KR20110071069A - 고밀도 데이터 저장을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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KR20110071069A
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우르스 티. 뒤리그
베른트 더블유. 갓츠만
아르민 더블유. 크놀
데이비드 피레스
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인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
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Abstract

본 발명은 토포그래피적 특징부의 형태로 데이터를 저장하기 위한 기판 표면상에서의 데이터 저장 매체의 제조 방법에 관한 것이다. 이 방법은 3개 이상의 알킨기를 포함하는 가교제를 기판 표면상에 증착시키는 제1 단계를 포함한다. 제2 단계에서는, 상기 증착된 가교제를 경화하여, 기판 표면상에 가교된 중합체성 층의 형태로 데이터 저장 매체를 얻는다. 본 발명은 추가로 이러한 방법으로 얻어진 데이터 저장 매체 및 이러한 데이터 저장 매체를 포함하는 데이터 저장 장치에 관한 것이다.

Description

고밀도 데이터 저장을 위한 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR HIGH DENSITY DATA STORAGE}
본 발명은 고밀도 데이터 저장 분야, 보다 구체적으로 데이터 저장 매체, 데이터 저장 시스템, 및 데이터 저장 방법에 관한 것이다.
현재의 데이터 저장 방법은 0.1 내지 10 ㎛ 체계로 작업한다. 점점 더 많은 정보를 점점 더 작은 공간에 저장하기 위한 노력으로, 데이터 저장 밀도가 증가하여 왔다. 전력 소모를 줄이고 직접 회로의 작업 속도를 증가시키기 위한 노력으로, 직접 회로를 제작하는데 사용되는 리소그래피에는 보다 작은 치수 및 보다 높은 밀도의 이미징이 요구된다. 데이터 저장 크기가 증가하고 밀도가 증가하며 직접 회로 밀도가 증가함에 따라, 나노미터 체계에서 작업하는 저장 매체를 위한 물질의 조성물에 대한 필요가 늘어가고 있다.
원자력 현미경 (AFM) 원리에 기초한 데이터 저장을 위한 저장 장치는 문헌 ["The millipede - more than 1,000 tips for future AFM data storage" by P. Vettiger et al, IBM Journal Research Development, Vol. 44, No. 3, March 2000]에 개시되어 있다. 이 저장 장치는 각각 팁을 갖는 프로프의 어레이로의 저장 매체의 기계적 x-, y- 스캐닝에 기초한 판독 및 기록 기능을 가진다. 프로브는 동시에 작업하고, 각각의 프로브는 작업 동안 저장 매체의 관련 분야를 스캐닝한다. 저장 매체는 중합체 층을 포함한다. 각각의 정점 직경이 5 nm 내지 20 nm인 팁은 접촉 모드로 중합체 층의 표면을 가로질러 이동하게 된다. 접촉 모드는 프로브에 작은 힘을 적용하여 프로브의 팁이 저장 매체 표면에 닿을 수 있게 함으로써 달성된다. 이러한 목적을 위해, 프로브는 그의 말단 구획에 팁을 수반하는 캔틸레버(cantilever)를 포함한다. 비트는 중합체 층에서의 인덴테이션 자국(mark) 또는 비인덴테이션 자국으로 나타난다. 캔틸레버는 판독/기록 모드에서 이 장치의 작업 중 중합체 층의 표면을 가로질러 이동하는 동안 이러한 토포그래피적 변화에 반응한다.
인덴테이션 자국은 열기계적 기록에 의해 중합체 표면상에 형성된다. 이것은 중합체 층과 관련하여 접촉 모드에서 작업되는 각각의 프로프를 가열함으로써 달성된다. 팁의 가열은 인덴테이션 자국의 형성/기록 전용의 가열기를 통해 달성된다. 가열된 팁이 접촉되는 부분의 중합체 층은 국소적으로 연화된다. 그 결과는 예를 들어, 층상에 생성되고, 그의 형성에 사용되는 나노스케일 직경의 팁을 갖는 인덴테이션이다.
판독 또한 열기계적 개념으로 달성된다. 프로브는 인덴테이션 자국의 감지/판독 공정 전용의 가열기를 사용하여 가열된다. 팁에 연결되지 않은 별개의 가열기를 사용하여 프로브가 가열되지 않게 하거나, 또는 프로브가 가열되나 이것의 관련 팁의 가열은 유발하지 않도록, 즉 가열 온도가 기록에 필요한 대로 중합체 층을 연화시킬 정도로 높지 않다. 열 감지는 프로브가 인덴테이션에서 이동할 때, 열 전달이 이 경우 더욱 효율적인 바, 프로브와 저장 매체 간의 열 전도가 변한다는 사실에 기초한다. 이 결과, 가열기의 온도가 감소하고, 따라서 이의 전기 저항 역시 변한다. 이러한 저항의 변화는 그다음 측정되고, 측정 신호로 기능한다.
이러한 열 프로브 저장 용도에 대해, 매체 요구조건은 중합체의 인덴테이션 기계학과, 매체 및 팁 층을 제한할 필요성에 의해 한정된다. 바람직하게, 유리 전이 온도는 최소화되어야 하나, 중합체는 또한 열적으로 안정해야 한다. 중합체의 열적 안정성은 가교 및 우수한 열 안정성을 갖는 중합체의 사용으로 달성된다. 가교는 전형적으로 인덴트를 형성하기에 높은 힘을 필요로 하고, 따라서 증가된 팁 마모를 초래하는 경질 물질을 생성한다. 중간의 기록 속도에 있어서, 힘 및 팁 마모를 최소화하기 위해 보다 높은 온도를 사용할 수 있다. 기록 속도에 따라 기록 온도가 증가함으로, 열과 힘 간의 이러한 균형은 그의 최대 설계 온도에서의 캔틸레버 가열기 요소의 작업을 필요로 하는 고속 기록에는 가능하지 않다.
따라서, 매체 마모 저항을 위한 높은 가교 밀도와, 부드러운 기록 조건을 위한 낮은 유리 전이 온도의 상충되는 요구조건들의 조화를 이루는 데이터 저장 매체의 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 양상에 따르면, (a) 3개 이상의 알킨기를 포함하는 (즉, 3개 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는) 가교제를 기판 표면상에 증착시키는 단계; (b) 상기 증착된 가교제를 경화하여, 기판의 변형된 표면을 제조하여, 데이터 저장 매체를 기판 표면상에 가교된 중합체성 층의 형태로 얻는 단계를 포함하는, 토포그래피적 특징부의 형태로 데이터를 저장하기 위한 기판 표면상에서의 데이터 저장 매체의 제조 방법이 제공된다.
이러한 본 발명의 제1 양상에 따르면, 한 층의 가교제를 기판 표면상에 증착한다. 가교제의 증착과 동시에 또는 이에 후속적으로 증착된 가교제를 경화하여, 경화된 가교제를 포함하는 층을 얻는다. 이러한 층은 높은 가교 밀도를 보인다. 한 실시양태에서, 기판은 예를 들어, 경화성 중합체, 특히 중합체성 주쇄 또는 중합체의 말단기에 알킨기를 갖는 중합체를 포함하는 지지층일 수 있다. 추가의 실시양태에서, 기판은 경화된 가교제 층이 이것으로부터 표적층, 특히 중합체성 표적층으로 이동될 수 있는 템플레이트(template)일 수 있다. 가교제 및 가교제 층을 각각 경화함으로써, 3개 이상의 알킨기는 재배열되어, 분자들 및 적용되는 경우 기판으로 사용되는 지지층의 중합체 간에 강력한 화학적 결합을 제공하는 사다리형 망상구조를 형성한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 부드러운 하부층상에 증착/이로 이동된 얇은 경질의 외피를 포함하는 이중층 물질이 얻어진다.
본 발명의 제1 양상의 한 실시양태에 따르면, 기판 표면상으로의 가교제의 증착은 공급원으로부터의 가교제의 증발 및 표적으로 사용된 기판 표면상으로의 적어도 부분적인 증착에 의해 수행된다. 이러한 기술을 사용함으로써, 매우 얇은 층의 중합체를 기판상에 증착시킬 수 있고, 경화 공정 중 내습윤(dewetting) 현상이 관찰되지 않을 수 있다 (예를 들어, 두께 5 nm인 얇은 층의 불안정성으로 인함). 이와는 대조적으로, 스핀-캐스팅과 같은 다른 증착 방법의 사용은 내습윤 현상을 초래한다. 기판의 표면 에너지를 낮추는 계면활성제의 사용은 이러한 문제점을 해결하지 않고, 스핀-캐스팅된 중합체의 내습윤을 방지할 수 없다.
본 발명의 제1 양상의 추가의 실시양태에 따르면, 가교제는 구조 ZR3 및/또는 ZR'4의 화합물로부터 선택된다. Z 및 Z'는 알킨기를 포함하는 치환기들을 연결하는, 특히 방향족 링커인 연결 부분을 나타낸다 (Z는 3개의 치환기 R을 가지고, Z'는 4개 이상의 치환기 R을 가지며, 각각의 치환기 R은 1개 이상의 알킨기를 포함하고, 치환기 R은 각각 Z 및 Z'에 공유 결합됨).
예를 들어, Z는 1,3,5-치환된 6원 방향족 고리 또는 1,2,4-치환된 6원 방향족 고리일 수 있다. 또한, 연결 부분은 1개 초과의 방향족 고리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 2개 이상의 고리 각각은 2개 이상의 치환기 R을 포함할 수 있다. 예를 들어, Z'는 단일 결합 또는 알킬렌- 또는 아릴렌-링커 또는 산소 원자를 통해 연결된 2개의 6원 방향족 고리를 포함할 수 있다. Z'의 상기 2개의 6원 방향족 고리 각각은 예를 들어, 3,5-치환된 또는 3,4-치환된 방향족 고리일 수 있다. 또한, 3개의 방향족 고리가 포함될 수 있고, 이러한 3개 이상의 고리 각각은 1개 이상의 알킨기를 포함하는 1개 이상의 치환기 R을 가진다.
이와는 별도로, Z 및 Z'는 지방족 연결 부분, 특히 요망되는 특별한 정렬 치환기 R을 초래하는 부분일 수 있다 (Z는 3개의 치환기 R을 가지고, Z'는 4개의 치환기 R을 가지며, 치환기 R 각각은 1개 이상의 알킨기를 포함함).
구조 ZR3 및/또는 ZR'4의 가교제의 치환기 R은 각각 무작위하고 독립적으로 1개 이상의 알킨기를 포함하는 부분 및 치환된 또는 비치환된 방향족 부분 또는 수소 원자를 나타내거나, 또는 알킨기 및 치환된 또는 비치환된 방향족 부분 또는 수소 원자로 구성된다.
보통 치환기 R 모두는 동일하고, 덜 극성인 가교제의 구조는 보다 증발하기 쉬운 가교제를 야기한다.
바람직하게, 연결 부분 Z 또는 Z'는
Figure pct00001
,
Figure pct00002
,
Figure pct00003
또는 규소 원자를 나타내고, 여기서 *는 R과 Z 또는 Z' 간의 결합을 나타낸다.
연결 부분의 두 방향족 고리 간의 링커 L은 바람직하게 산소, 알킬렌 또는 아릴렌 부분을 나타낸다. 이와는 별도로, L은 두 방향족 고리 간의 단일 결합일 수 있다. 바람직하게, 알킬렌 링커는 메틸렌 링커 또는 C(CH3)2와 같은 치환된 메틸렌 링커이다.
바람직하게, 1개 이상의 알킨기를 포함하는 치환기 R은 각각 무작위하고 독립적으로 치환된 알킨기 (즉, 터미널 알킨을 포함하지 않음), 메타- 또는 파라- 치환된 페닐렌기 및/또는 페닐기를 포함하는 부분을 나타낸다. 이와는 별도로, R은 치환된 알킨기로 구성된 부분, 메타- 또는 파라-치환된 페닐렌 부분 및/또는 치환된 또는 비치환된 페닐기를 나타낸다. 비치환된 페닐기가 바람직하고, 치환된 페닐기를 포함하는 가교제는 온도 안정성이 떨어진다. 치환기 R은 또한 2개 이상의 알킨기 및 2개 이상의 메타 또는 파라-치환된 페닐렌 부분을 포함할 수 있다.
가장 바람직하게, 치환기 R은 각각 무작위하고 독립적으로
Figure pct00004
,
Figure pct00005
및/또는
Figure pct00006
를 나타내고, 여기서 *는 R과 Z 또는 Z' 간의 결합을 나타낸다.
가교제 ZR3 및/또는 ZR'4'는 가장 바람직하게 다음을 나타낸다:
Figure pct00007
(I),
Figure pct00008
(II),
Figure pct00009
(III),
Figure pct00010
(IV) 및
Figure pct00011
(V).
추가의 실시양태에서, 사용되는 가교제는 300 ℃ 미만의 온도에서 증발가능하다. 보다 높은 온도에서는, 알킨기를 포함하는 가교제는 종종 중합하는 경향을 보인다. 보다 바람직하게, 가교제는 250 ℃ 미만의 온도, 가장 바람직하게 150 내지 200 ℃의 온도에서 증발가능하다. 150 내지 200 ℃의 이러한 온도에서, 증발된 가교제의 비율은 만족스러운 증착률을 가능하게 한다.
한 예에서, 본 발명의 실시양태에 따른 가교제는 유리하게 약 900 돌턴 미만의 분자량을 가진다 (본 발명을 기술하는 목적을 위하여, 돌턴과 g/mol은 혼용될 수 있음). 보다 바람직하게, 가교제는 270 내지 800 돌턴의 분자량을 가진다.
본 발명의 한 실시양태에서, 가교 중합체성 층을 템플레이트 표면상에 증착시킨다. 이 실시양태에 따르면, 가교제의 경화 후 다음의 단계들이 수행된다:
(c) 기판의 변형된 표면 (즉, 템플레이트의 변형된 표면)을 표적층의 표면과 접촉시킨다. 그렇게 함으로써, 상기 변형된 표면에 인접한 상기 표적층 및 가교된 중합체성 층을 갖는 기판을 포함하는 어셈블리를 얻는다. 단계 (d)에서는, 단계 (c)에서 얻어진 어셈블리의 환경에 액체를 도입한다. 그 결과, 경화된 가교제 층을 표적 표면의 적어도 인접 영역상으로 이동시킨다. 템플레이트 표면은 이것의 표면 조도 프로파일을 이유로 선택되고, 바람직하게 상대적으로 결함이 없다. 단계 (d)에서 얻어진 이중층 물질의 경화된 가교제 층의 노출된 표면 (즉, 지지층 위의 데이터 저장 매체 층)은 이것이 이전에 접촉하고 있었던 템플레이트 표면과 동일한 정도의 편평도를 보여준다. 데이터 저장 매체 층이 템플레이트 층으로부터 표적층으로 이동되는 방법은 그 개시 내용이 본 명세서에 참고문헌으로 도입된 WO 2007/113760에도 기술되어 있다.
한 예에서, 이 실시양태에서 사용되는 템플레이트의 표면은 친수성 특징을 가진다. 바람직하게, 템플레이트 표면은 운모 기판, 불꽃 어닐링된 유리 기판, 규소 기판상의 산화규소 층 및 (100) 표면 회티탄석 기판 중 하나의 표면을 포함한다. 또한, 단계 (b)에서 제조된 변형된 표면의 가열은 단계 (c) 전에 수행되는 것이 바람직하다.
단계 (d)에서 도입되는 액체는 극성 액체를 포함하는 것이 바람직하다.
이 실시양태의 추가의 예에서, 가교제의 경화된 층은 단계 (a)에서 가교제 및 공단량체의 혼합물의 증착에 의해 얻는다. 단계 (b)에서, 증착된 가교제 및 공단량체의 혼합물을 경화하여, 가교된 중합체성 층을 제조한다.
공단량체로서, 2개 이상의 알킨기를 보유하는 화합물이 사용될 수 있다. 통상적으로 공단량체는 가교제와 비교하여 유사한 열적 안정성을 보인다. 예를 들어, 화학식 Z"R2 (Z"는 2개의 치환기 R을 가지고, 치환기 R 각각은 1개 이상의 알킨기를 포함하며, 치환기 R은 Z"에 공유 결합됨)의 화합물이 사용될 수 있고, 여기서 (화합물 ZR3 및 Z'R4 내) R은 상기와 같이 정의된다. 중심 부분 Z"는 2개의 치환기 R을 연결하는 부분, 예를 들어 (6원 트윈(twin)의 1,3- 또는 1,4-위치에) 2개의 치환기 R을 갖는 방향족 고리 또는 (예를 들어, 4,4'-위치에) 2개의 치환기 R을 갖는 비페닐을 나타낸다. 가교제와 공단량체 간의 비율은 바람직하게 100:0 내지 20:80 (mol%)이다. 바람직하게 공단량체의 비율은 50 mol% 미만, 보다 바람직하게 20 mol% 미만이다.
이 실시양태에 따른 방법은 층들 간 뚜렷한 경계를 보이는 이중층 물질을 초래한다. 경화된 가교제의 얇은 층은 매체를 이것으로부터 공통적인 표적 기판상으로 이동시킬 수 있는 특정한 종류의 표면상에 직접적으로 증착된다. 가교된 층의 위에는, 예를 들어 안정한 두꺼운 층의 표준 중합체가 스핀-코팅될 수 있다. 얻어진 경화된 가교층 및 표준 중합체의 샌드위치는 경화될 수 있다. 경화된 가교제의 층은 고도로 가교되고, 표준 중합체의 분자량은 통상적으로 상당히 크기 때문에, 층들의 유의한 상호확산은 관찰되지 않는다.
본 발명의 추가의 실시양태에서, 가교제를 알킨기를 포함하는 1개 이상의 가교가능한 중합체를 포함하는 지지층인 기판의 표면상에 증착한다. 이러한 가교가능한 중합체의 알킨기는 중합체성 주쇄에 포함될 수 있고, 이와는 별도로 알킨기는 또한 중합체의 말단기에 포함될 수도 있다. 본 발명의 이 실시양태에서, 가교제의 증착된 분자는 지지층의 표면에 도달하고, 확산을 통해 중합체로 들어가고, 가교 파트너를 찾는다. 그렇게 함으로써, 이것들은 국소적으로 가교 밀도를 향상시키고, 이는 층들 간 뚜렷한 경계를 가지지 않는 이중층 물질을 야기하며, 지지층 위의 데이터 저장 매체가 얻어진다.
한 예에서, 지지층은 본 명세서에 참고문헌으로 도입된 US 2007/0296101 Al에 기술된 것과 같이 1개 이상의 폴리아릴에테르케톤 중합체를 포함한다. 다른 예에서, 지지층은 본 명세서에 참고문헌으로 도입된 WO 2007/096359 A2에 기술된 것과 같이 1개 이상의 폴리이미드 올리고머를 포함한다. 바람직하게, 각각의 이러한 폴리아릴에테르케톤 중합체 및/또는 폴리이미드 올리고머는 각각이 2개 이상의 페닐 부분을 갖는 2개의 터미널 말단을 가진다. 예를 들어, US 2007/0296101 Al에 기술된 다음의 폴리아릴에테르케톤 중합체가 사용될 수 있다:
Figure pct00012
또는
Figure pct00013
,
여기서 R1은 하기로 구성된 군으로부터 선택되고:
Figure pct00014
,
Figure pct00015
,
Figure pct00016
및
Figure pct00017
,
여기서 R2는 하기로 구성된 군으로부터 선택되며:
Figure pct00018
,
Figure pct00019
,
Figure pct00020
,
Figure pct00021
,
Figure pct00022
,
Figure pct00023
,
Figure pct00024
및
Figure pct00025
,
여기서 R3은 폴리(아릴아세틸렌), 폴리(페닐에티닐),
Figure pct00026
,
Figure pct00027
및
Figure pct00028
로 구성된 군으로부터 선택되고,
여기서 n은 약 5 내지 약 50의 정수이다.
추가의 실시양태에서, US 2007/0296101 Al에 기술된 폴리아릴에테르케톤 중합체에서
Figure pct00029
또는
Figure pct00030
내 R2 부분의 수 중 0 내지 30 %는 다음의 부분으로 대체된다:
Figure pct00031
.
이러한 부분을 포함하는 폴리아릴에테르케톤 중합체의 합성은 R2 부분에 대한 출발 물질들의 혼합물을 사용하여 US 2007/0296101 Al에 기술된 것과 같이 수행된다.
추가의 예에서, 지지층은 1개 이상의 폴리이미드 올리고머를 포함한다. 예를 들어, WO 2007/096359 A2에 기술된 다음의 폴리이미드 올리고머가 사용될 수 있다:
Figure pct00032
여기서 R'는 하기로 구성된 군으로부터 선택되고,
Figure pct00033
,
Figure pct00034
,
Figure pct00035
및
Figure pct00036
;
여기서 R"는 하기로 구성된 군으로부터 선택되며,
Figure pct00037
,
Figure pct00038
,
Figure pct00039
,
Figure pct00040
및
Figure pct00041
;
여기서 n은 약 5 내지 약 50의 정수이다.
추가의 예로서, WO 2007/096359 A2에 기술된 다음의 폴리이미드 올리고머가 사용될 수 있다:
Figure pct00042
여기서 E는
Figure pct00043
이고,
여기서 A1, A2, A3...AN 각각은 독립적으로 하기로 구성된 군으로부터 선택되며,
Figure pct00044
및
Figure pct00045
여기서 R' 및 R"는 상기 정의된 바와 같고.
여기서 R"'은
Figure pct00046
이며,
여기서 N은 2 이상의 정수이다.
한 예에서, (기판이 각각 템플레이트이거나 또는 중합체성 가교가능한 중합체인 실시양태에서) 지지층에 포함된 중합체는 높은 온도 안정성 및 낮은 유리 전이 온도 (TG)를 가진다. 바람직하게, 유리 전이 온도는 220 ℃ 미만, 보다 바람직하게 100 ℃ 내지 180 ℃, 가장 바람직하게 100 ℃ 내지 150 ℃이다. 경화된 가교제 층의 유리 전이 온도는 통상적으로 지지층의 중합체의 유리 전이 온도보다 높다. 바람직하게, 양쪽 유리 전이 온도 간의 차이는 50 ℃ 이상이다.
추가의 실시양태에서, 가교제의 경화는 330 ℃ 내지 450 ℃, 바람직하게 350 내지 450 ℃, 가장 바람직하게 380 ℃ 내지 430 ℃의 온도에서 수행된다.
통상적으로, 본 발명의 방법 중 단계 (a) 및 (b)는 동시에 실시된다. 가교제의 증발이 가교제의 경화를 위한 온도보다 낮은 온도에서 수행되는바, 이미 증착된 가교제의 재증발도 또한 기판 표면에서 발생한다. 그러나, 전체적으로 경화된 가교제 층의 성장이 관찰될 수 있다.
가교제의 경화를 위하여, 기판 표면에 또는 표면에 인접한 기판의 부위 (즉, 각각 알킨기를 포함하는 중합체를 포함하는 지지층 및 경화된 가교제 층이 이것으로부터 표적층으로 이동될 수 있는 템플레이트)에 추가의 성분들이 존재할 수 있다. 이러한 추가의 성분들은 중합 반응을 개시하기 위한 활성화제 (예를 들어, 라디칼 개시제 및 광활성화제) 및 가공을 용이하게 하기 위한 분자 또는 조성물 (예를 들어, 접착 증진제, 소포제 및 안정화제)을 포함한다.
추가의 실시양태에서, 경화된 가교제 층의 두께는 5 nm 이상이다. 데이터 저장 매체용으로는, 통상적으로 5 내지 10 nm의 두께가 충분하다.
기판 표면상으로의 가교제의 증착은 또한 다른 기술들로도 수행될 수 있다. 공급원으로부터의 증발 및 표적상으로의 증착 이외에, 플라스마 증착과 같은 기술들 역시 사용될 수 있다. 그러나, 플라스마 증착의 사용은 가교 반응의 비제어된 성질 및 전반적인 공정의 제어에서의 어려움을 초래할 수 있다.
제2 양상에 따르면, 본 발명은 또한 본 발명의 방법 양상의 실시양태에 따라 제조된 토포그래피적 특징부의 형태로 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장 매체도 포함한다.
제3 양상에 따르면, 본 발명은 상기 제2 양상에 따른 데이터 저장 매체를 포함하고, 추가로 데이터 저장 매체에 저장된 데이터를 기록하고/하거나 판독하기 위한 1개 이상의 프로브를 포함하는 데이터 저장 장치를 포함한다.
본 발명의 한 양상의 특징들은 임의의 다른 양상에 적용될 수 있고, 반대의 경우도 마찬가지이다.
본 발명의 특징들은 첨부된 특허청구범위에 기재된다. 그러나, 본 발명 자체는 예시적인 실시양태에 대한 다음의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면들과 함께 읽을 때, 가장 잘 이해될 것이다.
여기서 도 1A 내지 1C는 본 발명의 실시양태에 따른 데이터 저장 매체를 포함하는 데이터 저장 장치를 위한 팁 어셈블리의 구조 및 작업을 예시하고,
도 2는 본 발명의 실시양태에 따른 데이터 저장 매체를 포함하는 국소적 프로브 저장 어레이의 등척도이며,
도 3은 가교제의 증발 및 증착을 위한 설정을 개략적으로 나타내고,
도 4는 데이터 저장 매체의 예를 나타내며,
도 5 및 도 6은 각각 저도로 가교된 중합체 및 중합체의 표면상에 증착되고 경화된 가교제 층을 갖는 저도로 가교된 중합체에 인덴팅된 비트들의 그리드를 나타내고,
도 7은 상이한 깊이를 갖는 저도로 가교된 중합체에 인덴팅된 비트에 대한 온도-힘 관계를 나타낸다.
도 1A 내지 1C는 본 발명의 실시양태에 따른 데이터 저장 매체를 포함하는 데이터 저장 장치를 위한 팁 어셈블리 (100)의 구조 및 작업을 예시한다. 도 1A에서, 프로브 팁 어셈블리 (100)은 지지 구조체 (110)에 연결된 유연성 부재 (105A) 및 (105B)를 갖는 U-형상의 캔틸레버 (105)를 포함한다. 부재 (105A) 및 (105B)를 구부리는 것은 피봇 축 (115)에 대해 캔틸레버 (105)의 상당한 피봇식(pivotal) 운동을 제공한다. 캔틸레버 (105)는 유연성 부재 (105A) 및 (105B) 사이에 연결된 가열기 (125)에 고정된 인텐터 팁 (120)을 포함한다. 유연성 부재 (105A) 및 (105B) 및 가열기 (125)는 전기적으로 도전성이고, 지지 구조체 (110)의 와이어 (나타내지 않음)에 연결된다. 한 예에서, 유연성 부재 (105A) 및 (105B) 및 인덴테 팁 (120)은 고도로 도핑된 규소로 형성되고 낮은 전기적 저항을 가지며, 가열기 (125)는 한 예에서 전류가 가열기 (125)를 통과할 때 인덴터 팁 (120)을 약 100 ℃ 내지 약 500 ℃으로 가열하기에 충분히 높은 전기적 저항을 갖는 약하게 도핑된 규소로 형성된다. 가열기 (125)의 전기적 저항은 온도의 함수이다.
또한, 도 1A에는 기판 (130A) 및 지지층 (130C)를 포함하는 저장 매체 (또는 기록 매체) (130)이 예시된다. 한 예에서, 지지층 (130C)는 폴리아릴에테르케톤 수지 층이다. 한 예에서, 지지층 (130C)의 두께는 약 10 nm 내지 약 500 nm이다. 지지층 (130C) 위에는 경화된 가교제 층 (130B)가 나타난다.
팁 어셈블리 (100)의 작업에 대하여 도 1A에서는, 캔틸레버 (105)를 통해 전류를 통과시킴으로써 인덴터 팁 (120)을 기록 온도 TW로 가열하고, 인덴터 팁 (120)을 경화된 가교제 층 (130B)로 누름으로써 인덴테이션 (135)가 경화된 가교제 층 (130B)에 형성된다. 인덴터 팁 (120)의 가열은 팁이 경화된 가교제 층 (130B)를 침투하여 인덴테이션 (135)를 형성할 수 있게 하고, 이것은 팁이 제거된 후에 남는다. 제1 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 500 ℃ 이하인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되어 인덴테이션 (135)를 형성한다. 제2 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 400 ℃ 이하인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되어 인덴테이션 (135)를 형성한다. 제3 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 200 ℃ 내지 약 500 ℃인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되어 인덴테이션 (135)를 형성한다. 제4 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 100 ℃ 내지 약 400 ℃인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되어 인덴테이션 (135)를 형성한다. 인덴테이션 (135)가 형성되는 동안 경화된 가교제의 고리 (135A)가 인덴테이션 둘레에 형성된다. 인덴테이션 (135)는 데이터 비트 값 "1"을 나타내고, 데이터 비트 값 "0"은 인덴테이션의 부재로 나타낸다. 인덴테이션 (135)는 나노스케일의 인덴테이션 (폭이 수 내지 수백 나노미터임)이다.
도 1B 및 1C는 비트 값의 판독을 예시한다. 도 1B 및 1C에서, 팁 어셈블리 (100)은 경화된 가교제 층 (130B)의 일부분을 가로질러 스캐닝한다. 인덴터 팁 (120)이 인덴테이션을 포함하지 않은 경화된 가교제 층 (130B)의 영역 위일 때, 가열기 (125)와 경화된 가교제 층 (130B)의 표면 간의 거리는 D1이다 (도 1B 참조). 인덴터 팁 (120)이 인덴테이션을 포함하는 경화된 가교제 층 (130B)의 영역 위일 때는 팁이 인덴테이션 안으로 "떨어지기" 때문에, 가열기 (125)와 경화된 가교제 층의 표면 간의 거리는 D2이다 (도 1C 참조). D1은 D2보다 크다. 가열기 (125)의 온도가 TW (기록 온도)보다 낮은 TR (판독 온도)인 경우, 아닐 때보다 인덴터 팁 (120)이 인덴테이션 안에 있을 때 기판 (130A)로 보다 많은 열이 손실된다. 이것은 일정한 전류에서 가열기의 저항의 변화로 측정될 수 있고, 이렇게 하여 데이터 비트 값을 "판독"할 수 있다. 판독을 위해서는 팁에 기계적으로 연결되나 팁으로부터 열적으로 고립된 별개의 가열기를 사용하는 것이 유리하다.
"소거" (나타내지 않음)는 인덴터 팁 (120)을 인덴테이션 (135)에 가까이 위치시키고, 팁을 온도 TE (소거 온도)로 가열하고, 기록과 유사한 하중 힘을 적용하여 이미 기록된 인덴트를 편평한 상태로 완화시키는 반면, 새로운 인덴트를 소거된 인덴트와 관련하여 약간 변위되게 기록함으로써 달성된다. 이러한 사이클은 소거 트랙의 끝에서 인덴트가 항상 남는, 비트들의 스트림을 소거하기에 필요한 만큼 반복된다. TE는 전형적으로 TW보다 높다. 소거 피치는 전형적으로 대략 테두리 반경이다. 제1 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 500 ℃ 이하인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되고, 소거 피치는 10 nm로 하여, 인덴테이션 (135)를 제거한다. 제2 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 400 ℃ 이하인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되고, 소거 피치는 10 nm로 하여, 인덴테이션 (135)를 제거한다. 제3 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 200 ℃ 내지 약 400 ℃인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되고, 소거 피치는 10 nm로 하여, 인덴테이션 (135)를 제거한다. 제4 예에서, 경화된 가교제 층 (130B)는 그 온도가 약 200 ℃ 내지 약 500 ℃인 가열된 인덴터 팁 (120)에 의해 가열되고, 소거 피치는 10 nm로 하여, 인덴테이션 (135)를 제거한다.
도 2는 본 발명의 실시양태에 따른 데이터 저장 매체를 포함하는 국소적 프로브 저장 어레이 (140)의 등척도이다. 도 2에서, 국소적 프로브 저장 어레이 (140)은 데이터 기록 층으로 작용하는, 경화된 가교제 층 (나타내지 않음)을 갖는 중합체성 지지층 (중합체성 층 (150))을 그 위에 갖는 기판 (145)를 포함한다. 한 예에서, 중합체성 층 (150)의 두께는 약 10 nm 내지 약 500 nm이고, 중합체성 층 (150)의 기록가능한 영역에 걸친 제곱근 평균(root mean square) 표면 조도는 중합체성 층 (150)에 걸쳐 약 1.0 nm 미만이다. 중합체성 층 (150) 위에는 프로브 팁 어셈블리 (100)의 어레이를 포함하는 프로브 어셈블리 (155)가 위치한다. 프로브 어셈블리 (155)는 당업계에 공지된 것과 같은 수많은 장치들에 의해 기판 (145) 및 중합체성 층 (150)에 대해 X, Y 및 Z 방향으로 이동될 수 있다. 개개의 프로브 팁 어셈블리의 어드레싱(addressing)을 가능하게 하기 위해 스위칭 어레이 (160A) 및 (160B)가 프로브 팁 어셈블리 (100)의 각 열 (X-방향) 및 행 (Y-방향)에 연결된다. 스위칭 어레이 (160A) 및 (160B)는 각 프로브 팁 어셈블리 (100)으로 독립적으로 데이터 비트를 기록하기 위한 기록 제어 회로, 각 프로브 팁 어셈블리 (100)으로 독립적으로 데이터 비트를 판독하기 위한 판독 제어 회로, 각 프로브 팁 어셈블리 (100)으로 독립적으로 데이터 비트를 소거하기 위한 소거 제어 회로, 프로브 팁 어셈블리 (100) 각각의 각 가열기를 독립적으로 제어하기 위한 열 제어 회로, 및 프로브 어셈블리 (155)의 X, Y 및 Z 이동을 제어하기 위한 X, Y 및 Z 제어 회로를 포함하는 제어기 (165)에 연결된다. Z 제어 회로는 경화된 폴리아릴에테르케톤 수지 층 (150)을 프로브 팁 어셈블리 (100)의 어레이의 팁과 접촉시키기 위한 접촉 메커니즘 (나타내지 않음)을 제어한다.
기록 작업 동안, 프로브 어셈블리 (155)는 중합체성 층 (150)에 가까이 가져 와지고, 프로브 팁 어셈블리 (100)은 중합체성 층 (150)에 대해 스캐닝된다. 국소적 인덴테이션 (135)가 상기 기술된 바와 같이 형성된다. 프로브 팁 어셈블리 (100) 각각은 중합체성 층 (150)의 대응 영역 (170)에서만 기록한다. 이것은 데이터를 기록하는데 요구되는 횡단량, 따라서 시간의 양을 감소시킨다.
판독 작업 동안, 프로브 어셈블리 (155)는 중합체성 층 (150)에 가까이 가져 와지고, 프로브 팁 어셈블리 (100)은 중합체성 층 (150)에 대해 스캐닝된다. 국소적 인덴테이션 (135)가 상기 기술된 바와 같이 검출된다. 프로브 팁 어셈블리 (100) 각각은 중합체성 층 (150)의 대응 영역 (170)에서만 판독한다. 이것은 데이터를 판독하는데 요구되는 횡단량, 따라서 시간의 양을 감소시킨다.
소거 작업 동안, 프로브 어셈블리 (155)는 중합체성 층 (150)에 가까이 가져 와지고, 프로브 팁 어셈블리 (100)은 중합체성 층 (150)에 대해 스캐닝된다. 국소적 인덴테이션 (135)가 상기 기술된 바와 같이 소거된다. 프로브 팁 어셈블리 (100) 각각은 경화된 중합체성 층 (150)의 대응 영역 (170)에서만 판독한다. 이것은 데이터를 소거하는데 요구되는 횡단량, 따라서 시간의 양을 감소시킨다.
상기 기술된 데이터 저장 장치와 관련한 추가의 세부사항들을 문헌 ["The Millipede - More than one thousand tips for future AFM data storage," P. Vettiger et al, IBM Journal of Research and Development. Vol. 44 No. 3, May 2000 및 "The Millipede - Nanotechnology Entering Data Storage," P. Vettiger et al., IEEE Transaction on Nanotechnology, Vol. 1, No, 1, March 2002]에서 발견할 수 있다. 또한 모두 그 전체가 본 명세서에 참고문헌으로 포함된 미국 특허 공보 제2005/0047307호 (공개일 2005년 3월 3일, Frommer et al.) 및 미국 특허 공보 제2005/0050258호 (공개일 2005년 3월 3일, Frommer et al.) 참조.
도 3은 가교제의 증발을 위한 증발 세트업을 나타낸다. 이 세트업은 별도로 420 ℃ 까지 가열될 수 있는 2개의 열 전도 플레이트 (220), (230)을 포함한다. 플레이트들은 서로 평행하게 위치되고 예를 들어 거리 4 cm로 분리된다. 증발 공정의 공급원 (200)은 하단 플레이트 (220)으로 고정된다. 이러한 목적을 위해, 얇은 필름의 가교제, 예를 들어 가교제 1,3,5-트리스(4-(페닐에티닐)페닐)벤젠 (구조 II)이 용액으로부터 규소 웨이퍼상으로 스핀-캐스팅된다. 공급원 (200)을 마주보는 표적 웨이퍼 (210)이 상단 플레이트 (230)으로 부착된다. 표적상으로의 공급원 물질의 증착을 효과적으로 개시 또는 중지시킬 수 있는 셔터 (240)이 두 플레이트 사이에 위치된다. 이 세트업은 고진공 챔버내 위치된다 (나타내지 않음).
증발 공정은 온도 보정은 표적을 실온에서 유지시킴으로써 수행하였다. 셔터 (240)을 개방하기 전, 물 또는 다른 오염물질의 임의의 흡수된 분자들을 증발시키기 위해 공급원 온도를 120 ℃로 증가시켰다. 가교제, 특히 1,3,5-트리스(4-(페닐에티닐)페닐)벤젠 (구조 II)의 효율적인 증발은 150 ℃ 내지 200 ℃의 온도에서 얻어진다는 것이 발견되었다. 타원편광법으로 측정한, 10분의 증발 후 표적 웨이퍼 상에 증착된 필름의 평균 두께는 23 nm이었다.
제2 실험에서는 전체 증발 동안 표적을 400 ℃로 유지시켰다. 목적은 가교제가 표적에 도달하자마자 가교 반응을 개시하는 것이었다. 이러한 높은 온도 때문에, 가교제의 분자들 중 일부분이 표적으로부터 재증발하여, 제1 실험과 동일한 증발 조건들에서 이전 예와 비교하여 보다 얇은 필름이 얻어졌다. 타원편광법으로 측정한, 10분의 증발 후의 두께는 1.5 nm이었다. 30 내지 70분의 증발 시간 후 두께가 5 내지 10 nm인 층이 얻어졌다.
제3 실험에서는 두께가 134 nm (타원편광법으로 측정함)인, 저도로 가교된 고온 중합체의 스핀-캐스트 필름이 표적으로 사용되었다 (예를 들어, 3,5-비스(4-(페닐에티닐)페닐)페놀, 레소르시놀, 및 4,4'-디플루오로벤조페논으로부터 얻어진 폴리아릴에테르케톤 중합체가 사용될 수 있고 - 이 중합체는 US 2007/0296101 Al에 기술되어 있음). 가교제의 증발 후, 타원편광법으로 측정한 표적의 전체 두께는 다시 134 nm이었다. 그러나, 상세한 분석으로 1,3,5-트리스(4-(페닐에티닐)페닐)벤젠 (구조 II) 및 기판 중합체의 경화된 혼합물을 포함하는, 두께가 9 nm (타원편광법으로 측정함)인 상단 층을 갖는 층상 구조체가 밝혀졌다 (이 실험에서 표적은 400 ℃로 유지됨). 경화된 혼합물의 존재는 타원편광법으로 증명될 수 있다: 굴절률의 측정된 값이 순수한 경화된 가교제 및 순수한 경화된 저도로 가교된 중합체에 대한 값들 사이이다. 따라서, 이 실험은 가교제가 자유롭게 확산하고 중합체와 국소적으로 반응할 수 있어, 가교된 밀도를 증가시킨다는 것을 보여준다. 얻어진 매체의 경도는 가교된 밀도와 연관성이 있다.
도 4는 전술한 실험들에 의해 얻어진 데이터 저장 매체의 예를 나타낸다. 이 데이터 저장 매체는 규소 또는 다른 물질로 제조된 기판 (145) 및 가교되지 않았거나 또는 약간 가교된 서브층 (151), 예를 들어 폴리아릴에테르케톤 중합체 층 (통상적으로 주쇄내 가교된 단량체의 분율은 10 % 미만임)을 포함한다. 데이터 저장 매체는 추가로 고도로 가교되고 경화된 가교제 (예를 들어, 1,3,5-트리스(4-(페닐에티닐)페닐)벤젠)을 포함하는 상단 층 (152)를 포함한다. 상단 층의 두께는 통상적으로 5 내지 10 nm이다.
도 5 및 6은 각각 저도로 가교된 중합체 (도 5) 및 그 위에 증착된 가교제 층을 갖는 저도로 가교된 중합체로부터 얻어진 층상 구조체 (도 6)의 표면 상에 기록된 비트의 어레이를 나타낸다. 도 5에 나타난 저도로 가교된 중합체는 전 단락에 기술한 폴리아릴에테르케톤 중합체이다. 도 5에 나타난 기록된 비트의 그리드에 사용된 층상 구조체는 또한 전 단락에 기술되어 있다.
비트의 그리드를 기록하기 위하여 밀리페드 세트업을 사용하였다. 양쪽 도면에서의 4개의 블록 중 각각은 상이한 온도, 밑에서부터 위로 각각 100 ℃, 230 ℃, 367 ℃ 및 500 ℃에서 기록하였다. 각 블록 내에서 세 줄 후 힘을 증가시켰다. 각각, 85 nN, 105 nN, 125 nN 및 145 nN.
도 7은 각각 저도로 가교된 중합체 (실선) 및 그 위에 증착된 가교제 층을 갖는 저도로 가교된 중합체로부터 얻어진 층상 구조체 (점선)의 표면 상에 기록된, 1 nm ("1"), 2 nm ("2"), 3 nm ("3") 및 4 nm ("4")의 주어진 깊이를 갖는 비트에 대한 온도-힘 관계를 나타낸다. 이 실험에 사용된 중합체/층상 구조체는 전 단락에 기술된 중합체/층상 구조체와 동일하다.
경화된 가교제의 상단 층을 갖는 샘플에 대한, 보다 높은 힘 쪽의 곡선들의 변위는 예상된 바와 같이 경도의 증가를 명백히 나타낸다. 실제로, 가교 측(side)들의 증가는 국소적으로 중합체 쇄의 이동성을 감소시켰다. 따라서, 유리 전이 온도가 증가하고 국소적으로 보다 경질의 물질이 형성된다. 이러한 방법으로, 가교제의 공급이 확산 공정을 통해 수행되기 때문에, 위에서부터 경도 구배를 보이는 매체를 얻는 것이 예상된다. 증발 시간, 그리고 결국에는 표적의 온도를 변화시킴으로써, 상이한 확산 길이를 갖는 매체를 얻을 수 있다. 이러한 방법으로, 기록 조건, 비트의 보존 및 팁의 마모를 최적화하기 위해 매체의 특성들을 조율시킬 수 있다.
중합체 및 가교제의 합성:
가교제는 US 6,713,590 B2에 기술된 예시적 합성에 따라 합성될 수 있다. 또한, 1,3,5-트리스[4-(페닐에티닐)페닐]벤젠은 문헌 [S. V. Lindeman et al., Russian Chemical Bulletin C/C of Izvestiia- Akademiia Nauk Seriia Khimicheskaia 1994, 43, 1873]에 따라 또는 문헌 [Connor et al., Adv. Mater. 2004, 16, 1525]에 따라 합성될 수 있다.
폴리아릴에테르케톤 중합체는 US 2007/0296101 Al에 기술된 것과 같이 합성된다. 폴리이미드 올리고머는 WO 2007/096359 A2에 기술된 것과 같이 합성된다.

Claims (19)

  1. (a) 3개 이상의 알킨기를 포함하는 가교제를 기판 표면상에 증착시키는 단계,
    (b) 상기 증착된 가교제를 경화하여, 기판의 변형된 표면을 제조하여, 데이터 저장 매체를 기판 표면상에 가교된 중합체성 층의 형태로 얻는 단계
    를 포함하는, 토포그래피적 특징부의 형태로 데이터를 저장하기 위한 기판 표면상에서의 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가교제를 증발시키고 상기 기판 표면상에 상기 가교제의 증기를 증착시킴으로써 단계 (a)를 수행하는, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가교제가 구조 ZR3 및/또는 Z'R4를 가지고,
    Z 및 Z'가 방향족 및/또는 지방족 연결 부분의 적합성(relevance)을 가지며,
    R이 각각 무작위하고 독립적으로 알킨기를 포함하는 부분 및 치환된 또는 비치환된 방향족 부분 및/또는 알킨의 터미널 탄소 원자에서의 수소 원자를 나타내는 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 연결 부분 Z 또는 Z'가
    Figure pct00047
    ,
    Figure pct00048
    ,
    Figure pct00049
    또는 규소 원자를 나타내고;
    여기서 *가 R과 Z 또는 Z' 간의 결합을 나타내며,
    L이 O, CH2, C(CH3)2, 아릴렌 부분 또는 두 방향족 고리 간의 단일 결합을 나태나는 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    R이 각각 무작위하고 독립적으로 치환된 알킨기를 포함하는 부분, 메타- 또는 파라- 치환된 페닐렌 부분 및/또는 페닐기를 나타내는 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    R이 각각 무작위하고 독립적으로
    Figure pct00050
    ,
    Figure pct00051
    및/또는
    Figure pct00052
    를 나타내고,
    여기서 *가 R과 Z 또는 Z' 간의 결합을 나타내는 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가교제가 300 ℃ 미만, 바람직하게 250 ℃ 미만의 온도, 가장 바람직하게 150 내지 200 ℃의 온도에서 증발가능한 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가교제가 약 900 돌턴 미만, 바람직하게 270 내지 800 돌턴의 분자량을 가지는 것인 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 템플레이트(template)이고, 단계 (b)에 후속적으로
    (c) 단계 (b)에서 제조된 변형된 표면을 표적층의 표면과 접촉시켜, 상기 변형된 표면에 인접한 상기 표적층 및 가교된 중합체성 층을 갖는 기판을 포함하는 어셈블리를 얻는 단계; 및
    (d) 단계 (c)에서 얻어진 어셈블리의 환경에 액체를 도입함으로써 그 위에 데이터 저장 매체를 갖는 상기 표적층을 상기 표적 표면의 적어도 인접 영역상으로 이동시키는 단계
    를 수행하고, 단계 (c) 및 (d)의 표적층이 가교된 중합체성 층을 위한 지지층이고, 데이터 저장 매체가 상기 지지층의 표면상에서 얻어지는, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 템플레이트의 표면이 친수성 표면이고, 단계 (d)에서 도입된 상기 액체가 극성 액체를 포함하는 것인. 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 템플레이트의 표면이 운모 기판, 불꽃 어닐링된 유리 기판, 규소 기판상의 산화규소 층 및 (100) 표면 페로브스카이트 기판 염 층 중 하나의 표면을 포함하는 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 (a)에서 가교제 및 2개 이상의 알킨기를 포함하는 공단량체의 혼합물을 상기 기판 표면상에 증착시키고, 단계 (b)에서 상기 증착된 가교제 및 상기 증착된 공단량체의 혼합물을 경화하여, 가교된 중합체성 층을 제조하고 변형된 표면을 얻는, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 알킨기를 포함하는 1개 이상의 가교가능한 중합체를 포함하는 지지층이고, 단계 (b)에서 상기 증착된 가교제 및 상기 가교가능한 중합체를 경화하여, 가교된 중합체성 층을 제조하여 상기 지지층 표면상에 데이터 저장 매체를 얻는, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 지지층이 1개 이상의 폴리아릴에테르케톤 중합체 및/또는 폴리이미드 올리고머를 포함하고, 상기 1개 이상의 폴리아릴에테르케톤 중합체 및/또는 폴리이미드 올리고머 각각이 터미널 말단을 2개 이상 가지고, 이 터미널 말단 각각은 2개 이상의 페닐에티닐 부분을 갖는 것인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 (b)를 330 ℃ 내지 450 ℃, 바람직하게 350 ℃ 내지 450 ℃, 가장 바람직하게 400 ℃ 내지 450 ℃의 온도에서 수행하는, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 데이터 저장 매체의 두께가 5 nm 이상인, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (a)를 플라스마 증착에 의해 수행하는, 데이터 저장 매체의 제조 방법.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 방법에 따라 얻을 수 있는, 토포그래피적 특징부의 형태로 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장 매체.
  19. 제18항에 따른 토포그래피적 특징부의 형태로 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장 매체, 및 상기 데이터 저장 매체에 저장된 데이터를 기록하고/하거나 판독하기 위한 1개 이상의 프로브를 포함하는 데이터 저장 장치.
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