KR20110006237A - Magnetron - Google Patents

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KR20110006237A
KR20110006237A KR1020090063786A KR20090063786A KR20110006237A KR 20110006237 A KR20110006237 A KR 20110006237A KR 1020090063786 A KR1020090063786 A KR 1020090063786A KR 20090063786 A KR20090063786 A KR 20090063786A KR 20110006237 A KR20110006237 A KR 20110006237A
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엘지전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A magnetron is provided to prevent interference from a wireless LAN by determining separation distance from a strap by modifying the shape of a vane. CONSTITUTION: An anode cylinder(2) is arranged in the inner side of a yoke in a cylindrical form. A plurality of vanes(3) are radially arranged inside the anode cylinder. The separation distance between the vane and the strap is determined according to the oscillation frequency of a superhigh frequency. Two straps(4,5) are sequentially connected to the upper and lower part of the leading end side of the vane. The two straps form the vane and a resonance circuit.

Description

마그네트론{MAGNETRON}Magnetron {MAGNETRON}

본 발명은 무선랜 기기와의 통신 간섭을 회피하도록 한 마그네트론에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetron for avoiding communication interference with a WLAN device.

최근에는 초고주파를 이용한 무전극 조명장치가 개발되고 있으며, 이러한 무전극 조명기기는 수명이 길고 발광 효율이나 특성이 좋기 때문에 점차 사용이 증가되고 있는 추세이다.Recently, an electrodeless lighting device using ultra high frequency has been developed, and the electrodeless lighting device has a long life and good use of light emission efficiency or characteristics.

일반적으로 마그네트론은, 도 1에 도시한 바와 같이, 상부요크(1a)와 하부요크(1b)가 대략 "ㅁ"자 형상이 되도록 결합된 요크(1)의 내측에는 원통형상의 양극 실린더(2)가 설치되어 있고, 그 양극 실린더(2)의 내부에는 고주파 성분을 유기시키도록 공동공진기를 형성하는 복수개의 베인(3)이 축심방향을 향하여 방사형태로 배치되어 있으며, 그 베인(3)의 선단부측에는 그 상,하부에 각각 내측균압링(4)과 외측균압링(5)이 교번적으로 접속되도록 결합되어 있어서, 상기 양극 실린더(2)와 베인(3)이 양극부(ANODE)를 이루도록 되어 있다.In general, as shown in FIG. 1, a cylindrical anode cylinder 2 is formed inside the yoke 1 coupled to the upper yoke 1a and the lower yoke 1b so as to have a substantially "wh" shape. In the anode cylinder 2, a plurality of vanes 3 which form a cavity resonator so as to induce high frequency components are arranged radially toward the axial direction, and on the tip end side of the vanes 3 The upper and lower portions of the inner pressure equalizing ring 4 and the outer pressure equalizing ring 5 are connected to each other alternately so that the anode cylinder 2 and the vane 3 form an anode ANODE. .

그리고, 상기 양극 실린더(2)의 중심축상에는 베인(3)의 선단부와 일정간격의 작용공간(6)이 형성되도록 나선형으로 권선된 필라멘트(7)가 설치되어 있는데, 그 필라멘트(7)는 텅스텐과 산화토륨의 혼합물로 되어 있으며, 공급되는 동작전류에 의해 가열되어 열전자를 방출하는 음극부(캐소드; CATHODE)를 이루도록 되어 있다.In addition, on the central axis of the anode cylinder (2) is provided a filament (7) spirally wound so that the front end of the vane (3) and the working space 6 of a predetermined interval is formed, the filament (7) is tungsten It is made of a mixture of thorium oxide, and forms a cathode portion (cathode; CATHODE) which is heated by a supplied operating current to emit hot electrons.

또한, 상기 필라멘트(7)의 상단부에는 방출되는 열전자가 상방향으로 방사되는 것을 차단하기 위해 탑실드(8)가 고착되어 있고, 하단부에는 방출되는 열전자가 하방향으로 방사되는 것을 차단하기 위해 앤드실드(9)가 고착되어 있는데, 그 앤드실드(9)의 중앙부에 형성된 관통공에는 몰리브덴 재질의 센터리드(10)가 삽입되어 탑실드(8)의 하면에 접합 고정되어 있고, 하면에는 그 센터리드(10)와 일정간격을 두고 설치되며 몰리브덴 재질로된 사이드리드(11)의 상단부가 접합 고정되어 있다.In addition, the top shield 8 is fixed to the upper end of the filament 7 to block the emitted hot electrons from radiating upward, and the end shield to prevent the radiated hot electrons from radiating downward. (9) is fixed to the through hole formed in the center portion of the end shield (9) is inserted into the center lead 10 made of molybdenum and fixed to the lower surface of the top shield (8), the center lead on the lower surface The upper end of the side lead 11 made of molybdenum material is installed at a predetermined interval from the 10 and is fixed.

그리고, 상기 양극 실린더(2)의 상,하측 개구부에는 자성체로된 깔대기 형상의 상부폴피스(13)와 하부폴피스(14)가 결합되어 있고, 그 상부폴피스(13)의 상측과 하부폴피스(14)의 하측에는 원통형상의 A-실(15)과 F-실(16)이 각각 브레이징으로 접합되어 있는데, 그 A-실(15)의 상측과 F-실(16)의 하측에는 고주파를 외부로 출력하는 A-세라믹(17)과 절연을 위한 F-세라믹(18)이 브레이징으로 접합되어 있고, 상기 A-세라믹(17)의 상측에는 배기관(19)이 브레이징으로 접합되어 있으며, 그 배기관(19)의 상단부는 양극 실린더(2)의 내부를 진공상태로 밀봉하기 위해 절단과 동시에 접합되어 있다.The upper and lower openings of the anode cylinder 2 are coupled to the upper pole piece 13 and the lower pole piece 14 having a funnel shape made of magnetic material, and the upper and lower poles of the upper pole piece 13 are coupled to each other. At the lower side of the piece 14, the cylindrical A-chamber 15 and the F-chamber 16 are brazed, respectively, and the high frequency is at the upper side of the A-chamber 15 and the lower side of the F-chamber 16. A-ceramic (17) for outputting to the outside and F-ceramic (18) for insulation are brazed, the exhaust pipe 19 is brazed to the upper side of the A-ceramic (17), The upper end of the exhaust pipe 19 is joined at the same time as cutting to seal the inside of the anode cylinder 2 in a vacuum state.

또한, 상기 A-실(15)의 내측에는 공동공진기 내에서 발진되는 고주파를 출력하기 위한 안테나(20)가 설치되는데, 그 안테나(20)의 하단부는 어느 하나의 베인(3)에 접속되어 있고, 상단부는 상기 배기관(19)의 내측 상면에 고정되어 있다.In addition, an antenna 20 for outputting high frequency oscillated in the cavity resonator is installed inside the A-chamber 15, and the lower end of the antenna 20 is connected to any one vane 3. The upper end is fixed to the inner upper surface of the exhaust pipe 19.

그리고, 상기 양극 실린더(2)의 상측과 하측에는 요크(1)의 내측면에 접촉되도록 상부마그네트(21)와 하부마그네트(22)가 결합되어 있어서, 상기 상,하부폴피스(13)(14)와 함께 자계를 형성할 수 있도록 되어 있다.In addition, the upper magnet 21 and the lower magnet 22 are coupled to the upper side and the lower side of the anode cylinder 2 so as to contact the inner surface of the yoke 1, so that the upper and lower pole pieces 13, 14 ) To form a magnetic field.

또한, 상기 요크(1)의 하측에는 박스체로된 필터박스(26)가 결합되어 있고, 그 필터박스(26)의 내측에는 입력부로 역류하는 고조파 노이즈를 감쇄시키기 위한 1쌍의 초크코일(27)이 설치되어 있는데, 그 1쌍의 초크코일(27)의 일단부는 상기 F-세라믹(18)에 형성된 관통공에 삽입되도록 결합되는 1쌍의 F-리드(28)의 하단부에 전기적으로 접속되어 있다.In addition, a box-shaped filter box 26 is coupled to the lower side of the yoke 1, and a pair of choke coils 27 for attenuating harmonic noise flowing back to the input part inside the filter box 26. Although one end of the pair of choke coils 27 is provided, the one end of the pair of choke coils 27 is electrically connected to the lower end of the pair of F-leads 28 which are coupled to be inserted into the through holes formed in the F-ceramic 18. .

그리고, 상기 F-세라믹(18)의 관통공에 삽입결합된 F-리드(28)의 상단부는 상기 F-세라믹(18)의 상측에 설치된 1쌍의 디스크(29) 하면에 각각 접합되어 있고, 그 디스크(29)들의 상면에는 상기 센터리드(10)와 사이드리드(11)의 하단부가 각각 접합되어 있다.The upper ends of the F-leads 28 inserted into the through-holes of the F-ceramic 18 are respectively bonded to the lower surfaces of the pair of disks 29 provided above the F-ceramic 18. Upper ends of the discs 29 are joined to lower ends of the center leads 10 and the side leads 11, respectively.

또한, 상기 필터박스(26)의 측벽에는 캐패시터(31)가 설치되어 있는데, 그 캐패시터(31)의 내측 단부는 상기 초크코일(27)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 초크코일(27)에는 저주파 노이즈를 흡수하기 위한 페라이트(32)가 길이방향으로 삽입되어 있다.In addition, a capacitor 31 is provided on the side wall of the filter box 26, and an inner end of the capacitor 31 is electrically connected to the choke coil 27, and the choke coil 27 has a low frequency. Ferrites 32 for absorbing noise are inserted in the longitudinal direction.

그리고, 상기 요크(1)의 내주면과 양극 실린더(2)의 외주면 사이에는 냉각핀(41)이 설치되어 있고, 상기 A-세라믹(17)의 상측에는 배기관(19)의 접합부를 보호할 수 있도록 안테나 캡(42)이 씌워져 있다.A cooling fin 41 is provided between the inner circumferential surface of the yoke 1 and the outer circumferential surface of the anode cylinder 2, and the junction of the exhaust pipe 19 is protected on the upper side of the A-ceramic 17. The antenna cap 42 is covered.

한편, 무선랜(Wire Less LAN)은 무선 주파수(Radio Frequency)를 사용하여 무선으로 접속자간에 통신을 수행하는 통신 네트워크 방식의 하나이다. 이러한 IEEE 규격에 따르면, 무선랜은 2.4GHz 또는 5GHz 등의 고주파를 사용한다. 그러나, 이들 고주파 신호들은 주변의 다른 전자기기에 영향을 주고 받게 되어 오동작 등의 문제를 발생시킬 여지가 있어서 비행기, 병원, 실험실 등에서는 그 사용을 제한하고 있다.On the other hand, the wireless LAN (Wire Less LAN) is one of the communication network method that performs communication between the users wirelessly using a radio frequency (Radio Frequency). According to the IEEE standard, the wireless LAN uses a high frequency such as 2.4GHz or 5GHz. However, these high-frequency signals are affected by other electronic devices in the surroundings, which may cause problems such as malfunctions. Therefore, these high-frequency signals limit their use in airplanes, hospitals, and laboratories.

그러나, 종래 기술에 따른 무전극 조명장치는 2450MHz의 공진주파수를 가지는 마그네트론을 사용하여 설계되어진 제품이기 때문에 2.4~2.5GHz대역을 사용하는 무선랜과 7ch이상의 채널간섭이 발생하는 문제점이 있다.However, since the electrodeless lighting device according to the prior art is designed using a magnetron having a resonant frequency of 2450 MHz, there is a problem in that a channel interference of more than 7 ch and a wireless LAN using a 2.4 to 2.5 GHz band occur.

또한, 만일 무선랜 기기를 사용하는 장소에 무전극 조명장치를 설치하는 경우에 상호간에 간섭이 발생하지 않도록 채널 설정을 하거나, 또는 무선랜 기기의 사용 주파수 대역을 5GHz로 옮겨야하는 하는 문제점이 있다.In addition, if a non-electrode lighting apparatus is installed in a place where a wireless LAN device is used, there is a problem in that the channel is set so as not to interfere with each other or the frequency band of the wireless LAN device must be shifted to 5 GHz.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 간단한 구조의 변경을 통해 무선랜 기기와의 간섭을 회피하도록 한 마그네트론을 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a magnetron that avoids interference with a WLAN device through a simple structure change.

본 발명은 마그네트론을 구성하는 베인과 스트랩간의 이격 거리를 제어함으로써 무전극 조명장치의 발진 주파수를 변경할 수 있도록 한 마그네트론을 제공함에 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a magnetron capable of changing the oscillation frequency of an electrodeless lighting device by controlling the separation distance between the vanes constituting the magnetron and the strap.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마그네트론은, 요크의 내측에 원통형상으로 구비된 양극 실린더와, 상기 양극 실린더의 내부에 방사상으로 배치되어 초고주파 성분을 유기하는 복수의 베인과, 상기 베인의 선단부측 상하부에 교번적으로 접속되고, 상기 베인과 공진 회로를 형성하는 두 개의 스트랩을 포함하고, 상기 각각의 베인과 상기 베인과 접속되지 아니한 스트랩의 이격 거리는 상기 초고주파의 발진 주파수에 따라 결정되는 것을 특징으로 한다.The magnetron according to the present invention for achieving the above object, the anode cylinder provided in a cylindrical shape on the inside of the yoke, a plurality of vanes disposed radially inside the anode cylinder and organic components of the ultra-high frequency, the tip end of the vane And two straps alternately connected to upper and lower sides and forming the vane and the resonant circuit, and the separation distance of each vane and the strap not connected to the vane is determined according to the oscillation frequency of the ultra-high frequency. It is done.

본 발명에 따른 무전극 조명장치에 따라 상기 마그네트론을 구성하는 베인의 형상을 변경하여 스트랩간의 이격 거리를 결정함으로써 무선랜과의 간섭을 회피하고, 반대로 마그네트론을 구성하는 베인과 스트랩간의 이격 거리를 제어함으로써 무전극 조명장치의 발진 주파수를 변경할 수 있는 장점이 있다.According to the electrodeless lighting device according to the present invention, the distance between the straps is determined by changing the shape of the vanes constituting the magnetron, thereby avoiding interference with the WLAN, and controlling the separation distance between the vanes constituting the magnetron and the strap. As a result, the oscillation frequency of the electrodeless lighting device can be changed.

본 발명에 따라 무전극 조명장치와 무선랜 기기 간의 간섭을 회피함으로써 시스템의 신뢰성을 향상시키고, 무선랜 기기의 사용주파수 대역을 다른 주파수 대역으로 변경하지 않도록 함으로써 사용자의 편의성을 제고할 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the reliability of the system by avoiding interference between the electrodeless lighting device and the wireless LAN device, and to improve the user's convenience by not changing the use frequency band of the wireless LAN device to another frequency band.

본 발명에 따른 마그네트론은, 요크의 내측에 원통형상으로 구비된 양극 실린더와, 상기 양극 실린더의 내부에 방사상으로 배치되어 초고주파 성분을 유기하는 복수의 베인과, 상기 베인의 선단부측 상하부에 교번적으로 접속되고, 상기 베인과 공진 회로를 형성하는 두 개의 스트랩을 포함하고, 상기 각각의 베인과 상기 베인과 접속되지 아니한 스트랩의 이격 거리는 상기 초고주파의 발진 주파수에 따라 결정되는 것을 특징으로 한다. 여기서, 도 1의 마그네트론 전체의 형상 및 마그네트론을 구성하는 다른 구성요소들은 본 발명에 그대로 적용될 수 있다.The magnetron according to the present invention includes an anode cylinder provided in a cylindrical shape inside the yoke, a plurality of vanes disposed radially inside the anode cylinder to induce ultra-high frequency components, and alternately above and below the tip side of the vane. And two straps connected to each other to form the vane and the resonant circuit, and the separation distance between each vane and the strap not connected to the vane is determined according to the oscillation frequency of the ultra-high frequency. Here, the shape of the entire magnetron of Figure 1 and other components constituting the magnetron can be applied to the present invention as it is.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마그네트론을 상세히 설명한다.Hereinafter, a magnetron according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1을 참조하면, 외부전원이 F-리드(28)를 통하여 센터 리드(10)와 사이드 리드(11)에 공급이 되어 F-리드(28), 센터리드(10), 필라멘트(7), 탑실드(8), 앤드실드(9), 사이드리드(11), 디스크(29)로 이루어지는 폐회로가 구성되어 필라멘트(7)에 동작전류가 공급이 되고, 그와 같이 공급되는 동작전류에 의하여 필라멘트(7)가 가열이 된다. 가열된 필라멘트(7)로 부터 도 5에 도시한 바와 같이 열전자가 방출이 되며, 그와 같이 방출된 열전자에 의해 전자군이 형성된다.First, referring to FIG. 1, an external power source is supplied to the center lead 10 and the side lead 11 through the F-lead 28 so that the F-lead 28, the center lead 10, and the filament 7 can be supplied. ), A closed circuit consisting of the top shield 8, the end shield 9, the side lid 11, and the disk 29 is configured so that the operating current is supplied to the filament 7, and the operating current supplied as such As a result, the filament 7 is heated. Hot electrons are emitted from the heated filament 7 as shown in FIG. 5, and electron groups are formed by the hot electrons thus emitted.

그리고, 사이드 리드(11)를 통하여 양극부로 공급되는 구동전압에 의해 작용공간(6) 내에는 강한 전계가 형성이 되고, 상부 마그네트(21)와 하부 마그네트(22) 에 의해 발생된 자속이 하부폴피스(14)를 따라 작용공간(6) 쪽으로 인도되어, 작용공간(6)을 통해 상부폴피스(13)로 진행하면서 작용공간(6)내에 높은 자계가 형성된다.In addition, a strong electric field is formed in the working space 6 by the driving voltage supplied to the anode portion through the side lead 11, and the magnetic flux generated by the upper magnet 21 and the lower magnet 22 is lower pole. Guided along the piece 14 toward the working space 6, a high magnetic field is formed in the working space 6, proceeding through the working space 6 to the upper pole piece 13.

따라서, 고온의 필라멘트(7) 표면에서 작용공간(6)의 내부로 방출되는 열전자는 작용공간(6) 내에 존재하는 강한 전계에 의해 베인(3)쪽으로 진행함과 동시에 강한 자계에 의해 수직으로 힘으로 받아 나선형으로 원운동하며 베인(3)에 도달하게 된다.Therefore, the hot electrons emitted from the surface of the hot filament 7 into the working space 6 travel to the vane 3 by the strong electric field present in the working space 6, and at the same time, the force is applied vertically by the strong magnetic field. It will receive the vane (3) in a circular motion in a spiral.

이러한 전자의 운동으로 형성된 전자군은 주기적인 고주파 발진주파수의 배수의 역수분의 일 만큼의 주기로 베인(3)에 간섭을 일으키고, 이 작용에 의해 베인(3)간의 마주보는 공간 즉 공진기에는 서로 마주보는 베인(3) 간에 작용하는 정전용량의 캐패시턴스 성분과 상기 마주보는 베인(3)과 이를 연결하는 양극 실린더(2)로 이루어지는 인덕턴스 성분이 회로상에서 병렬공진회로를 구성하여 공진주파수가

Figure 112009042586053-PAT00001
에 의해 결정된 고주파가 베인(3)으로 부터 유기되고, 그와 같이 유기된 고주파가 안테나(20)를 통하여 외부로 방사된다.The group of electrons formed by the movement of the electrons interferes with the vanes 3 at intervals equal to the reciprocal of the multiple of the periodic high frequency oscillation frequency, and by this action, the vanes 3 face each other, that is, the resonator, facing each other. The capacitance component of the capacitance acting between the visible vanes 3 and the inductance component composed of the opposing vanes 3 and the anode cylinder 2 connecting them constitute a parallel resonant circuit on the circuit so that the resonance frequency is increased.
Figure 112009042586053-PAT00001
The high frequency determined by is induced from the vanes 3, and the high frequency thus induced is radiated to the outside through the antenna 20.

그리고, 상기와 같이 고주파 에너지가 발생될때에 입력부쪽으로 누설되는 전자파 노이즈는 요크(1)의 하측에 결합된 필터 박스(26)에 의하여 외부로 누설되는 것이 차단되고, 출력부쪽으로 누설되는 전자파 노이즈는 A-실(15)의 상단부 외측에 결합된 가스켓(51)에 의하여 차단되어 진다.And, as described above, when the high frequency energy is generated, the electromagnetic noise leaked to the input part is prevented from leaking to the outside by the filter box 26 coupled to the lower side of the yoke 1, and the electromagnetic noise leaked to the output part is It is blocked by a gasket 51 coupled to the outside of the upper end of the A-seal 15.

도 2 내지 도 4를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 마그네트론은, 요크(1)의 내측에 원통형상으로 구비된 양극 실린더(2)와, 상기 양극 실린더의 내부에 방사상으로 배치되어 초고주파 성분을 유기하는 복수의 베인(3)과, 상기 베인의 선단부측 상하부에 교번적으로 접속되고, 상기 베인과 공진 회로를 형성하는 두 개의 스트랩(4, 5)을 포함하여 구성된다. 이때, 상기 각각의 베인(3)과 상기 베인과 접속되지 아니한 스트랩의 이격 거리는 상기 초고주파의 발진 주파수에 따라 결정되는 것을 특징으로 한다. 설명을 용이하게 하기 위하여 두 개의 스트랩을 각각 제1 스트랩(4)과 제2 스트랩(5)으로 설정한다.2 to 4 together, the magnetron according to the present invention, the anode cylinder (2) provided in a cylindrical shape inside the yoke (1), and the radially disposed inside the anode cylinder to organic ultra-high frequency components And a plurality of vanes (3) and two straps (4, 5) alternately connected to upper and lower portions of the tip end side of the vanes and forming the resonant circuit with the vanes. At this time, the separation distance of each vane 3 and the strap not connected to the vanes is determined according to the oscillation frequency of the ultra-high frequency. For ease of explanation, two straps are set as the first strap 4 and the second strap 5, respectively.

도 2를 참조하면, 요크(1)의 내측에 원통형상으로 구비된 양극 실린더(2)와, 상기 양극 실린더의 내부에 방사상으로 배치되어 초고주파 성분을 유기하는 복수의 베인(3)과, 상기 베인의 선단부측 상하부에 교번적으로 접속되고, 상기 베인과 공진 회로를 형성하는 두 개의 스트랩(4, 5)은 양극부(애노드; Anode)를 형성한다. 이에 의해 형성되는 공진 회로는 도 6과 같다. 즉, 전력 공급 회로(100)를 통해 애노드 전력이 인가되면, 상기 애노드는 공진 회로를 형성하여 초고주파를 발진한다. 인가된 애노드 전력에 따른 전자의 운동으로 형성된 전자군은 주기적인 고주파 발진주파수의 배수의 역수분의 일 만큼의 주기로 베인(3)에 간섭을 일으키고, 이 작용에 의해 베인(3)간의 마주보는 공간 즉 공진기에는 서로 마주보는 베인(3) 간에 작용하는 정전용량의 캐패시턴스 성분과 상기 마주보는 베인(3)과 이를 연결하는 양극 실린더(2)로 이루어지는 인덕턴스 성분이 회로상에서 병렬공진회로를 구성하여 공진주파수가

Figure 112009042586053-PAT00002
에 의해 결정된 고주파가 베인(3)으로 부터 유기 되고, 그와 같이 유기된 고주파가 안테나(20)를 통하여 외부로 방사된다. 이때, 인접한 베인(3)의 고주파 전위가 역으로 되는 π모드의 형태로 안정적으로 발진한다.Referring to FIG. 2, an anode cylinder 2 provided in a cylindrical shape inside the yoke 1, a plurality of vanes 3 disposed radially inside the anode cylinder to induce ultra-high frequency components, and the vanes The two straps 4 and 5, which are alternately connected to the top and bottom portions of the tip side of the vane and form the resonant circuit, form an anode portion (anode). The resonance circuit formed by this is as shown in FIG. That is, when anode power is applied through the power supply circuit 100, the anode forms a resonant circuit to oscillate ultra-high frequency. The group of electrons formed by the movement of electrons according to the applied anode power interferes with the vanes 3 at intervals of the reciprocal of the multiple of the periodic high frequency oscillation frequency, and the space between the vanes 3 is opposed by this action. In other words, the resonator has a resonance component composed of a capacitance component of capacitance acting between the vanes 3 facing each other and an inductance component composed of the opposing vanes 3 and the anode cylinder 2 connecting them to form a parallel resonance circuit on the circuit. end
Figure 112009042586053-PAT00002
The high frequency determined by is induced from the vanes 3, and the high frequency thus induced is radiated to the outside through the antenna 20. At this time, it oscillates stably in the form of (pi) mode in which the high frequency electric potential of the adjacent vanes 3 is reversed.

도 3 및 도 4를 참조하여 상기 베인(3)과 상기 스트랩(4, 5)의 관계를 설명한다. 도 3을 참조하면, 양극 실린더(2)와, 상기 양극 실린더(2)의 내부에 방사상으로 배치되어 초고주파 성분을 유기하는 복수의 베인(3)과, 상기 베인의 선단부측 상하부에 교번적으로 접속되고, 상기 베인과 공진 회로를 형성하는 두 개의 스트랩(4, 5)은 양극부(애노드; Anode)를 형성한다. 한편, 도 4에서, a는 제2 스트랩(5)과 베인(3)간의 간격, b는 제1 스트랩(4)과 제2 스트랩간의 거리, c는 제2 스트랩(5)과 베인(3)의 간격, d는 제2 스트랩(5)과 베인(3)간의 이격 거리, e는 스트랩(4, 5)의 두께이다. 일반적으로 스트랩(4, 5)의 두께 e는 1.30 밀리미터 정도이다. 또한, 2,450 MHz의 발진 주파수를 갖는 무전극 조명 장치의 경우에는 상기 a, b, c, d의 거리 또는 간격이 일정하게 하여 사용하는데, 그 거리 또는 간격은 0.70 내지 0.75 밀리미터이다. 그러나, 이러한 경우에 상기한 바와 같이 무선랜 기기와 간섭을 일으키게 된다.The relationship between the vanes 3 and the straps 4 and 5 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. Referring to FIG. 3, the anode cylinder 2, a plurality of vanes 3 arranged radially inside the anode cylinder 2 to induce ultra-high frequency components, and alternately connected to upper and lower ends of the vane side of the vane The two straps 4 and 5 forming the vane and the resonant circuit form an anode part (anode). Meanwhile, in FIG. 4, a is the distance between the second strap 5 and the vane 3, b is the distance between the first strap 4 and the second strap, c is the second strap 5 and the vane 3. Is the spacing distance between the second strap 5 and the vane 3, and e is the thickness of the straps 4 and 5. Typically the thickness e of the straps 4 and 5 is on the order of 1.30 millimeters. In addition, in the case of an electrodeless illumination device having an oscillation frequency of 2,450 MHz, the distances or intervals of a, b, c, and d are used to be constant, and the distance or interval is 0.70 to 0.75 millimeters. However, in this case, as described above, it causes interference with the WLAN device.

본 발명에 따라 다른 거리 또는 간격은 그대로 유지한 채 상기 제2 스트랩(5)과 베인(3)간의 이격 거리 d를 변경하면 발진 주파수를 변경할 수 있게 된다. 예를 들어, 발진 주파수를 2,480 내지 2,485 MHz를 사용하고자 하는 경우에는 상기 제2 스트랩(5)과 베인(3)간의 이격 거리 d를 상기 초고주파의 발진 주파수가 2,450 MHz일 때의 이격 거리보다 0.20 내지 0.28 밀리미터 만큼 더 늘리면 된다. 다시 말하면, 0.90 내지 1.03 밀리미터 정도의 거리를 갖게 하면 발진하는 초고주파의 주파수가 2,480 내지 2,485 MHz로 변경되게 되고, 2.4 내지 2.5 GHz 대역의 주파수를 사용하는 외부 전자기기, 예를 들어 무선랜 기기와의 간섭을 줄어 들게 하거나, 피할 수 있게 한다.According to the present invention, the oscillation frequency can be changed by changing the separation distance d between the second strap 5 and the vane 3 while maintaining the other distance or distance. For example, when the oscillation frequency is to be used at 2,480 to 2,485 MHz, the separation distance d between the second strap 5 and the vane 3 is 0.20 to the separation distance when the oscillation frequency of the ultra high frequency is 2,450 MHz. You can increase it by 0.28 millimeters. In other words, when a distance of about 0.90 to 1.03 millimeters is provided, the frequency of oscillating ultra-high frequency is changed to 2,480 to 2,485 MHz, and the external electronic device using a frequency of 2.4 to 2.5 GHz band, for example, a wireless LAN device. Reduce or avoid interference.

도 6은 본 발명에 따른 마그네트론의 베인과 스트랩에 의해 형성된 공진회로의 등가 회로도로서, 이에 도시한 바와 같이, 마그네트론 내의 베인(3)의 형상을 변경하면, 양극부 내의 인덕턴스(L)과 커패시턴스(C)가 변하게 되고, 이에 따라 마그네트론의 발진 주파수, 즉 공진 주파수가 변하게 된다.FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a resonant circuit formed by a vane and a strap of a magnetron according to the present invention. As shown in FIG. 6, when the shape of the vane 3 in the magnetron is changed, an inductance L and a capacitance of the anode portion ( C) changes, and thus the oscillation frequency of the magnetron, that is, the resonance frequency, changes.

상기한 바와 같이, 마그네트론의 공진주파수는

Figure 112009042586053-PAT00003
과 같이 표현할 수 있다. 여기서, L은 양극부의 인덕턴스 값이고, C는 Cr와 Cs의 합으로 구성된다. Cr은 공진회로에 의한 커패시턴스(Resonator Capacitance)와 각 구성요소의 가장자리에서 발생하는 프린징 커패시턴스(Fringing Capacitance)의 합이다. 반면, Cs는 상기 베인(3)과 상기 스트랩(5) 간의 커패시턴스이다. 상기 제2 스트랩(5)과 베인(3)간의 이격 거리 d가 증가하면 상기 베인(3)과 상기 스트랩(5) 간의 커패시턴스 Cs가 감소한다. 또한, Cs가 감소하면 전체 커패시턴스가 감소하게 되고, 마그네트론의 발진 주파수, 즉 공진주파수가 증가하게 된다. As described above, the resonance frequency of the magnetron is
Figure 112009042586053-PAT00003
It can be expressed as Where L is the inductance value of the anode and C is the sum of Cr and Cs. Cr is the sum of the capacitance caused by the resonance circuit and the fringing capacitance generated at the edge of each component. Cs, on the other hand, is the capacitance between the vane 3 and the strap 5. When the separation distance d between the second strap 5 and the vane 3 increases, the capacitance Cs between the vane 3 and the strap 5 decreases. In addition, if the Cs decreases, the total capacitance decreases, and the oscillation frequency of the magnetron, that is, the resonance frequency increases.

도 7 및 도 8을 함께 참조하여 본 발명에 따른 무선랜 기기와 무전극 조명장치의 관계 변화를 설명한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 무선랜은 ISM Band(Industrial Scientific and Medical Radio Band) 중 2.4 ~ 2.5 GHz 대역의 무 선랜 사용주파수 밴드를 사용한다. 무전극 조명장치에서 발생되는 초고주파는 2.1 ~ 2.8 GHz의 대역에 걸쳐 있다. 따라서, 무선랜 사용주파수 밴드와 무전극 조명장치에서 발생되는 초고주파는 약 7ch에 걸쳐 통신 간섭이 발생한다. 반면, 도 8을 참조하면, 본 발명에 따라 상기 베인(3)과 스트랩(4, 5)의 이격 거리를 늘리면 무선랜 사용주파수 밴드와 무전극 조명장치의 초고주파에 의해 발생하는 약 7ch에 걸친 통신 간섭을 피할 수 있게 된다.With reference to FIG. 7 and FIG. 8, the relationship change between the wireless LAN device and the electrodeless lighting device according to the present invention will be described. As shown in Figure 7, the wireless LAN uses a wireless LAN frequency band of 2.4 ~ 2.5 GHz band of the Industrial Scientific and Medical Radio Band (ISM Band). The very high frequencies generated by electrodeless illuminators are in the 2.1 to 2.8 GHz band. Therefore, the high frequency generated in the WLAN frequency band and the electrodeless lighting device generates communication interference over about 7ch. On the other hand, referring to Figure 8, according to the present invention increases the separation distance between the vanes 3 and the straps (4, 5) communication over about 7ch generated by the ultra-high frequency of the WLAN frequency band and the electrodeless lighting device Interference can be avoided.

도 1은 일반적인 무전극 조명장치의 마그네트론의 구성을 보인 사시도;1 is a perspective view showing the configuration of a magnetron of a typical electrodeless lighting device;

도 2는 본 발명에 따른 마그네트론의 베인과 스트랩를 포함한 애노드를 보인 사시도;2 is a perspective view showing an anode including a vane and a strap of a magnetron according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 마그네트론의 베인과 스트랩의 연결관계를 설명하기 위한 횡단면도(1);Figure 3 is a cross-sectional view (1) for explaining the connection between the vane and strap of the magnetron according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 마그네트론의 베인과 스트랩의 연결관계를 설명하기 위한 횡단면도(2);Figure 4 is a cross-sectional view (2) for explaining the connection between the vane and strap of the magnetron according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 마그네트론의 베인과 스트랩의 연결관계를 설명하기 위한 종단면도;Figure 5 is a longitudinal cross-sectional view for explaining the connection between the vane and strap of the magnetron according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 마그네트론의 베인과 스트랩에 의해 형성된 공진회로의 등가 회로도;6 is an equivalent circuit diagram of a resonant circuit formed by vanes and straps of a magnetron according to the present invention;

도 7은 종래 기술에 따른 무선랜 기기와 무전극 조명장치 간의 통신 간섭 관계를 설명하기 위한 그래프;7 is a graph illustrating a communication interference relationship between a WLAN device and an electrodeless lighting device according to the prior art;

도 8은 본 발명에 따른 무선랜 기기와 무전극 조명장치 간의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.8 is a graph illustrating a relationship between a wireless LAN device and an electrodeless lighting device according to the present invention.

Claims (5)

요크의 내측에 원통형상으로 구비된 양극 실린더;An anode cylinder provided in a cylindrical shape inside the yoke; 상기 양극 실린더의 내부에 방사상으로 배치되어 초고주파 성분을 유기하는 복수의 베인; 및A plurality of vanes disposed radially inside the anode cylinder to induce ultra-high frequency components; And 상기 베인의 선단부측 상하부에 교번적으로 접속되고, 상기 베인과 공진 회로를 형성하는 두 개의 스트랩;을 포함하고,And two straps alternately connected to upper and lower ends of the vane and forming a resonant circuit with the vane. 상기 각각의 베인과 상기 베인과 접속되지 아니한 스트랩의 이격 거리는 상기 초고주파의 발진 주파수에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 마그네트론.The distance between each of the vanes and the strap not connected to the vanes is determined according to the oscillation frequency of the ultra-high frequency. 제1 항에 있어서, 상기 초고주파의 발진 주파수는,The oscillation frequency of the ultra-high frequency according to claim 1, 2.4 내지 2.5 기가헤르츠 대역의 주파수를 사용하는 외부 전자기기와 간섭을 피하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 마그네트론.A magnetron, characterized in that it is set to avoid interference with external electronics using frequencies in the 2.4 to 2.5 gigahertz band. 제1 항에 있어서, 상기 초고주파의 발진 주파수는,The oscillation frequency of the ultra-high frequency according to claim 1, 2,480 내지 2,485 메가헤르츠의 주파수인 것을 특징으로 하는 마그네트론.Magnetron, characterized in that the frequency of 2,480 to 2,485 MHz. 제1 항에 있어서, 상기 이격 거리는,The method of claim 1, wherein the separation distance, 상기 초고주파의 발진 주파수가 2,450 메가헤르츠일 때의 이격 거리보다 0.20 내지 0.28 밀리미터 만큼 더 떨어지게 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트 론.Magnetron, characterized in that formed at a distance of 0.20 to 0.28 millimeters more than the separation distance when the oscillation frequency of the ultra-high frequency is 2,450 MHz. 제4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 초고주파의 발진 주파수가 2,450 메가헤르츠일 때의 이격 거리는 0.70 내지 0.75 밀리미터인 것을 특징으로 하는 마그네트론.Magnetron, characterized in that the separation distance when the oscillation frequency of the ultra-high frequency is 2,450 MHz is 0.70 to 0.75 millimeters.
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