KR20120050218A - Circuit and method for failure detection - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An error detecting circuit and method are provided to protect a base of a transistor by connecting a resistance between one or more comparators and the transistor and controlling a current applied to the base of the transistor. CONSTITUTION: A light emitting device array(220) comprises one or more strings. A detecting resistance(230) is parallely connected to the light emitting device array. A comparator(240) determines error of the light emitting device array by comparing detecting voltage applied to the detecting resistance with reference voltage. A transistor(250) outputs an error detecting signal based on a determination result of the comparator. A controller(260) stops operation of a light emitting device deriving integrated circuit when receiving the error detecting signal.

Description

오류 검출 회로 및 방법{CIRCUIT AND METHOD FOR FAILURE DETECTION}Fault detection circuit and method {CIRCUIT AND METHOD FOR FAILURE DETECTION}

본 발명의 실시예들은 발광소자 어레이의 오류(fault)를 감지하는 오류 검출 회로 장치 및 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention are directed to an error detection circuit arrangement and method for detecting faults in an array of light emitting devices.

화합물 반도체 재료를 사용하는 발광소자(Light Emitting Diode; LED)는 다양한 색의 발광원을 구현할 수 있다.Light emitting diodes (LEDs) using compound semiconductor materials can implement light emitting sources of various colors.

일반적으로 발광소자는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다. In general, a light emitting device is an electronic component that generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a p-n junction structure of a semiconductor and emits light by recombination thereof.

예를 들어, 발광소자가 결합된 구조체는 실내외 조명 장치, 자동차 헤드 라이트, 자동차 실내등, LCD(Liquid Crystal Display)의 백라이트 유닛(back light unit) 등 다양한 분야로 확대되고 있다.For example, a structure in which a light emitting device is coupled is being expanded to various fields such as an indoor / outdoor lighting device, a car headlight, a car interior light, a back light unit of a liquid crystal display (LCD), and the like.

또한, 발광소자는 다른 광원에 비하여 친환경적인 소재로 생산되기 때문에 사용자들의 친환경적인 제품을 선호하는 경향에 따라 대중화 되는 추세이다.In addition, since the light emitting device is produced in an environment-friendly material compared to other light sources, it is a trend to popularize according to the user's preference for an environment-friendly product.

다수의 발광소자로 이루어진 발광소자 어레이(LED array)는 발광소자 드라이버(LED driver)의 제어에 따라 다양한 형태로 발광될 수 있으며, 다수의 발광소자가 결합된 만큼 발광소자의 전류의 흐름을 제어할 수 있는 회로가 필요하다.A light emitting device array (LED array) consisting of a plurality of light emitting devices can emit light in various forms according to the control of a light emitting device driver (LED driver), and as the plurality of light emitting devices are combined, it can control the flow of current of the light emitting device. You need a circuit that can.

예를 들어, 발광소자 어레이는 정전류 발광소자 드라이버를 사용하는 경우, 발광소자 구동 중 개방(Open) 또는 단락(Short) 등의 오류에 의하여 일부 발광소자가 동작하지 않아도, 직병렬 구조로 이루어져 있어 다른 발광소자로 전류가 흐르기 때문에 정상적으로 동작 할 수 있도록 구성할 수 있다.For example, when the light emitting device array uses a constant current light emitting device driver, even though some light emitting devices do not operate due to an error such as an open or a short while the light emitting device is being driven, the light emitting device array has a parallel structure. Since the current flows to the light emitting device, it can be configured to operate normally.

정전류 발광소자 드라이버가 구성된 발광소자 회로는 상기와 같이 오류가 발생한 발광소자를 검출할 수 없기 때문에 추가적인 조치를 취할 수 없으므로, 개방 또는 단락된 발광소자를 검출할 수 있는 회로를 개발할 필요가 있다.Since a light emitting device circuit configured with a constant current light emitting device driver cannot detect additional light emitting devices having an error as described above, no additional measures can be taken, and thus a circuit capable of detecting open or shorted light emitting devices needs to be developed.

본 발명의 일실시예는 발광소자의 오류(Fail)를 감지함으로써, 발광소자의 전원을 오프(OFF)하거나 외부로 오류 감지 신호를 송신하여 발광소자 어레이의 배광 규격을 만족시키는 것을 목적으로 한다.An embodiment of the present invention is to satisfy the light distribution standard of the light emitting device array by detecting a failure of the light emitting device, by turning off the power of the light emitting device or by transmitting an error detection signal to the outside.

본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 회로는 하나 이상의 발광소자가 직렬로 연결된 하나 이상의 스트링(string)을 포함하고 상기 하나 이상의 스트링은 병렬로 연결되는 발광소자 어레이(array), 상기 발광소자 어레이에 병렬로 연결되는 감지 저항, 상기 감지 저항에 인가되는 감지 전압과 기준 전압을 비교하여 상기 발광소자 어레이의 오류 여부를 판단하는 비교기 및 상기 비교기의 판단 결과를 기반으로 오류 감지 신호를 출력하는 트랜지스터를 포함한다.An error detection circuit according to an embodiment of the present invention includes one or more strings in which one or more light emitting devices are connected in series, and the one or more strings are connected in parallel to the light emitting device array and the light emitting device array. A sense resistor connected in parallel, a comparator comparing the sense voltage applied to the sense resistor with a reference voltage to determine whether the light emitting device array is in error, and a transistor configured to output an error sense signal based on a determination result of the comparator do.

본 발명의 일측에 따른 비교기는 상기 발광소자 어레이의 오류 여부에 따른 감지 전압의 변화를 상기 기준 전압과 비교하여 상기 오류 여부를 판단할 수 있다.The comparator according to one embodiment of the present invention may determine the error by comparing the change of the sensed voltage according to the error of the light emitting device array with the reference voltage.

본 발명의 일측에 따른 비교기는 상기 하나 이상의 스트링이 개방(open)된 것으로 판단하는 제1 기준 전압이 인가되는 제1 비교기 및 상기 하나 이상의 스트링이 단락(short)된 것으로 판단하는 제2 기준 전압이 인가되는 제2 비교기를 포함한다.According to an aspect of the present invention, a comparator includes a first comparator to which a first reference voltage is determined that the at least one string is opened, and a second reference voltage to determine that the at least one string is short. And a second comparator applied.

본 발명의 일측에 따르면 상기 감지 전압이 상기 제1 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 비교기는 상기 오류 감지 신호를 상기 트랜지스터로 전송하고, 상기 제2 비교기는 그라운드(GND) 신호를 상기 트랜지스터로 전송할 수 있다. According to an aspect of the present invention, when the sense voltage is higher than the first reference voltage, the first comparator transmits the error detection signal to the transistor, and the second comparator transmits a ground (GND) signal to the transistor. Can be.

본 발명의 일측에 따르면 상기 감지 전압이 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우, 상기 제2 비교기는 상기 오류 감지 신호를 상기 트랜지스터로 전송하고, 상기 제1 비교기는 그라운드(GND) 신호를 상기 트랜지스터로 전송할 수 있다.According to an aspect of the present invention, when the sense voltage is lower than the second reference voltage, the second comparator transmits the error detection signal to the transistor, and the first comparator transmits a ground (GND) signal to the transistor. Can be.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 상기 제1 비교기와 상기 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 오류 감지 신호가 상기 트랜지스터로 전송되도록 제어하는 제1 다이오드 및 상기 제2 비교기와 상기 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 오류 감지 신호가 상기 트랜지스터로 전송되도록 제어하는 제2 다이오드를 더 포함한다.An error detection circuit according to an aspect of the present invention is connected between the first comparator and the transistor, is connected between the first diode and the second comparator and the transistor for controlling the error detection signal is transmitted to the transistor, And a second diode for controlling the error detection signal to be transmitted to the transistor.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 상기 오류 감지 신호를 수신한 경우, 상기 발광소자 어레이에 연결된 발광소자 구동 드라이버 직접회로(Driver IC)의 동작을 정지시키는 제어부를 더 포함할 수 있다.The error detection circuit according to an embodiment of the present invention may further include a controller for stopping the operation of a light emitting device driver driver IC connected to the light emitting device array when the error detection signal is received.

본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 방법은 하나 이상의 발광소자가 연결된 발광소자 어레이(array)에 병렬로 연결된 감지 저항으로 인가되는 감지 전압을 감지하는 단계, 상기 감지 저항에 인가되는 감지 전압과 기준 전압을 비교하여 상기 발광소자 어레이의 오류 여부를 판단하는 단계 및 상기 판단 결과를 기반으로 오류 감지 신호를 출력하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, an error detection method includes detecting a sensing voltage applied to a sensing resistor connected in parallel to an array of light emitting devices to which one or more light emitting devices are connected, and a sensing voltage and a reference applied to the sensing resistor. Comparing the voltages to determine whether the light emitting device array is in an error state and outputting an error detection signal based on the determination result.

본 발명의 일측에 따른 상기 발광소자 어레이는 상기 하나 이상의 발광소자가 직렬로 연결된 하나 이상의 스트링(string)을 포함하고, 상기 하나 이상의 스트링이 서로 병렬로 연결된다.The light emitting device array according to one aspect of the present invention includes one or more strings in which the one or more light emitting devices are connected in series, and the one or more strings are connected in parallel with each other.

본 발명의 일실시예에 따르면 발광소자의 오류(Fail)를 감지함으로써, 발광소자의 전원을 오프(OFF)하거나 외부로 오류 감지 신호를 송신하여 발광소자 어레이의 배광 규격을 만족시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by detecting a failure of the light emitting device, the light emitting device may satisfy the light distribution standard of the light emitting device array by turning off the power of the light emitting device or transmitting an error detection signal to the outside.

도 1은 본 발명의 일실시예에 오류 검출 회로의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 회로를 도시한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 오류 검출 회로를 도시한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 오류 검출 회로를 도시한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 어레이의 오류 검출 방법을 도시한 흐름도이다.1 is a block diagram showing the configuration of an error detection circuit in an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram illustrating an error detection circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram illustrating an error detection circuit according to another embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram illustrating an error detection circuit according to another embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating an error detection method of a light emitting device array according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments.

한편, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.On the other hand, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. The terminology used herein is a term used for appropriately expressing an embodiment of the present invention, which may vary depending on the user, the intent of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of the terms should be made based on the contents throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 회로의 구성을 도시한 블록도이다.1 is a block diagram showing the configuration of an error detection circuit according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 회로(100)는 전원(110), 발광소자 어레이(120), 감지 저항(130), 비교기(140), 트랜지스터(150) 및 제어부(160)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, the error detection circuit 100 according to an embodiment of the present invention may include a power supply 110, a light emitting element array 120, a sensing resistor 130, a comparator 140, a transistor 150, and a controller. It consists of 160.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로(100)는 전원(110)을 통하여 전류를 공급함으로써, 발광소자 어레이(120)에 포함된 다수의 발광소자가 발광시킬 수 있다.In the error detection circuit 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting devices included in the light emitting device array 120 may emit light by supplying a current through the power supply 110.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로(100)는 발광하는 하나 이상의 발광소자로 이루어진 발광소자 어레이(120) 중 어느 하나 이상의 발광소자가 개방(open) 또는 단락(short) 등으로 인해 오류가 발생된 경우, 상기 발광소자 어레이의 오류 여부를 검출함에 따라 생성되는 오류 감지 신호를 출력 함으로써, 사용자가 신속하게 회로를 점검 할 수 있도록 한다.In the error detection circuit 100 according to an embodiment of the present invention, any one or more light emitting devices of the light emitting device array 120 including one or more light emitting devices that emit light may generate an error due to an open or a short. In this case, an error detection signal generated by detecting an error of the light emitting device array is output, so that the user can quickly check the circuit.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 회로를 도시한 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating an error detection circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 일측에 따른 발광소자 어레이(220)는 하나 이상의 발광소자가 직렬로 연결된 하나 이상의 스트링(string)으로 구성될 수 있으며, 상기 하나 이상의 스트링이 병렬로 연결되어 있기 때문에 전원(210)으로부터 공급되는 전류를 일정하게 분배 받도록 설계할 수 있다.The light emitting device array 220 according to an embodiment of the present invention may be composed of one or more strings connected to one or more light emitting devices in series, and are supplied from the power source 210 because the one or more strings are connected in parallel. It can be designed to receive a constant distribution of current.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 오류 검출 회로를 도시한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating an error detection circuit according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 일측에 따른 하나 이상의 스트링은 하나 이상의 발광소자만으로 구성될 수도 있으나, 도 3에 도시된 바와 같이 편차 저항(310)을 직렬로 연결함으로써 각 스트링으로 인가되는 전류의 양의 편차를 제어할 수도 있다.One or more strings according to one aspect of the present invention may be composed of only one or more light emitting elements, but as shown in FIG. 3, the deviation resistor 310 may be connected in series to control deviation of the amount of current applied to each string. It may be.

본 발명의 일측에 따른 하나 이상의 감지 저항(230)는 발광소자 어레이(220)에 병렬로 연결되고, 상기 하나 이상의 스트링으로 인가되는 전류 변화량을 감지할 수 있다.One or more sensing resistors 230 according to one embodiment of the present invention may be connected in parallel to the light emitting device array 220 and sense an amount of current change applied to the one or more strings.

예를 들어, 본 발명의 일측에 따른 발광소자 어레이의 오류 검출 회로는 일부 발광소자의 고장으로 일부 스트링이 단락된 경우, 발광소자 어레이(220)로 인가되는 전류의 양은 일정한 반면 단락된 스트링으로 인가되는 전류가 나머지 스트링으로 인가되기 때문에, 감지 저항(230)이 연결된 스트링을 포함한 나머지 스트링으로 분배되는 전류의 양은 늘어나게 된다.For example, in the error detection circuit of the light emitting device array according to one aspect of the present invention, when some strings are shorted due to a failure of some light emitting devices, the amount of current applied to the light emitting device array 220 is applied while being shorted. Since the current being applied to the remaining string is increased, the amount of current distributed to the remaining string including the string to which the sense resistor 230 is connected increases.

본 발명의 일측에 따른 하나 이상의 감지 저항(230)은 상기와 같이 일부 스트링의 단락으로 인해 증가된 전류의 변화량을 감지할 수 있으며, 결론적으로 감지된 전류의 변화량에 따라 증가된 감지 전압을 감지할 수 있다.One or more sensing resistors 230 according to one aspect of the present invention may detect the amount of change in the increased current due to the short circuit of some strings as described above, and consequently detect the increased sense voltage in accordance with the amount of change in the sensed current. Can be.

본 발명의 일측에 따른 하나 이상의 감지 저항(230)은 감지된 전류의 변화량에 대응하는 상기 증가된 감지 전압을 하나 이상의 비교기(240)로 전달한다.One or more sense resistors 230 according to one aspect of the present invention transfer the increased sense voltage corresponding to the amount of change in sensed current to one or more comparators 240.

또 다른 예로, 본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 일부 발광소자의 고장으로 일부 스트링이 개방된 경우, 발광소자 어레이(220)로 인가되는 전류의 양은 일정하나, 개방된 스트링으로 인해 특정 스트링으로 전류가 몰리는 현상이 일어 날 수 있다.As another example, the error detection circuit according to an embodiment of the present invention, when a portion of the string is opened due to a failure of some light emitting devices, the amount of current applied to the light emitting device array 220 is constant, but due to the open string to a specific string Current may be driven.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 상기와 같이 일부 스트링의 개방으로 인해 특정 스트링으로 전류가 몰리게 되어, 실질적으로 감지 저항(230) 자체로 인가되는 전류의 양이 줄어들게 되고, 하나 이상의 감지 저항(230)은 상기 전류의 변화량에 따르 감소된 감지 전압을 감지 할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the error detection circuit according to an embodiment of the present invention causes the current to be driven to a specific string due to the opening of some strings, thereby substantially reducing the amount of current applied to the sensing resistor 230 itself, and at least one sensing resistor ( 230 may detect the reduced sensing voltage according to the change amount of the current.

본 발명의 일측에 따른 하나 이상의 감지 저항(230)은 감지된 전류의 변화량에 대응하는 상기 감소된 감지 전압을 하나 이상의 비교기(240)로 전달한다.One or more sense resistors 230 in accordance with one aspect of the present invention deliver the reduced sense voltage corresponding to the amount of change in sensed current to one or more comparators 240.

본 발명의 일실시예에 따른 하나 이상의 비교기(240)는 발광소자 어레이(220)의 오류(fault) 여부를 판단하는 기준 전압이 인가된다.One or more comparators 240 according to an embodiment of the present invention are applied with a reference voltage for determining whether the LED array 220 is faulty.

본 발명의 일실시예에 따른 하나 이상의 비교기(240)는 상기 기준 전압과 상기 감지 전압을 비교하여 발광소자 어레이(220)의 오류 여부를 판단한다.At least one comparator 240 according to an embodiment of the present invention compares the reference voltage with the sensed voltage to determine whether the light emitting device array 220 is in error.

본 발명의 일측에 따른 하나 이상의 비교기(240)는 상기 하나 이상의 스트링의 개방 또는 단락 등의 오류 여부를 판단하는 제1 기교기(241) 및 제2 비교기(242)로 구성될 수 있다.One or more comparators 240 according to one embodiment of the present invention may be composed of a first finer 241 and a second comparator 242 for determining whether an error such as opening or shorting of the one or more strings.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일측에 따른 제1 비교기(241)는 상기 하나 이상의 스트링 중 어느 하나 이상이 개방(open)된 것으로 판단하는 제1 기준 전압을 5번 핀(pin)을 통하여 인가하고 6번 핀을 통하여 발광소자 어레이(220)의 상기 감지 전압을 인가한다.Referring to FIG. 2, the first comparator 241 according to an embodiment of the present invention applies a first reference voltage, which is determined that at least one of the one or more strings is open, through pin 5. The sensing voltage of the light emitting device array 220 is applied through the sixth pin.

본 발명의 일측에 따른 제1 비교기(241)는 상기 감지 전압을 상기 제1 기준 전압과 비교한 결과, 상기 감지 전압이 상기 제1 기준 전압보다 높은 경우, 발광소자 어레이(220)가 단락된 것으로 판단하여 오류 감지 신호를 트랜지스터(250)로 전송한다.The first comparator 241 according to an embodiment of the present invention compares the sensing voltage with the first reference voltage, and when the sensing voltage is higher than the first reference voltage, the light emitting device array 220 is short-circuited. In response, the error detection signal is transmitted to the transistor 250.

예를 들어, 본 발명의 일측에 따라 상기 감지 전압이 상기 제1 기준 전압보다 높은 경우, 제1 비교기(241)는 상기 오류 감지 신호를 트랜지스터(250)로 전송하고 제2 비교기(242)는 그라운드(GND) 신호를 트랜지스터(250)로 전송한다.For example, when the sensing voltage is higher than the first reference voltage according to one side of the present invention, the first comparator 241 transmits the error sensing signal to the transistor 250 and the second comparator 242 is grounded. The signal (GND) is transmitted to the transistor 250.

본 발명의 일측에 따른 제2 비교기(242)는 상기 하나 이상의 스트링 중 어느 하나 이상이 단락(short)된 것으로 판단하는 제2 기준 전압을 2번 핀을 통하여 인가하고 3번 핀을 통하여 발광소자 어레이(220)의 감지 전압을 인가한다.The second comparator 242 according to an aspect of the present invention applies a second reference voltage through pin 2 that determines that at least one of the one or more strings is shorted, and emits light emitting elements through pin 3. A sensing voltage of 220 is applied.

본 발명의 일측에 따른 제2 비교기(242)는 상기 감지 전압을 상기 제2 기준 전압과 비교한 결과, 상기 감지 전압이 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우, 발광소자 어레이(220)가 개방된 것으로 판단하여 오류 감지 신호를 트랜지스터(250)로 전송한다.The second comparator 242 according to the present invention compares the sensing voltage with the second reference voltage, and when the sensing voltage is lower than the second reference voltage, the light emitting device array 220 is opened. In response, the error detection signal is transmitted to the transistor 250.

예를 들어, 본 발명의 일측에 따라 상기 감지 전압이 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우, 제2 비교기(242)는 상기 오류 감지 신호를 트랜지스터(250)로 전송하고 제1 비교기(241)는 그라운드(GND) 신호를 트랜지스터(250)로 전송한다.For example, when the sense voltage is lower than the second reference voltage according to one side of the present invention, the second comparator 242 transmits the error detection signal to the transistor 250 and the first comparator 241 is grounded. The signal (GND) is transmitted to the transistor 250.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 오류 검출 회로를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating an error detection circuit according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 제1 비교기(241)와 트랜지스터(250) 사이에 다이오드(410)를 직렬로 연결하여 제2 비교기(242)로부터 출력되는 전류가 제1 비교기(241)로 인가되지 않도록 방지함으로써, 발광소자 어레이(220)의 오류 여부를 정확히 판단할 수 있다.Referring to FIG. 4, in the error detection circuit according to an embodiment of the present invention, a diode 410 is connected in series between the first comparator 241 and the transistor 250 so that the current output from the second comparator 242 is removed. By preventing the first comparator 241 from being applied, it is possible to accurately determine whether the light emitting device array 220 is in error.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 제2 비교기(242)와 트랜지스터(250) 사이에 다이오드(410)를 직렬로 연결하여 제1 비교기(241)로부터 출력되는 전류가 제2 비교기(242)로 인가되지 않도록 방지함으로써, 발광소자 어레이(220)의 오류 여부를 정확히 판단할 수 있다.In the error detection circuit according to an embodiment of the present invention, the diode 410 is connected in series between the second comparator 242 and the transistor 250 so that the current output from the first comparator 241 is transferred to the second comparator 242. By preventing it from being applied, it is possible to accurately determine whether the light emitting device array 220 is in error.

본 발명의 일실시예에 따른 트랜지스터(250)는 하나 이상의 비교기(240)의 판단 결과 발광소자 어레이(220)가 오류로 판단된 경우, 상기 오류 감지 신호를 제어부(260)로 전송한다.The transistor 250 according to an exemplary embodiment transmits the error detection signal to the controller 260 when the light emitting device array 220 is determined to be an error as a result of the determination of the one or more comparators 240.

본 발명의 일측에 따른 제어부(260)는 상기 오류 감지 신호를 수신한 경우, 발광소자 어레이(220)에 연결된 발광소자 구동 드라이버 직접회로(Driver IC)의 동작을 정지시킬 수도 있다.When the controller 260 receives the error detection signal, the controller 260 may stop the operation of the LED driver driver IC connected to the LED array 220.

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 하나 이상의 비교기(240)와 트랜지스터(250) 사이에 저항(420)을 연결함으로써, 트랜지스터(250)의 베이스로 인가되는 전류를 제어하여 베이스를 보호할 수도 있다. The error detection circuit according to an embodiment of the present invention may protect the base by controlling a current applied to the base of the transistor 250 by connecting a resistor 420 between the one or more comparators 240 and the transistor 250. .

본 발명의 일측에 따른 오류 검출 회로는 트랜지스터(250)의 베이스와 이미터 측에 병렬로 캐패시터(430)를 연결함으로써, 베이스 측으로 인가되는 전류 및 신호의 노이즈를 제거할 수도 있다.The error detection circuit according to an embodiment of the present invention may remove the noise of the current and the signal applied to the base side by connecting the capacitor 430 in parallel to the base and emitter side of the transistor 250.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 방법을 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating an error detection method according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 장치는 하나 이상의 발광소자가 연결된 발광소자 어레이(array)에 병렬로 연결된 감지 저항으로 인가되는 감지 전압을 감지한다(510).As illustrated in FIG. 5, the error detecting apparatus according to an embodiment of the present invention senses a sensing voltage applied to a sensing resistor connected in parallel to a light emitting element array to which one or more light emitting elements are connected (510).

이때, 본 발명의 일측에 따르면 상기 하나 이상의 발광소자 어레이는 상기 하나 이상의 발광소자가 직렬로 연결된 하나 이상의 스트링(string)을 포함하고, 상기 하나 이상의 스트링이 서로 병렬로 연결된다.In this case, according to one aspect of the present invention, the one or more light emitting device arrays include one or more strings in which the one or more light emitting devices are connected in series, and the one or more strings are connected in parallel with each other.

본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 장치는 상기 감지 저항에 인가되는 감지 전압과 기준 전압을 비교하여 상기 발광소자 어레이의 오류 여부를 판단한다(520).The error detection apparatus according to an embodiment of the present invention compares the sensing voltage applied to the sensing resistor with a reference voltage to determine whether the light emitting device array has an error (520).

본 발명의 일실시예에 따른 오류 검출 장치는 상기 판단 결과를 기반으로 오류 감지 신호를 출력한다(530).The error detection apparatus according to an embodiment of the present invention outputs an error detection signal based on the determination result (530).

본 발명에 따른 실시예들은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(Floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 본 발명의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.Embodiments according to the present invention may be implemented in the form of program instructions that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer readable medium may include program instructions, data files, data structures, etc. alone or in combination. The program instructions recorded on the medium may be those specially designed and constructed for the present invention or may be available to those skilled in the art of computer software. Examples of the computer-readable recording medium include magnetic media such as a hard disk, a floppy disk, and a magnetic tape; optical media such as CD-ROM and DVD; magnetic recording media such as a floppy disk; Magneto-optical media, and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include not only machine code generated by a compiler, but also high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware device described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operations of the present invention, and vice versa.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.In the present invention as described above has been described by the specific embodiments, such as specific components and limited embodiments and drawings, but this is provided to help a more general understanding of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments. For those skilled in the art, various modifications and variations are possible from these descriptions. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims as well as the claims to be described later will belong to the scope of the present invention. .

210: 전원
220: 발광소자 어레이
230: 감지 저항
240: 비교기
250: 트랜지스터
260: 제어부210: power
220: light emitting element array
230: sense resistor
240: comparator
250: transistor
260: control unit

Claims (9)

하나 이상의 발광소자가 직렬로 연결된 하나 이상의 스트링(string)을 포함하고상기 하나 이상의 스트링은 병렬로 연결되는 발광소자 어레이(array);
상기 발광소자 어레이에 병렬로 연결되는 감지 저항;
상기 감지 저항에 인가되는 감지 전압과 기준 전압을 비교하여 상기 발광소자 어레이의 오류 여부를 판단하는 비교기; 및
상기 비교기의 판단 결과를 기반으로 오류 감지 신호를 출력하는 트랜지스터
를 포함하는 오류 검출 회로.An array of light emitting devices in which at least one light emitting device comprises at least one string connected in series and the at least one string is connected in parallel;
A sensing resistor connected to the light emitting device array in parallel;
A comparator comparing the sensing voltage applied to the sensing resistor with a reference voltage to determine whether the light emitting device array is in an error state; And
A transistor for outputting an error detection signal based on a determination result of the comparator
Error detection circuit comprising a. 제1항에 있어서,
상기 비교기는 상기 발광소자 어레이의 오류 여부에 따른 감지 전압의 변화를 상기 기준 전압과 비교하여 상기 오류 여부를 판단하는 오류 검출 회로.The method of claim 1,
And the comparator determines the error by comparing the change of the sensed voltage according to the error of the light emitting device array with the reference voltage. 제2항에 있어서,
상기 비교기는,
상기 하나 이상의 스트링이 개방(open)된 것으로 판단하는 제1 기준 전압이 인가되는 제1 비교기; 및
상기 하나 이상의 스트링이 단락(short)된 것으로 판단하는 제2 기준 전압이 인가되는 제2 비교기
를 포함하는 오류 검출 회로.The method of claim 2,
The comparator,
A first comparator to which a first reference voltage is applied, which determines that the at least one string is open; And
A second comparator to which a second reference voltage is applied, which determines that the at least one string is shorted;
Error detection circuit comprising a. 제3항에 있어서,
상기 감지 전압이 상기 제1 기준 전압보다 높은 경우,
상기 제1 비교기는 상기 오류 감지 신호를 상기 트랜지스터로 전송하고,
상기 제2 비교기는 그라운드(GND) 신호를 상기 트랜지스터로 전송하는 오류 검출 회로.The method of claim 3,
When the sense voltage is higher than the first reference voltage,
The first comparator sends the error detection signal to the transistor,
And the second comparator transmits a ground (GND) signal to the transistor. 제3항에 있어서,
상기 감지 전압이 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우,
상기 제2 비교기는 상기 오류 감지 신호를 상기 트랜지스터로 전송하고,
상기 제1 비교기는 그라운드(GND) 신호를 상기 트랜지스터로 전송하는 오류 검출 회로.The method of claim 3,
When the sense voltage is lower than the second reference voltage,
The second comparator sends the error detection signal to the transistor,
And the first comparator transmits a ground (GND) signal to the transistor. 제3항에 있어서,
상기 제1 비교기와 상기 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 오류 감지 신호가 상기 트랜지스터로 전송되도록 제어하는 제1 다이오드; 및
상기 제2 비교기와 상기 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 오류 감지 신호가 상기 트랜지스터로 전송되도록 제어하는 제2 다이오드
를 더 포함하는 오류 검출 회로.The method of claim 3,
A first diode connected between the first comparator and the transistor to control the error detection signal to be transmitted to the transistor; And
A second diode coupled between the second comparator and the transistor to control the error detection signal to be transmitted to the transistor
Error detection circuit further comprising. 제1항에 있어서,
상기 오류 감지 신호를 수신한 경우, 상기 발광소자 어레이에 연결된 발광소자 구동 드라이버 직접회로(Driver IC)의 동작을 정지시키는 제어부
를 더 포함하는 오류 검출 회로.The method of claim 1,
When the error detection signal is received, the control unit to stop the operation of the LED driver driver integrated circuit (Driver IC) connected to the LED array
Error detection circuit further comprising. 하나 이상의 발광소자가 연결된 발광소자 어레이(array)에 병렬로 연결된 감지 저항으로 인가되는 감지 전압을 감지하는 단계;
상기 감지 저항에 인가되는 감지 전압과 기준 전압을 비교하여 상기 발광소자 어레이의 오류 여부를 판단하는 단계; 및
상기 판단 결과를 기반으로 오류 감지 신호를 출력하는 단계
를 포함하는 오류 검출 방법.Sensing a sensing voltage applied to a sensing resistor connected in parallel to a light emitting element array to which at least one light emitting element is connected;
Determining whether the light emitting device array is in error by comparing a sensing voltage applied to the sensing resistor with a reference voltage; And
Outputting an error detection signal based on the determination result
Error detection method comprising a. 제8항에 있어서,
상기 하나 이상의 발광소자 어레이는,
상기 하나 이상의 발광소자가 직렬로 연결된 하나 이상의 스트링(string)을 포함하고, 상기 하나 이상의 스트링이 서로 병렬로 연결된 오류 검출 방법.The method of claim 8,
The at least one light emitting device array,
The at least one light emitting device comprises at least one string (string) connected in series, wherein the at least one string is connected in parallel with each other.
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KR20230011149A (en) * 2021-07-13 2023-01-20 (주)링크일렉트로닉스 Flicker-free smart LED light source detachable from power supply providing its rated power information with power supply

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