 and heated at high temperature. Low purity polysilicon is deposited on 60c to provide electrode deposition 80c. In other words, instead of using Ag, AgAl or Al, the electrode is used as an electrode having low purity TCS and small electrical resistance. The thickness of the electrode deposition (80c) may vary depending on the characteristics of the solar cell to be made, it is preferable to reduce the material used to have a thin in order to have an advantage in price competitiveness, in the present invention can be at any thickness within 200um. It shall be present. That is, the electrode deposition (80c) can be said to be a continuous manufacturing method of polysilicon, which is more improved than the conventional Siemens method of the manufacturing process of polysilicon, the method of FBR (Fluidized-Bed Reactor), will be described in detail at the end of the present invention. . As mentioned above, once again, once again, the electrode deposition 80c is omitted when the silicon nanopowder 60c is replaced with the conductive metal powder. In the above-described process, the electrode deposition 80c on the printing powder 60c of m in Fig. 8, and the process of depositing P-type silicon into the P-type silicon deposition chamber 81 as shown in the n of Fig. 9 It is as follows. The TCS is supplied to the inner space portion 81a of the P-type silicon deposition chamber 81 by the connection pipe d and the connection pipe e, and the TCS filled in the inner space 81a forms a solar cell. It has a purity of 6N (99.9999%) or more, and is a TCS to which impurities such as B, Al, and In, which are Group 3, are added to intentionally have a P-type property. Or B2 and B6 can also be used. That is, the TCS used in the P-type silicon deposition chamber 81 is assumed to have P-type impurities. P-type silicon deposition 81c is deposited and deposited on the electrode deposition 80c heated at high temperature, as shown in o of FIG. 9, and the thickness can be determined differently depending on the characteristics of the solar cell to be made, and therefore, within 200 μm. The thickness can be made. When the solar cell is manufactured by the process of the present invention, P-type silicon deposition (81c) and in the following process can be made a depletion layer freely between P, N by making an i-layer with ultra-thin TCS of high purity. This structure is made to induce higher efficiency than that of the amorphous thin film solar cell. Although not shown in the present invention, since each deposition chamber has a margin, a sufficient working process can be implemented, i layer can be made if necessary, and will be described below in the city of the present invention. As shown in p of FIG. 10, the P-type silicon is heated at a high temperature by supplying the N-type TCS to the connection pipe d and the connection pipe e to the inner space 82a of the N-type silicon deposition chamber 82. N-type silicon 82c is deposited on the deposition 81c. The TCS filled in the inner space 82a has a purity of 6N (99.9999%) or more used when making a solar cell, and in order to intentionally have an N-type property, a very small amount of impurities such as P and As, which are Group VIII elements, are added. TCS. Alternatively, PH3 may be used. In other words, the TCS used in the N-type silicon deposition chamber 82 is TCS to which N-type impurities are added. The N-type silicon 82c is deposited and deposited on the P-type silicon deposition 81c heated to a high temperature as shown in q of FIG. 10, and the thickness can be determined differently according to the characteristics of the solar cell to be made, and within 10 μm. You can choose to use it. As shown in r of FIG. 11, the anti-reflection film source is supplied to the inner space portion 83a of the anti-reflection film deposition chamber 83 through the connection pipe d and the connection pipe e to be heated at a high temperature as shown in s. The anti-reflective film coating on the N-type silicon 82c is a principle of thermal CVD. In the present invention, a polycrystalline solar cell is produced, and as a source of polycrystalline thermal CVD, SiH4 and H2 can be used to provide an anti-reflection film of SiNx. The thickness can be adjusted according to the intended use. That is, the color varies depending on the thickness, but has a beautiful color such as brown at 60 nm and purple at 70 nm, and can be deposited at a thickness that realizes a desired color without greatly determining efficiency. However, in the present invention, since the solar cell does not include the finger electrode and the busbar electrode, the above-mentioned Al, Fe, Cu, Ca, B, P, As, Al, In, PH3 in the anti-reflection coating of SiNx It can be used as an anti-reflection film and an electrode by adding impurities such as B2 and B6 to have electrical conductivity. That is, since the entire anti-reflection film is an electrical conductor, it can also serve as a front electrode by grounding at the edge of the solar cell. However, separately, as shown in t of FIG. 12, the electrode deposition 84c may be placed on the antireflection film 83c as u in the electrode deposition chamber 84. Since the electrode deposition chamber 84 is the same as the electrode deposition chamber 80 described above to the electrode deposition to overlap the description will be omitted. In Figure 13 v is a view showing the deposition chamber means 85 is provided with a separate deposition chamber means 85, which is a means for making a variety of solar cells corresponding to the solar cell design. Figure w is a view showing a process of cutting and loading the made solar cell, the solar cell made by the above-described process, if raised from the metal belt 49 to the auxiliary table 90, the laser cutting machine (91) to the appropriate size Cut into the robot transfer means (95) to the loading box (98) of the loading means (97) to load. The above-described manufacturing process is performed in succession, each solar cell completed in the metal belt 49 is easily dropped onto the auxiliary table 90, the silicon nano powder (60c) is deposited on the metal belt 49 As it is not welded, but is raised in powder state, it falls easily. The present invention can make a solar cell of a variety of thickness by the above process, it is possible to make a solar cell of a silicon thin film and also to make a large area solar cell. First of all, the processes of making polysilicon, polysilicon, ingot and slicing are omitted, resulting in low manufacturing costs. In addition, the application of the above process of the present solar cell deposition machine 100 enables the continuous production of polysilicon. That is, high purity trichlorosilane (SiHCl3) or monosilane (SiH4) containing no impurities may be supplied to the inner space of each chamber, and polysilicon may be continuously manufactured by the above process. In the manufacturing process, the surface of the belt workbench 20 and the quartz molding plate 30 is cooled by the cooling process of the cooling pipe means 22, and thus the surface of the metal belt 49 heated to a high temperature without being deposited. Deposition is only on the surface of the product of each process. In the electrode deposition chamber 80, the P-type silicon deposition chamber 81, the N-type silicon deposition chamber 82, the anti-reflection film deposition chamber 83, the electrode deposition chamber 84, the deposition chamber means 85, b), in order to prevent each gas from leaking in the belt groove c, the pressure of the gas is made equal to the pressure of the safety chamber 70, and the leaked gas is the inner space 75 of the safety chamber 70. Will come in, the connector 78, the connector 79 is safely collected and processed separately. In FIG. 14, a thin glass, ceramic, or metal substrate means 64 may be placed on the metal belt 49 and the solar cell may be made in the manner described above on the substrate means. There are two choices for such a task: one is to have the substrate means 64 integrated with the solar cell, and the other is to simply use the substrate means 64 as a tool for the solar cell work process. It is possible to make a solar cell by directly depositing on the substrate means 64, in this case, because it is provided integrally with the solar cell can be used without removing the configuration of the powder printer (60). That is, the substrate means 64 is used as a substrate means to serve as an electrode, and the process is continued from the P-type silicon deposition 81c. If the substrate means is simply used as a tool of a solar cell work process, the powder printer ( It can be reused using the technique of 60). That is, if the powder printer 60 is not processed on the substrate means 64, the solar cell is deposited on the substrate means 64, and the powder printer 60 is processed on the substrate means 64 to perform the powder printing operation. After each deposition operation, the substrate means 64 becomes a reusable substrate means. In FIG. 15, the electrode roller 41 and the electrode roller 42 can be operated without supplying a current and without heating the metal belt 49. The metal belt 49 is simply a heating substrate 65; The substrate means 64 is transferred to each chamber process, and the role of heating the substrate means 64 is made of a preheated amount of heat of the heating substrate 65, that is, on the thick heating substrate 65. Preheat the substrate means 64 and preheat it in the preheating furnace so that the heating substrate 65 and the substrate means 64 retain the amount of heat when they are preheated to the desired temperature, that is, about 900 degrees. Because of this, the temperature is maintained until the working process of each working chamber is completed, and the desired solar cell is obtained. This method is a way to make a large area solar cell if the machine is enlarged. The heating substrate 65 may be made of ceramic or metal which is not oxidized, in particular stainless steel, and the substrate means 64 may be made of thin stainless steel and glass substrate. The large area is preheated at a temperature within which the glass substrate of about 400-500 degrees is not damaged in a preheating furnace by placing a large-area glass substrate on a heating substrate material of approximately 3000mm-3200mm in width and length. It is placed on the belt 49 to make a large area solar cell by the deposition process in each chamber described above. Due to the preheating temperature maintained by the heating substrate 65, the glass substrate can be finished up to the last process while maintaining the deposition temperature. The thickness of the heating substrate shall be free from thermal deformation while maintaining sufficient preheating temperature until the end of the operation. A good thickness is about 50mm. However, in the present invention, all thickness sizes within the range of 3 mm and 200 mm may be used according to the characteristics of the product. The solar cell of the large-area glass substrate produced here cannot be divided into cells as in the conventional large-area solar cell, so the splitting operation is completed with the laser cutting machine and the modular operation is performed with the laser cutting machine. In FIG. 16, a thin metal thin film plate can be used as the substrate means without using the metal belt 49, and the substrate means is used as the roll substrate 66 to perform the continuous process. Go through and make the solar cell in the manner described above. In this case, the powder printer 60 is not used because the solar cell is made by directly depositing on the roll substrate 66. Since the solar cell made can be made into a roll by a rolling process like the roll solar cell 69, the process is continuously performed. The roll substrate 66 is a thin metal thin film, in particular, stainless steel is an ideal material, and a thin aluminum foil can also be used. . The thickness shall be 0,1 mm or less. Since it is a metal plate material, the required amount of heat can be obtained by applying the electric current to the electrode roller 41 and the electrode roller 42, and heating. As shown in FIG. 17, a roll substrate 66b such as a roll substrate 66 may be added and installed, and a solar cell made by adding a roll solar cell 69b like the roll solar cell 69 may be wound. In this case, two metal thin film substrate means are simultaneously supplied to each chamber, so that the overlapped surface is not made of solar cell process, but the solar cell is made at the bottom and top side, which can double the work speed. Applied technology. Therefore, the superimposed metal thin film substrate is provided to float in each chamber so that each deposited TCS and hydrogen gas can evenly contact the upper and lower surfaces of the thin film substrate means. Of course, there is a method that can achieve the above effect, by wrapping two sheets of metal thin film substrate on one roll substrate means, unwinding two sheets together and supplying the same effect in each chamber, in which case two separate sheets A separate work is needed to wind the thin film substrate into one roll substrate.

바닥판(10) 좌측지주(11)
중간지주(12) 우측지주(13)
상단지주(14) 선반지주(15)
상단좌측롤러구성부(16) 상단우측롤러구성부(17)
롤러구성부(18) 롤러구성부(19)
벨트작업대(20) 냉각파이프수단(22)
접합부(25) 연결관(28)
연결관(29) 석영성형판(30)
벨트홈(31) 챔버기밀홈(35)
챔버기밀홈(36) 전극롤러(41)
전극회전축(41a) 단자박스(42b)
전극리시버(41c) 전극롤러(42)
전극회전축(42a) 단자박스(42b)
전극리시버(42c) 연결롤러(43)
구동롤러(44) 구동모터(47)
금속벨트(49) 지주수단(50)
세정조(51), (54), (57) 구동모터(52), (55), (58)
세정브러시(53), (56), (59) 분말프린터(60)
실리콘나노분말(60c) 내부공간부(62)
데벌로퍼롤러(63) 기판수단(64)
가열기판(65) 롤기판(66)(66b)
롤기판(67), (67b) 롤태양전지(68), (68b)
롤태양전지(69), (69b) 안전챔버(70)
벨트홈(73) 내부공간부(75)
연결관구멍(76) 연결관구멍(77)
연결관(78) 연결관(79)
전극증착챔버(80) 전극증착(80c)
내부공간부(80a), (81a), (82a), (83a), (84a), (85a)
P형실리콘증착챔버(81) P형실리콘증착(81c)
N형실리콘증착챔버(82) N형실리콘(82c)
반사방지막증착챔버(83) 반사방지막(83c)
전극증착챔버(84) 전극증착(84c)
증착챔버수단(85) 보조테이블(90)
레이져컷팅기(91) 로보트이송수단(95)
적재수단(97) 적재함(98)
태양전지(99) 태양전지증착기계(100)
단면표시부(a) 벨트홈(b)
벨트홈(c) 연결관(d), (e)Bottom plate (10) Left column (11)
Middle Holding (12) Right Holding (13)
Upper column (14) Shelf column (15)
Top left roller configuration (16) Top right roller configuration (17)
Roller Constitution (18) Roller Constitution (19)
Belt workbench 20 Cooling pipe means 22
Joint (25) Connector (28)
Connector (29) Quartz Molding Plate (30)
Belt Groove (31) Chamber Airtight Groove (35)
Chamber airtight groove (36) Electrode roller (41)
Electrode rotating shaft 41a terminal box 42b
Electrode Receiver 41c Electrode Roller 42
Electrode rotating shaft 42a terminal box 42b
Electrode receiver 42c, connection roller 43
Drive Roller (44) Drive Motor (47)
Metal Belt (49) Shoring Means (50)
Cleaning tanks 51, 54, 57 Drive motors 52, 55, 58
Cleaning Brush (53), (56), (59) Powder Printer (60)
Silicon nano powder (60c) inner space 62
Decal loafer roller 63, substrate means 64
Heating Board 65, Roll Board 66, 66b
Roll substrates 67 and 67b Roll solar cells 68b and 68b
Roll solar cell 69, 69b safety chamber 70
Belt groove (73) Inner space (75)
Connector Hole (76) Connector Hole (77)
Connector (78) Connector (79)
Electrode Deposition Chamber (80) Electrode Deposition (80c)
Internal space 80a, 81a, 82a, 83a, 84a, 85a
P type silicon deposition chamber (81) P type silicon deposition (81c)
N type silicon deposition chamber 82 N type silicon 82c
Anti-reflection film deposition chamber 83 Anti-reflection film 83c
Electrode Deposition Chamber (84) Electrode Deposition (84c)
Deposition chamber means (85) Auxiliary table (90)
Laser cutting machine (91) Robot transport means (95)
Loading means (97) Loading box (98)
Solar Cell (99) Solar Cell Deposition Machine (100)
Section display part (a) Belt groove (b)
Belt groove (c) Connector (d), (e)

Claims (33)

좌측에서 우측으로 긴 바닥판(10)의 위에 수직으로 세운 좌측지주(11), 중간지주(12), 우측지주(13)가 구비되고, 상단부에 그들을 잇는 상단지주(14)로 연결되어 있으며, 상단지주(14)의 양끝 부의 상단좌측롤러구성부(16)에는 전극롤러(41)가 구비되고, 상단우측롤러구성부(17)에는 전극롤러(42)가 구비되고, 전극롤러(41), 전극롤러(42)는 자체가 전극으로 사용하기 위하여 전류가 잘 통하는 금속소재수단으로 하고 특히 스테인리스 계열 소재인 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The left column 11, the middle column 12, the right column 13, which are vertically erected on the long bottom plate 10 from left to right, are provided and connected to the upper column 14 connecting them to the upper end. An electrode roller 41 is provided at the upper left roller configuration 16 at both ends of the upper end support 14, an electrode roller 42 is provided at the upper right roller configuration 17, and an electrode roller 41, The electrode roller 42 is a solar cell and a machine made of gas silicon deposition, which is a metal material means through which current is well used for use as an electrode, and in particular, a stainless steel material. 전극롤러(41), 전극회전축(41a), 전극롤러(42), 전극회전축(42a)은 좌측지주(11), 중간지주(12), 우측지주(13), 상단지주(14)에 전기적으로 절연되어 있으며, 상단지주(14)의 양 단에 각 각 구비된 단자박스(42b), 단자박스(42b)에서 전극리시버(41c), 전극리시버(42c)로 전류를 공급받는 구조이며, 결과적으로 전극롤러(41)에는 플러스 전원, 전극롤러(42)에는 마이너스 전원의 낮은 전압에 높은 전류를 인가 할 수 있게 하여 결과적으로, 전극롤러(41), 전극롤러(42), 연결롤러(43), 구동롤러(44)에 채워진 금속벨트(49)의 일정구간을 가열할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The electrode roller 41, the electrode rotating shaft 41a, the electrode roller 42, and the electrode rotating shaft 42a are electrically connected to the left column 11, the intermediate column 12, the right column 13, and the upper column 14. It is insulated and has a structure in which a current is supplied to the electrode receiver 41c and the electrode receiver 42c from the terminal box 42b and the terminal box 42b respectively provided at both ends of the upper column 14. It is possible to apply a high current to the low voltage of the positive power supply to the electrode roller 41 and the negative power supply to the electrode roller 42. As a result, the electrode roller 41, the electrode roller 42, the connecting roller 43, A solar cell and a machine made of gas silicon deposition capable of heating a section of a metal belt 49 filled in a drive roller 44. 제 2항에 있어 전극롤러(41)와, 전극롤러(42)에 전원을 인가하여 전류를 흘러주면, 전극롤러(41)와 전극롤러(42)의 거리가 상대적으로 짧은 거리의 금속벨트(49)의 일정구 간인 전류가 흘러 고온으로 발열 되고, 길이가 긴 나머지 부분은 발열 되 되지 않거나 또는, 발열 온도가 낮은 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.According to claim 2, when the electric current flows by applying power to the electrode roller 41 and the electrode roller 42, the distance between the electrode roller 41 and the electrode roller 42 is a relatively short metal belt 49 Solar cell and machine made by gas silicon deposition that the current which is a certain period of time flows to high temperature and the rest of the long length does not generate heat or the heating temperature is low. 중간지주(12), 우측지주(13)의 중간부 일측에 각 각 연결롤러(43), 구동롤러(44)를 구비하였으며, 전극롤러(41), 전극롤러(42), 연결롤러(43)는 베어링에 의한 무동력, 무 부하 회전을 할 수 있는 구조의 롤러 수단이며, 상기 롤러 수단 중 한 개는 장력을 조절할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The connecting roller 43 and the driving roller 44 were provided on one side of the intermediate support 12 and the right support 13, respectively. The electrode roller 41, the electrode roller 42, and the connecting roller 43 were provided. Is a roller means having a structure capable of rotating without load and no load by a bearing, wherein one of the roller means is capable of regulating tension. 구동롤러(44), 또는, 연결롤러(43), 구동롤러(44), 전극롤러(41), 전극롤러(42), 연결롤러(43)중 한 개는 구동모터(47)에 의해 구동되며, 회전축에 구동모터(47)가 일체로 구비되며, 정밀한 속도 제어가 되는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.One of the driving roller 44, or the connecting roller 43, the driving roller 44, the electrode roller 41, the electrode roller 42, and the connecting roller 43 is driven by the driving motor 47. A solar cell and a machine made of gaseous silicon deposition, which is provided with a driving motor 47 integrally with a rotating shaft and is capable of precise speed control. 중간지주(12)와 우측지주(13)의 중간부의 일측에 서로 연결되는 지주수단(50)을 가로로 연결 구비하고, 세정브러시(53), 세정브러시(56), 세정브러시(59)을 구비하고, 각 각 구동모터(52), 구동모터(55), 구동모터(58)로 회전 구동할 수 있도록 구비되며, 그들의 구동으로 각 세정브러시는 회전 이송되는 금속벨트(49)를 세정할 수 있는 것으로 한다. 각 세정브러시(53), 세정브러시(56), 세정브러시(59)의 하단부에는 세정조(51), 세정조(54), 세정조(57)를 구비된 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.One side of the intermediate support 12 and the right support 13 is provided with horizontally connected strut means 50 connected to each other, and provided with a cleaning brush 53, a cleaning brush 56, and a cleaning brush 59. And, each of the drive motor 52, the drive motor 55, the drive motor 58 is provided so as to rotationally drive, each of the cleaning brush to drive the cleaning of the metal belt 49 is rotated conveyed Shall be. Solar cells made of gas silicon deposition having a cleaning tank 51, a cleaning tank 54, and a cleaning tank 57 at lower ends of the cleaning brush 53, the cleaning brush 56, and the cleaning brush 59. And machine. 벨트작업대(20)는 금속수단이 바람직하며, 석영성형판(30)은 석영유리로서 그 사용온도가 1000도 이상의 온도에서 사용할 수 있는 것으로 하고, 접합부(25)에서 볼트 수단으로 조립하여 사용하며, 벨트작업대(20)에는 냉각 기능의 냉각파이프수단(22)이 구비된 것으로 하여, 석영성형판(30)에 열을 흡수할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계. The belt worktable 20 is preferably a metal means, and the quartz molding plate 30 is quartz glass, and the use temperature thereof can be used at a temperature of 1000 degrees or more, and is assembled and used as a bolt means at the junction portion 25, The belt worktable 20 is provided with a cooling pipe means 22 having a cooling function, and a solar cell and a machine made of gas silicon deposition capable of absorbing heat in the quartz molding plate 30. 석영성형판(30)의 윗면에는 벨트홈(31)이 구비되어 그 넓이는 금속벨트(49)의 폭과 같고 높이는 금속벨트(49)의 두께와 같거나 또는 조금 낮은 것으로 하여, 금속벨트(49)가 벨트홈(31)안에 구비되어 조립되며, 회전 이송될 수 있는 것으로 하며, 또는 때에 따라, 벨트홈(31)을 없이 석영성형판(30)을 구비하여 그 윗면에 금속벨트(49)가 놓여서 구비될 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The upper surface of the quartz molding plate 30 is provided with a belt groove 31, the width of which is equal to the width of the metal belt 49 and the height is equal to or slightly lower than the thickness of the metal belt 49. ) Is provided in the belt groove 31 and assembled, and can be rotated, or in some cases, provided with a quartz molding plate 30 without the belt groove 31, the metal belt 49 on the upper surface A solar cell and machine made of gaseous silicon deposition that can be placed and provided. 벨트홈(31), 금속벨트(49)의 폭이 만들고자 하는 태양전지의 폭과 같거나 비슷하며, 대면적의 태양전지를 만들 고자 할 때는 벨트홈(31), 금속벨트(49)와 그에 구비되는 구성들의 폭을 크게 하여 만들 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계. The width of the belt groove 31 and the metal belt 49 is the same as or similar to the width of the solar cell to be made. When making a large area solar cell, the belt groove 31 and the metal belt 49 are provided. Solar cells and machines made of gaseous silicon deposition, which can be made wider in configuration. 석영성형판(30)의 폭에 대한 양쪽의 끝 부의 근처에는 챔버기밀홈(35), 챔버기밀홈(36)이 각 각 구비되어 있어, 안전챔버(70)를 포함한 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)의 하단부의 가장자리가 조립되어 기밀이 되는 홈 수단인 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The chamber hermetic groove 35 and the chamber hermetic groove 36 are respectively provided near the ends of both sides of the quartz molding plate 30, and the electrode deposition chamber 80 including the safety chamber 70, The edges of the lower ends of the P-type silicon deposition chamber 81, the N-type silicon deposition chamber 82, the anti-reflection film deposition chamber 83, the electrode deposition chamber 84, and the deposition chamber means 85 are assembled to be airtight. Solar cells and machines made by gas silicon deposition as a means. 석영성형판(30)의 윗면에 프린팅분말(60c), 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)을 조립하며, 모두 하단부의 가장자리가 챔버기밀홈(35)에 조립되어 기밀을 요하게 되며, 금속벨트(49)가 지나가는 b, c에서는 작은 틈이 생기며, 그 트을 최소화하여 구성하는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.Printing powder 60c, electrode deposition chamber 80, P-type silicon deposition chamber 81, N-type silicon deposition chamber 82, anti-reflection film deposition chamber 83, electrode deposition on the upper surface of the quartz molding plate 30 The chamber 84, the deposition chamber means 85 are assembled, and both edges of the lower end are assembled in the chamber hermetic groove 35 to require airtightness, and a small gap is generated in b and c through which the metal belt 49 passes. A solar cell and a machine made of gaseous silicon deposition by minimizing the structure. 안전챔버(70)수단으로 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)등을 모두 덮어 연결관(78), 연결관(79)으로 불활성 가스를 채워 전극증착챔버(80), P형실리콘증착챔버(81), N형실리콘증착챔버(82), 반사방지막증착챔버(83), 전극증착챔버(84), 증착챔버수단(85)보다 조금 큰 상압을 유지하여 상기 챔버들의 벨트홈(b), 벨트홈(c)에서 작업가스인 TCS가 새지 못하도록 하는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The electrode deposition chamber 80, the P-type silicon deposition chamber 81, the N-type silicon deposition chamber 82, the anti-reflection film deposition chamber 83, the electrode deposition chamber 84, and the deposition chamber means as the safety chamber 70 means. Cover all of the 85 and the like, and fill the inert gas with the connecting tube 78 and the connecting tube 79 to form the electrode deposition chamber 80, the P-type silicon deposition chamber 81, the N-type silicon deposition chamber 82, and the anti-reflection film. Maintaining a normal pressure slightly larger than the deposition chamber 83, the electrode deposition chamber 84, and the deposition chamber means 85 to prevent the TCS, which is the working gas, from leaking from the belt grooves b and the belt grooves c of the chambers. Solar cells and machines made with a gas silicon deposition. 분말프린터(60)로 실리콘 분말 프린팅 작업을 하는 것으로 분말프린터(60)의 데벌로퍼롤러(63)에 마이너스 성분을 띠게 하여 분말이 데벌로퍼롤러(63)에 의해 나오면서 마이너스 성질을 가져 플러스 성질을 띠고 있는 금속벨트(49)에 달라붙게 되며, 분말의 입자가 나노 분말인 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계. Silicon powder printing by the powder printer (60) by applying a negative component to the developer roller (63) of the powder printer 60, the powder comes out by the developer roller (63) and has a negative property to have a positive property A solar cell and a machine made by gaseous silicon deposition, wherein the particles of the powder are nano-powder that will stick to the metal belt 49. 제 13항의 분말프린터(60)는 호 퍼 수단으로 대체하고 호 퍼 수단에서 아래 입구로 분말이 금속벨트(49)위로 흘러내리거나, 또는. 호 퍼 수단에 구비된 스크루 수단으로 정밀하게 분말을 공급받는 것과, 또는, 흘러내린 분말을 막대 수단이나 롤러 수단으로 펴서 높낮이를 조절할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The powder printer (60) of claim 13 is replaced by a hopper means and powder flows down the metal belt (49) from the hopper means to the bottom inlet, or. A solar cell and a machine made of gaseous silicon deposition in which powder is precisely supplied by a screw means provided in the hopper means, or by adjusting the height by spreading the flowed powder by a rod means or a roller means. 13항에 있어서 금속벨트(49)위에 고루 펴진 분말수단을 성형 된 롤러 수단으로 눌러 이랑과 고랑을 가진 3차원적인 모양을 하게 되는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The solar cell and machine according to claim 13, wherein the powder means spread evenly on the metal belt (49) is pressed by a molded roller means to form a three-dimensional shape with a ridge and a furrow. 13항에 있어서 분말수단이 전기 전도가 되는 흑연분말, 카본 분말을 포함한 각 금속 분말수단인 것과 세라믹 류의 분말 소재인 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The solar cell and the machine according to claim 13, wherein the powder means is a metal powder means including graphite powder and carbon powder which are electrically conductive, and a powder material of ceramics. 금속벨트(49)위에 실리콘나노분말(60c)의 역할은 금속벨트(49)위에 태양전지를 연속적으로 증착 구비하는 공정 끝에서 만들어진 태양전지를 금속벨트(49)에서 쉽게 떼어낼 수 있는 것으로 하며, 다음 공정에서 고순도의 진성 TCS로 증착 공정을 하면 고순도의 폴리 실리콘을 연속으로 만들 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The role of the silicon nanopowder 60c on the metal belt 49 is that the solar cell made at the end of the process of continuously depositing the solar cell on the metal belt 49 can be easily removed from the metal belt 49. A solar cell and a machine made of gas silicon deposition, in which a high purity intrinsic TCS is used in the following process to produce polysilicon of high purity continuously. 가열된 금속벨트(49)위에 각 챔버 수단 등의 증착 공정에서, 실리콘나노분말(60c), 전극증착(80c), P형실리콘증착(81c), N형실리콘(82c), 반사방지막(83c), 전극증착(84c)순으로 공정을 한 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.In the deposition process of the chamber means or the like on the heated metal belt 49, silicon nano powder 60c, electrode deposition 80c, P-type silicon deposition 81c, N-type silicon 82c, and anti-reflection film 83c. Solar cell and machine made by gaseous silicon deposition which processed in order of electrode deposition (84c). 가열된 금속벨트(49)위에 각 챔버 수단 등의 증착 공정에서, 실리콘나노분말(60c), 전극증착(80c), P형실리콘증착(81c), i형실리콘, N형실리콘(82c), 반사방지막(83c), 전극증착(84c)순으로 공정을 한 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.Silicon nanopowder 60c, electrode deposition 80c, P-type silicon deposition 81c, i-type silicon, N-type silicon 82c, reflection in the deposition process of each chamber means or the like on the heated metal belt 49 A solar cell and a machine made of gaseous silicon deposition in which the process is performed in order of the prevention film (83c) and electrode deposition (84c). 가열된 금속벨트(49)위에 각 챔버 수단 등의 증착 공정에서, 금속분말, P형실리콘증착(81c), i형실리콘, N형실리콘(82c), 반사방지막(83c), 전극증착(84c)순으로 공정을 한 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.Metal powder, P-type silicon deposition 81c, i-type silicon, N-type silicon 82c, anti-reflection film 83c, electrode deposition 84c in the deposition process of each chamber means or the like on the heated metal belt 49. Solar cell and machine made of gaseous silicon deposition which processed in order. 상기의 증착 두께는 200um의 이내에서 자유롭게 선택하여 작업할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The deposition thickness of the solar cell and the machine made by the gas silicon deposition that can be freely selected and working within 200um. 금속벨트(49)위에 얇은 유리, 세라믹류, 또는, 금속류의 기판 수단을 올려놓고 그 기판 수단 위에 분말인쇄를 하고 각 증착 공정으로 태양전지를 만들 수 있는 것과, 분말인쇄를 하지 않고 직접 각 증착 공정으로 태양전지를 만들 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계. A thin glass, ceramic, or metal substrate means is placed on the metal belt 49, and powder printing is performed on the substrate means, and a solar cell can be produced by each deposition process, and each deposition process is performed without powder printing. Solar cell and machine made by gas silicon deposition that we can make solar cell with. 제22항에 있어서, 기판수단이 태양전지와 일체로 구비될 때 기판수단을 전기전도가 좋은 금속소재로 하여 전극으로 사용하는 것과, 그 금속 소재가 스테인리스, 알루미늄일 수 있으며, 그 두께가 0.1mm 이하 인 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.23. The method of claim 22, wherein when the substrate means is integrally provided with the solar cell, the substrate means is used as an electrode having a good electrical conductivity, and the metal material may be stainless steel or aluminum, and the thickness thereof is 0.1 mm. Solar cell and machine made from gaseous silicon deposition as below. 금속벨트(49)를 가열하지않고, 두꺼운 열량을 보유한 가열기판을 예열 로에서 가열하고, 가열기판에 태양전지에 사용할 기판을 올려서 같이 금속벨트(49)위에 올려놓고 증착 공정을 하여, 필요한 열량을 가열기판수단에서 얻는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.Without heating the metal belt 49, a heating substrate having a large amount of heat is heated in a preheating furnace, a substrate to be used for the solar cell is placed on the heating substrate, and the deposition process is performed by placing the substrate on the metal belt 49 together. Solar cells and machines made from gaseous silicon deposition obtained from heating substrate means. 제24항에 있어서 가열기판은 대면적의 금속 및 세라믹 류의 가열기판일 수 있으며, 두께의 범위는 3mm에서부터 200mm의 이내에서 두께를 사용할 수 있으며, 가로 세로 크기가 약 100mm?100mm에서 3000mm?3200mm크기를 가지며, 기판은 유리기판 및 얇은 금속기판으로 대면적 기판인 것으로 하며, 크기가 약 약 100mm?100mm에서 3000mm?3200mm크기를 가지는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The method of claim 24, the heating substrate may be a large-area metal and ceramic heating substrate, the thickness range can be used within the range of 3mm to 200mm, the horizontal and vertical size is about 100mm ~ 100mm to 3000mm ~ 3200mm A solar cell and a machine having a size, wherein the substrate is a glass substrate and a thin metal substrate, and is a large-area substrate, and has a size of about 100 mm to 100 mm to 3000 mm to 3200 mm. 태양전지 기판소재가 세라믹 소재로 그 자체가 두꺼워 예열할 경우 충분한 열량을 보유할 수 있는 정도의 소재를 불활성 분위기의 예열 로에서 가열하여 금속벨트(49)위에 올려놓고 각 증착 공정으로 태양전지를 만드는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.If the solar cell substrate material is made of ceramic material itself and is preheated, the material that can hold enough heat is heated in a preheating furnace in an inert atmosphere and placed on the metal belt 49 to make a solar cell by each deposition process. Solar cells and machines made of one gas silicon deposition. 제24항, 제25항의 작업을 할 때에는 금속벨트(49)가 철망소재의 벨트 수단으로 사용할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.A solar cell and a machine made of gas silicon deposition in which the metal belt (49) can be used as a belt means of wire mesh material when performing the work according to claim 24 or 25. 기판수단으로 얇은 금속 박막 판을 사용하는 것과, 기판수단에 사용할 수 있으며, 연속공정을 할 수 있도록 기판수단이 롤기판(66)으로 하여, 그 표면 위에 직접 각 챔버 수단의 과정을 거치면서 증착 공정으로 태양전지를 만들 수 있으며, 만들어진 태양전지는 롤태양전지(69)처럼 감는 공정으로 롤로 만드는 것으로
연속 공정으로 작업을 하는 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.It is possible to use a thin metal thin plate as the substrate means, and it can be used for the substrate means, and the substrate means is a roll substrate 66 so that the continuous process can be performed. Solar cells can be made, and the made solar cells are made of rolls by the winding process like roll solar cells (69).
Solar cells and machines made from gaseous silicon deposition that work in a continuous process. 롤기판(66)은 얇은 금속 박막이며, 특히 스테인리스가 이상적인 재료이며, 얇은 알루미늄 박도 사용할 수 있으며, 그 두께는 0,1mm이하인 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The roll substrate 66 is a thin metal thin film, in particular, stainless steel is an ideal material, and a thin aluminum foil can also be used, and the thickness of the solar cell and the machine made by gas silicon deposition is less than 0,1 mm. 두 장의 금속 기판을 감아 만든 한 개의 롤기판에서, 두 장의 박막 기판을 포개어 각 챔버에 공급할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.A solar cell and machine made of a gas silicon deposition, in which a single roll substrate is formed by winding two metal substrates, and two thin substrates are stacked and supplied to each chamber. 롤 기판을 두 개 구비하여 각 롤기판의 금속 박막기판을 포개어 각 챔버내에 공급할 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.A solar cell and a machine made of gas silicon deposition provided with two roll substrates to superimpose the metal thin film substrates of each roll substrate and supply them into each chamber. 2장이 포개진 금속 박막기판은 각 챔버내에서 윗면과 아랫면이 떠 있는 형국으로 윗면과 아랫면엔 TCS및 수소가스가 고르게 닿을 수 있으며, 빠르게 그 주변을 흐를 수 있는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.The two superimposed metal thin-film substrates are top and bottom floating in each chamber, and TCS and hydrogen gas can be evenly contacted on the top and bottom, and can flow quickly around them. And machine. 2장이 포개져 있는 부위는 TCS가 닿을 수 없어, 태양전지가 증착으로 만들어 지지 않는 것으로 한 가스 실리콘 증착으로 만든 태양전지 및 기계.

Solar cell and machine made by gaseous silicon vapor deposition that the part where two pieces are stacked cannot reach TCS, and solar cell is not made by vapor deposition.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120118461A (en) * 2010-01-21 2012-10-26 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 Method for depositing an antireflective layer on a substrate

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KR20120118461A (en) * 2010-01-21 2012-10-26 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 Method for depositing an antireflective layer on a substrate

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