KR20110019666A - 분기 캐패시터를 이용한 역-ｆ 안테나 - Google Patents

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Abstract

분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는 방사체; 상기 방사체와 소정 거리 이격되며 접지 전위를 가지는 접지면; 상기 방사체에 RF 신호를 급전하는 급전핀; 상기 방사체 및 상기 접지면과 전기적으로 연결되는 접지핀; 및 상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하며 상기 방사체 및 상기 접지면에 전기적으로 결합되는 분기 캐패시터를 포함한다. 개시된 안테나에 의하면, 간소한 구조로 광대역 및 다중 대역 특성을 구현할 수 있으며, 역-F 안테나의 1차 공진 주파수는 유지하면서 또 다른 대역에서의 공진 주파수를 형성할 수 있는 장점이 있다.
안테나, 분기, PIFA

Description

분기 캐패시터를 이용한 역-Ｆ 안테나{Inverted F Antenna Using Branch Capacitor}
본 발명은 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 역-F 안테나에 관한 것이다.
안테나가 소형화되면 안테나의 방사 효율이 저하되고, 대역폭이 좁아지며, 안테나의 이득이 저하되는 문제점이 있으나, 이러한 전기적 성능의 저하에도 불구하고 이동통신 단말기에 대한 소형화, 다기능화 및 고성능화가 끊임없이 요구됨에 따라 안테나에 대해서도 소형화, 다중 대역화 및 광대역화는 계속적으로 요구되고 있다.
초기의 이동통신 단말기에는 1/4파장 모노폴 안테나가 내장형 안테나로 사용되거나 헬리컬 형태의 외장형 안테나가 주로 사용되었다. 그러나, 이와 같은 안테나들은 사용자의 휴대성에 불편을 초래하고 방사 효율 및 견고성에 있어서도 문제가 있었다.
이러한 문제점들을 해결하기 위해 내장형 안테나에 대한 연구가 활발히 진행되었으며, 역-F 안테나에 대한 연구가 가장 활발히 진행되었다. 역-F 안테나는 공 정 과정이 단순하고 평판형 구조여서 내장형 안테나로의 응용이 용이하여 현재 이동통신 단말기의 내장형 안테나로 가장 많이 상용화되어 사용되고 있다.
도 1은 일반적인 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 역-F 안테나는 방사체(100), 접지면(102), 접지핀(104) 및 급전핀(106)을 포함한다.
방사체(100)는 접지면 위에 위치하며, RF 신호를 송수신하고 일반적으로 평판 형태를 가진다.
급전핀(106)은 급전 선로와 전기적으로 연결되며 급전핀을 통해 신호가 방사체(100)에 피딩된다.
접지핀(104)은 역-F 안테나의 특징적인 구성 요소로서 접지면(102)과 방사체(100)를 연결한다. 이와 같은 구조의 역-F 안테나의 구조는 다양한 방식으로 변형되어 사용되고 있다.
역-F 안테나와 같은 내장형 안테나는 좁은 공간에 장착되므로 그 크기는 제한될 수 밖에 없으며, 이로 인해 입력 임피던스는 낮은 저항에 큰 용량성 리액턴스가 되고 매칭 회로를 이용하여 리액턴스를 소거하게 되면 협대역 특성이 나올 수밖에 없어 광대역 특성을 가지기 어려우며, 낮은 저항 특성 때문에 방사 효율 역시 떨어지게 되는 바, 근래에 요구되는 광대역 및 다중 대역 특성을 효율적으로 만족시키기 어려운 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 역-F 구조의 안테나에서 간소한 구조로 광대역 및 다중 대역 특성을 구현할 수 있는 역-F 안테나를 제안하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 역-F 안테나의 1차 공진 주파수는 유지하면서 또 다른 대역에서의 공진 주파수를 형성할 수 있는 역-F 안테나를 제안하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 방사체; 상기 방사체와 소정 거리 이격되며 접지 전위를 가지는 접지면; 상기 방사체에 RF 신호를 급전하는 급전핀; 상기 방사체 및 상기 접지면과 전기적으로 연결되는 접지핀; 및 상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하며 상기 방사체 및 상기 접지면에 전기적으로 결합되는 분기 캐패시터를 포함하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나가 제공된다.
상기 분기 캐패시터는 상기 접지핀 및 급전핀 사이에 위치한다.
상기 분기 캐패시터는 칩 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 급전핀, 방사체, 분기 캐패시터 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 새로운 공진 대역이 형성된다.
상기 급전핀, 방사체, 분기 캐패시터 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 형성되는 공진 대역은 상기 분기 캐패시터의 캐패시턴스에 따라 조절된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 방사체; 상기 방사체와 소정 거리 이격되며 접지 전위를 가지는 접지면; 상기 방사체에 RF 신호를 급전하는 급전핀(306); 상기 방사체 및 상기 접지면과 전기적으로 연결되는 접지핀(304); 및 상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하고 상기 방사체와 전기적으로 결합되며 상기 접지면 방향으로 형성되는 제1 분기 아암(308); 및 상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하고 상기 접지면과 전기적으로 결합되며 상기 방사체 방향으로 형성되는 제2 분기 아암(310)을 포함하되, 상기 제1 분기 아암 및 상기 제2 분기 아암은 소정 부분에서 서로 이격되어 전자기적 커플링 현상이 발생하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나가 제공된다.
상기 제1 분기 아암 및 상기 제2 분기 아암은 상기 접지핀 및 급전핀 사이에 위치한다.
상기 급전핀, 방사체, 제1 분기 아암, 제2 분기 아암 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 새로운 공진 대역이 형성된다.
상기 급전핀, 방사체, 제1 분기 아암, 제2 분기 아암 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 형성되는 공진 대역은 상기 제1 분기 아암 및 상기 제2 분기 아암의 이격 거리 및 전자기적 커플링이 이루어지는 부분의 면적에 의해 정해진다.
본 발명에 따르면, 간소한 구조로 광대역 및 다중 대역 특성을 구현할 수 있으며, 역-F 안테나의 1차 공진 주파수는 유지하면서 또 다른 대역에서의 공진 주파수를 형성할 수 있는 장점이 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나는 방사체(200), 접지면(202), 접지핀(204), 급전핀(206). 제1 분기 아암(208), 제2 분기 아암(209) 및 분기 캐패시터(210)를 포함할 수 있다.
방사체(200)는 급전된 RF 신호의 방사 및 RF 신호의 수신 기능을 수행한다. 방사 또는 수신되는 RF 신호의 사이즈는 방사체(200)의 형태 및 사이즈에 의해 결정된다.
도 2에는 평판 형태의 방사체(200)가 도시되어 있으나, 방사체의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 라인 형태, 미앤더 형태의 방사체 등 다양한 형태의 방사체가 사용될 수 있다.
도 2에는 방사체(200)가 일반적인 역-F 안테나와 같이 접지면 위에 소정 높이를 가지고 평행하게 놓여지는 경우가 도시되어 있으나, 접지핀(204)과 급전핀(206)과의 연결 상태를 유지하면서 방사체의 위치가 도 2와 다르게 설정될 수 있다는 점은 당업자에게 있어 자명할 것이다.
접지면(202)은 전기적으로 접지 상태이며 소정의 크기를 갖는다. 이동통신 단말기에 설치되는 경우 단말기 기판의 접지를 접지면으로 활용할 수도 있으며, 별도의 접지면이 사용될 수도 있다.
접지핀(204)은 일단이 접지면(202)과 연결되고 타단이 방사체(200)와 연결되도록 설치된다. 접지핀(204)은 역-F 안테나의 특징적인 구성 요소로서 일반적인 모노폴 안테나에 비해 접지핀(204)에 의해 공진 주파수가 감소되고 용이한 임피던스 매칭이 이루어질 수 있다.
급전핀(206)은 일 단이 급전 선로와 전기적으로 연결되고 타 단이 방사체(200)에 결합되어 방사체(200)에 RF 신호를 급전한다. 급전핀(206)과 결합되는 급전 선로로는 동축 케이블, 마이크로 스트립 라인 등 다양한 형태의 급전 선로가 사용될 수 있다.
제1 분기 아암(208)은 방사체(200)와 결합되어 연장되고, 제2 분기 아암(209)은 접지면(202)과 결합되어 연장된다. 제1 분기 아암(208) 및 제2 분기 아암(209)은 전도성 재질로 이루어지며, 제1 분기 아암(208) 및 제2 분기 아암(209)의 사이에는 분기 캐패시터(210)가 결합된다. 여기서 분기 캐패시터로는 칩 캐패시터 등이 이용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 분기 캐패시터(210)에 의한 분기 경로는 급전핀(206) 및 접지핀(204)과 동일 선상에 존재한다. 또한, 도 2에는 분기 캐패시터(210)에 의한 분기 경로가 급전핀(206) 및 접지핀(204) 사이에 있는 경우가 도시되어 있으나 분기 경로의 위치가 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 본 발명은 방사체(200)와 접지면(202)이 분기 캐패시터(210)에 의해 연결되는 구조이며, 분기 캐패시터(210)에 의해 또 다른 분기 경로가 형성되는 구조이다.
이와 같이 분기 캐패시터(210)가 추가적으로 구비될 경우 분기 캐패시터(210)가 없을 경우의 역-F 안테나의 공진 대역을 유지하면서 또 다른 공진 대역이 형성되는 다중 대역 특성을 구현할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나는 방사체(300), 접지면(302), 접지핀(304), 급전핀(306). 제1 분기 아 암(308) 및 제2 분기 아암(310)을 포함할 수 있다.
도 3의 실시예는 도 2의 실시예와 비교할 때 칩 캐패시터와 같은 집중 소자를 사용하지 않고 분기 캐패시터를 구조적으로 형성한 경우이다. 도 3을 참조하면, 제1 분기 아암(308)은 방사체(300)와 결합되어 접지면 방향으로 연장되고 제2 분기 아암(310)은 접지면(302)과 결합되어 방사체 방향으로 연장된다. 제1 분기 아암(308)과 제2 분기 아암(310)은 미리 설정된 부분(350)에서 소정 거리 이격되어 전자기적인 커플링이 이루어질 수 있는 구조를 가지고 있다.
커플링이 이루어지는 부분(350)에서의 캐패시턴스는 커플링이 이루어지는 부분(350)의 사이즈 및 커플링이 이루어지는 부분(350)에서 제1 분기 아암(308) 및 제2 분기 아암(310)의 이격 거리에 의해 정해진다. 보다 높은 캐패시턴스가 요구될 경우 제1 분기 아암(308) 및 제2 분기 아암(310) 사이에 유전체가 구비될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 방사체(400)의 형태가 평판 형태가 아닌 L자 형태의 방사체를 사용한 역-F 안테나가 도시되어 있다. 본 발명은 도 4를 포함하는 다양한 형태의 방사체를 가지는 역-F 안테나에 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나에서 다중 대역이 형성되는 원리를 도시한 도면이다.
도 5의 (a)는 분기 캐패시터가 구비되지 않은 일반적인 역-F 안테나에서 급 전핀, 방사체 및 접지핀에 의해 형성되는 전류 경로를 도시한 도면이다. 도 4의 (a)에서 전류 경로는 급전핀, 방사체, 접지핀 및 접지면을 경유하는 경로로 형성되어 전체적으로 전류 루프가 형성된다.
이와 같은 전류 루프에 의해 방사체가 여기되면서 공진점이 형성되며, 일반적인 역-F 안테나에서는 하나의 전류 루프가 형성되어 하나의 공진 대역이 형성된다.
도 4의 (b)는 본 발명에 의한 분기 캐패시터에 의한 분기 경로에 의해 추가적으로 형성되는 전류 경로를 도시한 것이다.
도 4의 (b)를 참조하면, 본 발명에 의한 안테나 구조가 사용될 경우 급전점, 방사체 및 분기 캐패시터에서 접지면을 경유하는 또 다른 전류 루프가 형성된다. 분기 캐패시터에 의해 형성되는 또 다른 전류 루프 역시 방사체를 여기시키면서 또 다른 공진점을 형성한다.
즉, 본 발명에 의한 분기 캐패시터를 이용할 경우 역-F 안테나에서 일반적으로 형성되는 (a)의 전류 루프와 (b)의 전류 루프가 함께 형성된다. 이와 같은 2개의 전류 루프에 의해 (a) 전류 루프에서 형성되는 공진 대역 외에 또 다른 공진 대역을 형성할 수 있어 본 발명에 의한 안테나는 다중 대역의 특성 구현이 가능하다.
(b) 전류 루프에 의해 형성되는 공진 대역은 분기 캐패시터의 캐패시턴스 값에 의해 정해진다. 분기 캐패시터의 캐패시턴스가 높은 캐패시턴스 값을 가질수록 보다 낮은 대역에서 공진 대역이 형성되며 분기 캐패시터의 캐패시턴스가 낮은 캐패시턴스 값을 가질수록 높은 대역에서 공진 대역이 형성된다.
도 6은 본 발명의 일 실시에에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나에서 분기 캐패시턴스의 캐패시턴스 변화에 따른 S11 파라미터를 도시한 도면이다.
도 6에는 분기 캐패시터의 캐패시턴스가 0.3pF, 0.4pF 및 0.5pF인 경우가 도시되어 있다. 도 6에서, 캐패시턴스가 0.5pF인 경우 (a) 전류 루프에 의한 1.8GHz에서의 공진 대역과 분기 캐패시턴에 의한 전류 루프에 의해 2.55GHz 대역에서 공진 대역이 형성됨을 알 수 있다.
또한, 분기 캐패시터의 캐패시턴스가 0.4pF 및 0.3pF로 낮아질 경우 공진 대역이 높아짐을 알 수 있다. 캐패시턴스가 0.4pF인 경우 약 3.GHz에서 공진 대역이 형성되며, 0.3pF인 경우 약 3.5GHz에서 공진 대역이 형성된다.
이와 같이, 캐패시턴스를 조절하게 되면 다중 대역 특성은 물론 특정 대역에서 광대역 특성을 구현할 수 있다.
한편, 분기 캐패시터의 캐패시턴스를 조절함에 따라 2차 공진 주파수는 변화되나 역-F 안테나에서 (a) 전류 루프에 의해 형성되는 기본적인 공진 대역은 변화되지 않는다.
따라서, 기본적인 공진 주파수는 유지하면서 분기 캐패시터의 캐패시턴스를 조절하으로써 다양한 대역에서의 다중 공진 특성 및 광대역 특성을 구현할 수 있으며, 간단한 구조에 의해 다중 대역 및 광대역 특성을 구현할 수 있는 장점이 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
도 1은 일반적인 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나의 구조를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나에서 다중 대역이 형성되는 원리를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시에에 따른 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나에서 분기 캐패시턴스의 캐패시턴스 변화에 따른 S11 파라미터를 도시한 도면.

Claims (9)

  1. 방사체;
    상기 방사체와 소정 거리 이격되며 접지 전위를 가지는 접지면;
    상기 방사체에 RF 신호를 급전하는 급전핀;
    상기 방사체 및 상기 접지면과 전기적으로 연결되는 접지핀; 및
    상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하며 상기 방사체 및 상기 접지면에 전기적으로 결합되는 분기 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분기 캐패시터는 상기 접지핀 및 급전핀 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 분기 캐패시터는 칩 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 급전핀, 방사체, 분기 캐패시터 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의 해 새로운 공진 대역이 형성되는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 급전핀, 방사체, 분기 캐패시터 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 형성되는 공진 대역은 상기 분기 캐패시터의 캐패시턴스에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  6. 방사체;
    상기 방사체와 소정 거리 이격되며 접지 전위를 가지는 접지면;
    상기 방사체에 RF 신호를 급전하는 급전핀;
    상기 방사체 및 상기 접지면과 전기적으로 연결되는 접지핀; 및
    상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하고 상기 방사체와 전기적으로 결합되며 상기 접지면 방향으로 형성되는 제1 분기 아암; 및
    상기 급전핀 및 접지핀과 동일 선상에 존재하고 상기 접지면과 전기적으로 결합되며 상기 방사체 방향으로 형성되는 제2 분기 아암을 포함하되,
    상기 제1 분기 아암 및 상기 제2 분기 아암은 소정 부분에서 서로 이격되어 전자기적 커플링 현상이 발생하는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 분기 아암(308) 및 상기 제2 분기 아암(310)은 상기 접지핀 및 급전핀 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 급전핀, 방사체, 제1 분기 아암, 제2 분기 아암 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 새로운 공진 대역이 형성되는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 급전핀, 방사체, 제1 분기 아암, 제2 분기 아암 및 접지면을 경유하는 전류 루프에 의해 형성되는 공진 대역은 상기 제1 분기 아암 및 상기 제2 분기 아암의 이격 거리 및 전자기적 커플링이 이루어지는 부분의 면적에 의해 정해지는 것을 특징으로 하는 분기 캐패시터를 이용한 역-F 안테나.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012138050A2 (ko) * 2011-04-06 2012-10-11 라디나 주식회사 캐패시터를 이용한 그라운드 방사체 및 그라운드 안테나
CN103460505A (zh) * 2011-04-06 2013-12-18 拉迪娜股份有限公司 使用电容器的接地辐射体以及接地天线
CN103545622A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 Lg伊诺特有限公司 天线设备及其馈电结构
KR101360534B1 (ko) * 2012-04-27 2014-02-12 한양대학교 산학협력단 안테나
WO2014157951A1 (ko) * 2013-03-26 2014-10-02 엘지이노텍 주식회사 급전 구조체
CN104979621A (zh) * 2014-04-08 2015-10-14 神讯电脑(昆山)有限公司 天线结构与其电子装置
US9368863B2 (en) 2013-05-29 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Antenna device and electronic device having the same
US9570800B2 (en) 2010-04-09 2017-02-14 Radina Co., Ltd Ground antenna and ground radiator using capacitor
KR101956841B1 (ko) * 2017-12-22 2019-03-13 주식회사 한화 소형 내장형 안테나
WO2023093213A1 (zh) * 2021-11-24 2023-06-01 荣耀终端有限公司 一种终端天线

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9570800B2 (en) 2010-04-09 2017-02-14 Radina Co., Ltd Ground antenna and ground radiator using capacitor
WO2012138050A3 (ko) * 2011-04-06 2012-11-29 라디나 주식회사 캐패시터를 이용한 그라운드 방사체 및 그라운드 안테나
CN103460505A (zh) * 2011-04-06 2013-12-18 拉迪娜股份有限公司 使用电容器的接地辐射体以及接地天线
WO2012138050A2 (ko) * 2011-04-06 2012-10-11 라디나 주식회사 캐패시터를 이용한 그라운드 방사체 및 그라운드 안테나
KR101360534B1 (ko) * 2012-04-27 2014-02-12 한양대학교 산학협력단 안테나
US9515381B2 (en) 2012-04-27 2016-12-06 Lg Innotek, Co., Ltd. Antenna
CN103545622A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 Lg伊诺特有限公司 天线设备及其馈电结构
US9356344B2 (en) 2012-07-12 2016-05-31 Lg Innotek Co., Ltd. Antenna apparatus and feeding structure thereof
WO2014157951A1 (ko) * 2013-03-26 2014-10-02 엘지이노텍 주식회사 급전 구조체
US10230149B2 (en) 2013-03-26 2019-03-12 Lg Innotek Co., Ltd. Electricity feeding structure
CN105190993A (zh) * 2013-03-26 2015-12-23 Lg伊诺特有限公司 馈电结构
US9368863B2 (en) 2013-05-29 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Antenna device and electronic device having the same
CN104979621A (zh) * 2014-04-08 2015-10-14 神讯电脑(昆山)有限公司 天线结构与其电子装置
KR101956841B1 (ko) * 2017-12-22 2019-03-13 주식회사 한화 소형 내장형 안테나
WO2023093213A1 (zh) * 2021-11-24 2023-06-01 荣耀终端有限公司 一种终端天线

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