KR20120040276A - 평면 안테나 구조 및 그것을 사용하는 제품 - Google Patents

평면 안테나 구조 및 그것을 사용하는 제품 Download PDF

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KR20120040276A
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캐스린 래비스
랄프 서대스
돈 반스
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에스브이알, 인벤션스, 인코포레이티드 디/비/에이 에스브이알 인벤션스 코포레이션
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Abstract

평면 안테나 구조(10) 및 그것을 사용하는 제품이 개시된다. 일 실시예에서, N으로 번호가 매겨진 상기 N은 1 및 3x, x는 양의 정수이며, 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)은 기판(12)에 배치된다. 각각의 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)은 6회전(20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F)을 갖는 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)로 배치된 실질적으로 연속적인 광자 변환기(photonic transducer)를 포함한다. 각각의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 황금나선(golden spiral)이 될 수 있다. 제품으로서, 상기 평면 안테나 구조(10)는 예를 들어, 셀룰러 폰(40), 의류제품(50)과 같은 칩으로 통합된다.

Description

평면 안테나 구조 및 그것을 사용하는 제품{PLANAR ANTENNA ARRAY AND ARTICLE OF MANUFACTURE USING SAME}
본 발명은 일반적으로 방사 및 수신 소자들의 안테나 구조에 관련되고, 특별히, 나선형 격자들을 포함하는 방사 및 수신 소자들의 평면 구조 및 그것을 사용하는 제품들에 관한 것이다.
본 발명의 범위를 제한하지 않고, 본 발명의 배경기술은 예와 같이 사람들과 상호작용하는 전자기장(EMF, electromagnetic field) 방사를 참조하여 설명될 것이다. 결론적으로 인간에 대한 고강도 EMF 방사의 부정적 효과가 증명되었다. 고강도 EMF 방사는 기본 세포 골격과 DNA를 손상시킨다. 저강도 EMF 방사에 대하여, EMF 방사는 환경에 영향을 주는 것으로 현재 일반적으로 인정된다. 인간에게 영향을 주는 저강도 EMF 방사에 단기 및 장기 노출 정도는 현재 연구중이고, 인간 신체에 부정적인 영향을 주는 단기 및 장기 노출의 정도를 보여주는 신뢰할 수 있는 증거로 강렬한 논쟁이 있는 분야이다.
상기 문제점에 따라 본 발명의 목적은 생리학적 조건뿐만 아니라 정신 증상 및 신체관련 장애들을 유발하는 실제 및 정신적 요소들을 개선하는 평면 안테나 구조 및 그것을 사용하는 제품을 제공하는 것이다.
평면 안테나 구조 및 그것을 사용하는 제품은 인간에게 미치는 저강도 EMF 방사의 해로운 효과들을 완화시키는 것을 개시한다. 게다가, 특정 실시예들에서, 스트레스가 감소되는 것처럼, 개선된 밸런스, 유연성, 에너지, 강도, 회복, 면역성 및/또는 이완들이 알려진다. 즉, 많은 건강 측면에 심리학적 요소들의 영향 및 성과는 무시될 수 없으며 여기 제시되는 상기 평면 안테나 구조 및 제품들은 생리학적 조건뿐만 아니라 정신 증상 및 신체관련 장애들을 유발하는 실제 및 정신적 요소들을 개선한다.
일 실시예에서, 밀집된 안테나 소자들은 기판 및 숫자 N에 배치되며, 여기서 N은 1 또는 3x이고 x는 양의 정수가 된다. 각각의 밀집된 안테나 소자들은 일반적으로 외부로 연장되는 6회전을 갖는 로그스파이럴(logarithmic spiral)로 배열된 실질적으로 연속적인 광자 변환기를 포함한다. 일반적으로 외부로 연장되는 로그스파이럴은 황금나선(golden spiral)이 될 수 있다. 제품으로서, 상기 평면 안테나 구조는 예를 들어 셀 폰(cell phone) 또는 의류 또는 보석류와 같은 칩(chip)안으로 통합될 수 있다.
본 발명은 생리학적 조건뿐만 아니라 정신 증상 및 신체관련 장애들을 유발하는 실제 및 정신적 요소들을 개선하는 평면 안테나 구조 및 그것을 사용하는 제품을 제공한다.
본 발명의 특성 및 장점들을 더 완전히 이해하기 위해 참조는 대응하는 부분들을 참조하는 다른 도면들에서 대응하는 숫자들이 있는 첨부된 도면에 따라 본 발명의 상세한 설명으로 구성된다.
도 1a는 평면 안테나 구조의 일 실시예의 상면도이다.
도 1b는 3차원 구현에서 도 1a의 평면 안테나 구조의 투시도이다.
도 2는 평면 안테나 구조의 다른 실시예의 상면도이다.
도 3a 및 3b는 평면 안테나 구조의 또 다른 실시예의 상면도이다.
도 3c는 평면 안테나 구조의 또 다른 실시예의 투시도이다.
도 4는 평면 안테나 구조의 또 다른 실시예의 상면도이다.
도 5는 평면 안테나 구조의 또 다른 실시예의 상면도이다.
도 6은 칩(chip)으로 활용되는 평면 안테나 구조의 측단면도이다.
도 7은 셀룰러 폰(cellular phone)에 사용되는 도 6의 칩의 일 실시예의 정면 투시도이다.
도 8은 의류 내에 내장되는 평면 안테나 구조의 일 실시예의 정면도이다.
도 9a 및 9b는 인간에게 저강도 EMF 방사를 완화시키는 평면 안테나 구조의 일 실시예의 개략도이다.
도 10a 및 10b는 물체의 광자적 특성에 영향을 주는 평면 안테나 구조의 일 실시예의 개략도이다.
본 발명의 다양한 실시예들의 제작 및 사용은 아래에 상세하게 설명되지만, 본 발명은 다양한 특정 상황에 구현될 수 있는 적용가능한 창의적인 개념들을 제공하는 것으로 이해되어야 한다. 여기 설명된 특정 실시예들은 단지 발명을 제작하고 사용하는 특정 방법을 보여주는 것이고, 본 발명의 범위를 정하는 것은 아니다.
먼저, 도 1a를 참조하면, 개략적으로 보여지고 통례로 지명된(10) 평면 안테나 구조를 묘사하고 있다. 상기 평면 안테나 구조(10)는 거기에 배치된, 6회전(20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F)을 갖는 일반적으로 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18) 또는 나선 격자(spiral lattice)로 배열된 실질적으로 연속적인 광자 변환기(photonic transducer)(16)를 포함하는 안테나 소자(14)를 갖는 기판(12)을 포함한다. 상기 광자 변환기(photonic transducer)(16)는 시계방향 또는 반시계방향 나선이 될 수 있으며, 아래 설명되는 것처럼 어떤 위상조정(phasing) 방식이라도 가질 수 있다.
일 실시예에서, 일반적으로 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)은 아래의 극방정식(polar equation)에 따라 설명된 황금나선(golden spiral)이다.
Figure pct00001
e는 자연로그의 밑이며, a는 임의의 양의 실상수이고, θ가 회전할 때 관계에 관련된 숫자 b, 방향 b는 방정식 eb θ right / left = φ를 만족한다.
평가될 것처럼, b의 숫자 값은 예를 들어 90도처럼 도, 또는 예를 들어 π/2 라디안처럼 라디안으로 측정되었는지에 의존하며, 상기 각은 시계방향 또는 반시계방향이 될 수 있으며, 그것은 절대값으로서 다음과 같이 공식화될 수 있다.
|b| = (ln φ)/90 = 0.0053468 for θ in degrees;
|b| = (ln φ)/(π/2) = 0.306349 for θ in radians.
상기 황금나선은 자연에서 반복해서 발견된 기본비율인 황금비율에 근거한다. 기하학적으로, 선이 나누어질 때 짧은 세그먼트의 길이 대 긴 세그먼트의 길이의 비율이 긴 세그먼트의 길이 대 전체 선의 비율이 동일할 때 얻어지는 비율로 정의될 수 있다. 수학적으로, 그러한 비율들은 대략 1.618054의 무리수(irrational number)를 나타낸다.
상기 기판(12)은 예를 들어, 셀룰로스 펄프, 금속, 섬유, 직물, 고분자, 세라믹, 유기 섬유, 실리콘 및 합성물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다. 특히, 상기 기판은 옷 또는 의류 제품의 일부를 포함할 수 있다. 상기 광자 변환기(photonic transducer)(16)는 잉크, 절연물질 및 레진으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질이 될 수 있다. 게다가, 상기 광자 변환기(16)는 광 발산 및 수신 양자 또는 광굴절(photorefractive) 물질이 될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 광자 변환기(16)는 자연적으로 발생하는 빛의 교란된 광자장을 예를 들어, 양자결맞음(quantum coherence)을 제공하여, 조직하고 저장하는 비-국소적(non-local), 비-헤르지안(non-Hertzian) 특성을 포함한다. 그러나, 실질적으로 평면의 실시예들에 제한되지 않는 것으로 평가되어야 한다. 도 1b는 또한 본 발명의 범위 내의 평면 안테나 구조(10)의 3차원 아날로그(analog)를 보여준다. 상기 광자 변환기(16)는 예를 들어, 임베딩(imbedding), 버니싱(burnishing), 각인(imprinting), 사진 개발(예를 들어, 레이져 led 또는 자외선을 사용하는), 실크 스크린 기술(silk screen technologies), 전기 사진 촬영 기법(electro-photography techniques), 색조 그래픽 기법(tonal graphic techniques), 열 기술(thermal techniques), 홀로그램 기반 전송 기법(holographic-based transfer techniques), 잉크 기반 기술(ink-based techniques), 전기 승화 전송(electro-sublimation transfer), 블록 인쇄 기술(block printing techniques), 오목판 기법(lithographic techniques), 포토리소 임프린팅(photolithic imprinting), 네거티브 사진 인쇄 기법(negative photographic printing techniques), 압 인쇄(piezoelectric printing), 정전 인쇄(electrostatic printing) 및 열 전사(thermal transfer)를 포함하는 다수의 공정에 의해 기판(12)에 배치될 수 있다.
도 2는 평면 안테나 구조(10)의 다른 실시예를 표현한다. 표시된 것처럼, 밀집된 안테나 소자들, 전체적으로(14), 개별적으로(14a, 14b, 14c) 및 N=3x x는 양의 정수를 표시하는 N으로 넘버링(numbering)한 것들이 표현된다. 도 1과 함께, 안테나 소자들의 수는 1,3, 6, 9, 12, 15, 18 등이 될 수 있다고 이해되어야 한다. 게다가, 상기 안테나 소자들(14)은 예를 들어, 안테나 소자들(14)이 각각 120°, 240°, 및 360°에 배치되는 것처럼 단계적으로 될 수 있다. 다른 변형들은 본 발명의 범위 내에 있다. 예를 들어, 도 3a 및 3b와 관련하여, 상기 평면 안테나 구조(10)의 다른 실시예들은 실질적으로 끊임없이 광자 변환을 하는 장벽(substantially continuous photonic transducing barrier)(22)은 밀집된 안테나 소자들(14)을 그들 사이에 광자적 결합을 이루기 위해 경계를 이룬다. 도 3a에 표시된 것처럼, 실질적으로 연속적인 광자 전환 장벽(22)은 원형 또는 도 3b에 표시된 것과 같은 삼각형을 포함하는 다른 기하학적 형태가 될 수 있다. 도 3c는 안테나 소자(14)가 원통형 광자 전환 장벽(22)의 주변에 배치되는 나사산인 기하학적 형태의 사용이고, 홀로그램 또는 홀로그램 실시예일 수 있는 3차원 아날로그를 보여준다. 추가적인 설명 방법에 의해, 도 3c의 안테나 소자(14)의 나선은 6, 9와 동일한 회전수 또는 9 보다 큰 양의 정수 y를 포함한다. 상기 실질적으로 연속적인 광자 변환 장벽은 안테나 소자(14) 및 광자 변환기(16)의 장벽에 유사한 구조, 물질 및 배치(기판에)를 가질 수 있다. 추가적인 예의 방법에 의해, 도 4는 각각 기판(12)에 배치된 6개의 밀집된 안테나 소자들의 두 개의 그룹(24, 26)인 평면 안테나 구조의 실시예를 표시한다. 표현된 것처럼, 상기 밀집된 안테나 소자들(14)은 1-4-1 밀집 배열을 포함한다. 그러나, 여기 소개된 사상의 범위 내에 다른 배열들도 가능하다는 것으로 이해되어야 한다.
도 5는 안테나 소자(14)를 포함하고, 특히, x는 양의 정수인 1 또는 3x의 그룹에 배열되는 14D 내지 14X 의 안테나 소자들을 포함하는 평면 안테나 구조(10)의 일 실시예를 표현한다. 예를 들어, 안테나 소자들(14D 및14J)은 하나의 개체들 또는 하나의 그룹들이다. 반면에, 안테나 소자들(14P 내지 14X)은 9 또는 3x, 여기서 x는 정수인 그룹에 배치된다. 다양한 안테나 소자들(14)의 그룹 사이에 배치된 것들은 전체적으로 28, 및 개별적으로 28a 내지 28r인 기하학적으로 원형의 물체들의 그룹이다. 이러한 기하학적으로 원형 물체들(28)은 그것으로부터 연장되는 라인을 갖는 원들로 표시된다. 상기 이러한 기하학적으로 원형 물체들(28)의 구조, 물질 및 배치(기판에)는 안테나 요소들(14) 및 광자 변환기(16)의 구조, 물질 및 배치(기판에)와 유사할 수 있다. 이러한 기하학적으로 원형 물체들은 3x, 여기서 x는 정수인 그룹에 그룹화된다. 예를 들어, 기하학적으로 원형 물체들(28D 내지 28F)은 안테나 소자들(14E, 14F, 14Q 및 14R)에 의해 근사치가 내진 범위들 사이의 세 개의 그룹에 그룹화된다.
도 1a 내지 5에서, 상기 평면 안테나 구조(10)의 많은 비-제한 실시예들을 표현한다. 간단한 요약의 방법에 의해, 나선 안테나 구조의 보여진 배열의 스피롤로지(spirology) 또는 연구에서 상기 안테나 구조는 1 또는 3x 여기서 x는 정수인 기하학적 밀집 그룹에 안테나 소자를 포함한다. 이러한 안테나 소자들은 평면 구조 또는 3차원 또는 홀로그램 아날로그에 배치된다. 상기 안테나 소자의 단일개체 또는 밀집된 그룹들은 실질적으로 연속적인 광자 변환 장벽에 의해 구획된다. 게다가, 기하학적으로 원형 물체들은 안테나 소자들의 단일개체 또는 밀집된 그룹들 사이에, 3x 여기서 x는 정수인 그룹에서 그룹화될 수 있다. 설명된 것처럼, 일 실시예에서, 상기 안테나 요소들은 3x의 회전을 갖는, 여기서 x는 1보다 큰 정수, 나서 또는 황금나선을 포함한다. 다른 실시예에서, 상기 나선은 6, 9 또는 y 여기서 y는 9 보다 큰 양의 정수인 값과 동일한 회전수를 포함한다.
도 6은 칩(chip)(30)으로서 사용된 평면 안테나 구조(10)의 일 실시예를 보여준다. 이 배열에서, 상기 평면 안테나 구조(10)는 다중 레이어드 또는 치수들이 어플리케이션(application)에 의존될 칩(30)의 형태를 갖는 어플리케이션(application) 층에 내장된다. 보호 폴리카보네이트 중합체 층(polycarbonate polymer layer)(32, 34)은 평면 안테나 구조(10)의 위 및 아래에 부착되거나 또는 결합된다. 호일 층(foil layer)(36)은 브랜드 및 다른 정보를 보여주기 위해 보호 폴리카보네이트 중합체 층(32)에 겹쳐진다. 베이스 층(base layer)(38)은 보호 폴리카보네이트 층(34) 아래에 배치된다.
도 7은 셀룰러 폰(40)과 함께 사용된 도 6의 칩(30)의 일 실시예의 정면 투시도이다. 상기 칩(30)은 셀룰러 폰(40)에 내장되거나 또는 표시된 것처럼 외부에 통합될 수 있다. 상기 평면 안테나 구조의 다른 응용은 평면 안테나 구조(10)가 기판(12) 위에 배치된 안테나 소자들(14)과 기판(12)을 형성하는 의류 제품 내에 내장되는 것을 표현한다. 상기 실시예들에서, 상기 안테나 소자들(12)은 1차원 또는 3차원으로 기판(12) 또는 옷으로 엮어진다. 상기 평면 안테나 구조(10)는 특정 칩 또는 특정 의류 제품으로 한정되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 예의 방법에 의하고 제한하는 방법에 의하지 않고, 상기 평면 안테나 구조(10)는 팔찌, 발찌, 포켓 칩, 자동차 칩, 의류 아래, 구두 삽입, 양말, 장갑, 바지, 조끼, 자켓, 소매끝, 시계, 베개, 시트, 커피 컵, 유리, 라벨, 저장 컨테이너 또는 다른 제품 안으로 통합될 수 있다. 게다가, 이러한 제품 안의 평면 안테나 구조(10)는 일반적으로 사람들에 의해 사용되는 것들에 제한되지 않고 통합될 수 있다. 그릇, 하네스(harness), 칼라(collar), 담요, 구유통과 같이 동물들 또는 애완동물들에 의해 사용되는 제품들 또한 평면 안테나 구조(10)를 포함할 수 있다.
도 9a 및 9b는 인간 또는 그 주변에 생체장(biofield)으로 언급될 수 있는 EMF 장(64)을 가지는 사람에 저강도 EMF 방사(64)를 완화시키는 상기 평면 안테나 구조의 일 실시예의 개략도이다. 도 9a에서, 상기 개인의 생체장(biofield)(64)은 셀룰러 폰으로 표현된 소스(source)(66)로부터의 EMF 방사(60)에 의해 부정적으로 영향을 받는다. 그러나 상기 소스(source)는 EMF 방사를 방출하는 천연 또는 인공의 어떤 물체 또는 장치를 포함할 수 있다. 이런 부정적인 영향은 예를 들어 체의 염증, 감소된 세포 산소화, 감소된 체력 및 지구력, 동요되는 신경시스템, 근육의 긴장, 경련(spasms), 경련(cramping), 두통 및 편두통을 포함하는 다양한 형태 중 하나가 될 수 있다. 표현된 것처럼, 상기 부정적인 영향은 숫자(68)에 의해 표시된다.
도 9b에 표시된 것처럼, 상기 평면 안테나 구조(10)는 의류 제품(68)에 내장되거나 통합되는 방식으로 개인과 (62) 통합된다. 일 실시예에서, 안테나 요소들(14)을 형성하는 상기 광굴절(photorefractive) 또는 다른 광학 물질은 광굴절 및 전기광학적 행동을 보이며, 변경된 굴절률의 공간적 패턴의 형성에서 EMF 방사로부터의 광학적 강도의 공간적 분포를 탐지하고 저장할 수 있는 능력을 가진다. 그러한 빛에 유발된 전하(charge)는 건강 생체장(64)에 의해 표시된 저강도 EMF 방사의 부정적 효과를 완화시키는 내부 전기장을 만드는 공간 전하 분배를 만든다. 미리 언급된 것처럼, 상기 평면 안테나 구조(10)의 응용들은 EMF 방사의 부정적 효과를 완화시키는 것에 한정되지 않는다. 게다가, 밸런스, 유연성, 에너지, 강도, 회복, 면역력 및/또는 이완 등이 개선된 특정 실시예들은 스트레스를 감소하는 것으로 알려진다.
도 10a 및 10b는 물체의 광자적 특성에 영향을 미치는 칩 실시예들(30)로 통합되는 평면 안테나 구조(10)의 일 실시예의 개략도이다. 도 10a에서, 글라스(glass)(70)는 물(72)과 같은 액체를 포함한다. 부피(V)에 대한 힘(F)은 전자기장 및 물(72)과 통합된 극성 및 자기적 요소들의 전기적 요소가 될 수 있다. 적용된 광자 또는 카시미르 효과(Casimir effect)(Fc/V=0)를 유발하는 장이 부존재 할때, 상기 물의 힘 축은 선호되는 상태를 가지지 않아서, 우발적인 힘은 본질적으로 불일치가 발생한다.
도 10b에 표시된 것처럼, 상기 칩(30)은 아래에 배치되는 것에 의해 글라스(70)와 통합된다. 그렇지 않으면, 상기 칩(30)은 음료수 손잡이 또는 음료수 포장 및 글라스(70)와 함께 거기에 통합된다. 상기 칩(30) 및 주변환경 사이의 광자적 및 전자기적 반응으로 인한 시간(t) 동안, 상기 칩(30)은 부피(V)당 적용된 힘(Fc)을 물(72)의 광자적 및 전자기적 특성에 관련된 하나 또는 그 이상의 물리적 특성에 영향을 주는 배열된 상태를 만드는 상기 물(72)에 전달한다. 파생효과를 통해, 상기 물(72)은 "전하가 충전되었다"고하고 유사하게 물체들에 적용된 힘을 전달한다. 일 실시예에서, 상기 힘은 정상파 에너지의 총합으로 표현될 수 있고, 해밀토니안(Hamiltonian)의 고유치의 총합으로 이해될 수 있고, 상기 힘(Fc)은 물(72)의 상태변화를 유발하는 반데르 발스힘(van der Waals force)과 관련된 효과들과 같은 원자 및 분자의 효과를 유발한다. 만약 물체의 배열 기능으로서 시스템의 해밀토니안(Hamiltonian)을 고려한다면, 구성공간에서, 구성 변화의 기능으로서 상기 물(72)의 영점 에너지는 적용된 힘(Fc)의 결과로 이해될 수 있다. 도 10a 및 10bdp 표현된 적용된 힘 및 초래된 상태변화는 제한되지 않는 예로 제시된 물에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명이 실시예를 참고하여 설명되었지만, 이 설명은 범위를 제한하는 것으로 해석하려는 의도는 아니다. 설명된 실시예들의 다양한 변형 및 결합들뿐만 아니라 본 발명의 다른 실시예들은 상기 설명을 참조하여 기술분야의 통상의 기술자들에게 명확해 질 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들은 그러한 변형들 또는 실시예들을 포함한다.

Claims (10)

  1. 기판(12); 및
    N으로 번호가 매겨진 다수의 밀집된 안테나 요소들(14);을 포함하고,
    상기 N은 1 및 3x, x는 양의 정수인 것으로 이루어지는 그룹에서 선택되고, 상기 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)은 기판(12)에 배치되며, 각각의 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)은 6회전(20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F)을 갖는 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)로 배치된 실질적으로 연속적인 광자 변환기(photonic transducer)(16)를 포함하며,
    각각의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 다음의 극방정식에 따라 설명되며:
    r = aeb θ
    e는 자연로그의 밑이 되고, a는 임의의 실상수이고, θ가 회전할 때 그 관계에 대한 숫자 b, 방향 b는 방정식 eb θ right / left = Φ를 만족하는 것을 특징으로 하는 평면 안테나 구조(10).
  2. 제 1항에 있어서, 각각의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 황금나선(golden spiral)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 안테나 구조(10).
  3. 제 1항에 있어서, 적어도 하나의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 반시계방향 나선을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 안테나 구조(10).
  4. 제 1항에 있어서, 적어도 하나의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 시계방향 나선을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 안테나 구조(10).
  5. 제 1항에 있어서, 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)을 묶는 실질적으로 연속되는 광자 변환 장벽(substantially continuous photonic transducing barrier)(22)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 안테나 구조(10).
  6. 기판(12);과
    기판(12)에 겹쳐지고 부착되는 제 1 층(layer);과
    기판(12) 아래 배치되고 부착되는 제 2 층(layer); 및
    N으로 번호가 매겨진 다수의 밀집된 안테나 요소들(14);을 포함하고,
    상기 N은 1 및 3x, x는 양의 정수인 것으로 이루어지는 그룹에서 선택되고, 상기 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)은 기판(12)에 배치되며, 각각의 다수의 밀집된 안테나 요소들(14)은 6회전(20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F)을 갖는 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)로 배치된 실질적으로 연속적인 광자 변환기(photonic transducer)(16)를 포함하며,
    각각의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 다음의 극방정식에 따라 설명되며:
    r = aeb θ
    e는 자연로그의 밑이 되고, a는 임의의 실상수이고, θ가 회전할 때 그 관계에 대한 숫자 b, 방향 b는 방정식 eb θ right / left = Φ를 만족하는 것을 특징으로 하는 제품.
  7. 제 11항에 있어서, 상기 제 1 층은 보호 폴리카보네이트 중합체(protective polycarbonate polymer)(34)를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  8. 제 11항에 있어서, 상기 제 2 층은 보호 폴리카보네이트 중합체(protective polycarbonate polymer)(34)를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  9. 제 11항에 있어서, 각각의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 황금나선(golden spiral)을 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  10. 기판(12);과
    6개의 밀집된 안테나 요소들(24, 26)의 제 1 그룹;과
    상기 6개의 밀집된 안테나 요소들(24, 26)의 제 1 그룹은 기판에 배치되고, 각각의 6개의 밀집된 안테나 요소들(24, 26)은 6회전(20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F)을 갖는 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)로 배치된 실질적으로 연속적인 광자 변환기(photonic transducer)(16)를 포함하며,
    제 1 그룹에 인접하게 배치된 6개의 밀집된 안테나 요소들(24, 26)의 제 2 그룹;을 포함하고,
    상기 6개의 밀집된 안테나 요소들(24, 26)의 제 1 그룹은 기판에 배치되고, 각각의 6개의 밀집된 안테나 요소들(24, 26)은 6회전(20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F)을 갖는 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)로 배치된 실질적으로 연속적인 광자 변환기(photonic transducer)(16)를 포함하고,
    각각의 외부로 연장되는 로그스파이럴(logarithmic spiral)(18)이 다음의 극방정식에 따라 설명되며:
    r = aeb θ
    e는 자연로그의 밑이 되고, a는 임의의 실상수이고, θ가 회전할 때 그 관계에 대한 숫자 b, 방향 b는 방정식 eb θ right / left = Φ를 만족하는 것을 특징으로 하는 평면 안테나 구조(10).
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