KR20110023922A - Monitoring system for pattern of patterned sapphire substrate - Google Patents

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KR20110023922A
KR20110023922A KR1020090081703A KR20090081703A KR20110023922A KR 20110023922 A KR20110023922 A KR 20110023922A KR 1020090081703 A KR1020090081703 A KR 1020090081703A KR 20090081703 A KR20090081703 A KR 20090081703A KR 20110023922 A KR20110023922 A KR 20110023922A
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Abstract

PURPOSE: A pattern monitoring system of a pattern sapphire substrate is provided to reduce a defective rate by entirely or partially testing a sapphire wafer using a line beam profiler using white light. CONSTITUTION: A light source(200) emits light by power provided from a power source. A line beam generator receives light, converts the light into a line beam, and emits the converted light to the upper side of a pattern sapphire substrate. An image obtaining unit(400) scans the upper side of the pattern sapphire substrate by receiving the line beam and provides image information about the upper side of the pattern sapphire substrate. A controller(600) compares the extracted height information with comparison reference sample data, determines whether the pattern of the pattern sapphire substrate is normal or not, and provides the result information.

Description

패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템{Monitoring system for pattern of patterned sapphire substrate}Monitoring system for pattern of patterned sapphire substrate}

본 발명은 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a pattern monitoring system of a pattern sapphire substrate.

보다 상세하게는 라인빔을 이용하여 사파이어 웨이퍼 상부에 형성되는 엠보싱 형태가 정상적인 형태를 가졌는지의 여부를 체크하여 정상적으로 사용될 수 있는 패턴 사파이어 기판인지의 여부를 판단하여 알려주기 위한 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템에 관한 것이다.More specifically, the pattern monitoring system of the pattern sapphire substrate to check whether the embossed form formed on the sapphire wafer has a normal shape using a line beam to determine whether the pattern is a pattern sapphire substrate that can be used normally. It is about.

현재 LED 제조 공정에서 LED의 광 효율을 높이는 것은 아주 중요한 문제이다. 최근 대부분의 제조사들은 패턴 사파이어 기판(PSS; Pattern Sapphire Substrate) 기판의 효율을 높이기 위하여 기본적으로 사용한다.In the current LED manufacturing process, increasing the light efficiency of the LED is a very important problem. Recently, most manufacturers basically use a pattern sapphire substrate (PSS) substrate to increase efficiency.

즉, 도 1에 도시된 바와 같이 패턴 사파이어 기판은 일반적인 기판과는 달리 상부면에 패턴을 형성시켜 광효율을 높일 수 있는 구조적 특징을 가지게 된다.That is, as shown in FIG. 1, unlike the general substrate, the pattern sapphire substrate has a structural feature to increase light efficiency by forming a pattern on the upper surface.

상기와 같이 LED의 광효율을 높이는데 패턴 사파이어 기판이 중요한 만큼 모 든 제조사들이 패턴 사파이어 기판의 모니터링을 적용한다. As mentioned above, all manufacturers apply the monitoring of the pattern sapphire substrate as the pattern sapphire substrate is important for improving the light efficiency of the LED.

일반적으로 기존의 패턴 사파이어 기판을 모니터링하는 방식은 SEM, AFM 장비 등을 이용하여 모니터링하는 방식으로, 도 2에 도시된 바와 같이 AFM 이미지를 이용하여 모니터링 하는 경우가 대 부분이다. In general, the conventional pattern sapphire substrate monitoring method is a method of monitoring using SEM, AFM equipment, etc., as shown in Figure 2 is mostly monitored using an AFM image.

그러나 상기와 같이 SEM, AFM 장비 등을 이용하여 모니터링을 수행하게 되는 경우 패턴 사파이어 기판에 대해서 전수 검사 및 전면을 검사하는 것은 어려운 현실이므로, 제조사에서 원하는 패턴 사파이어 기판의 전수검사를 수행하지 못한다는 문제점이 있다.However, when monitoring is performed using the SEM and AFM equipment as described above, it is difficult to inspect the entire inspection and the entire surface of the pattern sapphire substrate, so that the manufacturer cannot perform the entire inspection of the desired pattern sapphire substrate. There is this.

즉, 현재의 제조 공정에서 패턴 사파이어 기판을 정확하게 모니터링 한다는 것은 어려우며, 모든 웨이퍼의 전수검사를 수행한다는 것은 현실적으로 불가능하다는 문제점이 있다.That is, it is difficult to accurately monitor the pattern sapphire substrate in the current manufacturing process, and there is a problem that it is practically impossible to perform a full inspection of all wafers.

본 발명은 상기와 같은 개발 요구에 부응하기 위해 안출된 것으로, 본 발명은 라인빔을 이용하여 사파이어 웨이퍼 상부에 형성되는 엠보싱 형태가 정상적인 형태를 가졌는지의 여부를 체크하여 정상적으로 사용될 수 있는 패턴 사파이어 기판인지의 여부를 판단하여 알려주기 위한 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템을 제공하는데, 그 목적이 있다. 즉, 백색광을 광원으로 하는 라인빔을 조사하여 반사되어 입사되는 광을 이용하여 이미지로 생성시키고, 그 표면의 높이 및 너 비를 측정하여 이를 3차원 형상으로 형성시켜 표준샘플과 비교하여 양품 또는 불량품인지의 여부를 판단할 수 있도록 한다.The present invention has been made to meet the above development needs, the present invention is a pattern sapphire substrate that can be used normally by checking whether the embossed form formed on the sapphire wafer using a line beam has a normal form The present invention provides a pattern monitoring system of a pattern sapphire substrate to determine whether or not the present invention is provided. That is, it generates an image using the reflected light incident by irradiating a line beam with white light as a light source, measuring the height and width of the surface, and forming it into a three-dimensional shape. Allows you to determine whether or not

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 전원을 공급하는 전원부(100)와, 상기 전원부(200)로부터 공급되는 전원에 의해 광을 방출시키는 광원(300)과, 상기 광원(300)으로부터 발생되는 광을 수신 받아 라인빔 형태로 변환시켜 패턴 사파이어 기판 상부로 방출시키는 라인빔 발생부(400)와, 상기 패턴 사파이어 기판 상부로부터 반사되는 라인빔을 입사받아 패턴 사파이어 기판의 상부면을 스캐닝하여 패턴 사파이어 기판의 상부면에 대한 이미지 정보를 제공하는 영상획득부(500)와, 상기 영상획득부(500)로부터 수신되는 패턴 사파이어 기판의 상부면에 매칭되는 이미지 정보를 입력받아 이미지 정보로부터 패턴 사파이어 기판에 형성된 패턴의 높이 정보를 추출하고, 추출된 높이 정보를 단차정보로 변환시켜 3차원 영상으로 변환하여 재구성되도록 한 후 비교 표준 샘플 데이터와 비교하여 패턴 사파이어 기판 의 패턴의 정상 유무를 판단하여 그 결과 정보를 제공하는 제어부(800)를 포함하는 것을 특징으로 한다.One embodiment of the present invention for achieving the above object, the power supply unit 100 for supplying power, the light source 300 for emitting light by the power supplied from the power supply unit 200, and the light source 300 The line beam generator 400 receives the light generated from the light source, converts the light into a line beam shape, and emits the light onto the pattern sapphire substrate, and scans the upper surface of the pattern sapphire substrate by receiving the line beam reflected from the pattern sapphire substrate. The image acquisition unit 500 for providing image information on the upper surface of the pattern sapphire substrate and the image information matched to the upper surface of the pattern sapphire substrate received from the image acquisition unit 500 to receive the pattern from the image information. The height information of the pattern formed on the sapphire substrate is extracted, and the extracted height information is converted into step information and converted into a 3D image to be reconstructed. After compared with the comparative sample of data to determine the presence or absence of a normal pattern of the pattern sapphire substrate is characterized in that a control unit 800 which provides the result information.

상기 영상획득부(500)는 CCD , CCD 센서, 아날로그카메라, 디지털 카메라, USB 카메라, 라인스캔 카메라, Area Scan 카메라, 레이저 다이오드, 1394 카메라, 1394 라인스캔 카메라, 카메라 링크 방식 카메라, CMOS 이미지 센서 중 하나로 이 루어진 것이 바람직하다.The image acquisition unit 500 includes a CCD, a CCD sensor, an analog camera, a digital camera, a USB camera, a line scan camera, an area scan camera, a laser diode, a 1394 camera, a 1394 line scan camera, a camera link type camera, and a CMOS image sensor. It is desirable to consist of one.

상기 라인빔 발생부(400)에 의해 발생되는 라인빔은 상기 VCM 모듈(100) 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.The line beam generated by the line beam generator 400 is formed on the VCM module 100.

상기 광원(400)은 백색 라이트인 것이 바람직하다.The light source 400 is preferably white light.

상기 영상획득부(500)는 패턴 사파이어 기판의 패턴의 높이 정보를 연속적으로 영상 획득 스테이지가 동작하는 속도로 획득하는 것을 특징으로 한다.The image acquisition unit 500 may obtain the height information of the pattern of the pattern sapphire substrate at a speed at which the image acquisition stage operates continuously.

상기 제어부(800)는 상기 영상획득부(500)에 의해 획득된 영상신호가 상기 영상획득부(500)의 화소의 물리적인 크기와 동일하게 매핑될 수 있도록 캘리브레이션을 수행하는 것을 특징으로 한다.The controller 800 performs a calibration so that the image signal acquired by the image acquisition unit 500 can be mapped to be identical to the physical size of the pixel of the image acquisition unit 500.

상기 캘리브레이션된 화소는 관찰 대상체의 크기와 물리적으로 동일하게 매핑된다. The calibrated pixels are physically mapped to the size of the observation object.

본 발명은 라인빔을 이용하여 사파이어 웨이퍼 상부에 형성되는 엠보싱 형태가 정상적인 형태를 가졌는지의 여부를 체크하여 정상적으로 사용될 수 있는 패턴 사파이어 기판인지의 여부를 판단하여 알려주어, 패턴 사파이어 기판에 대해 제조사들이 원하는 전수검사를 수행할 수 있도록 하는 효과가 있다.The present invention checks whether the embossed shape formed on the sapphire wafer has a normal shape using a line beam to determine whether the pattern is a pattern sapphire substrate that can be used normally, and informs the manufacturer about the pattern sapphire substrate. It is effective to carry out a full inspection.

또한, 본 발명은 LED 제조 공정 중 패턴 사파이어 기판의 정확한 모니터링을 백색광을 이용한 라인빔을 이용하여 사파이어 웨이퍼의 전면 또는 부분검사를 통하여 검사를 할 경우, LED 의 효율을 일정하게 관리를 하며 불량율을 감소시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the present invention, when the accurate monitoring of the pattern sapphire substrate during the LED manufacturing process by inspecting the front or partial inspection of the sapphire wafer using a line beam using white light, it manages the efficiency of the LED constantly and reduces the defective rate It has the effect of making it work.

또한, 본 발명은 대량의 패턴 사파이어 기판을 검사해야 하는 경우 자동화함으로서 사람이 현미경을 통하여 검사하거나 하는 경우 부정확성을 해소시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of eliminating inaccuracies when a person inspects through a microscope by automating when a large amount of patterned sapphire substrate should be inspected.

또한, 본 발명은 SEM 이나 AFM을 통하여 검사하는 경우 스루풋(Troughtput) 이 상당히 떨어지지만 이 백색광을 이용한 라인빔 프로파일러(Line Beam Profiler) 을 사용하여 스캔(Scanning)하는 경우 스루풋(Troughtput)을 개선하여 생산 라인에 적용할 수 있기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다. In addition, the present invention significantly reduces throughput when scanning through SEM or AFM, but improves throughput when scanning using a line beam profiler using the white light. Since it can be applied to a production line, there is an effect to improve the productivity.

이하, 본 발명의 구성을 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 패턴 사파이어 기판 모니터링 시스템은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 전원을 공급하는 전원부(100)와, 상기 전원부(100)로부터 공급되는 전원에 의해 광을 방출시키는 광원(200)과, 상기 광원(200)으로부터 발생되는 광을 수신 받아 라인빔 형태로 변환시켜 패턴 사파이어 기판 상부로 방출시키는 라인빔 발생부(300)와, 상기 패턴 사파이어 기판 상부로부터 반사되는 라인빔을 입사받아 패턴 사파이어 기판의 상부면을 스캐닝하여 패턴 사파이어 기판의 상부면에 대한 이미지 정보를 제공하는 영상획득부(400)와, 자동초점이 이루어지도록 하는 렌즈부(500)와, 상기 영상획득부(400)로부터 수신되는 패턴 사파이어 기판의 상부면에 매칭되는 이미지 정보를 입력받아 이미지 정보로부터 패턴 사파이어 기판에 형성된 패턴의 높이 정보를 추출하고, 추출된 높이 정보를 단차정보로 변환시켜 3차원 영상으로 변환하여 재구성되도록 한 후 비교 표준 샘플 데이터와 비교하여 패턴 사파이어 기판 의 패턴의 정상 유무를 판단하여 그 결과 정보를 제공하는 제어부(600)로 구성된다.The pattern sapphire substrate monitoring system according to the present invention includes a power source unit 100 for supplying power as shown in FIGS. 1 and 2, a light source 200 for emitting light by the power supplied from the power source unit 100, and A line sapphire 300 receiving the light generated from the light source 200 and converting the light into the form of a line sapphire substrate and emitting the light onto the pattern sapphire substrate; An image acquisition unit 400 which scans an upper surface of the substrate and provides image information on the upper surface of the patterned sapphire substrate, a lens unit 500 for automatic focusing, and received from the image acquisition unit 400. The image information matching the upper surface of the patterned sapphire substrate is input and the height information of the pattern formed on the patterned sapphire substrate is extracted from the image information. The controller 600 converts the extracted height information into step information and converts the image into a 3D image to be reconstructed, and then compares the comparison with the standard sample data to determine whether the pattern of the pattern sapphire substrate is normal and provides the resulting information. It is composed.

상기 영상획득부(400)는 CCD , CCD 센서, 아날로그카메라, 디지털 카메라, USB 카메라, 라인스캔 카메라, Area Scan 카메라, 레이저 다이오드, 1394 카메라, 1394 라인스캔 카메라, 카메라 링크 방식 카메라, CMOS 이미지 센서 중 하나로 이루어진 것이 바람직하다.The image acquisition unit 400 includes a CCD, a CCD sensor, an analog camera, a digital camera, a USB camera, a line scan camera, an area scan camera, a laser diode, a 1394 camera, a 1394 line scan camera, a camera link type camera, and a CMOS image sensor. It is preferable to consist of one.

상기 광원(200)은 백색 라이트이다.The light source 200 is white light.

상기 영상획득부(400)는 패턴 사파이어 기판의 패턴의 높이 정보를 연속적으로 영상 획득 스테이지가 동작하는 속도로 획득한다.The image acquisition unit 400 continuously acquires height information of the pattern of the pattern sapphire substrate at a speed at which the image acquisition stage operates.

상기 제어부(600)는 상기 영상획득부(400)에 의해 획득된 영상신호가 상기 영상획득부(400)의 화소의 물리적인 크기와 동일하게 매핑될 수 있도록 캘리브레이션을 수행한다.The controller 600 performs a calibration so that the image signal acquired by the image acquisition unit 400 can be mapped to be equal to the physical size of the pixel of the image acquisition unit 400.

상기 캘리브레이션된 화소는 관찰 대상체의 크기와 물리적으로 동일하게 매핑된다. The calibrated pixels are physically mapped to the size of the observation object.

일반적으로 입사되는 광빔에 대해 반사가 원할히 이루어지도록 하여 LED의 효율을 향상시키는 대표적인 방식인 패턴 사파이어 기판의 상부면에는 엠보싱 형태인 울퉁불퉁한 볼록 형상이 형성되어 있으며, 이 볼록 형상은 그 높이가 2㎛, 폭이 3㎛ 내외가 된다.In general, an embossed bumpy convex shape is formed on the upper surface of the pattern sapphire substrate, which is a representative method of improving the efficiency of the LED by smoothly reflecting the incident light beam, and the convex shape has a height of 2 μm. The width is about 3 µm.

그러므로 상기 패턴 사파이어 기판의 볼록 형상이 정상적으로 형성되었는지의 모니터링하는 시스템을 자동화로 구현할 수 있도록 하는 것이 본 발명이며, 본 발명에 따른 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Therefore, it is the present invention to automatically implement a system for monitoring whether the convex shape of the pattern sapphire substrate is normally formed, and the operation of the pattern monitoring system of the pattern sapphire substrate according to the present invention is as follows.

제어부(600)의 내부 메모리(미도시)에는 양품의 패턴 사파이어 기판을 이용하여 생성된 기준 샘플 데이터가 저장되어 있으며, 제어부(600)는 영상획득부(400)에 의해 획득되는 패턴 사파이어 기판의 이미지를 비교 데이터로 하여 상기 기준 샘플 데이터와 비교하게 되고, 그 매칭 결과에 따라 검사대상인 패턴 사파이어 기 판에 대해 양품 또는 불량품을 판정하게 된다.In the internal memory (not shown) of the controller 600, reference sample data generated by using a good pattern sapphire substrate is stored, and the controller 600 is an image of the pattern sapphire substrate obtained by the image acquisition unit 400. The comparison data is compared with the reference sample data, and the good or defective product is determined for the pattern sapphire substrate to be inspected according to the matching result.

이에, 대해 좀 더 상세히 기술하면, 화이트 라이트(White Light)로 이루어진 광원(200)에 전원부(100)의 전원이 공급되면 화이트 라이트가 점등되고, 광빔이 발생되어 방출되고, 상기 광빔은 라인빔 발생부(300)로 공급되며, 라인빔 발생부(300)는 광빔을 라인빔으로 변환시켜 관찰 대상체인 패턴 사파이어 기판의 상부에 방사되도록 한다. 이때 패턴 사파이어 기판이 좌측에서 우측, 또는 우측에서 좌측으로 이동하면서 라인빔에 의해 패턴 사파이어 기판이 스캔되도록 한다. 이때 패턴 사파이어 기판이 안착되는 안착부(미도시)에 이동수단을 구비시켜 안착부가 좌우 또는 우좌로 이동 가능하도록 구현해야 한다.In more detail, when the power of the power supply unit 100 is supplied to the light source 200 made of white light, the white light is turned on, a light beam is generated and emitted, and the light beam is a line beam generation. The line beam generator 300 converts the light beam into a line beam so as to be radiated on the pattern sapphire substrate as the observation object. At this time, the pattern sapphire substrate is moved from left to right, or from right to left, so that the pattern sapphire substrate is scanned by the line beam. At this time, by providing a moving means to the mounting portion (not shown) on which the pattern sapphire substrate is to be mounted so that the mounting portion can move to the left or right.

물론 이때 라인빔 발생부(300)를 좌우 또는 우좌로 이동시킬 수 있는 이동수단을 구비시켜, 패턴 사파이어 기판은 고정된 상태로 유지되고, 라인빔 발생부(300)가 좌측에서 우측, 또는 우측에서 좌측으로 이동하면서 패턴 사파이어 기판을 스캐닝할 수 있도록 구현할 수 있다.Of course, at this time, by providing a moving means for moving the line beam generator 300 to the left and right or to the right, the pattern sapphire substrate is kept fixed, the line beam generator 300 is left to right, or right It can be implemented to scan the pattern sapphire substrate while moving to the left.

영상 획득부(400)는 관찰 대상체로부터 반사된 광빔을 입사받아 광신호를 전기적인 이미지 신호로 변환하여 제어부(600)로 출력한다. 그러면 제어부(600)는 영상획득부(400)로부터 입력되는 전기적 이미지 신호를 도 5에 도시된 바와 같이 그 패턴 사파이어 기판의 표면의 높이 및 너비를 측정하여 비교 데이터를 생성하고, 생성된 비교 데이터를 기준 샘플 데이터와 비교하여, 정상적으로 형성되어 있는지의 여부를 판단하게 된다. 이때 기준 샘플 데이터는 그 표면의 높이와 넓이 데이터를 3차원으로 표현하여 표시부(미도시)의 화면상에 출력되고, 비교 데이터가 상기 기준 샘플의 범위 내에 있는지 또는 범위 밖에 있는지의 여부를 구분하여 알려준다. 즉 기준 샘플에 비교 데이터를 겹쳐서 표시해줌으로써, 작업자는 관찰 대상체인 패턴 사파이어 기판에 형성된 패턴이 정상적으로 형성되었는지의 여부를 한눈에 알 수 있게 된다.The image acquirer 400 receives the light beam reflected from the observation object, converts the optical signal into an electrical image signal, and outputs the converted optical signal to the controller 600. Then, the control unit 600 generates the comparison data by measuring the height and width of the surface of the pattern sapphire substrate with the electrical image signal input from the image acquisition unit 400, as shown in FIG. Compared with the reference sample data, it is determined whether or not it is formed normally. In this case, the reference sample data is displayed on the screen of a display unit (not shown) by expressing the height and width data of the surface in three dimensions, and distinguishes whether the comparison data is within or outside the reference sample. . That is, by displaying the comparison data superimposed on the reference sample, the operator can know at a glance whether the pattern formed on the pattern sapphire substrate as the observation object is normally formed.

즉, 영상획득부(400)는 스테이지가 동작하는 속도에 대응하여 패턴 사파이어 기판에 형성된 패턴의 높이 정보를 연속적으로 획득하고, 영상획득부(400)에 획득되는 광빔의 높이 정보는 제어부(600)로 출력되어 단차 정보로 변환되며, 제어부(600)는 영상획득부(400)로부터 입력되는 광빔의 높이 정보를 연속적으로 입력받아 단차정보로 변환시켜 서로 연결시킴으로써, 3차원 비교 데이터를 형성시킬 수 있게 된다.That is, the image acquisition unit 400 continuously acquires the height information of the pattern formed on the pattern sapphire substrate corresponding to the speed at which the stage operates, and the height information of the light beam obtained by the image acquisition unit 400 is controlled by the controller 600. Is converted into step information, and the control unit 600 continuously receives the height information of the light beam input from the image acquisition unit 400 and converts the step information into step information so as to form three-dimensional comparison data. do.

상기와 같이 패턴 사파이어 기판의 상부면에 입사된 라인빔은 패턴 사파이어 기판에 의해 반사되는데, 이때 반사되는 광빔은 일정한 Field of View를 형성하고 이 Field of View의 사이즈만큼 연속적으로 스캐닝 한다. 이렇게 하여 영상 획득부(400)로 입력되는 광신호는 상술한 바와 같이 전기적 이미지로 변환되고, 제어부(600)에 의해 3차원의 비교 데이터로 변환되는데, 영상획득부(400)를 이루고 있는 화소의 물리적인 크기와 정확하게 매칭되는 크기를 가지도록 캘리브레이션 작업 을 수행한다.As described above, the line beam incident on the upper surface of the pattern sapphire substrate is reflected by the pattern sapphire substrate, and the reflected light beam forms a constant field of view and continuously scans the size of the field of view. In this way, the optical signal input to the image acquisition unit 400 is converted into an electrical image as described above, and is converted into three-dimensional comparison data by the control unit 600, the pixel of the image acquisition unit 400 Calibration is performed to have a size that exactly matches the physical size.

그리고 제어부(600)는 캘리브레이션된 화소들로 그 실제 사이즈를 표현한다. The controller 600 expresses the actual size of the calibrated pixels.

제어부(600)는 상기와 같이 연속적으로 연결시켜 형성시킨 3차원 형상의 비교 데이터를 내부 메모리에 저장되어 있는 기준 샘플 데이터와 비교하고, 비교 결과 비교 데이터가 기준 샘플 데이터의 일정 오차 범위 내에 존재하는지를 판단하고, 오차 범위 내에 있는 경우에는 양품으로 판정하여 표시부를 통해 출력하여 작업자가 알 수 있도록 하고, 오차 범위를 벗어나는 경우 불량품으로 판정하여 표시부를 통해 출력하여 작업자가 알 수 있도록 한다.The control unit 600 compares the comparison data of the three-dimensional shape formed by continuously connecting as described above with the reference sample data stored in the internal memory, and determines whether the comparison result is within a certain error range of the reference sample data. If it is within the error range, it is determined as good quality and output through the display unit so that the operator can know. If it is out of the error range, it is determined as defective product and output through the display unit so that the operator can know.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 설명하였지만, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하의 특허 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.As described above, preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention is not limited to the scope of the present invention as claimed in the following claims. Anyone with knowledge of the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

도 1은 일반 기판과 패턴 사파이어 기판을 도시한 도면.1 is a view showing a general substrate and a pattern sapphire substrate.

도 2는 패턴 사파이어 기판의 AFM 이미지.2 is an AFM image of a patterned sapphire substrate.

도 3은 본 발명에 따른 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템의 구성을 설명하기 위한 블록도.3 is a block diagram illustrating a configuration of a pattern monitoring system of a pattern sapphire substrate according to the present invention.

도 4는 도 3의 구체적인 실시예.4 is a specific embodiment of FIG. 3.

도 5는 영상획득부의 이미지 정보를 이용하여 변환된 단차정보를 도시한 도면5 is a diagram illustrating step information converted using image information of an image acquisition unit;

도 6은 라인빔을 이용하여 패턴 사파이어 기판을 스캐닝하는 방식을 설명하기 위한 도면.6 is a view for explaining a method of scanning a pattern sapphire substrate using a line beam.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS

100 : 전원부 200 : 광원100: power supply 200: light source

300 : 라인빔 발생부 400 : 영상획득부300: line beam generator 400: image acquisition unit

500 : 렌즈 600 : 제어부500 lens 600 control unit

Claims (6)

전원을 공급하는 전원부(100)와, A power supply unit 100 for supplying power, 상기 전원부(100)로부터 공급되는 전원에 의해 광을 방출시키는 광원(200)과, A light source 200 emitting light by the power supplied from the power supply unit 100, 상기 광원(200)으로부터 발생되는 광을 수신 받아 라인빔 형태로 변환시켜 패턴 사파이어 기판 상부로 방출시키는 라인빔 발생부(300)와, A line beam generator 300 which receives the light generated from the light source 200 and converts the light into a line beam shape and emits the light onto the pattern sapphire substrate; 상기 패턴 사파이어 기판 상부로부터 반사되는 라인빔을 입사 받아 패턴 사파이어 기판의 상부면을 스캐닝하여 패턴 사파이어 기판의 상부면에 대한 이미지 정보를 제공하는 영상획득부(400)와, An image acquisition unit 400 which receives the line beam reflected from the pattern sapphire substrate and scans the upper surface of the pattern sapphire substrate to provide image information on the upper surface of the pattern sapphire substrate; 상기 영상획득부(400)로부터 수신되는 패턴 사파이어 기판의 상부면에 매칭되는 이미지 정보를 입력받아 이미지 정보로부터 패턴 사파이어 기판에 형성된 패턴의 높이 정보를 추출하고, 추출된 높이 정보를 단차정보로 변환시켜 3차원 영상으로 변환하여 재구성되도록 한 후 비교 표준 샘플 데이터와 비교하여 패턴 사파이어 기판 의 패턴의 정상 유무를 판단하여 그 결과 정보를 제공하는 제어부(700);By receiving image information matching the upper surface of the pattern sapphire substrate received from the image acquisition unit 400 to extract the height information of the pattern formed on the pattern sapphire substrate from the image information, and converts the extracted height information into step information A control unit 700 which converts the image into a 3D image and reconstructs it, and then determines whether the pattern of the pattern sapphire substrate is normal by comparing with the comparison standard sample data and provides the result information; 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템.Pattern monitoring system of the pattern sapphire substrate comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 영상획득부(400)는 The image acquisition unit 400 CCD , CCD 센서, 아날로그카메라, 디지털 카메라, USB 카메라, 라인스캔 카메라, Area Scan 카메라, 레이저 다이오드, 1394 카메라, 1394 라인스캔 카메라, 카메라 링크 방식 카메라, CMOS 이미지 센서 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템.CCD, CCD sensor, analog camera, digital camera, USB camera, line scan camera, area scan camera, laser diode, 1394 camera, 1394 line scan camera, camera link type camera, CMOS image sensor Pattern monitoring system of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광원(200)은 백색 라이트인 것을 특징으로 하는 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템.The light source 200 is a pattern monitoring system of the pattern sapphire substrate, characterized in that the white light. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 영상획득부(400)는,The image acquisition unit 400, 패턴 사파이어 기판의 패턴의 높이 정보를 연속적으로 영상 획득 스테이지가 동작하는 속도로 획득하는 것을 특징으로 하는 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템.A pattern monitoring system of a pattern sapphire substrate, characterized in that to obtain the height information of the pattern of the pattern sapphire substrate continuously at the speed at which the image acquisition stage operates. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부(700)는,The control unit 700, 상기 영상획득부(400)에 의해 획득된 영상신호가 상기 영상획득부(400)의 화소가 물리적인 크기와 동일하게 매핑될 수 있도록 캘리브레이션을 수행하는 것을 특징으로 하는 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템.The pattern monitoring system of the pattern sapphire substrate, characterized in that for performing the calibration so that the image signal obtained by the image acquisition unit 400 can be mapped to the pixel of the image acquisition unit 400 equal to the physical size. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캘리브레이션 화소는, 관찰 대상체의 크기와 동일한 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 사파이어 기판의 패턴 모니터링 시스템.The calibration pixel, the pattern monitoring system of the pattern sapphire substrate, characterized in that having the same size as the size of the observation object.
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