KR20100128172A - Phase shift mask and method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A phase shift mask is provided to form accurate patterns on a semiconductor device by controlling a focal distance using a phase shifter generating different phase difference. CONSTITUTION: A phase shift mask(20) includes a transparent substrate(200), a first phase shifter(201) which converts exposure light passing through a transparent substrate into a first phase difference, and a second phase shifter(202) which converts exposure light passing through a transparent substrate into a second phase difference and distanced from the first phase shifter.

Description

위상 반전 마스크 및 그 형성 방법 {PHASE SHIFT MASK AND METHOD THEREOF}Phase reversal mask and its formation method {PHASE SHIFT MASK AND METHOD THEREOF}

본 발명은 위상 반전 마스크를 사용할 때 노출광의 초점이 정확하게 맞지 않아 반도체 소자의 영역에 따라 불량이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 서로 다른 위상차를 발생시키는 위상 시프터를 사용함으로써 초점 거리를 정확하게 조절하는 위상 반전 마스크 및 그 형성 방법과 관련된다.According to the present invention, phase reversal is performed to precisely adjust the focal length by using phase shifters that generate different phase differences in order to prevent defects from occurring according to regions of a semiconductor device because the exposure light is not accurately focused when using a phase inversion mask. It relates to a mask and a method of forming the same.

최근 반도체 장치가 고집적화되어 그 패턴이 미세해짐에 따라 종래의 포토 마스크(Photo Mask)로는 소정 한계 이하의 선폭을 가지는 패턴을 형성하기 어렵게 되었다. 따라서 구현된 패턴의 해상도가 좋고 임계 선폭(Critical Dimension)을 더 작게 할 수 있는 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.Recently, as semiconductor devices have become highly integrated and their patterns become finer, it is difficult to form a pattern having a line width below a predetermined limit with a conventional photo mask. Therefore, the research on the phase shift mask which can improve the resolution of the implemented pattern and make the critical dimension smaller can be actively conducted.

위상 반전 마스크는 종래의 포토 마스크에는 없는 위상 시프터를 구비한다. 이 위상 반전 마스크를 사용하여 패턴을 형성함에 있어서는 기판 상에 전사될 패턴을 정의하는 위상 시프터가 형성된 부분을 투과하는 노출광과 위상 시프터가 형성되지 않은 기판 부분을 투과한 노출광이 180°의 위상차를 가지도록 한다. The phase inversion mask has a phase shifter which is not present in the conventional photo mask. In forming a pattern using this phase reversal mask, a 180 degree phase difference between the exposure light which passes through the portion where the phase shifter is formed which defines the pattern to be transferred onto the substrate and the exposure light that passes through the portion of the substrate where the phase shifter is not formed. To have.

도 1은 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크(10)의 구조를 도시한다.1 shows the structure of a phase inversion mask 10 according to the prior art.

도 1을 참고하면, 위상 반전 마스크(10)는 노출광에 대하여 투명한 투명 기판(11) 상에 몰리브덴 화합물로 구성된 위상 시프터(12)가 패터닝된다. 투명 기판(11)은 광원으로부터 나오는 노출광을 아무런 위상의 변화없이 마스크 패턴에 전달하며 일반적으로 석영(Quartz) 재질로 된 것을 사용한다.Referring to FIG. 1, in the phase inversion mask 10, a phase shifter 12 made of a molybdenum compound is patterned on a transparent substrate 11 transparent to exposure light. The transparent substrate 11 transmits the exposure light emitted from the light source to the mask pattern without any phase change, and is generally made of quartz material.

위상 시프터(12)가 배열되지 않은 부분은 투명 기판(11)의 표면이 노출되어 있으며, 위상 반전 마스크(10)에 노출광을 입사시키게 되면, 위상 시프터(12)와 위상 시프터(12)가 마련되지 않은 기판(11) 부위를 각각 통과한 노출광은 180°의 위상차를 가지게 된다.In the portion where the phase shifter 12 is not arranged, the surface of the transparent substrate 11 is exposed, and when the exposure light is incident on the phase inversion mask 10, the phase shifter 12 and the phase shifter 12 are provided. The exposed light passing through each of the portions of the substrate 11 not yet has a phase difference of 180 degrees.

이처럼 위상 시프터가 형성된 부분을 통과하는 노출광과 위상 시프터가 형성되지 않은 부분을 통과하는 노출광의 위상차를 두는 이유는 다음과 같다.The reason why the phase difference between the exposure light passing through the portion where the phase shifter is formed and the exposure light passing through the portion where the phase shifter is not formed is as follows.

원칙적으로, 광원으로부터 나온 빛은 프로젝션 렌즈(Projection Lens)를 거쳐 직선광으로 변환된 후 위상 반전 마스크(10)의 투명 기판(11)에 입사되며, 투명 기판(11)을 통과하더라도 직진성은 유지된다. 그러나 위상 시프터(12) 및 투명 기판(11)을 지나게 되면 빛의 회절(Diffraction) 현상으로 인해 빛의 직진성을 잃게 되고, 그 결과 마스크 패턴과 소정의 이격거리를 두고 형성되는 감광막(Photoresist)에는 위상 시프터(12)가 형성되지 않은 영역에 대응되는 감광막 영역만이 노광되는 것이 아니라, 그 주변인 위상 시프터(12)가 형성된 영역에도 노광이 이루어진다.In principle, the light from the light source is converted into linear light through a projection lens and then incident on the transparent substrate 11 of the phase reversal mask 10, and the straightness is maintained even though the transparent substrate 11 passes. . However, when the phase shifter 12 and the transparent substrate 11 pass, the linearity of the light is lost due to the diffraction phenomenon of the light. As a result, the photoresist formed at a predetermined distance from the mask pattern is phased. Not only the photoresist region corresponding to the region where the shifter 12 is not formed is exposed but also the region where the phase shifter 12 is formed.

따라서 위상 시프터(12)도 약간의 빛 투과성을 가지도록 하고, 위상 시프터(12)가 형성되지 않은 영역을 투과하는 노출광과 위상 시프터(12)가 형성된 영역 을 투과하는 노출광이 180°의 위상차를 갖도록 한다. 그 결과 두 노출광이 상쇄 간섭(Counter Interference)을 일으킴으로써 전체적으로 위상 시프터(12)가 형성되지 않은 영역에 대응되는 감광막만 노광되도록 하고 위상 시프터(12)가 형성된 영역에 대응되는 감광막은 노광되지 않도록 한다. 이러한 방식을 하프톤(Halftone) 방식이라고 하고, 하프톤 방식은 명암비(Contrast)를 증가시키고, 해상력을 높인다.Therefore, the phase shifter 12 also has a slight light transmittance, and the exposure light passing through the region where the phase shifter 12 is not formed and the exposure light passing through the region where the phase shifter 12 is formed are 180 degrees. To have. As a result, the two exposure lights cause counter interference so that only the photoresist film corresponding to the region where the phase shifter 12 is not formed is exposed as a whole and the photoresist film corresponding to the region where the phase shifter 12 is formed is not exposed. do. Such a method is called a halftone method, and the halftone method increases contrast and increases resolution.

도 2는 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크를 사용하여 형성한 반도체 소자(100)를 나타낸다.2 shows a semiconductor device 100 formed using a phase inversion mask according to the prior art.

도 2를 참고하면, 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크를 사용하여 형성한 반도체 소자(100)는 영역에 따라 패턴의 불량이 발생한다. Referring to FIG. 2, in the semiconductor device 100 formed using a phase reversal mask according to the related art, pattern defects may occur according to regions.

종래 기술에 따른 위상 반전 마스크를 사용한 반도체 소자(100)는 메인 칩 영역(110)에서는 패턴의 불량이 발생하지 않지만, 테스트 패턴 영역(120)에는 불량이 발생한 것을 볼 수 있다. 도 2에서는 테스트 패턴 영역(120)에 불량이 발생한 경우를 도시하였지만, 반대로 메인 칩 영역(110)에 패턴의 불량이 발생할 수도 있다. In the semiconductor device 100 using the phase reversal mask according to the related art, a defect of a pattern does not occur in the main chip region 110, but a defect occurs in the test pattern region 120. Although FIG. 2 illustrates a case where a defect occurs in the test pattern region 120, a defect of a pattern may occur on the main chip region 110.

즉 반도체 소자가 고집적화 됨에 따라서 반도체 소자의 영역에 따라 투명 기판을 통과하는 노출광과 위상 시프터를 통과하는 노출광 사이에 상쇄 간섭을 일으키는 위상차가 미세하게 달라지기 때문에, 위상 반전 마스크를 사용하여 형성된 반도체 소자의 특정 영역에서는 정확하게 초점이 맞지만, 다른 영역에서는 초점이 정확하게 맞지 않는다. 따라서 반도체 소자의 영역에 따라 상기와 같은 패턴의 불량 이 발생하는 문제점이 있다.In other words, as the semiconductor device is highly integrated, the phase difference causing the destructive interference between the exposure light passing through the transparent substrate and the exposure light passing through the phase shifter varies slightly depending on the area of the semiconductor device. In certain areas of the device it is precisely focused, but in other areas it is not. Therefore, there is a problem that the defect of the above pattern occurs according to the region of the semiconductor device.

본 발명은 위상 반전 마스크를 사용할 때 노출광의 초점이 정확하게 맞지 않아 반도체 소자의 영역에 따라 불량이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 서로 다른 위상차를 발생시키는 위상 시프터를 사용하여 초점 거리를 정확하게 조절함으로써 반도체 소자의 모든 영역에서 정확한 패턴이 형성될 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a semiconductor device by accurately adjusting the focal length by using a phase shifter that generates different phase differences in order to prevent defects from occurring according to regions of the semiconductor device because the exposure light is not accurately focused when using a phase inversion mask. The purpose is to ensure that the correct pattern is formed in all areas of the.

본 발명은 노출광에 대하여 투명한 투명 기판, 상기 투명 기판 상부에 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 1 위상차로 위상 반전시키는 제 1 위상 시프터, 및 상기 투명 기판 상부에 상기 제 1 위상 시프터와 이격되어 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 2 위상차로 위상 반전시키는 제 2 위상 시프터를 포함하는 위상 반전 마스크를 개시한다. 본 발명은 서로 다른 위상차를 발생시키는 위상 시프터를 사용하여 초점 거리를 정확하게 조절함으로써 반도체 소자의 모든 영역에서 정확한 패턴이 형성되는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a transparent substrate transparent to exposure light, a first phase shifter formed on the transparent substrate, the phase shifting phase of the exposure light passing through the transparent substrate by a first phase difference, and the first phase on the transparent substrate. A phase reversal mask is formed that is spaced apart from a shifter and includes a second phase shifter for reversing the exposure light passing through the transparent substrate by a second phase difference. The present invention is characterized in that accurate patterns are formed in all regions of the semiconductor device by precisely adjusting the focal length by using phase shifters that generate different phase differences.

추가적으로, 본 발명은 상기 제 1 위상 시프터와 상기 제 2 위상 시프터는 두께가 상이한 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크를 개시한다. 위상 반전 마스크에서 위상차를 결정하는 것은 위상 시프터의 두께이기 때문에, 본 발명은 제 1 위상 시프터와 제 2 위상 시프터의 두께를 서로 다르게 함으로써 제 1 위상차와 제 2 위상차를 서로 다르게 설정할 수 있다는 특징이 있다.Additionally, the present invention discloses a phase inversion mask, wherein the first phase shifter and the second phase shifter are different in thickness. Since determining the phase difference in the phase inversion mask is the thickness of the phase shifter, the present invention is characterized in that the first phase difference and the second phase difference can be set differently by different thicknesses of the first phase shifter and the second phase shifter. .

본 발명은 노출광에 대하여 투명한 투명 기판, 상기 투명 기판 상부에 이격되어 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 1 위상차로 위상 반전시키는 복수 개의 제 1 위상 시프터, 및 상기 복수 개의 제 1 위상 시프터 중 하나 이상의 제 1 위상 시프터의 상부에 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 2 위상차로 위상 반전시키는 하나 이상의 제 2 위상 시프터를 포함하는 위상 반전 마스크를 개시한다. 본 발명은 서로 다른 위상차를 발생시키는 위상 시프터를 형성함에 있어 복수 개의 제 1 위상 시프터를 형성하고, 그 중 일부만 상부에 제 2 위상 시프터를 형성하여 두께 차이를 둔다. 위상 반전 마스크에서 위상차를 결정하는 것은 위상 시프터의 두께이기 때문에, 본 발명은 제 1 위상 시프터만 형성된 영역과 제 1 위상 시프터와 제 2 위상 시프터가 중첩되어 형성된 영역의 두께를 서로 다르게 함으로써 제 1 위상차와 제 2 위상차를 서로 다르게 설정할 수 있다는 특징이 있다.The present invention is a transparent substrate transparent to the exposure light, a plurality of first phase shifters which are formed spaced apart on the transparent substrate, and inverts the exposure light passing through the transparent substrate by a first phase difference, and the plurality of first Disclosed is a phase inversion mask formed on top of one or more first phase shifters of a phase shifter and including one or more second phase shifters for reversing the exposure light passing through the transparent substrate with a second phase difference. The present invention forms a plurality of first phase shifters in forming phase shifters that generate different phase differences, and only a part of them forms a second phase shifter on top of each other, thereby leaving a thickness difference. Since determining the phase difference in the phase inversion mask is the thickness of the phase shifter, the present invention provides the first phase difference by varying the thickness of the region where only the first phase shifter is formed and the region where the first phase shifter and the second phase shifter are overlapped. And the second phase difference can be set differently.

본 발명은 위상 반전 마스크를 사용할 때, 서로 다른 위상차를 발생시키는 위상 시프터를 사용하여 초점 거리를 정확하게 조절함으로써 반도체 소자의 모든 영역에서 정확한 패턴이 형성될 수 있다는 장점이 있다.According to the present invention, when the phase inversion mask is used, an accurate pattern can be formed in all regions of the semiconductor device by accurately adjusting the focal length by using phase shifters that generate different phase differences.

이하에서는 도면을 참고하여 본 발명의 실시예들을 살펴보기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크에서 노출광의 초점 거리와 위상차와의 관계를 나타내는 실험 결과를 나타낸다.3 shows experimental results showing the relationship between the focal length and the phase difference of the exposure light in the phase reversal mask according to the present invention.

도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 위상 반전 마스크에서 위상차에 따라 정확하게 초점이 맞는 초점 거리가 서로 다르다. 위상차가 170°인 경우에는 -0.3~-0.1 nm 사이에서 초점이 정확하게 맞고, 위상차가 177°인 경우에는 -0.35~-0.15 nm 사이에서 초점이 정확하게 맞고, 위상차가 187°인 경우에는 -0.4~-0.15 nm 사이에서 초점이 정확하게 맞고, 위상차가 193°인 경우에는 -0.45~-0.2 nm 사이에서 초점이 정확하게 맞는다.Referring to FIG. 3, in a phase reversal mask according to the present invention, a focal length that is accurately focused according to a phase difference is different from each other. When the phase difference is 170 °, the focus is accurately between -0.3 and -0.1 nm, and when the phase difference is 177 °, the focus is exactly between -0.35 and -0.15 nm, and when the phase difference is 187 °, it is -0.4 to When the focus is accurately between -0.15 nm and the phase difference is 193 °, the focus is exactly between -0.45 and -0.2 nm.

노출광을 위상 반전 마스크에 노광할 때, 광원으로부터 노출광이 입사되는 영역(반도체 소자의 각 영역)까지의 거리가 서로 미세하게 다르다. 그 결과 정확하게 초점이 맞는 초점거리도 미세하게 다르다.When exposing the exposure light to the phase inversion mask, the distances from the light source to the region (each region of the semiconductor element) to which the exposure light is incident differ slightly from each other. The result is a slightly different focal length that is exactly in focus.

일반적으로 위상 시프터의 두께에 따라 위상차가 다르게 형성되고, 상기 도 3에서 참고한 것처럼 위상차에 따라 초점 거리가 달라진다. 따라서 노출광이 입사되는 서로 다른 영역에서 초점을 정확하게 맞추기 위해서는, 해당 영역에 형성되는 위상 시프터의 두께를 다르게 함으로써 위상차를 보정해주면 된다. In general, the phase difference is formed differently according to the thickness of the phase shifter, and the focal length is changed according to the phase difference as shown in FIG. 3. Therefore, in order to accurately focus in different areas where the exposure light is incident, the phase difference may be corrected by varying the thickness of the phase shifter formed in the corresponding area.

이하에서는 위상 시프터의 두께를 다르게 형성하여 위상차를 보정함으로써 반도체 소자의 모든 영역에서 정확하게 초점이 맞는 위상 반전 마스크 및 그 형성 방법을 구체적으로 살펴보도록 한다.Hereinafter, the phase shift mask that is accurately focused in all regions of the semiconductor device by correcting the phase difference by forming the thickness of the phase shifter differently will be described in detail.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 위상 반전 마스크(20)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the phase inversion mask 20 according to the first embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 위상 반전 마스크(20)는 노출광에 대하여 투명 기판(200) 상에 제 1 위상 시프터(201) 및 제 2 위상 시프터(202)가 패터닝된다. Referring to FIG. 4, in the phase inversion mask 20 according to the first embodiment of the present invention, the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 are patterned on the transparent substrate 200 with respect to the exposure light. do.

투명 기판(200)은 광원으로부터 나오는 노출광을 아무런 위상의 변화없이 마스크 패턴(230)에 전달한다. 일반적으로 투명 기판(200)은 석영 재질도 된 것을 사용한다.The transparent substrate 200 transmits the exposure light emitted from the light source to the mask pattern 230 without any phase change. Generally, the transparent substrate 200 is made of quartz.

제 1 위상 시프터(201)는 몰리브덴 화합물(Mo,MoSi,MosiON 등)로 이루어지며, 투명 기판(200) 상에 소정의 간격을 두고 소정의 두께로 형성된다. The first phase shifter 201 is made of a molybdenum compound (Mo, MoSi, MosiON, etc.), and is formed on the transparent substrate 200 at a predetermined thickness at a predetermined interval.

투명 기판(200) 상에 소정의 간격을 두고 형성된다는 것은 웨이퍼 상으로 전사될 패턴에 따라 소정의 간격을 두고 형성된다는 것을 의미하고, 소정의 두께로 형성된다는 것은 제 1 위상 시프터(201)의 두께에 따라 위상차를 설정한다는 것을 의미한다.Forming a predetermined gap on the transparent substrate 200 means that it is formed at a predetermined interval according to the pattern to be transferred onto the wafer, and forming a predetermined thickness means that the thickness of the first phase shifter 201 is formed. Means to set the phase difference accordingly.

제 2 위상 시프터(202)는 몰리브덴 화합물(Mo,MoSi,MosiON 등)로 이루어지며, 투명 기판(200) 상에 소정의 간격을 두고 소정의 두께로 형성된다. The second phase shifter 202 is made of a molybdenum compound (Mo, MoSi, MosiON, etc.), and is formed on the transparent substrate 200 with a predetermined thickness at a predetermined interval.

투명 기판(200) 상에 소정의 간격을 두고 형성된다는 것은 웨이퍼 상으로 전사될 패턴에 따라 소정의 간격을 두고 형성된다는 것을 의미하고, 소정의 두께로 형성된다는 것은 제 2 위상 시프터(202)의 두께에 따라 위상차를 설정한다는 것을 의미한다.Forming a predetermined gap on the transparent substrate 200 means that it is formed at a predetermined interval according to the pattern to be transferred onto the wafer, and forming a predetermined thickness means that the thickness of the second phase shifter 202 is Means to set the phase difference accordingly.

본 발명에서는 제 1 위상 시프터(201)의 두께와 제 2 위상 시프터(202)의 두께가 서로 상이하게 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기한 것처럼, 제 1 위상 시프터(201)와 제 2 위상 시프터(202)의 두께가 서로 다르면 위상차가 달라지게 된다. In the present invention, the thickness of the first phase shifter 201 and the thickness of the second phase shifter 202 are formed to be different from each other. As described above, when the thicknesses of the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 are different from each other, the phase difference is different.

도 3의 실험 결과를 참고하여, 원하는 초점 거리에 대응하는 위상차를 결정하고, 이 위상차를 형성하기 위한 제 1 위상 시프터(201)와 제 2 위상 시프터(202) 의 두께를 결정할 수 있다.Referring to the experimental result of FIG. 3, a phase difference corresponding to a desired focal length may be determined, and thicknesses of the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 for forming the phase difference may be determined.

예를 들어, 마스크 패턴(230)의 제 1 하프톤 영역(211)에 의해 형성되는 반도체 소자의 영역이 메인 칩 영역이고, 제 2 하프톤 영역(212)에 의해 형성되는 반도체 소자의 영역이 테스트 패턴 영역이라고 한다. 메인 칩 영역에서 정확하게 초점이 맞는 거리가 -0.3nm이고, 테스트 패턴 영역에서 정확하게 초점이 맞는 거리가 -0.25nm라고 한다. 도 3의 실험 결과를 참고하면, 초점 거리 -0.3nm에 대응하는 위상차는 187°이고, 초점 거리 -0.25nm에 대응하는 위상차는 177°이다. 따라서 제 1 위상 시프터(201)는 위상차 187°에 맞게 두께를 형성하고, 제 2 위상 시프터(202)는 위상차 177°에 맞게 두께를 형성한다.For example, the region of the semiconductor element formed by the first halftone region 211 of the mask pattern 230 is the main chip region, and the region of the semiconductor element formed by the second halftone region 212 is tested. It is called a pattern area. The correct focal length in the main chip area is -0.3nm, and the precise focal length in the test pattern area is -0.25nm. Referring to the experimental result of FIG. 3, the phase difference corresponding to the focal length of −0.3 nm is 187 ° and the phase difference corresponding to the focal length of −0.25 nm is 177 °. Accordingly, the first phase shifter 201 forms a thickness in accordance with the phase difference 187 °, and the second phase shifter 202 forms a thickness in accordance with the phase difference 177 °.

광원에서 노출광을 쏘아주면, 제 1 위상 시프터(201)는 노출광을 일부만 투과시키기 때문에 마스크 패턴(230)에서 제 1 위상 시프터(201)에 대응하는 영역이 제 1 하프톤 영역(211)이 된다.When the exposure light is emitted from the light source, the first phase shifter 201 transmits only part of the exposure light, so that the area corresponding to the first phase shifter 201 in the mask pattern 230 is formed by the first halftone area 211. do.

마찬가지로, 제 2 위상 시프터(202)도 노출광을 일부만 투과시키기 때문에 마스크 패턴(230)에서 제 2 위상 시프터(202)에 대응하는 영역이 제 2 하프톤 영역(212)이 된다.Similarly, since the second phase shifter 202 transmits only part of the exposure light, the region corresponding to the second phase shifter 202 in the mask pattern 230 becomes the second halftone region 212.

반면 위상 시프터가 형성되지 않은 영역에 노광된 노출광은 투명 기판(200)을 모두 통과하기 때문에 마스크 패턴(230)에서 해당 영역은 광투과 영역(220)이 된다.On the other hand, since the exposed light exposed to the region where the phase shifter is not formed passes through the transparent substrate 200, the corresponding region becomes the light transmitting region 220 in the mask pattern 230.

광원에서 노출광을 노광하면, 광투과 영역(220)은 노출광을 투과시킨다. 그 결과 마스크 패턴(230) 하부에 있는 감광막(미도시)에는 광투과 영역(220)에 대응 하는 영역이 노광된다. When the exposure light is exposed by the light source, the light transmission region 220 transmits the exposure light. As a result, a region corresponding to the light transmissive region 220 is exposed to the photoresist film (not shown) under the mask pattern 230.

광원에서 노출광을 노광하면, 제 1 하프톤 영역(211) 및 제 2 하프톤 영역(212)는 노출광을 일부만 투과시킨다. 그려면 제 1 하프톤 영역(211) 및 제 2 하프톤 영역(212)을 투과한 노출광은 광투과 영역(220)을 투과한 노출광과 상쇄 간섭을 일으킨다. 그 결과 마스크 패턴(230) 하부에 있는 감광막(미도시)에는 제 1 하프톤 영역(211) 및 제 2 하프톤 영역(212)에 대응하는 영역이 노광되지 않는다. When the exposure light is exposed by the light source, the first halftone area 211 and the second halftone area 212 transmit only part of the exposure light. To this end, the exposed light transmitted through the first halftone region 211 and the second halftone region 212 causes an offset interference with the exposed light transmitted through the light transmission region 220. As a result, regions corresponding to the first halftone region 211 and the second halftone region 212 are not exposed to the photoresist (not shown) under the mask pattern 230.

이 경우 광투과 영역(220)을 투과하는 노출광의 위상과 제 1 하프톤 영역(211)을 투과하는 위상의 위상차는 187°이고, 광투과 영역(220)를 투과하는 노출광의 위상과 제 2 하프톤 영역(212)을 투과하는 위상의 위상차는 177°이다. In this case, the phase difference between the phase of the exposure light passing through the light transmission region 220 and the phase through the first halftone region 211 is 187 °, and the phase and the second half of the exposure light passing through the light transmission region 220 are 187 °. The phase difference of the phase passing through the tone region 212 is 177 °.

이상에서 살펴본 것처럼 본 발명의 제 1 실시예는 서로 다른 두께를 가지는 제 1 위상 시프터(201) 및 제 2 위상 시프터(202)에 의하여 노출광의 위상차를 다르게 하여 반도체 소자의 영역에 정확하게 초점이 맞을 수 있도록 함으로써 정확하게 패턴이 형성될 수 있도록 한다.As described above, according to the first embodiment of the present invention, the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 having different thicknesses may accurately focus the region of the semiconductor device by varying the phase difference of the exposure light. This allows the pattern to be formed accurately.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 위상 반전 마스크(30)의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the phase inversion mask 30 according to the second embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 위상 반전 마스크(30)는 노출광에 대하여 투명 기판(200) 상에 제 1 위상 시프터(201)가 패터닝되고, 선택적으로 제 1 위상 시프터(201)의 상부에 제 2 위상 시프터(202)가 패터닝된다. Referring to FIG. 5, in the phase inversion mask 30 according to the second embodiment of the present invention, a first phase shifter 201 is patterned on a transparent substrate 200 with respect to exposure light, and optionally, a first phase shifter. A second phase shifter 202 is patterned on top of 201.

투명 기판(200)은 광원으로부터 나오는 노출광을 아무런 위상의 변화없이 마스크 패턴(230)에 전달한다. 일반적으로 투명 기판(200)은 석영 재질도 된 것을 사용한다.The transparent substrate 200 transmits the exposure light emitted from the light source to the mask pattern 230 without any phase change. Generally, the transparent substrate 200 is made of quartz.

제 1 위상 시프터(201)는 몰리브덴 화합물(Mo,MoSi,MosiON 등)로 이루어지며, 투명 기판(200) 상에 소정의 간격을 두고 소정의 두께로 형성된다. The first phase shifter 201 is made of a molybdenum compound (Mo, MoSi, MosiON, etc.), and is formed on the transparent substrate 200 at a predetermined thickness at a predetermined interval.

투명 기판(200) 상에 소정의 간격을 두고 형성된다는 것은 웨이퍼 상으로 전사될 패턴에 따라 소정의 간격을 두고 형성된다는 것을 의미하고, 소정의 두께로 형성된다는 것은 제 1 위상 시프터(201)의 두께에 따라 위상차를 결정한다는 것을 의미한다.Forming a predetermined gap on the transparent substrate 200 means that it is formed at a predetermined interval according to the pattern to be transferred onto the wafer, and forming a predetermined thickness means that the thickness of the first phase shifter 201 is formed. This means that the phase difference is determined according to.

제 2 위상 시프터(202)는 몰리브덴 화합물(Mo,MoSi,MosiON 등)로 이루어지며, 선택적으로 제 1 위상 시프터(201)의 상부에 소정의 두께로 형성된다. The second phase shifter 202 is made of a molybdenum compound (Mo, MoSi, MosiON, etc.), and is optionally formed on top of the first phase shifter 201 to a predetermined thickness.

제 2 위상 시프터(202)가 소정의 두께로 형성된다는 것은 제 2 위상 시프터(202)의 두께에 따라 위상차를 결정한다는 것을 의미한다.Forming the second phase shifter 202 to a predetermined thickness means determining the phase difference according to the thickness of the second phase shifter 202.

본 발명에서는 일부 영역에는 제 1 위상 시프터(201)만을 형성하고, 다른 영역에는 제 1 위상 시프터(201)와 2 위상 시프터(202)를 다중으로 형성함으로써 두께가 서로 상이하게 형성되는 것을 특징으로 한다. 이러한 두께 차이에 의하여 노출광의 위상차가 달라지게 된다. In the present invention, only the first phase shifter 201 is formed in some areas, and the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 are formed in multiple areas so that the thicknesses are different from each other. . Due to the thickness difference, the phase difference of the exposure light is changed.

도 3의 실험 결과를 참고하여, 원하는 초점 거리에 대응하는 위상차를 결정하고, 이 위상차를 형성하기 위한 제 1 위상 시프터(201)와 제 2 위상 시프터(202)의 두께를 결정할 수 있다.Referring to the experimental result of FIG. 3, a phase difference corresponding to a desired focal length may be determined, and thicknesses of the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 for forming the phase difference may be determined.

예를 들어, 제 1 하프톤 영역(211)에 의해 형성되는 반도체 소자의 영역이 메인 칩 영역이고, 제 3 하프톤 영역(213)에 의해 형성되는 반도체 소자의 영역이 테스트 패턴 영역이라고 한다. 메인 칩 영역에서 정확하게 초점이 맞는 거리가 -0.3nm이고, 테스트 패턴 영역에서 정확하게 초점이 맞는 거리가 -0.25nm라고 한다. 도 3의 실험 결과를 참고하면, 초점 거리 -0.3nm에 대응하는 위상차는 187°이고, 초점 거리 -0.25nm에 대응하는 위상차는 177°이다. 따라서 제 1 위상 시프터(201)는 위상차 187°에 맞게 두께를 형성하고, 제 1 위상 시프터(201)와 제 2 위상 시프터(202)를 합한 두께가 위상차 177°에 맞도록 한다.For example, a region of the semiconductor element formed by the first halftone region 211 is a main chip region, and a region of the semiconductor element formed by the third halftone region 213 is called a test pattern region. The correct focal length in the main chip area is -0.3nm, and the precise focal length in the test pattern area is -0.25nm. Referring to the experimental result of FIG. 3, the phase difference corresponding to the focal length of −0.3 nm is 187 ° and the phase difference corresponding to the focal length of −0.25 nm is 177 °. Accordingly, the first phase shifter 201 forms a thickness in accordance with the phase difference of 187 °, and the thickness of the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 matches the phase difference of 177 °.

광원에서 노출광을 쏘아주면, 제 1 위상 시프터(201)는 노출광을 일부만 투과시키기 때문에 마스크 패턴(230)에서 제 1 위상 시프터(201)에 대응하는 영역이 제 1 하프톤 영역(211)이 된다.When the exposure light is emitted from the light source, the first phase shifter 201 transmits only part of the exposure light, so that the area corresponding to the first phase shifter 201 in the mask pattern 230 is formed by the first halftone area 211. do.

마찬가지로, 제 2 위상 시프터(202)도 노출광을 일부만 투과시키기 때문에 마스크 패턴(230)에서 제 1 위상 시프터(201) 및 제 2 위상 시프터(202)에 대응하는 영역이 제 3 하프톤 영역(213)이 된다.Similarly, since the second phase shifter 202 also partially transmits the exposure light, the region corresponding to the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 in the mask pattern 230 is the third halftone region 213. )

반면 위상 시프터가 형성되지 않은 영역에 노광된 노출광은 투명 기판(200)을 모두 통과하기 때문에 마스크 패턴(230)에서 해당 영역이 광투과 영역(220)이 된다.On the other hand, since the exposed light exposed to the region where the phase shifter is not formed passes through the transparent substrate 200, the corresponding region becomes the light transmitting region 220 in the mask pattern 230.

광원에서 노출광을 노광하면, 광투과 영역(220)은 노출광을 투과시킨다. 그 결과 마스크 패턴(230) 하부에 있는 감광막(미도시)에는 광투과 영역(220)에 대응하는 영역이 노광된다. When the exposure light is exposed by the light source, the light transmission region 220 transmits the exposure light. As a result, a region corresponding to the light transmissive region 220 is exposed to the photoresist film (not shown) under the mask pattern 230.

광원에서 노출광을 노광하면, 제 1 하프톤 영역(211) 및 제 3 하프톤 영역(213)는 노출광을 일부만 투과시킨다. 그러면 제 1 하프톤 영역(211) 및 제 3 하프톤 영역(213)을 투과한 노출광은 광투과 영역(220)을 투과한 노출광과 상쇄 간섭 을 일으킨다. 그 결과 마스크 패턴(230) 하부에 있는 감광막(미도시)에는 제 1 하프톤 영역(211) 및 제 3 하프톤 영역(213)에 대응하는 영역이 노광되지 않는다. When the exposure light is exposed by the light source, the first halftone region 211 and the third halftone region 213 transmit only part of the exposure light. Then, the exposed light transmitted through the first halftone region 211 and the third halftone region 213 causes destructive interference with the exposed light transmitted through the light transmission region 220. As a result, regions corresponding to the first halftone region 211 and the third halftone region 213 are not exposed to the photoresist (not shown) under the mask pattern 230.

이 경우 광투과 영역(220)을 투과하는 노출광의 위상과 제 1 하프톤 영역(211)을 투과하는 위상의 위상차는 187°이고, 광투과 영역(220)를 투과하는 노출광의 위상과 제 3 하프톤 영역(213)을 투과하는 위상의 위상차는 177°이다. In this case, the phase difference between the phase of the exposure light passing through the light transmission region 220 and the phase through the first halftone region 211 is 187 °, and the phase and the third half of the exposure light passing through the light transmission region 220. The phase difference of the phase passing through the tone region 213 is 177 °.

이상에서 살펴본 것처럼 본 발명의 제 2 실시예는 서로 다른 두께를 가지는 제 1 위상 시프터(201) 및 제 2 위상 시프터(202)를 중첩하여 형성하고 노출광의 위상차를 다르게 하여 반도체 소자의 영역에 정확하게 초점이 맞을 수 있도록 함으로써 정확하게 패턴이 형성될 수 있도록 한다.As described above, in the second embodiment of the present invention, the first phase shifter 201 and the second phase shifter 202 having different thicknesses are formed to overlap each other, and the phase difference of the exposure light is different to accurately focus on the region of the semiconductor device. By allowing this to fit, the pattern can be formed accurately.

도 6은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크를 사용하여 형성한 반도체 소자(300)를 나타낸다.6 shows a semiconductor device 300 formed using a phase inversion mask in accordance with the present invention.

도 6을 참고하면, 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크를 사용하여 형성한 반도체 소자(300)는 모든 영역에서 정상적으로 패턴이 형성된다.Referring to FIG. 6, a pattern is normally formed in all regions of a semiconductor device 300 formed using a phase reversal mask according to the related art.

반도체 소자(300)는 메인 칩 영역(310) 및 테스트 패턴 영역(320)이 모두 정상적으로 패턴이 형성된다.In the semiconductor device 300, the main chip region 310 and the test pattern region 320 are normally patterned.

도 1은 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크의 구조를 도시한다.1 shows the structure of a phase inversion mask according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크를 사용하여 형성한 반도체 소자를 나타낸다.2 shows a semiconductor device formed using a phase inversion mask according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크에서 노출광의 초점 거리와 위상차와의 관계를 나타내는 실험 결과를 나타낸다.3 shows experimental results showing the relationship between the focal length and the phase difference of the exposure light in the phase reversal mask according to the present invention.

도 4은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a phase inversion mask according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a phase inversion mask according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크를 사용하여 형성한 반도체 소자를 나타낸다.6 illustrates a semiconductor device formed using a phase inversion mask according to the present invention.

Claims (14)

노출광에 대하여 투명한 투명 기판;A transparent substrate transparent to exposed light; 상기 투명 기판 상부에 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 1 위상차로 위상 반전시키는 제 1 위상 시프터; 및A first phase shifter formed on the transparent substrate and reversing the exposure light passing through the transparent substrate by a first phase difference; And 상기 투명 기판 상부에 상기 제 1 위상 시프터와 이격되어 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 2 위상차로 위상 반전시키는 제 2 위상 시프터를 포함하는 위상 반전 마스크로서,A phase reversal mask formed on the transparent substrate and spaced apart from the first phase shifter, and including a second phase shifter for reversing the exposure light passing through the transparent substrate by a second phase difference, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광과 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터를 통과하는 노출광이 각각 상쇄간섭을 일으키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the exposure light passing through the transparent substrate and the exposure light passing through the first phase shifter and the second phase shifter respectively cause a destructive interference. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 위상 시프터와 상기 제 2 위상 시프터는 두께가 상이한 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the first phase shifter and the second phase shifter have different thicknesses. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터는 상기 노출광을 일부만 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the first phase shifter and the second phase shifter partially transmit the exposed light. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 위상 시프터와 상기 제 2 위상 시프터는 두께가 상이하고, 상기 노출광을 일부만 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the first phase shifter and the second phase shifter have different thicknesses, and partially transmit the exposed light. 노출광에 대하여 투명한 투명 기판;A transparent substrate transparent to exposed light; 상기 투명 기판 상부에 이격되어 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 1 위상차로 위상 반전시키는 복수 개의 제 1 위상 시프터; 및A plurality of first phase shifters formed on the transparent substrate and spaced apart from each other to phase-reverse exposed light passing through the transparent substrate by a first phase difference; And 상기 복수 개의 제 1 위상 시프터 중 하나 이상의 제 1 위상 시프터의 상부에 형성되고, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 2 위상차로 위상 반전시키는 하나 이상의 제 2 위상 시프터를 포함하는 위상 반전 마스크로서,A phase inversion mask formed on top of one or more first phase shifters of the plurality of first phase shifters, the phase inversion mask including one or more second phase shifters for reversing the exposure light passing through the transparent substrate with a second phase difference, 상기 투명 기판을 통과하는 노출광과 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터를 통과하는 노출광이 각각 상쇄간섭을 일으키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the exposure light passing through the transparent substrate and the exposure light passing through the first phase shifter and the second phase shifter respectively cause a destructive interference. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터는 상기 노출광을 일부만 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the first phase shifter and the second phase shifter partially transmit the exposed light. 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 1 위상차로 위상 반전시키는 제 1 위상 시프터를 상기 투명 기판 상부에 형성하는 단계; 및Forming a first phase shifter on the transparent substrate, the first phase shifter reversing the exposure light passing through the transparent substrate by a first phase difference; And 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 2 위상차로 위상 반전시키는 제 2 위상 시프터를 상기 투명 기판 상부에 상기 제 1 위상 시프터와 이격시켜 형성하는 단계를 포함하는 위상 반전 마스크 형성 방법으로서,A method of forming a phase reversal mask comprising: forming a second phase shifter for reversing exposure light passing through the transparent substrate by a second phase difference, spaced apart from the first phase shifter on the transparent substrate; 상기 투명 기판을 통과하는 노출광과 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터를 통과하는 노출광이 각각 상쇄간섭을 일으키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the exposure light passing through the transparent substrate and the exposure light passing through the first phase shifter and the second phase shifter respectively cause a destructive interference. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 제 1 위상 시프터와 상기 제 2 위상 시프터는 두께가 상이한 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the first phase shifter and the second phase shifter have different thicknesses. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터는 상기 노출광을 일부만 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the first phase shifter and the second phase shifter transmit only part of the exposed light. 청구항 7에 있어서, The method of claim 7, 상기 제 1 위상 시프터와 상기 제 2 위상 시프터는 두께가 상이하고, 상기 노출광을 일부만 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the first phase shifter and the second phase shifter have different thicknesses, and transmit only part of the exposed light. 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 1 위상차로 위상 반전시키는 복수 개의 제 1 위상 시프터를 상기 투명 기판 상부에 이격시켜 형성하는 단계; 및Forming a plurality of first phase shifters spaced above the transparent substrate, the plurality of first phase shifters for reversing the exposure light passing through the transparent substrate by a first phase difference; And 상기 투명 기판을 통과하는 노출광을 제 2 위상차로 위상 반전시키는 하나 이상의 제 2 위상 시프터를 상기 복수 개의 제 1 위상 시프터 중 하나 이상의 제 1 위상 시프터 상부에 형성하는 단계를 포함하는 위상 반전 마스크 형성 방법으로서,Forming at least one second phase shifter on the at least one first phase shifter of the plurality of first phase shifters to phase invert the exposure light passing through the transparent substrate with a second phase difference. As 상기 투명 기판을 통과하는 노출광과 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터를 통과하는 노출광이 각각 상쇄간섭을 일으키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the exposure light passing through the transparent substrate and the exposure light passing through the first phase shifter and the second phase shifter respectively cause a destructive interference. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터는 상기 노출광을 일부만 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the first phase shifter and the second phase shifter transmit only part of the exposed light. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터는 몰리브덴(Mo) 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.And the first phase shifter and the second phase shifter are formed of a molybdenum (Mo) compound. 청구항 7 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 7 to 13, 상기 제 1 위상 시프터 및 상기 제 2 위상 시프터는 몰리브덴(Mo) 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 형성 방법.And the first phase shifter and the second phase shifter are formed of a molybdenum (Mo) compound.
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US9395619B2 (en) 2014-01-14 2016-07-19 Samsung Display Co., Ltd. Phase shift mask, patterning method using the same and method of manufacturing display panel using the same
KR20160056427A (en) * 2014-11-11 2016-05-20 주식회사 피케이엘 Halftone phase shift mask using destructive interference effect and method of manufacturing the same

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