KR20110102967A - Broadband planar inverted-f antenna have enhanced bandwidth by injecting dielectric material and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나는, 상호 소정간격으로 이격되며 마주보는 형태로 형성되는 복수개의 평행라인을 포함하여 이루어지며 상기 각 평행라인의 전류흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 일어나는 감쇄패턴을 포함하는 소정형태의 전도성패턴으로 형성되는 방사체; 및 상기 방사체를 지지 고정하는 상부면, 및 상기 방사체의 감쇄패턴과 대응되는 위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되는 유전용액 주입부가 형성되는 하부면을 구비하는 소정형태의 프레임;을 포함하여 이루어진다.
따라서, 본 발명은 전류의 감쇄가 일어나는 방사체의 감쇄패턴에 일대일 대응되는 프레임의 하부면 소정위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.The present invention relates to a wideband planar inverted F antenna for improving bandwidth by injecting a dielectric solution and a method for manufacturing the same. The wideband planar inverted F antenna for improving bandwidth by injecting a dielectric solution according to the present invention is spaced apart from each other at a predetermined interval. And a plurality of parallel lines formed to face each other, and the current flow of each parallel line is formed in a conductive pattern of a predetermined type including attenuation patterns in which current attenuation occurs in mutually opposite directions. Radiator; And a frame having a predetermined shape including an upper surface for supporting and fixing the radiator, and a lower surface for forming a dielectric solution injecting portion into which a dielectric solution having a predetermined dielectric constant is injected at a position corresponding to the attenuation pattern of the radiator. Is done.
Accordingly, the present invention provides a wideband planar inverted F antenna and a method of manufacturing the same, in which a dielectric solution having a predetermined dielectric constant is injected into a predetermined position of a lower surface of a frame corresponding to attenuation pattern of a radiator in which current attenuation occurs. It is effective.
Description
본 발명은 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 (PIFA:Planar Iverted-F Antenna) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전류의 감쇄가 일어나는 방사체의 감쇄패턴에 일대일 대응되는 프레임의 하부면 소정위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 및 그 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE
이동통신 단말기에 사용되는 안테나의 경우 외장형 안테나에 비하여 내장형 안테나가 일반화 되어 가고 있다. 뿐만 아니라, 해외여행객이 증가하면서 글로벌 시대에 맞는 글로벌 로밍 서비스가 증가하면서 다중대역 안테나를 필요로 하게 되었다.In the case of antennas used in mobile communication terminals, internal antennas are becoming more common than external antennas. In addition, as the number of overseas travelers increases, the global roaming service for the global era has increased, requiring a multi-band antenna.
도 1a는 종래의 평면 역 에프 안테나의 구성을 나타내는 분해사시도 이고, 도 1b는 종래의 평면 역 에프 안테나의 개략적인 구성을 나타내는 도 1a의 결합구성도이다.FIG. 1A is an exploded perspective view showing the configuration of a conventional planar inverted F antenna, and FIG. 1B is a combined configuration diagram of FIG. 1A showing a schematic configuration of a conventional planar inverted F antenna.
도 1a 내지 도 1b에 도시된 바와 같이, 종래의 평면 역 에프 안테나(1)는, 다중대역을 만족시키기 위하여 저주파 패턴부(11) 및 고주파 패턴부(12)를 포함하는 소정형태의 전도성 패턴으로 형성되는 방사체(10)와, 상기 방사체(10)가 상부면상에 조립되어 지지 고정되는 소정형태의 프레임(20)을 포함하여 이루어진다.As shown in Figs. 1A to 1B, the conventional planar inverted
그러나, 상기 종래의 평면 역 에프 안테나는 현재 이슈가 되고 있는 4세대 통신의 LTE(Long Term Evolution)대역과, 종래의 GSM850대역 및, 종래의 GSM900 대역을 모두 만족시키는 주파수대역폭을 확보하기에는 어려움이 있는 문제점이 있다. 즉, 이동통신 단말기의 크기가 소형화되면서 그 내부에 장착되는 안테나 또한 사이즈가 현저히 작아지기 때문에 저주파대역의 대역폭에 필요한 안테나길이를 확보하기에는 어려움이 있다.However, the conventional planar inverse F antenna is difficult to secure a frequency bandwidth that satisfies both the Long Term Evolution (LTE) band of the 4G communication, the conventional GSM850 band, and the conventional GSM900 band. There is a problem. That is, as the size of the mobile communication terminal becomes smaller, the size of the antenna mounted therein is also significantly smaller, which makes it difficult to secure the antenna length necessary for the bandwidth of the low frequency band.
따라서, 안테나 사이즈를 크게 하지 않고도 다중대역에서 동작하는 평면 역 에프 안테나의 저주파대역의 대역폭을 개선할 수 있는 현실적이고도 활용도가 높은 기술이 절실히 요구되고 있는 실정이다.
Therefore, there is an urgent need for a practical and highly available technology capable of improving the bandwidth of the low frequency band of a planar F antenna that operates in multiple bands without increasing the antenna size.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 전류의 감쇄가 일어나는 방사체의 감쇄패턴에 일대일 대응되는 프레임의 하부면 소정위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the present invention is a dielectric solution having a predetermined dielectric constant is injected into a predetermined position on the lower surface of the frame corresponding to the attenuation pattern of the radiator, the current attenuation occurs one-to-one An object of the present invention is to provide a broadband planar F antenna and a method of manufacturing the same.
본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나는, 상호 소정간격으로 이격되며 마주보는 형태로 형성되는 복수개의 평행라인을 포함하여 이루어지며 상기 각 평행라인의 전류흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 일어나는 감쇄패턴을 포함하는 소정형태의 전도성패턴으로 형성되는 방사체; 및 상기 방사체를 지지 고정하는 상부면, 및 상기 방사체의 감쇄패턴과 대응되는 위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되는 유전용액 주입부가 형성되는 하부면을 구비하는 소정형태의 프레임;을 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 한다.Broadband planar inverted F antenna for improving the bandwidth by the injection of the dielectric solution according to an embodiment of the present invention comprises a plurality of parallel lines are formed in a form facing each other at a predetermined interval and each of the parallel lines A radiator formed of a conductive pattern of a predetermined type including attenuation patterns in which current flows are formed in opposite directions to each other so that current attenuation occurs; And a frame having a predetermined shape including an upper surface for supporting and fixing the radiator, and a lower surface for forming a dielectric solution injecting portion into which a dielectric solution having a predetermined dielectric constant is injected at a position corresponding to the attenuation pattern of the radiator. Characterized in that made.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 제조방법은, 금속평판을 프레스 가공하여 상호 소정간격으로 이격되며 마주보는 형태로 형성되는 복수개의 평행라인을 포함하여 이루어지며 상기 각 평행라인의 전류흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 일어나는 감쇄패턴을 포함하는 소정형태의 전도성패턴으로 형성되는 방사체를 형성하는 단계와; 일측이 개방된 소정형태의 홈으로 형성되어 유전용액을 수용할 수 있는 유전용액 중공부가 하부면의 상기 방사체의 감쇄패턴에 대응되는 위치에 형성되는 소정형태의 프레임, 및 상기 유전용액 중공부에 유전용액을 주입하는 주입홀이 형성되며 상기 유전용액 중공부에 수용된 유전용액이 외부로 새어나가지 않도록 상기 유전용액 중공부의 개방된 일측을 완전히 커버하는 형태의 유전용액 중공부 커버를 각각 사출 성형하는 단계와; 상기 프레임의 유전용액 중공부와 상기 유전용액 중공부 커버를 서로 조립하여 상기 유전용액 중공부 및 상기 유전용액 중공부 커버로 이루어지며 유전용액이 주입될 수 있는 유전용액 주입부가 상기 프레임의 하부면에 형성되는 단계와; 상기 유전용액 중공부 커버에 형성된 주입홀을 통하여 상기 유전용액 주입부의 내부에 유전용액을 주입하는 단계; 및 상기 유전용액이 주입된 프레임의 상부면상에 상기 방사체를 조립하여 지지 고정하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a wideband planar inverted F antenna in which a dielectric solution is injected to improve bandwidth, and a plurality of parallel lines are formed by pressing a metal plate to be spaced apart from each other at predetermined intervals. Forming a radiator including a conductive pattern having a predetermined shape including attenuation pattern in which current flow of each of the parallel lines is formed in opposite directions to each other and attenuation of current occurs; A frame of a predetermined type formed in a groove having a predetermined shape having one side open and formed at a position corresponding to the attenuation pattern of the radiator on the lower surface of the dielectric solution hollow part capable of accommodating the dielectric solution, and the dielectric part in the dielectric solution hollow part. Injection molding of the dielectric solution hollow cover is formed to completely cover the open side of the dielectric solution hollow part so that an injection hole for injecting a solution is formed and the dielectric solution accommodated in the dielectric solution hollow part does not leak out; ; The dielectric solution hollow part of the frame and the dielectric solution hollow part cover are assembled with each other, and the dielectric solution hollow part is formed of the dielectric solution hollow part and the dielectric solution hollow part cover and the dielectric solution injecting part can be injected into the lower surface of the frame. Forming; Injecting a dielectric solution into the dielectric solution injection part through an injection hole formed in the dielectric solution hollow cover; And assembling and supporting the radiator on an upper surface of the frame into which the dielectric solution is injected.
따라서, 본 발명은 전류의 감쇄가 일어나는 방사체의 감쇄패턴에 일대일 대응되는 프레임의 하부면 소정위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
Accordingly, the present invention provides a wideband planar inverted F antenna and a method of manufacturing the same, in which a dielectric solution having a predetermined dielectric constant is injected into a predetermined position of a lower surface of a frame corresponding to attenuation pattern of a radiator in which current attenuation occurs. It is effective.
도 1a는 종래의 평면 역 에프 안테나의 구성을 나타내는 분해사시도
도 1b는 종래의 평면 역 에프 안테나의 개략적인 구성을 나타내는 도 1의 결합구성도
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 구성을 나타내는 분해사시도
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 개략적인 구성을 나타내는 도 2a의 결합구성도.
도 3은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 이후의 정재파비를 비교하여 나타내는 도면
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 제조방법을 나타내는 흐름도
도 5는 도 4의 제조방법에 따른 공정흐름을 나타내는 도면1A is an exploded perspective view showing the configuration of a conventional planar inverse F antenna
1B is a coupling diagram of FIG. 1 showing a schematic configuration of a conventional planar inverse F antenna;
Figure 2a is an exploded perspective view showing the configuration of a wideband planar inverted F antenna to improve the bandwidth by injecting a dielectric solution according to an embodiment of the present invention
FIG. 2B is a combined configuration diagram of FIG. 2A illustrating a schematic configuration of a broadband planar inverse F antenna for improving bandwidth by injecting a dielectric solution according to an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a view showing a comparison of standing wave ratios before and after applying an embodiment of the present invention;
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wideband planar inverted F antenna to improve bandwidth by injecting a dielectric solution according to another embodiment of the present invention.
5 is a view showing a process flow according to the manufacturing method of FIG.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 구성을 나타내는 분해사시도이고, 도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 개략적인 구성을 나타내는 도 2a의 결합구성도이다.Figure 2a is an exploded perspective view showing the configuration of a wideband planar inverted F antenna to improve the bandwidth by injecting a dielectric solution according to an embodiment of the present invention, Figure 2b is a dielectric solution is injected in accordance with an embodiment of the bandwidth FIG. 2A is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a wideband planar inverse F antenna that improves the performance of the antenna.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나(100)는 소정형태의 전도성 패턴으로 형성되는 방사체(110) 및 상기 방사체(110)를 상부면상에 지지 고정하는 소정형태의 프레임(120)을 포함하여 이루어진다.As shown in the figure, the broadband flat
보다 상세하게는, 상기 방사체(110)는 상호 소정간격으로 이격되며 마주보는 형태로 형성되는 복수개의 평행라인을 포함하여 이루어지며 상기 각 평행라인의 전류흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 일어나는 감쇄패턴(113)을 포함하는 소정형태의 전도성 패턴으로 형성되며, 상기 프레임(120)은 상기 방사체를 지지 고정하는 상부면, 및 상기 방사체(110)의 감쇄패턴(113)과 일대일 대응되는 위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되는 유전용액 주입부(130)가 형성되는 하부면을 구비한다.In more detail, the
이때, 본 발명의 일실시예에서 상기 방사체(110)는 상대적으로 낮은 주파수대역에서 동작하는 저주파 패턴부(111)와 상대적으로 높은 주파수대역에서 동작하는 고주파 패턴부(112)로 이루어지며, 상기 감쇄패턴(113)은 상기 저주파 패턴부(111)에 형성된다.At this time, in one embodiment of the present invention, the
또한, 상기 유전용액 주입부(130)는, 상기 프레임(120)의 하부면에 일측이 개방된 소정형태의 홈으로 형성되어 유전용액을 수용하는 유전용액 중공부(121)와, 상기 유전용액 중공부(121)에 유전용액을 주입하는 주입홀(132)이 형성되며 상기 유전용액 중공부(121)에 수용된 유전용액이 외부로 새어나가지 않도록 상기 유전용액 중공부(121)의 개방된 일측을 완전히 커버하는 유전용액 중공부 커버(131)로 이루어진다.In addition, the dielectric
이때, 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나(100)에서 상기 유전용액의 유전율 값은 상기 프레임(120)이 갖는 유전율 값보다 상대적으로 높은 유전율 값을 가지며, 본 발명의 일실시예에서 상기 유전용액은 인체의 유전율과 동일한 유전율 값을 갖도록 물 532.98g, Cellulose 3.2g, 소금 18.3g, Preventol D-7 2.4g, 설탕 766.0g 으로 배합하여 24간 희석시켜 형성되는 유전용액을 사용하는 것이 바람직하다.In this case, the dielectric constant value of the dielectric solution in the broadband
한편, 상기 유전용액이 상기 유전용액 중공부 커버(131)에 형성된 주입홀(132)을 통하여 상기 유전용액 주입부(130)에 주입되면 상기 방사체(120)의 저주파패턴부(111)가 동작하는 주파수대역의 대역폭이 개선된다.On the other hand, when the dielectric solution is injected into the dielectric
즉, 상기 저주파 패턴부(111)의 소정위치에 형성되는 감쇄패턴(113)과 일대일 대응되는 프레임(120)의 위치에 상기 프레임(120)보다 높은 유전율값을 갖는 유전용액이 주입되면 상기 감쇄패턴(113)의 전류의 흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 발생하는 것을 높은 유전율로 인한 다중파장을 생성하게 하여 저주파 패턴부(111)의 동작주파수대역의 대역폭을 확대할 수 있다. That is, when a dielectric solution having a dielectric constant higher than that of the
이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나는, 전류의 감쇄가 일어나는 방사체의 감쇄패턴에 일대일 대응되는 프레임의 하부면 소정위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되어 상기 방사체의 대역폭을 개선하는 효과가 있다.As described above, the wideband planar F antenna which improves the bandwidth by injecting the dielectric solution according to the embodiment of the present invention has a predetermined dielectric constant at a predetermined position on the lower surface of the frame corresponding one-to-one to the attenuation pattern of the radiator where current attenuation occurs. Dielectric solution having a has the effect of improving the bandwidth of the radiator.
도 3은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 이후의 정재파비를 비교하여 나타내는 도면이다.3 is a view showing a comparison of standing wave ratios before and after applying an embodiment of the present invention.
도면참조부호 A는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전의 정재파비를 가리키고, 도면참조부호 B는 본 발명의 일실시예가 적용된 이후의 정재파비를 가리킨다. 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나(100)는 정재파비가 3:1 일때, 저주파수대역의 대역폭이 239MHz에서 259MHz로 개선되는 것을 알 수 있으며, 4세대 통신의 LTE(Long Term Evolution)대역과, 종래의 GSM850대역 및, 종래의 GSM900 대역을 모두 만족시킨다.Reference numeral A denotes a standing wave ratio before an embodiment of the present invention is applied, and reference numeral B denotes a standing wave ratio after an embodiment of the present invention is applied. As shown in the figure, the broadband planar inverted
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 5는 도 4의 제조방법에 따른 공정흐름을 나타내는 도면이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wideband planar inverted F antenna for improving bandwidth by injecting a dielectric solution according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a flowchart illustrating a process flow according to the manufacturing method of FIG. 4.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나(100)의 제조방법은, 금속평판을 프레스 가공하여 상호 소정간격으로 이격되며 마주보는 형태로 형성되는 복수개의 평행라인을 포함하여 이루어지며 상기 각 평행라인의 전류흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 일어나는 감쇄패턴(113)을 포함하는 소정형태의 전도성패턴으로 형성되는 방사체(110)를 형성하는 단계(S100)와; 일측이 개방된 소정형태의 홈으로 형성되어 유전용액을 수용할 수 있는 유전용액 중공부(121)가 하부면의 상기 방사체(110)의 감쇄패턴(113)에 대응되는 위치에 형성되는 소정형태의 프레임(120), 및 상기 유전용액 중공부(121)에 유전용액을 주입하는 주입홀(132)이 형성되며 상기 유전용액 중공부(121)에 수용된 유전용액이 외부로 새어나가지 않도록 상기 유전용액 중공부(121)의 개방된 일측을 완전히 커버하는 형태의 유전용액 중공부 커버(131)를 각각 사출 성형하는 단계(S200)와; 상기 프레임(120)의 유전용액 중공부(121)와 상기 유전용액 중공부 커버(131)를 서로 조립하여 상기 유전용액 중공부(121) 및 상기 유전용액 중공부 커버(131)로 이루어지며 유전용액이 주입될 수 있는 유전용액 주입부(130)가 상기 프레임(120)의 하부면에 형성되는 단계(S300)와; 상기 유전용액 중공부 커버(131)에 형성된 주입홀(132)을 통하여 상기 유전용액 주입부(130)의 내부에 유전용액을 주입하는 단계(S400); 및 상기 유전용액이 주입된 프레임(120)의 상부면상에 상기 방사체(110)를 조립하여 지지 고정하는 단계(S500);로 이루어진다.As shown in Figure 4 and 5, the manufacturing method of the broadband flat inverted
본 발명의 다른 실시예에서, 상기 유전용액은 상기 프레임(120)이 갖는 유전율 값보다 상대적으로 높은 인체의 유전율과 동일한 유전율 값을 가지며, 상기 유전용액이 상기 유전용액 주입부(130)에 주입되면 상기 저주파 패턴부(111)가 동작하는 주파수대역의 대역폭이 개선되는 효과가 있다.In another embodiment of the present invention, the dielectric solution has a dielectric constant equal to that of the human body, which is relatively higher than that of the
즉, 상기 방사체(110)의 소정위치에 형성되는 감쇄패턴(113)과 일대일 대응되는 프레임(120)의 위치에 상기 프레임(120)보다 높은 유전율값을 갖는 유전용액이 주입되면 상기 감쇄패턴(113)의 전류의 흐름이 상호간에 서로 반대방향으로 형성되어 전류의 감쇄가 발생하는 것을 높은 유전율로 인한 다중파장을 생성하게 하여 상기 저주파 패턴부(111)의 동작주파수대역의 대역폭을 확대할 수 있다. That is, when a dielectric solution having a dielectric constant higher than that of the
상기와 같이, 본 발명은 전류의 감쇄가 일어나는 방사체의 감쇄패턴에 일대일 대응되는 프레임의 하부면 소정위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되어 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.As described above, the present invention is a wideband planar inverted F antenna which improves bandwidth by injecting a dielectric solution having a predetermined dielectric constant into a predetermined position on a lower surface of a frame corresponding to attenuation pattern of a radiator in which current attenuation occurs. Has the effect of providing.
지금까지 본 발명에 대해서 상세히 설명하였으나, 그 과정에서 언급한 실시예는 예시적인 것일 뿐, 한정적인 것이 아님을 분명히 하며, 본 발명은 이하의 특허청구범위에 의하여 제공되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 범위내에서, 균등하게 대처할 수 있는 정도의 구성요소 변경은 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다.
The present invention has been described in detail so far, but the embodiments mentioned in the process are only illustrative and are not intended to be limiting, and the present invention is provided by the following claims. Within the scope of not departing from the scope of the present invention, changes in components to such an extent as to cope with evenly fall within the scope of the present invention.
1, 100 : 평면 역 에프 안테나 10, 110 : 방사체
11, 111 : 저주파 패턴부 12, 112 : 고주파 패턴부
20, 120 : 프레임 113 : 감쇄패턴
121 : 유전용액 중공부 130 : 유전용액 주입부
131 : 유전용액 중공부 커버 131-1 : 주입홀
1, 100: flat
11, 111: low
20, 120: frame 113: attenuation pattern
121: dielectric solution hollow portion 130: dielectric solution injection portion
131: cover of the hollow portion of the dielectric solution 131-1: injection hole
Claims (5)
상기 방사체를 지지 고정하는 상부면, 및 상기 방사체의 감쇄패턴과 대응되는 위치에 소정의 유전율을 갖는 유전용액이 주입되는 유전용액 주입부가 형성되는 하부면을 구비하는 소정형태의 프레임;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나.
It includes a plurality of parallel lines spaced apart from each other at a predetermined interval and formed in a form facing each other, and the current flow of each parallel line is formed in a mutually opposite direction to each other in a predetermined form including a damping pattern to attenuate the current A radiator formed of a conductive pattern; And
And a frame having a top surface for supporting and fixing the radiator, and a bottom surface for forming a dielectric solution injection portion into which a dielectric solution having a predetermined dielectric constant is injected at a position corresponding to the attenuation pattern of the radiator. A wideband planar inverse F antenna that improves bandwidth by injecting a dielectric solution.
상기 프레임이 갖는 유전율 값 보다 상대적으로 높은 유전율 값을 가지는 것을 특징으로 하는 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나.
The method according to claim 1, wherein the dielectric solution,
Broadband planar F-F antenna which improves bandwidth by injecting a dielectric solution, characterized in that the dielectric constant value is higher than the dielectric constant value of the frame.
상기 프레임의 하부면에 일측이 개방된 소정형태의 홈으로 형성되어 유전용액을 수용하는 유전용액 중공부, 및 상기 유전용액 중공부에 유전용액을 주입하는 주입홀이 형성되며 상기 유전용액 중공부에 수용된 유전용액이 외부로 새어나가지 않도록 상기 유전용액 중공부의 개방된 일측을 완전히 커버하는 유전용액 중공부 커버로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나.
The method of claim 1 or 2, wherein the dielectric solution injection portion,
A dielectric solution hollow portion is formed into a groove having a predetermined shape, one side of which is opened on the lower surface of the frame, and an injection hole for injecting a dielectric solution into the dielectric solution hollow part is formed, and the dielectric solution hollow part is formed. A wideband planar inverse F antenna for improving bandwidth by injecting a dielectric solution, characterized in that the dielectric solution hollow cover completely covers an open side of the hollow portion of the dielectric solution so that the contained dielectric solution does not leak out.
일측이 개방된 소정형태의 홈으로 형성되어 유전용액을 수용할 수 있는 유전용액 중공부가 하부면의 상기 방사체의 감쇄패턴에 대응되는 위치에 형성되는 소정형태의 프레임, 및 상기 유전용액 중공부에 유전용액을 주입하는 주입홀이 형성되며 상기 유전용액 중공부에 수용된 유전용액이 외부로 새어나가지 않도록 상기 유전용액 중공부의 개방된 일측을 완전히 커버하는 형태의 유전용액 중공부 커버를 각각 사출 성형하는 단계와;
상기 프레임의 유전용액 중공부와 상기 유전용액 중공부 커버를 서로 조립하여 상기 유전용액 중공부 및 상기 유전용액 중공부 커버로 이루어지며 유전용액이 주입될 수 있는 유전용액 주입부가 상기 프레임의 하부면에 형성되는 단계와;
상기 유전용액 중공부 커버에 형성된 주입홀을 통하여 상기 유전용액 주입부의 내부에 유전용액을 주입하는 단계; 및
상기 유전용액이 주입된 프레임의 상부면상에 상기 방사체를 조립하여 지지 고정하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 제조방법.
Attenuation pattern which consists of a plurality of parallel lines which are formed by pressing a metal plate to be spaced apart from each other at predetermined intervals and face each other and the current flow of each parallel line is formed in opposite directions to each other. Forming a radiator formed of a conductive pattern having a predetermined shape;
A frame of a predetermined type formed in a groove having a predetermined shape having one side open and formed at a position corresponding to the attenuation pattern of the radiator on the lower surface of the dielectric solution hollow part capable of accommodating the dielectric solution, and the dielectric part in the dielectric solution hollow part. Injection molding of the dielectric solution hollow cover is formed to completely cover the open side of the dielectric solution hollow part so that an injection hole for injecting a solution is formed and the dielectric solution accommodated in the dielectric solution hollow part does not leak out; ;
The dielectric solution hollow part of the frame and the dielectric solution hollow part cover are assembled with each other, and the dielectric solution hollow part is formed of the dielectric solution hollow part and the dielectric solution hollow part cover and the dielectric solution injecting part can be injected into the lower surface of the frame. Forming;
Injecting a dielectric solution into the dielectric solution injection part through an injection hole formed in the dielectric solution hollow cover; And
And assembling and supporting and fixing the radiator on an upper surface of the frame into which the dielectric solution is injected, to improve bandwidth by injecting the dielectric solution.
상기 프레임이 갖는 유전율 값 보다 상대적으로 높은 유전율 값을 가지는 것을 특징으로 하는 유전용액을 주입하여 대역폭을 개선하는 광대역 평면 역 에프 안테나의 제조방법.
The method according to claim 4, wherein the dielectric solution,
A method of manufacturing a wideband planar inverted F antenna improving bandwidth by injecting a dielectric solution, wherein the dielectric constant has a higher dielectric constant than that of the frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100022019A KR101085815B1 (en) | 2010-03-12 | 2010-03-12 | Broadband Planar Inverted-F Antenna have enhanced bandwidth by injecting dielectric material and Manufacturing Method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020100022019A KR101085815B1 (en) | 2010-03-12 | 2010-03-12 | Broadband Planar Inverted-F Antenna have enhanced bandwidth by injecting dielectric material and Manufacturing Method thereof |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110102967A true KR20110102967A (en) | 2011-09-20 |
| KR101085815B1 KR101085815B1 (en) | 2011-11-22 |
Family
ID=44954322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100022019A KR101085815B1 (en) | 2010-03-12 | 2010-03-12 | Broadband Planar Inverted-F Antenna have enhanced bandwidth by injecting dielectric material and Manufacturing Method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101085815B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101595824B1 (en) * | 2014-12-24 | 2016-02-22 | 한밭대학교 산학협력단 | Liquid metal based tunable antenna and method for manufacturing the same |
| CN111052499A (en) * | 2018-03-14 | 2020-04-21 | 华为技术有限公司 | Antenna assembly and mobile terminal |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2010
- 2010-03-12 KR KR1020100022019A patent/KR101085815B1/en active IP Right Grant
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|---|---|
| KR101085815B1 (en) | 2011-11-22 |
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