KR20120025148A - Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method - Google Patents

Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
KR20120025148A
KR20120025148A KR1020100087351A KR20100087351A KR20120025148A KR 20120025148 A KR20120025148 A KR 20120025148A KR 1020100087351 A KR1020100087351 A KR 1020100087351A KR 20100087351 A KR20100087351 A KR 20100087351A KR 20120025148 A KR20120025148 A KR 20120025148A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
oxidation
light emitting
scattering prevention
groove
Prior art date
Application number
KR1020100087351A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
기현철
김선훈
김두근
장원근
이동길
정행윤
김효진
한명수
고항주
김회종
김상기
Original Assignee
한국광기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국광기술원 filed Critical 한국광기술원
Priority to KR1020100087351A priority Critical patent/KR20120025148A/en
Publication of KR20120025148A publication Critical patent/KR20120025148A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Abstract

PURPOSE: A passive matrix organic light emitting diode having an oxidation prevention layer is provided to prevent the contamination of an organic layer by forming an organic layer composing a device in an oxidation prevention layer. CONSTITUTION: A first oxidation prevention layer(102) forms one or more grooves. A second oxidation prevention layer(106) is formed inside the grooves. A positive electrode layer(103) is formed on the second oxidation prevention layer. An organic layer(110) is formed on the positive electrode layer. A cathode electrode layer(114) is formed on the organic layer.

Description

산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드{Passive Matrix Organic Light Emitting Diode having Anti-oxidant and Anti-scattering Layer And Its Manufacturing Method}Passive Matrix Organic Light Emitting Diode Having Anti-oxidant and Anti-scattering Layer And Its Manufacturing Method}

본 발명은 수동형 유기발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 산화?산란 방지층 내에 인캡슐레이션(encapsulation)된 유기층을 배치하는 구조를 채택하여 유기층을 보호하고, 또한 산화?산란 방지층 내에 인캡슐레이션된 발광층을 배치하는 구조를 채택하여 빛의 산란을 방지하고 광 추출효율을 높이는 수동형 유기발광 다이오드에 관한 것이다.
The present invention relates to a passive organic light emitting diode and a method of manufacturing the same, which adopts a structure in which an encapsulated organic layer is disposed in an oxidation-scattering prevention layer to protect the organic layer and is also encapsulated in the oxidation-scattering prevention layer. The present invention relates to a passive organic light emitting diode that adopts a structure in which a light emitting layer is disposed to prevent light scattering and increase light extraction efficiency.

유기 전계 발광(Organic Electro Luminescence : Organic EL)은 이산발광소자, 어레이 및 디스플레이에 있어서 다양한 응용이 가능하기 때문에 광범위하게 연구되어 왔다. EL 소자의 합성은 제작이 용이하고 자유도(degree of freedom)가 극히 높기 때문에, EL 소자를 이용하면 보다 효과적이고 내구성있는 물질을 개발할 수 있게 된다.Organic electroluminescence (Organic EL) has been extensively studied because of its wide range of applications in discrete light emitting devices, arrays, and displays. Since the synthesis of the EL element is easy to manufacture and the degree of freedom is extremely high, the use of the EL element makes it possible to develop more effective and durable materials.

상기의 유기전계발광을 이용한, 유기발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode : OLED)는 저생산비용, 자연을 그대로 담아내는 고화질, 빠른 동화상 구현, 얇고 가벼운 휴대성 등의 장점을 가지고 있어서 차세대 평판 디스플레이소자로 주목받고 있다. 실제적인 고안에 따라, 투명 유리 기판 상에 침착된 투명전극을 통해서 빛이 빠져나가거나, 투명한 상부전극을 통해서 빛이 빠져나가는 구조를 가진다. 일반적으로 OLED는, 전원이 공급되면 유기물 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)과 정공(hole)이 재결합(recombination)하여 여기자(exition)를 형성한다. The organic light-emitting diode (OLED) using the organic light emitting diode has the advantages of low production cost, high definition of nature, fast moving image, thin and light portability, and the like. It is attracting attention as. According to the practical design, the light escapes through the transparent electrode deposited on the transparent glass substrate, or the light escapes through the transparent upper electrode. In general, OLEDs are recombined with electrons and holes injected through a cathode and an anode to an organic thin film when power is supplied, thereby forming excitation.

상기 형성된 여기자는 높은 에너지를 가지며, 여기자가 낮은 에너지로 떨어지면서 특정한 파장의 빛이 발생되는 것이다. 구동방법은 크게 능동 매트릭스(Active Matrix : AM)와 수동 매트릭스(Passive Matrix : PM)로 나눌 수 있다. 상기 AM은 각 화소마다 TFT(박막트랜지스터)를 배치해 각각의 화소를 TFT로 제어한다. RㆍGㆍB(적ㆍ녹ㆍ청) 등 삼원색의 독립구동 방식이므로 소비전력이 낮고, 고정세(高精細) 디스플레이 구현이 가능하다. The formed excitons have high energy, and light of a specific wavelength is generated as the excitons fall to low energy. The driving method can be largely divided into an active matrix (AM) and a passive matrix (PM). The AM arranges a TFT (thin film transistor) for each pixel to control each pixel with the TFT. Independent driving method of three primary colors such as R, G, B (red, green, blue) enables low power consumption and high-definition display.

그러나 PM에 비해 복잡한 공정으로 인해 장비 및 제조 원가가 높은 단점이 있다. 상기 PM(Passive Matrix)은 화면표시영역에 양극과 음극을 매트릭스 방식으로 교차 배열한 후 전압을 가하면 양극과 음극이 교차되는 부분(화소)에서 빛이 발생, 화면을 표시하는 형태이다. 이는 AM(Active Matrix)에 비해 제조방법이 간단하나 상대적으로 수명이 짧고 전력소모량과 응답속도 등의 문제 때문에 대화면ㆍ고해상도 구현이 어려워 주로 3?5인치 이하의 모바일 제품용 저해상도 및 소형 OLED 제조에 사용되고 있다. However, there is a disadvantage in that equipment and manufacturing cost are high due to a complicated process compared to PM. The PM (Passive Matrix) is a form in which light is generated at a portion (pixel) at which an anode and a cathode cross each other after an anode and a cathode are arranged in a matrix manner in a screen display area and a voltage is applied thereto to display a screen. It is simpler to manufacture than AM (Active Matrix), but it is relatively short in life and difficult to realize large screen and high resolution due to problems such as power consumption and response speed.It is mainly used for low resolution and small OLED manufacturing for mobile products of 3-5 inches or less. have.

최초의 OLED는 단지 2 내지 3층으로 구성되었으나, 최근에는 각각의 층이 특정 기능에 최적화된 다수의 층으로 구성되고 있다. 상기의 다층 소자구조를 가진 OLED의 성능을 제한하는 것은 신뢰도이다. The first OLEDs consisted of only two or three layers, but recently each layer consists of multiple layers optimized for specific functions. It is reliability that limits the performance of OLEDs having the above multilayer device structure.

일부 유기 물질은 오염도, 산화 및 습도에 민감하다. 또한, OLED용 접촉전극으로 사용되는 대부분의 금속은 산소 또는 산소가 포함된 공기에서 부식되기 쉬우며, 반응성이 큰 금속은 근접한 유기물질과 화학반응을 일으켜서 소자의 성능을 저하시키는 문제점이 있었다. Some organic materials are sensitive to pollution, oxidation and humidity. In addition, most metals used as OLED contact electrodes are susceptible to corrosion in oxygen or oxygen-containing air, and metals having high reactivity cause chemical reactions with adjacent organic materials to deteriorate device performance.

따라서, ① 낮은 일함수의 음극 금속을 사용하는 경우에는 일반 대기 하에서 오염되지 않도록 소자를 주의깊게 다루어야 하고, 소자가 오염되지 않도록 하기 위해서 인캡슐레이션(encapsulation)이 필요하다. ② 또한, 상기의 인캡슐레이션 형태를 채용하면서도 동시에 광 추출효율을 높이는 수동형 유기 발광다이오드가 요구되고 있다.
Therefore, when the cathode metal of low work function is used, the device must be handled carefully so as not to be contaminated under normal atmosphere, and encapsulation is necessary to prevent the device from being contaminated. (2) In addition, a passive organic light emitting diode that adopts the above encapsulation form and increases light extraction efficiency is required.

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 산화?산란 방지층을 형성하여 유기층의 산화, 오염 등을 방지하여 소자의 안정성 및 장수명을 담보할 수 있는 수동형 유기발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, a passive organic light emitting diode that can ensure the stability and long life of the device by forming an oxidation-scattering prevention layer to prevent oxidation, contamination, etc. of the organic layer and its The purpose is to provide a manufacturing method.

또한, 본 발명은 유기층 등의 보호와 더불어 빛의 산란을 방지하여 발광효율을 높이는 고품질의 수동형 유기발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a high quality passive organic light emitting diode and a method of manufacturing the same, which protects the organic layer and the like and prevents light scattering to increase luminous efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the present invention. .

상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 투명기판; 상기 투명기판 상에 형성되며, 소정영역이 식각되어 상기 투명기판의 상부가 노출되도록 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 제 1산화?산란 방지층; 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 노출되는 투명기판 상에 형성되는 제 2산화?산란 방지층;상기 홈 내부에 형성되며, 상기 제 2산화?산란 방지층상에 형성되는 양극전극층; 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 양극전극층 상에 형성되는 유기층; 및 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 유기층 상에 형성되는 음극전극층;을 포함하는 수동형 유기발광 다이오드를 제공한다. According to an aspect of the present invention for solving the above problems of the prior art, a transparent substrate; A first oxidation-scattering prevention layer formed on the transparent substrate and forming at least one groove so that a predetermined region is etched to expose an upper portion of the transparent substrate; A second oxidation-scattering prevention layer formed in the groove and formed on the exposed transparent substrate; an anode electrode layer formed in the groove and formed on the second oxidation-scattering prevention layer; An organic layer formed in the groove and formed on the anode electrode layer; And a cathode electrode layer formed in the groove and formed on the organic layer.

본 발명은 상기 투명기판의 하부에 형성되는 굴절률 보정층을 더 구비하는 것이 바람직하다. The present invention preferably further comprises a refractive index correction layer formed under the transparent substrate.

본 발명에서 상기 제 1산화?산란 방지층 또는 제 2산화?산란 방지층은, 티타늄옥사이드(TiO2)또는 SiO2 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. In the present invention, the first oxidation-scattering prevention layer or the second oxidation-scattering prevention layer is preferably formed using any one or more materials selected from titanium oxide (TiO 2 ) or SiO 2 .

본 발명에서 상기 굴절률 보정층은, 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리콘옥사이드(SiO2) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.In the present invention, the refractive index correction layer, titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ) It is preferable to form using any one or more materials selected from among.

본 발명에서 상기 유기층은, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것이 바람직하다. In the present invention, the organic layer is preferably formed by sequentially laminating a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.

본 발명에서 상기 홈에 의해 제 1산화?산란 방지층과 접촉하는 유기층의 외측 에지(edge)는 직선형 또는 아치형인 것이 바람직하다. In the present invention, the outer edge of the organic layer in contact with the first oxidation-scattering prevention layer by the groove is preferably straight or arcuate.

상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 타측면에 의하면, (a) 투명기판 상에 제 1산화?산란 방지층을 형성하는 단계; (b) 상기 투명기판의 상부가 노출되도록 상기 제 1산화?산란 방지층의 소정영역을 식각하여 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 단계; (c) 상기 홈 내부에 제 2산화?산란 방지층을 형성하는 단계; (d) 상기 홈 내부의 제 2산화?산란 방지층 상에 양극전극층을 형성하는 단계; (e) 상기 홈 내부의 양극전극층 상에 유기층을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 홈 내부의 유기층 상에 음극전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention for solving the above problems of the prior art, (a) forming a first oxidation-scattering prevention layer on a transparent substrate; (b) forming at least one groove by etching a predetermined region of the first oxidation-scattering prevention layer to expose an upper portion of the transparent substrate; (c) forming a second oxidation-scattering prevention layer in the groove; (d) forming an anode electrode layer on the second oxidation-scattering prevention layer in the groove; (e) forming an organic layer on the anode electrode layer in the groove; And (f) forming a cathode electrode layer on the organic layer inside the groove.

본 발명에서 상기 (a)단계는, (a1) 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하는 단계; 및 (a2) 상기 굴절률 보정층이 하부에 형성된 투명기판의 상부면에 제 1산화?산란 방지층을 형성하는 단계; 인 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법을 포함한다. In the present invention, the step (a), (a1) forming a refractive index correction layer on the lower surface of the transparent substrate; And (a2) forming a first oxidation-scattering prevention layer on an upper surface of the transparent substrate on which the refractive index correction layer is formed; It includes a method of manufacturing a passive organic light emitting diode, characterized in that.

본 발명은 상기 (f)단계 후에, (g) 상기 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법을 포함한다. The present invention includes a method of manufacturing a passive organic light emitting diode after step (f), further comprising (g) forming a refractive index correction layer on a lower surface of the transparent substrate.

본 발명에서 상기 (e)단계는, 상기 홈 내부의 양극전극층 위에 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 순차적으로 적층하는 것이 바람직하다. In the present invention, the step (e), it is preferable to sequentially stack the hole transport layer, the light emitting layer and the electron transport layer on the anode electrode layer in the groove.

본 발명에서 상기 (b)단계는, 상기 홈의 외측 에지가 직선형 또는 아치형의 형태를 갖도록 식각하는 것이 바람직하다.
In the present invention, in the step (b), the outer edge of the groove is preferably etched to have a straight or arcuate form.

본 발명에 의한 수동형 유기발광다이오드에 의하면, 소자를 이루는 유기층을 산화?산란 방지층 내에 형성함으로써, 유기층의 산화, 오염 등을 방지하여 수동형 유기발광 다이오드 소자의 안정성 및 수명을 연장시키는 효과가 있다. According to the passive organic light emitting diode according to the present invention, by forming the organic layer constituting the device in the oxidation-scattering prevention layer, there is an effect of preventing the oxidation, contamination, etc. of the organic layer to extend the stability and life of the passive organic light emitting diode device.

또한, 상기 산화?산란 방지층 내에 발광층을 형성함으로써, 빛의 산란을 방지하며, 기판의 하부에도 굴절률 보정층을 형성하여 빛의 산란을 방지하므로 광 추출효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다. In addition, by forming a light emitting layer in the oxidation-scattering prevention layer, it is possible to prevent light scattering, and to form a refractive index correction layer on the lower part of the substrate to prevent light scattering, thereby maximizing light extraction efficiency.

또한, 본 발명의 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법에 있어서, 인캡슐레이션 박막으로서 산화?산란 방지층의 단층 박막을 이용하여 제조하게 되므로, 종래기술에 비해 다이오드의 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
In addition, in the manufacturing method of the passive organic light emitting diode of the present invention, since the single layer thin film of the oxidation-scattering prevention layer is used as the encapsulation thin film, the manufacturing cost of the diode can be reduced compared to the prior art. .

도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일실시예에 따른 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단면도.
도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 일실시예에 따른 직선형 에지를 갖는 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단계별 제조순서도.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일실시예에 따른 아치형 에지를 갖는 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단계별 제조순서도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드 제조방법의 순서도.
1A to 1B are cross-sectional views of a passive organic light emitting diode having an oxidation-scattering prevention layer according to an embodiment of the present invention.
Figure 2a to 2j is a step-by-step manufacturing flow chart of a passive organic light emitting diode having an oxidation-scattering prevention layer having a straight edge in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 3a to Figure 3j is a step-by-step manufacturing flow chart of a passive organic light emitting diode having an oxidation-scattering prevention layer having an arcuate edge in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a flow chart of a passive organic light emitting diode manufacturing method having an oxidation-scattering prevention layer according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일실시예에 따른 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단면도이다.1A to 1B are cross-sectional views of a passive organic light emitting diode having an oxidation-scattering prevention layer according to an embodiment of the present invention.

본 발명은, 발광층을 사이에 두고 양극전극층과 음극전극층이 스트라이프(stripe) 형태로 직교하는 구조를 갖는 수동형 유기발광다이오드(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode)에 관한 것으로써, 유기층의 오염을 방지하고 이와 동시에 발광층에서 생성되는 빛의 산란을 방지하여 광 추출효율을 높이는 수동형 유기발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a passive matrix organic light emitting diode having a structure in which an anode electrode layer and a cathode electrode layer are orthogonal to each other in a stripe form with a light emitting layer interposed therebetween. At the same time, the present invention relates to a passive organic light emitting diode and a method of manufacturing the same, which improve light extraction efficiency by preventing scattering of light generated in the light emitting layer.

본 발명에 의한 수동형 유기발광 다이오드는, 투명기판(101), 상기 투명기판 상에 형성되며, 소정영역이 식각되어 상기 투명기판의 상부가 노출되도록 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 제 1산화?산란 방지층(102), 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 노출되는 투명기판 상에 형성되는 제 2산화?산란 방지층(106), 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 제 2산화?산란 방지층상에 형성되는 양극전극층(103), 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 양극전극층 상에 형성되는 유기층(110), 및 상기 홈 내부에 형성되며, 상기 유기층 상에 형성되는 음극전극층(114)을 포함하는 구조로 형성되어 있다. In the passive organic light emitting diode according to the present invention, a first oxidation-scattering prevention layer is formed on the transparent substrate 101 and the transparent substrate and forms at least one groove so that a predetermined region is etched to expose an upper portion of the transparent substrate. 102, a second oxidation-scattering prevention layer 106 formed inside the groove and formed on the exposed transparent substrate, an anode electrode layer formed in the groove and formed on the second oxidation-scattering prevention layer And an organic layer 110 formed in the groove and formed on the anode electrode layer, and a cathode electrode layer 114 formed in the groove and formed on the organic layer. .

도 1a은 직선형 에지를 갖는 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단면도를 도시하고 있다. FIG. 1A illustrates a cross-sectional view of a passive organic light emitting diode having an oxidation-scattering prevention layer having a straight edge.

다만, 본 발명은 유기층(110)의 산화방지와 동시에 광 추출효율 극대화를 위해 상기 투명기판의 하부에 형성되는 굴절률 보정층(104)을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이러한 굴절률 보정층(104)을 더 구비하는 수동형 유기발광 다이오드는 도 1b에 도시되어 있다. However, the present invention preferably further includes a refractive index correction layer 104 formed under the transparent substrate to prevent oxidation of the organic layer 110 and maximize light extraction efficiency. The passive organic light emitting diode further including the refractive index correction layer 104 is illustrated in FIG. 1B.

상기 제 1산화?산란 방지층(102) 또는 제 2산화?산란 방지층(106)은, 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 SiO2 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것이 가능한데, 티타늄옥사이드(TiO2)층 및 SiO2층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것이 본 발명의 적절한 실시예일 것이다. The first oxidation-scattering prevention layer 102 or the second oxidation-scattering prevention layer 106 may be formed using any one or more materials selected from titanium oxide (TiO 2 ) or SiO 2 . It will be a suitable embodiment of the present invention that the 2 ) layer and the SiO 2 layer are formed by sequentially stacking.

또한 상기 굴절률 보정층(104)도, 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리콘옥사이드(SiO2) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것이 가능한데, 티타늄옥사이드(TiO2)층 및 실리콘옥사이드(SiO2)층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것이 바람직할 것이다. In addition, the refractive index correction layer 104 may be formed using any one or more materials selected from titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ), and include a titanium oxide (TiO 2 ) layer and silicon oxide (SiO). 2 ) It may be preferable that the layers are sequentially stacked.

상기 유기층(110)은, 정공수송층(111), 발광층(112) 및 전자수송층(113)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 상기 정공수송층(111), 발광층(112) 및 전자수송층(113)에 대해서는 후술하기로 한다. The organic layer 110 may be formed by sequentially stacking a hole transport layer 111, a light emitting layer 112, and an electron transport layer 113. The hole transport layer 111, the light emitting layer 112, and the electron transport layer 113 will be described later.

본 발명에서는 양극전극층(103), 유기층(110) 및 음극전극층(114)의 인캡슐레이션을 위해, 제 1산화?산란 방지층(102) 및 제 2산화?산란 방지층(106)으로 형성되는 홈을 형성하게 된다. 이 때, 상기 홈에 의해 제 1산화?산란 방지층(102)과 접촉하는 유기층(110)의 외측 에지(edge)는 직선형 또는 아치형으로 형성될 수 있다. 다만, 반드시 직선형 또는 아치형에만 한정되는 것은 아니고 발명의 필요에 따라, 반원형, 마름모형 등 다양한 형태의 에지를 형성하는 것도 가능할 것이다.
In the present invention, the groove formed by the first oxidation-scattering prevention layer 102 and the second oxidation-scattering prevention layer 106 is formed to encapsulate the anode electrode layer 103, the organic layer 110, and the cathode electrode layer 114. To form. At this time, the outer edge of the organic layer 110 in contact with the first oxidation-scattering prevention layer 102 by the groove may be formed in a straight or arcuate shape. However, the present invention is not necessarily limited to a straight line or an arc shape, and according to the necessity of the invention, it may be possible to form edges of various shapes such as a semicircle and a rhombus.

도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 일실시예에 따른 직선형 에지를 갖는 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단계별 제조순서도이다.2A through 2J are step-by-step manufacturing flowcharts of a passive organic light emitting diode having an anti-oxidation scattering layer having a straight edge according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 투명기판을 도시하고 있다. 2A shows a transparent substrate.

상기 투명기판(101)은 발광된 빛이 다이오드 밖으로 나오게 하기 위해서는, 발광 파장영역에서 발광된 빛이 기판에서 거의 흡수가 되지 않아야 하기 때문에 유리(Glass) 기판을 이용하는 것이 바람직하다. 다만, 반드시 유리(Glass) 기판에 한정되는 것은 아니고, 빛의 투과율이 좋은 재료라면 어떠한 물질로 형성된 기판이라도 이용할 수 있을 것이다. In order for the transparent substrate 101 to emit light emitted from the diode, it is preferable to use a glass substrate because the light emitted in the emission wavelength region should hardly be absorbed by the substrate. However, the substrate is not necessarily limited to a glass substrate, and a substrate formed of any material may be used as long as the material has a good light transmittance.

도 2b는 투명기판 상에 제 1산화?산란 방지층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2B illustrates the formation of the first oxidation-scattering prevention layer on the transparent substrate.

상기 제 1산화?산란 방지층(102)은, 상기 유기층(110)의 산화 및 발광층(112)에서 생성되는 빛의 산란을 방지하기 위한 것으로서, 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리콘옥사이드(SiO2)를 이용하여 형성된다. 바람직하게는 하부에 티타늄옥사이드(TiO2)층을 적층하고, 상기 티타늄옥사이드(TiO2)층의 상부에 실리콘옥사이드(SiO2)층을 형성하는 것이 바람직할 것이다. The first oxidation-scattering prevention layer 102 is to prevent the oxidation of the organic layer 110 and the scattering of light generated in the light emitting layer 112, and the titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ). It is formed using. Preferably, a titanium oxide (TiO 2 ) layer is stacked below, and a silicon oxide (SiO 2 ) layer may be formed on top of the titanium oxide (TiO 2 ) layer.

도 2c는 제 1산화?산란 방지층의 소정영역을 식각하여 홈을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2C illustrates a groove formed by etching a predetermined region of the first oxidation-scattering prevention layer.

상기 홈(105)은 산화?산란방지층에 유기층을 인캡슐레이션(encapsulation) 시키기 위해서 형성하게 되는데, 제 1산화?산란방지층(102)의 측면이 직선형 또는 아치형이 되도록 에칭할 수 있다. 여기서 식각방법은 건식식각법 또는 습식식각법을 이용할 수 있을 것이다. The groove 105 is formed to encapsulate the organic layer in the oxidation-scattering prevention layer, and may be etched so that the side surface of the first oxidation-scattering prevention layer 102 is straight or arcuate. Here, the etching method may use a dry etching method or a wet etching method.

도 2c에서는 투명기판(101)의 상부가 노출되도록 식각한 모습을 도시하고 있는데, 이는 제 2산화?산란 방지층(106)을 티타늄옥사이드(TiO2)층 및 실리콘옥사이드(SiO2)층의 두 개층으로 형성함에 있어서, 소정의 두께 비율을 가진 형태로 적층하기 위함이다. In FIG. 2C, the upper portion of the transparent substrate 101 is etched. The second oxidation-scattering prevention layer 106 is formed of two layers, a titanium oxide (TiO 2 ) layer and a silicon oxide (SiO 2 ) layer. In forming, it is to be laminated in the form having a predetermined thickness ratio.

물론, 발명의 필요에 따라, 티타늄옥사이드(TiO2)층 및 실리콘옥사이드(SiO2)층을 구분짓지 않고, 티타늄옥사이드(TiO2)와 실리콘옥사이드(SiO2)을 혼합하여 제 1산화?산란방지층(102)을 형성한 후, 상기 투명기판(101)의 상부가 노출되지 않도록 식각한 후, 양극전극층(103)을 적층하는 방식으로 수동형 유기발광 다이오드를 형성할 수 도 있을 것이다. Of course, according to the necessity of the invention, the titanium oxide (TiO 2 ) layer and silicon oxide (SiO 2 ) layer, without distinguishing the first oxide and scattering prevention layer by mixing titanium oxide (TiO 2 ) and silicon oxide (SiO 2 ) After forming 102, the passive substrate may be formed by etching the upper portion of the transparent substrate 101 so as not to be exposed and then stacking the anode electrode layer 103.

도 2d는 상기 홈의 내부에 제 2산화?산란 방지층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2D illustrates a second oxidation-scattering prevention layer formed inside the groove.

상술한 바대로, 식각에 의해 형성된 홈의 내부에 제 2산화?산란 방지층(106)을 형성하면, 티타늄옥사이드(TiO2)층 및 실리콘옥사이드(SiO2)층을 구비하는 제 1산화?산란방지층(102)과 제 2산화?산란 방지층(106)로 형성되는 홈이 완성되게 된다. As described above, when the second oxidation-scattering prevention layer 106 is formed in the groove formed by etching, the first oxidation-scattering prevention layer including a titanium oxide (TiO 2 ) layer and a silicon oxide (SiO 2 ) layer is provided. The groove formed by the 102 and the second oxidation-scattering prevention layer 106 is completed.

본 발명에서는 상기 홈의 내부에 양극전극층(103), 유기층(110) 및 음극전극층(114)을 인캡슐레이션되도록 형성하게 된다. In the present invention, the anode electrode layer 103, the organic layer 110, and the cathode electrode layer 114 are formed to be encapsulated inside the groove.

이와 같이 산화?산란 방지층으로 유기층(110) 등을 인캡슐레이션하게 되면, 산화?산란 방지층이, 발광층(112)를 포함하는 발광 영역에 대해 주위 수분의 투과를 방지하거나 적어도 감소시키는 일종의 수분 차단층을 형성함으로써 주위 환경으로부터 유기층(110)을 보호할 수 있고, 또한 열보호층으로 작용하여 승온에서 소자의 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다. When the organic layer 110 is encapsulated as the oxidation-scattering prevention layer as described above, the oxidation-scattering prevention layer is a kind of moisture barrier layer that prevents or at least reduces the permeation of ambient moisture to the light emitting region including the light emitting layer 112. The organic layer 110 can be protected from the surrounding environment by forming a, and it can act as a thermal protective layer to prevent the life of the device from being shortened at elevated temperatures.

상기 발광층(112)으로부터 발생한 빛은 양극전극층(103), 제 2산화?산란 방지층(106) 및 투명기판(101)을 차례로 통과하여 외부로 방출되게 된다. Light generated from the light emitting layer 112 passes through the anode electrode layer 103, the second oxidation-scattering prevention layer 106, and the transparent substrate 101 in order to be emitted to the outside.

즉, 본 발명에서는 상기 제 2산화?산란 방지층(106)을 구비함으로써, 발광층(112)에서 발생한 빛이 굴절률이 다른 제 2산화?산란 방지층(106)을 주기적으로 통과하게 되고 이 때 빛의 포획, 반사 및 경로 변경 등을 제한할 수 있게 된다. That is, in the present invention, the second oxidation-scattering prevention layer 106 is provided so that the light generated in the light emitting layer 112 periodically passes through the second oxidation-scattering prevention layer 106 having different refractive indices. This can limit reflections, path changes, and so on.

따라서 투명기판(101)에서 반사되거나 전면으로 진행하지 않는 빛을 제어하여 전면으로 방출되는 빛의 양을 증가시킬 수 있어서 발광효율을 높일 수 있다. 발광 효율이 높은 경우 유기발광 다이오드의 구동 전압을 낮추는 동시에 소자의 수명을 증가시킬 수 있는 잇점이 있다. Therefore, the amount of light emitted to the front surface can be increased by controlling the light reflected from the transparent substrate 101 or not traveling to the front surface, thereby increasing the luminous efficiency. When the luminous efficiency is high, there is an advantage in that the driving voltage of the organic light emitting diode can be lowered and the life of the device can be increased.

도 2e는 상기 제 2산화?산란 방지층 상에 양극전극층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2E illustrates the formation of the anode electrode layer on the second oxidation-scattering prevention layer.

본 발명에서 양극전극층(103)은, 투명기판(101)과 마찬가지로 발광 파장영역에서 발광된 빛이 거의 흡수되지 않도록 투명한 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서 상기 양극전극층(103)은 정공주입전극으로 사용될 수도 있는데, 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO)과 같이 일함수가 높은 금속을 이용하여 형성함이 바람직하다. In the present invention, like the transparent substrate 101, the anode electrode layer 103 is preferably formed of a transparent material so that light emitted in the emission wavelength region is hardly absorbed. In addition, in the present invention, the anode electrode layer 103 may be used as a hole injection electrode, and is preferably formed using a metal having a high work function such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

도 2f는 상기 양극전극층 상에 정공수송층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2F illustrates the formation of a hole transport layer on the anode electrode layer.

상기 정공수송층(111)은 정공을 쉽게 운반시킬 뿐만 아니라, 전자를 발광영역에 속박함으로서 여기자를 형성하는 확률을 높이는 역할을 수행한다. 이를 위해서 정공수송층에 사용되는 재료는 정공이동도가 높은 것임이 바람직하다. The hole transport layer 111 not only transports holes easily, but also increases the probability of forming excitons by binding electrons to the emission region. To this end, the material used for the hole transport layer is preferably a high hole mobility.

본 발명에서는 정공수송층(111)을 형성하는 재료로서, TPD(트리페닐디아민, triphenyl-diamine), NPD(N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine) 또는 정공이 주입되었을 때 생성되는 양이온 라디칼을 안정화시킬 수 있는 방향족 아민을 사용함이 바람직하다. In the present invention, as a material for forming the hole transport layer 111, TPD (triphenyldiamine, triphenyl-diamine), NPD (N, N'-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine) or generated when the hole is injected Preference is given to using aromatic amines which can stabilize cationic radicals.

다만, 이에 한정되지 않고, 아릴아민계 저분자, 히드라존계 저분자, 스틸벤계 저분자 스타버스트계 저분자로 NPB, TPD, s-TAD, MTADATA등의 저분자와 카바졸계 고분자, 아릴아민계 고분자, 페릴렌계 및 피롤계 고분자로 PVK와 같은 고분자를 이용하여 형성하는 것도 가능할 것이다. However, the present invention is not limited thereto, and may be an arylamine low molecule, a hydrazone low molecule, a stilbene low molecule starburst low molecule, a low molecule such as NPB, TPD, s-TAD or MTADATA, a carbazole type polymer, an arylamine type polymer, a perylene type, or P. It may be possible to form using a polymer such as PVK as a roll-based polymer.

또한, 발명의 필요에 따라 본 발명에서는 상기 양극전극층(103)과 정공수송층(111) 사이에 별도의 정공주입층(미도시)를 구비할 수도 있는데, 상기 정공주입층으로 CuPc TNATA, TCTA, TDAPB와 같은 저분자 물질과 PANI, PEDOT와 같은 고분자 물질을 이용하여 형성할 수 있을 것이다. In addition, according to the needs of the present invention, a separate hole injection layer (not shown) may be provided between the anode electrode layer 103 and the hole transport layer 111, and the hole injection layer may include CuPc TNATA, TCTA, TDAPB. It may be formed using a low molecular weight material such as and a high molecular material such as PANI, PEDOT.

상기 정공 주입층(미도시) 또는 정공수송층(111)은 진공 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 증착할 수 있다. The hole injection layer (not shown) or the hole transport layer 111 may be deposited by a vacuum deposition method or a sputtering method.

도 2g는 상기 정공수송층 상에 발광층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2G illustrates a light emitting layer formed on the hole transport layer.

본 발명에서 상기 발광층(112)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물을 이용하여 형성될 수 있는데, 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴놀린)[aluminium tris(8-hydroxyquinoline)], Alq3], 안트라센(anthracene), 디스트릴(distryl) 화합물을 이용하여 형성될 수 있을 것이다. In the present invention, the light emitting layer 112 may be formed using an organic material or a mixture of organic and inorganic materials that uniquely emits light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue. It may be formed using aluminum tris (8-hydroxyquinoline), Alq3], anthracene, distriryl compounds.

또한, 발명의 필요에 따라 ① 적색 발광 물질로 Alq3, CBP 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자를 이용할 수 있고, ②녹색 발광물질로는 Alq3 및 BGP 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등을 이용할 수 있으며, ③청색 발광물질로는 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등을 이용하여 발광층(112)을 형성할 수도 있을 것이다. Further, according to the necessity of the invention, ① low-molecular materials such as Alq3 and CBP, and PFO-based polymers and PPV-based polymers may be used as red light-emitting materials, and ② low-molecular materials such as Alq3 and BGP and PFO as green light-emitting materials. Polymers, PPV polymers, and the like. ③ As blue light emitting materials, low molecular weight materials such as DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenzene (DSB) and Distyrylarylene (DSA) and PFO polymers The light emitting layer 112 may be formed using a PPV polymer, or the like.

상기 발광층(112)에서 빛을 발생하는 원리는, 다이오드에 순방향 바이어스(forward bias)를 가해질 때, 전자수송층(113)으로부터 나온 전자 및 상기 정공수송층(111)으로부터 나온 정공이 발광층(112)으로 주입되게 되고, 이 때 발광층(112)에서 만난 전자와 정공이 재결합하면서 여기자(exciton)를 형성하고, 상기의 여기자가 낮은 에너지 상태로 떨어지면서 에너지가 방출되어, 특정한 파장의 빛이 발생된다고 할 수 있다. The principle of generating light in the light emitting layer 112 is that when a forward bias is applied to the diode, electrons from the electron transport layer 113 and holes from the hole transport layer 111 are injected into the light emitting layer 112. At this time, the electrons and holes encountered in the light emitting layer 112 recombine to form an exciton, and the excitons fall into a low energy state to emit energy, thereby generating light of a specific wavelength. .

도 2h는 상기 발광층 상에 전자수송층을 형성한 모습을 도시하고 있다. 2H illustrates an electron transport layer formed on the light emitting layer.

상기 전자수송층(113)은 순방향 바이어스(forward bias)가 가해질 때, 음극전극층(114)으로부터 주입된 전자를 발광층(112)으로 수송하는 역할을 한다. 전자수송층(113)에 사용될 수 있는 재료로서, 전자당김체를 보유한 화합물이나 금속화합물이 사용될 수 있다. 상기 전자당김체를 보유한 화합물은 전자수송층에 전자가 주입되었을 때 생성되는 음이온 라디칼을 안정화할 수 있는데, 이러한 화합물의 예로는 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)를 들 수 있다. 또한, 상기 금속화합물은 전자를 잘 수용할 수 있는데, 이러한 금속화합물의 예로는 안정하고 전자친화도가 큰 Alq3(Aluminum tris 8-hydroxyquinoline)를 들 수 있다.The electron transport layer 113 transports electrons injected from the cathode electrode layer 114 to the light emitting layer 112 when a forward bias is applied. As a material that can be used for the electron transport layer 113, a compound or a metal compound having an electron pulling body may be used. The compound having the electron pulling body can stabilize anion radicals generated when electrons are injected into the electron transport layer. Examples of such compounds include PBD (2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole). In addition, the metal compound may well accept electrons. Examples of the metal compound may include Alq 3 (Aluminum tris 8-hydroxyquinoline) having a stable and high electron affinity.

또한, 발명의 필요에 따라 본 발명에서는 전자 주입층(미도시)을 구비할 수도 있는데, 상기 전자주입층(미도시)은 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga Complex), PBD와 같은 저분자 물질이나 옥사디아졸계 고분자 물질을 이용하여 형성할 수 있을 것이다. In addition, according to the needs of the present invention, an electron injection layer (not shown) may be provided in the present invention. The electron injection layer (not shown) may be a low molecular material such as Alq3, a gallium mixture (Ga Complex), a PBD, or an oxadiazole type. It may be formed using a polymer material.

상기 전자수송층(113) 및 전자주입층은 스핀코팅, 딥코팅 등의 코팅방법 및 압출, 스핀, 나이프 코팅방법, 진공 증착법, 화학 기상 증착법 등과 같은 증착방법을 사용하여 형성할 수 있을 것이다. The electron transport layer 113 and the electron injection layer may be formed using a coating method such as spin coating or dip coating and a deposition method such as extrusion, spin, knife coating method, vacuum deposition method, chemical vapor deposition method, or the like.

도 2i는 상기 전자수송층 상에 음극전극층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2I illustrates a cathode electrode layer formed on the electron transport layer.

본 발명에서 상기 음극전극층(114)는 금속 물질 또는 금속 물질의 상부에 투명 전극물질이 적층된 구조로 형성될 수 있을 것이다. 이러한 구조는 배면 발광 구조에 적합하다고 할 수 있다. 상기 금속물질은 유기발광 다이오드에 사용되는 공지의 물질로써 빛의 반사율이 높은 물질이라면 어떠한 물질이라도 이용될 수 있을 것이다. In the present invention, the cathode electrode layer 114 may be formed of a metal material or a structure in which a transparent electrode material is stacked on the metal material. Such a structure can be said to be suitable for the bottom light emitting structure. The metal material is a known material used for an organic light emitting diode, and any material may be used as long as the material has a high reflectance of light.

도 2j는 상기 투명기판의 하부에 굴절률 보정층을 형성한 모습을 도시하고 있다. FIG. 2J illustrates a state in which a refractive index correction layer is formed below the transparent substrate.

본 발명에서 굴절률 보정층(104)는 상기 산화?산란 방지층과 마찬가지로 티타늄옥사이드(TiO2) 및 실리콘옥사이드(SiO2)를 이용하여 형성될 수 있고, 바람직하게는 티타늄옥사이드(TiO2)층의 상부에 실리콘옥사이드(SiO2)층이 적층된 구조를 채택할 수 있을 것이다. In the present invention, the refractive index correction layer 104 may be formed using titanium oxide (TiO 2 ) and silicon oxide (SiO 2 ), like the oxidation-scattering prevention layer, and preferably the upper portion of the titanium oxide (TiO 2 ) layer. The structure in which the silicon oxide (SiO 2 ) layer is stacked may be adopted.

이와 같이 굴절률 보정층(104)을 구비함으로써, 투명기판(101)을 통과한 빛이 실리콘옥사이드(SiO2)층을 지나 티타늄옥사이드(TiO2)층을 통과하게 되므로, 빛의 굴절률이 보정되어 정면으로 방출될 수 있도록 빛의 방향성을 제어할 수 있을 것이다. 또한 투명기판(101)을 통과한 빛이 투명기판(101)과 공기의 계면에서 전반사되는 것을 줄여 외부로 방출되는 빛의 양을 늘릴 수 있으므로 광추출효율이 더욱 향상되게 된다. By providing the refractive index correction layer 104 as described above, the light passing through the transparent substrate 101 passes through the silicon oxide (SiO 2 ) layer and passes through the titanium oxide (TiO 2 ) layer. You can control the direction of the light so that it can be emitted. In addition, since the light passing through the transparent substrate 101 is totally reflected at the interface between the transparent substrate 101 and the air, the amount of light emitted to the outside can be increased, thereby improving light extraction efficiency.

도 2a 내지 도 2j는 하나의 픽셀에 대해서만 도시하고 있으나, 이와 같은 픽셀이 어레이의 형태를 이루면서 면적 또는 크기에 제한받지 않고 수동형 유기발광 다이오드 패키지를 형성할 수 있을 것이다. 2A to 2J illustrate only one pixel, the pixel may form a passive organic light emitting diode package without being limited in size or area by forming an array.

도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일실시예에 따른 아치형 에지를 갖는 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드의 단계별 제조순서도이다. 3A to 3J are step-by-step manufacturing flowcharts of a passive organic light emitting diode having an oxidation-scattering prevention layer having an arcuate edge according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3j는 상기 도 2a 내지 도 2j에 대한 설명과 거의 동일하므로 각각의 도면에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 3A to 3J are almost the same as the description of FIGS. 2A to 2J, and thus, detailed descriptions of the respective drawings will be omitted.

다만, 제 1산화?산란 방지층(102)의 측면에 직선형 에지가 아닌 아치형 에지를 형성한 모습들을 도시하고 있는데, 이와 같이 제 1산화?산란방지층(102)을 아치형으로 에칭할 경우, 이후의 단계에서 홈 내부에 유기층(110)을 형성할 때, 홈의 에지(edge) 부분까지 적층이 잘 이루어지는 장점이 발생할 수 있다. However, when the first oxidation-scattering prevention layer 102 is formed in an arcuate edge rather than a straight edge on the side of the side, when the first oxidation-scattering prevention layer 102 is etched arcuately, the following steps When forming the organic layer 110 inside the groove, the advantage that the lamination to the edge (edge) portion of the groove may occur.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 산화?산란 방지층을 구비하는 수동형 유기발광 다이오드 제조방법의 순서도이다. Figure 4 is a flow chart of a passive organic light emitting diode manufacturing method having an oxidation-scattering prevention layer according to an embodiment of the present invention.

먼저 투명기판 상에 제 1산화?산란 방지층을 형성하게 된다.(S401)First, the first oxidation-scattering prevention layer is formed on the transparent substrate. (S401)

상기 투명기판은 글래스 기판을 이용할 수 있고, 제 1산화?산란 방지층은 TiO2층과 SiO2층이 순차적으로 적층되어 형성됨이 바람직하다. The transparent substrate may use a glass substrate, and the first oxidation-scattering prevention layer is preferably formed by sequentially stacking a TiO 2 layer and a SiO 2 layer.

이후, 상기 투명기판의 상부가 노출되도록 상기 제 1산화?산란 방지층의 소정영역을 식각하여 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 단계를 거치게 된다.(S402) 이는 유기층 등을 인캡슐레이션하기 위한 전제공정이라고 할 수 있다. 상기 홈은 그 외측 에지가 직선형 또는 아치형의 형태를 갖도록 식각하는 것이 바람직하다. Subsequently, at least one groove is formed by etching a predetermined region of the first oxidation-scattering prevention layer to expose the upper portion of the transparent substrate. (S402) This is a prerequisite for encapsulating an organic layer or the like. can do. The groove is preferably etched such that its outer edge has a straight or arcuate shape.

상기의 과정을 거쳐서, 상기 홈 내부에 제 2산화?산란 방지층을 형성하게 되는데(S403), 이는 상기 TiO2층과 SiO2층이 순차적으로 적층되어 형성되는 제 1산화?산란 방지층과 마찬가지로 제 2산화?산란 방지층을 TiO2층과 SiO2층이 순차적으로 적층되어 형성되도록 하기 위함이다. Through the above process, a second oxidation-scattering prevention layer is formed inside the groove (S403), which is similar to the first oxidation-scattering prevention layer formed by sequentially stacking the TiO 2 layer and the SiO 2 layer. This is for the oxidation-scattering prevention layer to be formed by sequentially stacking the TiO 2 layer and the SiO 2 layer.

이후 상기 홈 내부의 제 2산화?산란 방지층 상에 양극전극층을 형성하게 되는데(S404), 발명의 필요에 따라 양극전극층의 형성 후, 정공주입층을 형성하는 단계를 거칠 수도 있을 것이다. Thereafter, an anode electrode layer is formed on the second oxidation-scattering prevention layer inside the groove (S404). After the formation of the anode electrode layer, the hole injection layer may be formed according to the necessity of the invention.

양극전극층 형성 후에, 상기 홈 내부의 양극전극층 상에 유기층을 형성하는 단계(S405)를 거치게 되는데, 홈 내부의 양극전극층 위에 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 순차적으로 적층하게 된다. 이 때 발명의 필요에 따라 전자 수송층의 형성 후에 전자주입층을 형성하는 단계를 더 구비할 수도 있을 것이다. After the formation of the anode electrode layer, an organic layer is formed on the anode electrode layer in the groove (S405), and the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are sequentially stacked on the anode electrode layer in the groove. At this time, according to the needs of the invention may further comprise the step of forming an electron injection layer after the formation of the electron transport layer.

이후, 상기 홈 내부의 유기층상에 음극전극층을 형성하게 되는데(S406), 음극전극층은 빛의 투과율이 낮고, 반사율이 높은 금속물질로 구성됨이 바람직하다. Thereafter, a cathode electrode layer is formed on the organic layer inside the groove (S406). The cathode electrode layer is preferably made of a metal material having low light transmittance and high reflectance.

마지막으로 상기 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하는 단계를 거치게 되는데(S407), 굴절률 보정층의 형성으로 인해 투명기판의 전면으로 방출되는 광량이 늘어나고, 투명기판과 공기의 계면에서 발생하는 전반사를 줄여주어 광추출효율이 높은 고품질의 수동형 유기발광 다이오드가 제공될 수 있다. Finally, the step of forming a refractive index correction layer on the lower surface of the transparent substrate (S407), the amount of light emitted to the front of the transparent substrate increases due to the formation of the refractive index correction layer, which occurs at the interface between the transparent substrate and air It is possible to provide a high quality passive organic light emitting diode having high light extraction efficiency by reducing total reflection.

다만, 상기한 바와 같이 마지막 공정으로 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하는 것도 가능하지만, 상기 제 1산화?산란 방지층의 형성단계(S401)전에 미리 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하고, 상기 굴절률 보정층이 하부에 형성된 투명기판의 상부면에 제 1산화?산란 방지층을 형성하는 과정을 거쳐서 본 발명의 수동형 유기발광 다이오드를 제조할 수도 있을 것이다. As described above, although the refractive index correction layer may be formed on the lower surface of the transparent substrate in the last step, the refractive index correction layer may be formed on the lower surface of the transparent substrate in advance before the forming step S401 of the first oxidation-scattering prevention layer. The passive organic light emitting diode of the present invention may be manufactured by forming a first oxidation-scattering prevention layer on the upper surface of the transparent substrate having the refractive index correction layer formed thereon.

이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
The present invention has been described above in connection with specific embodiments of the present invention, but this is only an example and the present invention is not limited thereto. Those skilled in the art can change or modify the described embodiments without departing from the scope of the present invention, and within the equivalent scope of the technical spirit of the present invention and the claims to be described below. Various modifications and variations are possible.

101: 투명기판
102: 제 1산화?산란방지층
103: 양극전극층
104: 굴절률 보정층
105: 홈
106: 제 2산화?산란방지층
110: 유기층
111: 정공수송층
112: 발광층
113: 전자수송층
114: 음극전극층
101: transparent substrate
102: first oxidation-scattering layer
103: anode electrode layer
104: refractive index correction layer
105: home
106: second oxidation-scattering layer
110: organic layer
111: hole transport layer
112: light emitting layer
113: electron transport layer
114: cathode electrode layer

Claims (11)

투명기판;
상기 투명기판 상에 형성되며, 소정영역이 식각되어 상기 투명기판의 상부가 노출되도록 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 제 1산화?산란 방지층;
상기 홈 내부에 형성되며, 상기 노출되는 투명기판 상에 형성되는 제 2산화?산란 방지층;
상기 홈 내부에 형성되며, 상기 제 2산화?산란 방지층상에 형성되는 양극전극층;
상기 홈 내부에 형성되며, 상기 양극전극층 상에 형성되는 유기층; 및
상기 홈 내부에 형성되며, 상기 유기층 상에 형성되는 음극전극층;
을 포함하는 수동형 유기발광 다이오드.
Transparent substrate;
A first oxidation-scattering prevention layer formed on the transparent substrate and forming at least one groove so that a predetermined region is etched to expose an upper portion of the transparent substrate;
A second oxidation-scattering prevention layer formed in the groove and formed on the exposed transparent substrate;
An anode electrode layer formed in the groove and formed on the second oxidation-scattering prevention layer;
An organic layer formed in the groove and formed on the anode electrode layer; And
A cathode electrode layer formed in the groove and formed on the organic layer;
Passive organic light emitting diode comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 투명기판의 하부에 형성되는 굴절률 보정층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드.
The method of claim 1,
Passive organic light emitting diode, characterized in that further comprising a refractive index correction layer formed on the lower portion of the transparent substrate.
제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1산화?산란 방지층 또는 제 2산화?산란 방지층은,
티타늄옥사이드(TiO2)또는 실리콘옥사이드(SiO2) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드.
The method according to claim 1 or 2, wherein the first oxidation-scattering prevention layer or the second oxidation-scattering prevention layer,
Passive organic light emitting diode, characterized in that formed using any one or more materials selected from titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ).
제 2항에 있어서, 상기 굴절률 보정층은,
티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리콘옥사이드(SiO2) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드.
The method of claim 2, wherein the refractive index correction layer,
Passive organic light emitting diode, characterized in that formed using at least one material selected from titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ).
제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 유기층은,
정공수송층, 발광층 및 전자수송층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드.
The method according to claim 1 or 2, wherein the organic layer,
Passive organic light emitting diode, characterized in that formed by sequentially stacking a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.
제 1 항 또는 제 2항에 있어서,
상기 홈에 의해 제 1산화?산란 방지층과 접촉하는 유기층의 외측 에지(edge)는 직선형 또는 아치형인 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드.
The method according to claim 1 or 2,
Passive organic light emitting diode, characterized in that the outer edge (edge) of the organic layer in contact with the first oxidation-scattering prevention layer by the groove is straight or arcuate.
(a) 투명기판 상에 제 1산화?산란 방지층을 형성하는 단계;
(b) 상기 투명기판의 상부가 노출되도록 상기 제 1산화?산란 방지층의 소정영역을 식각하여 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 단계;
(c) 상기 홈 내부에 제 2산화?산란 방지층을 형성하는 단계;
(d) 상기 홈 내부의 제 2산화?산란 방지층 상에 양극전극층을 형성하는 단계;
(e) 상기 홈 내부의 양극전극층 상에 유기층을 형성하는 단계; 및
(f) 상기 홈 내부의 유기층 상에 음극전극층을 형성하는 단계;
를 포함하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법.
(a) forming a first oxidation-scattering prevention layer on the transparent substrate;
(b) forming at least one groove by etching a predetermined region of the first oxidation-scattering prevention layer to expose an upper portion of the transparent substrate;
(c) forming a second oxidation-scattering prevention layer in the groove;
(d) forming an anode electrode layer on the second oxidation-scattering prevention layer in the groove;
(e) forming an organic layer on the anode electrode layer in the groove; And
(f) forming a cathode electrode layer on the organic layer inside the groove;
Method for manufacturing a passive organic light emitting diode comprising a.
제 7항에 있어서, 상기 (a)단계는,
(a1) 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하는 단계; 및
(a2) 상기 굴절률 보정층이 하부에 형성된 투명기판의 상부면에 제 1산화?산란 방지층을 형성하는 단계; 인 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법.
The method of claim 7, wherein the step (a),
(a1) forming a refractive index correction layer on a lower surface of the transparent substrate; And
(a2) forming a first oxidation-scattering prevention layer on an upper surface of the transparent substrate on which the refractive index correction layer is formed; Method for producing a passive organic light emitting diode, characterized in that.
제 7항에 있어서, 상기 (f)단계 후에,
(g) 상기 투명기판의 하부면에 굴절률 보정층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법.
8. The method of claim 7, wherein after step (f),
(g) forming a refractive index correction layer on the lower surface of the transparent substrate.
제 7항에 있어서, 상기 (e)단계는,
상기 홈 내부의 양극전극층 위에 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 순차적으로 적층하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법.
The method of claim 7, wherein step (e)
And a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked on the anode electrode layer in the groove.
제 7항에 있어서, 상기 (b)단계는,
상기 홈의 외측 에지가 직선형 또는 아치형의 형태를 갖도록 식각하는 것을 특징으로 하는 수동형 유기발광 다이오드의 제조방법.
The method of claim 7, wherein step (b),
And etching the outer edges of the grooves to have a straight or arcuate shape.
KR1020100087351A 2010-09-07 2010-09-07 Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method KR20120025148A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100087351A KR20120025148A (en) 2010-09-07 2010-09-07 Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100087351A KR20120025148A (en) 2010-09-07 2010-09-07 Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120025148A true KR20120025148A (en) 2012-03-15

Family

ID=46131627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100087351A KR20120025148A (en) 2010-09-07 2010-09-07 Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120025148A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10903448B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9520452B2 (en) Organic light-emitting display apparatus with color filter
KR102064392B1 (en) Organic luminescence emitting display device and method for manufacturing the same
KR102036328B1 (en) Organic luminescence emitting display device and method for manufacturing the same
JP4470627B2 (en) Optical substrate, light emitting element, and display device
KR100721571B1 (en) Organic light emitting device and fabrication method of the same
KR20140111505A (en) Organic luminescence emitting display device
US20140291631A1 (en) Organic light emitting diode device
KR102242795B1 (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR102349697B1 (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR20180062220A (en) Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Apparatus using the same
KR20160082880A (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
JP4893816B2 (en) OPTICAL SUBSTRATE, LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEM
KR20160082384A (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR20120025148A (en) Passive matrix organic light emitting diode having anti-oxidant and anti-scattering layer and its manufacturing method
KR20160043200A (en) Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR20180062232A (en) Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Apparatus using the same
KR20170014455A (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR20150142753A (en) Organic Light Emitting Device
JP2002246181A (en) Organic light-emitting element
KR20120139032A (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
KR100923354B1 (en) OLED illumination panel
KR20160083607A (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR20160082829A (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR20050095145A (en) Oled

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application