KR20100112795A - Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof - Google Patents

Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20100112795A
KR20100112795A KR1020090031267A KR20090031267A KR20100112795A KR 20100112795 A KR20100112795 A KR 20100112795A KR 1020090031267 A KR1020090031267 A KR 1020090031267A KR 20090031267 A KR20090031267 A KR 20090031267A KR 20100112795 A KR20100112795 A KR 20100112795A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
offset
heater
offset data
temperature band
Prior art date
Application number
KR1020090031267A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
강영순
정성철
오두영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020090031267A priority Critical patent/KR20100112795A/en
Publication of KR20100112795A publication Critical patent/KR20100112795A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Abstract

PURPOSE: A substrate treating apparatus and a method for controlling temperature thereof are provided to remove unreasonable components from a scheduler according to temperature change by supplying a plurality of offset tables. CONSTITUTION: A substrate is mounted on top of a bake plate(110). A heater(112) heats the bake plate in order to uniformly control the temperature of the substrate. The heater is installed inside the bake plate. A temperature sensor(114) senses the temperature of the bake plate. A controller(102) controls the heater in order to control the temperature of the substrate which is detected by the temperature sensor.

Description

기판 처리 장치 및 그의 온도 제어 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE THEREOF}Substrate processing apparatus and its temperature control method {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE THEREOF}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 베이크 플레이트의 온도를 제어하기 위한 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a method for controlling the temperature of the baking plate.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photolithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 일괄적으로 처리하는 스피너 설비(spinner)에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포 공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 현상 공정(develop process) 등을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 여기서, 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도를 기설정된 공정 온도로 조절하기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다.The photolithography process of the semiconductor manufacturing process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photographic process is usually carried out in a spinner which is connected to an exposure apparatus and processes the coating process, the exposure process, and the developing process collectively. Such spinner installations sequentially or selectively perform a coating process, a bake process, a development process, and the like. Here, the baking process is a process of heating and cooling the wafer to strengthen the photoresist film formed on the wafer or to adjust the temperature of the wafer to a predetermined process temperature.

이러한 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 일반적으로 복수 개의 베이크 유닛들을 구비한다. 베이크 유닛들은 복수 개가 상하 좌우로 배치된다. 기판 처리 장치는 베이크 공정이 개시되면, 기판을 베이크 유닛들 중 공정상 요구되는 베이크 유닛에 반입한 후, 베이크 플레이트에 안착시켜서 기설정된 공정 온도로 가열한다.A substrate processing apparatus for performing this baking process generally includes a plurality of baking units. A plurality of bake units are arranged up, down, left and right. When the baking process is started, the substrate processing apparatus loads the substrate into the baking unit required for the process among the baking units, and then, the substrate processing apparatus is mounted on the baking plate and heated to the predetermined process temperature.

베이크 유닛은 공정 진행 시, 온도 조건이 변경되면, 베이크 공정이 중단된다. 즉, 사진 공정의 공정 조건이 변화되면, 베이크 공정의 온도 조건이 변경되어 베이크 유닛들 중 일부 또는 전부의 웨이퍼 냉각 또는 가열 온도가 변경될 수 있다. 만약, 베이크 유닛들 중 일부 또는 전부가 온도 조건이 변화되면, 온도 조건이 변경되는 베이크 유닛들의 온도 조건 변경이 완료될 때까지 모든 베이크 유닛들로의 웨이퍼 이송이 중지되어 베이크 공정이 중단된다.When the baking unit changes the temperature condition during the process, the baking process is stopped. That is, when the process conditions of the photographic process are changed, the temperature conditions of the bake process may be changed to change the wafer cooling or heating temperature of some or all of the bake units. If the temperature condition of some or all of the bake units is changed, the wafer transfer to all the bake units is stopped until the temperature condition change of the bake units whose temperature condition is changed is stopped and the bake process is stopped.

각각의 베이크 유닛은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내부에 설치되어 공정시 웨이퍼의 온도를 냉각 및 가열하기 위한 적어도 하나의 베이크 플레이트를 가진다. 베이크 플레이트 내부에는 일반적으로 히터(heater)를 구비한다. 히터는 공정시 웨이퍼를 기설정된 공정 온도로 가열한다. 히터는 예를 들어, 기판의 영역별로 온도를 조절하기 위하여, 베이크 플레이트의 일정 영역별 즉, 채널별로 배치되는 복수 개의 히터 채널들을 구비한다.Each bake unit has a chamber that provides a space therein for performing a bake process, and at least one bake plate that is installed inside the chamber to cool and heat the temperature of the wafer during the process. The bake plate is generally provided with a heater. The heater heats the wafer to a predetermined process temperature during the process. The heater, for example, has a plurality of heater channels arranged for each region, that is, for each channel of the baking plate, in order to adjust the temperature for each region of the substrate.

최근 기판에 형성되는 패턴의 선폭 치수나 선폭 균일성의 요구값이 엄격해짐에 따라, 사진 공정에 있어서의 온도 균일성에 대한 요구도 높아지고 있다. 그러나 히터는 단순히 기판 전체를 동일한 온도로 가열하므로, 기판의 영역별로 정밀한 온도 제어를 할 수 없어, 기판 전체에 대한 온도 불균형이 발생된다. 그 결과, 기판이 휘어지거나 뒤틀어지는 현상(warpage)이 발생된다.In recent years, as the requirements for the line width dimension and the line width uniformity of the pattern formed on the substrate become stricter, the demand for temperature uniformity in the photographic process also increases. However, since the heater simply heats the entire substrate to the same temperature, precise temperature control cannot be performed for each region of the substrate, resulting in temperature imbalance for the entire substrate. As a result, warpage of the substrate occurs.

예컨대, 액침 노광(Immersion Lithography) 공정 등 향후 시장 대응에서 이 러한 휨 현상의 발생과, 베이크 환경의 변화 등으로 인하여 선폭 변동 등의 문제가 발생된다. 이를 해결하기 위하여, 기판 처리 장치는 베이크 유닛의 설정 온도에 대한 오프셋 데이터를 보정 및 보상한다. 따라서 하나의 반도체 디바이스 당 여러 스텝의 오프셋 데이터를 달리 설정해야 하는 문제가 발생된다.For example, in the future market response, such as an immersion lithography process, such warpage phenomenon and a change in the baking environment causes problems such as line width fluctuations. In order to solve this problem, the substrate processing apparatus corrects and compensates offset data with respect to a set temperature of the baking unit. Therefore, a problem arises in that offset data of several steps is set differently per one semiconductor device.

상술한 바와 같이, 베이크 유닛에서의 특정 온도 대역에 대한 오프셋 데이터는 유일하게 운용되므로, 오퍼레이터가 베이크 플레이트를 동일한 온도 대역의 다른 오프셋 데이터로 설정, 제어하려면, 해당 데이터를 일일이 수정, 입력하여 개별적으로 설정, 관리해야만 한다.As described above, since the offset data for a specific temperature band in the bake unit is uniquely operated, in order for the operator to set and control the bake plate with different offset data in the same temperature band, the operator can modify and input the data individually. It must be set up and managed.

예를 들어, 일반적인 베이크 공정을 처리하는 기판 처리 장치는 모든 베이크 유닛의 온도 설정 시, 온도의 오프셋 데이터를 설정 온도 대역 당 하나의 오프셋 데이터를 설정, 제어한다. 여기서 하나의 오프셋 데이터는 히터 채널별로 각각 설정된다. 즉, 오프셋 데이터는 동일한 온도 대역에 대응하여, 설정된 오프셋 값을 각 히터 채널별로 입력하고, 이를 해당 베이크 유닛을 제어하는 제어부에 의해 데이터 초기화한다. 이어서 기판 처리 장치는 레시피 변경을 통해 설정된 오프셋 값을 해당 베이크 유닛에 적용한다. 그러므로, 베이크 유닛은 온도의 오프셋을 변경할 때마다 매번 수동으로 오프셋 값을 수정, 입력해야만 하므로, 작업량 및 소요 시간이 증가되는 문제점이 있다.For example, the substrate processing apparatus which processes a general baking process sets and controls one offset data per set temperature band and the offset data of the temperature at the time of setting the temperatures of all the baking units. Here, one offset data is set for each heater channel. That is, the offset data corresponds to the same temperature band, and inputs the set offset value for each heater channel, and initializes the data by the controller controlling the corresponding baking unit. Subsequently, the substrate processing apparatus applies the offset value set through the recipe change to the corresponding baking unit. Therefore, the bake unit has to correct and input the offset value manually every time the temperature offset is changed, thereby increasing the amount of work and time required.

본 발명의 목적은 복수 개의 히터 채널들을 구비하는 베이크 플레이트를 갖는 기판 처리 장치 및 그의 온도 제어 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus having a bake plate having a plurality of heater channels and a temperature control method thereof.

본 발명의 다른 목적은 베이크 유닛의 온도 오프셋 데이터의 운용이 용이한 기판 처리 장치 및 그의 온도 제어 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a temperature control method thereof in which the temperature offset data of the baking unit is easy to operate.

본 발명의 또 다른 목적은 동일한 온도 대역에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블들을 설정, 제공하는 기판 처리 장치 및 그의 온도 제어 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a temperature control method thereof for setting and providing a plurality of offset tables corresponding to the same temperature band.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 기판 처리 장치는 동일한 온도 대역에 대응하여 서로 다른 온도 오프셋 데이터가 설정된 복수 개의 오프셋 테이블을 제공하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같은 기판 처리 장치는 베이크 플레이트의 온도 변경 시, 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하여 온도 제어가 가능하다.In order to achieve the above objects, the substrate processing apparatus of the present invention is characterized by providing a plurality of offset tables in which different temperature offset data are set corresponding to the same temperature band. Such a substrate processing apparatus may control temperature by selecting any one of offset tables when a temperature of the baking plate is changed.

이 특징에 따른 본 발명의 기판 처리 장치는, 상면에 베이크 공정이 진행될 기판이 안착되는 베이크 플레이트와; 상기 베이크 플레이트 내부에 설치되어 복수 개의 영역별로 히터 채널이 제공되며, 기판을 가열하는 히터와; 상기 히터 채널별로 온도를 감지하는 센서 및; 상기 센서로부터 상기 베이크 플레이트의 온도를 감지하고, 상기 베이크 플레이트의 하나의 온도 대역 당 오프셋 데이터가 설정된 복수 개의 오프셋 테이블을 구비하고, 상기 온도 대역을 변경할 경우, 상기 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하여 상기 히터를 제어하는 제어부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a baking plate on which a substrate on which a baking process is to be processed is mounted; A heater installed inside the baking plate to provide a heater channel for each of a plurality of regions, and to heat the substrate; A sensor for sensing a temperature for each heater channel; Sensing a temperature of the baking plate from the sensor, and having a plurality of offset tables in which offset data is set per one temperature band of the baking plate, and when changing the temperature band, selecting one of the offset tables It includes a control unit for controlling the heater.

한 실시예에 있어서, 상기 온도 테이블은; 하나의 상기 온도 대역에 대응하여 상기 히터 채널별로 오프셋 데이터를 각각 설정한다.In one embodiment, the temperature table; Offset data is set for each heater channel corresponding to one temperature band.

다른 실시예에 있어서, 상기 온도 테이블은; 동일한 상기 온도 대역에 대응하여 상기 히터 채널들을 상이한 오프셋 데이터로 설정한다. 여기서 상기 제어부는 상기 오프셋 테이블을 이용하여 상기 온도 대역으로 상기 히터를 제어한다.In another embodiment, the temperature table; The heater channels are set to different offset data corresponding to the same temperature band. Here, the control unit controls the heater in the temperature band using the offset table.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 온도 대역의 변경 시, 상기 히터 채널별로 상이하게 오프셋 데이터가 설정된 오프셋 테이블들을 동일한 상기 온도 대역에 링크시켜서 기판의 온도를 조절한다.In another embodiment, the control unit; When the temperature band is changed, the temperature of the substrate is controlled by linking offset tables having offset data set differently for each heater channel to the same temperature band.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 적어도 하나의 베이크 유닛을 구비하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 베이크 유닛의 동일한 온도 대역에 대응하여 오프셋 데이터를 상이하게 설정된 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하여 공정에 적용한다.According to another feature of the invention, there is provided a temperature control method of a substrate processing apparatus having at least one baking unit. According to this method, one of offset tables having different offset data corresponding to the same temperature band of the baking unit is selected and applied to the process.

이 특징에 따른 방법은, 상기 베이크 유닛에 제공되어 기판이 안착되는 베이크 플레이트를 하나의 온도 대역에 대응하여 오프셋 데이터가 설정된 복수 개의 오프셋 테이블들을 제공한다. 상기 온도 대역의 변경 시, 상기 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택한다. 이어서 선택된 상기 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 상기 베이크 유닛에 적용하여 상기 베이크 플레이트의 온도를 제어한다.The method according to this aspect provides a plurality of offset tables provided in the baking unit to which the offset data is set corresponding to one temperature band for the baking plate on which the substrate is mounted. When changing the temperature band, one of the offset tables is selected. Subsequently, the offset data of the selected offset table is applied to the baking unit to control the temperature of the baking plate.

한 실시예에 있어서, 상기 오프셋 테이블들을 제공하는 것은; 상기 베이크 플레이트의 전체 온도에 대한 하나의 온도 대역 당 상기 히터 채널별로 상이하게 오프셋 데이터를 설정한 오프셋 테이블을 복수 개로 제공한다.In one embodiment, providing the offset tables; A plurality of offset tables are provided in which offset data is differently set for each heater channel per one temperature band for the entire temperature of the baking plate.

다른 실시예에 있어서, 상기 온도 대역의 변경은; 동일한 온도 대역 또는 상이한 온도 대역으로 변경한다.In another embodiment, the changing of the temperature bands; Change to the same temperature band or different temperature bands.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 동일한 온도 대역으로의 변경은; 동일한 온도 대역에 대응하여 상기 히터 채널별들 중 적어도 일부가 상이하게 설정된 오프셋 데이터를 갖는 복수 개의 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택한다.In yet another embodiment, the change to the same temperature band; At least some of the heater channels are selected from among a plurality of offset tables having offset data differently set corresponding to the same temperature band.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 방법은; 선택된 상기 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 상기 베이크 유닛에 적용하고, 상기 베이크 플레이트의 상기 히터 채널별로 온도를 감지하는 복수 개의 센서를 이용하여 적용된 상기 오프셋 데이터를 모니터링하는 것을 더 포함한다.In another embodiment, the method; The method further includes applying the offset data of the selected offset table to the baking unit and monitoring the applied offset data by using a plurality of sensors that sense temperature for each heater channel of the baking plate.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 방법은; 오프셋 데이터의 변경에 대한 이력을 확인하거나, 오프셋 데이터의 변경 이전의 데이터로 복원하도록 처리하는 것을 더 포함한다.In another embodiment, the method; Processing to confirm the history of the change of the offset data or to restore the data prior to the change of the offset data.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는 온도 조절을 위한 초기 데이터와 레시피 데이터를 분리하고, 오프셋 테이블을 공정 레시피에 링크시켜서 베이크 유닛의 하나의 설정 온도에 대해 복수 개의 오프셋 온도들 중 어느 하나를 선택하도록 운용함으로써, 베이크 유닛의 오프셋 데이터의 변경 및 적용이 단순화된다.As described above, the substrate processing apparatus of the present invention separates initial data and recipe data for temperature control, and links an offset table to a process recipe so that any one of a plurality of offset temperatures for one set temperature of the baking unit is obtained. By operating to select, the change and application of the offset data of the bake unit are simplified.

본 발명의 기판 처리 장치는 오프셋 데이터의 변경 및 적용이 단순화하여 공정 레시피 및 초기 데이터의 변경에 따른 사용자의 입력 공수가 절감되고, 이로 인 해 설비의 비가동 시간이 감소된다.The substrate processing apparatus of the present invention simplifies the change and application of offset data, thereby reducing the user's input labor according to the process recipe and the initial data change, thereby reducing downtime of the facility.

본 발명의 기판 처리 장치는 하나의 온도 대역에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블을 제공함으로써, 베이크 유닛의 변칙적인 온도 관리가 가능하고, 온도 변경에 따른 스케쥴러의 비정상적인 환경 범위 설정 등의 불합리 요소를 제거할 수 있다.By providing a plurality of offset tables corresponding to one temperature band, the substrate processing apparatus of the present invention enables anomalous temperature management of the baking unit, and eliminates irrational elements such as setting an abnormal environmental range of the scheduler due to temperature change. Can be.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

이하 첨부된 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 도시한 도면이다.1 to 3 are views showing some configurations of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 사진 공정을 처리하는 스피너 설비로, 복수 개의 베이크 유닛들을 포함한다. 기판 처리 장치(100)는 기판(W)이 안착되는 베이크 플레이트(110)와, 베이크 플레이트(110) 내부에 배치되어, 기판(W)의 온도를 균일하게 조절하도록 베이크 플레이트(110)를 가열하는 히터(112)와, 베이크 플레이트(110)의 온도를 감지하는 온도 센서(114) 및, 온도 센서(114)로부터 감지된 기판(W)의 온도를 조절하도록 히터(112)를 제어하는 제어부(102, 104)를 포함한다.1 and 3, the substrate processing apparatus 100 is a spinner apparatus for processing a photographic process and includes a plurality of bake units. The substrate processing apparatus 100 is disposed inside the bake plate 110 and the bake plate 110 on which the substrate W is seated, and heats the bake plate 110 to uniformly adjust the temperature of the substrate W. FIG. Control unit 102 for controlling the heater 112, the temperature sensor 114 for sensing the temperature of the baking plate 110, and the heater 112 to adjust the temperature of the substrate (W) detected from the temperature sensor 114 , 104).

베이크 플레이트(110)는 상면에 기판(W)이 안착된다. 베이크 플레이트(110)는 내부에 히터(112)가 설치된다. 베이크 플레이트(110)는 복수 개의 영역별로 구분되며, 각 영역별에는 히터 채널(도 3의 112a ~ 112o)이 배치된다.The baking plate 110 is mounted on the substrate (W) on the upper surface. The baking plate 110 is provided with a heater 112 therein. The baking plate 110 is divided into a plurality of regions, and heater channels (112a to 112o of FIG. 3) are disposed in each region.

히터(112)는 베이크 플레이트(110) 내부에 균등한 영역별로 배치되는 복수 개의 히터 채널(112a ~ 112o)들로 구비된다. 히터 채널(112a ~ 112o)들은 각각 베이크 플레이트(112)를 가열한다. 그 결과, 히터(112)는 기판(W)을 가열한다.The heater 112 is provided with a plurality of heater channels 112a to 112o disposed in the baking plate 110 by equal regions. The heater channels 112a-112o heat the bake plate 112, respectively. As a result, the heater 112 heats the substrate W. As shown in FIG.

온도 센서(114)들은 각각의 히터 채널(112a ~ 112o)들에 대응하여 베이크 플레이트(110) 내부에 설치되고, 히터 채널(112a ~ 112o) 각각의 온도를 감지하여 제어부(102, 104)로 제공한다.The temperature sensors 114 are installed inside the bake plate 110 in correspondence with the respective heater channels 112a through 112o, and sense the temperature of each of the heater channels 112a through 112o and provide them to the controllers 102 and 104. do.

제어부(102, 104)는 하위 및 상위 제어부(102, 104)를 포함한다. 하위 제어부(102)는 기판 처리 장치(100)의 제반 동작을 제어하는 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 등으로 구비된다. 하위 제어부(102)는 베이크 유닛들을 제어한다. 하위 제어부(102)는 베이크 플레이트(110)의 온도 변경에 따른 오프셋 데이터(offset data)를 입력하거나, 베이크 유닛의 오프셋 데이터를 초기화한다. 하위 제어부(102)는 복수 개의 온도 대역(106)에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블(108)들을 구비한다. 오프셋 테이블(108)은 각 히터 채널(112a ~ 112o)들 별로 오프셋 데이터를 설정한다. 하위 제어부(102)는 베이크 플레이트(110)의 온도 센서(114)들로부터 각 히터 채널(112a ~ 112o)별로 온도를 감지(Sense)하고, 감지 된 온도가 설정된 온도에 적합하도록 각각의 히터 채널(112a ~ 112o)들을 제어(Control)한다.The controllers 102 and 104 include lower and upper controllers 102 and 104. The lower controller 102 is provided with a programmable logic controller (PLC) or the like that controls the overall operation of the substrate processing apparatus 100. The lower control unit 102 controls the baking units. The lower controller 102 inputs offset data according to a temperature change of the baking plate 110 or initializes offset data of the baking unit. The lower controller 102 includes a plurality of offset tables 108 corresponding to the plurality of temperature bands 106. The offset table 108 sets offset data for each heater channel 112a to 112o. The lower control unit 102 senses a temperature for each heater channel 112a to 112o from the temperature sensors 114 of the bake plate 110, and each heater channel (Sense) corresponds to the set temperature. 112a to 112o).

하위 제어부(102)는 호스트, 클러스터 툴 컨트롤러(CTC) 등의 상위 제어부(104)와 네트워크를 통해 연결된다.The lower control unit 102 is connected to the upper control unit 104 such as a host, a cluster tool controller (CTC), and the like through a network.

상위 제어부(104)는 공정 레시피를 설정, 저장한다. 상위 제어부(104)는 공정 레시피를 하위 제어부(102)로 제공한다. 따라서 상위 제어부(104)는 공정 레시피를 변경하여 변경된 오프셋 데이터를 통해 베이크 유닛에 적용하도록 제어한다. 즉, 기판 처리 장치(100)는 오프셋 데이터가 변경될 때마다 하위 제어부(102)에서 오프셋 데이터를 수정, 입력하고, 이를 통해 베이크 유닛을 초기화한다. 이어서 상위 제어부(104)는 변경된 오프셋 데이터를 공정 레시피에 적용되도록 수정하고, 런(run)을 진행한다.The upper control unit 104 sets and stores a process recipe. The upper control unit 104 provides a process recipe to the lower control unit 102. Therefore, the upper control unit 104 controls the process recipe to be applied to the baking unit through the changed offset data. That is, whenever the offset data is changed, the substrate processing apparatus 100 corrects and inputs the offset data in the lower controller 102, and initializes the baking unit through the offset data. Subsequently, the upper control unit 104 modifies the changed offset data to be applied to the process recipe and proceeds with the run.

구체적으로 도 2를 참조하면, 베이크 플레이트(110)는 복수 개의 히터 채널(112a ~ 112o)들을 포함한다.Specifically, referring to FIG. 2, the bake plate 110 includes a plurality of heater channels 112a to 112o.

베이크 플레이트(110)는 균등한 영역별로 배치되는 복수 개의 히터 채널(112a ~ 112o)들 예컨대, 제 1 내지 제 15 히터 채널(112a ~ 112o)들로 구성된다. 이 때, 베이크 플레이트(110)는 각 히터 채널(112a ~ 112o)들 별로 오프셋 데이터를 설정하여 베이크 플레이트(110)의 전체 온도를 조절한다.The bake plate 110 is composed of a plurality of heater channels 112a through 112o, for example, first through fifteenth heater channels 112a through 112o. At this time, the bake plate 110 sets offset data for each heater channel 112a ˜ 112o to adjust the overall temperature of the bake plate 110.

즉, 베이크 플레이트(110)는 하나의 온도 대역에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블을 제공한다. 오프셋 테이블은 하나의 온도 대역마다 복수 개의 히터 채널(112a ~ 112o)들 별로 오프셋 데이터를 각각 설정된다. 오프셋 테이블은 동일 한 온도 대역에 대응하여 상이한 오프셋 데이터로 설정될 수 있다. 오프셋 테이블은 상이한 온도 대역에 대응하여 상이한 오프셋 테이터로 설정될 수 있다. 여기서 오프셋 테이블은 기판 처리 장치(100)의 베이크 유닛별로 복수 개가 제공된다. 온도 대역은 하위 제어부(102) 또는 상위 제어부(104)에서 작성 가능한 공정 레시피의 개수만큼 설정 가능하다. 이는 공정 레시피(process recipe)가 반도체 디바이스의 종류별로 작성되나, 플로우 레시피(flow recipe)는 유닛별로 작성되므로, 플로우 레시피가 어떤 유닛의 공정 레시피에서 런 진행 중에 적용될 지를 선택할 수 없다.That is, the bake plate 110 provides a plurality of offset tables corresponding to one temperature band. The offset table sets offset data for each of the plurality of heater channels 112a to 112o for each temperature band. The offset table may be set with different offset data corresponding to the same temperature band. The offset table may be set with different offset data corresponding to different temperature bands. Here, a plurality of offset tables may be provided for each baking unit of the substrate processing apparatus 100. The temperature band can be set by the number of process recipes that can be created by the lower control unit 102 or the upper control unit 104. This is because a process recipe is written for each type of semiconductor device, but a flow recipe is written for each unit, so it is not possible to select which unit of process recipes to be applied during a run in progress.

본 발명의 기판 처리 장치(100)는 베이크 플레이트(110)의 온도 변경 시, 복수 개의 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 베이크 유닛에 적용하여 공정을 처리한다.When the temperature of the baking plate 110 is changed, the substrate processing apparatus 100 of the present invention selects one of a plurality of offset tables and applies the offset data of the selected offset table to the baking unit to process the process.

따라서 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 베이크 플레이트(110) 온도의 디폴트(default) 제어 데이터인 초기 데이터와, 온도 조절을 위한 레시피 데이터를 분리하고, 오프셋 테이블을 공정 레시피에 링크시켜서 베이크 유닛의 하나의 설정 온도에 대해 복수 개의 오프셋 온도들 중 어느 하나를 선택하도록 운용한다.Therefore, the substrate processing apparatus 100 of the present invention separates initial data, which is the default control data of the baking plate 110 temperature, and recipe data for temperature control, and links the offset table to the process recipe, Operate to select any one of a plurality of offset temperatures for one set temperature.

도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 온도 제어 수순을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a temperature control procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 4를 참조하면, 단계 S150에서 기판 처리 장치(100)는 베이크 플레이트에 대한 하나의 온도 대역(106)에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블(108)을 구비한다. 오프셋 테이블(108)은 베이크 플레이트(110)의 각 히터 채널(112a ~ 112o)별로 오프셋 데이터가 설정된다. 오프셋 테이블(108)은 동일한 온도 대역에 대응하여 복수 개가 제공된다. 이 경우, 동일한 온도 대역에 대해 각 히터 채널(112a ~ 112o)들 일부가 상이하게 오프셋 데이터를 설정한다. 또 오프셋 테이블(108)은 상이한 온도 대역에 대응하여 복수 개가 제공된다.Referring to FIG. 4, in operation S150, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of offset tables 108 corresponding to one temperature band 106 for the baking plate. In the offset table 108, offset data is set for each heater channel 112a to 112o of the bake plate 110. The offset table 108 is provided in plural in correspondence with the same temperature band. In this case, some of the heater channels 112a to 112o set offset data differently for the same temperature band. In addition, a plurality of offset tables 108 are provided corresponding to different temperature bands.

단계 S152에서 오프셋(또는 온도 대역)의 변경이 있는지를 판별한다. 예를 들어, 오프셋의 변경은 동일한 온도 대역 또는 상이한 온도 대역으로 변경된다. 판별 결과, 오프셋의 변경이 있으면, 이 수순은 단계 S154로 진행한다.In step S152, it is determined whether there is a change in the offset (or the temperature band). For example, the change in offset is changed to the same temperature band or to a different temperature band. As a result of the determination, if there is a change in the offset, the procedure proceeds to step S154.

단계 S154에서 변경된 온도 대역에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택한다. 이어서 단계 S156에서 선택된 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 베이크 유닛에 적용하여 공정을 진행한다. 이 때, 적용된 오프셋 테이블의 오프셋 데이터에 의해 베이크 유닛의 온도를 실시간으로 모니터링할 수 있으며, 데이터 변경에 따른 이력을 확인할 수 있다. 또한 오프셋 데이터의 변경 이전의 데이터로 복원할 수 있는 툴(tool)을 제공하여 설비의 오동작 및 공정 오류를 방지할 수 있다.In step S154, one of the plurality of offset tables is selected corresponding to the changed temperature band. Subsequently, the process is performed by applying the offset data of the offset table selected in step S156 to the baking unit. At this time, the temperature of the baking unit can be monitored in real time by the offset data of the applied offset table, and the history according to the data change can be confirmed. In addition, a tool that can restore the data prior to the change of the offset data can be provided to prevent equipment malfunction and process error.

도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 온도 대역 및 오프셋 테이블을 나타내는 도면들이다.5A and 5B are diagrams illustrating a temperature band and an offset table according to the present invention.

먼저 도 5a를 참조하면, 일반적인 베이크 플레이트의 온도 제어를 위한 오프셋 데이터는 하나의 온도 대역(10 또는 20)에 대해 하나의 오프셋 테이블(30 또는 40)이 제공된다. 오프셋 테이블(30, 40)은 복수 개의 히터 채널별로 오프셋 데이터(Ch1 Offset ~ Ch15 Offset)가 각각 설정된다.First, referring to FIG. 5A, offset data for temperature control of a general baking plate is provided with one offset table 30 or 40 for one temperature band 10 or 20. In the offset tables 30 and 40, offset data (Ch1 Offset to Ch15 Offset) are set for each of the plurality of heater channels.

제 1 온도 대역(30)은 제 1 내지 제 15 채널별로 제 1의 오프셋 데이터가 각각 설정된다. 제 2 온도 대역(40)은 제 1 내지 제 15 채널별로 제 2의 오프셋 데이터가 각각 설정된다. 이 때, 제 1 및 제 2 온도 대역(30, 40)이 동일한 경우에도, 제 1 및 제 2의 오프셋 데이터는 별도의 오프셋 데이블로 설정, 작성하여야 된다. 이는 베이크 플레이트의 전체 온도가 동일하더라도, 휨(warpage) 현상 등을 해결하기 위하여 각 히터 채널별로 온도 조절이 필요한 경우에는 각 히터 채널별로 온도를 상이하게 설정해야 한다. 그러나 일반적인 베이트 플레이트의 온도 조절은 하나의 온도 대역에 한 세트의 오프셋 데이터가 설정되므로, 동일한 온도 대역에 대해 다른 오프셋 데이터로 베이크 플레이트의 온도를 제어하려면, 새로운 오프셋 테이블이 제공되어야만 한다.In the first temperature band 30, first offset data is set for each of the first to fifteenth channels. In the second temperature band 40, the second offset data is set for each of the first to fifteenth channels. At this time, even when the first and second temperature bands 30 and 40 are the same, the first and second offset data must be set and created as separate offset data. Although the overall temperature of the bake plate is the same, if temperature control is required for each heater channel in order to solve a warpage phenomenon, the temperature should be set differently for each heater channel. However, in general bait plate temperature control, one set of offset data is set in one temperature band, and therefore, to control the temperature of the bake plate with different offset data for the same temperature band, a new offset table must be provided.

그러나 도 5b를 참조하면, 본 발명의 오프셋 데이터는 하나의 온도 대역(160 또는 162)에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블(170 ~ 174)이 제공된다. 오프셋 테이블(170 ~ 174)은 복수 개의 히터 채널(112a ~ 112o)별로 오프셋 데이터(Ch1 Offset ~ Ch15 Offset)가 각각 설정된다.However, referring to FIG. 5B, the offset data of the present invention is provided with a plurality of offset tables 170 to 174 corresponding to one temperature band 160 or 162. In the offset tables 170 to 174, offset data (Ch1 Offset to Ch15 Offset) is set for each of the plurality of heater channels 112a to 112o.

본 발명에 의하면, 복수 개의 온도 대역(160, 162)에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블(Ch1 Offset ~ Ch15 Offset)을 제공한다. 또 동일한 온도 대역(160 또는 162)에 대응하여 복수 개의 오프셋 테이블(170 ~ 174)을 제공한다. 이 경우, 동일한 온도 대역의 오프셋 테이블들은 동일한 히터 채널(112a ~ 112o)별로 일부가 상이하게 오프셋 데이터(Ch1 Offset ~ Ch15 Offset)를 설정한다.According to the present invention, a plurality of offset tables Ch1 Offset to Ch15 Offset are provided corresponding to the plurality of temperature bands 160 and 162. In addition, a plurality of offset tables 170 to 174 are provided to correspond to the same temperature band 160 or 162. In this case, offset tables of the same temperature band partially set offset data (Ch1 Offset to Ch15 Offset) differently for the same heater channels 112a to 112o.

제 1 온도 대역(160)은 제 1 내지 제 15 채널(112a ~ 112o)별로 제 1의 오프 셋 데이터가 각각 설정된다. 제 2 온도 대역(162)은 제 1 내지 제 15 채널(112a ~ 112o)별로 제 2의 오프셋 데이터가 각각 설정된다. 이 때, 제 1 및 제 2 온도 대역(160, 162)이 동일한 경우라도, 제 1 및 제 2의 오프셋 데이터는 상이하게 오프셋 데이터가 각각 설정된다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 온도 대역(160, 162)이 베이크 플레이트(110)의 전체 온도가 105.1 ℃인 경우, 일부 히터 채널의 오프셋 데이터는 상이하게 설정되고, 나머지 히터 채널의 오프셋 데이터는 동일하게 설정되더라도, 베이크 플레이트(110)의 전체 온도는 105.1 ℃로 유지된다. 그러므로 동일한 온도 대역에서도 베이크 플레이트(110)는 영역마다 상이한 온도로 조절할 수 있다.In the first temperature band 160, first offset data is set for each of the first to fifteenth channels 112a to 112o. In the second temperature band 162, second offset data is set for each of the first to fifteenth channels 112a to 112o. At this time, even when the first and second temperature bands 160 and 162 are the same, the offset data is set differently for the first and second offset data, respectively. For example, when the first and second temperature bands 160 and 162 have an overall temperature of the baking plate 110 at 105.1 ° C., the offset data of some heater channels are set differently, and the offset data of the remaining heater channels is different. Although set equally, the overall temperature of the bake plate 110 is maintained at 105.1 ° C. Therefore, even in the same temperature band, the baking plate 110 can be adjusted to different temperatures for each region.

물론 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 베이크 플레이트(110)의 온도 변경 시, 상이한 온도 대역에 대응하여 제 1 내지 제 15 채널(112a ~ 112o)별 오프셋 데이터를 상이하게 설정하는 복수 개의 오프셋 테이블을 제공한다. 이 경우에도 복수 개의 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 베이크 유닛에 적용하여 공정을 처리한다.Of course, the substrate processing apparatus 100 of the present invention, when changing the temperature of the baking plate 110, a plurality of offset table for differently setting the offset data for each of the first to fifteen channels (112a to 112o) corresponding to different temperature bands To provide. Also in this case, any one of the plurality of offset tables is selected, and the offset data of the selected offset table is applied to the baking unit to process the process.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention are shown in accordance with the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 도시한 도면;BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 shows a part of a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 베이크 플레이트의 히터 채널들을 나타내는 도면;FIG. 2 shows heater channels of the bake plate shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성을 도시한 블럭도;3 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1;

도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 온도 제어 수순을 도시한 흐름도; 그리고4 is a flowchart showing a temperature control procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention; And

도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 온도 대역 및 오프셋 테이블을 나타내는 도면들이다.5A and 5B are diagrams illustrating a temperature band and an offset table according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치 102 : 하위 제어부100 substrate processing apparatus 102 lower control unit

104 : 상위 제어부 108 : 오프셋 테이블104: upper control unit 108: offset table

110 : 베이크 플레이트 112 : 히터110: baking plate 112: heater

112a ~ 112o : 히터 채널 114 : 온도 센서112a to 112o: Heater channel 114: Temperature sensor

Claims (10)

기판 처리 장치에 있어서:In the substrate processing apparatus: 상면에 베이크 공정이 진행될 기판이 안착되는 베이크 플레이트와;A baking plate on which a substrate on which a baking process is to be processed is mounted; 상기 베이크 플레이트 내부에 설치되어 복수 개의 영역별로 히터 채널이 제공되며, 기판을 가열하는 히터와;A heater installed inside the baking plate to provide a heater channel for each of a plurality of regions, and to heat the substrate; 상기 히터 채널별로 온도를 감지하는 센서 및;A sensor for sensing a temperature for each heater channel; 상기 센서로부터 상기 베이크 플레이트의 온도를 감지하고, 상기 베이크 플레이트의 하나의 온도 대역 당 오프셋 데이터가 설정된 복수 개의 오프셋 테이블을 구비하고, 상기 온도 대역을 변경할 경우, 상기 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하여 상기 히터를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Sensing a temperature of the baking plate from the sensor, and having a plurality of offset tables in which offset data is set per one temperature band of the baking plate, and when changing the temperature band, selecting one of the offset tables And a control unit for controlling the heater. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 테이블은;The temperature table; 하나의 상기 온도 대역에 대응하여 상기 히터 채널별로 오프셋 데이터를 각각 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And offset data for each heater channel corresponding to one temperature band. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 온도 테이블은;The temperature table; 동일한 상기 온도 대역에 대응하여 상기 히터 채널들을 상이한 오프셋 데이터로 설정하되;Setting the heater channels to different offset data corresponding to the same temperature band; 상기 제어부는 상기 오프셋 테이블을 이용하여 상기 온도 대역으로 상기 히터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The control unit is a substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the heater in the temperature band using the offset table. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제어부는;The control unit; 상기 온도 대역의 변경 시, 상기 히터 채널별로 상이하게 오프셋 데이터가 설정된 오프셋 테이블들을 동일한 상기 온도 대역에 링크시켜서 기판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And changing the temperature band to control the temperature of the substrate by linking offset tables having different offset data set for each heater channel to the same temperature band. 적어도 하나의 베이크 유닛을 구비하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법에 있어서:In the temperature control method of a substrate processing apparatus having at least one baking unit: 상기 베이크 유닛에 제공되어 기판이 안착되는 베이크 플레이트를 하나의 온도 대역에 대응하여 오프셋 데이터가 설정된 복수 개의 오프셋 테이블들을 제공하고, 상기 온도 대역의 변경 시, 상기 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하고, 이어서 선택된 상기 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 상기 베이크 유닛에 적용하여 상기 베이크 플레이트의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법.Providing a plurality of offset tables in which the offset data is provided in correspondence with one temperature band to the baking plate on which the substrate is seated, and selecting one of the offset tables when the temperature band is changed; And applying offset data of the selected offset table to the bake unit to control the temperature of the bake plate. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 오프셋 테이블들을 제공하는 것은;Providing the offset tables; 상기 베이크 플레이트의 전체 온도에 대한 하나의 온도 대역 당 상기 히터 채널별로 상이하게 오프셋 데이터를 설정한 오프셋 테이블을 복수 개로 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법.And a plurality of offset tables in which offset data is set differently for each heater channel per one temperature band for the entire temperature of the baking plate. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 온도 대역의 변경은;Changing the temperature band; 동일한 온도 대역 또는 상이한 온도 대역으로 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법.The temperature control method of the substrate processing apparatus characterized by changing to the same temperature band or a different temperature band. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 동일한 온도 대역으로의 변경은;Changing to the same temperature band; 동일한 온도 대역에 대응하여 상기 히터 채널별들 중 적어도 일부가 상이하게 설정된 오프셋 데이터를 갖는 복수 개의 오프셋 테이블들 중 어느 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법.And selecting one of a plurality of offset tables having offset data differently set in at least some of the heater channels corresponding to the same temperature band. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 방법은;The method; 선택된 상기 오프셋 테이블의 오프셋 데이터를 상기 베이크 유닛에 적용하 고, 상기 베이크 플레이트의 상기 히터 채널별로 온도를 감지하는 복수 개의 센서를 이용하여 적용된 상기 오프셋 데이터를 모니터링하는 것을 더 포함하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법.Applying the offset data of the selected offset table to the bake unit, and monitoring the applied offset data by using a plurality of sensors that sense temperature for each heater channel of the bake plate. Control method. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 방법은;The method; 오프셋 데이터의 변경에 대한 이력을 확인하거나, 오프셋 데이터의 변경 이전의 데이터로 복원하도록 처리하는 것을 더 포함하는 기판 처리 장치의 온도 제어 방법.The method for controlling the temperature of the substrate processing apparatus further comprising the step of checking the history of the change of the offset data or restoring to the data before the change of the offset data.
KR1020090031267A 2009-04-10 2009-04-10 Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof KR20100112795A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090031267A KR20100112795A (en) 2009-04-10 2009-04-10 Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090031267A KR20100112795A (en) 2009-04-10 2009-04-10 Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100112795A true KR20100112795A (en) 2010-10-20

Family

ID=43132586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090031267A KR20100112795A (en) 2009-04-10 2009-04-10 Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100112795A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2554645C (en) Method and device for thermally treating substrates
JP2007317732A (en) Method of controlling temperature in heat treatment plate, program, and device for controlling temperature in heat treatment plate
US11087983B2 (en) Thermal treatment apparatus, thermal treatment method, and non-transitory computer storage medium
JP2006113724A (en) Control method, temperature control method, temperature regulator, heat treatment equipment, program and recording medium
US11367645B2 (en) Temperature tunable multi-zone electrostatic chuck
KR20030067695A (en) Method for thermally treating substrates
KR20080018455A (en) Bake process apparatus and method
JP2001143850A (en) Substrate heat treatment apparatus, substrate heat treatment method, substrate processing apparatus and substrate processing method
CN110246774B (en) Method of determining thermal stability of substrate support assembly
CN106158623B (en) Calibration method for a thermal processing unit
KR102225682B1 (en) Heat treating method of substrate
KR20100112795A (en) Substrate treating apparatus and method for controlling temperature thereof
CN107978523A (en) The control method of multizone differential etching
JP2006222354A (en) Method for setting temperature of heat treatment plate, equipment for setting temperature of heat treatment, program, and program-recorded computer-readable recording medium
El-Awady et al. Programmable thermal processing module for semiconductor substrates
CN111430267B (en) Cooling method and heating treatment device for hot plate
TWI779053B (en) Heat treatment device, method of managing heat treatment device, and storage medium
US20020085212A1 (en) Method and apparatus for controlling wafer thickness uniformity in a multi-zone vertical furnace
JP2008299697A (en) Control method, temperature control method, correction device, temperature adjuster, and program
KR100605482B1 (en) Control method for semiconductor multi-zone heating system and its control apparatus
JP3648150B2 (en) Cooling processing apparatus and cooling processing method
JP4994276B2 (en) Heat treatment apparatus for workpiece, control method thereof, and control method of treatment apparatus
JP5411895B2 (en) Heat treatment equipment for workpieces
JP7256034B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
US20220238415A1 (en) Thermoelectric cooling pedestal for substrate processing systems

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application