KR20110060427A - 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시소자를 외부의 습기 침투로부터 보호하기 위한 봉지 방법 및 그 방법에 의한 유기발광다이오드 표시장치에 관련된 것이다. 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는기판 상에 형성된 유기발광다이오드 표시소자와; 상기 유기발광다이오드 표시소자의 상부 및 측부와 밀착하여 덮는 금속 밀봉층을 포함한다. 또한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 기판 위에 유기발광다이오드 표시소자를 형성하는 단계와; 상기 유기발광다이오드 표시소자의 상부면 및 측면을 모두 포괄하여 덮도록 메탈 페이스트를 도포하는 단계와; 상기 메탈 페이스트를 가열하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치 와 그 제조방법은 저렴한 비용과 단순한 공정으로 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 완전히 차단하여 수명 저하를 줄이고 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.

Description

유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 유기발광다이오드 표시소자를 외부의 습기 침투로부터 보호하기 위한 봉지 방법 및 그 방법에 의한 유기발광다이오드 표시장치에 관련된 것이다.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자를 사용하여 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diod: OLED)를 가진다.

OLED는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. OLED는 캐소드전극과 음극에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다.

유기발광다이오드 표시장치의 주요 구성요소인 OLED를 형성하는 유기 전계발광 화합물층(EL)은 수분이나 산소에 쉽게 열화된다. 따라서, 유기발광다이오드 표시장치는 도 2에 도시한 것과 같은 봉지구조를 갖는다. 도 2는 종래 기술에 의한 봉지구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.

기판(SUB) 위에 EL층을 포함하는 유기발광다이오드 층 (OLEDL)이 형성되어 있다. 유기발광다이오드 층(OLEDL)는 주로 기판(SUB)의 중심부에 형성되고, 주변부에는 유기발광다이오드 표시장치를 구동하는 외부의 장치로부터 전기적 신호를 주고 받기 위한 패드부(PAD)가 형성된다. 패드부(PAD)와의 경계부분에 자외선 경화 레진 물질을 포함하는 실재(SEAL)를 이용하여 봉지용 유리기판(ENCAP)을 부착하여 유기발광다이오드 층(OLEDL)을 외부로부터의 수분 및 산소 침투를 보호한다. 그리고, UV 실링재(SEAL) 만으로는 외부로부터의 수분 침투를 효과적으로 방어할 수 없으므로, 침투하는 수분과 산소를 흡수하기 위한 흡습재(GET)를 봉지 유리기판(ENCAP)의 중앙부에 부착하여, 유기발광다이오드 층(OLEDL)의 상부에 배치한다.

이와 같은 봉지구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치는 봉지 유리기판(ENCAP) 및 흡습재(GET)을 구비하고, 밀봉재(SEAL)을 이용한 밀봉 공정이 필요하므로 비용이 많이 소요되는 문제가 있다. 또한, 유기발광다이오드 층(OLEDL)이 형성된 부분이 비어 있는 구조를 갖기 때문에, 대면적 표시장치를 제조할 경우 봉지 유리기판(ENCAP)이 수평상태를 유지하지 못하고 휘어서 표시소자에 영향을 줄 수 있다.

따라서, 비용이 많이 소요되고, 수분 및 산소 방지 효과가 높지 않으며, 대면적 표시장치에 적합하지 않은 종래의 봉지 구조를 대체할 수 있는 봉지 방법 및 봉지 구조가 절실하게 요구되고 있다.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써 유기 전계발광 화합물층에 악영향을 주는 수분 및 산소침투를 완전히 차단하고, 봉지 방법 및 봉지 구조가 간단한 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는기판 상에 형성된 유기발광다이오드 표시소자와; 상기 유기발광다이오드 표시소자의 상부 및 측부와 밀착하여 덮는 금속 밀봉층을 포함한다.

상기 금속 밀봉층은 융점이 150℃ 이하인 것을 특징으로 한다.

상기 금속 밀봉층은 인듐 및 비스무스 중 선택한 어느 한 주 금속물질과; 주석 및 은 중 선택한 어느 한 부 금속물질을 혼합한 것을 특징으로 한다.

상기 유기발광다이오드 표시소자와 상기 금속 밀봉층 사이에 버퍼 금속층을 더 포함한다.

상기 버퍼 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 금(Au) 중에서 적어도 어느 하나를 포함한다.

상기 유기발광다이오드 표시소자는, 화소 영역을 정의하는 데이터 라인 및 스캔 라인과; 상기 데이터 라인과 스캔 라인에 연결된 스위칭 TFT와; 상기 스위칭 TFT의 드레인 전극과 연결된 구동 TFT와; 상기 구동 TFT의 소스 전극에 연결된 구동전류공급배선과; 상기 구동 TFT의 드레인 전극에 연결된 애노드 전극과; 상기 애노드 전극 위에 형성된 유기층과; 상기 유기층 위에 형성된 캐소드 전극을 포함한다.

또한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 기판 위에 유기발광다이오드 표시소자를 형성하는 단계와; 상기 유기발광다이오드 표시소자의 상부면 및 측면을 모두 포괄하여 덮도록 메탈 페이스트를 도포하는 단계와; 상기 메탈 페이스트를 가열하는 단계를 포함한다.

상기 가열하는 단계는 150℃ 이하의 열로 상기 메탈 페이스트를 가열하는 것을 특징으로 한다.

상기 메탈 페이스트는 인듐 및 비스무스 중 선택한 어느 한 주 금속물질과; 주석 및 은 중 선택한 어느 한 부 금속물질을 혼합한 것을 특징으로 한다.

상기 유기발광다이오드 표시소자를 형성한 후 그리고 상기 메탈 페이스트를 도포하기 전에 상기 유기발광다이오드 표시소자 위에 버퍼 금속층을 도포하는 단계를 더 포함한다.

상기 버퍼 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 금(Au) 중에서 적어도 어느 하나를 포함한다.

본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드 표시소자의 상부와 측면부를 금속 밀봉층으로 밀착함으로써 외부로 부터의 수분 및 산소 유입을 완전히 차단하는 효과를 얻을 수 있다. 메탈 페이스트를 도포한 후 가열 공정으로 금속 밀봉층으로 유기발광다이오드 소자를 밀봉하기 때문에, 공정이 단순하고 비용이 저렴하다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치 와 그 제조방법은 저렴한 비용과 단순한 공정으로 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 완전히 차단하여 수명 저하를 줄이고 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.

이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설 명하기로 한다. 도 3은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 도 5a 내지 5c는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시소자를 제조하는 방법을 나타내는 단면도들이다.

도 3 및 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 기판(SUBP) 위에 형성된 화소 영역을 정의하는 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL), 상기 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL)과 연결된 스위칭 TFT(SWTFT), 상기 스위칭 TFT(SWTFT)와 연결된 구동 TFT(DRTFT), 구동 TFT(DRTFT)와 연결된 유기발광다이오드(OLED), 및 TFT들(SWTFT, DRTFT)과 유기발광다이오드(OLED)를 덮는 금속 밀봉층(MENCAP)을 포함한다.

이하, 도 5a 내지 5c를 더 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 제조하는 방법을 상세히 살펴본다.

먼저, 도 5a와 같이 기판(SUB) 위에 유기발광다이오드 표시소자를 형성한다. 기판(SUB) 위에 스캔 라인(SL), 스캔 라인(SL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GPAD), 스캔 라인(SL)에서 분기된 스위칭 TFT(SWTFT)의 게이트 전극(GSW), 그리고 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GDR)을 형성한다. 상기 게이트 물질들(SL, GPAD, GSW, GDR)을 덮는 게이트 절연막(GI)를 도포한다. 상기 스위칭 TFT(SWTFT)의 게이트 전극(GSW) 및 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GDR)과 중첩되는 부분의 게이트 절연막(GI) 위에 각각 스위칭 TFT(SWTFT)의 반도체 층(ACTSW)와 구동 TFT(DRTFT)의 반도체 층(ACTDR)을 형성한다. 상기 각 반도체 층(ACTSW, ACTDR) 양 측에는 서로 이격된 위에는 스위칭 TFT(SWTFT)의 소스 전극(SSW)와 드레인 전극(DSW) 그리고, 구동 TFT(DRTFT)의 소스 전극(SDR)와 드레인 전극(DDR)을 형성한다. 상기 구동 TFT(DRTFT)의 소스 전극(SDR)은 데이터 라인(DL)과 나란하게 진행하는 구동전류배선(VDD)의 일부가 되도록 형성한다. 이 때, 도면에 도시하지는 않았으나, 스위칭 TFT(SWTFT)의 드레인 전극(DSW)는 게이트 절연막(GT)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 (DRTFT)의 게이트 전극(GDR)과 접촉시킨다. 상기 각 소스-드레인 전극들(SSW, DSW, SDR, DDR)이 형성된 기판(SUB) 전면에 보호막(PASSI)를 도포한다. 그리고, 게이트 패드(GPAD) 및 구동 TFT의 드레인 전극(DDR)의 일부를 노출시키는 콘택홀들을 형성한다. 상기 보호막(PASSI) 위에 화소를 정의하는 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 애노드 전극(ANO)은 콘택홀을 통해 구동 TFT의 드레인 전극(DDR)과 접촉한다. 그리고, 게이트 패드(GPAD) 위에도 게이트 패드 전극(GPADE)를 형성한다. 상기 TFT들(SWTFT, DRTFT) 및 각 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 부분의 보호막(PASSI) 및 애노드 전극(ANO) 위에 뱅크패턴(BANK)을 형성하여 화소 영역을 정의한다. 상기 화소 영역 내의 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기층(EL) 및 캐소드 전극(CAT)을 형성한다. 도 5a에서는 뱅크패턴(BANK)에 의해 정의된 화소 영역 내에만 유기층(EL) 및 캐소드 전극(CAT)이 형성된 것으로 묘사했으나, 유기층(EL) 및 캐소드 전극(CAT)들은 뱅크패턴(BANK)과 애노드 전극(ANO) 위를 모두 덮도록 형성할 수도 있다.

도 5a와 같이 형성된 유기발광다이오드 표시소자 위에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 혹은 금(Au)과 같은 버퍼 금속 층(BUFF)을 형성한다. 이 때, 상기 버퍼 금속층(BUFF)는 유기발광다이오드 표시소자 상부 뿐 아니라 측면에도 도포되도록 형성하는 것이 필요하다. 이 버퍼 금속층(BUFF)는, 이후에 형성될 금속 밀봉층(MENCAP)의 주성분인 저온 금속재질의 접촉성을 높이기 위한 금속층이다. (도 5b)

그리고, 상기 버퍼 금속층(BUFF) 위에 저온 금속 분말과 송진과 같은 페이스트 재를 혼합한 메탈 페이스트(MP)를 기판(SUB) 위의 버퍼 금속층(BUFF) 전면에 도포한다. 메탈 페이스트(MP)를 구성하는 저온 금속 분말은 융점이 150℃를 갖는 저융점 금속물질을 분말형태로 만든 것이 바람직하다. 메탈 페이스트(MP)의 금속 분말은 인듐 혹은 비스무스와 같은 주 금속물질과, 주석 혹은 은과 같은 부 금속물질을 포함할 수 있다. 또한, 메탈 페이스트(MP)는 저융점 금속물질과 송진과 같은 플럭스(Flux) 물질의 비율이 약 9:1의 비율로 혼합된 것일 수 있다. 메탈 페이스트(MP)는 디스펜싱(Dispensing) 공법, 스크린 프린팅(Screen Printing) 공법, 혹은 슬릿 코팅(Slit Coating) 공법 등을 사용하여 도포한다. (도 5c)

그리고, 상기 메탈 페이스트(MP)에 150℃ 정도의 온도를 가한다. 그러면, 메탈 페이스트(MP)를 구성하는 저융점 금속이 녹아 페이스트 물질과 분리되어, 하부에 있는 버퍼 금속층(Buff)과 결합함으로써 금속 밀봉층(MENCAP)을 형성한다. 이 때, 메탈 페이스트를 가열하는 방법으로는, 기판(SUB) 전체에 열을 가하는 핫 플레이트(Hot Plate) 공법 혹은 고온의 열풍을 메탈 페이스트로 유도하는 열풍기 공법을 사용할 수 있다. (도 4)

여기서, 금속 밀봉층(MENCAP)은 유기발광다이오드 표시소자의 상부면 뿐만아 니라 측면부까지도 모두 밀봉하듯이 덮는다. 다만, 게이트 패드 전극(GPADE)와 같은 패드 부분은 노출할 수 있도록 메탈 페이스트의 도포 영역을 설정하여야 한다. 도면에서는 게이트 패드(GPAD) 및 게이트 패드 전극(GPADE)만을 도시하였으나, 데이터 라인(DL)의 단부에는 데이터 패드 및 데이터 패드 전극이 형성될 수 있다. 따라서, 여기서 패드 부분은 유기발광다이오드 표시소자를 구성하기 위한 모든 패드들을 포함한다.

본 발명의 실시 예에서는 메탈 페이스트로 금속 밀봉층(MENCAP)을 형성하기 전에, 버퍼 금속층(BUFF)를 형성하는 것을 설명하였으나, 버퍼 금속층(BUFF)를 형성하는 과정을 생략하여도 무방하다. 특히, 캐소드 전극(CAT)를 뱅크패턴(BANK)과 유기층(EL) 위에 모두 형성할 경우, 그리고 캐소드 전극(CAT)를 상기 버퍼 금속층(BUFF) 물질을 포함하여 형성할 경우에는 굳이 버퍼 금속층(BUFF)를 추가로 도포할 필요가 없을 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(CAT)를 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 혹은 크롬(Cr)을 포함하는 합금을 사용하고, 뱅크패턴(BANK) 및 유기층(EL)의 상부면 뿐만아니로, 뱅크패턴(BANK)의 측면까지도 덮을 수 있도록 형성한 경우에는 버퍼 금속층(BUFF)를 도포하는 단계를 생략할 수도 있다.

상술한 실시 예에서는 금속 밀봉층(MENCAP)가 표시소자의 상층부를 거의 모두 덮고 있으므로, 본 실시 예에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 아래에 있는 기판(SUBP)을 통해 화상을 표시하는 하부 발광(Bottom Emission) 구조를 갖는 표시장치에 적용되는 것이다. 도 4 내지 5에서 화살표는 유기발광다이오드(OLED)의 발 광 방향을 나타낸다. 따라서, 본 발명은 전술한 실시 예에 국한되는 것이 아니라 하부 발광 구조를 갖는 유기발광 표시소자에는 모두 적용할 수 있는 밀봉 방법이다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

도 1은 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면.

도 2는 종래 기술에 의한 봉지구조를 갖는 유기발광다이아도 표시장치를 나타내는 단면도.

도 3은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 평면도.

도 4는 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도.

도 5a 내지 5c는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시소자를 제조하는 방법을 나타내는 단면도들이다.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

HIL : 정공주입층 HTL: 정공수송층

EML : 발광층 ETL : 전자수송층

EIL : 전자주입층 BANK : 뱅크패턴

OLED: 유기발광다이오드 층 PAD: 패드부

SUB, SUBP: 기판 SEAL: 실재

ENCAP: 봉지용 유리기판 GET: 흡습재

DL: 데이터 라인 SL: 과 스캔 라인

SWTFT: 스위칭 TFT DRTFT: 구동 TFT

OLED: 유기발광다이오드 VDD: 구동전류 공급배선

CAT : 캐소드전극 ANO : 애노드전극

EL: 유기층

GSW, GDR: 게이트 전극 SSW, SDR: 소스 전극

DSW, DDR: 드레인 전극 ACTSW, ACTDR: 반도체 층

GI: 게이트 절연막 PASSI: 보호막

GPAD: 게이트 패드 GPADE: 게이트 패드 전극

BANK: 뱅크 패턴 BUFF: 버퍼 금속층

MP: 메탈 페이스트 MENCAP: 금속 밀봉층

Claims (15)

1. 기판 상에 형성된 유기발광다이오드 표시소자;

   상기 유기발광다이오드 표시소자의 상부 및 측부와 밀착하여 덮는 금속 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속 밀봉층은 융점이 150℃ 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속 밀봉층은 인듐 및 비스무스 중 선택한 어느 한 주 금속물질과;

   주석 및 은 중 선택한 어느 한 부 금속물질을 혼합한 것을 특징으로 하는유기발광다이오드 표시장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 유기발광다이오드 표시소자와 상기 금속 밀봉층 사이에 버퍼 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 버퍼 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 금(Au) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 유기발광다이오드 표시소자는

   화소 영역을 정의하는 데이터 라인 및 스캔 라인과;

   상기 데이터 라인과 스캔 라인에 연결된 스위칭 TFT와;

   상기 스위칭 TFT의 드레인 전극과 연결된 구동 TFT와;

   상기 구동 TFT의 소스 전극에 연결된 구동전류공급배선과;

   상기 구동 TFT의 드레인 전극에 연결된 애노드 전극과;

   상기 애노드 전극 위에 형성된 유기층과;

   상기 유기층 위에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 유기발광다이오드 표시소자는 상기 데이터 라인 및 상기 스캔 라인의 일측 단부에 형성된 패드부를 더 포함하되;

   상기 금속 밀봉층은 상기 패드부를 덮지 밀봉하지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
8. 기판 위에 유기발광다이오드 표시소자를 형성하는 단계와;

   상기 유기발광다이오드 표시소자의 상부면 및 측면을 모두 포괄하여 덮도록 메탈 페이스트를 도포하는 단계와;

   상기 메탈 페이스트를 가열하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 가열하는 단계는 150℃ 이하의 열로 상기 메탈 페이스트를 가열하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 메탈 페이스트는 금속 분말과 플럭스 재를 9:1의 비율로 혼합한 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 금속 분말은 인듐 및 비스무스 중 선택한 어느 한 주 금속물질과;

    주석 및 은 중 선택한 어느 한 부 금속물질을 혼합한 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
12. 제 8 항에 있어서,

    상기 유기발광다이오드 표시소자를 형성한 후 그리고 상기 메탈 페이스트를 도포하기 전에 상기 유기발광다이오드 표시소자 위에 버퍼 금속층을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 버퍼 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 금(Au) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발 광다이오드 표시장치 제조 방법.
14. 제 8 항에 있어서,

    상기 유기발광다이오드 표시소자를 형성하는 단계는;

    상기 기판 위에 화소 영역을 정의한 스캔 라인, 상기 스캔 라인의 일측 단부에 게이트 패드, 상기 화소 영역 내에서 상기 스캔 라인에서 분기하는 스위칭 TFT의 게이트 전극, 그리고 구동 TFT의 게이트 전극을 형성하는 단계와;

    상기 스위칭 TFT의 게이트 전극 및 상기 구동 TFT의 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;

    상기 스위칭 TFT의 게이트 전극 및 상기 구동 TFT의 게이트 전극 위의 게이트 절연막 상에 스위칭 TFT의 반도체 층과 구동 TFT의 반도체 층을 형성하는 단계와;

    각 상기 스위칭 TFT의 반도체 층 및 상기 구동 TFT의 반도체 층 위에 스위칭 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극과, 구동 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;

    상기 스위칭 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 구동 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 상기 기판 전면을 덮는 보호막을 형성하는 단계와;

    상기 게이트 패드에 접속하는 게이트 패드 전극, 상기 구동 TFT의 드레인 전극에 접속하는 애노드 전극을 형성하는 단계와;

    상기 애노드 전극 위에 유기층을 형성하는 단계와;

    상기 유기층 위에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
15. 제 14 항에 있어서,

    상기 메탈 페이스트를 도포하는 단계에서, 상기 게이트 패드는 노출하고 상기 유기발광다이오드 표시소자를 덮도록 상기 메탈 페이스트를 도포하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.

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