KR20110113688A - Light emitting device and lighting unit using the same - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광 소자는 발광 칩; 및 상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름을 포함하며, 상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지며, 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함한다..The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting chip; And an optical film including at least one kind of phosphors excited by light emitted from the light emitting chip, and the light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100, and the phosphor is sulfide ( Contains substances of the Sulfide family.
Description
실시예는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device and a light unit using the same.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 디스플레이 장치, 전광판, 가로등 등의 라이트 유닛의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that converts electrical energy into light. Light emitting diodes have the advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Accordingly, many researches are being conducted to replace existing light sources with light emitting diodes, and the use of light emitting diodes is increasing as a light source for light units such as various lamps, display devices, electronic signs, and street lamps that are used indoors and outdoors.
한편, 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 파장을 변화시켜 원하는 파장의 빛을 방출시키기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.On the other hand, a lot of research is being conducted to change the wavelength of light emitted from the light emitting diode to emit light of a desired wavelength.
실시예는 연색 지수가 향상된 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having an improved color rendering index and a light unit using the same.
실시예는 간단한 구조를 갖는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a simple structure and a light unit using the same.
실시예에 따른 발광 소자는 발광 칩; 및 상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름을 포함하며, 상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지며, 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting chip; And an optical film including at least one kind of phosphors excited by light emitted from the light emitting chip, and the light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100, and the phosphor is sulfide ( Sulfide) family of materials.
실시예에 따른 라이트 유닛은 발광 칩; 상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름; 및 상기 광학 필름을 통과한 빛을 확산시키는 광확산부를 포함하며, 상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가진다.According to an embodiment, a light unit includes a light emitting chip; An optical film including at least one type of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip; And a light diffusion unit for diffusing the light passing through the optical film, and the light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100.
실시예는 연색 지수가 향상된 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having an improved color rendering index and a light unit using the same.
실시예는 간단한 구조를 갖는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a simple structure and a light unit using the same.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 광학 필름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 발광 칩의 색 온도에 따라 실시예에 따른 광학 필름 내에 포함되는 형광체의 종류 및 양을 나타내는 표이다.
도 4 내지 도 9는 실시예에 따른 광학 필름을 적용하는 경우 실시예에 따른 발광 소자의 연색지수(CRI) 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 실시예에 따른 광학 필름의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 라이트 유닛을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.
It is a figure which shows an example of the optical film which concerns on an Example.
3 is a table showing the type and amount of phosphors included in the optical film according to the embodiment according to the color temperature of the light emitting chip.
4 to 9 are graphs showing a change in color rendering index (CRI) of the light emitting device according to the embodiment when the optical film according to the embodiment is applied.
10 is a view showing another example of an optical film according to the embodiment.
11 is a view illustrating a light unit including a light emitting device according to an embodiment.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛에 대해 설명한다.
Hereinafter, a light emitting device and a light unit using the same according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자는 발광 칩(100), 상기 발광 칩(100)에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름(1)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device may include a
상기 발광 칩(100)은 예를 들어, 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)를 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 생성하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting diode may be, for example, a red, green, blue or white light emitting diode that generates red, green, blue or white light.
일반적으로, 발광 다이오드(LED)는 질화물 반도체층들 사이의 에너지 밴드 갭 차이에 따라 빛을 생성하는 반도체 소자이다. 그런데, 이러한 발광 다이오드는 에너지 밴드 갭 차이에 따른 소정의 파장대의 빛만을 생성하므로 연색지수(CRI : Color Rendering Index)가 낮아서 고 품질의 빛이 요구되는 환경에는 적용되기 힘든 문제점이 있다.In general, light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that generate light according to energy band gap differences between nitride semiconductor layers. However, since the light emitting diode generates only light of a predetermined wavelength band according to the energy band gap difference, the color rendering index (CRI) is low, and thus it is difficult to be applied to an environment requiring high quality light.
따라서, 실시예에서는 상기 발광 칩(100)에서 출사되는 빛이 상기 광학 필름(1)을 통과하도록 함으로써, 85 내지 100의 높은 연색 지수(CRI)를 확보한다. Therefore, in the embodiment, the light emitted from the
즉, 상기 광학 필름(1)을 통과하는 빛은 상기 광학 필름(1) 내에 포함된 적어도 한 종류의 형광체를 여기시켜 여기광이 생성되며, 상기 여기광에 의해 상기 발광 칩(100)에서 출사된 빛의 연색 지수(CRI)가 향상될 수 있다.That is, the light passing through the
한편, 상기 광학 필름(1) 내에 포함되는 상기 형광체의 종류 및 양은 상기 발광 칩(100)에서 생성되는 빛의 색 온도(Color Temperature)에 따라 선택될 수 있다. Meanwhile, the type and amount of the phosphor included in the
이하, 상기 광학 필름(1)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the
도 2는 상기 광학 필름(1)의 일례를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an example of the
도 2를 참조하면, 상기 광학 필름(1)은 베이스 필름(10), 상기 베이스 필름(10) 상에 매트릭스 수지층(20), 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 보호수지층(30), 상기 보호수지층(30) 상에 보호 필름(40), 상기 보호 필름(40) 상에 접착부재(50) 및 상기 접착부재(50) 상에 이형 필름(60)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the
상기 베이스 필름(10)은 양호한 광 투과성 및 내열성을 가지는 수지 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate : PEN), 아크릴 수지, 폴리카보네이트(Polycarbonate : PC), 폴리스틸렌(Polystyrene : PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate : PMMA) 등으로 이루어진 군에서 선택적으로 형성될 수 있다. The
구체적으로는, 상기 베이스 필름(10)의 재질은 상기 광학 필름(1)의 용도에 따라 선택될 수 있는데, 예를 들어, 높은 광 투과성이 요구되는 경우에는 90% 이상의 광 투과율을 가지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 사용할 수 있다. 또한 내열성, 내화학성이 요구되는 경우에는, 상기 베이스 필름(10)은 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 형성될 수 있다. 다만, 상기 베이스 필름(10)의 재질에 대해 한정하지는 않는다.Specifically, the material of the
상기 베이스 필름(10)의 두께는 예를 들어, 10μm 내지 500μm 일 수 있으며, 바람직하게는 20μm 내지 30μm일 수 있다. 10μm 이하의 필름은 취급이 난해하고, 500μm 이상의 필름은 광 투과율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 베이스 필름(10) 상에는 상기 매트릭스 수지층(20)이 형성될 수 있다. The
상기 매트릭스 수지층(20)은 양호한 광 투과율, 점도, 경화 온도 등을 가지는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 광학 필름(1)은 고온에서 빛을 방출하는 광원에 적용될 수 있으므로, 고온에서도 양호한 광 투과율과 점도 및 경도를 유지할 수 있어야 하기 때문이다.The
구체적으로는, 상기 매트릭스 수지층(20)은 85% 이상의 광 투과율을 가지며, 120℃ 이하에서 경화되며, 3000cp 이상의 점도를 가져 상기 베이스 필름(10)과의 접착성이 양호한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 매트릭스 수지층(20)은 수지 재질 및 실리콘 재질 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 실리콘 수지(Silicone Resin)로 형성될 수 있다. Specifically, the
상기 매트릭스 수지층(20)의 두께는 20μm 내지 500μm 일 수 있으며, 바람직하게는 30μm 내지 50μm 일 수 있다. 이러한 두께 범위의 상기 매트릭스 수지층(20)은, 후술할 형광체, 확산제, 소포제 등이 용이하게 혼합될 수 있고, 빛이 안정적으로 투과될 수 있으며, 상기 베이스 필름(10) 상에 용이하게 도포될 수 있다. The
상기 매트릭스 수지층(20)은 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예를 들어, 액상의 매트릭스 수지층(20)에 혼합되어 교반기를 이용하여 교반함으로써 상기 매트릭스 수지층(20) 내에 포함될 수 있다.The
상기 형광체는 상기 발광 칩(100)에 의해 방출되는 빛에 의해 여기되어 여기광을 방출하며, 예를 들어, 실리케이트(Silicate) 계열, 설파이드(Sulfide ; 황화물) 계열, YAG 계열 및 TAG 계열 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.The phosphor is excited by light emitted by the
상기 형광체는 상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛에 의해 여기되어 황색, 적색, 녹색 및 청색의 여기광을 방출하는 황색, 적색, 녹색 및 청색 형광체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 상기 형광체의 종류에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor may include at least one of yellow, red, green, and blue phosphors which are excited by light emitted from the
상기 형광체는 상기 광학 필름(1)이 적용되는 상기 발광 칩(100)의 색 온도(Color Temperature)에 따라 상이한 종류 및 양이 상기 매트릭스 수지층(20)에 포함될 수 있다. 상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛의 색 온도에 따라 상기 형광체의 여기광의 세기가 상이하게 결정되기 때문이다.The phosphor may be included in the
상기 형광체는 상기 발광 칩(100)의 연색지수(CRI)를 향상시킴으로써, 상기 발광 소자가 고 품질의 빛을 제공할 수 있도록 한다.The phosphor improves the color rendering index (CRI) of the
도 3은 상기 발광 칩(100)의 색 온도에 따른 상기 광학 필름(1) 내에 포함되는 형광체의 종류 및 양을 나타내는 표이고, 도 4 내지 도 9는 상기 광학 필름(1)을 적용하는 경우 상기 발광 소자의 연색지수(CRI) 변화를 나타낸 그래프이다.3 is a table showing the type and amount of phosphors included in the
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 발광 칩(100)의 색 온도가 3000K인 경우, 상기 광학 필름(1)에는 상기 매트릭스 수지층(20) 100 중량부(wt%)에 대해 주 파장이 650nm인 적색(R) 형광체 30 내지 40 중량부 및 주 파장이 515nm인 녹색(G) 형광체 30 내지 40 중량부가 포함될 수 있다.3, 4, and 5, when the color temperature of the
상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛은 도 4에 도시된 바와 같이, 515nm 부근 및 650nm 부근의 빛의 세기가 상대적으로 낮으며 이에 따라 낮은 연색지수(CRI)를 가진다. 따라서, 상기 광학 필름(1) 내에 515nm 및 650nm의 주 파장을 가지는 상기 적색(R) 및 녹색(G) 형광체를 포함함으로써 상기 발광 소자가 도 5와 같이 대략 92의 연색지수(CRI)를 가지도록 할 수 있다. As shown in FIG. 4, the light emitted from the
도 3, 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 발광 칩(100)의 색 온도가 4000K인 경우, 상기 광학 필름(1)에는 상기 매트릭스 수지층(20) 100 중량부(wt%)에 대해 주 파장이 650nm인 적색(R) 형광체 15 내지 25 중량부 및 주 파장이 515nm인 녹색(G) 형광체 15 내지 25 중량부가 포함될 수 있다.3, 6, and 7, when the color temperature of the
상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛은 도 6에 도시된 바와 같이, 515nm 부근 및 650nm 부근의 빛의 세기가 상대적으로 낮으며 이에 따라 낮은 연색지수(CRI)를 가진다. 따라서, 상기 광학 필름(1) 내에 515nm 및 650nm의 주 파장을 가지는 상기 적색(R) 및 녹색(G) 형광체를 포함함으로써 상기 발광 소자가 도 7과 같이 대략 90의 연색지수(CRI)를 가지도록 할 수 있다.As shown in FIG. 6, the light emitted from the
도 3, 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 발광 칩(100)의 색 온도가 5000K인 경우, 상기 광학 필름(1)에는 상기 매트릭스 수지층(20) 100 중량부(wt%)에 대해 주 파장이 650nm인 적색(R) 형광체 5 내지 15 중량부 및 주 파장이 515nm인 녹색(G) 형광체 8 내지 18 중량부가 포함될 수 있다.3, 8, and 9, when the color temperature of the
상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛은 도 8에 도시된 바와 같이, 515nm 부근 및 650nm 부근의 빛의 세기가 상대적으로 낮으며 이에 따라 낮은 연색지수(CRI)를 가진다. 따라서, 상기 광학 필름(1) 내에 515nm 및 650nm의 주 파장을 가지는 상기 적색(R) 및 녹색(G) 형광체를 포함함으로써 상기 발광 소자가 도 9와 같이 대략 92의 연색지수(CRI)를 가지도록 할 수 있다.As shown in FIG. 8, the light emitted from the
다만, 상기 발광 칩(100)의 종류 및 색 온도에 따라 상기 형광체의 종류 및 양은 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the type and amount of the phosphor may vary according to the type and color temperature of the
한편, 상기 매트릭스 수지층(20)에는 확산제, 소포제, 첨가제, 경화제 중 적어도 하나가 더 포함될 수도 있다. Meanwhile, the
상기 확산제는 상기 매트릭스 수지층(20)에 입사되는 빛을 산란시킴으로써 확산시킬 수 있다. 상기 확산제는 예를 들어, 산화실리콘(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 황산바륨(BaSO4), 탄산칼슘(CaSO4), 탄산마그네슘(MgCO3), 수산화알루미늄(Al(OH)3), 합성실리카, 글래스비드, 다이아몬드 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. The diffusion agent may be diffused by scattering light incident on the
상기 확산제의 입자 크기는 빛의 확산에 적합한 크기로 선택될 수 있으며, 예를 들어 5~7μm의 지름을 가지도록 형성될 수 있다.The particle size of the diffusion agent may be selected to a size suitable for the diffusion of light, for example, may be formed to have a diameter of 5 ~ 7μm.
상기 소포제(antifoaming agent)는 상기 매트릭스 수지층(20) 내의 기포를 제거함으로써, 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상기 매트릭스 수지층(20)을 상기 베이스 필름(10) 상에 스크린 인쇄 방식에 의해 도포할 때 문제가 되는 기포문제를 해결할 수 있다.The antifoaming agent may improve the reliability of the
상기 소포제는 옥탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜 또는 각종 계면활성제 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The antifoaming agent may include at least one of octanol, cyclohexanol, ethylene glycol or various surfactants, but is not limited thereto.
상기 경화제는 상기 매트릭스 수지층(20)을 경화시킬 수 있으며, 상기 첨가제는 상기 형광체를 상기 매트릭스 수지층(20) 내에 고르게 분산하기 위해 사용될 수 있다.The curing agent may cure the
상기 매트릭스 수지층(20) 상에는 상기 보호수지층(30)이 형성될 수 있다. The
상기 보호수지층(30)은 양호한 광 투과율, 내열성 및 접착성을 가지는 수지 재질 또는/및 실리콘 재질로 형성될 수 있다. The
특히, 상기 보호수지층(30) 상에 형성되는 상기 보호 필름(40)과의 접착성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직한데, 예를 들어, 상기 보호수지층(30)은 광 투과율이 85% 이상이며, 내열성 및 접착성이 뛰어난 실리콘 수지로 형성될 수 있다. In particular, the
상기 보호수지층(30)의 두께는 예를 들어 20μm 내지 50μm 일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 매트릭스 수지층(20) 상에 바로 상기 보호 필름(40)을 형성하는 경우, 상기 매트릭스 수지층(20)과 상기 보호 필름(40) 사이의 접착력이 부족하여, 두 층 사이가 벌어지고, 두 층 사이에 수분이 침투하는 등의 현상이 발생하여 광학 필름의 신뢰성을 저해하는 요인이 될 수 있다. When the protective film 40 is directly formed on the
따라서, 실시예에서는 상기 매트릭스 수지층(20) 및 상기 보호 필름(40) 사이에 상기 보호수지층(30)을 형성함으로써, 상기 보호 필름(40)과의 접착을 견고히 하여 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the embodiment, by forming the
구체적으로는, 먼저 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 반경화(B-stage) 상태의 상기 보호수지층(30)을 도포하고, 반경화 상태의 상기 보호수지층(30) 상에 상기 보호 필름(40)을 부착한 다음에 상기 보호수지층(30)을 경화시킴으로써, 상기 보호 필름(40)을 상기 보호수지층(30) 상에 견고히 접착하고, 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Specifically, first, the
또한, 실시예와 같이 상기 보호수지층(30)을 형성하는 경우, 상기 매트릭스 수지층(20)에 포함되는 형광체를 보호하는 효과가 있다. 즉, 상기 보호수지층(30)이 상기 발광 칩(100)으로부터 발생되는 열이 상기 형광체에 전달되는 것을 완충하는 효과를 하여, 상기 형광체가 열에 의해 열화되는 현상을 감소시킬 수 있다. 특히, 일반적으로 적색 형광체의 경우 열에 취약한 특성을 가지므로, 상기 보호수지층(30)에 의한 형광체 보호 효과가 더욱 뚜렷이 나타날 수 있다.In addition, when forming the
상기 보호수지층(30) 상에는 상기 보호 필름(40)이 형성될 수 있다. 상기 보호 필름(40)은 상기 매트릭스 수지층(20)을 보호하여, 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The protective film 40 may be formed on the
상기 보호 필름(40)은 상기 베이스 필름(10)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate : PEN), 아크릴 수지, 폴리카보네이트(Polycarbonate : PC), 폴리스틸렌(Polystyrene : PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate : PMMA) 등으로 이루어진 군에서 선택적으로 형성될 수 있다. The protective film 40 may be formed of the same material as the
또한, 상기 보호 필름(40)의 두께는 예를 들어, 10μm 내지 500μm 일 수 있으며, 바람직하게는 25μm 일 수 있다. In addition, the thickness of the protective film 40 may be, for example, 10 μm to 500 μm, preferably 25 μm.
상기 보호 필름(40) 상에는 상기 접착부재(50)가 형성될 수 있다. The
상기 접착부재(50)는 몸체층(51)과, 상기 몸체층(51)의 양면에 제1 접착층(52a) 및 제2 접착층(52b)을 포함할 수 있다. The
상기 제2 접착층(52b)은 상기 몸체층(51) 및 상기 보호 필름(40) 사이에 형성되어 두 층을 서로 접착시킨다. The second adhesive layer 52b is formed between the body layer 51 and the protective film 40 to adhere the two layers to each other.
또한, 상기 제1 접착층(52a)은 상기 몸체층(51) 상에 형성되어, 상기 발광 칩(100)에 상기 광학 필름(1)을 부착시킬 수 있다. In addition, the first
상기 접착부재(50)는 별도로 준비되어, 상기 보호 필름(40) 상에 부착되거나, 상기 보호 필름(40) 상에 순차적으로 적층됨으로써 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 상기 접착부재(50)는 필요하지 않은 경우에는, 형성되지 않을 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The
도 10은 상기 광학 필름(1)의 다른 예를 나타낸 도면이다.10 is a diagram illustrating another example of the
도 10을 참조하면, 상기 광학 필름(1)은 베이스 필름(10), 상기 베이스 필름(10) 상에 매트릭스 수지층(20) 및 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 점착성 수지층(30)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10, the
상기 베이스 필름(10) 및 상기 매트릭스 수지층(20)에 대한 설명은 앞에서 설명한 것과 중복되므로 생략한다.Descriptions of the
상기 점착성 수지층(30)은 양호한 광 투과율, 내열성을 가지며, 특히 뛰어난 점착성을 가지는 수지 재질 또는/및 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The
예를 들어, 상기 점착성 수지층(30)은 실리콘 수지, 바람직하게는 톨루엔(Toluene)을 포함하는 용제 타입의 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 상기 톨루엔을 포함하는 실리콘 수지는 뛰어난 점착성을 가지는 동시에 높은 광 투과율을 가지므로, 상기 광학 필름(1)을 상기 발광 칩(100)에 부착하기 위한 별도의 접착부재를 형성할 필요가 없다.For example, the
즉, 상기 점착성 수지층(30)을 형성함으로써, 상기 광학 필름(1)의 제조공정이 간소화될 뿐만 아니라, 상기 광학 필름(1)의 두께가 얇아지고, 이에 따라 상기 광학 필름(1)을 투과하는 빛의 광 손실량도 줄어들 수 있다.That is, by forming the
상기 톨루엔을 포함하는 실리콘 수지의 광 투과율은 적어도 90% 이상일 수 있으며, 점성은 2000 내지 10000cp(centipoise)일 수 있다. The light transmittance of the silicone resin including toluene may be at least 90%, and the viscosity may be 2000 to 10000 cps (centipoise).
한편, 상기 점착성 수지층(30)의 두께는 예를 들어 20μm 내지 100μm 로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the thickness of the said
이러한 두께의 상기 점착성 수지층(30)은, 상기 발광 칩(100)으로부터 발생되는 열이 상기 매트릭스 수지층(20) 내에 포함된 형광체에 전달되는 것을 완충하는 효과를 하여, 상기 형광체가 열에 의해 열화되는 현상을 감소시킬 수 있다. 특히, 적색 형광체의 경우 열에 취약한 특성을 가지므로, 상기 점착성 수지층(30)에 의한 형광체 보호 효과가 더욱 뚜렷이 나타날 수 있다.The
상기 점착성 수지층(30)이 휘발성을 가지는 톨루엔을 포함하는 경우, 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 반경화(B-stage) 상태로 형성한 후, 별도의 경화제를 사용하지 않고 전기 오븐, 적외선 건조기 등에 의해 열을 가하여 건조함으로써 경화시킬 수 있다. 다만, 상기 점착성 수지층(30)은 경화제를 첨가하여 경화시킬 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
When the
도 11은 상기 발광 소자를 포함하는 라이트 유닛을 나타내는 도면이다.11 is a view illustrating a light unit including the light emitting device.
도 11을 참조하면, 상기 라이트 유닛은 상기 발광 칩(100), 상기 발광 칩(100)에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름(1), 상기 광학 필름(1)을 통과한 빛을 확산시키는 광확산부를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the light unit includes the
이때, 상기 광확산부는 상기 광학 필름(1)을 통과한 빛을 면광원화 시키는 도광판(200), 상기 도광판(200) 상에 형성되어 빛을 확산시키는 확산 시트(400) 및 상기 도광판(200) 아래에 설치되어 상기 도광판(200)의 출사면을 향해 빛을 반사시키는 반사 시트(300)를 포함할 수 있다. In this case, the light diffusion part includes a
상기 광학 필름(1)은, 도시된 것처럼, 상기 발광 칩(100) 및 상기 도광판(200) 사이에 형성될 수 있다. 이때, 상기 광학 필름(1)은 상기 발광 칩(100)의 출사면에 부착되거나, 상기 도광판(200)에 부착될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown, the
한편, 상기 라이트 유닛은 엣지(Edge) 방식으로 빛이 제공되는 것에 한정되지는 않으며, 직하(Top View) 방식으로 빛이 제공될 수도 있다. The light unit is not limited to providing light in an edge method, but may be provided in a top view method.
상기 라이트 유닛은 상기 발광 칩(100) 및 상기 광학 필름(1)을 포함함으로써, 높은 연색지수(CRI)를 가지는 고 품질의 빛을 제공할 수 있다. 또한, 상기 광학 필름(1)을 이용함으로써 높은 연색지수(CRI)를 구현하는데에 있어서 필요한 상기 발광 칩(100)의 수량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
The light unit may include the
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
1 : 광학 필름
100 : 발광 칩1: optical film
100: light emitting chip
Claims (18)
상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름을 포함하며,
상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지고,
상기 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함하는 발광 소자.Light emitting chip; And
An optical film including at least one kind of phosphors excited by light emitted from the light emitting chip,
Light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100,
The phosphor comprises a sulfide-based material.
상기 발광 칩은 발광 다이오드를 포함하며, 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 생성하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting chip includes a light emitting diode, and the light emitting diode includes at least one of red, green, blue, or white light emitting diodes that generate red, green, blue, or white light.
상기 광학 필름에 포함된 형광체의 종류 및 양은 상기 발광 칩에서 출사되는 빛의 색 온도에 따라 상이하게 선택되는 발광 소자.The method of claim 1,
The type and amount of phosphor contained in the optical film is differently selected according to the color temperature of the light emitted from the light emitting chip.
상기 광학 필름은 베이스 필름과, 상기 베이스 필름 상에 매트릭스 수지층과, 상기 매트릭스 수지층 상에 접착부재를 포함하며,
상기 매트릭스 수지층에는 적어도 한 종류의 형광체가 포함되는 발광 소자.The method of claim 1,
The optical film includes a base film, a matrix resin layer on the base film, and an adhesive member on the matrix resin layer,
At least one kind of phosphor is contained in the matrix resin layer.
상기 매트릭스 수지층에는 적색 형광체 및 녹색 형광체가 포함되는 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The matrix resin layer includes a red phosphor and a green phosphor.
상기 적색 형광체는 CaS:Eu 를 포함하고,
상기 녹색 형광체는 SrGa2S4 : Eu2+ 를 포함하는 발광 소자. The method of claim 5, wherein
The red phosphor comprises CaS: Eu,
A light emitting device including a Eu + 2: The green phosphor is SrGa 2 S 4.
상기 적색 형광체의 주 파장은 650nm이고, 상기 녹색 형광체의 주 파장은 515nm 인 발광 소자.6. The method of claim 5,
The main wavelength of the red phosphor is 650 nm, the main wavelength of the green phosphor is 515 nm.
상기 발광 칩의 색 온도가 3000K 인 경우,
상기 매트릭수 수지층 100 중량부(wt%)에 대해 상기 적색 형광체 30 내지 40 중량부 및 상기 녹색 형광체 30 내지 40 중량부가 포함된 발광 소자.6. The method of claim 5,
When the color temperature of the light emitting chip is 3000K,
A light emitting device comprising 30 to 40 parts by weight of the red phosphor and 30 to 40 parts by weight of the green phosphor with respect to 100 parts by weight (wt%) of the matrix water resin layer.
상기 발광 칩의 색 온도가 4000K 인 경우,
상기 매트릭수 수지층 100 중량부(wt%)에 대해 상기 적색 형광체 15 내지 25 중량부 및 상기 녹색 형광체 15 내지 25 중량부가 포함된 발광 소자.6. The method of claim 5,
When the color temperature of the light emitting chip is 4000K,
15 to 25 parts by weight of the red phosphor and 15 to 25 parts by weight of the green phosphor with respect to 100 parts by weight (wt%) of the matrix water resin layer.
상기 발광 칩의 색 온도가 5000K 인 경우,
상기 매트릭수 수지층 100 중량부(wt%)에 대해 상기 적색 형광체 5 내지 15 중량부 및 상기 녹색 형광체 8 내지 18 중량부가 포함된 발광 소자.6. The method of claim 5,
When the color temperature of the light emitting chip is 5000K,
A light emitting device comprising 5 to 15 parts by weight of the red phosphor and 8 to 18 parts by weight of the green phosphor with respect to 100 parts by weight (wt%) of the matrix water resin layer.
상기 매트릭스 수지층의 두께는 20μm 내지 500μm 인 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The matrix resin layer has a thickness of 20 μm to 500 μm.
상기 매트릭스 수지층은 실리콘 재질 및 수지 재질 중 적어도 하나로 형성된 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The matrix resin layer is formed of at least one of a silicon material and a resin material.
상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름; 및
상기 광학 필름을 통과한 빛을 확산시키는 광확산부를 포함하며,
상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지고,
상기 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함하는 라이트 유닛.Light emitting chip;
An optical film including at least one type of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip; And
It includes a light diffusion unit for diffusing the light passing through the optical film,
Light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100,
The phosphor is a light unit containing a sulfide-based material.
상기 광확산부는 상기 광학 필름을 통과한 빛을 확산시키는 도광판 및 확산 시트 중 적어도 하나를 포함하는 라이트 유닛.The method of claim 13,
The light diffusion unit includes at least one of a light guide plate and a diffusion sheet for diffusing light passing through the optical film.
상기 광학 필름은 상기 발광 칩의 출사면에 부착되는 라이트 유닛.The method of claim 13,
And the optical film is attached to an exit surface of the light emitting chip.
상기 광학 필름은 상기 도광판에 부착되는 라이트 유닛.The method of claim 14,
The optical film is attached to the light guide plate.
상기 광학필름은 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함되는 라이트 유닛.The method of claim 14,
The optical film is a light unit comprising a red phosphor and a green phosphor.
상기 적색 형광체는 CaS:Eu 를 포함하고,
상기 녹색 형광체는 SrGa2S4 : Eu2+ 를 포함하는 라이트 유닛.
The method of claim 17,
The red phosphor comprises CaS: Eu,
The green phosphor is SrGa 2 S 4: Eu light unit including a 2 +.
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