KR20110061331A - Synthesis method for carbide power - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for synthesizing carbide is provided to reduce cost required for implementing operational processes by synthesizing carbide under general atmosphere containing oxygen. CONSTITUTION: A method for synthesizing carbide includes the following: The mixture of a first material and carbon is introduced into a crucible(S110). A second material is introduced into on the mixture arranged in the crucible(S120). The crucible is heated at a first temperature in order to melt the second material(S130). Carbide is synthesized by heating the crucible at a second temperature in order to react the first material and carbon(S140). The first material includes at least one of silicon, boron, titanium, zirconium, tungsten, chrome, niobium, and hafnium. The second material includes at least one of aluminum, magnesium, and tin.

Description

탄화물 합성 방법{Synthesis method for carbide power} Synthesis method for carbide power

본 발명은 탄화물 합성 방법에 관한 것으로, 특히 융점이 낮은 물질의 융체를 이용하여 산소가 존재하는 일반 대기하에서도 탄화물 합성이 가능한 탄화물 합성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for synthesizing carbides, and more particularly to a method for synthesizing carbides under a general atmosphere in which oxygen is present using a melt of a material having a low melting point.

탄화물은 탄소 원자가 금속이나 반금속 원소와 결합하여 형성된 화합물이다. 이러한 탄화물은 다양하게 이용되는데, 예를들어 탄화칼슘(CaC)은 여러가지 화학 약품의 주요 합성원으로 이용되며, 실리콘, 텅스텐 또는 다른 원소들의 탄화물은 다양한 물리적 경도, 강도 및 고온에서의 화학 약품에 대한 내화학성을 가지고 있어 다양한 분야에 이용된다. 탄화물은 원자 구조에 따라 이온, 틈새형, 공유결합(다이아몬드형) 탄화물로 분류된다. 주기율표의 1족, 11족, 2족, 3족의 금속 원소들은 이온 탄화물을 형성한다. 이온 탄화물의 순수한 시료는 투명한 고체로서, 산이나 물과 반응하여 탄화수소와 금속의 수산화물로 분해된다. 또한, 대부분의 금속 탄화물은 4족 내지 10족의 금속 원소들로 이루어져 있는데, 이들 금속 탄화물은 단 단하고 전기전도성을 가지고 있다.Carbide is a compound formed by combining a carbon atom with a metal or semimetal element. These carbides are used in a variety of ways, for example, calcium carbide (CaC) is used as a major synthetic source for many chemicals, while carbides of silicon, tungsten or other elements can be used for chemicals at various physical hardness, strength and high temperatures. It has chemical resistance and is used in various fields. Carbide is classified into ionic, crevice and covalent (diamond) carbide according to its atomic structure. Metal elements of groups 1, 11, 2 and 3 of the periodic table form ionic carbides. Pure samples of ionic carbides are transparent solids that react with acids or water to break down into hydroxides of hydrocarbons and metals. In addition, most metal carbides are composed of metal elements of Groups 4 to 10, which are hard and electrically conductive.

탄화물을 제조하기 위해 종래에는 졸겔법을 이용하거나 기상 합성법을 이용하였으나, 이 방법은 생산량이 극히 적고, 비경제적인 요소가 많아서 상업적으로 적용되기에는 여러움이 많았다.Conventionally, a sol-gel method or a gas phase synthesis method is used to manufacture carbides. However, this method has many outputs and has many economical factors.

또한, 기계적 에너지를 투입하여 화학적 반응을 유도하여 탄화물을 합성하는 기계화학적 방법을 이용하여 조성이 다양한 여러가지 물질을 합성하려는 시도가 있었다. 그러나, 기계화학적 방법은 반응 시간이 길수록 불순물의 함량이 높아지고, 여러가지 공정 변수에 의해 반응물의 생성 조건이 달라지는 문제점이 있다. 이 뿐만 아니라 반응전의 분위기를 정밀하게 제어하지 않으면 산화물이 탄화물과 동시에 형성되는 문제가 있다. 따라서, 산소가 없는 분위기, 즉 환원 분위기에서 원료와 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성하였다. 그러나, 환원 분위기를 조성하기 위해 진공 상태를 만들고, 질소, 아르곤, 수소 가스 등을 넣어주는 과정이 필요하여 공정이 번거롭고, 생산비가 높아지는 문제가 있다.In addition, there has been an attempt to synthesize various materials having various compositions by using a mechanical chemical method of synthesizing carbides by injecting mechanical energy to induce chemical reactions. However, in the mechanochemical method, the longer the reaction time, the higher the content of impurities, and the production conditions of the reactants vary depending on various process variables. In addition, there is a problem that oxides are formed simultaneously with carbides unless the atmosphere before reaction is precisely controlled. Therefore, carbides were synthesized by reacting the raw material and carbon in an oxygen-free atmosphere, that is, a reducing atmosphere. However, in order to create a reducing atmosphere, a process of making a vacuum state and adding nitrogen, argon, hydrogen gas, etc. is required, which causes troublesome processes and increases production costs.

본 발명은 산소가 존재하는 대기하에서도 원료와 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성할 수 있는 탄화물 합성 방법을 제공한다.The present invention provides a carbide synthesis method capable of synthesizing carbides by reacting carbon with raw materials even under an atmosphere in which oxygen is present.

본 발명은 탄화물 합성 시 도가니 내의 금속 융체에 의해 대기중의 산소 이입을 차단할 수 있는 탄화물 합성 방법을 제공한다.The present invention provides a method for synthesizing carbides that can block oxygen ingress into the atmosphere by metal fusion in the crucible during carbide synthesis.

본 발명은 흑연 재질의 도가니에 탄화물 합성을 위한 제 1 물질과 탄소의 혼합물을 투입한 후 혼합물 상에 융점이 낮은 제 2 물질을 투입하고, 제 1 온도에서 제 2 물질을 용해시킨 후 제 2 온도에서 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성하는 탄화물 합성 방법을 제공한다.The present invention is a mixture of carbon and the first material for the synthesis of carbide in the crucible of the graphite material, the second material having a low melting point is added to the mixture, the second material is dissolved at the first temperature after the second temperature In the present invention, there is provided a method for synthesizing a carbide by reacting carbon with a first material of a mixture.

본 발명의 일 양태에 따른 탄화물 합성 방법은 제 1 물질과 탄소의 혼합물을 도가니 내에 투입하는 단계; 상기 도가니 내의 상기 혼합물 상에 제 2 물질을 투입하는 단계; 상기 도가니를 제 1 온도로 가열하여 상기 제 2 물질을 용융시키는 단계; 및 상기 도가니를 제 2 온도로 가열하여 상기 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성하는 단계를 포함한다.A method for synthesizing a carbide according to an aspect of the present invention comprises the steps of: introducing a mixture of the first material and carbon into the crucible; Injecting a second material onto the mixture in the crucible; Heating the crucible to a first temperature to melt the second material; And heating the crucible to a second temperature to react carbon with the first material of the mixture to synthesize carbide.

상기 혼합물은 상기 제 1 물질과 탄소를 상기 탄화물의 몰비에 따라 칭량하여 혼합한다.The mixture weighs and mixes the first material and carbon according to the molar ratio of carbide.

상기 제 2 물질은 제 1 물질보다 융점이 낮은 물질을 포함하며, 상기 제 1 물질은 실리콘, 붕소, 티타늄, 지르코늄, 텅스텐, 크롬, 니오븀 및 하프늄 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제 2 물질은 알루미늄, 마그네슘 및 주석 중 적어도 하나를 포함한다.The second material includes a material having a lower melting point than the first material, the first material includes at least one of silicon, boron, titanium, zirconium, tungsten, chromium, niobium, and hafnium, and the second material is aluminum At least one of magnesium and tin.

상기 제 1 온도는 상기 제 2 물질의 융점 이상으로부터 상기 제 1 물질의 융점 이하이고, 상기 제 2 온도는 상기 제 1 물질의 융점 이상이다.The first temperature is equal to or higher than the melting point of the second material and equal to or smaller than the melting point of the first material and the second temperature is equal to or higher than the melting point of the first material.

상기 제 2 물질을 투입하는 단계는 상기 제 1 물질 상에 제 2 물질의 포일을 깔고 상기 포일 상에 제 2 물질의 잉곳을 투입한다.하는 탄화물 합성 방법.The step of injecting the second material is spreading the foil of the second material on the first material and the ingot of the second material on the foil.

본 발명의 다른 양태에 따른 탄화물은 도가니 내에 제 1 물질과 탄소의 혼합물을 투입한 후 상기 혼합물 상에 제 2 물질을 투입하고, 제 1 온도에서 상기 제 2 물질을 용융시킨 후 제 2 온도에서 상기 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 합성된다.The carbide according to another embodiment of the present invention is a mixture of the first material and carbon in the crucible and then the second material is added to the mixture, the second material is melted at the first temperature and then at the second temperature It is synthesized by reacting carbon with the first material of the mixture.

본 발명의 실시 예들은, 탄화물 합성을 위한 제 1 물질과 탄소를 합성하려는 탄화물의 몰비에 맞게 칭량하여 균일하게 혼합한 후 도가니 내에 투입하고, 혼합물 상에 융점이 낮은 제 2 물질을 투입한 후 도가니를 제 2 물질의 융점 이상으로 가열하여 제 2 물질을 용해시키고, 다시 도가니를 제 1 물질의 융점 이상으로 가열하여 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성한다.Embodiments of the present invention, the first material for the synthesis of carbide and carbon is mixed and uniformly mixed according to the molar ratio of the carbide to be synthesized in the crucible, the second material having a low melting point on the mixture after the crucible Is heated above the melting point of the second material to dissolve the second material, and the crucible is then heated above the melting point of the first material to react carbon with the first material of the mixture to synthesize carbide.

본 발명의 실시 예들에 의하면, 탄화물 합성 시 도가니 내의 제 2 물질의 융 체에 의해 대기중의 산소가 도가니 내로 인입되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 산소가 존재하는 대기중에서도 탄화물을 합성할 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있으며, 이에 따라 생산비를 절감할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to block the introduction of oxygen in the atmosphere into the crucible by the fusion of the second material in the crucible during carbide synthesis. Therefore, carbides can be synthesized even in the presence of oxygen, thereby simplifying the process, thereby reducing the production cost.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성에 이용되는 탄화물 합성 장치의 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a carbide synthesis apparatus used for carbide synthesis according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 탄화물 합성 장치는 제 1 물질의 탄화물이 합성되고 제 2 물질의 융체가 생성되는 도가니(110)와, 도가니(110)를 덮는 도가니 뚜껑(120)과, 도가니(110)를 둘러싸는 단열재(130) 및 석영관(140)과, 석영관(140) 외부에 마련되어 도가니(110)를 가열하기 위한 가열 수단(150)을 포함한다. 또한, 가열 수단(150)을 독립적으로 작동시키기 위한 제어 장치(미도시)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a carbide synthesis apparatus includes a crucible 110 in which carbides of a first material are synthesized and a melt of a second material is produced, a crucible lid 120 covering the crucible 110, and a crucible 110. Surrounding insulation 130 and the quartz tube 140, and the heating means 150 is provided outside the quartz tube 140 for heating the crucible 110. In addition, it may further include a control device (not shown) for operating the heating means 150 independently.

도가니(110)는 상부가 개방된 직육면체 또는 원통형의 형상으로 제작될 수 있으며, 도가니(110) 내에 제 1 물질과 탄소의 혼합물이 투입되어 제 1 물질의 탄화물이 합성되고, 제 2 물질이 투입되어 용융된다. 이를 위해 도가니(110)는 제 1 물질의 융점에서도 형상 안정성이 뛰어난 물질을 이용하는 것이 바람직하다. 이를 위해 도가니(110)는 석영을 이용하여 제작할 수도 있다. 또한, 도가니(110)는 내부가 흑연으로 도포될 수 있는데, 이는 제 1 물질과 탄소의 반응을 더욱 원활하게 할 구 있다. 한편, 도가니(110)는 일체형 또는 조립형으로 제작될 수 있는데, 조립형은 예를들어 판상의 바닥 부재와 측면 부재를 제작하고 이들을 조립 및 나사 고정하여 제작될 수 있다.The crucible 110 may be manufactured in the shape of a rectangular parallelepiped or a cylindrical shape with an open top, and a mixture of a first material and carbon is introduced into the crucible 110 to synthesize a carbide of the first material, and a second material is injected. Melts. For this purpose, it is preferable that the crucible 110 uses a material having excellent shape stability even at the melting point of the first material. For this purpose, the crucible 110 may be manufactured using quartz. In addition, the crucible 110 may be coated with graphite, which may facilitate the reaction of the first material and carbon. On the other hand, the crucible 110 may be manufactured in one piece or assembled type, for example, the assembled type may be manufactured by manufacturing a plate-like bottom member and side members, and assembling and screwing them.

도가니 뚜껑(120)은 도가니(110)와 동일한 물질로 제작되거나, 다공성의 흑연 또는 얇은 흑연판에 다량의 구멍을 뚫어 제작할 수 있다. 또한, 도가니 뚜껑(120)과 도가니(110) 사이에는 제 1 물질 및 제 2 물질을 도가니(110) 내에 투입하기 위한 적어도 하나의 투입구(미도시)가 마련될 수 있다. 그러나, 투입구가 마련되지 않고 도가니 뚜껑(120)을 개방하여 제 1 물질 및 제 2 물질을 도가니(110) 내에 투입할 수도 있다.The crucible lid 120 may be made of the same material as the crucible 110 or may be manufactured by drilling a large amount of holes in a porous graphite or a thin graphite plate. In addition, at least one inlet (not shown) may be provided between the crucible lid 120 and the crucible 110 to inject the first material and the second material into the crucible 110. However, the first and second materials may be introduced into the crucible 110 by opening the crucible lid 120 without providing the inlet.

단열재(130) 및 석영관(140)는 도가니(110) 외부에 마련되며, 도가니(110)의 온도를 소정 온도를 유지하도록 하는데, 예를들어 제 2 물질이 용융 상태를 유지할 수 있을 정도의 온도를 유지하도록 한다. 단열재(130)는 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 관상 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 이용할 수 있다. 또한, 단열재(130)는 복수의 층으로 형성되어 도가니(110)를 둘러쌀 수도 있다.The heat insulator 130 and the quartz tube 140 are provided outside the crucible 110 to maintain the temperature of the crucible 110 at a temperature such that the second material can maintain a molten state. Keep it. The heat insulator 130 may use graphite felt manufactured by compressing the graphite fiber to a tubular cylinder having a predetermined thickness. In addition, the heat insulator 130 may be formed of a plurality of layers to surround the crucible 110.

가열 수단(150)은 석영관(140) 외부에 마련된다. 가열 수단(150)으로는 예를들어 고주파 유도 코일이 이용될 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 도가니(110)를 가열하는데, 예를들어 고주파 전류의 양을 조절하여 제 2 물질의 융점 이상으로 도가니(110)를 가열함으로써 제 2 물질이 용융되도록 하고, 제 1 물질의 융점 이상으로 도가니(110)를 가열함으로써 제 1 물질과 도가니(110)의 흑연이 반응하여 탄화물이 합성되도록 한다.The heating means 150 is provided outside the quartz tube 140. For example, a high frequency induction coil may be used as the heating means 150. The crucible 110 is heated by flowing a high frequency current through the high frequency induction coil, for example, by controlling the amount of the high frequency current to heat the crucible 110 above the melting point of the second material so that the second material melts. By heating the crucible 110 above the melting point of one material, the first material and the graphite of the crucible 110 react to allow carbides to be synthesized.

이하, 상기한 합성 장치를 이용한 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성 방법을 도 2와 도 3 내지 도 6을 이용하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method for synthesizing a carbide according to an embodiment of the present invention using the synthesis apparatus will be described with reference to FIGS. 2 and 3 to 6.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성 방법의 공정 흐름도이고, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성 방법의 공정에 따라 도시한 도가니의 단면도이다.2 is a process flowchart of a carbide synthesis method according to an embodiment of the present invention, Figures 3 to 6 is a cross-sectional view of the crucible shown in accordance with the process of the carbide synthesis method according to an embodiment of the present invention.

도 2와 도 3 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성 방법은 도가니(110) 내에 탄화물 합성을 위한 제 1 물질과 탄소의 혼합물(210)을 투입하는 단계(S110)와, 제 1 물질과 탄소의 혼합물(210) 상에 제 1 물질(210)보다 융점이 낮은 제 2 물질(220)을 투입하는 단계(S120)와, 도가니(110)를 제 1 온도로 가열하여 도가니(110) 내의 제 2 물질(220)을 용융시켜 제 2 물질의 용체(230)를 생성하는 단계(S130)와, 도가니(110)을 제 2 온도로 가열하여 혼합물(210)의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 탄화물(240)을 합성하는 단계(S140)를 포함한다. 2 and 3 to 6, in the carbide synthesis method according to an embodiment of the present invention, injecting a mixture 210 of carbon and a first material for carbide synthesis into the crucible 110 (S110). And injecting a second material 220 having a lower melting point than the first material 210 onto the mixture 210 of the first material and carbon (S120), and heating the crucible 110 to a first temperature. Melting the second material 220 in the crucible 110 to generate a solution 230 of the second material (S130), and heating the crucible 110 to a second temperature to produce a first material of the mixture 210. Reacting with carbon and to synthesize a carbide 240 (S140).

S110 : 도가니(110) 내에 탄화물 합성을 위한 제 1 물질과 탄소의 혼합물(210)을 투입한다. 혼합물(210)은 합성하려는 탄화물의 몰비에 따라 제 1 물질의 분말과 탄소 분말을 칭량하여 균일하게 혼합한 후 도가니(110) 내에 투입한다. 여 기서, 제 1 물질은 합성하려는 탄화물에 따라 예를들어 실리콘(Si), 붕소(B), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 하프늄(Hf) 등이 이용될 수 있다. 이러한 제 1 물질은 도가니(110) 내에 투입되어 용융되는 제 2 물질의 융점보다 높은 융점을 갖는 물질을 이용할 수 있다.S110: Into the crucible 110, a mixture 210 of carbon and a first material for carbide synthesis is introduced. The mixture 210 is weighed and uniformly mixed with the powder of the first material and the carbon powder according to the molar ratio of carbide to be synthesized, and then charged into the crucible 110. Here, the first material may be, for example, silicon (Si), boron (B), titanium (Ti), zirconium (Zr), tungsten (W), chromium (Cr), niobium (Nb), Hafnium (Hf) or the like can be used. The first material may be a material having a melting point higher than that of the second material that is injected into the crucible 110 and melted.

S120 : 이어서, 도가니(110) 내의 혼합물(210) 위에 제 2 물질(220)을 투입한다. 제 2 물질(220)은 먼저 제 2 물질의 얇은 시트 형태의 포일(220a)을 깔아 혼합물(210)을 덮은 후 제 2 물질의 포일(220a) 위에 제 2 물질의 잉곳(220a)을 적당한 크기로 잘라 투입할 수 있다. 제 2 물질(220)은 제 1 물질보다 융점이 낮은 물질을 이용한다. 이러한 제 2 물질로는 예를들어 융점이 700℃ 이하의 물질을 이용할 수 있는데, 예를들어 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 주석(Sn) 등을 이용할 수 있다. 여기서, 알루미늄은 융점이 약 660℃이고, 마그네슘은 융점이 약 650℃이며, 주석의 융점은 약 230℃이다.S120: Then, the second material 220 is added to the mixture 210 in the crucible 110. The second material 220 first covers the mixture 210 by covering the foil 210 in the form of a thin sheet of the second material, and then ingots 220a of the second material on the foil 220a of the second material are properly sized. You can cut and put. The second material 220 uses a material having a lower melting point than the first material. As the second material, for example, a melting point of 700 ° C. or less may be used. For example, aluminum (Al), magnesium (Mg), tin (Sn), or the like may be used. Here, aluminum has a melting point of about 660 ° C, magnesium has a melting point of about 650 ° C, and tin has a melting point of about 230 ° C.

S130 : 다음으로, 가열 수단(150)의 예를들어 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 하여 도가니(110)를 제 1 온도로 가열한다. 이때, 도가니(110) 내에 투입된 제 2 물질(220)의 융점 이상으로 도가니(110)를 가열하여 제 2 물질(220), 즉 제 2 물질의 포일(220a) 및 잉곳(220b)을 용융시켜 제 2 물질의 융체(230)를 생성한다. 즉, 도가니(110) 내에 알루미늄 포일 및 잉곳이 투입된 경우 660℃ 이상으로 가열하고, 마그네슘 포일 및 잉곳이 투입된 경우 650℃ 이상으로 가열하며, 주석 포일 및 잉곳이 투입된 경우 230℃ 이상으로 가열한다. 그런데, 도가니(110)의 가열 온도는 탄화물을 합성하기 위한 제 1 물질의 융점보다 낮은 온도로 가열하는 것이 바람직하다.S130: Next, a high frequency current flows through, for example, a high frequency induction coil of the heating means 150, thereby heating the crucible 110 to a first temperature. At this time, the crucible 110 is heated above the melting point of the second material 220 introduced into the crucible 110 to melt the second material 220, that is, the foil 220a and the ingot 220b of the second material. Create a melt 230 of two materials. That is, when the aluminum foil and the ingot are introduced into the crucible 110, the heating is at least 660 ° C, the magnesium foil and the ingot are heated at 650 ° C or more, and the tin foil and the ingot are heated at 230 ° C or more. However, the heating temperature of the crucible 110 is preferably heated to a temperature lower than the melting point of the first material for synthesizing carbide.

S140 : 그리고, 도가니(110)를 혼합물(210)의 융점보다 높은 제 2 온도로 가열한다. 도가니(110)를 제 2 온도로 가열하면 제 2 물질의 융체(230) 하부에 마련된 혼합물(210)의 제 1 물질과 탄소가 반응하게 되고, 이에 따라 제 1 물질의 탄화물(240)이 합성된다. 즉, 실리콘, 붕소, 티타늄, 지르코늄, 텅스텐, 크롬, 니오븀, 하프늄 등의 제 1 물질에 따라 탄화실리콘(SiC), 탄화붕소(B4C), 탄화티타늄(TiC), 탄화지르코늄(ZrC), 탄화텅스텐(WC), 탄화크롬(Cr2C3), 탄화니오븀(NbC), 탄화하프늄(HfC) 등의 물질이 합성된다.S140: Then, the crucible 110 is heated to a second temperature higher than the melting point of the mixture 210. When the crucible 110 is heated to the second temperature, the first material and the carbon of the mixture 210 provided under the melt 230 of the second material react with each other, thereby synthesizing the carbide 240 of the first material. . That is, silicon carbide (SiC), boron carbide (B 4 C), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), depending on the first material such as silicon, boron, titanium, zirconium, tungsten, chromium, niobium, hafnium, etc. Materials such as tungsten carbide (WC), chromium carbide (Cr 2 C 3 ), niobium carbide (NbC), and hafnium carbide (HfC) are synthesized.

한편, 본 발명에 따른 탄화물 합성 방법은 상기 합성 장치 이외에도 다양한 합성 장치를 이용할 수 있다. 즉, 도가니 내에 제 1 물질과 탄소의 혼합물을 투입한 후 저융점의 제 2 물질을 투입하고, 도가니를 제 1 온도로 가열하여 제 2 물질의 융체를 생성한 후 제 2 온도로 가열하여 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성할 수 있는 다양한 형태의 합성 장치를 이용하여 본 발명의 탄화물 합성 방법을 수행할 수 있다.Meanwhile, the carbide synthesis method according to the present invention may use various synthesis apparatuses in addition to the synthesis apparatus. That is, a mixture of the first material and carbon is introduced into the crucible, a second material having a low melting point is added thereto, and the crucible is heated to the first temperature to produce a melt of the second material, followed by heating to the second temperature. The carbide synthesis method of the present invention may be performed using various types of synthesis apparatuses capable of synthesizing carbides by reacting carbon with a first material.

실시 예Example

본 발명의 제 1 실시 예로서 실리콘을 제 1 물질로 이용하고, 알루미늄을 제 2 물질로 이용하여 실리콘 탄화물을 합성하는 경우를 설명하겠다.As a first embodiment of the present invention, a case in which silicon carbide is synthesized using silicon as a first material and aluminum as a second material will be described.

먼저, 실리콘 분말과 탄소 분말, 예를들어 흑연 분말을 합성하려는 탄화물의 몰비에 맞게 칭량한 후 균일하게 혼합하여 도가니 내에 투입하고, 혼합 분말 위에 알루미늄 포일을 깔아 혼합 분말을 덮은 후 알루미늄 잉곳을 적당한 크기로 잘라 알루미늄 포일 위에 투입한다. 그리고, 알루미늄의 융점(약 660℃)보다 높은 온도, 예를들어 700℃로 가열하여 알루미늄 포일 및 잉곳을 용융시킨다. 이때, 가열 시간은 도가니에 투입된 알루미늄 잉곳의 양에 따라 조절할 수 있다. 이어서, 필요에 따라 알루미늄 용융면을 평탄하게 할 수도 있는데, 이를 위해 가열 장치로부터 도가니를 꺼낸 후 흔들어 알루미늄 용융물을 유동시킬 수도 있다. 다음으로, 도가니의 온도를 실리콘의 융점(약 1410℃) 이상, 예를들어 1500∼1700℃로 가열하여 일정 시간 유지한다. 이때, 가열 시간은 실리콘 분말과 흑연 분말의 투입량에 따라 조절할 수 있다. 따라서, 알루미늄 융체에 의해 외부로부터 유입될 수 있는 산소가 차단되고, 알루미늄 융체의 하부에서 혼합 분말의 실리콘과 흑연이 반응하여 실리콘 탄화물(SiC)이 합성된다.First, silicon powder and carbon powder, for example graphite powder, are weighed to the molar ratio of carbides to be synthesized, and then uniformly mixed and introduced into the crucible. Cut into pieces and put on aluminum foil. The aluminum foil and the ingot are then melted by heating to a temperature higher than the melting point of aluminum (about 660 ° C.), for example 700 ° C. At this time, the heating time can be adjusted according to the amount of aluminum ingot put into the crucible. Subsequently, if necessary, the aluminum molten surface may be flattened. For this purpose, the crucible may be removed from the heating apparatus and shaken to flow the aluminum melt. Next, the temperature of the crucible is heated to a melting point of silicon (about 1410 ° C.) or more, for example, 1500-1700 ° C., and maintained for a certain time. At this time, the heating time can be adjusted according to the dosage of the silicon powder and graphite powder. Therefore, oxygen that can be introduced from the outside is blocked by the aluminum melt, and silicon carbide (SiC) of the mixed powder is reacted at the lower portion of the aluminum melt to synthesize silicon carbide (SiC).

다음으로, 본 발명의 제 2 실시 예로서 티타늄을 제 1 물질로 이용하고, 알루미늄을 제 2 물질로 이용하여 티타늄 탄화물을 합성하는 경우를 설명하겠다.Next, a case in which titanium carbide is synthesized using titanium as a first material and aluminum as a second material will be described as a second embodiment of the present invention.

먼저, 티타늄 분말과 흑연 분말을 합성하려는 탄화물의 몰비에 맞게 칭량한 후 균일하게 혼합하여 도가니 내에 투입하고, 혼합 분말 위에 알루미늄 포일을 깔아 혼합 분말을 덮은 후 알루미늄 잉곳을 적당한 크기로 잘라 알루미늄 포일 위에 투입한다. 그리고, 알루미늄의 융점(약 660℃)보다 높은 온도, 예를들어 700℃로 가열하여 알루미늄 포일 및 잉곳을 용융시킨다. 이때, 가열 시간은 도가니에 투입된 알루미늄 잉곳의 양에 따라 조절할 수 있다. 이어서, 필요에 따라 알루미늄 용체를 평탄하게 할 수도 있는데, 이를 위해 가열 장치로부터 도가니를 꺼낸 후 흔들어 알루미늄 융체을 유동시킬 수도 있다. 다음으로, 도가니의 온도를 티타늄의 융점(약 1668℃) 이상, 예를들어 1700∼1800℃로 가열하여 일정 시간 유지한다. 이때, 가열 시간은 티타늄 분말 및 탄소 분말의 투입량에 따라 조절할 수 있다. 따라서, 알루미늄 융체에 의해 외부로부터 유입될 수 있는 산소가 차단되고, 알루미늄 융체의 하부에서 혼합 분말의 티타늄 분말과 흑연 분말이 반응하여 티타늄 탄화물(TiC)이 합성된다.First, titanium powder and graphite powder are weighed according to the molar ratio of carbides to be synthesized, and then mixed uniformly and introduced into a crucible. do. The aluminum foil and the ingot are then melted by heating to a temperature higher than the melting point of aluminum (about 660 ° C.), for example 700 ° C. At this time, the heating time can be adjusted according to the amount of aluminum ingot put into the crucible. Subsequently, the aluminum solution may be flattened as necessary, and for this purpose, the aluminum melt may flow by removing the crucible from the heating apparatus and shaking it. Next, the temperature of the crucible is heated to above the melting point of titanium (about 1668 ° C.), for example, 1700 to 1800 ° C., and maintained for a certain time. At this time, the heating time can be adjusted according to the dosage of the titanium powder and carbon powder. Therefore, oxygen that may be introduced from the outside by the aluminum melt is blocked, and titanium carbide (TiC) of the mixed powder reacts at the lower portion of the aluminum melt to synthesize titanium carbide (TiC).

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not for the purpose of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1은 본 발명에 이용되는 탄화물 합성 장치의 일 예를 설명하기 위한 개략 단면도.1 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a carbide synthesis apparatus used in the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.2 is a flowchart illustrating a method of synthesizing carbide according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄화물 합성 방법의 공정 순서에 따라 도시한 도가니의 단면도.3 to 6 are cross-sectional views of the crucible shown in accordance with the process sequence of the carbide synthesis method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 도가니 120 : 도가니 뚜껑110: crucible 120: crucible lid

130 : 단열재 140 : 석영관130: heat insulating material 140: quartz tube

150 : 가열 수단 210 : 제 1 물질과 탄소의 혼합물150 heating means 210 mixture of first material and carbon

220 : 제 2 물질 230 : 제 2 물질의 융체220: second material 230: fusion of the second material

240 : 탄화물240: carbide

Claims (8)

제 1 물질과 탄소의 혼합물을 도가니 내에 투입하는 단계;Introducing a mixture of first material and carbon into the crucible; 상기 도가니 내의 상기 혼합물 상에 제 2 물질을 투입하는 단계;Injecting a second material onto the mixture in the crucible; 상기 도가니를 제 1 온도로 가열하여 상기 제 2 물질을 용융시키는 단계; 및Heating the crucible to a first temperature to melt the second material; And 상기 도가니를 제 2 온도로 가열하여 상기 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 탄화물을 합성하는 단계를 포함하는 탄화물 합성 방법.Heating the crucible to a second temperature to react carbon with the first material of the mixture to synthesize carbide. 제 1 항에 있어서, 상기 혼합물은 상기 제 1 물질과 탄소를 상기 탄화물의 몰비에 따라 칭량하여 혼합하는 탄화물 합성 방법.The method of claim 1, wherein the mixture is mixed with the first material and carbon according to the molar ratio of carbide. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 물질은 제 1 물질보다 융점이 낮은 물질을 포함하는 탄화물 합성 방법.The method of claim 1, wherein the second material comprises a material having a lower melting point than the first material. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 물질은 실리콘, 붕소, 티타늄, 지르코늄, 텅스텐, 크롬, 니오븀 및 하프늄 중 적어도 하나를 포함하는 탄화물 합성 방법.4. The method of claim 3, wherein the first material comprises at least one of silicon, boron, titanium, zirconium, tungsten, chromium, niobium, and hafnium. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 물질은 알루미늄, 마그네슘 및 주석 중 적어도 하나를 포함하는 탄화물 합성 방법.4. The method of claim 3, wherein the second material comprises at least one of aluminum, magnesium, and tin. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 온도는 상기 제 2 물질의 융점 이상으로부터 상기 제 1 물질의 융점 이하이고, 상기 제 2 온도는 상기 제 1 물질의 융점 이상인 탄화물 합성 방법.4. The method of claim 3, wherein the first temperature is at least the melting point of the second material and less than the melting point of the first material, and the second temperature is at least the melting point of the first material. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 물질을 투입하는 단계는 상기 제 1 물질 상에 제 2 물질의 포일을 깔고 상기 포일 상에 제 2 물질의 잉곳을 투입하는 탄화물 합성 방법.The method of claim 1, wherein injecting the second material comprises laying a foil of a second material on the first material and injecting an ingot of a second material on the foil. 제 1 항 내지 제 7 항에 기재된 도가니 내에 제 1 물질과 탄소의 혼합물을 투입한 후 상기 혼합물 상에 제 2 물질을 투입하고, 제 1 온도에서 상기 제 2 물질을 용융시킨 후 제 2 온도에서 상기 혼합물의 제 1 물질과 탄소를 반응시켜 합성된 탄화물.A mixture of a first substance and carbon is introduced into a crucible according to claim 1, and then a second substance is added to the mixture, the second substance is melted at a first temperature, and then the Carbide synthesized by reacting carbon with the first material of the mixture.
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