KR20110052256A - 유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서 - Google Patents
유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110052256A KR20110052256A KR1020090109215A KR20090109215A KR20110052256A KR 20110052256 A KR20110052256 A KR 20110052256A KR 1020090109215 A KR1020090109215 A KR 1020090109215A KR 20090109215 A KR20090109215 A KR 20090109215A KR 20110052256 A KR20110052256 A KR 20110052256A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- material layer
- organic material
- type organic
- pixel
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- PJQYNUFEEZFYIS-UHFFFAOYSA-N perylene maroon Chemical compound C=12C3=CC=C(C(N(C)C4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)N(C)C(=O)C4=CC=C3C1=C42 PJQYNUFEEZFYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylenevinylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 3차원 입체영상 표현이 가능한 입체용 컬러 이미지센서에 관한 것으로서, 유기 광전변환막으로 이루어진 컬러용 화소 및 입체용 화소를 포함한다. 본 발명의 입체용 컬러 이미지센서는 유기 광전변환막을 이용함으로써 고화소, 고해상도를 구현할 수 있고, 장치 소형화에 적합하며, 컬러용 화소와 입체용 화소의 광축 불일치 문제를 해소할 수 있다.
Description
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로서, 유기 광전변환막을 이용하고 3차원 입체영상 표현이 가능한 컬러 이미지센서에 관한 것이다.
일반적으로 컬러 이미지센서는 빛을 감지하여 전기적인 신호로 변환하는 광전변환 소자를 이용하여 구현된다. 이러한 이미지센서는 반도체 기판 상에 행렬로 배열되는 복수개의 단위 화소(pixel)들을 구비한다.
기존의 컬러 이미지센서에서 더 나아가 최근에는 3차원 입체영상 표현이 가능한 입체용 컬러 이미지센서의 연구개발이 활발히 이루어지고 있다. 입체용 컬러 이미지센서는 물체와의 거리를 측정하여 입체적으로 물체의 컬러를 재현하는 것을 가능하도록 한다. 물체와의 거리 측정에는 통상적으로 적외선이 이용된다.
그러나, 입체용 컬러 이미지센서는 컬러 구현을 위한 R, G, B 화소 뿐만 아니라 입체 구현을 위한 화소도 필요하기 때문에 고화소, 고해상도 구현 및 장치의 소형화에 불리한 단점이 있다. 아울러, 컬러용 화소와 입체용 화소가 평면적으로 분리되어 배치되기 때문에 광축의 불일치에 따른 문제도 발생할 수 있다.
따라서 본 발명은 고화소, 고해상도를 구현할 수 있고 장치 소형화에 적합하며, 컬러용 화소와 입체용 화소의 광축 불일치 문제를 해소할 수 있는 입체용 컬러 이미지센서를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 입체용 컬러 이미지센서는 컬러용 화소와 입체용 화소를 포함하여 구성된다.
일 예에 따르면, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및 상기 컬러용 화소와 수직 방향으로 하부 또는 상부에 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소;를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 입체용 컬러 이미지센서는, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및 상기 컬러용 화소와 수평 방향으로 서로 이웃하여 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제 1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소; 를 포함한다.
상기 입체용 컬러 이미지센서에 있어서, 상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막은 상기 제1 전극상에 형성되는 P형 유기물질층과, 상기 P형 유기물질층 상에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하고, 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층은 PN 접합을 이룬다.
상기 컬러용 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함하고, 상기 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소는 수평 방향으로 서로 이웃하여 배치되거나, 수직 방향으로 적층하여 배치될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제 1 유기 광전변환막에서 P형 유기물질층 또는 N형 유기물질층은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광만을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 유기 물질로 형성될 수 있다.
또 다른 예에 따르면, 상기 제 1 유기 광전변환막은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 1 P형 유기물질층, 상기 제 1 P형 유기물질층의 하부에 형성되어 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 2 P형 유기물질층, 및 상기 제 2 P형 유기물질층의 하부에 형성되는 N형 유기물질층으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제 2 유기 광전변환막은, P형 유기물질층과 N형 유기물질층 중 적어도 하나가 적외선 영역의 파장을 선택적으로 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다.
하나의 예에서, 상기 입체용 화소의 상부 또는 제 2 유기 광전변환막의 상부에는 가시광선의 파장 대역의 광을 흡수하는 물질로 이루어진 가시광선 흡수층이 더욱 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막에서 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층 사이에 개재되고, P형 유기물질과 N형 유기물질이 공증착되어 형성되는 인트린식층; 및/또는 상기 제 1 전극층과 상기 P형 유기물질층 사이 또는 상기 N형 유기물질층과 상기 제 2 전극층 사이에 형성되는 버퍼층;이 더욱 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 입체용 컬러 이미지센서는 기존의 평면적 화소 배치 대신에 유기 광전변환막을 이용함으로써 고화소, 고해상도를 구현할 수 있고, 장치 소형화에 적합하며, 컬러용 화소와 입체용 화소의 광축 불일치 문제를 해소할 수 있다.
본 발명에 따른 입체용 컬러 이미지센서는 디지털 카메라, 방송용 카메라, 감시 카메라, 컴퓨터 화상통화용 카메라, 캠코더, 자동차용 센서, 가정용 센서, 태양전지 등에 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 휴대폰, PMP, DMB 수신기, 네비게이션(navigation)과 같은 휴대형 기기뿐만 아니라, 입체 TV나 표시장치, 인터렉티브(interactive) TV, 의료용 기기 등에 다양하게 이용될 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 본 발명의 이점들과 특징들 및 이를 수행하는 방법들은 하기 실시예들에 대한 상세한 설명 및 첨부된 도면들을 참조함으로써 더욱 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 그러나 본 발명은 많은 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 여기서 언급한 실시예들로만 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 1개의 단위 화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서의 단면 모식도이고, 도 2은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 2 개의 단위 화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서의 단면 모식도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 4 개의 단위화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서의 단면 모식도이다. 설명의 편의를 위하여, 도 2 및 3에서 도 1의 요소에 대응하는 요소에 대해서는 도면부호를 생략하였다.
먼저, 도 1을 참조하면, 복수 개의 컬러용 화소들(100)과 입체용 화소(200)을 수직 방향으로 적층 구조로 배치하여 하나의 단위화소(10)를 구성한다. 도 2를 참조하면, 복수 개의 컬러용 화소들(100)을 적층 구조로 배치하고, 컬러용 화소들(100)에 대하여 수평 방향으로 인접하도록 별도의 유기 광전변환막으로 이루어진 입체용 화소(200)를 배치하여 2 개의 단위화소(20)를 구성한다. 이와 같이, 단위 화소(10)를 1 내지 2개로 구성하는 경우 고화소, 고해상도 구현이 가능하며 장치의 소형화에 매우 유리하다.
도 3을 참조하면, 복수 개의 컬러용 화소들(100)을 서로 인접하도록 수평 방 향으로 배치하고, 입체용 화소(200)을 컬러용 화소들(100)과 서로 인접하도록 수평 방향으로 배치하여 4개의 단위화소(30)를 구성할 수도 있다. 도시되지는 않았지만, 복수 개의 컬러용 화소들(100)을 서로 인접하도록 수평 방향으로 배치하고, 입체용 화소(200)을 컬러용 화소들(100)의 수직 방향으로 상부 또는 하부에 적층하여 3개의 단위화소를 구성할 수도 있으며, 이 경우도 본 발명의 범위에 포함된다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 입체용 컬러 이미지센서를 구체적으로 살펴본다. 1개의 단위화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서(10)는 수광면 측으로부터 마이크로렌즈(301), 투명 보호층(310), 공통전극(320)의 하부에, 청색 화소(100B), 녹색 화소(100G), 적색 화소(100R), 및 입체용 화소(200)가 배치되고, 각각의 화소들(100B, 100G, 100R)의 하부에는 화소 전극(331, 332, 333)이 형성되어 있다. 본 도시에서 입체용 화소(200)는 컬러용 화소들의 적층 구조(100B, 100G, 100R) 하부에 위치하지만, 상부에 위치할 수도 있음은 물론이다. 최하단층은 CMOS 기판을 나타내고, CMOS 기판의 상부에는 구동전극(350)이 형성되어 있다. 각각의 화소들(100B, 100G, 100R, 200) 사이에는 층간 절연막(또는 후술하는 흡광층이 될 수 있음)이 형성되어 있고, 수직 방향으로 층간 접속수단(예컨대, 비아(via) 등)이 형성될 수 있다.
마이크로렌즈(301) 및 마이크로렌즈(301)의 하부에 형성된 투명 보호층(310)은 각각의 화소에 입사광을 집광하기 위한 것이다. 공통 전극(320)은 화소 전극(331, 332, 333)에 대해 일정한 바이어스 전압이 인가되는 것이므로, 후술하는 바와 같이, 컬러 필터(300)의 제1 전극(110)이 공통전극(320)으로 기능할 수 있다. 경우에 따라서는, 제1 전극(110)과 별도로 공통전극(320)이 마련될 수도 있다.
컬러용 화소(100)는 특정 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 전기적 신호를 출력하는 것이고, 입체용 화소(200)는 적외선을 흡수하여 전기적 신호를 출력하는 것이다.
청색 화소(100B)은 약 450 ~ 500 nm의 청색 영역 파장을, 녹색 화소(100G)는 약 500 ~ 600 nm의 녹색 영역 파장을, 적색 화소(100R)는 약 600 ~ 780 nm의 적색 영역 파장을 각각 선택적으로 흡수한다. 또한, 입체용 화소(200)는 약 700 ~ 1100 nm의 적외선 영역 파장을 선택적으로 흡수한다.
청색 화소(100B), 녹색 화소(100G), 적색 화소(100R), 및 입체용 화소(200)은 모두 유기 광전변환막으로 이루어져 있다. 이들의 경계에는 절연층 또는 블랙마스크 등이 형성될 수 있는 바, 빛 유출을 방지하고 구동전극(230) 에 광쉴드 (light shied)를 제공해준다.
경우에 따라, 각각의 컬러용 화소들(100R, 100G, 100B)의 상부 또는 이들을 구성하는 유기 광전변환막 상부에 흡광제를 포함하는 흡수층(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 흡수층은 하부의 유기 광전변환막에서 흡수하는 특정 파장 이외의 파장을 흡수함으로써 특정 컬러화소에 특정 파장 이외의 파장이 도달하는 것을 방지할 수 있다.
입체용 화소(200)의 경우에도 가시광선의 파장 대역의 광을 흡수하는 흡광제로 이루어진 물질로 이루어진 가시광선 흡수층(도시되지 않음)이 입체용 화소(200)의 상부 또는 입체용 화소(200)를 구성하는 유기 광전변환막의 상부에 위치할 수 있다.
도 4 내지 9에는 본 발명의 일 예에 따른 유기 광전변환막의 단면도가 모식적으로 도시되어 있는 바, 이를 참조하여 유기 광전변환막을 구체적으로 살펴본다. 이러한 유기 광전변환막은 도 1 내지 3에서 청색 화소(100B), 녹색 화소(100G), 적색 화소(100R), 및 입체용 화소(200)에 각각 적용될 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 도 5 내지 9에서 동일 또는 대응되는 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였다.
먼저 도 4를 참조하면, 컬러용 또는 입체용 화소들(100, 200)은 공통적으로, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극(110, 120)과, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 형성되는 유기 광전 변환막(101)을 구비한다.
제1 및 제2 전극(110, 120)은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 유기 광전 변환막(101)은 적색, 녹색, 청색 화소(100R, 100G, 100B) 별로 서로 다른 유기물질로 형성되나, 제1 및 제2 전극(110, 120)은 이들 적색, 녹색, 청색 화소(100R, 100G, 100B) 전체에 대해 공통적으로 사용된다.
이때, 제1 전극(110)의 일함수는 제2 전극(120)의 일함수보다 더 큰 값을 갖는다. 제1 전극 및 제2 전극(110, 120)은 ITO, IZO, ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 산화물로 형성되는 투명 산화물 전극일 수 있다. 제2 전극(120)의 경우, Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag, 및 Cr 으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속으로 형성되는 금속 박막일 수도 있다. 제2 전극(120)이 금속으로 형성되는 경우, 투명성을 확보하기 위하여 20 nm이하의 두께로 형성될 수 있다.
도 4에서, 유기 광전 변환막(101)은, PN접합 구조를 갖는 P형 유기물질층(130)과 N형 유기물질층(140)을 포함한다. P 형 유기물질층(130)은 제1 전극(110) 하부에 형성되며, N형 유기물질층(140)은 P형 유기물질층(130) 하부에 형성된다.
P형 유기물질층(130)은 정공이 다수의 캐리어가 되는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 소망하는 파장 대역을 흡수할 수 있는 물질이라면 특별히 제한되지 않는다. N형 유기물질층(53)은 전자가 다수의 캐리어가 되는 반도체 유기물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 C60(Fullerene Carbon)을 들 수 있다.
P형 유기물질층(130) 또는 N형 유기물질층(140) 중 적어도 하나는 소망하는 컬러의 파장 대역의 광만을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 유기물질로 형성될 수 있다. 소망하는 컬러의 광만을 통과시키고 투과되는 광의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하기 위하여, 적색, 녹색, 청색 화소(100R, 100G, 100B) 별로 서로 다른 유기물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 청색 화소(100B)에서 P형 유기물질층(130) 또는 N형 유기물질층(140)은 청색광 만을 흡수하여 광전변환을 일으키는 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 청색 유닛(100B)는, 청색광 만을 흡수하여 광전변환을 일으키는 물질인 TPD로 증착된 P형 유기물질층(130)과 C60로 증착된 N형 유기물질층(140)으로 이루어질 수 있다. 이러한 구조에서, 수광면으로부터 입사된 광에 의해 P형 유기물질층(130)에서 엑시톤(exciton)이 생성되며, P형 유기물질층(130)은 소망하는 파장의 광을 선택적으로 흡수할 수 있다.
또한, 상기 입체용 화소(200)를 구성하는 유기 광전변환막(제 2 유기 광전변환막)은, P형 유기물질층(130)과 N형 유기물질층(140) 중 적어도 하나가 적외선 영역의 파장을 선택적으로 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 적외선 선택흡수성 물질은 유기안료 등의 유기물질일 수 있는 바, 예를 들어, 프탈로시아닌계, 나프토퀴논계, 나프탈로시아닌계, 피롤계, 고분자축합아조계, 금속착체유기계색소, 안트라퀴논계, 시아닌계, 및 이들의 혼합물 또는 복합체로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 또한 안티몬계 등의 무기물질과 혼합사용할 수도 있으며, 투명성을 확보하기 위해 나노 사이즈의 미세입자를 이용할 수 있다.
도 5 에서는, 제 1, 2 전극(110, 120) 사이에, 제 1 P형 유기물질층(150), 엑시톤 차단층(160) 및 제 2 P형 유기물질층(130), 그것의 하부에 형성된 N형 유기물질층(140)으로 이루어진 유기 광전변환막 적층구조(102)가 형성되어 있다. 이 때, 제 1 P형 유기물질층(150)은 수광면 측에 형성되고, 가시광선 영역 중 소망하는 광은 투과시키며, 소망하는 컬러의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광은 선택적으로 흡수할 수 있는 흡광성 유기물질의 조합으로 이루어진다. 제 2 P형 유기물질층(130)은 제 1 P형 유기물질층(150)의 하부에 형성되고, 소망하는 파장을 흡수할 수 있는 흡광성 유기물질로 이루어진다. N형 유기물질층(140)은 제 2 P형 유기물질층(130)의 하부에 형성되고, PN 접합을 통해 광전변환이 가능하며, 소망하는 컬러광을 전류로 변환할 수 있다. 또한, 제 1 P형 유기물질층(150)에서 형성된 엑시톤이 제 2 P형 유기물질층(130) 방향으로 이동하는 것을 억제시키기 위해 제 1 P형 유기물질층(150)의 하부에는 엑시톤의 이동을 차단할 수 있는 엑시톤 차단층(exciton blocking layer, 160)을 형성될 수 있다. 엑시톤 차단층(160)의 밴드갭 에너지를 제 1 P형 유기물질층(150)에 비해 크게 만들면, 제 1 P형 유기물질층(150)에서 생성된 엑시톤의 에너지가 엑시톤 차단층(160)의 밴드갭 에너지보다 작기 때문에 전자가 이동할 수 없게 된다. 예를 들어, 올리고티오펜계 유도체 중 페닐헥사티오펜(Phenyl hexa thiophene; P6T)은 밴드갭 에너지가 약 2.1 eV 정도로서, 400 ~ 500 nm의 청색광 파장을 선택적으로 흡수할 수 있으므로 적색용 제 1 P형 유기물질층(150)에 효과적으로 사용될 수 있다. 또한, 올리고티오펜계 유도체 중 비페닐트리티오펜(Bi-phenyl-tri-thiophene; BP3T)은 400 ~ 550 nm 범위의 청색광 파장을 효과적으로 차단할 수 있고, 밴드갭 에너지가 약 2.3 eV 정도로서 P6T에 비해 약 0.2 eV 높으므로 적색용 엑시톤 차단층(160)에 효과적으로 사용될 수 있다. 제 2 P형 유기물질층(130)은 가시광선 전 영역의 파장을 흡수할 수 있는 흡광성 유기물질, 예를 들어, CuPc(Copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌 유도체가 사용될 수 있다.
도 6 에 따른 유기 광전변환막 적층구조(101')에는 P형 유기물질층(130)과 N형 유기물질층(140) 사이에 P형 유기재료와 N형 유기재료를 공증착(codeposition) 한 인트린식층(intrinsic layer, 170)이 추가로 형성되어 있다. 예를 들어, 녹색 화소(100G)의 경우, TPD로 이루어진 P형 유기물질층(130), TPD 및 Me-PTC가 공증착된 인트린식층(170), NTCDA로 이루어진 N형 유기물질층(140)으로 이루어질 수 있다.
또한, 도 7에 따른 유기 광전변환막 적층구조(102')는 도 5에 따른 유기 광전변환막 적층구조(102)에서 제 2 P형 유기물질층(130) 및 N형 유기물질층(140) 사이에 P형 유기재료와 N형 유기재료를 공증착(codeposition)한 인트린식층(170)이 추가로 형성되어 있다.
도 8 의 유기 광전변환막 적층 구조(101") 는, 도 6 의 유기 광전변환막 적층 구조(101') 에서 제 1 전극층(110)과 P형 유기물질층(130) 사이에 형성되는 제 1 버퍼층(180) 및 N형 유기물질층(140)과 제 2 전극층(120) 사이에 형성되는 제 2 버퍼층(190)을 더 포함하는 구조이다. 도 9의 유기 광전변환막 적층 구조(102") 는, 도 7의 유기 광전변환막 적층 구조(102')에서 제 1 버퍼층(180) 및 제 2 버퍼층(190)을 더 포함하는 구조이다.
제 1 버퍼층(180)은 P형 유기 반도체 물질로 이루어지며, 전자를 차단하는 역할도 한다. 제 2 버퍼층(190)은 N형 유기 반도체 물질로 이루어지며, 정공을 차단하는 역할도 한다.
구체적인 예로서, 제 1 버퍼층(180)은 폴리에틸렌 디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제 2 버퍼층(190)은 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), LiF, 구리 프탈 로시아닌(copper phthalocyanine), 폴리티오펜 (polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene), 또는 이들의 유도체 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 4 내지 도 9을 참조하여 설명한 유기 광전 변환막(101, 102, 101', 102', 101", 102")은 모두, PN접합 내지 PIN접합이 단일층 구조를 가지고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다층으로 형성함으로써, 흡수하고자 하는 광의 파장대역을 보다 유연하게 넓힐 수 있다.
본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 입체용 컬러 이미지센서의 단면도이다:
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 입체용 컬러 이미지센서의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 입체용 컬러 이미지센서의 단면도이다.
도 4 내지 9는 본 발명의 실시예들에 따른 입체용 컬러 이미지센서에 이용되는 유기 광전변환막 적층 구조의 다양한 예를 나타내는 단면도이다;
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
10, 20, 30: 단위 화소
101, 102, 101', 102', 101", 102": 유기광전변환막
100R, 100G, 100B: 컬러용 화소
200: Z: 입체용 화소
110: 제 1 전극층 120: 제 2 전극층
130: P형 유기물질층 140: N형 유기물질층
170: 인트린식층 180, 190; 버퍼층
Claims (9)
- 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및상기 컬러용 화소와 수직 방향으로 하부 또는 상부에 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소;를 포함하는, 입체용 컬러 이미지센서.
- 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및상기 컬러용 화소와 수평 방향으로 서로 인접하여 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소;를 포함하는, 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 컬러용 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함하고, 상기 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소는 수평 방향으로 서로 이웃하여 배치되거나, 수직 방향으로 적층하여 배치되는, 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 입체용 화소의 상부 또는 제 2 유기 광전변환막의 상부에는 가시광선의 파장 대역의 광을 흡수하는 물질로 이루어진 가시광선 흡수층; 이 더 형성된 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막은 상기 제1 전극상에 형성되는 P형 유기물질층과, 상기 P형 유기물질층 상에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하고, 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층은 PN 접합을 이루는, 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 유기 광전변환막에서 P형 유기물질층 또는 N형 유기물질층은, 수 광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광만을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 유기 물질로 형성된, 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 유기 광전변환막은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 1 P형 유기물질층, 상기 제 1 P형 유기물질층의 하부에 형성되어 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 2 P형 유기물질층, 및 상기 제 2 P형 유기물질층의 하부에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하는, 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 유기 광전변환막은, P형 유기물질층과 N형 유기물질층 중 적어도 하나가 적외선 영역의 파장을 선택적으로 흡수하는 물질로 이루어진, 입체용 컬러 이미지센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층 사이에 개재되고, P형 유기물질과 N형 유기물질이 공증착되어 형성되는 인트린식층; 및/또는상기 제 1 전극층과 상기 P형 유기물질층 사이 또는 상기 N형 유기물질층과 상기 제 2 전극층 사이에 형성되는 버퍼층;을 더 포함하는 입체용 컬러 이미지센서.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090109215A KR101666600B1 (ko) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | 유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090109215A KR101666600B1 (ko) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | 유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110052256A true KR20110052256A (ko) | 2011-05-18 |
KR101666600B1 KR101666600B1 (ko) | 2016-10-17 |
Family
ID=44362395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090109215A KR101666600B1 (ko) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | 유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101666600B1 (ko) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012165691A1 (ko) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | (주)에이직뱅크 | 입체 이미지 센서 패키지 및 그 제조방법 |
US9130180B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor with organic photoelectric layer |
KR20160009953A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 소자 및 이미지 센서 |
KR20160018029A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 |
US9293489B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor |
US9343492B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor based on thin-film on asic and operating method thereof |
US20160227194A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical imaging system for 3d image acquisition apparatus and 3d image acquisition apparatus including the optical imaging system |
US10490592B2 (en) | 2015-10-02 | 2019-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stacked image sensor |
US11664400B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and electronic apparatus including the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102491496B1 (ko) | 2018-01-05 | 2023-01-20 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 |
KR102673656B1 (ko) | 2018-02-05 | 2024-06-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 전자 장치 |
WO2021121540A1 (en) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Depth estimation system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060065551A (ko) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | 소니 가부시끼 가이샤 | 물리 정보 취득 방법 및 물리 정보 취득 장치, 복수의 단위구성요소가 배열되어서 되는 물리량 분포 검지의 반도체장치의 제조 방법, 수광 소자 및 그 제조 방법, 고체 촬상소자 및 그 제조 방법 |
JP2006210701A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR20080113623A (ko) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | (주)한비젼 | 와이드 스펙트럼 영상 소자 및 그 제조방법 |
JP2009272620A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 積層型イメージセンサー |
-
2009
- 2009-11-12 KR KR1020090109215A patent/KR101666600B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060065551A (ko) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | 소니 가부시끼 가이샤 | 물리 정보 취득 방법 및 물리 정보 취득 장치, 복수의 단위구성요소가 배열되어서 되는 물리량 분포 검지의 반도체장치의 제조 방법, 수광 소자 및 그 제조 방법, 고체 촬상소자 및 그 제조 방법 |
JP2006210701A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR20080113623A (ko) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | (주)한비젼 | 와이드 스펙트럼 영상 소자 및 그 제조방법 |
JP2009272620A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 積層型イメージセンサー |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012165691A1 (ko) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | (주)에이직뱅크 | 입체 이미지 센서 패키지 및 그 제조방법 |
US9130180B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor with organic photoelectric layer |
US9293489B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor |
US9343492B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor based on thin-film on asic and operating method thereof |
KR20160009953A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 소자 및 이미지 센서 |
KR20160018029A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 |
US20160227194A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical imaging system for 3d image acquisition apparatus and 3d image acquisition apparatus including the optical imaging system |
US10869018B2 (en) | 2015-01-30 | 2020-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical imaging system for 3D image acquisition apparatus and 3D image acquisition apparatus including the optical imaging system |
US10490592B2 (en) | 2015-10-02 | 2019-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stacked image sensor |
US11664400B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and electronic apparatus including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101666600B1 (ko) | 2016-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101666600B1 (ko) | 유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서 | |
KR102410028B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
US20210233963A1 (en) | Image sensors and electronic devices | |
KR102673658B1 (ko) | 유기 광전 소자 및 이미지 센서 | |
US10043840B2 (en) | Image sensor and electronic device including the same | |
KR102547655B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
WO2016203724A1 (en) | Solid state imaging element and method for manufacturing solid state imaging element, photoelectric conversion element, imaging device, and electronic device | |
JP2004165242A (ja) | カラー撮像素子及びカラー受光素子 | |
CN106992252B (zh) | 有机光电器件、图像传感器和电子设备 | |
US11849597B2 (en) | Sensors and electronic devices | |
KR102547654B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
KR101703311B1 (ko) | 적외선 센서, 이를 포함하는 터치패널 및 입체용 컬러 이미지센서 | |
KR20120103912A (ko) | 유기 광전 변환부를 채용한 이미지 센서 | |
KR101980199B1 (ko) | 유기 광전 변환부를 채용한 이미지 센서 | |
US10002898B2 (en) | Image sensor and electronic device including the same | |
KR101653744B1 (ko) | 수광소자 및 이를 포함한 촬상소자 | |
JP2007059487A (ja) | 光電変換膜積層型固体撮像素子 | |
KR20200056286A (ko) | 광전 변환 소자, 유기 센서 및 전자 장치 | |
KR101468592B1 (ko) | 유기 광전 변환막, 광전 변환 소자 및 이미지 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190910 Year of fee payment: 4 |