KR20120015577A - Retainer ring for polishing wafer - Google Patents
Retainer ring for polishing wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120015577A KR20120015577A KR1020100077781A KR20100077781A KR20120015577A KR 20120015577 A KR20120015577 A KR 20120015577A KR 1020100077781 A KR1020100077781 A KR 1020100077781A KR 20100077781 A KR20100077781 A KR 20100077781A KR 20120015577 A KR20120015577 A KR 20120015577A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ring
- intermediate member
- retaining
- retaining member
- wafer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 방법에 의해 웨이퍼를 연마하는 공정에 있어서 웨이퍼의 외주면을 유지하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 소자의 제조공정에 있어서 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위한 연마공정이 필수적으로 포함된다.In the manufacturing process of a semiconductor element, the grinding | polishing process for planarizing the surface of a semiconductor wafer is essential.
이러한 연마 공정에 주로 사용되는 것이 화학기계적 연마 공정이다. CMP 공정은 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마함과 동시에 화학적 연마제에 의해 연마시키는 공정이다. CMP 공정에서는 캐리어에 고정된 웨이퍼를 연마 패드에 가압시킨 상태에서 회전시킴으로써 연마 패드와 웨이퍼 표면 간의 마찰에 의해 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지게 한다. 또한, 연마 패드와 웨이퍼 사이에 공급되는 화학적 연마제로서의 슬러리에 의해 웨이퍼의 표면이 화학적으로 연마된다.Mainly used in such polishing process is a chemical mechanical polishing process. The CMP process is a process of polishing a surface of a wafer coated with tungsten, an oxide, or the like by mechanical friction and a chemical polishing agent. In the CMP process, the wafer fixed to the carrier is rotated while being pressed against the polishing pad, thereby polishing the wafer surface by friction between the polishing pad and the wafer surface. In addition, the surface of the wafer is chemically polished by a slurry as a chemical abrasive supplied between the polishing pad and the wafer.
도 1은 CMP 방법에 의해 웨이퍼를 연마하는 공정을 설명하기 위한 개략도이다. 턴테이블(1) 위에 연마 패드(2)가 설치되고 그 위에 웨이퍼(W)가 놓여진다. 웨이퍼(W)를 수용하는 역할을 하는 캐리어(3)의 하면에 웨이퍼(W)가 흡착되도록 한 다음, 연마 도중 웨이퍼(W)가 구동부(4)에 의해 작동하는 캐리어(3)에서 바깥으로 이탈되지 않도록 리테이너 링(9)으로 지지한다. 캐리어(3)에 수용된 웨이퍼(W)를 연마 패드(2)에 대해 소정 압력으로 누르면서 연마제인 슬러리(6; Slurry)를 노즐(5)을 통해 웨이퍼(W)와 연마 패드(2) 사이에 공급함으로써, 웨이퍼(W)는 연마 패드(2)의 회전운동에 의해 화학적/기계적으로 동시에 연마된다.1 is a schematic view for explaining a step of polishing a wafer by a CMP method. The
도 2는 종래의 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 일례를 도시한 사시도이다. 도 2에 도시한 것과 같이 종래의 웨이퍼 연마용 리테이너 링(9)은 프레임 링(7)과 연마 링(8)으로 구성된다. 프레임 링(7)은 금속 재질로 이루어지고, 연마 링(8)은 합성수지 재질로 이루어진다. 프레임 링(7)과 연마 링(8)은 접착제에 의해 서로 결합된다. 도 1을 참조하면 연마 링은 연마 패드(2)에 대해 가압된 상태로 회전되는데, 그 마찰력 및 회전력에 의해 연마 링(8)은 웨이퍼(W)와 함께 마모된다. 즉, 장기간 사용하면 연마 링(8)은 마모되어 점차 높이가 감소하기 때문에, 연마 링(8)은 CMP 공정의 소모품이다. 이와 같이 연마 링의 수명이 다하면, 절삭 공구를 이용하여 프레임 링(7)으로부터 연마 링(8)부분을 깎아내고 새로운 연마 링(8)을 프레임 링(7)에 접착하여 사용한다. 2 is a perspective view showing an example of a conventional wafer polishing retainer ring. As shown in FIG. 2, the conventional wafer
그런데, 프레임 링(7)과 연마 링(8)은 접착제(10)에 의해 서로 결합되기 때문에, 프레임 링(7)으로부터 연마 링(8)을 절삭 공구에 의해 깎아내는 과정에서 합성수지 재질의 연마 링(7)만 절삭되는 것이 아니라, 프레임 링(8)의 일부도 함께 절삭된다. 따라서 동일한 프레임 링에 대해 연마 링을 몇 차례 교체하여 사용하면, 프레임 링의 치수와 형상도 바뀌게 되어 프레임 링을 더 이상 사용할 수 없는 문제점이 있다. 이로 인해 프레임 링이 교체 주기가 짧아지고 CMP 공정의 공정 원가가 상승하게 된다. However, since the
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 연마 링을 교체하여 프레임 링에 결합하는 것이 용이하면서도 프레임 링을 여러 차례 재사용할 수 있는 구조를 가진 웨이퍼 연마용 리테이너 링을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is easy to replace the polishing ring and combine it with the frame ring. The purpose.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은, 웨이퍼를 연마 패드의 상면에 밀착시키는 캐리어에 설치되어 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 있어서, 원형 고리(ring) 형태로 형성되고, 상기 캐리어에 장착되는 금속 재질의 프레임 링; 상기 프레임 링에 결합되는 합성수지 재질의 중간 부재; 및 상기 웨이퍼를 수용하도록 상기 중간 부재에 결합되는 합성수지 재질의 리테이닝 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 점에 특징이 있다.In order to achieve the above object, the wafer polishing retainer ring of the present invention is formed in the shape of a circular ring in the wafer polishing retainer ring, which is installed on a carrier that adheres the wafer to the upper surface of the polishing pad to hold the wafer. A metal frame ring mounted to the carrier; An intermediate member made of a synthetic resin material coupled to the frame ring; And a retaining member made of a synthetic resin material coupled to the intermediate member to accommodate the wafer.
본 발명의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은, 연마 링의 수명이 다한 경우 프레임 링에 대해 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 합성수지 부분을 쉽게 교체하여 조립할 수 있는 구조를 가진 장점이 있다.The wafer polishing retainer ring of the present invention has the advantage of having a structure in which the synthetic resin portion of the wafer polishing retainer ring can be easily assembled and assembled with respect to the frame ring when the polishing ring runs out.
또한, 본 발명의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은, 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 합성수지 부분을 여러 차례 프레임 링에 대해 교체하여 사용하더라도 프레임 링의 형상을 유지하여 반영구적으로 프레임 링을 재사용할 수 있는 장점이 있다.In addition, the wafer polishing retainer ring of the present invention has the advantage that the frame ring can be semi-permanently reused by maintaining the shape of the frame ring even when the synthetic resin portion of the wafer polishing retainer ring is replaced with the frame ring several times. .
도 1은 CMP 방법에 의해 웨이퍼를 연마하는 공정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 종래의 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 분리 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 원주방향 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 분리 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 원주방향 단면도이다.1 is a schematic view for explaining a step of polishing a wafer by a CMP method.
2 is a perspective view of a conventional wafer polishing retainer ring.
3 is an exploded perspective view of the retainer ring for wafer polishing according to the first embodiment of the present invention.
4 is a circumferential cross-sectional view of the retainer ring for wafer polishing shown in FIG. 3.
5 is an exploded perspective view of a retainer ring for polishing a wafer according to a second embodiment of the present invention.
6 is a circumferential cross-sectional view of the retainer ring for wafer polishing shown in FIG. 5.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 제1실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a first embodiment of a wafer polishing retainer ring according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 분리 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 원주방향 단면도이다.3 is an exploded perspective view of the wafer polishing retainer ring according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circumferential cross-sectional view of the wafer polishing retainer ring shown in FIG. 3.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은 프레임 링(20)과 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)를 포함한다.3 and 4, the wafer polishing retainer ring of the present embodiment includes a
프레임 링(20)은 웨이퍼를 연마 패드에 대해 밀착시켜서 웨이퍼를 연마 패드에 대해 상대 이동시키는 캐리어에 설치된다. 프레임 링(20)은 원형 고리(ring) 형태로 형성되고 금속 재질로 이루어진다. The
리테이닝 부재(40)는 합성수지 재질로 이루어지며, 웨이퍼를 수용하여 연마 패드에 접촉하는 부분이다. The retaining
중간 부재(30)는 리테이닝 부재(40)와 동일한 합성 수지 재질로 이루어지며, 프레임 링(20)과 리테이닝 부재(40) 사이에 설치되어, 리테이닝 부재(40)를 프레임 링(20)에 결합하거나 분리하는 것이 용이하도록 하는 역할을 한다.The
도 3을 참조하면 프레임 링(20)에는 4개의 안착 홈(21)이 동일 간격으로 원주 방향을 따라서 배열된다. 안착 홈(21)의 내벽은 도 4에 도시한 것과 같이 경사지게 형성된다. Referring to FIG. 3, four
본 실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은 4개의 중간 부재(30)를 구비하며, 4개의 중간 부재들(30)은 동일 간격으로 배열되어 각각 프레임 링(20)의 안착 홈(21)에 끼워져서 볼트(51)에 의해 프레임 링(20)에 대해 결합된다. The wafer polishing retainer ring of this embodiment includes four
리테이닝 부재(40)도 4개가 마련되며 각각 중간 부재(30)에 결합된다. 리테이닝 부재(40)와 중간 부재(30)는 초음파 융착에 의해 서로 결합된다. 경우에 따라서는 리테이닝 부재(40)와 중간 부재(30)를 접착재를 이용하여 결합할 수도 있다. 리테이닝 부재(40)와 중간 부재(30)가 서로 마주하는 면에는 도 3에 도시한 것과 같이 요철(42)을 형성하여 리테이닝 부재(40)와 중간 부재(30)의 접촉면적을 증가시킴으로써 리테이닝 부재(40)와 중간 부재(30)의 결합력을 향상시킬 수 있다.Four retaining
중간 부재(30)에는 각각 2개의 제1결합공(31)이 형성되고, 리테이닝 부재(40)에도 각각 2개의 제2결합공(41)이 형성된다. 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)가 서로 결합된 상태에서 볼트(51)가 리테이닝 부재(40)의 제2결합공(41)을 거쳐서 중간 부재(30)의 제1결합공(31)을 관통하여 프레임 링(20)에 나사결합됨으로써, 리테이닝 부재(40)와 프레임 링(20)을 서로 결합한다.Two
위와 같이 리테이닝 부재(40)와 프레임 링(20)이 볼트(51)에 의해 서로 결합된 후에는 스페이서(44)와 캡 부재(43)가 제2결합공(41)에 삽입되어 제2결합공(41)을 막게 된다. 캡 부재(43)는 제2결합공(41)에 삽입된 상태에서 초음파 융착되어 리테이닝 부재(40)와 결합된다.After the retaining
이하, 상술한바와 같이 구성된 본 실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 사용방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of using the retainer ring for wafer polishing of this embodiment configured as described above will be described.
먼저, 도 3에 도시된 것과 같은 형태의 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)를 사출 성형 방법에 의해 제작한다. 본 실시예와 같이 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)를 링 형태로 형성하지 않고 링이 복수로 분할 된 원호 형태로 제작하면 제작 비용을 대폭 낮출 수 있는 장점이 있다. 도 2를 참조하여 설명한 종래의 연마 링의 경우 원통형으로 압출하여 제작한 후 이를 절삭하여 제작한다. 이를 위해서는 비교적 큰 압출 금형이 필요하다. 최근에는 반도체 공정에 사용하는 웨이퍼의 크기가 계속하여 증가하는 추세이므로 그에 따라 연마 링의 크기도 증가하고 이를 제작하기 위한 금형의 크기도 증가하게 된다. 그런데 본 실시예의 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)의 경우 링을 분할하여 원호 형태로 제작하므로 종래에 비해 훨씬 작은 사출 금형을 사용할 수 있어서 제작 비용을 대폭 낮출 수 있는 장점이 있다.First, the
또한, CMP 공정에 상용되는 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 합성수지 부분은 화학적으로 안정한 고품질의 합성수지를 사용하기 때문에 다른 합성수지 재질에 비해 가격이 매우 높은 편이다. 그런데 본 실시예의 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)의 경우, 도 2를 참조하여 설명한 종래의 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 연마 링과 달리 완전한 원형으로 형성되지 않고 원호로 분할되어 인접하는 중간 부재(30) 또는 리테이닝 부재(40)들 사이에 빈 공간이 생기게 되므로 그 만큼 원재료의 사용을 줄여서 제조 원가를 절감하는 효과가 있다.In addition, the synthetic resin portion of the wafer polishing retainer ring commonly used in the CMP process is very expensive compared to other synthetic resin materials because it uses chemically stable high-quality synthetic resin. However, in the case of the
상술한 바와 같이 마련된 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)는 각각 초음파 융착에 의해 결합되거나 접착제에 의해 결합된다. 이때, 상술한 바와 같이 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)의 서로 마주하는 면에 다수의 요철(42)을 형성되도록 함으로써 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)의 접촉 면적을 늘리고 결합력을 향상시킬 수 있다.The
이와 같이 리테이닝 부재(40)와 결합된 중간 부재(30)는 프레임 링(20)의 안착 홈(21)에 끼워져서 자리를 잡게 된다. 볼트(51)를 리테이닝 부재(40)의 제2결합공(41)을 거쳐서 중간 부재(30)의 제1결합공(31)에 끼워 프레임 링(20)에 대해 조임으로써, 중간 부재(30)와 프레임 링(20)을 서로 결합한다. 이때, 안착 홈(21)의 내벽은 경사지게 형성되어 있으므로 볼트(51)를 조임에 따라 안착 홈(21) 내벽의 경사면을 따라서 중간 부재(30)는 정해진 위치를 잡고 프레임 링(20)에 대해 단단히 고정된다. In this way, the
다음으로, 리테이닝 부재(40)의 제2결합공(41)에 스페이서(44)와 캡 부재(43)를 삽입한 후, 캡 부재(43)와 리테이닝 부재(40)를 초음파 융착에 의해 서로 결합한다. 그에 따라 리테이닝 부재(40)의 하면(연마 패드와 마주하는 면)은 평탄해 진다. 필요한 경우는 리테이닝 부재(40)의 하면을 연마 가공하여 더욱 평탄하고 균일하게 가공하여 사용할 수 있다. 스페이서(44)는 제2결합공(41)의 볼트(51)와 캡 부재(43) 사이의 공간을 채워서 볼트(51)가 풀리는 것을 방지하는 역할을 한다. CMP 공정중에 볼트(51)에 진동이 전달되면 볼트(51)가 프레임 링(20)에서 풀릴 수 있으나 스페이서(44)가 볼트(51)와 캡 부재(43) 사이의 공간을 채우기 때문에 볼트(51)가 후퇴할 수 있는 공간을 허락하지 않는다. 즉, 볼트(51)가 후퇴할 수 없으면 볼트(51)는 풀리지 않게 된다.Next, the
이와 같은 상태에서 본 실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링을 장시간 사용하여 CMP 공정을 수행하면, 리테이닝 부재(40)가 마모하여 그 높이가 점차 감소하게 된다. 리테이닝 부재(40)의 수명이 다하여 리테이닝 부재(40)를 교체할 필요가 있는 경우에는 다음 순서에 따라 교체하게 된다. In such a state, if the CMP process is performed using the retaining ring for wafer polishing of this embodiment for a long time, the retaining
리테이닝 부재(40)에 캡 부재(43)가 채워진 부분을 드릴로 가공하여 다시 제2결합공(41)이 형성되도록 하면, 볼트(51)가 노출된다. 이때 드릴이 캡 부재(43)보다 깊게 제2결합공(41)에 진입하면 드릴의 끝부분은 스페이서(44)와 접촉하게 되고 볼트(51)의 머리 부분과는 접촉하지 않는다. 스페이서(44)는 리테이닝 부재(40)와 결합되어 있지 않는 상태에서 제2결합공(41)에 삽입된 상태이므로 스페이서(44)는 제2결합공(41)을 통해 쉽게 제거할 수 있다. 제2결합공(41)에서 스페이서(44)를 제거하면 볼트(51)의 머리 부분이 노출된다. 즉 스페이서(44)는 본 실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너를 사용하는 중에 볼트(51)가 풀리는 것을 방지하는 역할을 하고, 드릴로 제2결합공(41)을 다시 가공할 때 드릴에 의해 볼트(51)의 끝부분이 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.When the portion where the
볼트(51)를 풀어 내면 중간 부재(30)와 함께 리테이닝 부재(40)가 프레임 링(20)으로부터 분리된다. 이때 프레임 링(20)과 중간 부재(30) 사이에는 접착제가 사용되지 않았기 때문에, 중간 부재(30)는 프레임 링(20)에 대해 아무런 흔적을 남기지 않고 프레임 링(20)으로부터 쉽게 분리된다. 기존에 사용하던 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)를 제거하고, 새로운 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)의 결합체를 프레임 링(20)에 대해 상술한바와 같은 방법으로 결합함으로써 프레임 링(20)을 재활용할 수 있다. 이와 같이 본 실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은 리테이닝 부재(40)를 교체하는 과정에서 프레임 링(20)을 손상시키지 않기 때문에 반영구적으로 프레임 링(20)을 재활용하여 사용할 수 있는 장점이 있다.When the
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 제2실시예에 대해 설명한다. 제1실시예와 비교하였을 때, 제2실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은 중간 부재(60)와 리테이닝 부재(70)가 초음파 융착이나 접착제에 의해 결합되지 않고 별도로 마련된 금속 결합부들(62, 72)을 서로 용접함으로써 결합되는 점에 특징이 있다. 이하, 제1실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부재번호를 부여하여 설명한다. Hereinafter, a second embodiment of a wafer polishing retainer ring according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. Compared with the first embodiment, the wafer polishing retainer ring of the second embodiment has the
먼저, 볼트(51)를 이용하여 중간 부재(60)를 프레임 링(20)에 대해 결합한다. 볼트(51)는 제1결합공(61)을 관통하여 프레임 링(20)에 결합된다.First, the
중간 부재(60)와 리테이닝 부재(70)는 각각 사출성형에 의해 제작될 때 인서트 사출법에 의하여 금속 재질의 결합부(62, 72)가 외부로 노출되도록 성형된다. 이와 같이 마련된 중간 부재(60)와 리테이닝 부재(70)는 서로 결합부(62, 72)가 마주하도록 배치되어 그 결합부(62, 72)들을 서로 용접하여 결합된다. When the
리테이닝 부재(70)를 교체할 때에는 드릴로 리테이닝 부재(70)에 구멍을 뚫고 그 구멍을 통하여 볼트(51)를 풀어 낸 후 새로운 중간 부재(60)와 리테이닝 부재(70)를 프레임 링(20)에 결합하는 방법으로 교체한다. 제2실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링도 앞서 설명한 제1실시예의 웨이퍼 연마용 리테이너 링과 마찬가지로 리테이닝 부재(70)를 교체할 때 프레임 링(20)에 흔적을 남기지 않고 손상시키지 않으므로 프레임 링(20)을 반영구적으로 재활용하여 사용할 수 있는 장점이 있다. 또한, 비교적 크기가 작은 복수의 중간 부재(60)와 리테이닝 부재(70)를 사용하므로 사출성형 비용이 종래에 비하여 감소하는 장점이 있다. 또한, 각 리테이닝 부재(70)들 사이에 마련된 빈 공간만큼 리테이닝 부재(70)의 원재료 합성수지의 사용량을 감소시킴으로써 전체적인 생산원가를 낮추는 효과가 있다.When replacing the retaining
이상, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 대해 바람직한 실시예들을 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링의 범위가 앞에서 설명하고 도시한 형태로 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although the preferable Example was demonstrated about the wafer polishing retainer ring which concerns on this invention, the range of the wafer polishing retainer ring which concerns on this invention is not limited to the form demonstrated and shown above.
예를 들어, 앞에서 중간 부재(30, 60)와 리테이닝 부재(40, 70)를 각각 4개 사용하는 경우의 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 대해 설명하였으나, 중간 부재(30, 60)와 리테이닝 부재(40, 70)의 개수는 필요에 따라 다양하게 사용될 수 있으며, 중간 부재와 리테이닝 부재의 개수가 동일하지 않고 중간 부재의 개수가 더 많거나 리테이닝 부재의 개수가 더 많도록 구성할 수도 있다. 경우에 따라서는 중간 부재와 리테이닝 부재를 모두 분할하지 않고 원형의 링 형상으로 형성하여 사용할 수도 있다.For example, although the retaining ring for wafer polishing in the case where four
또한, 중간 부재(30, 60)는 프레임 링(20)에 대해 볼트(51)에 의해 결합되는 것으로 설명하였으나, 중간 부재와 프레임 링은 볼트 외에 다른 기계 구성에 의해 결합하는 것도 가능하다. 예컨대 중간 부재와 프레임 링을 끼워맞춤 결합방법으로 결합할 수도 있으며, 중간 부재와 프레임 링에 각각 암나사와 수나사를 형성하여 서로 상대 회전시킴으로써 결합되도록 할 수도 있다.In addition, although the
또한, 앞에서 중간 부재(30)와 리테이닝 부재(40)를 서로 결합한 후에 제2결합공(41)과 제1결합공(31)을 거쳐서 볼트(51)를 프레임 링(20)에 결합하는 방법으로 중간 부재(30)와 프레임 링(20)을 서로 결합하는 것으로 설명하였으나, 제2실시예와 마찬가지로 제2결합공을 형성하지 않고 웨이퍼 연마용 리테이너 링을 구성할 수도 있다. 이 경우 제1결합공을 통해 먼저 중간 부재와 프레임 링을 볼트 등으로 서로 결합한 후, 리테이닝 부재를 중간 부재에 결합하는 방법으로 조립하게 된다. 마찬가지로 제2실시예에 있어서도 리테이닝 부재에 제2결합공을 형성하고, 중간부재와 리테이닝 부재를 먼저 결합한 후 제2결합공을 이용하여 중간부재를 프레임링에 결합하도록 구성할 수도 있다.In addition, after the
또한, 앞에서 중간 부재와 리테이닝 부재는 사출 성형에 의해 제작하는 것으로 설명하였으나, 절삭 가공에 의해 제작할 수도 있으니 기타 다른 여러가지 방법에 의해 제작 가능하다.In addition, the intermediate member and the retaining member have been described as being manufactured by injection molding, but may be manufactured by cutting, so that the intermediate member and the retaining member may be manufactured by various other methods.
20: 프레임 링 30, 60: 중간 부재
40, 70: 리테이닝 부재20:
40, 70: retaining member
Claims (11)
원형 고리(ring) 형태로 형성되고, 상기 캐리어에 장착되는 금속 재질의 프레임 링;
상기 프레임 링에 결합되는 합성수지 재질의 중간 부재; 및
상기 웨이퍼를 수용하도록 상기 중간 부재에 결합되는 합성수지 재질의 리테이닝 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.A retainer ring provided on a carrier for holding a wafer in close contact with an upper surface of a polishing pad, the retainer ring holding the wafer,
A frame ring formed in a circular ring shape and mounted to the carrier;
An intermediate member made of a synthetic resin material coupled to the frame ring; And
And a retaining member made of a synthetic resin material coupled to the intermediate member to receive the wafer.
상기 중간 부재와 리테이닝 부재는 서로 동일한 재질로 형성되며,
상기 중간 부재와 리테이닝 부재는 초음파 융착에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 1,
The intermediate member and the retaining member are formed of the same material as each other,
The retaining ring for wafer polishing, wherein the intermediate member and the retaining member are joined by ultrasonic welding.
상기 중간 부재와 리테이닝 부재는 접착재에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 1,
And the intermediate member and the retaining member are joined by an adhesive.
상기 중간 부재와 리테이닝 부재는, 그 중간 부재와 리테이닝 부재에 각각 마련된 암나사와 수나사에 의해 나사결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 1,
The retaining ring for wafer polishing, wherein the intermediate member and the retaining member are screwed by a female screw and a male screw provided on the intermediate member and the retaining member, respectively.
상기 중간 부재와 리테이닝 부재가 마주하는 면에는 각각 금속 재질의 결합부가 설치되고,
상기 결합부들을 서로 용접함으로써 상기 중간 부재와 리테이닝 부재가 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 1,
On each of the surfaces of the intermediate member and the retaining member facing each other is provided with a metal coupling portion,
And the intermediate member and the retaining member are joined to each other by welding the coupling portions to each other.
상기 중간 부재에는 복수의 제1결합공이 형성되고,
복수의 볼트가 각각 상기 중간 부재의 제1결합공을 관통하여 상기 프레임 링에 결합됨으로써, 상기 중간 부재와 프레임 링이 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method according to any one of claims 2 to 5,
A plurality of first coupling holes are formed in the intermediate member,
And a plurality of bolts respectively penetrate the first coupling holes of the intermediate member to be coupled to the frame ring so that the intermediate member and the frame ring are coupled to each other.
상기 리테이닝 부재에는 복수의 제2결합공이 형성되고,
상기 볼트에 의해 상기 중간 부재가 상기 프레임 링에 결합된 상태에서, 상기 리테이닝 부재의 제2결합공을 채우도록 그 제2결합공에 삽입되어 그 리테이닝 부재의 제2결합공에 초음파 융착되는 캡 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 6,
A plurality of second coupling holes are formed in the retaining member,
In the state where the intermediate member is coupled to the frame ring by the bolt, the intermediate member is inserted into the second coupling hole to fill the second coupling hole of the retaining member and ultrasonically fused to the second coupling hole of the retaining member. A retaining ring for wafer polishing, further comprising a cap member.
상기 볼트와 캡 부재의 사이에 배치되어 상기 리테이닝 부재의 제2결합공에 끼워지는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 7, wherein
And a spacer disposed between the bolt and the cap member and fitted into the second coupling hole of the retaining member.
상기 리테이닝 부재는 복수개 마련되어 원주 방향을 따라 동일 간격으로 배열되어 각각 상기 중간 부재에 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method according to any one of claims 2 to 5,
A plurality of retaining members are provided and arranged at equal intervals along the circumferential direction, respectively, and retaining rings for wafer polishing, characterized in that coupled to the intermediate member.
상기 중간 부재는 복수개 마련되어 동일 간격으로 배열되어 각각 상기 프레임 링에 결합되며,
상기 리테이닝 부재들은 각각 적어도 하나의 상기 중간 부재에 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.10. The method of claim 9,
The intermediate member is provided in plurality and arranged at equal intervals and are respectively coupled to the frame ring,
And each retaining member is coupled to at least one intermediate member.
상기 프레임 링에는 원주 방향을 따라 복수의 안착 홈이 형성되며,
상기 중간 부재는 각각 상기 안착 홈에 끼워져서 강기 프레임 링에 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The method of claim 10,
The frame ring is provided with a plurality of seating grooves along the circumferential direction,
And each of the intermediate members is fitted into the seating groove and coupled to the steel frame ring.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100077781A KR101120598B1 (en) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | Retainer ring for polishing wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100077781A KR101120598B1 (en) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | Retainer ring for polishing wafer |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110085544A Division KR101083552B1 (en) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | Retainer ring for polishing wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120015577A true KR20120015577A (en) | 2012-02-22 |
KR101120598B1 KR101120598B1 (en) | 2012-03-09 |
Family
ID=45838217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100077781A KR101120598B1 (en) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | Retainer ring for polishing wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101120598B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101328411B1 (en) * | 2012-11-05 | 2013-11-13 | 한상효 | Method of manufacturing retainer ring for polishing wafer |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4013187B2 (en) * | 2001-12-20 | 2007-11-28 | 株式会社Sumco | Waxless mount polishing machine |
-
2010
- 2010-08-12 KR KR1020100077781A patent/KR101120598B1/en active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101328411B1 (en) * | 2012-11-05 | 2013-11-13 | 한상효 | Method of manufacturing retainer ring for polishing wafer |
US9193029B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-11-24 | Sang Hyo Han | Method of manufacturing retainer ring for polishing wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101120598B1 (en) | 2012-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101328411B1 (en) | Method of manufacturing retainer ring for polishing wafer | |
JP5838044B2 (en) | Deburring apparatus and cylinder manufacturing method using the same | |
KR101196418B1 (en) | Retainer Ring for Polishing Wafer and Method of Manufacturing the Same | |
KR101224539B1 (en) | Retainer ring for polishing wafer | |
JP2008543058A (en) | CMP retaining ring | |
KR101003525B1 (en) | Manufacturing method for retainner ring of chemical mechanical polishing apparatus | |
JP2013027951A (en) | Polishing pad auxiliary plate, and polishing device equipped with polishing pad auxiliary plate | |
JP2007158201A (en) | Retainer ring of cmp equipment | |
KR101384961B1 (en) | Diamond wire saw | |
KR101120598B1 (en) | Retainer ring for polishing wafer | |
JP2008023603A (en) | Retainer ring of two-layer structure | |
CN1964809A (en) | Toolholder assembly | |
KR101083552B1 (en) | Retainer ring for polishing wafer | |
JP2010240667A (en) | Damper fixture and method for manufacturing the same | |
KR101085854B1 (en) | Manufacturing Fin for Retainner Ring of Chemical Mechanical Polishing Apparatus | |
KR102447822B1 (en) | Heterogeneous composite material | |
CN1244901A (en) | Jointing construction | |
KR200486156Y1 (en) | Grinding Wheel | |
KR20190002479U (en) | Change core mounting unit | |
US20190283035A1 (en) | Roll crusher crushing teeth attachment | |
KR101122783B1 (en) | Retainer ring for chemical mechanical polishing machine | |
JP5736732B2 (en) | Chromatography column and its movable stopper | |
KR101711795B1 (en) | Method of making Abrasive disk with intergral fixtures | |
JP2008074110A (en) | Compression molding machine for synthetic resin article | |
KR200485739Y1 (en) | Grinding Wheel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160125 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200107 Year of fee payment: 9 |