KR20110019556A - Complementary metal-oxide semiconductor image sensor - Google Patents

Complementary metal-oxide semiconductor image sensor Download PDF

Info

Publication number
KR20110019556A
KR20110019556A KR1020090077134A KR20090077134A KR20110019556A KR 20110019556 A KR20110019556 A KR 20110019556A KR 1020090077134 A KR1020090077134 A KR 1020090077134A KR 20090077134 A KR20090077134 A KR 20090077134A KR 20110019556 A KR20110019556 A KR 20110019556A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
active region
image sensor
transistor
photodiode
Prior art date
Application number
KR1020090077134A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤상원
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020090077134A priority Critical patent/KR20110019556A/en
Publication of KR20110019556A publication Critical patent/KR20110019556A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE: A complementary-metal-oxide-semiconductor(CMOS) image sensor is provided to store electrons which are flown from a photo diode to a floating diffusing region by increasing the capacitance of a floating diffusing node using a variable capacitor. CONSTITUTION: A photo diode(PD), a transmission transistor(Tx), a reset transistor(Rx), and a selection transistor(Sx) are formed on the active region of a semiconductor substrate(100). A photo diode region(110) and an N-type active region(120) are formed in the semiconductor substrate. A poly silicon contact is formed in the N-type active region. A floating diffusion region(130) and a P-type dopant region(140) are formed in the N-type active region to be spaced apart from each other. A metal contact(150) is formed on the P-type dopant region.

Description

ＣＭＯＳ 이미지 센서{Complementary Metal-Oxide Semiconductor image Sensor}CMOS image sensor {Complementary Metal-Oxide Semiconductor image Sensor}

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a CMOS image sensor.

일반적으로 이미지 센서(image sensor)는 광학적 영상을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 전하 결합 소자(Charge Coupled Device, CCD)와 CMOS 이미지 센서가 있다. 상기 CCD는 구동 방식이 복잡하고 전력 소비가 커서 상기 CMOS 이미지 센서가 널리 이용된다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and includes a charge coupled device (CCD) and a CMOS image sensor. The CCD has a complicated driving scheme and a large power consumption, so that the CMOS image sensor is widely used.

상기 CMOS 이미지 센서는 단위 화소를 구성하는 트랜지스터의 개수에 따라 여러 종류가 있으나, 4-TR(transistor) 구조의 CMOS 이미지 센서가 많이 사용되고 있다.There are various kinds of CMOS image sensors according to the number of transistors constituting a unit pixel, but a CMOS image sensor having a 4-TR (transistor) structure is widely used.

도 1은 일반적인 4-TR 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소의 레이 아웃(100)을 나타낸다. 도 1을 참조하면, 상기 단위 화소의 레이 아웃(100)은 1개의 포토 다이오드(PD)와 전송 트랜지스터(Transfer transistor, Tx; 25), 리셋 트랜지스터(Reset transistor, Rx; 30), 구동 트랜지스터(Drive transistor, Dx; 40), 및 선택 트랜지스터(Select transistor, Sx; 50)를 포함한다.1 illustrates a layout 100 of unit pixels of an image sensor having a general 4-TR structure. Referring to FIG. 1, the layout 100 of the unit pixel includes one photodiode PD, a transfer transistor (Tx) 25, a reset transistor (Rx) 30, and a driving transistor. transistor, Dx 40, and Select transistor Sx 50.

상기 포토 다이오드(PD)는 활성 영역(active region, 10) 중 폭이 넓은 부분에 형성되며, 빛을 받아 광전하를 생성한다. 상기 전송 트랜지스터(Tx)는 상기 포토 다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 확상 영역(Floating Diffusion, FD)으로 전달한다. 상기 리셋 트랜지스터(Rx)는 상기 플로팅 확산 영역(FD)의 전위를 세팅 또는 리셋시킨다. 게이트를 가지는 소스 팔로어 트랜지스터(Driver Transistor, Dx)는 게이트를 가지는 선택 트랜지스터(Sx)에 연결된다. 도판트가 도핑된 소스/드레인 영역들이 게이트들 주변에 제공된다. The photodiode PD is formed in a wide portion of the active region 10 and receives light to generate photocharges. The transfer transistor Tx transfers the photocharges collected by the photodiode PD to a floating diffusion region (FD). The reset transistor Rx sets or resets the potential of the floating diffusion region FD. A source follower transistor (Dx) having a gate is connected to the selection transistor Sx having a gate. Source / drain regions doped with dopants are provided around the gates.

한편, 포토 다이오드(PD)에서 많은 빛을 받아 생성된 전자들이 플로팅 확산 영역(FD)으로 넘어 올때, 이를 모두 수용하지 못하는 문제점이 있다. On the other hand, when electrons generated by receiving a lot of light from the photodiode PD cross over to the floating diffusion region FD, there is a problem in that they cannot accommodate all of them.

또한, 상기 전송 트랜지스터(Tx)가 턴 온/오프됨에 따라 상기 전송 트랜지스터 내에 존재하던 전자들이 상기 포토 다이오드로 역류하거나 또는 상기 플로팅 확산 영역으로 전달됨에 따라 노이즈 및 이미지 래깅(image lagging)을 유발될 수 있다.In addition, as the transfer transistor Tx is turned on / off, noise and image lagging may be induced as electrons existing in the transfer transistor are reversed to the photodiode or transferred to the floating diffusion region. have.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 가변 캐패시터를 활용하여 FD 캐패시터 용량을 늘림으로써 포토 다이오드로부터 플로팅 확산 영역으로의 전자를 모두 저장하고, 신호 지연 현상 및 노이즈를 줄일 수 있는 이미지 센서를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an image sensor capable of storing all electrons from a photodiode to a floating diffusion region and reducing signal delay and noise by increasing an FD capacitor capacity by using a variable capacitor.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판상의 활성 영역에 형성된 포토 다이오드, 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서, 포토 다이오드와 이격되어 형성된 N형 액티브 영역과, N형 액티브 영역 내에 서로 이격되어 형성된 플로팅 확산 영역과 P형 불순물 영역 및 P형 불순물 영역 상에 형성되고, 가변 전압이 인가되는 메탈 콘택을 포함하는 것을 특징으로 한다.An image sensor comprising a photodiode, a transfer transistor, a reset transistor, a driving transistor, and a selection transistor formed in an active region on a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention, comprising: an N-type active region formed spaced apart from a photodiode; And a metal contact formed on the floating diffusion region, the P-type impurity region, and the P-type impurity region which are formed to be spaced apart from each other in the N-type active region, and to which a variable voltage is applied.

본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 기판상의 활성 영역에 형성된 포토 다이오드, 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서 포토 다이오드와 이격되어 형성된 N형 액티브 영역과, N형 액티브 영역 내에 형성된 플로팅 확산 영역 및 N형 액티브 영역 상에 형성되고, 가변 전압이 인가되는 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘 콘택을 포함하는 것을 특징으로 한다. In an image sensor including a photodiode, a transfer transistor, a reset transistor, a driving transistor, and a selection transistor formed in an active region on a semiconductor substrate according to another embodiment of the present invention, an N-type active region formed spaced apart from a photodiode, and N And a polysilicon contact formed on the floating diffusion region and the N-type active region formed in the type active region and doped with a P-type impurity to which a variable voltage is applied.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는 가변 캐패시터를 활용하여 플로팅 확산 노드의 캐패시터 용량을 늘림으로써, 포토 다이오드로부터 플로팅 확상 영역으로 넘어오는 많은 양의 전자를 모두 저장할 수 있고, 노이즈 및 이미지 레깅을 줄일 수 있는 효과가 있다.The image sensor according to an embodiment of the present invention utilizes a variable capacitor to increase the capacitance of the floating diffusion node, thereby storing a large amount of electrons from the photodiode to the floating expansion region, and reducing noise and image legging. It can be effective.

이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the technical objects and features of the present invention will be apparent from the description of the accompanying drawings and the embodiments. Looking at the present invention in detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 공정 단면도로서, 도 3에 도시된 CMOS 이미지 센서를 A-A'로 자른 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a CMOS image sensor according to an exemplary embodiment, taken along line AA ′ of the CMOS image sensor illustrated in FIG. 3.

도 2를 참조하면, CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드(PD)와 전송 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 구동 트랜지스터(Dx), 및 선택 트랜지스터(Sx)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the CMOS image sensor includes a photodiode PD, a transfer transistor Tx, a reset transistor Rx, a driving transistor Dx, and a selection transistor Sx.

반도체 기판(100) 내에 포토 다이오드 영역(110) 및 N타입 액티브 영역(120)을 형성한다. N타입 액티브 영역(120) 내에 N+형 플로팅 확산 영역(130)을 형성한다. The photodiode region 110 and the N-type active region 120 are formed in the semiconductor substrate 100. An N + type floating diffusion region 130 is formed in the N type active region 120.

그리고, 일반적인 액티브 영역보다 액티브 영역(120)의 범위를 확장하여 액티브 영역(120) 내의 플로팅 확산 영역(130)과 이격된 영역에 P 타입 불순물 영역(140)을 도핑함으로써, N타입 액티브 영역(120)과 P타입 불순물 영역(140)이 접하는 영역에 PN접합이 형성되게 한다. The P-type impurity region 140 is doped in the region spaced apart from the floating diffusion region 130 in the active region 120 by expanding the range of the active region 120 rather than the general active region. ) And the P-type impurity region 140 to form a PN junction.

P타입 불순물 영역(140) 상의 메탈 콘택(150)을 통하여 NCP(Negative Charge Pumping)로 -1V 내지 0V 사이의 전압을 인가함으로써, PN접합이 가변 캐패시터(160)가 되도록하고, NCP 조절로 가변 캐패시터(160)의 용량을 조절한다.By applying a voltage between -1V and 0V to NCP (Negative Charge Pumping) through the metal contact 150 on the P-type impurity region 140, the PN junction becomes the variable capacitor 160, and the NCP adjustment to the variable capacitor Adjust the dose of 160.

플로팅 확산 영역의 총 캐패시터 CFD는 다음과 같은 수식1에서 보듯이 고정적인 CJ, CR, CD, Cparastic 및 FD 캐패시터를 조절하기 위해 형성된 정션 캐패시터 Cvariable에 영향을 받는다. The total capacitor C FD of the floating diffusion region is influenced by the junction capacitor C variable formed to adjust the fixed C J , C R , C D , C parastic and FD capacitors, as shown in Equation 1 below.

CFD = CJ+ CR+ CD+ Cparastic+ Cvariable C FD = C J + C R + C D + C parastic + C variable

이와 같이 본 발명은 NCP 가변 전압 및 PN접합으로 형성된 가변 캐패시터(160)의 용량 조절에 의해 포토 다이오드(110)로부터 넘어오는 많은 양의 전자를 플로팅 확산 영역(130)에 저장할 수 있다.As such, the present invention can store a large amount of electrons from the photodiode 110 in the floating diffusion region 130 by adjusting the capacitance of the variable capacitor 160 formed by the NCP variable voltage and the PN junction.

따라서, 포토 다이오드(110)에서 전자들이 남아 발생하는 신호지연(Lag effect)을 방지할 수 있다.Therefore, a signal delay (Lag effect) in which electrons remain in the photodiode 110 may be prevented.

도 3은 도 2의 CMOS 이미지 센서의 픽셀 평면도로서, 액티브 영역(120)을 확장하여 가변 캐패시터를 형성함을 알 수 있다. 3 is a plan view of a pixel of the CMOS image sensor of FIG. 2, in which the active region 120 is extended to form a variable capacitor.

다음, 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서를 설명하기로 한다.Next, a CMOS image sensor according to another embodiment of the present invention will be described.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서로서, 도 5에 도시된 CMOS 이미지 센서를 B-B'로 자른 공정 단면도이다. 4 is a CMOS image sensor according to another embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of the CMOS image sensor shown in FIG.

도 4를 참조하면, CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드(PD)와 전송 트랜지스 터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 구동 트랜지스터(Dx), 및 선택 트랜지스터(Sx)를 포함한다.Referring to FIG. 4, a CMOS image sensor includes a photodiode PD, a transfer transistor Tx, a reset transistor Rx, a driving transistor Dx, and a selection transistor Sx.

반도체 기판(200) 내에 포토 다이오드(210) 및 N-형 불순물 액티브 영역(220)을 형성하고, N-형 불순물 액티브 영역(220) 내에 N+형 플로팅 확산 영역(230)을 형성한다. The photodiode 210 and the N-type impurity active region 220 are formed in the semiconductor substrate 200, and the N + type floating diffusion region 230 is formed in the N-type impurity active region 220.

N-형 불순물 액티브 영역(220) 상에 메탈 콘택 대신 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘으로 콘택 영역(240)을 형성한다. The contact region 240 is formed of polysilicon doped with P-type impurities instead of the metal contact on the N-type impurity active region 220.

콘택 영역(240)은 N-형 불순물 액티브 영역(220)에 접하게 형성되고, 접하는 영역에 PN접합 영역이 형성된다. The contact region 240 is formed in contact with the N-type impurity active region 220, and the PN junction region is formed in the contact region.

이에 콘택 영역(240)에 NCP(Negative Charge Pumping)로 -1V 내지 0V 사이의 전압을 인가함으로써, 상기 PN접합이 가변 캐패시터(250)가 되도록하고, NCP 조절로 가변 캐패시터(250)의 용량을 조절한다. Accordingly, by applying a voltage between -1V and 0V to NCP (Negative Charge Pumping) to the contact region 240, the PN junction becomes a variable capacitor 250, the NCP control to adjust the capacity of the variable capacitor 250 do.

플로팅 확산 영역의 총 캐패시터 CFD는 다음과 같은 수식2에서 보듯이 고정적인 CJ, CR, CD, Cparastic 및 FD 캐패시터를 조절하기 위해 형성된 정션 캐패시터 Cvariable에 영향을 받는다. The total capacitor C FD of the floating diffusion region is influenced by the junction capacitor C variable formed to adjust the fixed C J , C R , C D , C parastic and FD capacitors, as shown in Equation 2 below.

CFD = CJ+ CR+ CD+ Cparastic+ Cvariable C FD = C J + C R + C D + C parastic + C variable

이와 같이 본 발명은 NCP 가변 전압 및 PN접합으로 형성된 가변 캐패시터(250)의 용량 조절에 의해 포토 다이오드(210)로부터 넘어오는 많은 양의 전자를 플로팅 확산 영역(230)에 저장할 수 있다.As such, the present invention may store a large amount of electrons from the photodiode 210 in the floating diffusion region 230 by adjusting the capacitance of the variable capacitor 250 formed by the NCP variable voltage and the PN junction.

따라서, 포토 다이오드(210)에서 전자들이 남아 발생하는 신호지연(Lag effect)을 방지할 수 있다.Therefore, a signal delay (Lag effect) in which electrons remain in the photodiode 210 may be prevented.

또한, N-형 불순물 액티브 영역(220)을 확장하지 않고, 메탈 콘택 대신 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘을 콘택으로 형성하여 포인트 정션(point junction)을 형성함으로써, 칩의 면적을 줄일 수 있는 효과가 있다. In addition, a point junction is formed by forming a polysilicon doped with a P-type impurity instead of a metal contact as a contact without expanding the N-type impurity active region 220, thereby reducing the area of the chip. There is.

도 5는 도 4의 CMOS 이미지 센서의 픽셀 평면도로서, N형 불순물 액티브 영역(220) 상에 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘을 콘택(240)으로 형성하여 가변 캐패시터를 형성함을 알 수 있다. FIG. 5 is a plan view of a pixel of the CMOS image sensor of FIG. 4, and it can be seen that a variable capacitor is formed by forming a contact 240 of polysilicon doped with P-type impurity on the N-type impurity active region 220.

도 6은 포토 다이오드와 전송 트랜지스터 및 플로팅 확산 영역의 퍼텐셜(potential) 변화를 보여주는 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a potential change of a photodiode, a transfer transistor, and a floating diffusion region.

도 4를 참조하여 살펴보면, 전하가 포토 다이오드에서 플로팅 확산 영역으로 전달시 가변 캐패시터로 인하여 낮아진 에너지 장벽에 의해 모두 전송된 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 4, it can be seen that the charges are all transferred by the energy barrier lowered by the variable capacitor when transferring from the photodiode to the floating diffusion region.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 일반적인 이미지 센서의 단위 화소의 레이 아웃.1 is a layout of unit pixels of a typical image sensor.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서의 공정 단면도.2 is a process cross-sectional view of an image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서의 평면도. 3 is a plan view of an image sensor according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 이미지 센서의 공정 단면도. 4 is a process cross-sectional view of an image sensor according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 이미지 센서의 평면도. 5 is a plan view of an image sensor according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예에 의한 포토 다이오드와 전송 트랜지스터 및 플로팅 확산 영역의 에너지 밴드 다이어그램.6 is an energy band diagram of a photodiode, a transfer transistor, and a floating diffusion region in accordance with an embodiment of the present invention.

Claims (6)

반도체 기판상의 활성 영역에 형성된 포토 다이오드, 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서, An image sensor comprising a photodiode, a transfer transistor, a reset transistor, a driving transistor, and a selection transistor formed in an active region on a semiconductor substrate, 상기 포토 다이오드와 이격되어 형성된 N형 액티브 영역; An N-type active region formed spaced apart from the photodiode; 상기 N형 액티브 영역 내에 서로 이격되어 형성된 플로팅 확산 영역과 P형 불순물 영역 및A floating diffusion region and a P-type impurity region formed in the N-type active region and spaced apart from each other; 상기 P형 불순물 영역 상에 형성되고, 가변 전압이 인가되는 메탈 콘택을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.And a metal contact formed on the P-type impurity region and to which a variable voltage is applied. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 P형 불순물 영역 및 상기 N형 액티브 영역이 접하는 영역에 형성된 PN 접합 및 가변전압이 인가되는 상기 메탈 콘택에 의해 형성된 가변 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서. And a variable capacitor formed by a PN junction formed in a region where the P-type impurity region and the N-type active region are in contact with each other and the metal contact to which a variable voltage is applied. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가변전압은 NCP(Negative Charge Pumping)로 -1V 내지 0V 사이의 전압을 인가함을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.The variable voltage is a CMOS image sensor, characterized in that for applying a voltage between -1V to 0V to NCP (Negative Charge Pumping). 반도체 기판상의 활성 영역에 형성된 포토 다이오드, 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서, An image sensor comprising a photodiode, a transfer transistor, a reset transistor, a driving transistor, and a selection transistor formed in an active region on a semiconductor substrate, 상기 포토 다이오드와 이격되어 형성된 N형 액티브 영역; An N-type active region formed spaced apart from the photodiode; 상기 N형 액티브 영역 내에 형성된 플로팅 확산 영역 및A floating diffusion region formed in the N-type active region and 상기 N형 액티브 영역 상에 형성되고, 가변 전압이 인가되는 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘 콘택을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.And a polysilicon contact formed on the N-type active region and doped with a P-type impurity to which a variable voltage is applied. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘 콘택 및 상기 N형 액티브 영역이 접하는 영역에 형성된 PN접합 및 가변전압이 인가되는 상기 폴리 실리콘 콘택에 의해형성된 가변 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서. And a variable capacitor formed by the polysilicon contact doped with the p-type impurity and the polysilicon contact to which a variable voltage is applied and a pn junction formed in an area where the n-type active region is in contact with the p-type impurity. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가변전압은 NCP(Negative Charge Pumping)로 -1V 내지 0V 사이의 전압을 인가함을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.The variable voltage is a CMOS image sensor, characterized in that for applying a voltage between -1V to 0V to NCP (Negative Charge Pumping).
KR1020090077134A 2009-08-20 2009-08-20 Complementary metal-oxide semiconductor image sensor KR20110019556A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090077134A KR20110019556A (en) 2009-08-20 2009-08-20 Complementary metal-oxide semiconductor image sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090077134A KR20110019556A (en) 2009-08-20 2009-08-20 Complementary metal-oxide semiconductor image sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110019556A true KR20110019556A (en) 2011-02-28

Family

ID=43776836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090077134A KR20110019556A (en) 2009-08-20 2009-08-20 Complementary metal-oxide semiconductor image sensor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110019556A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834468A (en) * 2019-04-15 2020-10-27 宁波飞芯电子科技有限公司 Photodiode preparation method and photodiode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834468A (en) * 2019-04-15 2020-10-27 宁波飞芯电子科技有限公司 Photodiode preparation method and photodiode

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102263042B1 (en) A pixel, an image sensor including the pixel, and an image processing system including the pixel
KR101989567B1 (en) Image sensor
TWI671893B (en) Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic device
US20180063456A1 (en) Image sensor and driving method thereof
TWI504258B (en) In-pixel high dynamic range imaging
US20140159129A1 (en) Near-infrared-visible light adjustable image sensor
US20190103428A1 (en) Cmos image sensor having indented photodiode structure
EP1648031A1 (en) Image sensor pixel having a non-convex photodiode
US7510896B2 (en) CMOS image sensor and method for manufacturing the same
US20170194372A1 (en) Image Sensor
KR102033610B1 (en) Image sensor and method of forming the same
US9640572B2 (en) Unit pixel for image sensor
KR100720534B1 (en) CMOS image sensor and method for manufacturing the same
US10096633B2 (en) Transistor and image sensor having the same
US9960201B2 (en) Image sensor and pixel of the image sensor
KR20030008481A (en) Cmos image sensor
CN108231810B (en) Pixel unit structure for increasing suspended drain capacitance and manufacturing method
KR20070009829A (en) Cmos image sensor
KR20110019556A (en) Complementary metal-oxide semiconductor image sensor
KR100606906B1 (en) a photodiode in a CMOS image sensor and method for fabricating the same
KR100660345B1 (en) Cmos image sensor and method for fabrication thereof
KR20210046929A (en) Image sensor
KR20040093905A (en) Unit pixel for high sensitive cmos image sensor
US20170187974A1 (en) Image sensor using nanowire and method of manufacturing the same
KR100642451B1 (en) Cmos image sensor and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid