KR20110109438A - Ultra violet light emitting diodes fabrication and its fabricating method - Google Patents
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Abstract
자외전 발광다이오드나 가시광선 영역대의 발광 다이오드가 개선될 수 있는 발광소자의 전극이 개시된다. 본 발명에 따른 반도체의 발광소자의 전극은 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 원소를 포함하는 산화물로 형성되는 층을 포함하고, 상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지가 조사된다. 이와 같은 구성에 의하면, 발광 다이오드가 자외선영역에서 높은 광투과율을 가질 수 있어 그 성능이 개선된다.Disclosed are an electrode of a light emitting device in which an ultraviolet light emitting diode or a light emitting diode in a visible light region can be improved. The electrode of the semiconductor light emitting device according to the present invention is an electrode formed on the p-type compound semiconductor layer of the compound semiconductor light emitting device, In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg on the p-type compound semiconductor layer And a layer formed of an oxide containing at least one element selected from the group consisting of Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb, and La; At least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam is irradiated after forming or after forming the electrode. According to this configuration, the light emitting diode can have a high light transmittance in the ultraviolet region, and the performance thereof is improved.
Description
본 발명은 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 기존의 자외선 영역 및 가시광선 영역에서 투명전극의 빛 흡수가 많이 일어났다. 그래서 고효율 발광다이오드를 제작하기 위하여 투명전극층은 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 자외선영역에서 높은 광투과율을 가짐에 따라 자외선 발광다이오드나 가시광선영역대의 발광다이오드를 개선할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting diode, and a lot of light absorption of the transparent electrode occurs in the ultraviolet region and the visible region. Therefore, in order to fabricate a high-efficiency light emitting diode, the transparent electrode layer is deposited at least one of ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, and IZO, and then subjected to an electron beam treatment, an ion beam treatment, or a neutral ion beam treatment, in the ultraviolet region. With the high light transmittance at, the ultraviolet light emitting diode or the light emitting diode in the visible ray region can be improved.
반도체에서 백색 발광다이오드를 제작하기 위해서는 자외선영역의 파장을 가진 발광다이오드에 황록색 형광체를 도포하여 백색 발광다이오드를 제작하는 방법, 청색 발광다이오드에 황록색 형광체를 도포하여 백색 발광다이오드를 만드는 방법, 마지막으로 삼원색 발광다이오드를 이용하여 백색을 만드는 방법으로 나뉜다. 백색을 만들기 위하여 자외선 영역의 파장을 가진 발광다이오드를 이용하게 되는데 기존의 자외선 영역 발광다이오드에서는 투명 전극층에서 빛의 흡수를 가져 오게 되어 고효율 자외선영역 발광다이오드 제작이 어려웠다. 또한 자외선 영역의 발광다이오드는 살균작용 및 산업의 전 영역에서 사용하게 되는데 앞에서 설명한 바와 같이 자외선 영역에서 투명전극의 빛 흡수에 의하여 고 효율 자외선 영역 발광다이오드를 제작하기 힘들었다. In order to fabricate white light emitting diodes in semiconductors, a method of manufacturing a white light emitting diode by applying a yellow green phosphor to a light emitting diode having a wavelength in the ultraviolet region, a method of making a white light emitting diode by applying a yellow green phosphor to a blue light emitting diode, and finally three primary colors It is divided into a method of making white color using a light emitting diode. In order to make white, the light emitting diode having the wavelength of the ultraviolet region is used. In the existing ultraviolet region light emitting diode, it is difficult to manufacture a high efficiency ultraviolet region light emitting diode because it absorbs light from the transparent electrode layer. In addition, the light emitting diodes in the ultraviolet region are used in all areas of sterilization and industry. As described above, it is difficult to manufacture a high efficiency ultraviolet light emitting diode due to light absorption of the transparent electrode in the ultraviolet region.
그 이유로 자외선 영역 발광 다이오드는 다양한 시장성을 확보하지 못하였으며, 특성의 향상도 더디게 진행되어 왔으며 이를 개선하여 자외선 영역에서의 광특성 효율을 향상 시킨다면 낮은 시장성을 높게 이끌어 낼 수 있으며 더 넓은 분야로의 발전가능성을 가지고 있다. For this reason, the UV light emitting diode has not secured various marketability, and the improvement of the characteristics has been progressed slowly. If the improvement is made to improve the efficiency of the optical properties in the ultraviolet light, it can lead to low marketability and develop into a wider field. Has the potential.
본 발명은 자외선 발광다이오드에서 발생할 수 있는 문제를 최소화 하고 기존의 자외선 발광다이오드의 낮은 광특성 효율을 증대 시키는 방법이다. 에너지 절감 및 친환경 광원으로의 반도체 조명이 필요하며 자외선 영역의 파장을 갖는 발광 다이오드는 위폐감지기, 살균기, 공기 및 수진 정화기 등 의로, 환경, 바이오산업에 활용이 가능하지만 아직 기술적으로 많은 발전이 필요한 분야이며 생산성 및 고효율 UV-LED체계 또한 필요하다. The present invention is a method for minimizing the problems that can occur in the ultraviolet light emitting diode and increase the efficiency of the low light characteristics of the conventional ultraviolet light emitting diode. It requires energy saving and semiconductor lighting as an eco-friendly light source, and a light emitting diode with a wavelength in the ultraviolet region can be used in the environment and bio industry as a gas detector, sterilizer, air and water purifier, but still needs a lot of technical development. In addition, productivity and high-efficiency UV-LED systems are also required.
또한 그동안 자외선을 내는 장치로 수은램프가 많이 사용됐는데 환경오염 물질인 수은이 쓰이고 오존이 발생해 많은 문제를 일으키지만 UV-LED는 독성 물질이 없고 단일 파장을 내기 때문에 동식물은 물론 사람에게도 그대로 사용할 수 있다. 특히 UV-LED는 수은램프에 비해 수명이 길고 출력이 높아 그 활용성이 높다. In addition, mercury lamps have been used as a device for emitting ultraviolet rays. However, mercury, an environmental pollutant, is used and ozone is generated, causing many problems. have. In particular, UV-LEDs have a longer life and higher output than mercury lamps.
자외선 영역의 발광다이오드는 사파이어기판에 MQCVD (metal organic chemical vator deposition)를 이용하여 핵층 GaN, u-GaN, n-GaN, MQWs(multi Quantum well),p-GaN을 순서대로 성장한다. 이후 ICP 장비를 이용하여 p-GaN를 n-GaN까지 식각하여 n-GaN을 노출한다. 이후 투명전극층을 형성한다. 이때 투명전극층은 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 투명전극층의 전기적 특성 및 광학적 특성을 증가시킬 수 있다. 이후 차례대로 n 전극과 p전극을 형성한다.The light emitting diode in the ultraviolet region grows nuclear layer GaN, u-GaN, n-GaN, multi quantum well (MQWs), and p-GaN in order using MQCVD (metal organic chemical vator deposition) on a sapphire substrate. Afterwards, n-GaN is exposed by etching p-GaN to n-GaN using ICP equipment. Thereafter, a transparent electrode layer is formed. At this time, the transparent electrode layer is deposited at least one of ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO, and then subjected to Electron beam treatment, Ion Beam treatment, or neutral ion beam treatment to obtain electrical and optical characteristics of the transparent electrode layer. Can be increased. After that, n and p electrodes are formed in sequence.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체의 발광소자의 전극은 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 원소를 포함하는 산화물로 형성되는 층을 포함하고, 상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지가 조사된다.The electrode of the semiconductor light emitting device according to the present invention for achieving the above object is an electrode formed on the p-type compound semiconductor layer of the compound semiconductor light emitting device, In, Sn, Zn on the p-type compound semiconductor layer At least one element selected from the group consisting of, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb and La At least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam is irradiated including a layer formed of an oxide, and after forming or forming the electrode.
본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체의 발광소자의 전극은 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 Ag, Ag-계 합금, Zn-계 합금, Ni-계 합금, La-계 합금, Mg-계 합금, 첨가원소가 함유된 인듐산화물 및 첨가원소가 함유된 SnO2으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 오믹콘택트층을 포함하고, 상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지기 조사된다.The electrode of the semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention is an electrode formed on the p-type compound semiconductor layer of the compound semiconductor light emitting device, Ag, Ag-based alloy, Zn- on the p-type compound semiconductor layer An ohmic contact layer formed of any one selected from the group consisting of an alloy, a Ni-based alloy, a La-based alloy, an Mg-based alloy, an indium oxide containing an additional element, and a SnO2 containing an additional element, and the electrode At least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam is irradiated after forming or after forming.
이때, 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb 및 La으로 이루어 지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다. 또한, 상기 인듐산화물 및 SnO2에 대한 상기 첨가원소의 함유비는 각각 0.001 내지 49 at％인 것이 바람직하다.At this time, the additive element is Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb and La It is preferably at least one selected from the group consisting of. In addition, the content ratio of the additive element to the indium oxide and SnO 2 is preferably 0.001 to 49 at%, respectively.
본 발명은 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 기존의 자외선 영역 및 가시광선 영역에서 투명전극의 빛 흡수가 많이 일어났다. 그래서 고효율 발광다이오드를 제작하기 위하여 투명전극층은 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 자외선영역에서 높은 광투과율을 가짐에 따라 자외선 발광다이오드나 가시광선영역대의 발광다이오드를 개선할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting diode, and a lot of light absorption of the transparent electrode occurs in the ultraviolet region and the visible region. Therefore, in order to fabricate a high-efficiency light emitting diode, the transparent electrode layer is deposited at least one of ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, and IZO, and then subjected to an electron beam treatment, an ion beam treatment, or a neutral ion beam treatment, in the ultraviolet region. With the high light transmittance at, the ultraviolet light emitting diode or the light emitting diode in the visible ray region can be improved.
도 1은 본 발명에 의한 발광다이오드를 설명하기 위한 도면, 그리고
도 2 및 도 3은 본 발명에 의한 발광다이오드의 성능을 설명하기 위한 그래프이다.1 is a view for explaining a light emitting diode according to the present invention, and
2 and 3 are graphs for explaining the performance of the light emitting diode according to the present invention.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 의한 발광다이오드를 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참고하면, 사파이어기판에 MQCVD (metal organic chemical vator deposition)를 이용하여 핵층 GaN, u-GaN, n-GaN, MQWs(multi Quantum well),p-GaN을 순서대로 성장한다. 이후 ICP 장비를 이용하여 p-GaN를 n-GaN까지 식각하여 n-GaN을 노출한다. 이후 투명전극층을 형성한다. 이때 투명전극층은 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 투명전극층의 전기적 특성 및 광학적 특성을 증가시킬 수 있다. 이후 차례대로 n 전극과 p전극을 형성한다.1 is a view for explaining a light emitting diode according to the present invention. Referring to FIG. 1, nuclear layer GaN, u-GaN, n-GaN, multi quantum wells (MQWs), and p-GaN are sequentially grown using MQCVD (metal organic chemical vator deposition) on a sapphire substrate. Afterwards, n-GaN is exposed by etching p-GaN to n-GaN using ICP equipment. Thereafter, a transparent electrode layer is formed. At this time, the transparent electrode layer is deposited at least one of ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO, and then subjected to Electron beam treatment, Ion Beam treatment, or neutral ion beam treatment to obtain electrical and optical characteristics of the transparent electrode layer. Can be increased. After that, n and p electrodes are formed in sequence.
본 발명에 대해 좀더 자세히 설명하면, 본 발명은 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 기존의 자외선 영역 및 가시광선 영역에서 투명전극의 빛 흡수가 많이 일어났다. 그래서 고효율 발광다이오드를 제작하기 위하여 투명전극층은 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 자외선영역에서 높은 광투과율을 가짐에 따라 자외선 발광다이오드나 가시광선영역대의 발광다이오드를 개선할 수 있다. When the present invention is described in more detail, the present invention relates to a light emitting diode manufacturing method, the light absorption of the transparent electrode occurs a lot in the existing ultraviolet region and visible light region. Therefore, in order to fabricate a high-efficiency light emitting diode, the transparent electrode layer is deposited at least one of ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, and IZO, and then subjected to an electron beam treatment, an ion beam treatment, or a neutral ion beam treatment, in the ultraviolet region. With the high light transmittance at, the ultraviolet light emitting diode or the light emitting diode in the visible ray region can be improved.
자외선 영역의 발광다이오드를 제작 및 이의 제조 방법으로 종래의 자외선영역의 발광다이오드는 투명전극층에서 빛의 흠수가 일어나 고효율로 제작하는데 큰 어려움이 있었다. 이를 개선하기 위하여 상기에 설명한 바와 같이 투명전극층 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 투명전극의 광학적 효과를 향상시킬 수 있다. 이는 종래의 투명전극층에서의 낮은 투과율에 비하여 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 해 줌으로 기존의 자외선영역에서의 낮은 투과율을 높이는 효과를 기대 할 수 있다.By fabricating a light emitting diode in the ultraviolet region and a method of manufacturing the same, a light emitting diode in the conventional ultraviolet region has a great difficulty in producing a high efficiency due to scratches of light in the transparent electrode layer. To improve this, at least one of the transparent electrode layers ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, and IZO is deposited as described above, and then the transparent electrode is subjected to an electron beam treatment, an ion beam treatment, or a neutral ion beam treatment. Can improve the optical effect. This can be expected to improve the low transmittance in the ultraviolet region by performing the electron beam treatment, ion beam treatment or neutral ion beam treatment compared to the low transmittance in the conventional transparent electrode layer.
본 발명에 의한 반도체의 발광소자의 전극은 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 원소를 포함하는 산화물로 형성되는 층을 포함하고, 상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지가 조사된다.An electrode of a light emitting device of a semiconductor according to the present invention is an electrode formed on a p-type compound semiconductor layer of a compound semiconductor light emitting device, the In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg on the p-type compound semiconductor layer And a layer formed of an oxide containing at least one element selected from the group consisting of Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb, and La; At least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam is irradiated after forming or after forming the electrode.
본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체의 발광소자의 전극은 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 Ag, Ag-계 합금, Zn-계 합금, Ni-계 합금, La-계 합금, Mg-계 합금, 첨가원소가 함유된 인듐산화물 및 첨가원소가 함유된 SnO2으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 오믹콘택트층을 포함하고, 상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지기 조사된다.The electrode of the semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention is an electrode formed on the p-type compound semiconductor layer of the compound semiconductor light emitting device, Ag, Ag-based alloy, Zn- on the p-type compound semiconductor layer An ohmic contact layer formed of any one selected from the group consisting of an alloy, a Ni-based alloy, a La-based alloy, an Mg-based alloy, an indium oxide containing an additional element, and a SnO2 containing an additional element, and the electrode At least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam is irradiated after forming or after forming.
이때, 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb 및 La으로 이루어 지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다. 또한, 상기 인듐산화물 및 SnO2에 대한 상기 첨가원소의 함유비는 각각 0.001 내지 49 at％인 것이 바람직하다.At this time, the additive element is Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb and La It is preferably at least one selected from the group consisting of. In addition, the content ratio of the additive element to the indium oxide and SnO 2 is preferably 0.001 to 49 at%, respectively.
기능 및 작용을 살펴보면 자외선영역 발광다이오드에 투명전극이 삽입되고, 투명전극의 자외선 영역에서의 투과도를 높이기 위해 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하고, Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리된 투명전극을 자외선영역의 발광다이오드에 적용하여 광효율을 증가시킬 수 있다.The function and action of the transparent electrode is inserted into the ultraviolet light emitting diode, and the electron beam treatment or ion beam treatment or the neutral ion treatment is performed to increase the transmittance in the ultraviolet region of the transparent electrode, and the electron beam treatment or the ion beam treatment or Light efficiency can be increased by applying a neutral ion beam-treated transparent electrode to the light emitting diode in the ultraviolet region.
도 2를 참고하면, 도 2는 Electron beam 처리된 투명전극과 Electron beam 처리되지 않은 투명전극의 광투과도를 나타내며 자외선 영역대에서 30%이상의 높은 광투과율의 증가를 확인할 수 있다. Referring to FIG. 2, FIG. 2 shows the light transmittances of the transparent and non-electron beam-treated electrodes, and a high light transmittance of 30% or more can be confirmed in the ultraviolet region.
도 3을 참고하면, 자외선 영역에서 높은 투과율을 보이는 Electron beam 처리된 투명전극을 도 1의 도시와 같이 LED에 적용한 후 광특성 효율을 측정한 결과 동일한 Current에서 투명전극에 Electron beam 처리가 된 LED소자에서 더 효율적인 광 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 3, after applying the electron beam-treated transparent electrode showing high transmittance in the ultraviolet region to the LED as shown in FIG. 1, the efficiency of the optical characteristics was measured, and the LED device was subjected to the electron beam treatment on the transparent electrode at the same current. It can be seen that the more efficient optical properties are shown in.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, but the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and variations from such descriptions. This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below but also by the equivalents of the claims.
Claims (4)
상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지를 조사하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 전극.In the electrode formed on the p-type compound semiconductor layer of the compound semiconductor light emitting device, In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, A layer formed of an oxide containing at least one element selected from the group consisting of Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb, and La,
And forming at least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam after forming or forming the electrode.
상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지를 조사하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 전극.In an electrode formed on a p-type compound semiconductor layer of a compound semiconductor light emitting device, Ag, Ag-based alloy, Zn-based alloy, Ni-based alloy, La-based alloy, Mg- on the p-type compound semiconductor layer An ohmic contact layer formed of any one selected from the group consisting of an alloy, an indium oxide containing an additional element, and SnO 2 containing an additional element,
And forming at least one of an electron beam, an ion beam, and a neutral beam after forming or forming the electrode.
상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb 및 La으로 이루어 지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 전극.The method of claim 2,
The additive element is composed of Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb and La The electrode of the compound semiconductor light emitting device, characterized in that at least one selected from the group.
상기 인듐산화물 및 SnO2에 대한 상기 첨가원소의 함유비는 각각 0.001 내지 49 at％인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 전극.The method of claim 3,
The content ratio of the additive element to the indium oxide and SnO2 is 0.001 to 49 at%, respectively, the electrode of the compound semiconductor light emitting device.
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