KR20110034512A - Verification system on mask data using reverse mask tooling specification - Google Patents

Verification system on mask data using reverse mask tooling specification Download PDF

Info

Publication number
KR20110034512A
KR20110034512A KR1020090092055A KR20090092055A KR20110034512A KR 20110034512 A KR20110034512 A KR 20110034512A KR 1020090092055 A KR1020090092055 A KR 1020090092055A KR 20090092055 A KR20090092055 A KR 20090092055A KR 20110034512 A KR20110034512 A KR 20110034512A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
data
layout
inspection
error
Prior art date
Application number
KR1020090092055A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101051687B1 (en
Inventor
김영철
김기현
장현호
김소연
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR1020090092055A priority Critical patent/KR101051687B1/en
Publication of KR20110034512A publication Critical patent/KR20110034512A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101051687B1 publication Critical patent/KR101051687B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PURPOSE: A mask data verifying system using a reverse mask tooling specification is provided to easily detect an error by secondly inspecting a second layout using the same database as a first inspection process. CONSTITUTION: A first layout is generated(S201). A first inspection is performed on the first layout(S202). The first layout is changed into mask GDS(Graphic Data System) data by writing a mask tooling specification(S205). The mask GDS data is changed into a second layout by writing a reverse mask tooling specification(S208). A second inspection is performed on the second layout by using the same database as the first inspection(S209).

Description

리버스 마스크 툴링 스펙을 이용한 마스크 데이터 검증 시스템{VERIFICATION SYSTEM ON MASK DATA USING REVERSE MASK TOOLING SPECIFICATION}VERIFICATION SYSTEM ON MASK DATA USING REVERSE MASK TOOLING SPECIFICATION}

본 발명은 반도체 장치의 제조 기술에 관한 것으로, 특히 마스크 제조공정시 리버스 마스크 툴링 스펙(reverse mask tooling specification)을 이용한 마스크 데이터 검증 시스템(mask data verification system)에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to manufacturing techniques for semiconductor devices, and more particularly, to a mask data verification system using a reverse mask tooling specification in a mask manufacturing process.

최근 시장 상황의 급변에 의해 신기술공정(New technology Process)에 대한 개발 요구가 빈번해지고 있다. 특히, 칩사이즈 감소(Chip size Shrink) 및 공정의 단순화 요구로 인하여 마스크 툴링 스펙(mask tooling specification)의 작성 난이도는 급격히 증가하고 있는 상황이다. 이러한 마스크 툴링 스펙의 작성 난이도 증가는 마스크 툴링의 에러(error) 증가로 이어지고 있으며, 마스크 제조시간 및 제조비용의 증가를 야기하는 주요한 요소(factor)로 작용한다. Recently, due to the rapid change in the market situation, the demand for development of new technology process is increasing. In particular, the difficulty of writing a mask tooling specification is rapidly increasing due to the demand for chip size shrink and process simplification. The increasing difficulty of writing such a mask tooling specification leads to an increase in error of mask tooling, which is a major factor causing an increase in mask manufacturing time and manufacturing cost.

도 1은 종래기술에 따른 마스크 제조공정을 도시한 순서도이다. 1 is a flowchart illustrating a mask manufacturing process according to the prior art.

도 1을 참조하여 종래기술에 따른 마스크 제조공정을 살펴보면, 캐 드(Computer Aided Design, CAD)와 같은 그래픽프로그램(graphic program)을 이용하여 레이아웃(Layout)을 작성한다(S101). Referring to the mask manufacturing process according to the prior art with reference to Figure 1, a layout (Layout) is created using a graphic program (Computer Aided Design, CAD) (S101).

다음으로, 작성된 레이아웃과 설계(회로도식)을 비교하는 LVS(Layer Versus Schematic) 검사 및 DRC(Design Rule Check, 설계 규칙 검사) 검사를 실시한다(S102). 이때, LVS 검사 및 DRC 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 레이아웃 작성(또는 수정)과 LVS 검사 및 DRC 검사를 반복 진행한다. Next, LVS (Layer Versus Schematic) inspection and DRC (Design Rule Check) inspection are performed to compare the created layout with the design (schematic diagram) (S102). At this time, layout creation (or modification) and LVS check and DRC check are repeated until no error is detected in the LVS check and the DRC check.

다음으로, LVS 검사 및 DRC 검사에서 에러가 검출되지 않으면 작성된(또는 수정된) 레이아웃을 이용하여 GDS(Graphic Data System) 데이터를 생성한다(S103).Next, when an error is not detected in the LVS test and the DRC test, GDS (Graphic Data System) data is generated using the created (or modified) layout (S103).

다음으로, 생성된 GDS데이터를 바탕으로 마스크 툴링 스펙을 작성한다(S104). 여기서, 마스크 툴링 스펙 작성은 공정비용 절감을 위해 레이아웃 대비 마스크 갯수를 감소시키기 위하여 비슷한 구조를 갖는 레이아웃을 통합하는 작업을 의미한다. Next, a mask tooling specification is created based on the generated GDS data (S104). Here, the mask tooling specification is written to integrate a layout having a similar structure in order to reduce the number of masks compared to the layout in order to reduce the process cost.

다음으로, 작성된 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 마스크 샵(mask shop)에서 MEBES데이터를 생성한다(S105). 참고로, MEBES데이터는 어플라이드 머티리얼사(Applied Materials)에서 제공하는 마스크 제조용 데이터 포맷이다. Next, MEBES data is generated in a mask shop based on the created mask tooling specification (S105). For reference, MEBES data is a mask manufacturing data format provided by Applied Materials.

다음으로, GDS데이터 및 마스크 툴링 스펙과 MEBES데이터를 비교하여 MEBES데이터에서의 에러발생 여부를 검사한다(S106). 이때, MEBES데이터에서 에러가 검출되지 않을때까지 마스크 툴링 스펙 작성(또는 수정, S104), MEBES데이터 생성(S105) 및 검사(S106)를 반복 수행한다. Next, the GDS data and the mask tooling specification and the MEBES data are compared to check whether an error occurs in the MEBES data (S106). At this time, mask tooling specification creation (or correction, S104), MEBES data generation (S105), and inspection (S106) are repeated until no error is detected in the MEBES data.

다음으로, MEBES데이터에 이상이 없을 경우에 마스크를 제작한다(S107). Next, when there is no abnormality in the MEBES data, a mask is produced (S107).

하지만, 종래기술에서 마스크 툴링 스펙의 작성은 엔지니어(Engineer)의 노하우(Knowhow)에 의지하여 진행되기 때문에 에러 특히, 인적에러(Human error)가 쉽게 발생하는 문제점이 있다. 또한, 지금까지 마스크 툴링 스펙을 검증할 수 있는 상업용 툴(Tool)이 개발되어 있지 않기에 인적에러 발생에 대한 부담이 지속적으로 증가하는 문제점이 있다. 또한, MEBES데이터에서의 에러발생 여부에 대한 검사시 엔지니어에 의한 육안검사를 통해 GDS데이터 및 마스크 툴링 스펙과 MEBES데이터를 비교하기 때문에 인적에러에 대한 부담이 더욱더 증가하는 문제점이 있다. 상술한 인적에러에 대한 부담 증가는 결과적으로 마스크 제조시간 및 제조비용의 증가를 유발시키고, 마스크의 품질을 저하시키는 요인으로 작용한다. However, in the prior art, the preparation of the mask tooling specification has a problem in that an error, in particular, a human error is easily generated because it proceeds based on an engineer's knowhow. In addition, there is a problem that the burden on human error is continuously increased because no commercial tool has been developed that can verify the mask tooling specification. In addition, there is a problem in that the burden on human error is further increased because the GDS data and the mask tooling specification are compared with the MEBES data through visual inspection by an engineer when checking whether an error occurs in the MEBES data. Increasing the burden on human error, as a result, causes an increase in mask manufacturing time and manufacturing cost, and acts as a factor for degrading the quality of the mask.

또한, 종래기술에서 마스크 툴링 스펙 작성까지의 공정스텝은 마스크를 개발하는 연구소 단위에서 수행하고, MEBES데이터 생성은 연구소 외부의 마스크 샵에서 이루어지기 때문에 마스크 제조시간 및 제조비용이 증가하는 문제점이 있다. 또한, MEBES데이터에서 에러가 검출된 경우에 이를 보정(또는 수정)하는 과정에서 연구소와 마스크 샵을 복수회 경유해야하기 때문에 마스크 제조시간 및 제조비용이 더욱더 증가하는 문제점이 있다. In addition, in the prior art, the process steps up to the creation of the mask tooling specification are performed at a laboratory unit for developing a mask, and since MEBES data generation is performed at a mask shop outside the laboratory, mask manufacturing time and manufacturing cost increase. In addition, when an error is detected in the MEBES data, a mask manufacturing time and a manufacturing cost are further increased because it has to pass through a laboratory and a mask shop a plurality of times in the process of correcting (or correcting) the error.

또한, MEBES데이터를 육안으로 확인하기 위해서는 고가의 툴(예컨대, K2)이 필요하며, MEBES데이터의 에러의 보완하는 과정이 반복될수록 툴 사용이 증가하기 때문에 추가 라이센스(license) 구매 비용이 발생하는 문제점이 있다.In addition, an expensive tool (eg, K2) is required to visually check the MEBES data, and as the use of the tool increases as the error correction process of the MEBES data is repeated, an additional license purchase cost occurs. There is this.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 마스크 제조시간 및 제조비용을 감소시킬 수 있는 마스크 데이터 검증 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide a mask data verification system that can reduce the mask manufacturing time and manufacturing cost.

또한, 본 발명은 마스크 제조시 에러(또는 인적에러)에 대한 부담을 경감시킬 수 있는 마스크 데이터 검증 시스템을 제공하는데 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a mask data verification system that can reduce the burden on errors (or human errors) in manufacturing a mask.

상기 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명의 마스크 데이터 검증 시스템은 제1레이아웃을 생성하는 단계; 상기 제1레이아웃에 대한 1차 검사를 실시하는 단계; 상기 1차 검사에서 에러가 검출되지 않으면, 마스크 툴링 스펙(mask tooling specification)을 작성하여 상기 제1레이아웃을 마스크용 GDS데이터로 변환시키는 단계; 리버스(reverse) 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 제2레이아웃으로 변환시키는 단계 및 상기 제2레이아웃에 대해 상기 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시하는 단계를 포함하고, 상기 2차 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 상기 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 제1레이아웃을 마스크용 GDS데이터로 변환시키는 단계, 상기 리버스 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 제2레이아웃으로 변환시키는 단계 및 상기 제2레이아웃에 대해 상기 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시하는 단계를 반복수행하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a mask data verification system comprising: generating a first layout; Conducting a first inspection of the first layout; If no error is detected in the first inspection, creating a mask tooling specification and converting the first layout into mask GDS data; Creating a reverse mask tooling specification to convert the GDS data for the mask to a second layout and performing a second inspection on the second layout using the same database as the first inspection; Creating the mask tooling specification and converting the first layout to mask GDS data until no error is detected in the secondary inspection; creating the reverse mask tooling specification to convert the mask GDS data to the second And converting the layout into a layout and performing a second inspection on the second layout using the same database as the first inspection.

상술한 과제 해결 수단을 바탕으로 하는 본 발명은, 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 생성된 제2레이아웃에 대해 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시함으로써, 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 발생된 에러(즉, 인적에러)를 용이하게 검출할 수 있는 효과가 있다.The present invention based on the above-described problem solving means, in the process of creating a mask tooling specification by performing a second inspection using the same database as the first inspection on the second layout generated through the reverse mask tooling specification There is an effect that can easily detect the generated error (ie, human error).

결과적으로, 본 발명은 리버스 마스크 툴링 스펙을 이용하여 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 발생된 에러를 용이하게 검출할 수 있기 때문에 마스크 제조시간 및 제조비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. As a result, the present invention has an effect of reducing the mask manufacturing time and manufacturing cost because it is easy to detect an error generated in the process of creating a mask tooling specification using the reverse mask tooling specification.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention.

이하에서는, 마스크(mask) 제조시간 및 제조비용을 감소시킬 수 있는 마스크 데이터 검증 시스템(mask data verification system)을 제공한다. 여기서, 마스크는 포토마스크(photo mask) 및 레티클(reticle)를 포함한다. 이를 위한 본 발명의 실시예에서는 DRC(Design Rule Check) 검사 및 LVS(Layer Versus Schematic) 검사를 통과한 레이아웃(Layout)을 마스크 툴링 스펙(mask tooling specification)을 통해 마스크용 GDS데이터로 변환시키고, 변환된 마스크용 GDS데이터를 리버스(reverse) 마스크 툴링 스펙을 이용하여 다시 레이아웃으로 변환시킨 후에 최초 레이아웃을 검사할 때 사용한 데이터베이스를 기반으로하는 DRC 검사 및 LVS 검사를 변환된 레이아웃을 대상으로 실시하여 마스크 툴링 스펙의 에러발생 여부를 검출하는 마스크 데이터 검증 시스템을 제공한다.In the following, a mask data verification system that can reduce mask manufacturing time and manufacturing cost is provided. Here, the mask includes a photo mask and a reticle. In the embodiment of the present invention, the layout that passes the DRC (Layer Versus Schematic) test and the LVS (Layer Versus Schematic) test are converted into GDS data for the mask through a mask tooling specification and converted. After the converted GDS data for the mask is converted back into the layout using the reverse mask tooling specification, the mask tooling is performed by performing the DRC inspection and the LVS inspection based on the database used for the initial layout inspection. It provides a mask data verification system that detects whether an error occurs in the specification.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 제조공정을 도시한 순서도이고, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 검증 시스템을 적용한 레이아웃 및 마스크를 도시한 평면도이다. 여기서, 도 3a는 제1레이아웃을 도시한 평면도, 도 3b는 마스크용 GDS데이터를 도시한 평면도, 도 3c는 제2레이아웃을 도시한 평면도이다. 2 is a flowchart illustrating a mask manufacturing process according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3C are plan views illustrating a layout and a mask to which a mask verification system is applied according to an embodiment of the present invention. 3A is a plan view showing the first layout, FIG. 3B is a plan view showing the GDS data for the mask, and FIG. 3C is a plan view showing the second layout.

도 2를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 제조공정을 살펴보면, 캐드(Computer Aided Design, CAD), EDA(Electronic Design Automation)와 같은 그래픽프로그램(graphic program)을 이용하여 제1레이아웃을 작성한다(S201). 여기서, 제1레이아웃은 각각의 계층별로 도시된 복수의 레이아웃을 포함한다. Looking at the mask manufacturing process according to an embodiment of the present invention with reference to Figure 2, the first layout is created using a graphic program such as CAD (Computer Aided Design, CAD), EDA (Electronic Design Automation) (S201). Here, the first layout includes a plurality of layouts shown for each layer.

본 발명의 일실시예에서는 도 3a에 도시된 바와 같이, 캐드와 같은 그래픽프로그램을 이용하여 작성된 초기 레이아웃 즉, 제1레이아웃이 제1층 레이아웃 및 제2층 레이아웃으로 이루어진 경우를 예시하여 도시하였다. 구체적으로, 제1레이아웃은 도전패드(13) 상에 복수의 콘택플러그(14)가 형성된 구조로, 제1층 레이아웃에는 제1 및 제2도전패드(11, 12)로 이루어진 도전패드(13)층이 도시되어 있고, 제2 층 레이아웃에는 제1 및 제2도전패드(11, 12)와 각각 접하는 콘택플러그(14)가 도시되어 있다. In the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3A, the initial layout, that is, the first layout, which is created by using a graphic program such as CAD, is illustrated as an example of the first layer layout and the second layer layout. Specifically, the first layout has a structure in which a plurality of contact plugs 14 are formed on the conductive pad 13, and the conductive pad 13 including the first and second conductive pads 11 and 12 is disposed in the first layer layout. Layers are shown, and contact plugs 14 in contact with the first and second conductive pads 11, 12 are shown in the second layer layout.

다음으로, 제1레이아웃에 대한 1차 검사를 실시한다(S202). 이때, 1차 검사는 LVS 검사 및 DRC 검사를 사용하여 실시할 수 있다. 이때, 1차 검사에서 에러(error)가 검출될 경우에는 제1레이아웃을 작성(또는 수정, S201)한 후에 다시 1차 검사(S202)를 진행하는 과정을 1차 검사(S202)에서 에러가 검출되지 않을때까지 반복 수행한다. Next, the first inspection is performed on the first layout (S202). In this case, the primary test may be performed using the LVS test and the DRC test. In this case, when an error is detected in the first inspection, the process of performing the first inspection (S202) after creating (or modifying, S201) the first layout is detected in the first inspection (S202). Repeat until it does not work.

다음으로, 1차 검사(S202)에서 에러가 검출되지 않으면 작성된(또는 수정된) 제1레이아웃을 이용하여 제1GDS(Graphic Data System)데이터를 생성한다(S203). 여기서, GDS(Graphic Data System)데이터는 마스크를 생성하기 위한 데이터 포맷(data format)으로, 제1레이아웃에 도시된 구조물과 제1GDS데이터에 도시된 구조물이 서로 동일하다. 즉, 제1GDS데이터를 생성하는 단계(S203)는 제1레이아웃을 이용하여 마스크를 생성하기 위해서 캐드와 같은 그래픽프로그램으로 생성된 제1레이아웃의 데이터 포맷을 마스크 생성이 용이한 데이터 포맷으로 변환하는 단계라고도 할 수 있다. 참고로, GDS데이터는 계층적 레이아웃을 나타내는 데이터로 기작성된 라이브러리(Library)의 조합으로 레이아웃을 표현할 수 있기 때문에 데이터의 크기가 작고, 핸들링(Handling)이 용이하다는 장점이 있어 마스크를 개발하는 연구소 단위에서 활용이 용이한 데이터 포맷이다. Next, when no error is detected in the first inspection S202, first GDS (Graphic Data System) data is generated using the created (or modified) first layout (S203). Here, the GDS (Graphic Data System) data is a data format for generating a mask, and the structure shown in the first layout and the structure shown in the first GDS data are the same. That is, generating the first GDS data (S203) may include converting a data format of a first layout generated by a graphic program such as CAD into a data format that is easy to generate a mask in order to generate a mask using the first layout. It can also be called. For reference, GDS data is hierarchical layout data, and the layout can be expressed by a combination of pre-written libraries. Therefore, the size of the data is small and the handling is easy. Easy to use data format.

다음으로, 제1GDS데이터를 바탕으로 마스크 툴링 스펙(mask tooling specification)을 작성한다(S204). 여기서, 마스크 툴링 스펙의 작성은 마스크 제 조비용을 절감하기 위해 레이아웃 대비 마스크의 갯수를 감소시키 위하여 비슷한 구조를 갖는 레이아웃들을 통합하는 작업을 의미한다. 이때, 마스크 툴링 스펙은 더하기, 빼기, 곱하기 및 크기조절(sizing)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상의 연산자를 이용하여 작성할 수 있다. Next, a mask tooling specification is created based on the first GDS data (S204). Here, the writing of a mask tooling specification refers to a task of integrating layouts having a similar structure in order to reduce the number of masks compared to the layout in order to reduce the mask manufacturing cost. In this case, the mask tooling specification may be written using one or more operators selected from the group consisting of addition, subtraction, multiplication, and sizing.

다음으로, 작성된 마스크 툴링 스펙을 이용하여 마스크용 GDS데이터를 생성한다(S205). 즉, 마스크 툴링 스펙을 이용하여 제1GDS데이터를 마스크용 GDS데이터로 변환시킨다. 이때, 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 생성된 마스크용 GDS데이터는 후속 리버스 마스크 툴링 스펙의 작성을 위한 것으로, 마스크용 GDS데이터로 나타낸 구조물은 제1레이아웃을 바탕으로 생성된 제1GDS데이터에 도시된 구조물과는 서로 다른 형태를 갖는다. 이는 마스크용 GDS데이터가 마스크 툴링 스펙을 통해 구조물이 비슷한 형태를 갖는 레이아웃들을 통합하여 생성한 것이기 때문이다. Next, mask GDS data is generated using the created mask tooling specification (S205). That is, the first GDS data is converted into the GDS data for the mask by using the mask tooling specification. At this time, the mask GDS data generated based on the mask tooling specification is for the preparation of the reverse reverse mask tooling specification, and the structure represented by the mask GDS data is the structure shown in the first GDS data generated based on the first layout. Have different forms. This is because the GDS data for the mask is generated by integrating layouts in which the structures have similar shapes through the mask tooling specification.

한편, 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 에러가 발생하게 되면, 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 생성된 마스크용 GDS데이터에도 에러가 발생하게 된다. 구체적으로, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 최초 제1레이아웃의 제1층 레이아웃에 도시된 도전패드(13)는 사각형 형태를 갖는 제1 및 제2도전패드(11, 12)가 서로 분리된 구조로 도시되어 있으나, 마스크 툴링 스펙의 에러로 인해 마스크용 GDS데이터에서는 제1 및 제2도전패드(11, 12)가 서로 연결된 직사각형 형태의 도전패드(13A)로 도시될 수 있다. On the other hand, if an error occurs in the process of creating a mask tooling specification, an error also occurs in the mask GDS data generated based on the mask tooling specification. Specifically, as illustrated in FIGS. 3A and 3B, the conductive pads 13 illustrated in the first layer layout of the first layout may be separated from each other by the first and second conductive pads 11 and 12 having a rectangular shape. Although shown in the illustrated structure, due to an error in the mask tooling specification, in the mask GDS data, the first and second conductive pads 11 and 12 may be illustrated as rectangular conductive pads 13A connected to each other.

다음으로, 마스크 툴링 스펙의 에러를 검출하기 위해 마스크용 GDS데이터를 바탕으로 리버스 마스크 툴링 스펙을 작성한다(S206). 여기서, 리버스 마스크 툴링 스펙의 작성은 마스크용 GDS데이터를 다시 GDS데이터로 변환시키기 위한 것으로, 더하기, 빼기, 곱하기 및 크기조절로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상의 연사자를 사용하여 작성할 수 있다. Next, in order to detect an error of the mask tooling specification, a reverse mask tooling specification is created based on the mask GDS data (S206). The reverse mask tooling specification is used to convert the GDS data for the mask back to the GDS data, and may be written using any one or more speakers selected from the group consisting of addition, subtraction, multiplication, and scaling.

다음으로, 작성된 리버스 마스크 툴링 스펙을 사용하여 마스크용 GDS데이터를 제2GDS데이터로 변환(S207)시킨 후, 제2GDS데이터를 이용하여 제2레이아웃을 생성한다(S208). 이때, 제1레이아웃 및 제1GDS데이터와 마찬가지로 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 생성된 제2GDS데이터 및 제2레이아웃은 데이터 포맷만 서로 다를 뿐 각각에 도시된 구조물의 형태는 서로 동일하다. Next, after converting the mask GDS data into the second GDS data using the created reverse mask tooling specification (S207), a second layout is generated using the second GDS data (S208). In this case, like the first layout and the first GDS data, the second GDS data and the second layout generated through the reverse mask tooling specification have only the data format, but the shapes of the structures shown in each are the same.

여기서, 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 생성된 제2레이아웃은 마스크용 GDS데이터를 바탕으로 생성된 것이기 때문에 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1층 레이아웃에는 직사각형 형태의 단일 패턴으로 이루어진 도전패드(13A)가 도시되고, 제2층 레이아웃에는 복수개의 콘택플러그(14)가 도시된다. 즉, 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 발생된 에러가 반영된 제2레이아웃을 획득할 수 있다.Here, since the second layout generated through the reverse mask tooling specification is generated based on the GDS data for the mask, as illustrated in FIG. 3C, the first layer layout includes a conductive pad 13A having a single pattern having a rectangular shape. And a plurality of contact plugs 14 are shown in the second layer layout. That is, a second layout reflecting an error generated in the process of creating a mask tooling specification may be obtained through the reverse mask tooling specification.

다음으로, 제2레이아웃에 대해 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시한다(S209). 또한, 2차 검사는 1차 검사와 동일한 방법 즉, DRC 검사 및 LVS 검사를 사용하여 실시할 수 있다. Next, the second inspection is performed on the second layout using the same database as the first inspection (S209). In addition, the secondary test may be performed using the same method as the primary test, that is, the DRC test and the LVS test.

여기서, 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 에러가 발생하지 않았다면, 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 생성된 제2레이아웃은 제1레이아웃과 동일한 형태를 갖게 된다. 따라서, 제2레이아웃에 대해 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이 용하여 2차 검사 즉, DRC 검사 및 LVS 검사를 실시하더라도 에러가 검출되지 않는다. Here, if no error occurs in the process of creating the mask tooling specification, the second layout generated through the reverse mask tooling specification has the same shape as the first layout. Therefore, even if the second check, that is, the DRC check and the LVS check, is performed using the same database as the first check for the second layout, no error is detected.

하지만, 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 에러가 발생하였다면, 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 생성된 제2레이아웃은 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 발생된 에러를 반영하고 있기 때문에 제1레이아웃과 제2레이아웃은 서로 다른 형태를 갖게 된다. 따라서, 제2레이아웃에 대해 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시하면 손쉽게 제2레이아웃의 에러 즉, 마스크 툴링 스펙의 에러를 용이하게 검출할 수 있다. However, if an error occurs in the process of writing the mask tooling specification, the second layout generated through the reverse mask tooling specification reflects the error generated in the process of writing the mask tooling specification. Will have different forms. Therefore, if the second inspection is performed on the second layout using the same database as the first inspection, an error of the second layout, that is, an error of the mask tooling specification can be easily detected.

구체적으로 도 3a 및 도 3c를 비교해보면, 제1레이아웃에서는 전기적으로 서로 분리된 제1 및 제2도전패드(11, 12)에 각각의 콘택플러그(14)가 연결되는 구조를 갖는데 반해, 마스크 툴링 스펙에 에러가 반영된 제2레이아웃에서는 도전패드(13A)가 단일 패턴으로 이루어져 하나의 도전패드에 두개의 콘택플러그(14)가 연결된 형태를 갖는다. 이러한 상태에서 1차 검사와 동일한 데이터베이스 및 동일한 검사방법을 사용하여 제2레이아웃에 대한 2차 검사 즉, LVS 검사 및 DRC 검사를 수행하게 되면, LVS 검사에서 제1 및 제2도전패드(11, 12)가 서로 브릿지된 것으로 인식되기 때문에 손쉽게 에러발생 여부를 검출할 수 있다. 3A and 3C, in the first layout, the contact plugs 14 are connected to the first and second conductive pads 11 and 12 that are electrically separated from each other, whereas the mask tooling is performed. In the second layout in which an error is reflected in the specification, the conductive pads 13A are formed in a single pattern, and two contact plugs 14 are connected to one conductive pad. In this state, when the second test, that is, the LVS test and the DRC test, is performed on the second layout using the same database and the same test method as the first test, the first and second conductive pads 11 and 12 in the LVS test. ) Are recognized as bridged with each other, so it is easy to detect whether an error has occurred.

상술한 바와 같이, 제2레이아웃에 대한 2차 검사시 에러가 검출될 경우에는 2차 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 마스크 툴링 스펙 작성(또는 수정, S204), 마스크용 GDS데이터 생성(S205), 리버스 마스크 툴링 스펙 작성(S206), 제2GDS데이터 생성(S207), 제2레이아웃 생성(S208) 및 2차 검사(S209)를 반복수행한 다. As described above, when an error is detected in the secondary inspection for the second layout, the mask tooling specification is created (or modified, S204) until the error is not detected in the secondary inspection, and the mask GDS data generation (S205). The reverse mask tooling specification is created (S206), the second GDS data generation (S207), the second layout generation (S208), and the secondary inspection (S209) are repeatedly performed.

한편, 상술한 제1레이아웃 생성(S201)으로부터 2차 검사(S209)까지의 공정스텝은 마스크를 개발하는 연구소 단위에서 수행한다. On the other hand, the above-described process steps from the first layout generation (S201) to the secondary inspection (S209) is performed by a laboratory unit for developing a mask.

다음으로, 2차 검사시 에러가 검출되지 않으면 작성된(또는 수정된) 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 마스크 샵에서 MEBES데이터를 생성한다(S210). 참고로, MEBES데이터는 어플라이드 머티리얼사(Applied Materials)에서 제공하는 마스크 제조용 데이터 포맷으로 이빔데이터(E-Beam data)라고도 불리우며, 마스크에 도시될 각 구조물의 위치정보를 나타내기 때문에 데이터의 크기가 크고 핸들링이 어려우며, MEBES데이터를 확인하기 위해서는 고가의 툴(예컨대, K2)을 필요로한다. Next, when no error is detected during the second inspection, the MEBES data is generated in the mask shop based on the created (or modified) mask tooling specification (S210). For reference, MEBES data is a mask manufacturing data format provided by Applied Materials, also called E-Beam data, and has a large data size because it represents position information of each structure to be shown in the mask. Handling is difficult and requires expensive tools (eg K2) to view MEBES data.

다음으로, MEBES데이터와 마스크용 GDS데이터간의 일치여부를 검사하여 MEBES데이터에서의 에러발생 여부를 검사하는 3차 검사를 실시한다(S211). 이때, 3차 검사는 엔지니어에 의한 육안검사(eye check)를 통해 실시할 수 있다. Next, a third inspection is performed to check whether there is an error in the MEBES data by checking whether the MEBES data and the GDS data for the mask are matched (S211). In this case, the third inspection may be performed through an eye check by an engineer.

여기서, 마스크용 GDS데이터와 MEBES데이터는 데이터 포맷만 서로 다를 뿐 각각에 도시된 구조물은 서로 동일한 형태를 갖는다. 이는 마스크용 GDS데이터 및 MEBES데이터가 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 생성된 데이터들이기 때문이다. 따라서, 3차 검사시 GDS데이터 및 마스크 툴링 스펙과 MEBES데이터를 서로 비교하여 MEBES데이터에서의 에러발생 여부를 검출하는 방법에 비하여 본 발명의 일실시예에 따른 서로 동일한 형태를 갖는 마스크용 GDS데이터와 MEBES데이터를 서로 비교하는 방법을 사용하면 보다 효과적으로 MEBES에서의 에러발생 여부를 검출할 수 있으며, 3차 검사시 엔지니어에 의한 에러(즉, 인적에러)가 발생할 확률을 획기적으로 감소 시킬 수 있다. Here, the GDS data for the mask and the MEBES data only have different data formats, and the structures illustrated in the masks have the same shape. This is because the mask GDS data and the MEBES data are generated based on the mask tooling specification. Therefore, when comparing the GDS data, mask tooling specification and MEBES data in the third inspection and detecting whether an error occurs in the MEBES data, the mask GDS data having the same shape as each other according to an embodiment of the present invention and Comparing MEBES data with each other makes it possible to detect errors in MEBES more effectively and dramatically reduce the probability of errors (ie human error) caused by engineers during the third inspection.

다음으로, 3차 검사과정에서 에러가 검출된 경우에는 3차 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 마스크 툴링 스펙 작성(또는 수정, S204), 마스크용 GDS데이터 생성(S205), 리버스 마스크 툴링 작성(S206), 제2GDS데이터 생성(S207), 제2레이아웃 생성(S208) 및 2차 검사(S209)를 반복 수행하고, 2차 검사(S209)에서 에러가 검출되지 않으면 MEBES데이터를 생성(S210) 및 3차 검사(S211)를 반복 수행한다. Next, if an error is detected in the third inspection process, a mask tooling specification is created (or modified, S204), a mask GDS data generation (S205), and a reverse mask tooling is created until an error is not detected in the third inspection. S206), the second GDS data generation (S207), the second layout generation (S208), and the secondary inspection (S209) are repeated, and if no error is detected in the secondary inspection (S209), MEBES data is generated (S210) and The third inspection (S211) is repeated.

여기서, 본 발명의 일실시예에 따르면 MEBES데이터를 생성하기 이전에 마스크 툴링 스펙 작성시 발생된 에러를 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 용이하게 검출할 수 있기 때문에 3차 검사에서 에러가 검출될 확률을 획기적으로 감소시킬 수 있다. 즉, 마스크를 개발하는 연구소 단위에서 이루어지는 제1레이아웃 생성(S201)으로부터 2차 검사(S209)까지의 공정스텝을 통해 마스크 툴링 스펙에 대한 에러를 손쉽게 검출할 수 있기 때문에 3차 검사에서 에러가 검출될 확률을 획기적으로 감소시킬 수 있다. 이를 통해, 연구소와 마스크 샵 사이의 경유 횟수 또한 획기적으로 감소시킬 수 있으며, MEBES데이터의 복수회 확인에 따른 추가 라이센스 구매 비용을 절감할 수 있다. Here, according to an embodiment of the present invention, since an error generated when creating a mask tooling specification before generating MEBES data can be easily detected through a reverse mask tooling specification, the probability of detecting an error in the 3rd inspection is greatly reduced. Can be reduced. That is, since the error for the mask tooling specification can be easily detected through the process steps from the first layout generation (S201) to the second inspection (S209), which are performed at the laboratory unit for developing the mask, the error is detected in the third inspection. You can dramatically reduce your chances of becoming. This significantly reduces the number of stopovers between the lab and the mask shop and reduces the cost of purchasing additional licenses for multiple checks of MEBES data.

다음으로, 3차 검사에서 에러가 검출되지 않으면 MEBES데이터를 이용하여 마스크를 제작한다(S212).Next, when no error is detected in the third inspection, a mask is manufactured using MEBES data (S212).

이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 데이터 검증 시스템은 리버스 마스크 툴링 스펙을 통해 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 발생된 에러가 반 영된 제2레이아웃을 생성하고, 생성된 제2레이아웃에 대해 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시함으로써, 마스크 툴링 스펙을 작성하는 과정에서 발생된 에러(즉, 인적에러)를 연구소 단위에서 손쉽게 검출 및 보정(또는 수정)할 수 있다. 이를 통해, MEBES데이터에서의 에러발생 확률 및 연구소와 마스크 샵 사이의 경유횟수를 획기적으로 감소시킬 수 있으며, MEBES데이터의 복수회 확인에 따른 추가 툴 구매 비용을 절감할 수 있다. As described above, the mask data verification system according to an embodiment of the present invention generates a second layout reflecting an error generated in the process of creating a mask tooling specification through a reverse mask tooling specification, and generates a second layout for the generated second layout. By performing the secondary inspection using the same database as the primary inspection, an error (ie, human error) generated in the process of creating a mask tooling specification can be easily detected and corrected (or corrected) at the laboratory level. This significantly reduces the probability of error in MEBES data and the number of stops between the lab and the mask shop, and reduces the cost of purchasing additional tools due to multiple checks of MEBES data.

또한, 마스크 툴링 스펙을 사용하여 MEBES데이터와 동일한 형태를 갖는 마스크용 GDS데이터를 생성함으로써, 3차 검사에 대한 난이도를 감소시킴과 동시에 3차 검사에서의 에러 검출효율을 향상시킬 수 있다. In addition, by generating mask GDS data having the same shape as MEBES data using the mask tooling specification, it is possible to reduce the difficulty of the third inspection and to improve the error detection efficiency in the third inspection.

결과적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 데이터 검증 시스템은 리버스 마스트 툴링 스펙을 통해 마스크 개발비용 및 개발시간을 감소시킴과 동시에 마스크의 품질을 향상시킬 수 있다. As a result, the mask data verification system according to the embodiment of the present invention can improve the quality of the mask while reducing the mask development cost and development time through the reverse mast tooling specification.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments within the scope of the technical idea of the present invention are possible.

도 1은 종래기술에 따른 마스크 제조공정을 도시한 순서도이다. 1 is a flowchart illustrating a mask manufacturing process according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 제조공정을 도시한 순서도.2 is a flow chart showing a mask manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 검증 시스템을 적용한 레이아웃 및 마스크를 도시한 평면도. 3A to 3C are plan views illustrating a layout and a mask to which a mask verification system is applied according to an exemplary embodiment of the present invention.

*도면 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

11 : 제1도전패드11: first conductive pad

12 : 제2도전패드12: second conductive pad

13, 13A : 도전패드13, 13A: Challenge Pad

14 : 콘택플러그14: Contact Plug

Claims (10)

제1레이아웃을 생성하는 단계;Creating a first layout; 상기 제1레이아웃에 대한 1차 검사를 실시하는 단계;Conducting a first inspection of the first layout; 상기 1차 검사에서 에러가 검출되지 않으면, 마스크 툴링 스펙(mask tooling specification)을 작성하여 상기 제1레이아웃을 마스크용 GDS데이터로 변환시키는 단계;If no error is detected in the first inspection, creating a mask tooling specification and converting the first layout into mask GDS data; 리버스(reverse) 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 제2레이아웃으로 변환시키는 단계; 및Creating a reverse mask tooling specification to convert the mask GDS data into a second layout; And 상기 제2레이아웃에 대해 상기 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시하는 단계를 포함하고,Performing a second test on the second layout using the same database as the first test, 상기 2차 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 상기 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 제1레이아웃을 마스크용 GDS데이터로 변환시키는 단계, 상기 리버스 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 제2레이아웃으로 변환시키는 단계 및 상기 제2레이아웃에 대해 상기 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시하는 단계를 반복수행하는 마스크 데이터 검증 시스템. Creating the mask tooling specification and converting the first layout to mask GDS data until no error is detected in the secondary inspection; creating the reverse mask tooling specification to convert the mask GDS data to a second layout And performing a second inspection on the second layout using the same database as the first inspection. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2차 검사에서 에러가 검출되지 않을 경우에If no error is detected in the secondary inspection 상기 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 MEBES데이터를 생성하는 단계;Generating MEBES data based on the mask tooling specification; 상기 MEBES데이터에서의 에러발생 여부를 검출하는 3차 검사를 실시하는 단계; 및Performing a tertiary inspection for detecting whether an error occurs in the MEBES data; And 상기 3차 검사에서 에러가 검출되지 않으면, 상기 MEBES 데이터를 이용하여 마스크를 제작하는 단계If no error is detected in the third inspection, manufacturing a mask using the MEBES data 를 더 포함하는 마스크 데이터 검증 시스템. Mask data verification system further comprising. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 3차 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 상기 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 제1레이아웃을 마스크용 GDS데이터로 변환시키는 단계, 상기 리버스 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 제2레이아웃으로 변환시키는 단계 및 상기 제2레이아웃에 대해 상기 1차 검사와 동일한 데이터베이스를 이용하여 2차 검사를 실시하는 단계를 반복수행하고, Creating the mask tooling specification and converting the first layout into mask GDS data until an error is not detected in the third inspection; creating the reverse mask tooling specification to convert the mask GDS data into a second layout Converting to and repeating the second layout using the same database as the first inspection for the second layout, 상기 2차 검사에서 에러가 검출되지 않을 경우에 상기 마스크 툴링 스펙을 바탕으로 MEBES데이터를 생성하는 단계 및 MEBES데이터에서의 에러발생 여부를 검출하는 3차 검사를 실시하는 단계를 반복수행하는 마스크 데이터 검증 시스템. When no error is detected in the secondary inspection, verification of mask data repeatedly generating a MEBES data based on the mask tooling specification and performing a tertiary inspection to detect whether an error occurs in the MEBES data. system. 제2항 또는 제3항에 있어서, The method according to claim 2 or 3, 상기 3차 검사는 상기 마스크용 GDS데이터와 상기 MEBES테이터간의 일치여부를 검사하는 마스크 데이터 검증 시스템. And the third inspection checks whether the GDS data for the mask matches the MEBES data. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 1차 검사 및 상기 2차 검사는 동일한 검사방법을 사용하여 실시하는 마스크 데이터 검증 시스템. And the first inspection and the second inspection are performed using the same inspection method. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 1차 검사와 2차 검사는 LVS(Layer Versus Schematic) 검사 및 DRC(Design Rule Check) 검사를 포함하는 마스크 데이터 검증 시스템. The first test and the second test is a mask data verification system including a Layer Versus Schematic (LVS) test and a Design Rule Check (DRC) test. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 1차 검사에서 에러가 검출되지 않을때까지 상기 제1레이아웃을 작성하는 단계 및 상기 제1레이아웃에 대해 1차 검사를 실시하는 단계를 반복수행하는 마스크 데이터 검증 시스템. And repeating the step of creating the first layout and performing the first inspection on the first layout until no error is detected in the first inspection. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 마스크 툴링 스펙 및 상기 리버스 마스크 툴링 스펙은 더하기, 빼기, 곱하기 및 크기조절로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상의 연산자를 이용하여 작성하는 마스크 데이터 검증 시스템. And the mask tooling specification and the reverse mask tooling specification are written using one or more operators selected from the group consisting of addition, subtraction, multiplication, and scaling. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 1차 검사를 실시한 이후에 상기 제1레이아웃을 이용하여 제1GDS데이터를 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1GDS데이터를 이용하여 상기 마스크용 GDS데이터를 생성하는 마스크 데이터 검증 시스템. And generating first GDS data using the first layout after performing the first inspection, and generating the mask GDS data using the first GDS data. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 리버스 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 상기 제2레이아웃으로 변환시키는 단계에서 상기 리버스 마스크 툴링 스펙을 작성하여 상기 마스크용 GDS데이터를 제2GDS데이터로 변환시키는 단계를 더 포함하고, 상기 제2GDS데이터를 이용하여 상기 제2레이아웃을 생성하는 마스크 데이터 검증 시스템. Generating the reverse mask tooling specification and converting the mask GDS data into the second layout, and converting the mask GDS data into second GDS data. Mask data verification system for generating the second layout using a second GDS data.
KR1020090092055A 2009-09-28 2009-09-28 Mask Data Verification System Using Reverse Mask Tooling Specification KR101051687B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090092055A KR101051687B1 (en) 2009-09-28 2009-09-28 Mask Data Verification System Using Reverse Mask Tooling Specification

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090092055A KR101051687B1 (en) 2009-09-28 2009-09-28 Mask Data Verification System Using Reverse Mask Tooling Specification

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110034512A true KR20110034512A (en) 2011-04-05
KR101051687B1 KR101051687B1 (en) 2011-07-25

Family

ID=44043112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090092055A KR101051687B1 (en) 2009-09-28 2009-09-28 Mask Data Verification System Using Reverse Mask Tooling Specification

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101051687B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102955865A (en) * 2011-08-19 2013-03-06 上海华虹Nec电子有限公司 Black box logic verification method for physical chip layout

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102154075B1 (en) 2013-10-21 2020-09-09 삼성전자주식회사 Methods of inspecting a semiconductor device and semiconductor inspection systems

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100831271B1 (en) * 2006-08-16 2008-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for Changing Physical Layout Data by Using Physical Layer Which is Created by Program
KR100913327B1 (en) * 2007-11-30 2009-08-20 주식회사 동부하이텍 System and method for detecting abnormal mask pattern in mask pattern data used for manufacturing photomask
JP5058003B2 (en) * 2008-01-25 2012-10-24 株式会社リコー Photomask data verification semiconductor cell, semiconductor chip, and photomask data verification method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102955865A (en) * 2011-08-19 2013-03-06 上海华虹Nec电子有限公司 Black box logic verification method for physical chip layout

Also Published As

Publication number Publication date
KR101051687B1 (en) 2011-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10643015B2 (en) Properties in electronic design automation
US8468482B1 (en) Modeling and simulating the impact of imperfectly patterned via arrays on integrated circuits
CN102768696B (en) Incremental analysis of layout design data
CN101427254B (en) Computation of electrical properties of an ic layout
CN106055724B (en) Designing semiconductor device, the system for manufacturing device and the method using system
US9672611B2 (en) Pattern analysis method of a semiconductor device
US8364437B2 (en) Mark arrangement inspecting method, mask data, and manufacturing method of semiconductor device
US8572533B2 (en) Waiving density violations
US20140337810A1 (en) Modular platform for integrated circuit design analysis and verification
CN106200273B (en) Method for detecting photoetching hot spot
US20100257496A1 (en) Design-Rule-Check Waiver
US10089432B2 (en) Rule-check waiver
US8677300B2 (en) Canonical signature generation for layout design data
US20110145770A1 (en) Device Annotation
US9262574B2 (en) Voltage-related analysis of layout design data
KR101051687B1 (en) Mask Data Verification System Using Reverse Mask Tooling Specification
US10360331B2 (en) Scoped simulation for electrostatic discharge protection verification
US20100229133A1 (en) Property-Based Classification In Electronic Design Automation
US20130263074A1 (en) Analog Rule Check Waiver
US7974457B2 (en) Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect
US20100023897A1 (en) Property-Based Classification In Electronic Design Automation
US20110265054A1 (en) Design-Rule-Check Waiver
Katakamsetty et al. Guard-banding of IP against topography sensitivity using silicon-calibrated CMP model
CN115374735A (en) Automation for functional safety diagnostic coverage
US20120054703A1 (en) Virtual Flat Traversal Of A Hierarchical Circuit Design

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140618

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150617

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160620

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170626

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180618

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 9