KR20100127462A - 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법 - Google Patents
다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100127462A KR20100127462A KR1020090045913A KR20090045913A KR20100127462A KR 20100127462 A KR20100127462 A KR 20100127462A KR 1020090045913 A KR1020090045913 A KR 1020090045913A KR 20090045913 A KR20090045913 A KR 20090045913A KR 20100127462 A KR20100127462 A KR 20100127462A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- chamber wall
- wafer
- heat source
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 98
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버는 챔버 벽; 상기 챔버 벽의 외부에 위치하여 상기 챔버 벽의 내부로 열을 공급하는 고온 열원; 및 웨이퍼를 안착하고, 공정 온도에 따라 상기 고온 열원과 상기 웨이퍼간의 거리를 조절하는 엘리베이터를 포함한다.
본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버는 다양한 공정 온도를 자유자재로 적용이 가능하며, 여러 온도에 대해 개별적인 챔버를 구비하지 않아도 되므로 비용 절감의 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버에 웨이퍼가 로딩된 후, 저온 공정을 진행하고, 웨이퍼를 언로딩하지 않고도 곧바로 고온 공정을 진행할 수 있는 효과가 있다.
챔버, 온도
Description
본 발명은 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용한 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 다양한 공정 온도를 자유자재로 적용이 가능하며, 여러 온도에 대해 개별적인 챔버를 구비하지 않아도 되는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 제공하는데 있다.
일반적으로 반도체 제조 공정은 열처리의 반복으로 이루어져 있으며, 열처리가 필요한 공정으로는 열산화, 열확산, 각종의 어닐링(Annealing) 등을 들 수 있다.
열처리 공정을 실시하는 장치로는 퍼니스(furnace) 외에 급속 열처리(Rapid Thermal Processing; 이하 RTP라 함) 장치가 이용되고 있으며, RTP 장치는 수십초에서 수분 정도의 짧은 시간 동안에 고온에서 열처리 공정을 진행한다. 각 공정 별로 퍼니스와 RTP 장비가 선별적으로 사용되고 있다.
쉘로우 트랜지 분리막(Sallow Trench Isolation; STI) 공정은 로코스(LOCal Oxidation of Silicon; LOCOS) 공정으로 대표되는 소자분리(Isolation technigue) 공정, 고밀도 플라즈마(High Density Plasma; 이하 HDP) 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 CVD) 공정, 오존-티이오에스(O3-Tetra Ethyl Ortho Silicate: O3-TEOS) 공정, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 및 스핀 온 절연막(Spin-on-Dielectrics; 이하 SOD) 공정이 있다. 그 중 SOD 공정에 대해 살펴보겠다.
SOD공정은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)와 같이 증착 방식을 통해 산화막을 형성하는 공정은 아니다. SOD 공정은 도 1(a)과 같이 스핀 코팅 방식을 통해 산화막이 형성되는 공정이다. 실리콘 산화물에 가까운 형태의 분자 덩어리가 녹아있는 원료 용액을 제조하여 웨이퍼 위에 뿌린 후 웨이퍼를 수백 ~ 수천 rpm의 회전속도로 회전시키면, 원료 용액이 기판 위에 골고루 퍼지면서 균일한 막이 코팅된다. SOD 공정은 용액 형태로 웨이퍼 위에 공급되는 장점을 이용하여 점도를 낮추면 좁은 틈을 채우는 데 탁월한 능력을 보이기 때문에 고밀도 플라즈마(High Density Plasma; HDP) CVD의 이후의 대안으로 가장 먼저, 그리고 쉽게 접근할 수 있었고, 지난 수년 동안 원료 용액을 중심으로 계속 발전해 온 실리콘 산화막 제조 공정이다.
SOD 공정은 적용 케미컬(Chemical)의 종류 및 분사하는 양, 스핀(Spin)의 회전수, 베이킹(Baking) 온도 및 큐어링(Curing) 시간 등에 의해 기술의 수준이 달라진다.
구체적으로 설명하면, SOD 공정은 도 1(a) 내지 도 1(c)와 같이, 스핀 코팅, 소프트 베이크, 큐어링(혹은 하드 베이크)의 순서로 진행된다. 상기 큐어링은 퍼니스에서 400도(℃) 내지 1000도(℃)의 열을 웨이퍼에 전달하는 공정이다.
종래의 SOD 공정은 하드 베이크(Hard Bake) 공정시, 공정 온도가 셋업되면, 그 공정 온도에 해당하는 공정만 진행할 수 있고 그 외의 온도를 갖는 공정은 진행할 수 없는 문제점이 있다. 이에 따라 본 발명은 공정 조건의 변화에도 온도 범위의 제약 없이 바로 적용 할 수 있는 챔버를 구현하게 되었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 다양한 공정 온도를 자유자재로 적용이 가능하며, 여러 온도에 대해 개별적인 챔버를 구비하지 않아도 되고, 다양한 공정 온도 조절이 가능하여 RTP(Rapid Thermal Processing)공정과 퍼니스 공정을 한 챔버에서 동일한 효과를 얻을 수 있는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버는 챔버 벽; 상기 챔버 벽의 외부에 위치하여 상기 챔버 벽의 내부로 열을 공급하는 고온 열원; 및 웨이퍼를 안착하고, 공정 온도에 따라 상기 고온 열원과 상기 웨이퍼간의 거리를 조절하는 엘리베이터를 포함한다.
본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버를 이용 한 반도체 제조 방법은 (a)웨이퍼를 챔버 벽의 내부로 로딩하여 엘리베이터에 안착하는 단계;(b)공정 온도에 따라 상기 챔버 벽의 외부에 위치한 고온 열원과 상기 엘리베이터에 안착된 웨이퍼간의 거리를 조절하는 단계;(c)상기 고온 열원의 열이 상기 웨이퍼에 전달되는 단계; 및 (d)상기 웨이퍼를 상기 챔버 벽의 외부로 언로딩하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용한 반도체 제조 방법은 다양한 공정 온도를 자유자재로 적용이 가능하며, 여러 온도에 대해 개별적인 챔버를 구비하지 않아도 되므로 비용 절감의 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버에 웨이퍼가 로딩된 후, 저온 공정을 진행하고, 웨이퍼를 언로딩하지 않고도 고온 공정을 진행할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2a 내지 도 2c는 각 온도에 따른 본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버의 구조도를 나타내는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버는 챔버 벽(11,12,13), 고온 열원(2), 엘리베이터(3), 저온 열원(4), 서셉터(5) 및 가스 분사관(6)을 포함한다.
상기 챔버 벽(11,12,13)은 Al 재질로 형성된 제1 몸체(12)와 투명하여 외부 복사에너지를 받는데 지장이 없고 고온에 견디는 쿼르츠(Quartz) 재질로 형성된 제2 몸체(11)로 구성된다.
상기 제2 몸체(11)는 상기 챔버 벽(11,12,13)의 상부 및 측면 상부를 구성하고, 상기 제1 몸체(12)는 상기 챔버 벽의 하부 및 측면 하부를 구성한다.
또는, 본 발명은 상기 챔버벽 중 상부 및 측면 상부를 쿼르츠로 형성하고, 하부 및 측면 하부를 Al으로 형성하였지만, 상부, 측면 상부 및 측면 하부를 쿼르츠로 형성하고 그 외의 챔버 벽은 Al으로 형성할 수도 있으며, 상기 챔버 벽 중 쿼르츠로 형성되는 영역이 달라질 수 있다.
또한, 상기 챔버 벽(11,12,13)은 상기 웨이퍼를 챔버 벽(11,12,13)의 외부와 내부 사이에서 로딩 및 언로딩시키기 위한 도어인 로딩 포트(13)를 추가로 포함한다.
상기 고온 열원(2)은 상기 제2 몸체(11)의 외부 즉, 상기 챔버 벽의 상부 및 측면 상부의 외부에 위치하여 상기 챔버 벽(11,12,13)의 내부로 열을 공급한다.
상기 고온 열원(2)은 칸탈(Kanthal) 재질로 구성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 고온 열원(2)은 500도(℃) 이상 1100도(℃) 이하의 온도의 열을 공급한다. 상기 고온 열원(2)의 열은 복사(radiation)에 의해 상기 웨이퍼에 전달된다.
도 2에 도시된 고온 열원(2)은 상기 챔버 벽(11,12,13)의 상부에 위치한 고온 열원(2)과 상기 챔버 벽(11,12,13)의 측면에 위치한 고온 열원(2)의 전원 파워를 다르게 조절하여 상기 웨이퍼에 균일한 온도가 공급될 수 있도록 구성한다.
상기 엘리베이터(3)는 웨이퍼를 안착하고, 공정 온도에 따라 상기 고온 열 원(2)과 상기 웨이퍼간의 거리를 조절한다. 예를 들어, 공정 온도가 1000도(℃)이면, 도 2a와 같이, 상기 엘리베이터(3)는 상기 웨이퍼를 상기 고온 열원(2)으로부터 상당히 가깝게 위치시킨다. 그리고, 공정 온도가 800도(℃)이면, 도 2b와 같이, 상기 엘리베이터(3)는 상기 웨이퍼를 상기 고온 열원(2)으로부터 도 2a에 비해 멀리 위치시킨다. 그리고, 공정 온도가 600도(℃)이면, 상기 엘리베이터(3)는 상기 웨이퍼를 상기 서셉터(5) 위에 놓는다. 상기 엘리베이터(3)는 쿼르츠 재질로 제조하는 것이 바람직하다. 도시하지 않았지만, 상기 엘리베이터의 구성 중 상기 웨이퍼를 지지 또는 안착하는 구성은 원형 모양으로 형성함이 바람직하다.
상기 저온 열원(4)은 상기 제2 몸체(11)의 내부 즉, 상기 챔버 벽의 내부에 위치하며 상기 고온 열원(2)보다 저온의 열을 공급한다. 바람직하게는, 상기 저온 열원은 150도(℃) 이상 600도(℃) 이하의 온도의 열을 공급한다.
상기 저온 열원(4)의 열은 전도(conduction)에 의해 상기 웨이퍼에 전달된다. 상기 저온 열원은 인코넬(Inconel) 재질로 감싸도록 제조하는 것이 바람직하다.
상기 서셉터(5)는 상기 저온 열원(4)을 감싸도록 구성된다.
상기 가스 분사관(6)은 상기 챔버 벽의 측면으로부터 상기 챔버 벽의 상부까지 연결된 관으로 가스를 분사한다. 상기 가스 분사관(6)은 쿼르츠 재질로 제조하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의한 챔버는 상기 챔버 벽의 외부에 위치하여 상기 챔버 벽의 내부를 진공 상태를 유지하기 위한 터보 분자 펌프(TMP:Tubor Molecular Pump) 로 구성된 진공부를 추가로 포함한다. 또한, 본 발명에 의한 챔버는 상기 챔버 벽의 외부에 냉각부를 추가로 구비한다.
도 3은 본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버를 이용한 반도체 제조 방법을 순서도로 도시한 것이다. 도 3에 도시된 순서도는 SOD와 같은 반도체 공정 중, 소프트 베이크(soft bake) 공정 이후의 공정을 나타낸다.
제1단계는 웨이퍼를 챔버 벽의 내부로 로딩하여 엘리베이터(3)에 안착한다.(S1)
상기 챔버 벽의 외부에 위치한 로봇 팔이 상기 웨이퍼를 상기 챔버 벽의 내부로 이송하고, 상기 엘리베이터의 웨이퍼 지지대로 안착시킨다.
제2단계는 상기 챔버 벽의 내부에 위치한 저온 열원(4)으로부터 상기 웨이퍼에 열이 공급된다.(S2)
약 400도 내외의 저온 공정시, 상기 엘리베이터는 상기 웨이퍼를 상기 서셉터 위에 놓고, 상기 서셉터 내부에 위치한 상기 저온 열원에 의한 하드 베이크(Hard Bake) 공정이 수행된다.
제3단계는 공정 온도에 따라 상기 챔버 벽의 외부에 위치한 고온 열원(2)과 상기 엘리베이터(3)에 안착된 웨이퍼간의 거리를 조절한다.(S3)
약 600도(℃) 이상의 고온 공정시, 상기 엘리베이터는 상기 웨이퍼를 상기 서셉터의 위치보다 상기 고온 열원에 가깝게 위로 이동시킨다. 이때, 공정 온도가 높을 수록, 상기 엘리베이터는 상기 웨이퍼를 상기 고온 열원에 가깝게 이동시킨 다.
제4단계는 상기 고온 열원(2)의 열이 상기 웨이퍼에 전달된다.(S4)
제 4단계에서, 상기 고온 열원에 의한 고온 공정이 수행된다.
제5단계는 상기 웨이퍼를 상기 챔버 벽의 외부로 언로딩한다.(S5)
고온 공정이 끝나면, 상기 웨이퍼를 상기 로딩 포트를 통해 상기 챔버 벽의 외부로 언로딩한다.
본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버의 장점은 다음과 같다.
종래의 챔버는 RTP 공정과 퍼니스 공정을 별도의 장비에서 구현하였다면, 본 발명은 다양한 온도에서의 공정이 가능하므로 RTP 공정과 퍼니스 공정을 모두 하나의 챔버에서 공정을 진행할 수 있다.
또한, 종래의 챔버는 공정 온도가 셋업되면, 그 공정 온도에 해당하는 공정만 진행할 수 있었다면, 본 발명은 다양한 공정 온도에 대해 적용이 가능하다. 따라서, 여러 온도에 대해 개별적인 챔버를 구비하지 않아도 되므로 비용 절감의 효과도 있다.
또한, 본 발명은 챔버에 웨이퍼가 로딩된 후, 저온 공정을 진행하고 웨이퍼를 언로딩하지 않고 곧바로 고온 공정을 진행할 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 특히, 쉘로우 트랜지 분리막(Sallow Trench Isolation; STI),내부 금속 절연막(Inter-Metal Dielectric Film; IMD), 금속 전 절연막(Pre-Metal Dielectric Film; PMD) 및 층간 절연막(Inter-Layer Dielectric Film; ILD)과 같은 공정에 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
도 1은 종래 기술에 의한 SOD 공정의 순서를 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 의한 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버의 구조도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 공정용 챔버의 공정 순서도이다.
Claims (11)
- 챔버 벽;상기 챔버 벽의 외부에 위치하여 상기 챔버 벽의 내부로 열을 공급하는 고온 열원; 및웨이퍼를 안착하고, 공정 온도에 따라 상기 고온 열원과 상기 웨이퍼간의 거리를 조절하는 엘리베이터를 포함하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항에 있어서,상기 챔버 벽의 내부에 위치하며 상기 고온 열원보다 저온의 열을 공급하는 저온 열원을 추가로 포함하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 챔버 벽의 내부로 가스를 분사하는 가스 분사관을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 챔버 벽은,상기 웨이퍼를 상기 챔버 벽의 외부와 내부 사이에서 로딩 및 언로딩시키기 위한 도어인 로딩 포트를 추가로 포함하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 엘리베이터는 쿼르츠 재질인 것을 특징으로 하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 고온 열원은 칸탈 재질인 것을 특징으로 하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 고온 열원은 500도(℃) 이상에서 1100도(℃) 이하의 온도의 열을 공급하는 것을 특징으로 하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 챔버 벽은,제1 재질로 형성된 제1 몸체; 및상기 제1 재질보다 고온에 견디는 제2 재질로 형성된 제2 몸체로 구성되며,상기 제1 몸체는 Al 재질이고, 상기 제2 몸체는 쿼르츠 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 챔버 벽의 외부에 위치하여 상기 챔버 벽의 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공부를 추가로 포함하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버.
- (a)웨이퍼를 챔버 벽의 내부로 로딩하여 엘리베이터에 안착하는 단계;(b)공정 온도에 따라 상기 챔버 벽의 외부에 위치한 고온 열원과 상기 엘리베이터에 안착된 웨이퍼간의 거리를 조절하는 단계;(c)상기 고온 열원의 열이 상기 웨이퍼에 전달되는 단계; 및(d)상기 웨이퍼를 상기 챔버 벽의 외부로 언로딩하는 단계를 포함하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버를 이용한 반도체 제조 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 (a) 단계와 (b) 단계 사이에,(a1) 공정 온도에 따라 상기 챔버 벽의 내부에 위치한 저온 열원으로부터 상기 웨이퍼에 열이 공급되는 단계를 추가로 포함하는 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버를 이용한 반도체 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090045913A KR20100127462A (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090045913A KR20100127462A (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100127462A true KR20100127462A (ko) | 2010-12-06 |
Family
ID=43504679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090045913A KR20100127462A (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20100127462A (ko) |
-
2009
- 2009-05-26 KR KR1020090045913A patent/KR20100127462A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI529775B (zh) | 負載閉鎖批式臭氧硬化 | |
| US11408075B2 (en) | Batch curing chamber with gas distribution and individual pumping | |
| JP5410174B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム | |
| KR100538137B1 (ko) | 고온처리챔버용덮개어셈블리 | |
| US7972979B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP6793031B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法、ならびに基板処理システム | |
| KR20110096348A (ko) | 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템 | |
| US20110223760A1 (en) | conformality of oxide layers along sidewalls of deep vias | |
| JP2009049316A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| KR20100127462A (ko) | 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법 | |
| JP2011066345A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理システム | |
| JP2010212391A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| TWI813375B (zh) | 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室 | |
| JP2010147417A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| TWI837045B (zh) | 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室 | |
| JP2014192304A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |